Laboratorio de Electrónica de Potencia. Práctica 3: Protección de semiconductores contra sobretensiones.

PRÁCTICA Nº 3: PROTECCIÓN DE SEMICONDUCTORES CONTRA

SOBRETENSIONES

PRELAB: CUESTIONES TEÓRICAS Y SIMULACIONES CON ORCAD LITE 16.6

Antes de acudir al laboratorio deberá estudiar el contenido de esta práctica, realizar los
siguientes ejercicios teóricos y de simulación y elaborar, de forma individual, una pequeña
memoria (máximo 2 ó 3 páginas) que entregará al profesor al terminar la sesión práctica junto
con las hojas de resultados que se encuentran al final de este guión.
Para esta práctica deberá descargar las librerías mosfet.olb y mosfet.lib de moodle e instalarlas
siguiendo las instrucciones indicadas más adelante. Todas las tareas relacionadas con estos
ejercicios previos, el manejo y la configuración del simulador, forman parte del trabajo previo
del alumno.

DISEÑO DE LA BOBINA
1. Calcule el número de vueltas necesario para construir una bobina con una
autoinductancia L=427μH utilizando el núcleo magnético TX39/20/13-3E25.

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
1. Represente gráficamente la curva característica estática simulada, ID=f(VDS), del
MOSFET BUZ11 para una tensión puerta-fuente VGS=12V.
2. Calcule la resistencia en conducción del MOSFET en la zona óhmica, RDS, a partir de
la gráfica anterior.

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CIRCUITOS DE LA PRÁCTICA.
1. Simule el comportamiento de los tres circuitos que se montarán en la práctica:
a. MOSFET con carga inductiva-resistiva sin protección.
b. MOSFET con carga inductiva-resistiva con red amortiguación.
c. MOSFET con carga inductiva-resistiva con diodo de libre circulación.
2. La fuente de tensión Vgen de los circuitos es una onda cuadrada digital de amplitud
12V y frecuencia 1kHz. Para construirla utilice una fuente del tipo VPULSE cuyos
parámetros se indican en la gráfica siguiente:

Considere que: V2=12V, V1=0V, PW=PER/2, y TD=TR=TD=0.

3. Para cada uno de los circuitos anteriores, represente la gráfica de la tensión drenador-
fuente simulada en función del tiempo, VDS(t).

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AÑADIR LIBRERÍAS A ORCAD CAPTURE LITE 16.6

1. Descargue las librerías de símbolos (.olb) y de modelos (.lib) de Moodle.
2. Copie las librerías (.olb) en la carpeta siguiente (suponiendo que el programa está instalado
en el disco E:\):
E:\OrCAD\OrCAD_16.6_Lite\tools\capture\library\pspice
3. Para añadir las librerías (.olb) a la lista de librerías de símbolos pulse en el botón “Add
Library” y seleccione todas las librerías de la carpeta anterior.

Otra posibilidad es buscar el componente deseado en el directorio anterior y, cuando aparezca

la librería, seleccionarla pulsando sobre el botón “Add”. La figura siguiente muestra, a
modo de ejemplo, la búsqueda del diodo D1N4007 en la librería diode.slb

4. Copie las librerías de modelos (.lib) en la carpeta:

C:\OrCAD\OrCAD_16.6_Lite\tools\pspice\library
5. Para añadir una librería (.lib) tiene que crear un nuevo perfil de simulación “New
simulation profile”, elegir la categoría “Library” en la pestaña “Configuration Files”,
seleccionar la librería en el directorio anterior pulsando sobre el botón “Browse…”.
Finalmente, añadirla al diseño pulsando los botones “Add to design” y “Aplicar”.

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OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA
Esta práctica persigue los siguientes objetivos:
 Tomar conciencia de las sobretensiones que pueden aparecer durante las conmutaciones y
de las causas que las provocan.

 Conocer dos de las técnicas más habituales para proteger los semiconductores frente a las
sobretensiones: los diodos de libre circulación (freewheel diodes) y las redes de
amortiguación disipativas (snubbers).

 Mejorar la competencia en el uso de los instrumentos de laboratorio en la realización de

ensayos.

INTRODUCCIÓN
En los circuitos de Electrónica de Potencia las conmutaciones entre los estados de corte y
conducción son muy rápidas. Esto es intencionado, ya que durante estas conmutaciones los
valores de corriente y tensión alcanzan simultáneamente valores elevados, lo que hace que la
potencia instantánea disipada en ellas sea muy superior que en el resto de fases por las que
pasa el componente.
Una de las consecuencias de estas conmutaciones tan rápidas es la aparición de derivadas de
corriente muy elevadas. Puesto que en muchos circuitos de Potencia se usan inductancias y
muchas cargas industriales también tienen carácter inductivo, estas derivadas de corriente
generan sobretensiones muy importantes.
En efecto, la inductancia, que se opone a variaciones bruscas de la corriente, generará una
tensión tan alta como sea necesario para que la corriente permanezca constante (no presente
discontinuidades). Lo elevado de la tensión dependerá del elemento más débil del circuito:
entrada en avalancha del semiconductor, perforación de dieléctricos de condensadores,
perforación de aislamientos, ionización y formación de arco eléctrico...
La energía para generar esa tensión proviene de la almacenada en el campo magnético de la
inductancia. Puesto que esta energía es limitada, la corriente y la tensión decrecen según se va
agotando. Cuanto mayor es la tensión generada, más deprisa se agota la energía ya que la
potencia requerida para generarla es mayor ( ).
El efecto de estos picos de tensión es extremadamente dañino. Un pico excesivo puede llegar a
destruir componentes de forma casi instantánea y, en cualquier caso, la entrada en avalancha
de forma continua y repetitiva provocará el fallo prematuro del componente y reducirá su
capacidad para soportar sobrecargas. Por ello es necesario añadir a los circuitos elementos
adicionales para limitarlas.
Existen numerosas técnicas para limitar las sobretensiones o proteger a los semiconductores de
ellas. En esta práctica se ensayarán dos de ellas:
 Redes de amortiguación.
 Diodos de libre circulación.

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Redes de amortiguación (snubbers)

La idea es transferir la energía almacenada en la inductancia a un condensador de forma que se
amortigüe el pico de tensión:

Cuanto mayor es el condensador menor es la tensión de pico que debe soportar el

semiconductor. Para que funcione, el condensador debe tener una impedancia en serie
equivalente pequeña y soportar picos de corriente breves e intensos (polímero metalizado o
cerámico).
D2
D1N4007

M2 R4
51
BUZ11/SIE

C1
100nF

0 0

Figura 1: Red de amortiguación (snubber).

El diodo permite la transferencia de energía desde la inductancia al condensador sin

impedimentos. Los tiempos de conmutación del diodo deben estar en consonancia con la
frecuencia de conmutación del circuito.
Finalmente la energía se disipa en las distintas resistencias del circuito. La resistencia de la red
amortiguadora limita el pico de corriente de descarga del condensador a través del transistor
cuando éste pasa a conducción.

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Diodo de libre circulación (freewheel diode)

La idea es dar un camino alternativo a la corriente de forma que no se interrumpa
bruscamente.

R3
22

D1
D1N4007 L3
427uH

Figura 2: Diodo de libre circulación.

Cuando el transistor conduce, el diodo está polarizado inversamente y no conduce. Cuando el
transistor se abre, la tensión generada por la bobina se eleva hasta la tensión de codo del
diodo, que entra en conducción y proporciona un camino alternativo a la corriente. Así se
forma un circuito RL en el que la corriente decrece exponencialmente y no aparecen
sobretensiones. La resistencia proviene de la propia carga o, si se quiere una atenuación de la
corriente más rápida, de una resistencia R adicional en serie con el diodo. Si se añade esta
resistencia adicional el transistor soporta una sobretensión “extra” de valor RI.
Los diodos de libre circulación son de uso común en muchos circuitos de Electrónica de
Potencia. En particular, este diodo se usa siempre que un transistor debe gobernar una bobina
(p.ej.: relés o actuadores con solenoide).
Los tiempos de conmutación del diodo deben estar en consonancia con la frecuencia de
conmutación del circuito.

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REALIZACIÓN DE LA PRÁCTICA

Material necesario
 1 cable rojo banana-cocodrilo.
 1 cable negro banana-cocodrilo.
 1 sonda osciloscopio.
 1 fuente regulable con limitador de corriente.
 1 generador de funciones.
 1 MOSFET canal n BUZ11.
 1 diodo rectificador de silicio 1N4007.
 1 núcleo de ferrita TX39/20/13-3E25.
 1 resistencia de 22 Ω 4W.
 1 resistencia de 51 Ω ½ W.
 1 condensador de 100 nF.

Ajustes previos de los instrumentos

Encendido de los instrumentos

La temperatura de los instrumentos de medida afecta a su funcionamiento. Para evitar las
derivas y el tener que reajustarlos continuamente se deben encender 30 minutos antes de
empezar a utilizarlos para que alcancen el equilibrio térmico con el ambiente y no deben
apagarse hasta finalizar su uso.
Obviamente en la sesión de prácticas no se dispone de esos 30 minutos para el calentamiento,
pero al menos deben encenderse el generador de funciones y el osciloscopio nada más
empezar la práctica.

Limitación de la corriente máxima de la fuente de alimentación

En esta práctica se utilizará sólo la fuente regulable izquierda de la fuente de alimentación del
laboratorio.
En ninguno de los montajes la corriente consumida superará los 300 mA. Con objeto de evitar
que la corriente adquiera de forma accidental valores excesivos que puedan dañar el
componente o los instrumentos de medida lo primero que haremos será limitar la corriente que
puede entregar la fuente de alimentación a 400 mA:
1. Comprobar que la fuente de alimentación está apagada. Si no es así, apagarla.
2. Asegurarse que el selector del voltímetro y el del amperímetro de la fuente de
alimentación estén en S1 (monitorización de la tensión y la corriente de la fuente
regulable izquierda).
3. Poner los controles izquierdos de ajuste de tensión grueso y ajuste de tensión fino a
mitad de recorrido.
4. Poner el control izquierdo de limitación de corriente totalmente hacia la izquierda
(corriente nula).

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5. Cortocircuitar la fuente de regulable izquierda.

6. Encender la fuente.
7. Girar lentamente hacia la derecha el limitador de corriente hasta que el amperímetro de
la fuente marque 0,40 A.
8. Apagar la fuente.
9. Eliminar el cortocircuito.

Ajuste de la tensión de alimentación

En esta práctica los montajes se alimentarán a VCC=6,6 V:
1. Asegurarse que el selector del voltímetro esté en S1 (monitorización de la tensión de la
fuente regulable izquierda).
2. Poner el control izquierdo de ajuste de tensión fino a mitad de recorrido.
3. Usar el control izquierdo de ajuste de tensión grueso para aproximarse a 6,6 V ±0,5 V.
4. Usar el control izquierdo de ajuste de tensión fino fijar con precisión la tensión de
salida en 6,6 V.
5. Apagar la fuente.
¡Atención!: comprobar SIEMPRE la tensión de salida de una fuente de alimentación antes de
conectarla a un circuito. Nunca se sabe quién ha podido usarla antes ni a qué tensión ha podido
ajustarla.

Ajuste inicial del osciloscopio

Para visualizar y medir la tensión VDS que tiene que soportar el MOSFET se va a emplear el
canal 1 del osciloscopio. Realizaremos los siguientes ajustes sobre el mismo:
1. Comprobar que los controles de ganancia vertical y de la base de tiempos están en su
posición de calibración (botón central del mando totalmente a la derecha).
2. Ajustar la base de tiempos a 0,2 ms/div.
3. Ajustar el acoplamiento de disparo a continua (DC).
4. Comprobar que el disparo está en automático (AT).
5. Comprobar que se dispara con el canal 1.
6. Ajustar la ganancia vertical a 5 V/div.
7. Ajustar el acoplamiento de señal a continua (DC).

Ajuste del generador de funciones

Para controlar el MOSFET se va a emplear la salida digital del generador de funciones (no
confundir con la salida analógica de 50 Ω). Realizaremos los siguientes ajustes sobre el
mismo:
1. Conectar la salida digital del generador al canal 1 del osciloscopio.
2. Ajustar el rango de frecuencia a 10 kHz.
3. Ajustar la frecuencia a 1 kHz.
4. Ajustar la tensión a nivel alto del pulso a 12 V.
5. Desconectar el generador del osciloscopio.

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MOSFET con carga inductiva-resistiva sin protección

Este es el circuito básico en el que sólo están presentes el interruptor (MOSFET) y la carga.
En esta práctica la energía almacenada en la bobina es pequeña y el MOSFET está muy por
debajo de sus condiciones nominales de funcionamiento, por lo que puede soportar la entrada
en avalancha. No obstante, no resulta recomendable mantenerlo funcionando en estas
condiciones más tiempo del necesario para realizar las medidas que se solicitan.
Montaje
En los sucesivos ensayos se utilizará este montaje más una protección contra sobretensión. Por
ello es importante reflexionar un poco sobre la posición de los componentes en la placa para
dejar el espacio necesario para los componentes de las protecciones y que no sea necesario
desmontar todo y volver a montarlo para cada ensayo.
Es importante también utilizar el mínimo número de cables posible para interconectar los
componentes y hacerlo siempre que sea posible directamente. Las placas de montaje rápido
permiten probar un circuito en poco tiempo y son muy flexibles, pero no están preparadas para
llevar grandes corrientes y cada conexión introduce una resistencia de varios ohmios además
de capacidades e inductancias parásitas. Por eso es conveniente seguir estas reglas:
 Hacer las conexiones siempre que se pueda usando sólo los terminales de los
componentes, salvo que no sea posible o sea extremadamente impráctico.
 Mantener la longitud de las conexiones al mínimo.
 Insertar todos los componentes, pero sobre todo por los que vaya a pasar una corriente
importante, en agujeros adyacentes o lo más próximos posible para minimizar la
resistencia.
Situar una protección excesivamente lejos el semiconductor al que protege o conectada a
través de una conexión con una resistencia o inductancia parásitas excesivas puede hacerla
completamente inútil o generar aún mayores sobretensiones. En el caso de esta práctica, los
resultados quedarían falseados.

Página 9 Prácticas de Electrónica de Potencia

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El circuito que se debe montar es el de la figura 3:

VCC

R1
22

L1
427uH

M1

BUZ11/SIE

Vgen

0 0

Figura 3: MOSFET sin protección.

La fuente de pulsos representa el generador de funciones que emplearemos para generar la
señal de control de puerta.

Modo de operación
Una vez montado el circuito se procederá de la siguiente manera:
1. Conectar el generador de funciones a la puerta del MOSFET.
2. Conectar la tensión de alimentación.
3. Visualizar la tensión de drenador en el osciloscopio.
4. Dibujar a mano alzada la forma de onda anotando la tensión de pico y otras tensiones y
tiempos significativos.
¡Atención!: la resistencia de potencia alcanzará una temperatura elevada, antes de manipularla
es necesario dejar que se enfríe.
¡Atención!: NUNCA se debe abrir un circuito con inductancias sin haber desconectado
previamente la alimentación. Pueden generarse tensiones peligrosas para las personas y/o el
propio circuito.

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MOSFET con carga inductiva-resistiva con red de amortiguación

En este ensayo el MOSFET se protege con una red de amortiguación o snubber.

Montaje
Se aplican las mismas recomendaciones que para el montaje anterior. La única diferencia es la
incorporación de los componentes de la red de amortiguación o snubber. El circuito que debe
montar es el de la figura 4:
VCC

R2
22

L2
427uH
D2
D1N4007

M2 R4
51
BUZ11/SIE
s

Vgen C1
100nF

0 0 0

Figura 4: MOSFET con red amortiguadora.

Modo de operación
Una vez montado el circuito se procederá de la siguiente manera:
1. Conectar el generador de funciones a la puerta del MOSFET.
2. Conectar la tensión de alimentación.
3. Visualizar la tensión de drenador en el osciloscopio.
4. Dibujar a mano alzada la forma de onda anotando la tensión de pico y otras tensiones y
tiempos significativos.
¡Atención!: la resistencia de potencia alcanzará una temperatura elevada, antes de manipularla
es necesario dejar que se enfríe.
¡Atención!: NUNCA se debe abrir un circuito con inductancias sin haber desconectado
previamente la alimentación. Pueden generarse tensiones peligrosas para las personas y/o el
propio circuito.

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Laboratorio de Electrónica de Potencia. Práctica 3: Protección de semiconductores contra sobretensiones.

MOSFET con carga inductiva-resistiva con diodo de libre circulación

En este ensayo se sitúa un diodo de libre circulación (freewheel diode) en antiparalelo con la
carga.

Montaje
Se aplican las mismas recomendaciones que para los dos montajes anteriores. La única
diferencia es la incorporación al circuito inicial del diodo de libre circulación. El circuito que
se debe montar es el de la figura 5:
VCC

R3
22

D1
D1N4007 L3
427uH

M3

BUZ11/SIE

Vgen

0 0

Figura 5: carga con diodo de libre circulación.

Modo de operación
Una vez montado el circuito se procederá de la siguiente manera:
1. Conectar el generador de funciones a la puerta del MOSFET.
2. Conectar la tensión de alimentación.
3. Visualizar la tensión de drenador en el osciloscopio.
4. Dibujar a mano alzada la forma de onda anotando la tensión de pico y otras tensiones y
tiempos significativos.
¡Atención!: la resistencia de potencia alcanzará una temperatura elevada, antes de manipularla
es necesario dejar que se enfríe.
¡Atención!: NUNCA se debe abrir un circuito con inductancias sin haber desconectado
previamente la alimentación. Pueden generarse tensiones peligrosas para las personas y/o el
propio circuito.

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HOJAS DE RESULTADOS (1/2)

Puesto:
Nombre:
Nº de matrícula:

MOSFET sin protección

VALOR SIMULADO VALOR EXPERIMENTAL

VDS máxima
Gráfica VDS(t). Acote los valores significativos.

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HOJAS DE RESULTADOS (2/2)

Puesto:
Nombre:
Nº de matrícula:

MOSFET con red de amortiguación

VALOR SIMULADO VALOR EXPERIMENTAL

VDS máxima

Gráfica VDS(t). Acote los valores significativos.

Carga con diodo de libre circulación

VALOR TEÓRICO VALOR EXPERIMENTAL

UDS máxima

Gráfica VDS(t). Acote los valores significativos.

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