ELETRÔNICA DIGITAL (EDIG)

Charles Boulhosa Rodamilans

BARRAMENTO
BARRAMENTO DE DADOS
  Conjunto de
linhas
comuns
utilizadas
para
transferência
de dados
REGISTRADOR TRISTATE
74ALS173/HC173
REGISTRADOR TRISTATE
74ALS173/HC173
OPERAÇÃO DE BARRAMENTO DE DADOS
OPERAÇÃO DE BARRAMENTO DE DADOS
MEMÓRIAS -
PARTE 1
SISTEMA DE COMPUTADOR
SISTEMA DE COMPUTADOR
  Memória Principal:
  Memória de Trabalho
  Armazena instruções e dados que a CPU está acessando no
momento. Alta Velocidade
  Memória Auxiliar
  Memória de Massa
  Armazena grande quantidade de informações externas à
memória principal. Mais lenta
  Não-volátil

  Memória Volátil
 Requer aplicação de tensão elétrica para
armazenar informação. Se a tensão for
removida, a informação é perdida
TERMINOLOGIA
  Célula de Memória (bit)
  Dispositivo ou um circuito elétrico usado para armazenar
um único bit (0 ou 1)
  Ex.: Flip-flop; capacitor; pequeno ponto em fita ou disco
magnético.
  Palavra de memória:
  um grupo de bits (células)
  Byte:
  um grupo de 8 bits
  Capacidade
  Forma de especificar quantos bits podem ser armazenados
  Capacidade da memória: 4096 palavras de 20 bits
(total = 81.920 bits)
  4096 x 20 = (4 x 1024) x 20 = 4K x 20
  1K = 210; 1M = 220; 1G = 230
TERMINOLOGIA
  Exemplo1: Um certo tipo de CI de memória
semicondutora é especificado como 2K x 8.
  Quantas palavras podem ser armazenadas nesse CI?
  Qual é o tamanho da palavra?
  Qual o número total de bits que esse CI pode
armazenar?
  Exemplo 2: Qual a memória que armazena mais
bits:
  uma memória de 5M x 8 ou
  uma memória que armazena 1M de palavras com um
tamanho da palavra de 16 bits?
TERMINOLOGIA
  Exemplo 1: Um certo tipo de CI de memória
semicondutora é especificado como 2K x 8.
  Quantas palavras podem ser armazenadas nesse CI?
  2K = 2 x 1024 palavras = 2048 palavras
  Qual é o tamanho da palavra?
  8 bits (1 byte)
  Qual o número total de bits que esse CI pode armazenar?
  2048 x 8 = 16.384
  Exemplo 2: Qual a memória que armazena mais bits:
  uma memória de 5M x 8 ou
  5M x 8 = 5 x 1.048.576 x 8 = 41.943.040 bits
  uma memória que armazena 1M de palavras com um
tamanho da palavra de 16 bits?
  1M x 16 = 1 x 1.048.576 x 16 = 16.777.216 bits
  Logo, a memória de 5M x 8 armazena mais bits
TERMINOLOGIA
  Endereço
  Um número que identifica a posição de uma palavra
na memória.
  Cada posição tem um endereço binário específico
PRINCÍPIOS DE OPERAÇÃO DE MEMÓRIA

  Memory Enable (ME); Chip Enable (CE); Chip Select (CS)

PRINCÍPIOS DE OPERAÇÃO DE MEMÓRIA
PRINCÍPIOS DE OPERAÇÃO DE MEMÓRIA
  Exemplo 1: Descreva as condições em cada entrada e
saída quando o conteúdo do endereço 00100 deve ser
lido.
  Entrada de Endereço:
  Entrada de dados:
  R/W’:
  MEMORY ENABLE (ME):
  Saídas de dados:
  Exemplo 2: Descreva as condições em cada entrada e
saída quando a palavra de dados 1110 estiver sendo
escrita no endereço 01101
  Entrada de Endereço:
  Entrada de dados:
  R/W’:
  MEMORY ENABLE (ME):
  Saídas de dados:
PRINCÍPIOS DE OPERAÇÃO DE MEMÓRIA
  Exemplo 1: Descreva as condições em cada
entrada e saída quando o conteúdo do endereço
00100 deve ser lido.
  Entrada de Endereço: 00100
  Entrada de dados: xxxx (não usadas)
  R/W’: nível ALTO
  MEMORY ENABLE (ME): nível ALTO
  Saídas de dados: 0001
PRINCÍPIOS DE OPERAÇÃO DE MEMÓRIA
  Exemplo 2: Descreva as condições em cada
entrada e saída quando a palavra de dados 1110
estiver sendo escrita no endereço 01101
  Entrada de Endereço: 01101
  Entrada de dados: 1110
  R/W’: nível BAIXO
  MEMORY ENABLE (ME): nível ALTO
  Saídas de dados: xxxx (não usados, normalmente alta
impedância)
CONEXÃO CPU-MEMÓRIA
TERMINOLOGIA
  Memória de Acesso Aleatório
  Random-Access Memory – RAM
  O tempo de leitura (acesso) ou de escrita é o mesmo
para qualquer endereço da memória
  Memória de Acesso Sequencial
  Sequential-Access Memory – SAM
  O tempo de leitura (acesso) ou escrita não é
constante, mas varia dependendo do endereço
TERMINOLOGIA
  Memória de Leitura e Escrita
  Read-Write Memory – RWM
  Qualquer memória que pode ser lida ou escrita de
modo igualmente fácil
  Memória apenas de Leitura
  Read-Only Memory – ROM
  Ocorrem mais operações de Leitura. Operação de
escrita baixa, podendo ocorrer apenas uma vez, no
processo de fabricação
  Não Volátil
MEMÓRIA APENAS DE LEITURA (ROM)
  Projetada para manter os dados que são
permanentes ou que não mudam frequentemente
  Os dados podem ser gravados no processo de
fabricação ou inseridos eletricamente
  Utilização
  Armazenamento de programa em microcomputadores
MEMÓRIA APENAS DE LEITURA (ROM)
  CS’ (Chip Select)
  Colocar a ROM em modo standby de baixa potência
MEMÓRIA APENAS DE LEITURA (ROM)
ARQUITETURA DA ROM
ARQUITETURA DA ROM
  Qual o registrador que será habilitado pela
entrada de endereço 1101?
  Qual o endereço de entrada que habilitará o
registrador 7?
ARQUITETURA DA ROM
  Qualo registrador que será habilidtado pela
entrada de endereço 1101?
  A3A2 = 11; Ativa coluna 3
  A1A0 = 01; Ativa linha 1
  Registrador 13 será habilitado
  Qual o endereço de entrada que habilitará o
registrador 7?
  Coluna 1; Linhas 3;
  A3A2 = 01; A1A0 = 11
  A3A2A1A0 = 0111
TEMPORIZAÇÃO DA ROM

  t0: CS’ = 1; Saída: Alta Impedância

  t1: Novo endereço válido
  t2: CS’ = 0; Habilita a saída
  t3: Saídas de dados válidos
TEMPORIZAÇÃO DA ROM

  CS’ (Chip Select)

  tACC (tempo de Acesso): Atraso de propagação entre a aplicação das
entradas da ROM e o aparecimento dos dados na saída durante a
leitura. Tempo para realizar uma operação de leitura.
  TOE (tempo de habilitação de saída): atraso entre a entrada CS’ e a
saída de dados válidos
TIPOS DE ROMS
  ROM programada por máscara (MROM)
  ROMs programáveis (PROMs)

  ROM programável e apagável

  (Erasable Programable ROM – EPROM)
  ROM apagável eletricamente (EEPROM)
ROM PROGRAMADA POR MÁSCARA
  Normalmente conhecida por ROM
  Utilizaremos o termo MROM
  As informações são armazenadas no processo de
fabricação de CI
  O processo utiliza uma ‘máscara’ para depositar
metais sobre o silício
  Viável economicamente em grande quantidades
ROM PROGRAMADA POR MÁSCARA
ROM PROGRAMADA POR MÁSCARA
  Exemplo: MROM pode ser utilizada para
armazenar tabelas de funções matemáticas. Mostre
como a MROM pode ser usada para armazenar a
função y = x2 + 3, onde a entrada de endereço é o valor
de x e o valor da saída de dados é y.
  X é representado por A1A0
  X = A1A0 = 102 = 210
  A saída deve ser 22 + 3 = 710 = 01112
ROM PROGRAMADA POR MÁSCARA
ROMS PROGRAMÁVEIS (PROMS)
  Muito cara; pouco utilizada
  Conexões com fusível que são programáveis pelo
usuário (não pelo processo de fabricação)
  Não pode ser reprogramada (One time
programmable – OTP)
  Programação
  Seleciona-se o endereço
  Coloca-se os dados desejados na entrada de dados
  Aplica-se uma tensão Vpp
  Onde tem 0V, queima o fusível, programando o
nível lógico 0
ROMS PROGRAMÁVEIS (PROMS)
ROM PROGRAMÁVEL E APAGÁVEL
(ERASABLE PROGRAMMABLE ROM – EPROM)
  Pode ser apagada e reprogramada quantas vezes
for desejado
  Memória não-volátil

  Os dados são apagados expondo o silício a luz

ultravioleta (UV)
  Os dados são apagado, todas as células vão para
nível lógico 1
  Pinos
  OE’: Output Enable
  CE’: Chip Enable
  PMG’: Program Enable
  Vpp: Programming Voltage
ROM PROGRAMÁVEL E APAGÁVEL
(ERASABLE PROGRAMMABLE ROM – EPROM)
PROM APAGÁVEL ELETRICAMENTE
(EEPROM)
  Eletrically Erasable PROM - EEPROM
  Possui a capacidade de ser apagada eletricamente

  Sem necessidade de fonte ultra violeta e Vpp

  Alto custo e baixa densidade (de dados) comparada
a EPROM
PROM APAGÁVEL ELETRICAMENTE
(EEPROM)
  Operação de escrita
MEMÓRIA FLASH
  EPROM
  Vantagem: alta densidade; baixo custo por bit
  Desvantagem: precisa ser removida do circuito para
serem apagadas e reprogramadas
  EEPROM
  Vantagem: rápido acesso para leitura; apagamento e
reprogramação de bytes individuais realizado de
maneira rápida no circuito
  Desvantagem: baixa densidade e alto custo
(comparada com a EPROM)
  Flash
  Densidade maior que a EEPROM
  Custo menor que a EEPROM
MEMÓRIA FLASH
  Complexidade e custo aumentam à medida que a
flexibilidade no apagamento e na programação aumenta
MEMÓRIA FLASH
APLICAÇÕES DA ROM
  Memória de programa de microcontrolador
dedicado
  Sistemas de Freio, telefone celular, forno de
microondas
  Transferência de Dados e portabilidade
  Cartões de memória, Pendriver, aparelho MP3, PDA
  Memória Bootstrap
  O programa bootstrap é responsável pelo boot do
sistema. É armazenado em uma ROM
  O programa bootstrap carrega o sistema operacional
da memória de massa (disco) para a memória
principal
  Basic Input/Output System (BIOS) é um programa
bootstrap
APLICAÇÕES DA ROM
  Tabela de Dados
  Armazenar tabelas de dados que não são alteradas.
  Tabelas Trigonometricas
  Conversão de dados
  BCD
  Geradorde Funções
  Armazenamento auxiliar
MEMÓRIA – PARTE 2
RAM SEMICONDUTORA
  Random Access Memory – RAM
  O tempo de leitura (acesso) ou de escrita é o mesmo
para qualquer endereço da memória
  RAM Semicondutora
  O termo refere-se as memórias de leitura e escrita
(RWM) em oposição à ROM
  Na prática, o termo RAM refere-se a RAM
semicondutora
RAM SEMICONDUTORA
  Armazenamento temporário de programas e
dados
  Algumas RAM COMS utilizam modo standby
(consumindo pouca energia)
  Volátil
ARQUITETURA DA RAM
RAM SEMICONDUTORA
  RAM Estática
  Static RAM – SRAM
  Armazena informação enquanto a alimentação do CI
é mantida
  As células de memória são flip-flops
  Bipolar e CMOS
  RAM Dinâmica
  Armazenam dados como cargas em capacitores
  Os dados vão desaparecendo gradualmente devido a
descarga do capacitor
  Periodicamente, necessitam recarregar os capacitores
(refresh dos dados)
CHIP SRAM
RAM DINÂMICA
  Utiliza tecnologia MOS
  Altas capacidades, baixo consume e velocidades
moderadas de operação
  Utilizam Capacitores MOS
  Requerem recargas periódicas
  Circuitos externos de suporte
  Circuitos de refresh incorporado
  Tratamento das entradas de endereço mais
complexo (do que a SRAM)
  DRAM: Maior capacidade, menor consumo e
menor custo
  SRAM: maior velocidade, menor complexidade
ESTRUTURA DA DRAM (ANTIGA)
ESTRUTURA DA DRAM
  O bit de dado na célula é restaurado cada vez que
é lido.
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO
  Exemplo
  16K x 1 = 14 entradas de endereço
  4M x 1 = 22 entradas de endereço
  Multiplexação de endereço
  Reduzir o números de pinos
  Cada entrada de endereços podem acomodar 2 bits
diferentes
  Ordem dos bits (diferente das RAM antigas)
  Bits de mais alta ordem: endereço de linha
  Bits de mais baixa ordem: endereço de coluna
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO

  Arquitetura
Simplificada da
DRAM TMS
44100 de 4M x1
  RAS’ e CAS’
substituem o CS’
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO

  RAS’: Row Address Strobe (Strobe do Endereço de Linha)

  CAS’: Column Address Strobe (Strobe do Endereço de Coluna)
  tRS: tempo de Setup de endereço da linha
  tCS: tempo de Setup de endereço de coluna
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO
  Exemplo:Quantos pinos são economizados ao
usarmos a multiplexação de endereço para uma
DRAM de 16M x1?
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO
  Exemplo:Quantos pinos são economizados ao
usarmos a multiplexação de endereço para uma
DRAM de 16M x1?
  Não-Multiplexado:
  (16 x 1024) = 24 x 220 = 224 ; 24 linhas de endereço (24 Pinos)
  CS’ (1 Pinos)

  Total: 25 Pinos

  Multiplexado
  12 entradas de endereço (12 Pinos)
  CAS’ e RAS’ (2 Pinos)

  Total: 14 Pinos

  Economia
  11 Pinos
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO
MULTIPLEXAÇÃO DE ENDEREÇO
EXPANSÃO DO TAMANHO DA PALAVRA
EXPANSÃO DO TAMANHO DA PALAVRA
  Exemplo:
  O CI 2125 é uma RAM estática
  Capacidade de 1K x 1
  Com uma entrada de seleção em nível BAIXO
  Entrada e saídas de dados conjuntas.
  Mostre como combinar diversos CIs 2125A para
formar um módulo de 1K x 8.
EXPANSÃO DO TAMANHO DA PALAVRA
EXPANSÃO DA CAPACIDADE
EXPANSÃO DA CAPACIDADE
  Exemplo:
  Deseja-se combinar algumas PROMs de 2K x 8 para
produzir uma capacidade total de 8K x 8.
  Quantos CIs de PROM são necessários?
  Quantas linhas no barramento de endereço são
necessárias?
  Mostre a combinação para essa configuração.
EXPANSÃO DA CAPACIDADE
  Exemplo: Deseja-se combinar algumas PROMs
de 2K x 8 para produzir uma capacidade total de
8K x 8.
  Quantos CIs de PROM são necessários?
  4 CIs
  Quantas linhas no barramento de endereço são
necessárias?
  8K = 8 x 1024 = 213 linhas
  Mostre a combinação para essa configuração.
  Utilização de um decodificador
EXPANSÃO DA CAPACIDADE
EXPANSÃO DA CAPACIDADE
  A15 A14: habilita o decodificador
  Estão sempre em nível baixo para endereços menores
que hexa 4000
  A13-A11:conectados as entradas C-A do
decodificador
  Seleciona a Memória PROM.
  Ex 1: A13A12A11 = 000, seleciona a PROM 0
  Ex 2 : A13A12A11 = 011, seleciona a PROM 3
  A10-A00:Endereço da memória
  Para utilizar os endereços acima de 0x4000
precisa de mais lógica de decodificação
EXPANSÃO DA CAPACIDADE
COMBINANDO CIS DE DRAM
COMBINANDO CIS DE DRAM
  Observações
  4M = 222, o TMS44100 tem 11 entradas de endereço
(multiplexados)
  RAS’, CAS’ e WE’ estão conectadas juntas; todos os
CIs são ativados simultaneamente para cada
operação de memória
  TMS44100 tem os circuitos de controle de refresh
interno ao CI; não há necessidades de contador
externo
BIBLIOGRAFIA

  TOCCI, J. T; WIDMER, N.S.; MOSS, G.L.

“Sistemas Digitais: Princípios e Aplicações”. 10ª
ed., Pearson.
  FLOYD, T. “Sistemas Digitais: Fundamentos e
Aplicações”, 10ª ed., Bookman
  LALA, P. K. “Principles of Modern Digital
Design”, Wiley, 2007