UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

PRÁCTICA NUMERO 4

ELECTRÓNICA DE ALTA FRECUENCIA – UNIDAD 3

Nombres:

Fecha: 09 de junio, 2017.

1. Tema: AM de alta frecuencia utilizando diodos PIN, BJT y FET

2. Objetivos:
 Implementar un circuito de amplitud modulada
 Comprender el funcionamiento del diodo PIN
3. Conocimientos previos:
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo el intermedio
semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra, tipo N (estructura P-
I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se
sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta
resistividad (ν).

Fig. 1. Diodo Pin.

El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para
manejar alta potencia.
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
Conmutador De RF
Resistencia Variable
Protector De Sobretensiones
Foto Detector
4. Instrucciones:
4.1 Implementar el circuito explicado en clase.

ELECTRÓNICA DE ALTA FRECUENCIA Y LAB. ING. ALFONSO GUNSHA M.

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Fig. 2. Diseño a implementar del modulador con el diodo.

Fig. 3. Diseño a implementar del modulador con el BJT y FET posteriormente.

4.2. Realizar la simulación en Multisim.

4.3 Visualizar la modulación generada en el osciloscopio.
4.3 Reemplazar Bjt con un Fet.
4.4. Utilizar el analizador de espectros.

5. Equipos y Materiales:
Equipos Materiales
Osciloscopio
Generador de señales
Multisim
6. Fundamento Teóricos:

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo el intermedio

semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra, tipo N (estructura P-
I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se
sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta
resistividad (ν).

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Fig. 4. Diodo Pin.

El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para
manejar alta potencia.
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
Conmutador De RF
Resistencia Variable
Protector De Sobretensiones
Foto Detector

7. Procedimientos y actividades:

8. Cálculos / Algoritmos:

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9. Resultados:

Fig. Resultado con el diodo.

Fig. Resultado con el Fet.

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Fig.Resultado con el Bjt.

10. Conclusiones:
Con el diodo rectificador se pudo observar que no se obtuvo una modulación buena.
Con el Bjt se consumó que existen interferencias al acercar la mano humana, pero
utilizando el Transistor Efecto de Campo (FET) se concluyó que da una mejor
modulación y sin ruido.

Ing. Daniel García Ing. Alfonso Gunsha

TÉCNICO DE LABORATORIO DOCENTE DE LA CARRERA

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