GUIA 3 SISTEMAS CRISTALINOS

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1. El Wolframio cristaliza en el sistema cúbico centrado con un parámetro de red a=316,48 pm y densidad teórica
DT=19300 Kg/m3. Calcular: a) Masa atómica. b) Volumen atómico. c) Radio atómico. d) Densidad atómica lineal en las
direcciones, y. e) Densidad atómica superficial en los planos (1 1 1), (1 1 0) y (1 0 0). f) Número de átomos en 1 m 3.
2. La celdilla elemental del Aluminio es cúbica centrada en las caras. Su masa atómica es 26.97 gr/mol y su densidad
2699 Kg/m3. Calcular: a) Masa de un átomo. b) Número de átomos en 1 mg c) Número de átomos y moles por m 3. d)
Masa de una celdilla unidad. e) Número de celdillas en 1 gr de metal. f) Volumen y arista de la celdilla unidad. g) Radio
atómico. h) Factor de empaquetamiento. i) Densidad atómica lineal en las direcciones y. j) Densidad atómica
superficial en los planos (1 1 0) y (1 1 1).
3. Calcúlense los átomos que existen en 1 mg y en 1 m3 de los siguientes metales:

Nota: La estructura H.C. del Cobalto c = 1,118 x 10-9 m.

4. La densidad del Hierro a temperatura ambiente es de 7,87 gr/cm3. Calcular: a) ¿Cuántos átomos hay por cm3? b) ¿Cuál
es el tanto por ciento de espacio ocupado? c) ¿Qué red cristalográfica presenta? ¿Por qué? DATOS: Peso atómico del
Fe = 55.85 gr/mol; Radio atómico del Fe a 20 ºC = 0,1241 nm.
5. El Cadmio cristaliza en el sistema hexagonal compacto con a = 297,8 pm. y c = 561,7 pm, la masa atómica del Cd es
112,4 gr/mol. Calcular: a) Índice de coordinación. b) Factor de empaquetamiento. c) Densidad teórica. d) Densidad
atómica superficial en los planos (1 0 -1 0) y (1 1 -2 0) e) Densidad atómica lineal en la dirección.
6. Durante el calentamiento, el hierro puro cambia su estructura cristalina de C.C. a C.C.C. a 912 ºC. Calcular: a) ¿Sufrirá
el hierro una expansión o una contracción en este cambio? b) Calcular la relación de densidades entre ambas
estructuras. DATOS: A 912 ºC el radio atómico es de 1,258 Å.(C.C.) y de 1,292 Å.(C.C.C.).
7. La densidad experimental de un cristal simple de aluminio, que cristaliza en el sistema C.C.C., es 2,697 gr/cm 3. La
constante reticular es 4,049 Å Si la discrepancia entre el valor teórico y el experimental de la densidad es una medida
de los huecos de la malla (vacantes), calcular: a) Fracción de átomos ausentes. b) Huecos por cm3 DATOS: PAl = 27
gr/mol.
8. El silicio cristaliza en el sistema C.C.C. de tal forma que no sólo ocupa las posiciones principales de la malla sino
también el 50 % de los intersticios tetraédricos. Sabiendo que el parámetro de malla es 5,43 Å y que el peso atómico
del silicio es 28,06 gr/mol. Calcular: a) Densidad teórica del Si. b) Átomos de Si por m 3. Para aumentar la concentración
de huecos y mejorar, por tanto, sus características semiconductoras se dopa el Si con una cantidad controlada de
aluminio, de forma que sustituye parcialmente al Si de sus posiciones originales. c) Calcular el nº de átomos de Al por
m3 con que es preciso dopar al Si para que se produzca una disminución de la densidad del 0,5 % con respecto a la
teórica del Si. DATOS: PAl = 26,97 gr/mol.