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Inversor Dual-Buck Monofásico Sem Transformador para Injeção de Energia na

Rede

Lucas Munaretto1 , Marcelo L. Heldwein2


1,2 Universidade Federal de Santa Catarina — UFSC
1,2 Departamento de Engenharia Elétrica e Eletrônica / Instituto de Eletrônica de Potência — INEP, Florianópolis – SC, Brasil
e-mail: 1 lucasmunaretto@gmail.com, 2 marcelo.heldwein@usfc.br

I. INTRODUÇÃO p
Spc Spd
spc spd c L1 L2 a ia io
Um componente chave no desdobramento da tendência
ib vo
de sistemas de geração fotovoltaica é o inversor fotovoltaico
sem transformador para injeção de energia na rede [1]– + Dbc Dad d b Cac
vdc Cb sp sn
[3], i.e., conversores que idealmente não geram tensão de
Sbc Sad
modo comum na frequência de comutação. Tal característica
previne a geração de correntes de dispersão que circulariam Snb Sna
pelos arranjos de módulos fotovoltaicos, os quais tipicamente sp sn
possuem alta capacitância em relação ao solo. Não obstante, n
os inversores sem transformadores podem ser utilizados sem Fig. 1. Inversor dual-buck monofásico sem transformador para
isolamento galvânico e possibilitam reduções em dimensões, injeção de energia na rede proposto.
custos, peso, emissões conduzidas de alta frequência maior
rendimento. da corrente em todas etapas de operação, i.e., baixas perdas
O convencional inversor ponte H pode ser utilizado fazendo por condução são observadas. Além disso, apresenta robustez
uso da modulação três níveis. Porém, isto leva a grandes contra curto circuito no barramento CC, visto que os diodos
indutores no lado CA quando comparada à modulação dois Dbc e Dad previnem um curto em qualquer caso. Esses diodos
níveis. Vários topologias de inversores sem transformadores e os semicondutores S pc e S pd comutam na frequência da
já foram propostas para melhorar a performance da tradicional portadora da PWM. Os semicondutores Sbc , Sad , Snb e Sna
ponte H. Dentre as soluções de inversores sem transformador comutam apenas na frequência fundamental do lado CA e,
para injeção de energia na rede estão: (a) o inversor HERIC então, permitem a utilização de semicondutores de potência
[4]; (b) o inversor H5 [5]; (c) o inversor ponte H com dc com baixa queda de tensão.
bypass [6]; (d) variações do inversor H6 [7]–[9]; (e) o inversor III. EXPERIMENTAL RESULTS
de dois conversores buck em paralelo [10]; (f) o inversor do
dual de dois conversores buck em paralelo [10]; (g) inversores Um protótipo com as especificações da Tabela I foi
três níveis [11]; e, (h) o inversor do dual de dois conversores construído (olhar Figura 2) e utilizado para medir as principais
buck em paralelo com desacoplamento no lado CA [12]. A formas de onda do inversor proposto enquanto alimentava uma
maior parte destas topologias são protegidas por direitos de carga resistiva (olhar Figura 3). O rendimento medido em
propriedade intelectual. potência nominal foi de 98,01%.
As topologias de três níveis requerem que a tensão média
do barramento CC seja, pelo menos, o dobro do valor de pico IV. CONCLUSÕES
da tensão do lado CA e, então, exigem maiores especificações
Foi proposto um inversor dual-buck monofásico sem
de tensão dos semicondutores de potência. O inversor ponte
transformador para injeção de energia na rede. O proposto
H com dc bypass, o inversor H5 e o inversor H6 possuem
possui apenas dois semicondutores no caminho da corrente
três semicondutores conduzindo em pelo menos uma etapa de
em qualquer etapa de operação, possuindo baixas perdas
operação, enquanto que os inversores HERIC e baseados em
de comutação. O uso de dois diodo previne curto circuito
conversores buck em paralelo (PBCIs) possuem apenas dois
no barramento CC garantindo robustez à topologia. Quatro
semicondutores no caminho da corrente em todas etapas de
semicondutores podem fazer uso de componentes com baixa
operação. Isto leva à baixas perdas de condução, o que é muito
queda de tensão. Indutores acoplados são utilizados para
desejado para sistemas fotovoltaicos conectados à rede. Além
reduzir o volume dos componentes passivos e usam os núcleos
disso, os PBCIs são naturalmente imunes à curto circuitos no
magnéticos durante todo o período, o que não acontece com
barramento CC devido ao uso de diodos. Isso incrementa a
outras topologias PBCIs. Dois semicondutores de baixa
robusteza e possibilita o uso de diodos de carbeto de silício
frequência conectam o terminal negativo do barramento CC
(SiC) em dois componentes de alta frequência.
diretamente nos terminais do lado CA. Isso garante idealmente
II. INVERSOR PROPOSTO tensão de modo comum nula na frequência de comutação. Por
fim, o inversor proposto alcançou uma eficiência maior que
Este trabalho propõem um novo membro aos inversores 98% em potência nominal e, fazendo o uso de componentes
do tipo PBCI, o qual é apresentado na Figura 1. O mesmo de SiC nos componentes de alta frequência e de MOSFETs de
apresenta apenas dois semicondutores de potência no caminho super junção de Si para os componentes de baixa frequência.


TABELA I
Especificações do protótipo do inversor dual-buck
Potência Tensão CA Tensão CC Frequência Comutação Indutores Capacitores Barramento CC Rendimento
2 kW 220 V / 60 Hz 380 V 50 kHz 490 µ H total 1880 µ F total > 98%

Fig. 2. Fotografias do protótipo de inversor de 2-kW/220-V construído.

ia vSnb vo
120 Hz
≈45dB io

FFT{v^cm}
50 kHz
vSpc vo
v^cm

(a) (b)

Fig. 3. Formas de onda experimentais medidas no protótipo de inversor construído: (a) corrente que passa por um dos indutores (ia — 5 A/div),
tensão sobre o semicondutor S pc (vSpc — 200 V/div), tensão sobre o semicondutor Snb (vSnb — 100 V/div) e tensão do lado CA (vo —
100 V/div); (b) corrente do lado CA (io — 5 A/div), tensão do lado CA (vo — 100 V/div), tensão de modo comum (vcm — 200 V/div) e sua
FFT calculada (FFT{vcm } — 200 dB/div).

REFERÊNCIAS [7] W. Yu, J.-S. Lai, H. Qian, C. Hutchens, J. Zhang, G. Lisi, A. Djabbari,
G. Smith, and T. Hegarty, “High-efficiency inverter with h6-type
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[2] M. Obi and R. Bass, “Trends and challenges of grid-connected [8] B. Ji, J. Wang, and J. Zhao, “High-efficiency single-phase
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[3] J. Jana, H. Saha, and K. D. Bhattacharya, “A review of inverter
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