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DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA
ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
CARRERA:
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
MATERIA:
MEDICIONES ELECTRICAS
UNIDAD III:
ELABORADO POR:
FLORES GONZALEZ EMMANUEL ALEJANDRO – 16212570
GARCIA ALVAREZ SANDRA LIZBETH – 16212573
PEREZ OLGUIN LUIS GUILLERMO – 13211222
PULIDO LUNA DANIELA MARGARITA – 16212598
PROFESOR:
VALENTE ATANACIO LARES BOCANEGRA
PRACTICA No. 5
“Medición de semiconductores”
I. INTRODUCCIÓN
II. OBJETIVO
Observar el comportamiento de materiales semiconductores mediante la
medición de diodos y transistores hechos de silicio y germanio. Así como
también documentar la diferencia entre transistores NPN y PNP.
III. MARCO TEÓRICO
Medición de diodo
Medición del transistor 2N3906 al conectar el cable negro del multímetro a la base.
Medición del transistor 2N3906 al conectar el cable rojo del multímetro a la base.
Al medir el transistor 2N2222 al conectar el cable negro del multímetro a la
base pasa lo mismo.
7) Coloque ambos cables en el emisor. Luego cambie ambos cables.
Estas lecturas deberían mostrar un nivel de resistencia alto. Es
importante recalcar que, aunque éste método es confiable en el 99%
de los casos.
Resistencia 0.9𝑀Ω
VI. CONCLUSIONES
VII. OBSERVACIONES
El orden de las terminales del nuestro multímetro para medición del transistor NPN
y PNP eran diferentes. En el NPN el extremo positivo del multímetro tenía que ser
colocado en la base de nuestro transistor mientras que en el transistor PNP debe
estar el extremo negativo en la base. Si no se mide de esta manera, nuestro
multímetro no indicará ninguna lectura.
VIII. BIBLIOGRAFÍA
Alldatasheet. (2017). 2N2222. 2017, de ON Semiconductor Sitio web:
http://www.alldatasheet.es/view.jsp?Searchword=2N2222
Alldatasheet. (2017). 2N3907. 2017, de ON Semiconductor Sitio web:
http://www.alldatasheet.es/view.jsp?Searchword=2N3904