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ESTAREMOS COMENZANDO!!!

Instituto I.T.S.A.
José Luis Sapia
www.eitsa.com
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Diodo Zener

Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propósito

general, trabaja en la región de polarización negativa. Es decir que
la dirección de la conducción es opuesta a la de la flecha sobre el
símbolo.

Claro el voltaje Zener es muchas veces menor que VIP de un

diodo semiconductor, este control se logra con la variación de los
niveles de dopado. Los voltajes zener van desde 1.8 V. hasta
200V, con rangos de potencia de ¼ W hasta 50W.
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Región Zener:

Bajo polarización negativa existe un punto

en el cual bajo un voltaje negativo lo
suficientemente alto, da como resultado un
agudo cambio en las características del
diodo.
A este voltaje se le conoce como “voltaje
pico inverso” (PRV ó PIV )
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Comprobación de un diodo

Se empleará un multímetro y las medidas se efectuarán

colocando el instrumento en las escalas de resistencia y
preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 ó
también ohm x 100. Así cuando se intenta medir la
resistencia de un diodo, se encontrarán dos valores
totalmente distintos, según el sentido de las puntas. Si la
punta roja (negativo) se conecta a la zona N (cátodo del
diodo) y la punta negra a la P (ánodo), la unión se polariza
en directo y se hace conductora. El valor concreto
indicado por el instrumento no tiene significado alguno,
salvo el de mostrar que por la unión circula corriente.
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Por el contrario, cuando la punta roja se conecta a la zona

P (ánodo), y la negra a la zona N (cátodo), se esta
aplicando una tensión inversa. La unión no conducirá, y
esto será interpretado por el instrumento como una
resistencia muy elevada.
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Transistores
El Transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.

El término "transistor" es la contracción

en inglés de transfer resistor ("resistencia de
transferencia").
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Transistores
Este dispositivo tiene tres electrodos o
bornes, uno por cada uno de los
cristales de que se compone. Al cristal
que recibe la corriente, el primero de
los tres, se distingue con el nombre de
emisor; el cristal del centro como base,
y al cristal de salida de la corriente,
colector. Entonces, en un transistor de
tipo NPN, la primera N será el emisor,
P será la base, y la otra N, el colector.
Estos nombres se suelen abreviar con
las letras E, B y C respectivamente.
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Transistores
Tipos de transistores

BJT: Transistor de unión bipolar

FET: Transistor de efecto de campo
JFET: Transistor de efecto de campo de
unión
MOSFET: Transistor de efecto de
campo de metal-oxido-semiconductor
IGBT: Transistor de puerta aislada
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Transistores
Un transistor puede considerarse formado por
dos diodos semiconductores con una zona
común. En un transistor existen, por
consiguiente, tres terminales. La zona común se
denomina base y las dos zonas exteriores en
contacto con la base son el emisor y el colector.
Para que el transistor funcione correctamente, la
unión correspondiente al diodo emisor-base
debe polarizarse en sentido directo, mientras que
la unión correspondiente al colector-base ha de
estar polarizada en sentido inverso.
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Transistores
Si se conecta únicamente el circuito emisor-base,
con polarización directa, se establece una
circulación eléctrica desde el emisor a la base a
través de la unión. Desconectando la alimentación
en el circuito emisor-base y comunicando el
conector-base con polarización en sentido inverso,
la circulación será prácticamente ambas uniones
emisor-base y colector-base, se establecerá una
corriente entre el emisor y el colector. Dicha
corriente está determinada por la tensión positiva
del emisor y la negativa del colector, siempre con
relación a la base.
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EL TRANSISTOR BIPOLAR
.

El transistor convencional o bipolar se denomina así

porque en su funcionamiento intervienen corrientes
de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de
carga negativa. Otros dispositivos como los FET se
denominan monopolares porque sólo hay corrientes
de un tipo. Los terminales del transistor reciben el
nombre de emisor, colector y base. La base es el
terminal que está unido a la zona intermedia del
transistor. Las tres partes del transistor se diferencian
por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor
dopaje es la base, a continuación se encuentra el
colector y por último el emisor.
TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR
- Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor)
- De acuerdo con la unión de sus componentes se clasifican en:
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Estudio de Corrientes
El análisis del transistor se
realizará para una estructura NPN, y es análogo
para el PNP. Un transistor sin
polarizar se comporta como dos
diodos en contraposición, y no
existen corrientes notables circulantes por él. Si
se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la
corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por
último la corriente de colector, IC. En la figura
siguiente están dibuja-das estas corrientes según
convenio, positivas hacia adentro:
FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT

puede ser explicado como el de dos
diodos pn pegados uno a otro.
- En este esquema (condición directa), la
unión Base – Emisor (BE) actúa como un
diodo normal.
- Note en la gráfica el flujo de
electrones y huecos, siendo la corriente
de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce
una corriente de base a emisor.
- Conectemos ahora en forma inversa
la conexión Base – Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el
emisor se dividen en dos: unos que se
dirigen hacia la base, recombinándose
con los huecos, y otros que pasan esta
zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy
angosta, De ese modo la probabilidad
de paso es mayor.
- Aparece un flujo neto de corriente
(convencional) de colector al emisor.
- La corriente que fluye al colector es
mayor que la que fluye a la base del
circuito exterior.
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Corrientes en un transistor.

De estas tres corrientes, la del

emisor es la más grande, puesto
que éste se comporta como fuente
de electrones. La corriente de base
es muy pequeña, no suele llegar al
1% de la corriente de colector.
Aplicando la ley de Kirchhoff se
tiene la siguiente relación:
IB + IC - IE = 0 ; IE = IB + IC

y además:

donde es el factor de amplificación (20 – 200)

Para analizar la característica i – v
de un transistor se debe tomar los
siguientes pares:

iB vBE
iC vCE
Este último par origina una familia
de curvas.

ELECTRONICA BASICA, 2003

ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C
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1ra Ley de Kirchoff

En cualquier nodo, la suma de las corrientes que entran en

ese nodo es igual a la suma de las corrientes que salen. De
forma equivalente, la suma de todas las corrientes que
pasan por el nodo es igual a cero
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2da Ley de Kirchoff

En un lazo cerrado, la suma de todas las caídas de tensión es

igual a la tensión total suministrada. De forma equivalente,
la suma algebraica de las diferencias de potencial eléctrico
en un lazo es igual a cero.
En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente
ideal IBB inyecta una corriente en la base, en conexión directa.
Variando IBB y midiendo la variación vBE se obtiene la gráfica mostrada.
 Conectamos
ahora una
fuente de
voltaje
variable al
colector.
De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la
corriente en el colector. Esto adicionalmente a la variación de iB. Se genera
toda una familia de curvas, una para cada valor de iB.
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Zonas de funcionamiento

Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes

dependiendo de la polarización que tengan las dos uniones, base-
emisor y base-colector. Estas zonas se pueden observar en la
familia de curvas características de salida de un transistor como se
muestra en la figura.
Puede distinguirse cuatro zonas en la gráfica:

REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas

en contra. La corriente de base es muy pequeña, y no fluye,
para todos los efectos, corriente al emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un
amplificador lineal. La unión BE está conectada en directo y
la unión CB está en reversa.

REGION DE
SATURACION:
Ambas uniones
están conectadas
en directo.

REGION DE
RUPTURA: Que
determina el límite
físico de operación
del transistor.
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Zona de corte.
Para un transistor de
silicio, Vbe es inferior a
0,6 V (para germanio
0,2 V), ambas uniones
están polarizadas en
sentido inverso y las
intensidades en los
terminales se pueden considerar despreciables. En
otras palabras, la tensión de base no es lo
suficientemente alta para que circule corriente por la
unión base emisor, por lo que la corriente de colector
es igualmente despreciable.
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Zona activa.
La unión base-emisor
está polarizada en
sentido directo
(Vbe > 0,6 V) y la
unión colectora lo
está en sentido
inverso, la corriente inversa que circula en la
unión de colector es beta veces la corriente que
circula en sentido directo base emisor. Esta
zona es muy importante, puesto que el
transistor funciona en ella cuando se utiliza
para amplificar señales.
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Zona de saturación.
Ambas uniones,
emisora y colector,
están polarizadas en
sentido directo. La
corriente base-emisor
es muy grande, por lo
que la corriente de colector lo es igualmente
grande. Se dice que ha entrado en saturación si
el voltaje del colector es inferior a la tensión
base-emisor.
 Para responder a esta pregunta
deberemos determinar si las uniones
BE y BC se encuentran en conexión
directa o inversa.
En la región de saturación ambas
conexiones están en directo. En la
región activa, BE está en directo y BC
en reversa.
De los datos anteriores:
Ejemplo: Hallar el régimen
de trabajo del transistor
en el circuito mostrado si:

Ambos están en directo.

El último valor nos indica que estamos

en la región de saturación.
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Configuraciones
Dependiendo de cuál sea el
terminal común a la entrada
y a la salida del transistor,
se distinguen tres tipos de
configuraciones:
Configuración en base común: La base constituye el terminal común a
la entrada y a la salida, se encuentra unida a masa. La ganancia en
corriente de este circuito es la unidad, pero sin embargo la ganancia en
tensión puede ser muy alta y, por lo tanto, también la ganancia en
potencia. Esta configuración presenta muy poca realimentación entre la
entrada y la salida, por lo que se emplea especialmente en circuitos de
frecuencias altas o muy altas. Configuración en emisor común: El
emisor está unido a tierra. La ganancia en corriente es alta (la Beta del
transistor), la ganancia en tensión y en potencia (dependiente de la
carga de colector) es igualmente alta. Es la configuración más utilizada.
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Configuración en colector
común: En este caso, el
terminal que está conectado
a masa es el colector.
La entrada se aplica a la base
, como en las configuraciones
anteriores y la carga entre el emisor y masa. Esta
configuración tiene una ganancia en corriente de la beta del
transistor, la ganancia en tensión es muy parecida, pero
inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es
aproximadamente la beta del transistor. Esta configuración se
llama también seguidor de emisor; se emplea para aislar o
adaptar impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la
señal una impedancia beta veces inferior a la que se encuentra
en el emisor. Se conoce como seguidor de emisor porque la
tensión en el emisor "sigue" a la de base.
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Transistores - Comprobaciones
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Transistores - Comprobaciones
La mejor forma de identificar un transistor es
anotar su referencia t, posteriormente, consultar
sus características en las hojas de especificaciones
técnicas del fabricante, o en un libro de
características de transistores.

Mediante un método sencillo se puede determinar

si un transistor desconocido es del tipo PNP o NPN.
Este método consiste en tomar varias medidas,
con el polímetro utilizado como óhmetro en el
rango de 100, de las resistencias que aparecen
entre los diferentes terminales del transistor.
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La medición de un transistor es análoga a la de un
diodo. Tanto entre base y emisor como también entre
base y colector deben obtenerse resultados como un
diodo normal. Primeramente, determinemos cuál de
los terminales del transistor corresponde a la base.
Esto se consigue midiendo la resistencia en el
óhmetro entre los diferentes terminales. En un
transistor en buen estado, la resistencia entre el
colector y el emisor es siempre muy alta, cualquiera
que sea la polaridad aplicada por el óhmetro (que no
olvidemos que en las puntas del polímetro actúa
como una fuente de tensión); cuando hagamos esta
verificación, el otro terminal corresponderá a la base.
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Transistores - Comprobaciones
Una vez localizada la base, conectamos la punta de
prueba positiva en la misma y la negativa en
cualquiera de los otros dos terminales del
transistor: si la resistencia obtenida es muy baja
(se ha polarizado la unión de uno de los diodos por
el efecto de tensión positiva aplicada con el
óhmetro a la base P) se trata de un transistor NPN;
si obtenemos una resistencia muy baja (no se ha
polarizado la unión) se trata de un transistor PNP.
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Nos puede servir de ayuda la siguiente tabla donde se indican las
medidas de resistencia que se dan en cada caso para los dos
tipos de transistores.
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Transistores - Comprobaciones
Por este sencillo procedimiento también se puede
llegar a averiguar cuál de los terminales
corresponde al emisor y cuál al colector. Para ello,
hay que tener en cuenta que:

La resistencia y tensión de barrera de la unión

base-colector es algo menor que la
correspondiente a la unión base-emisor.
Esta diferencia es más apreciable si medimos la
tensión de barrera con un polímetro digital.
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Transistores - Denominaciones