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DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA I

MOLINA KEVIN
ESPINOZA ISMAEL

ING. MONICA PATRICIA MARGARITA MEDINA ANDRADE

AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION FUENTE COMUN

NRC: 2517

SANGOLQUÍ, JULIO 2016


UNIDAD N° 3

GUIA DE PRACTICA N°3.2

1. Tema: AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACIÓN FUENTE COMÚN.

2. Introducción

En el presente informe se busca ilustrar el conocimiento adquirido sobre el funcionamiento


y las características propias de un transistor JFET usándolo como un amplificador de
voltaje lo cual se consigue colocando a nuestro transistor en la región de saturación, dentro
de la practica realizada se utilizará una configuración fuente común aprendiendo a usar los
beneficios que nos otorga esta configuración a nuestro favor tales como la presencia de
ganancia de voltaje y de corriente además de que posee una alta impedancia de salida la cual
nos garantiza no tener ningún problema de efecto de carga al momento de implementar
este circuito en la vida real además de conocer el funcionamiento de dicha configuración
para su aplicación en diversos tipos de circuitos.

3. Objetivos
 Obtener un circuito amplificador en configuración fuente común, el mismo que
nos permita aplicar os conocimientos adquiridos sobre la construcción, polarización
y funcionamiento de un JFET.
 Calcular el punto de operación del transistor y realizar la simulación en multisim,
para obtener una idea previa de los valores a obtener en la práctica de laboratorio
 Analizar el funcionamiento del transistor si se intercambia los terminales fuente-
drenaje.
 Armar el circuito para verificar el funcionamiento del amplificador.

4. Materiales
 Resistencias
 Transistores JFET
 Cables
 Protoboard
 Osciloscopio
 Multímetro
 Fuente de corriente contínua
 Generador de señales.

5. Procedimiento
5.1. Identificar los terminales del JFET.
5.2. Arme el circuito amplificador en la configuración Fuente Común.
5.3. Verifique el punto de operación del transistor.
5.4. Verifique los parámetros de corriente alterna del amplificador.
5.5. Realice el cuadro con los resultados obtenidos y compare con los calculados y
simulados.
6. Preguntas
6.1. ¿Qué ocurre con el funcionamiento del amplificador si se invierte la polaridad de
la fuente VDD?

Al invertir la fuente VDD la cual será la que polarizará a nuestro transistor JET cambiara
nuestro punto de operación, ya que el Voltaje Thevenin ya no será el mismo.

6.2. ¿Cómo se debe calcular el capacitor de compuerta?

De la fórmula de la reactancia capacitiva se tendrá:

1
𝑋𝐶 =
2𝜋. 𝑓. 𝐶𝐺

Como el capacitor debe ser al menos 10 veces menor a la resistencia 𝑅𝐸2 se tendrá:

𝑋𝐶 ≪ 𝑍𝑖𝑛

Como 𝑋𝐶 es despreciable todo el voltaje ira por 𝑍𝑖𝑛 . También se sabe que:

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2

Reemplazando las ecuaciones se tendrá:

1
≪ 𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2
2𝜋. 𝑓. 𝐶𝐺

1
𝐶𝐺 ≥
2𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 . (𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2 )

6.3. ¿Si intercambio los terminales de Fuente y Drenaje que pasa con el valor de la
impedancia de entrada?

No se tendrá ningún cambio, ya que la característica principal para un transistor JFET es


ser unipolares interviniendo solo los portadores mayoritarios, de esta manera los terminales
de Fuente se pueden intercambiar con el de drenaje para frecuencias bajas.

7. Bibliografía

Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2007). Electrónica, Teoría de Circuitos. Mc. Graw Hill.
Malvino, P. (2007). Principios de Electrónica. Mc. Graw Hill.
Ruiz, T., & Arbelatz, O. (2004). Análisis Básico de Circuitos Eléctricos y Electrónicos.
Prentice Hall.
Sedra, A., & Smith, K. (2006). Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. Mc.
Graw Hill.
TRABAJO PREPARATORIO

Tema: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN FUENTE COMÚN


Realizado por: Ismael Espinoza y Kevin Molina

Para poder realizar la identificación de los terminales del transistor antes que nada se debe
de conocer si este es un transistor JFET canal N o canal P como se indica en la siguiente
ilustración:

Tipos de Canal Transistor JFET

Opción 1:
 Para el caso de que tengamos un transistor JFET tendremos que usar nuestro multímetro
colocando nuestro multímetro en la opción de hfe usando esto usaremos la punta positiva
y colocaremos dicha punta en cualquier terminal del transistor (Esta será
nuestra REFERENCIA).

 Colocamos la otra punta en cualquier terminal si tenemos una respuesta del valor umbral
usamos esta misma punta y cambiamos al siguiente terminal si tenemos igual una respuesta
de valor umbral.
 Entonces tendremos que la referencia tomada será el GATE.

 Después de esto usamos el datahseet para identificar la fuente y el drenaje.

Opción 2:
 Primero colocamos el multímetro en la opción de diodos.
 Luego colocamos la punta positiva del multímetro en un terminal aleatorio del transistor,
por preferencia el del centro para usarlo como referencia.
 Colocamos la punta negativa del multímetro en otra patita del transistor, si en la medición
se obtiene el voltaje umbral, procedemos a medir en la patita restante, si en esta también
obtenemos el valor del voltaje umbral quiere decir que el terminal que usamos como
referencia es La compuerta (G)
 Para determinar cuál patita es S y cual es D es necesario el uso del datasheet, puesto que el
multímetro no me permite realizar esta identificación.

http://elab.mty.itesm.mx/docs/PF2_Modos_de_Operacion_FETs.pdf
http://www.kitelectronica.com/2016/01/prueba-del-transistor-fet-mosfet.html
1.1. La forma en la que un campo eléctrico controla el ancho del camino de
conducción del circuito de salida, sin que exista un contacto directo
entre la magnitud controlada y la magnitud controladora.

Influencia de Vds:
Esto tiene una relación directa con nuestro voltaje Vgs. ya que este voltaje es aquel
que influye directamente en el actuar que se presenta en la siguiente ilustración.

De esta forma podemos observar cómo influye este voltaje en la acción de cerrar el
canal existente entre los dos materiales tipo p dentro de nuestro transistor de canal
N lo que producirá que la zona de empobrecimiento sea mayor en la parte superior
de nuestro transistor delimitando de esta forma la cantidad de corriente que pueda
circular a través del canal N donde si se cumple que Vgs=0 tendremos que Id=Is.

Influencia de Vgs:
Si tomamos que Vds =0 tendremos una polarización inversa para las uniones p-n
esto incrementara el ancho de la zona desértica o de pobre enriquecimiento
disminuyendo el tamaño del canal n debido a esto a la resistencia de este canal
aumentara mientras se encuentre en la región óhmica es decir cuando tenga voltajes
Vds menores al pinch como se indica en al anterior grafica debido a esto la
pendiente será tanto menor cuanto más negativa sea nuestro voltaje VGS.

http://delegacion.etsiae.upm.es/index.php/segundo/eau-electronica-y-automatica/152-
eau-apu-apuntes-transistores/file
Teoría de Circuitos y Dispositivos Eléctricos Boylestad 12 Edi. Página 372
1.2. Característica de Drenaje y Característica de Transferencia de un JFET
canal P.

Característica de Drenaje.

La característica de Drenaje de un transistor JFET viene dada por una gráfica la cual
relaciona la corriente ID con el voltaje VDS como podemos observar en la siguiente gráfica:

Donde podemos observar que se encuentran presente dos regiones importantes siendo una
la región Óhmica (1) y la región de Saturación (2) donde la segunda región iniciara luego de
que nuestro voltaje VDS supere el Vpinch del transistor dentro de esta región el transistor
trabajara como un amplificador además de esto mientras VGS aumenta el Valor de ID
disminuye.
También se observará el VDS será menor al VGS siendo el VGS de valor positivo y el Vpinch
de valor negativo.

Característica de Transferencia.

Esta característica viene dada por la ecuación de Shockley:

𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑔𝑠𝑜𝑓𝑓

Donde VGS viene siendo nuestro parámetro el valor para VGSOFF será nuestro voltaje Pinch
e ID será la función esta ecuación genera una relación Exponencial entre ID y VGS esta
grafica se muestra a continuación.

Teoría de Circuitos y Dispositivos Eléctricos Boylestad 12 Edi. Página 376


http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/
1.3. Características de las zonas de operación de un JFET.

Las características y las respectivas zonas de operación que posee un transistor JFET se
puede observar de forma gráfica y sencilla en el siguiente diagrama.

Región Óhmica. - En esta región el transistor se comporta como una resistencia variable
el cual depende del valor Vgs y en el momento en que el Vgs = Vpinch esta región
terminara
Región de Corriente Constante Saturación: Esta es nuestra región de trabajo en esta
región el transistor se comporta como un amplificador y está definida por los límites:
(Vp<Vds<Vdsmax)
Región de Corte: La intensidad o corriente de drenaje es cero es decir el canal se cerró Id
= 0 mA
Región de Ruptura: Esto origina un canal Abierto no existe zonas desérticas, El
transistor se quema.

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php

1.4. Procedimiento para determinar experimentalmente IDSS y VGSoff.

Para poder realizar esto se podrá utilizar los siguientes circuitos propuestos con el fin de
medir dichos valores:
Para poder medir esto se necesitará de dos fuentes de voltaje una variable y una fija y un
multímetro para poder medir el voltaje en Vgs y la corriente que circule por Id.
Donde se ira variando el valor de la fuente entre Drenaje y Fuente hasta que el valor del
voltaje medido por el voltímetro entre la compuerta y la fuente sea estaba y no varié en este
momento ese valor será el voltaje Pinch o VGSOFF mientras que el valor de lo corriente
mostrada en ese mismo instante será nuestro IDSS.

http://mate.uprh.edu/~iramos/teel2042/lab3.pdf
http://elab.mty.itesm.mx/docs/PF2_Modos_de_Operacion_FETs.pdf
2. Para un amplificador en la configuración Fuente Común realizar las
siguientes actividades.

Imponerse el circuito amplificador para el análisis.

Mediante la ayuda del datasheet para un transistor JFET 2SK30ATM se tendrá los siguientes datos
los cuales se deberá interponer:
 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2.9 [𝑚𝐴]
 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 = −1.8 [𝑉]
 𝑌𝐷𝑆 = 0

2.1. Calcule el punto de operación del transistor.

Datos:
 𝐼𝐺 = 0 [𝑚𝐴]
 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
Para calcular 𝑉𝐺 realizamos un divisor de tensión en las resistencias 𝑅𝐵1 y 𝑅𝐵2
𝑅𝐵2
𝑉𝐺 = (𝑉 )
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐷𝐷
100𝑘
𝑉𝐺 = (18)
100𝑘 + 1𝑀
𝑉𝐺 = 1.64 [𝑉]

Para el cálculo de 𝑉𝐺𝑆 se analizará el transistor JFET


𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,64 − 𝑉𝑆 = 1,64 − 𝐼𝑆 𝑅𝑆
Como: 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,64 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,64 − 1𝑘. 𝐼𝐷

De la ecuación de Shockley tenemos:


2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 2,9[𝑚𝐴] (1 − )
−1,8[𝑉]
Para hallar el valor de 𝑉𝐺𝑆 y 𝐼𝐷 se procederá a graficar mediante la característica de transferencia y la
recta de carga.

Recta de Carga

𝑉𝐺𝑆 = 1,64 − 1[𝑘Ω]𝐼𝐷

𝑽𝑮𝑺 [V] 𝑰𝑫 [mA]


0 1,64
-0,2 1,84
-0,4 2,04
-0,6 2,24
-0,8 2,44
-1 2,64
-1,2 2,84
-1.64 0
Característica de Transferencia
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 2,9[𝑚𝐴] (1 − )
−1,8[𝑉]

𝑽𝑮𝑺 [V] 𝑰𝑫 [mA]


0 2,9
-0,25 2,15
-0,5 1,513
-0,75 0,987
-1 0,573
-1,25 0,271
-1,5 0,081
-1.75 0,002
-1.8 0

Gráfica:

𝑽𝑮𝑺 = −𝟎. 𝟑𝟐 [𝑽]


𝑰𝑫 = 𝟏. 𝟗𝟔 [𝒎𝑨]
Hallado los valores de 𝑉𝐺𝑆 e 𝐼𝐷 se continuará con el análisis para hallar el punto de operación:
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷
𝑉𝐷 = 18 − 1.96𝑚(5.2𝑘)
𝑉𝐷 = 7.81 [𝑉]

𝑉𝑆 = 𝐼𝑆 × 𝑅𝑆
𝑉𝑆 = 1,96[𝑚𝐴] ∗ 1[𝑘Ω] = 1.96 [𝑉]

𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = −0.31 + 1.96 = 1.65 [𝑉]

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 7,81 − 1,96 = 5.85 𝑉

Entonces nuestro punto de operación es:

 𝐼𝐺 = 0
 𝐼𝐷 = 1.96 [𝑚𝐴]
 𝐼𝑆 = 1.96 [𝑚𝐴]
Q  𝑉𝐺 = 1.64 [𝑉]
 𝑉𝑆 = 1.96 [𝑉]
 𝑉𝐷 = 7.81 [𝑉]
 𝑉𝐷𝑆 = 5.85 [𝑉]

Condición para que funcione como amplificador


𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑝
5.85 ≥ 1.8 [𝑉]

Se cumple la condición, el circuito funciona como amplificador en la región de saturación.


2.2. Calcule Zin, Zo, Av, AI.

Modelo Hibrido

Primero se procederá a hallar la transconductancia de transferencia directa (gm)

𝜕𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝜕𝑉𝐺𝑆
Se sabe mediante la ecuación de Shockley:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
Derivando parcialmente 𝐼𝐷 se obtendrá:
𝜕 𝑉𝐺𝑆 2
𝑔𝑚 = [𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ]
𝜕𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − )
|𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 | 𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹

2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚𝑜 =
|𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 |

𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 − )
𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
Reemplazando datos se obtendrá:
2(2,9[𝑚𝐴]) −0,32[𝑉]
𝑔𝑚 = (1 − )
1,8[𝑉] −1,8[𝑉]

[𝑚𝐴]
𝑔𝑚 = 2,65
[𝑉]

𝑔𝑚 = 2,65 [𝑚𝑆]
Como 𝑌𝐷𝑆 (Admitancia de salida) es:
1
𝑟𝑑 =
𝑌𝐷𝑆
𝑌𝐷𝑆 = 0
1
𝑟𝑑 = =∞
0
Calculo de ganancia de voltaje

Para hallar la ganancia de voltaje partimos de la definición:


𝑣0
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
Analizando el modelo hibrido obtenemos:
𝑣0 = −𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑆
Analizando en el nodo de drenaje
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚. 𝑉𝐺𝑆 + 𝑖
Mediante la Ley de Ohm calculamos la corriente que pasara por 𝑟𝑑 obteniendo:
𝑉𝑟𝑑
𝑖=
𝑟𝑑
Reemplazando 𝑖 en la ecuación de 𝑖𝑑 obtenemos:
𝑉𝑟𝑑
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 + (1)
𝑟𝑑
Analizando la malla de salida
𝑣0 = 𝑉𝑟𝑑 + 𝑖𝑠 . 𝑅𝑠

Pero se sabe que:


𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝑟𝑑 = 𝑣0 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 (2)

Reemplazando (2) en (1) tenemos:


𝑣0 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 + (3)
𝑟𝑑
Se reemplazara el valor de V0 hallado inicialmente la ecuación (3), obteniendo:

−𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠


𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 +
𝑟𝑑

Adicionalmente se calculará el factor común de id


𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 𝑅𝑠
𝑖𝑑 (1 + + ) = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆
𝑟𝑑 𝑟𝑑
Sabiendo que 𝑟𝑑 = ∞ se reemplazará obteniendo:
𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 𝑅𝑠
𝑖𝑑 (1 + + ) = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆
∞ ∞

𝑖𝑑 = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (4)
Regresando a la definición de la ganancia de voltaje se remplazará 𝑣0 y 𝑣𝑖𝑛
−𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = (5)
𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
Reemplazando (4) en (5)
−𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 . 𝑅𝑠

Se simplificará 𝑉𝐺𝑆 obteniendo la ecuación para hallar la ganancia de voltaje:


−𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑠
Reemplazando los datos se obtendrá:
−2,65[𝑚𝑠](5,6 𝑘||12 𝑘) −9,60
𝐴𝑣 = =
1 + 2,65[𝑚𝑠]1[𝑘Ω] 2,63

𝐴𝑣 = −2,63

Calculo de impedancia de entrada


Para el cálculo de la impedancia de entrada, se usará la definición:
𝑣𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑛
(𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2 )𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2
1𝑀 ∗ 100𝑘
𝑍𝑖𝑛 = = 91 [𝑘Ω]
1𝑀 + 100𝑘

Calculo de ganancia de corriente


Por definición se sabe:
𝑖0
𝐴𝐼 =
𝑖𝑛
𝑣0
𝑅𝐿
𝐴𝐼 = 𝑣
𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛

𝑣0 . 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 =
𝑣𝑖𝑛 . 𝑅𝐿
𝑣
Sabiendo que 𝐴𝑣 = 𝑣 0 se obtendrá:
𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 = 𝐴𝑣
𝑅𝐿
Reemplazando los datos se obtendrá:
91[𝑘Ω]
𝐴𝐼 = 2,63 ( ) = 19,94
12[𝑘Ω]

Calculo de impedancia de salida

𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ||𝑍0 ′

𝑣𝑜
𝑍𝑜 = |
𝑖𝑜 𝑣
𝑖𝑛 =0

𝑣𝑜
𝑍0′ =
𝑖𝑑

Analizando la malla de entrada


−𝑣𝑖𝑛 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 = 0

Pero como 𝑣𝑖𝑛 = 0


𝑉𝐺𝑆 = −𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
Analizando la malla de salida
−𝑣𝑜 + 𝑉𝑟𝑑 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 = 0
𝑉𝑟𝑑 = 𝑣𝑜 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
Analizando en el nodo de salida
𝑉𝑟𝑑
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 +
𝑟𝑑
Se reemplazará 𝑉𝑟𝑑 y 𝑉𝐺𝑆 , obteniendo:
𝑣𝑜 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚. 𝑉𝐺𝑆 +
𝑟𝑑
𝑣𝑜 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 (−𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 ) + −
𝑟𝑑 𝑟𝑑
𝑅𝑆 𝑣𝑜
𝑖𝑑 (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑆 + )=
𝑟𝑑 𝑟𝑑
Se procederá a sacar factor común de 𝑖𝑑
𝑅𝑆 𝑣𝑜
𝑟𝑑 (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑆 + )=
𝑟𝑑 𝑖𝑑
𝑅𝑆
𝑍𝑜 ′ = 𝑟𝑑 (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑆 + )
𝑟𝑑
Como el valor de 𝑟𝑑 = ∞ se obtendrá:
𝑍𝑜 ′ = ∞
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ||𝑍0 ′
5,2𝑘 ∗ ∞
𝑍𝑜 = = 5,2 [𝑘𝛺]
5,2𝑘 + ∞

2.3. Verifique el punto de operación del transistor.

Corriente de Compuerta

Calculo de Errores Corriente de Compuerta:

Simulada 𝑰𝑮 = 𝟎 [𝑨]
Medida 𝑰𝑮 = 𝟎 [𝑨]

𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = 0 %
Corriente de Fuente

Calculo de Errores Corriente de Fuente:

Simulada 𝑰𝑺 = 𝟏, 𝟗𝟒𝟓 [𝒎𝑨]


Medida 𝑰𝑺 = 𝟏, 𝟗𝟔 [𝒎𝑨]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
1,945 − 1,96
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 0,77 %
1,945

Corriente de Drenaje
Calculo de Errores Corriente de Drenaje:

Simulada 𝑰𝑫 = 𝟏, 𝟗𝟒𝟓 [𝒎𝑨]


Medida 𝑰𝑫 = 𝟏, 𝟗𝟔 [𝒎𝑨]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
1,945 − 1,96
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 0,77 %
1,945

Voltaje de Compuerta

Medición con AC Medición sin AC


Calculo de Errores Voltaje de Compuerta:

Simulada 𝑽𝑮 = 𝟏, 𝟔𝟑𝟕 [𝑽]


Medida 𝑽𝑮 = 𝟏, 𝟔𝟒 [𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
1,637 − 1,64
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 0,18 %
1,637

Voltaje de Fuente

Medición con AC Medición sin AC


Calculo de Errores Voltaje de Fuente:

Simulada 𝑽𝑺 = 𝟏, 𝟗𝟒𝟓 [𝑽]


Medida 𝑽𝑺 = 𝟐 [𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
1,945 − 2
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 2,83 %
1,945

Voltaje de Drenaje

Medición con AC Medición sin AC


Calculo de Errores Voltaje de Drenaje:

Simulada 𝑽𝑫 = 𝟕, 𝟖𝟖𝟓 [𝑽]


Medida 𝑽𝑫 = 𝟕, 𝟖 [𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
7,885 − 7,8
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 1,078 %
7,885
Voltaje Drenaje - Fuente

Medición con AC Medición sin AC

Calculo de Errores Voltaje de Drenaje - Fuente:

Simulada 𝑽𝑫𝑺 = 𝟓, 𝟗𝟒 [𝑽]


Medida 𝑽𝑫𝑺 = 𝟓, 𝟗𝟐 [𝑽]
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
5,94 − 5,92
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 0,34 %
5,94

2.4. Verifique los parámetros de corriente alterna del amplificador.

Ganancia de Voltaje

𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.314
𝐴𝑣 = = −2,644
0.4969
Medición de 𝑣𝑜 Medición de 𝑣𝑖𝑛

𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.28
𝐴𝑣 = = −2,56
0.5
Calculo de Errores Ganancia de Voltajes:

Simulada 𝑨𝒗 = −𝟐, 𝟔𝟒𝟒


Medida 𝑨𝒗 = −𝟐, 𝟓𝟔

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜

2,644 − 2,56
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 3,177 %
2,644

Ganancia de Corriente

𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖𝑛
77.426 [𝑢𝐴]
𝐴𝐼 = = 19.909
3.889 [𝑢𝐴]
Medición de 𝑖𝑜 Medición de 𝑖𝑖𝑛
𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖𝑛
71,9 [𝑢𝐴]
𝐴𝐼 = = 19.432
3,7 [𝑢𝐴]

Calculo de Errores Ganancia de Corriente:

Simulada 𝑨𝑰 = 𝟏𝟗, 𝟗𝟎𝟗


Medida 𝑨𝑰 = 𝟏𝟗, 𝟒𝟑𝟐

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
19,909 − 19,432
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 2,4 %
19,909

Impedancia de Entrada

Para comprobar la impedancia de entrada debemos colocar una resistencia del valor de
impedancia calculado en serie a la fuente, de esta manera se producirá un divisor de tensión
y en la salida se tendrá la mitad del voltaje de salida previamente calculado desconectando
la carga (RL).

 Sin 𝑍𝑖𝑛

𝑣𝑜𝑝− = 1.317 [𝑉]


Medición de 𝑣𝑜𝑝

Calculo de Error:
Simulada 𝒗𝒐𝒑 = 𝟏, 𝟑𝟏𝟕 [𝑽]
Medida 𝒗𝒐𝒑 = 𝟏, 𝟐𝟖 [𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
1,317 − 1,28
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 2,81 %
1,317
 Con 𝑍𝑖𝑛

𝑣𝑜𝑝− = 655,344 [𝑚𝑉]


Medición de 𝑣𝑜𝑝 Medición de 𝑍𝑖𝑛

Calculo de Error:

Simulada 𝒗𝒐𝒑 = 𝟔𝟓𝟓, 𝟑𝟒𝟒 [𝒎𝑽]


Medida 𝒗𝒐𝒑 = 𝟔𝟒𝟎 [𝒎𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
0,655 − 0,64
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 2,29 %
0,655

Comprobación de Simulación
𝑣𝑜1 1,317
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,655

Comprobación de Medición
𝑣𝑜1 1,28
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,64

Calculo de Error de Impedancia de Entrada:

Calculada 𝒁𝒊𝒏 = 𝟗𝟏 [𝒌𝜴]


Medida 𝒁𝒊𝒏 = 𝟗𝟏, 𝟔 [𝒌𝜴]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
91𝑘 − 91.6𝑘
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 0,66 %
91𝑘
Se comprobará finalmente la obtención de mitad del voltaje de salida.

Impedancia de Salida
Para comprobar se deberá desconectar la carga 𝑅𝐿 dándonos el máximo valor de voltaje de
salida y colocar el 𝑍𝑂 en serie, para que el voltaje de salida disminuya a la mitad, es decir:
𝑉𝑜
𝑉𝑜1 =
2
Sin impedancia de salida, sin carga, máximo voltaje

𝑣𝑜𝑝− = 1.883 [𝑉]


Medición de 𝑣𝑜𝑝
Calculo de Error:

Simulada 𝒗𝒐𝒑 = 𝟏, 𝟖𝟖𝟑 [𝑽]


Medida 𝒗𝒐𝒑 = 𝟏, 𝟖 [𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
1,883 − 1,8
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 4,41 %
1,883

Con impedancia de salida, máximo voltaje dividido entre 2

𝑣𝑜𝑝− = 946.016 [𝑚𝑉]

Medición de 𝑣𝑜𝑝 Medición de 𝑍𝑖𝑛


Calculo de Error:

Simulada 𝒗𝒐𝒑 = 𝟗𝟒𝟔, 𝟎𝟏𝟔 [𝒎𝑽]


Medida 𝒗𝒐𝒑 = 𝟗𝟎𝟎 [𝒎𝑽]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
0,946 − 0,9
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 4,86 %
0,946

Comprobación de Simulación
𝑣𝑜1 1,883
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,946

Comprobación de Medición
𝑣𝑜1 1,8
= = 2.00
𝑣𝑜2 0,9

Calculo de Error de Impedancia de Salida:

Calculada 𝒁𝒐 = 𝟓, 𝟐 [𝒌𝜴]
Medida 𝒁𝒐 = 𝟓, 𝟏𝟏 [𝒌𝜴]

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
5,2𝑘 − 5,11𝑘
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 1,73 %
5,2𝑘
2.5. Realice el cuadro con los resultados obtenidos.

Amplificador
Cálculo Simulado Medido Error %
Corriente de Puerta [A] 0 0 0 0
Circuito en Polarización

Corriente de Drenaje [mA] 1,96 1,945 1,96 0,77

Corriente Fuente [mA] 1,96 1,945 1,96 0,77

Voltaje Compuerta [V] 1,64 1,637 1,64 0,18


Voltaje Drenaje [V] 7,81 7,885 7,8 1,078
Voltaje Fuente [V] 1,96 1,945 2 2,83
Voltaje Drenaje-Fuente [V] 5,85 5,94 5,92 0,34

Cálculo Simulado Medido Error %


Ganancia De Voltaje 2,63 2,644 2,56 3,177
Circuito en AC

Ganancia de Corriente 19,94 19,909 19,432 2,4

Impedancia de Entrada [kΩ] 91 VO = 1,883 [V] VO = 1,28 [V] 2,81


VO’= 0,937 [V] VO’= 0,64 [V] 2,29
Impedancia de salida [kΩ] 5,2 VO = 1,883 [V] VO = 1,8 [V] 4,41
VO’ = 0,946 VO’ = 0,9 4,86

2.6. Intercambie los terminales de Drenaje y Fuente y determine la ganancia del


amplificador.

Sin intercambiar drenaje y fuente


𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.314
𝐴𝑣 = = −2.644
0.4969

Intercambiando drenaje y fuente

𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.293
𝐴𝑣 = = −2,602
0.4969
Medido:
𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
−1.28
𝐴𝑣 = = −2,56
0.5

Calculo de Error:

Simulada 𝑨𝒗 = −𝟐, 𝟔𝟎𝟐


Medida 𝑨𝒗 = −𝟐, 𝟓𝟔

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜


𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
2,602 − 2,56
𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 3,177 %
2,602

Podemos verificar que el valor de 𝑣𝑜 al intercambiar la función de los terminales de fuente


y drenaje no altera la medición, puesto que el transistor JFET se encuentra uniformemente
dopado.

3. Preguntas:
3.1. ¿Se pueden intercambiar los terminales de Drenaje y Fuente?

 En muchas aplicaciones de baja frecuencia, la fuente y drenaje son intercambiables, lo


que lo convierte en un dispositivo Simétrico. Donde las curvas de salida se extienden a
ambos lados del origen. Esto significa que el JFET puede usarse como una resistencia
controlada por tensión para señales alternas pequeñas, aquellas menores a 200mV.
Cuando se emplea de esta manera no necesitamos tensión continua.
 Para altas frecuencias los terminales no son intercambiable, ya que los fabricantes casi
siempre minimizan la capacidad entre la puerta y el drenaje en comparación a la
capacidad entre la puerta y la fuente.
 Mediante la configuración interna nos indica que si se pueden intercambiar los
terminales de fuente y drenaje, ya que el transistor JFET se encuentra dopado
uniformemente.

Obtenido de: MALVINO, Albert. Principios de electrónica 7ª edición. Capítulo 13, pag 430.

3.2. ¿Qué función cumple un capacitor ubicado en el terminal de Fuente?


Explique?

La ganancia de voltaje sin Capacitor en el terminal de fuente es:

𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑆1 + 𝑅𝑆2 )

Al conectar un capacitor en paralelo con la resistencia 𝑅𝑆2 la ganancia de voltaje será:


𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑆1 + 𝑅𝑆2 || 𝑋𝐶 )

De la fórmula de la reactancia capacitiva se tendrá:

1
𝑋𝐶 =
2𝜋. 𝑓. 𝐶

Como el capacitor debe ser al menos 10 veces menor a la resistencia 𝑅𝐸2 se tendrá:

𝑋𝐶 ≪ 𝑅𝐸2

Como 𝑋𝐶 es despreciable todo el voltaje ira por 𝑅𝐸2 actuando el capacitor como un corto
circuito en las componentes de alterna, este comportamiento hará que la corriente pase por
el camino más fácil, teniendo como ganancia de voltaje la siguiente ecuación:

𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑆1 )

A continuación se comprobará mediante multisim:


3.3. ¿Si se retira la resistencia de carga, que ocurre con el valor de la
ganancia de voltaje del amplificador?

De la fórmula de ganancia de voltaje con la carga tenemos:

𝑣𝑜 −𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑠

Sin carga:

𝑣𝑜 −𝑔𝑚. 𝑅𝐷
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑠

Como se observará aumentará la ganancia de voltaje de tal manera que nos dará el máximo
valor de voltaje de salida, ya que la corriente será la máxima al no tener carga que impide el
paso de corriente.

4. Conclusiones

 Las funciones de los terminales del JFET pueden ser intercambiadas al ser
uniformemente dopados, la desventaja de esta característica es que para identificar sus
terminales debemos usar el datasheet puesto que por el simple uso de un multímetro
en la opción de diodos no es suficiente.
 Pudimos comprobar que la corriente de compuerta siempre es cero por lo que las dos
corrientes restantes de fuente y drenaje son iguales.
 Para calcular el punto de operación de un JFET tenemos dos opciones, la primera es
resolviendo una ecuación cuadrática lo que nos dará dos valores de ID y la segunda es
por el método gráfico en donde tenemos que dar valores a la Recta de carga y a la
Ecuación de SHOTCKEY, el punto donde estas cortan es el Punto Q que debemos
usar.
5. Recomendaciones

 La principal recomendación para circuitos que trabajen con resistencias muy altas es
medir bien cada resistencia que generalmente no marcan el valor que deberían y como
estamos trabajando con resistencias de una tolerancia bastante alta, tanto la ganancia
como los demás parámetros del amplificador no serán los correctos. Otra opción es
buscar un circuito que trabaje con resistencias de kΩ.
 Debemos medir bien las entradas al amplificador que como vemos en la imagen:

El valor de la fuente es 17.32V pero en el osciloscopio marca 18 V que es el valor de


voltaje de polarización que necesita nuestro amplificador.

6. Bibliografía

Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2007). Electrónica, Teoría de Circuitos. Mc. Graw Hill.
Malvino, P. (2007). Principios de Electrónica. Mc. Graw Hill.
Ruiz, T., & Arbelatz, O. (2004). Análisis Básico de Circuitos Eléctricos y Electrónicos.
Prentice Hall.
Sedra, A., & Smith, K. (2006). Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. Mc.
Graw Hill.