UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Facultad de Ciencias
Grado en Fı́sica

Práctica 3: Efecto Hall en

semiconductores

Fı́sica del Estado Sólido

Iván Alonso Delgado
Raquel Álvarez Garcı́a
Julián Álvarez Miranda
Christian Álvarez Peláez
Curso 2016-2017
Índice
1. Objetivo 2

2. Introducción teórica 2

3. Procedimiento experimental 8

4. Gestión de datos 12
4.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.3. Semiconductor intrı́nseco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

5. Simulación informática 24

6. Conclusiones 35

7. Bibliografı́a 36

1
1. Objetivo
El objetivo de la práctica es el estudio del efecto Hall en semiconductores.
Para ello, se harán variar diferentes parámetros para ver el efecto que esto
produce. Dichos parámetros son la corriente de entrada, la intensidad del
campo magnético aplicado y la temperatura. De esta forma, se hallarán los
valores de la energı́a del gap y de la constante Hall; ası́ como el tipo de
portadores de carga, densidad y movilidad.

2. Introducción teórica
A la hora de caracterizar los materiales existen diversos procesos a rea-
lizar para poder catalogar las mejores aplicaciones que se les puede dar a
éstos, como por ejemplo se emplea la difracción de rayos X para conocer la
estructura que presentan o la espectrometrı́a para identificar sus propiedades
ópticas. Uno de estos procesos, que aquı́ se buscará tratar, es el efecto Hall.

El llamado efecto Hall es un proceso de caracterización de materiales

que permite conocer la naturaleza de conducción eléctrica de éstos, siendo
ampliamente utilizado ya que proporciona determinación directa del signo de
los portadores de carga en el material y la densidad de éstos.

Figura 1: Esquema de la geometrı́a del efecto Hall.

2
 Sea un bloque metálico conectado por dos de sus caras paralelas a un
~ en el
generador en un circuito cerrado, tal que induce un campo eléctrico E
material en la dirección que conecta dichas caras. Este campo hace que los
portadores de carga se desplacen en la dirección de las conexiones transmi-
tiendo la corriente eléctrica que induce el generador, tal que la intensidad de
corriente viene dada por:
I~x = wtJ~x (1)

Con w y t el ancho y alto de las caras en cuestión, mientras que la densidad

de corriente J~x está establecida por la Ley de Ohm:

J~x = σ E~x = nq v~x (2)

Donde σ es la conductividad del material, n la densidad de portadores de

carga, q el valor de dicha carga, y v~x la velocidad de los portadores.

~ en la dirección perpendicular
De imponerse ahora un campo magnético B
~ entonces la fuerza de Lorentz que aparece somete a los
a este campo E,
electrones a un cambio en su movimiento, de forma que ahora pasan a moverse
helicoidalmente en la dirección perpendicular restante en lugar de en lı́nea
~
recta en la dirección del campo E:

F~ = q E~x × B~z (3)

El radio de la trayectoria que describe este movimiento (rc ) viene dado por:
mvc
rc = (4)
qB
Este radio es inversamente proporcional al campo magnético que lo induce,
requiriéndose campos magnéticos muy intensos para que se obtengan órbitas
completas. Esto hace pues que el movimiento helicoidal de las cargas no
llegue a cumplirse y, en su lugar, son desplazadas en arco hacia las caras del

3
bloque por las que no se induce ningún campo, acumulándose ası́ las cargas
positivas y negativas en caras opuestas.

Figura 2: Detalle del proceso que ocurre en el efecto Hall.

https://3c1703fe8d.site.internapcdn.net/newman/gfx/news/hires/
whenoldisnew.jpg

Esta diferencia de cargas lleva a la aparición de un potencial eléctrico

VH que genera un tercer campo E~H en la dirección perpendicular restante.
La expresión para este campo puede determinarse a partir de la ecuación
maestra de Drude, suponiendo que ya se ha alcanzado el estado estacionario.
La ecuación de la que se parte es:

d~p p~ ~ + ~v × B)
~
+ = q(E (5)
dt τ

Considerando el caso estacionario se tiene que:

~ = p~ ~
qE − q~v × B (6)
τ

4
Si ahora multiplicamos en ambos miembros de la ecuación por nq:

~ = m ~ = m J~ − q J~ × B
~
nq 2 E nq~v − nq 2~v × B (7)
τ τ

Y por tanto:
nq 2 τ ~ ~ = J~ − τ q J~ × B
~
E = σE (8)
m m
Con lo que el campo eléctrico queda:

~ = 1 J~ − τ q J~ × B
E ~ (9)
σ mσ

En este caso:
~ = 1 J~x − τ q J~x × B~z
E (10)
σ mσ
De donde se deduce:
1

 E~x = J~x ⇔ J~x = σ E~x

σ (11)
τq ~ 1
 E~H = −
 Jx × B~z = − J~x × B~z
mσ nq
1
De donde, es una cantidad conocida como constante Hall (RH ). A partir
nq
del campo E~H se puede obtener el voltaje Hall:
w
I~x B~z
Z
w ~
VH = E~H d~y = −wEH = Jx × B~z = RH (12)
0 nq t

Dos son los posibles tipos de portadores de carga en un metal: los electrones,
con carga q = -e, o los huecos/vacancias que dejan al desplazarse, con carga
q = +e. Nótese según esto que:

Electrones → q = −e → RH < 0 → VH < 0

Huecos → q = +e → RH > 0 → VH > 0

El voltaje que se genera debido al campo eléctrico que aparece en el

material inducido por los campos magnético y eléctrico aplicados permite

5
ası́ pues conocer cuáles son los portadores de carga del material: éste es el
conocido como efecto Hall.

El efecto Hall es especialmente usado para la identificación de semicon-

ductores. Éstos son materiales normalmente aislantes que pueden llegar a
actuar como conductores bajo ciertas condiciones. Este comportamiento se
justifica en el modelo de Sommerfeld mediante una cuantización de los po-
sibles estados energéticos de los electrones, de modo que presentan una es-
tructura de bandas. En materiales conductores, estas bandas se tocan para
ciertos estados, permitiendo pasar a los electrones a otros niveles de energı́a
y permitiendo pues la transmisión de ésta por el material. Sin embargo, en
los aislantes, las bandas no suelen tocarse sino que se encuentran separadas
entre sı́ por un cierto valor de energı́a (conocido como gap), para el que la
energı́a que induce la corriente eléctrica en los electrones no es suficiente para
superarlo impidiendo pues el paso de la corriente. Los semiconductores son
materiales cuyo gap es lo suficientemente pequeño como para haya corrientes
de suficiente intensidad que permitan superarlo, logrando la conducción.

Figura 3: Espectro de bandas del germanio. http://www.materialsdesign.

com/system/files/imagecache/w747px/Ge_band_structure_0.jpg

6
 Es posible facilitar la conducción eléctrica en los semiconductores median-
te la introducción de átomos de otros compuestos que favorezcan la aparición
de más portadores de carga, comúnmente denominados impurezas. Este tipo
de semiconductores se conocen como extrı́nsecos, y se distinguen dos tipos:
tipo p, que incluye impurezas capaces de atraer electrones hacia sı́ y aumen-
tan pues el número de huecos (portadores de carga positiva); y tipo n, con
impurezas que aportan más electrones para conducir la corriente.

En teorı́a de bandas, a la hora de transmisión de corriente, se distinguen

dos bandas principalmente: la que contiene a los portadores de carga inicial-
mente, referida como banda de valencia; y a la que los portadores aspiran
a saltar, la banda de conducción. Considerando la teorı́a de Sommerfeld,
para un cuerpo tridimensional la densidad electrónica de estados para una
determinada energı́a  viene descrita como:

(2m)3/2 √
g( > 0) =  (13)
2π 2 ~3

De esta densidad de estados, la densidad de partı́culas puede calcularse tal

que: Z ∞
g( > 0)
n= d (14)
0 eβ(−µ)+1
Donde β = (KB T )−1 , con KB la constante de Boltzmann, T la temperatura,
y µ el potencial quı́mico de la sustancia. Ası́, para las bandas de valencia
(se designa con subı́ndice v ) y conducción (se designa con subı́ndice c), se
obtiene concretamente que:

(2m∗e )3/2 √
gc () = g( > c ) =  − c (15)
2π 2 ~3
(2m∗h )3/2 √
gc () = g( 6 v ) = v − c (16)
2π 2 ~3

7
Y entonces la densidad de partı́culas:
Z ∞ Z ∞ ∞
(2m∗e )3/2 √
Z
1
nc = dgc ()np () = dg( 6 v ) '  − c e−β(−µ) d
c c eβ(−µ) + 1 2π 2 ~3 c
(17)
Resolviendo la integral mediante un cambio de variable se llega finalmente a:
√
(2m∗e )3/2 −β(c −µ) π
nc = e (18)
2π 2 ~3 2β 3/2

De igual forma, para la banda de valencia se tiene que:

√
(2m∗h )3/2 −β(µ−v ) π
nv = − e (19)
2π 2 ~3 2β 3/2

Estas expresiones de densidad de portadores de carga nc, nv pueden relacio-

narse entre sı́ considerando que la ”masa efectiva”de los huecos se corresponde
con el valor opuesto de la masa efectiva de los electrones:

nc
= e−β(c −v ) (20)
nv

Con c − v = Egap (energı́a del gap). Esta relación puede expresarse en

nq 2 τ
términos de la conductividad (σ = ):
m∗

σc = σv e−βEgap (21)

Esta relación es útil para poder determinar la energı́a del gap empleando el
efecto Hall.

3. Procedimiento experimental
El montaje experimental de la práctica se muestra a continuación en la
siguiente foto:

8
 Figura 4: Dispositivo experimental

En él, se colocan muestras en un módulo de medida de efecto Hall que se

sitúa entre dos bobinas que generan un campo magnético. Sendos módulo y
bobinas son alimentados por dos fuentes diferentes para poder gestionar por
separado los campos magnético y eléctrico que se aplican sobre la muestra.
Además, en el módulo de medida se inserta una sonda Hall que, conectada a
un teslámetro, permite medir el campo magnético inducido por las bobinas;
y también se conecta un voltı́metro para medir el voltaje Hall.

El primer paso es realizar las conexiones apropiadamente para aseguar el

correcto funcionamiento del equipo. Una precaución a tener en cuenta es la

9
de que todos los mandos estén en la posición cero antes de encender; ası́ como
tener cuidado con la polaridad de las conexiones a fin de que no se alteren
los signos de las corrientes y los voltajes medidos.

Previo paso a comenzar la práctica se necesita calibrar los instrumentos,

en particular la sonda Hall: con todos los demás aparatos apagados, la sonda
aún detecta el campo magnético de las inmediaciones (sea por el campo
magnético terrestre o por los aparatos operando en las cercanı́as), ası́ que
hay medirlo para descontarlo de las medidas posteriores.

Para realizar las medidas se dispone de tres muestras distintas de germa-

nio (Ge): un semiconductor tipo n, un semiconductor tipo p y un semi-
conductor intrı́nseco. Todas ellas son paralelepı́pedos de 1cm x 2cm x
1mm.
A continuación se muestra una fotografı́a de cada una de las muestras:

Figura 5: Fotografı́as de las tres muestras usadas.

Con cada uno de los semiconductores tipo n y tipo p se realizan las

siguientes medidas: en función de la corriente de entrada y en función del
campo magnético.
Además, para la medida en función de la corriente, se hace un set de
medidas sin campo magnético y otro set en presencia de un campo magnético
que se mantiene fijo a B=250mT. La corriente se hace variar entre -30 y 30

10
mA y se anotan los valores de la tensión Hall. Posteriormente, se representa
esta tensión frente a la corriente y se ajusta por mı́nimos cuadrados.
Para las medidas en función del campo magnético se fija el valor de la
corriente a I=30mA y se varı́a sólo el valor del campo B entre -250mT y
250mT anotando los valores correspondientes de la tensión Hall. Al igual
que en el caso anterior, se representa la tensión frente al campo magnético y
se realiza un ajuste por mı́nimos cuadrados.
Los controladores del módulo son bastante sensibles, con lo que hay que
manejarlos con calma y cuidado. Para aumentar el campo magnético, se
lleva el voltaje en continua de la fuente de alimentación correspondiente a su
máximo y, de ahı́, se varı́a la intensidad de la corriente del mismo aparato
hasta regular el valor del campo deseado.1

Con el semiconductor intrı́nseco se realiza la medida de la tensión longi-

tudinal en función de la temperatura. Para ello, se activa el sistema de calen-
tamiento de la muestra, que eleva la temperatura de ésta hasta los 170o C y se
deja descender, variando ası́ el valor de la tensión longitudinal. Nótese que,
debido al comportamiento exponencial inverso del enfriamiento, inicialmen-
te la temperatura decae muy rápidamente y con ella los valores del voltaje,
dificultando enormemente su registro. Es por ello recomendable emplear dis-
positivos de grabación que permitan ir obteniendo los datos con más calma,
como cámaras o teléfonos móviles.

Una vez se han recogido todos estos valores, lo que sigue es hacer un
representación gráfica del logaritmo del inverso de la tensión longitu-
dinal frente al inverso de la temperatura. Después, se hace un juste por
mı́nimos cuadrados de la región de altas temperaturas, la cual proporciona
1
Todas las medidas se realizan a temperatura ambiente (T'300K).

11
información sobre el régimen intrı́nseco del semiconductor. Con el valor de la
pendiente de este ajuste se puede calcular fácilmente la energı́a del gap del
semiconductor.

Para esta parte de la práctica el campo magnético no se involucra, luego

las bobinas y la sonda Tesla no son requeridas.

4. Gestión de datos
Como ya se ha explicado previamente, para las dos muestras de semi-
conductor tipo p y tipo n se estudia el comportamiento del voltaje Hall
en función del campo magnético y de la corriente de entrada. Por último,
con la muestra de semiconductor intrı́nseco se estudia la dependencia de la
tensión longitudinal con la temperatura.

4.1. Semiconductor tipo n

Primero se realizan las medidas sin la presencia de campo magnético y

se representan gráficamente para estudiar la dependencia. Esta gráfica se
muestra a continuación:

12
 Figura 6: Dependencia de VH con la corriente de entrada sin campo B.

En ella, los puntos negros representan las medidas tomadas en el labora-

torio, mientras que la lı́nea continua representa la recta del ajuste. También
se presenta en el gráfico el coeficiente R2 , que aporta información sobre cómo
de bien se ajustan los datos experimentales al ajuste lineal. En este caso,
está muy próximo a 1, lo cual quiere decir que los datos experimentales se
ajustan de manera muy acertada a una recta.

Lo que sigue a continuación es realizar otra vez estas medidas pero en

presencia de un campo magnético, obteniéndose lo siguiente:

13
Figura 7: Dependencia de VH con la corriente de entrada en presencia de
campo B.

Para comparar mejor ambos resultados, se representan en una misma

gráfica, ası́ como la diferencia entre ambas rectas:

14
 Figura 8: Comparación de VH con y sin campo magnético B.

En primer lugar, es fácil notar que los valores en módulo del voltaje obte-
nidos en presencia de campo magnético son mucho mayores que los obtenidos
sin campo magnético. Esto se debe a que en presencia de campo magnético,
está teniendo lugar el efecto Hall. Sin campo magnético deberı́a de obtenerse
un voltaje nulo para todos los valores de la intensidad, sin embargo esto no es
ası́. Como ya se dijo con anterioridad, la sonda Hall detecta campo magnético
de las inmediaciones aunque todos los aparatos involucrados en la práctica
estén apagados. De manera que se obtienen valores no nulos de VH .

Otro aspecto que hay que comentar y se puede observar en la gráfica

directamente, es el cambio en el signo de la pendiente al aplicar el campo
magnético. La explicación a este cambio es el signo de los portadores de
carga. La muestra utilizada para este apartado es un semiconductor tipo n;
es decir, los portadores en este caso son electrones, cuya carga es negativa.

15
Esto puede deducirse matemáticamente haciendo uso de la ecuación (12).
De ella se llega a que, cuando la constante Hall es negativa, para valores
positivos del campo magnético, el voltaje Hall es negativo. Es decir, campo
B y voltaje tienen signos opuestos.

El siguiente estudio que se realiza es el de la dependencia del voltaje con

el campo magnético aplicado manteniéndose fijo el valor de la corriente. La
gráfica con su correspondiente ajuste se presenta a continuación:

Figura 9: Dependencia de VH con el campo B.

Puede observarse, por el valor del coeficiente R2 que los datos experimen-
tales se ajustan de manera muy precisa a la recta del ajuste. Además, se ve
que el signo del voltaje es el mismo que el del campo magnético aplicado. Es
decir, para campos positivos, se tienen lecturas del voltaje positivas. También
se observa que el voltaje es directamente proporcional al campo aplicado.

16
 Del ajuste se obtiene que el valor de la pendiente (m) es:

m=0,2116 ± 0,0004 V/T

Sabiendo que la intensidad se ha mantenido constante en 30 mA y que el

valor de t es de 1 mm obtenemos que:

RH = (−7, 05 ± 0, 01)10−3 m3 /C (22)

Por lo tanto el signo de los portadores es negativo, es decir, se trata efec-

tivamente de un semiconductor con dopaje tipo n. En cuanto a la densidad
1 −1
de portadores, dado que RH = = :
nq ne
n = (8, 85 ± 0, 02)1020 m−3

Para hallar la movilidad de los portadores es necesario conocer la conduc-

tividad del semiconductor. Para ello recurrimos a la página web del fabricante
donde se nos dice que la resistividad se encuentra en el rango de los 2,0 – 2,5
Ωcm. Por tanto, tomado ρ = 2, 25 ± 0, 25Ωcm se tiene que:
1 m2
σ= = 44 ± 5(Ωm)−1 → µn = σ|RH | = 0, 31 ± 0, 04 (23)
ρ Vs

Con esto queda concluido el estudio con la muestra tipo n. Se pasa a

continuación a utilizar la muestra tipo p.

4.2. Semiconductor tipo p

En este apartado se utiliza la muestra de semiconductor tipo p para volver

a realizar un estudio del voltaje en función de la corriente de entrada y del
campo magnético; tal y como se hizo para el semiconductor tipo n.

Se muestra a continuación la gráfica del voltaje en función de la corriente

de entrada sin campo magnético:

17
 Figura 10: Dependencia de VH con la corriente de entrada sin campo B.

El coeficiente R2 es muy próximo a 1, lo cual nos indica que los datos

experimentales se ajustan muy bien a la recta de ajuste.

Ahora, se vuelven a repetir estas medidas pero en presencia de un campo

magnético constante B, obteniéndose:

18
Figura 11: Dependencia de VH con la corriente de entrada en presencia de
campo B.

Al igual que se hizo en el apartado anterior, se realiza la representación de

ambas rectas, ası́ como la resta de ambas, para apreciar mejor las diferencias
y similitudes entre ambas y, por ende, el efecto de este campo magnético:

19
 Figura 12: Comparación de VH con y sin campo magnético B.

Al igual que en el caso anterior, se obtiene un valor absoluto del voltaje

muchı́simo más alto en presencia de campo magnético. Como ya se habı́a
dicho con anterioridad, esto es ası́ porque al al aplicar el campo magnético,
el efecto Hall está teniendo lugar y, por tanto, el voltaje que se mide es más
alto. Sin embargo, en este caso, las pendientes de ambas medidas tienen el
mismo signo. Pero, esto se explica haciendo uso de la ecuación (12). De
manera que, al tener un semiconductor tipo p y, por tanto, portadores de
carga positiva, el voltaje que se mide es positivo para campos magnéticos
positivos y negativo para campos magnéticos negativos. El campo B y VH
tienen el mismo signo.

Se pasa a continuación a estudiar la dependencia del voltaje con el campo

magnético aplicado. Representando gráficamente se obtiene lo siguiente:

20
 Figura 13: Dependencia de VH con el campo B.

Al igual que ocurrı́a en el caso del semiconductor tipo p, el valor del

coeficiente R2 sugiere una muy buena concordancia entre el resultado expe-
rimental y la recta de ajuste. Sin embargo, en este caso la pendiente tiene
signo negativo. Es decir; voltaje y campo B tienen signos contrarios.

Obtenemos esta vez una pendiente cuyo valor es:

-0,1719± 0,0007 V/T.

Esto nos lleva a un resultado para el coeficiente de Hall de:

RH = (5, 73 ± 0, 02)10−3 m3 /C (24)

Por lo tanto el signo de los portadores es positivo, es decir, se trata de un

semiconductor con dopaje tipo p. En cuanto a la densidad de portadores,
1 1
dado que RH = = :
nq ne

21
 p = (1, 090 ± 0, 005)1021 m−3

Hallamos la movilidad recurriendo de nuevo al fabricante para conocer la

resistividad de la pieza, que en este caso también será ρ = 2, 25 ± 0, 25Ωcm,
por tanto:
µp = σ|RH | = 0, 26 ± 0, 03m2 /(V s) (25)

Y con este cálculo se da por finalizado el estudio del semiconductor tipo

p.

4.3. Semiconductor intrı́nseco

Con esta muestra se estudia la dependencia con la temperatura de la ten-

sión longitudinal. El proceder en esta parte de la práctica ya se ha explicado
previamente, por lo que se procede a mostrar a continuación la gráfica del
logaritmo del inverso de la tensión frente al inverso de la temperatura:

Figura 14: Dependencia de la tensión longitudinal con la temperatura.

22
 De esta gráfica se puede observar que para altas temperaturas la depen-
dencia del logaritmo del inverso de la tensión longitudinal depende linealmen-
te con el inverso de la temperatura. Por tanto, este tramo se puede ajustar
por mı́nimos cuadrados de manera que se obtiene la pendiente de la recta a
la que se ajusta. Haciendo uso de la ecuación (21), tomando logaritmos se
llega a:  
σc Egap 1
ln = (26)
σv 2KB T
Egap
De manera que la pendiente de la recta de ajuste es . Se presenta a
2KB
continuación el ajuste de la parte de lineal:

Figura 15: Dependencia de la tensión longitudinal para altas temperaturas.

Aquı́, m es el valor de la pendiente según el ajuste. Si se iguala este valor a

la expresión de la pendiente y se despeja la energı́a del gap, se llega finalmente
a:

Egap = 0, 725 ± 0, 002(eV )

23
 Si se consulta la energı́a del gap del Ge en una tabla2 se puede ver que
el valor de este gap a una temperatura de 300K es de 0,67 eV. Mientras que
para temperatura 0 el gap es de 0,75 eV.

5. Simulación informática
Para completar el estudio de la práctica se complementa el desarrollo
experimental con el estudio del efecto Hall con la temperatura que se espera
mediante simulaciones informáticas, empleando el programa Fermi de la serie
de simuladores SSS.

El primer paso es obtener cómo se ve afectada la cantidad de portadores

con la temperatura. Recuérdese que existen dos tipos de portadores de carga,
tipo n (electrones) y tipo p (huecos), y que no tienen por qué coincidir en
cantidades ya que pueden incluirse impurezas que favorezca un tipo en contra
del otro. Por ello, se realizará un estudio para las tres posibles opciones: que
haya tantos huecos como electrones (semiconductor intrı́nseco), que haya
más electrones que huecos (semiconductor tipo n), y que haya más huecos
que electrones (semiconductor tipo p).
El programa Fermi permite realizar un gran número de modificaciones
en las condiciones de los semiconductores: se puede cambiar la cantidad de
donadores, la energı́a de estos, la energı́a del gap, la masa efectiva de los
electrones y huecos, etc. Para referir a un semiconductor de Ge en el programa
Fermi se emplean los siguientes parámetros:

Energı́a del gap Egap = 0,66eV .

2
Neil W. Ashcroft & N. David. Mermin, ”Solid State Physics”, Harcourt College Pu-
blishers, 1976, College Edition, capı́tulo 1.

24
 Masa efectiva de los electrones me ∗ = 1,6me (con me la masa del
electrón libre).

”Masa efectiva”de los huecos mh ∗ = 0,28me (con me la masa del

electrón libre).

Energı́a de ligadura de los átomos donantes (impurezas que aportan

más electrones al metal) Ed = 12meV .

Energı́a de ligadura de los átomos aceptores (impurezas que absorben

electrones del metal) Ea = 10meV .

Densidad de donantes y aceptores Nd, Na en torno a los 1014 −1016 cm−3 .

Además se ha limitado la toma de datos a un rango de temperaturas entre

los 250 y 400 K, y se ha modificado la salida del programa de modo que
proporcione 500 valores para la representación gráfica.
En base a esta parametrización se obtienen las siguientes gráficas para
N d = N a, N d ≤ N a y N d ≥ N a.

Figura 16: Na=Nd

25
Figura 17: Na>d

Figura 18: Na>Nd

26
 Figura 19: Na<Nd

Figura 20: Na<Nd

Como se puede ver de la figura 16, cuando la cantidad de donantes y

aceptores es idéntica, la densidad de portadores de carga positiva y negativa
es prácticamente idéntica, y por ende presentan el mismo comportamiento
con la temperatura: crecen de forma exponencial con la temperatura, al-
canzando mayores valores conforme más elevada sea la temperatura. Este

27
comportamiento es el predicho por las ecuaciones (18) y (19), que presenta-
ban una dependencia ∝ e−1/T . Sin embargo, si crece la cantidad de donantes
o aceptores, se favorece la cantidad de portadores de un tipo u otro según
corresponda (una mayor cantidad de donantes hace que haya más electrones,
mientras que el aumento de aceptores reduce la cantidad de éstos haciendo
que haya más huecos), con lo que pese a que el comportamiento logarı́tmico
se mantiene las ordenadas en el eje y cambian (figuras 17, 19). Debido a
ello, el crecimiento que sufren también difiere: la cantidad de portadores de
carga favorecida inicialmente ve su crecimiento reducido frente al de la otra
cantidad (figuras 18,20).

El segundo paso tras estudiar el comportamiento de estas densidades de

portadores de carga con la temperatura es vincular éste con el voltaje Hall
a fin de obtener cómo depende del efecto Hall con la temperatura según el
dopaje que caracterice al metal. Para ello puede emplearse la relación:

1 n p − b2 n n
RH = (27)
e (np + bnn )2

Que vincula la constante de Hall RH con las densidades de portadores. El

valor b refiere al cociente entre las movilidades de los electrones y los hue-
cos, que pueden tomarse como constantes en este rango de temperaturas
ya que la fluctuación es lo suficientemente pequeña (µ ∝ T −3/2 , para T ∈
[250, 400]T −3/2 ∼ 10−4 ). Esto implica que b ∼ 2, ya que µe ∼ 3600cm2 V −1 s−1
y µh ∼ 1800cm2 V −1 s−1 para el caso del Ge, es decir:

1 np − 4nn
RH = (28)
e (np + 2nn )2

28
Nota: Para obtener esta relación de RH, nótese que la densidad de corriente
puede expresarse matricialmente como:
    
jx 1 −ωce 0 Ex
    
 jy  = σe  ωce (29)
    
1 0   Ey 
    
jz 0 0 1 Ez
Bajo supuesto de que los términos (ωc τc )2 y B2 no influyen. Esta expresión
es válida tanto para electrones como para huecos, con las correspondientes
diferencias de signo para la carga y la masa. La frecuencia ωc tiene la siguiente
forma:
qB qB qB
ωc = → ωce = , ωch = − (30)
m me mh
Considerando que la corriente total se debe tanto al movimiento de huecos
como al de electrones, y que en la dirección z no hay campo eléctrico, se tiene
que:
    
jx σh + σe σh ωch τh − σe ωce τe Ex
 =   (31)
jy −σh ωch τh + σe ωce τe σh + σe Ey

eτe eτh
µe = , µh = (32)
me mh
Entonces se puede reexpresar la corriente como:
    
jx nµe + pµh −B(nµ2e − pµ2h ) Ex
 =   (33)
2 2
jy B(nµe − pµh ) nµe + pµh Ey

29
 A fin de que la corriente esté en equilibrio se toma jy = 0, con lo que la
componente Ex se puede expresar como:

(nµe + pµh )
Ex = − Ey (34)
B(nµ2e − pµ2h )

Con la corriente jx quedando de la forma:

e(nµe + pµh )2
Ex = − + O(B) (35)
B(nµ2e − pµ2h )

Dada pues la definición de RH , entonces puede obtenerse de j que:

Ey (nµ2e − pµ2h )
RH = =− (36)
Bjx e(nµe + pµh )2

Con lo que introduciendo el cociente de movilidades b:

(p − nb2 )
RH = (37)
e(p + nb)2

Con el valor de RH definido por esta expresión se puede calcular el volta-

je Hall empleando la ecuación (12). Se toman valores de I = 30 mA, B =
300 mT y t = 1 mm, obteniéndose para cada una de las posibles opciones
descritas por las gráficas mostradas anteriormente los siguientes resultados:

30
Figura 21: Na=Nd

Figura 22: Na>Nd

31
 Figura 23: Na<Nd

Nótese en primer lugar que sólo para los semiconductores tipo P (Na >
Nd) se dan lugar voltajes positivos, esto se debe a que es el único caso para
el que la densidad de huecos domina sobre la densidad de electrones y por
tanto RH > 0. Para ello existe dependencia sin embargo de la cantidad de
donantes y aceptores incorporados, ya que como se puede observar para Na
= 1015 cm−3 - Nd = 1014 cm−3 a partir de una cierta temperatura vuelven a
dominar los electrones y el voltaje torna negativo. Esto se debe a la diferencia
de ratios en el crecimiento del número de portadores antes comentado para
las figuras (19) y (20). En el caso de la figura e ocurre algo similar, pero no
llega a haber los suficientes portadores de carga positivo para compensar y

32
lograr un voltaje positivo: la causa aquı́ se recoge en la figura d, donde para
el caso intrı́nseco el voltaje sigue siendo negativo - los electrones dominan el
transporte de carga en el germanio.

En la figura (21) se puede observar que el voltaje cae drásticamente a

cero conforme aumenta la temperatura, en un comportamiento que se ajusta
a la dependencia ∝ e−1/T T −3/2 esperada para RH y es común a los tres
valores de Nd,a . Esta tendencia a cero con el aumento de la temperatura
se mantiene para los otros dos casos, aunque no alcanza una proximidad
al cero de voltaje tan notoria como en el caso intrı́nseco para el rango de
temperaturas trabajado: la inclusión de impurezas hace pues que el voltaje
Hall requiera de mayores temperaturas para verse anulado. Nótese también
que el rango de valores de Hall está mucho más reducido para los casos en
los que más dopantes se hayan introducido: el nivel de dopaje influye pues
en la variación del voltaje Hall con la temperatura.

Para terminar, se realiza un estudio por simulación a fin de intentar ajus-

tar una curva experimental y discernir sus niveles de dopaje. La curva ex-
perimental obtenida en esta práctica presenta voltajes bastante altos para
lograrlos con el simulador y resulta bastante problemática, con lo que en
su lugar se empleará una curva de datos experimentales proporcionada de
antemano:

33
 Figura 24: Datos proporcionados por el profesor

La metodologı́a en este caso es sencilla si bien laboriosa: bajo la misma

parametrización empleada hasta el momento, se han de probar diferentes
valores de Na y Nd hasta obtener voltajes Hall similares a los de la curva de
la figura (24). Tras varias horas de prueba y error, el ajuste más logrado es
el que se observa en las figuras (25) y (26):

Figura 25: Voltaje Hall.

34
 Figura 26: Constante Hall.

Nótese aquı́ que se obtiene una inversión del signo para el voltaje y la
constante Hall con la temperatura como ocurrı́a para la figura (23), ya que
las densidades de donantes y aceptores son similares. Las causas de esta ten-
dencia son, por ende, las mismas: el crecimiento más intenso de la cantidad
de portadores de carga negativa con la temperatura frente al de los huecos
hace que, en un cierto rango de temperaturas, empiecen a dominar los elec-
trones como portadores de carga frente a las vacantes; antes de estabilizarse
finalmente y hacer tender el voltaje a cero.

6. Conclusiones
Con esta práctica se ha estudiado el efecto Hall en semiconductores. Se
ha comprobado la diferencia que supone usar un semiconductor tipo p o n,
comprobándose que en el caso de semiconductores n la constante Hall toma
un valor negativo y cómo éste presenta una pendiente negativa en su variación

35
con B. Lo contrario ocurre en el caso de los semiconductores tipo p.

Se observó que la movilidad de los electrones en el semiconductor con

dopaje n es mayor que la de los huecos en el de dopaje p. Esto tiene sentido
ya que los huecos se crean cuando un electrón abandona la banda de valencia.
De esta forma los huecos son propios de la banda de valencia mientras que los
electrones del dopaje n se encuentran en la banda de conducción. Lógicamente
los electrones en la banda de conducción no están tan restringidos en su
movimiento como los de la banda de valencia y por ello la movilidad de los
electrones es mayor a la de los huecos.

También se evaluó el comportamiento del voltaje Hall con la temperatura

y se verificó el comportamiento que se esperaba teóricamente de éste, lo que
permitió obtener la energı́a del gap del Ge con resultados satisfactorios.

Finalmente una serie de simulaciones informáticas a fin de estudiar cómo

afectan los niveles de dopaje al efecto Hall y la variación del voltaje con la
temperatura, comportándose como se esperaba de la teorı́a y encontrándose
consecuencias como inversiones del voltaje.

7. Bibliografı́a
Guı́a de desarrollo de la Práctica 3.- Efecto Hall en semiconductores de
la asignatura de Fı́sica del Estado Sólido de la Facultad de Ciencias de la
Universidad de Oviedo.

Apuntes tomados en la clase de Fı́sica del Estado Sólido impartidas por

los profesores Jaime Ferrer Rodrı́guez y Amador Garcı́a Fuente durante el
curso 2015-2016 en la Facultad de Ciencias de la Universidad de Oviedo.

36
 Dr. G. Bradley Armen. (2007). Hall Effect Experiment. University of Ten-
nessee. Departmen of Physics and Astronomy.

D.B.Pengra, J. Stoltemberg, R, Van Dyck and O. Vilches. The Hall Effect.

University of Washington.

37