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No dejes
de ver esta guía
Testeo de componentes.
Un estudio completo de la siguiente guía te ayudará a ser un maestro en las siguientes áreas:
Testeo de diodos,SCR´S Y Triacs
Testeo de BJTs, JFET y MOSTETS
Amplificadores operacionales
Cómo usar un multímetro para testear componentes
Bueno antes de meternos al lío te quiero hacer saber una regla de oro que me ha llevado al
éxito en mis reparaciones. "LOS CIRCUITOS DE EJEMPLO" Todo parte de pensar de que esta
tarjeta ha sido diseñada por uno o un equipo de ingenieros para llevar a cabo X tipo de
funciones en la máquina. Dicho esto, sabrás que los diseñadores al igual que los técnicos
reparadores utilizan las hojas de datos "Datasheet" de los componentes para saber si estos les
van a servir en el procesado de señales que ellos buscan, en esa misma búsqueda es donde
ellos también se valen y se apoyan en los circuitos de ejemplo expresados en los datasheet.
Estos mismos circuitos nos pueden servir a nosotros cuando no tenemos esquemas ni
información sobre la tarjeta, que lamentablemente es el 97% de los casos. Siempre acabamos
lidiando con la típica situación de una tarjeta con una nota atada con un cordón que pone "no
funciona".
Si aún, no eres muy experto y vas a ojear la siguiente guía de como testear, mi consejo es que
intentes entender bien los circuitos que testees, comprende lo que estas midiendo, haz
pequeñas reingenierías inversas, te llevará tiempo la primera vez, pero las demás, para mí ha
sido como "montar en bici", con suerte casi todo es repetitivo o los siguientes casos los puedes
interpretar mucho más rápido.
Testeando diodos:
El diodo es un dispositivo semiconductor, el cual conduce corriente tan solo en una dirección.
En otras palabras, el diodo muestra una muy baja resistencia cuando es polarizado
directamente (A-K) y una resistencia muy alta cuando es polarizado inversamente (K-A). Como
ya sabemos, un óhmetro aplica un voltaje conocido desde su fuente interna (Baterías) para
medir resistencia. Teóricamente este voltaje puede alcanzar entre 1.5 y 3 V. El diodo requiere
un voltaje de 0.7v mínimo para ser polarizado. Por lo tanto, si el cable positivo de óhmetro está
conectado al ánodo (A) y el negativo al Cátodo (K) el diodo será directamente polarizado. En
este caso el óhmetro leerá una resistencia muy baja. Si le damos la vuelta a las sondas,
llevando el negativo al Ánodo (A) y el positivo a cátodo (K) el diodo es inversamente polarizado,
entonces el óhmetro deberá medir una resistencia muy alta.
Por lo que cualquier óhmetro puede ser utilizado para testear un diodo.
La mayoría de los multímetros digitales DDM tiene un modo de prueba de diodo, que está
marcada en el selector normalmente con símbolo pequeño característico de un diodo. Cuando
el “diode test-mode” es seleccionado, este proporciona suficiente voltaje interno al test del
diodo en ambas direcciones. La sonda positiva del DMM (Color Rojo) conectada al ánodo (A) y
la sonda negativa (Color negro) conectada al cátodo (K).
Si el diodo está en buenas condiciones el multímetro deberá mostrar un valor de entre 0.5 y 0.9
v (típicamente 0.7v).
Una vez revisado este valor, le damos la vuelta a las sondas, y en este caso el diodo aparecerá
como un circuito abierto en el multímetro.
Testeando SRC
El SCR es un diodo con una puerta de activación adicional. Los SRC pueden ser conducidos
tan solo si están polarizados directamente y se les aplica un pulso a la “Gate” o puerta de
activación. Por esto, el SRC puede ser testeado de una manera similar a la del diodo, mediante
el uso de nuestro multímetro en “Diode test-mode” o con un óhmetro.
Eso depende de las propiedades de ambos, tanto las del SRC como las del multímetro. Si la
corriente de retención del SRC es pequeña, el óhmetro podría ser capaz de suministrar
suficiente corriente como para mantenerlo encendido. Sin embargo, si la corriente de retención
del SRC es alta, este se apagará tras la desconexión del puente.
Algunos SRC de alta potencia pueden que tengan una resistencia interna conectada entre el
cátodo y la puerta, para prevenir que el SRC se active debido a pequeñas interferencias que
puedan surgir. Un técnico de mantenimiento que no es consciente de la existencia de esta
resistencia puede llegar a diagnosticar erróneamente como siendo un SRC con fugas entre
cátodo y puerta. El valor de esta resistencia se puede medir con un óhmetro durante la prueba.
Testeando TRIACs:
El Triac es básicamente un par SRC conectados en paralelo y en dirección opuesta, por lo que
el proceso de testeo es esencialmente el mismo que el del SRC. La sonda positiva es
conectada al MT2 y la negativa a MT1. Cuando la puerta está abierta el óhmetro debe indicar
una resistencia infinita. Entonces de manera similar al testeo del SRC, puenteamos entre
ánodo y puerta observando así que se cumpla un gran descenso de la resistencia medida. Esto
nos indica que al menos uno de los SRC funciona.
Los BJT son dispositivos que consisten en tres capas de material semiconductor y que pueden
ser NPN o PNP. Por lo tanto cada transistor puede ser representado como una combinación de
dos diodos. El equivalente de un transistor NPN aparecerá con referencia a la base como los
cátodos de ambos diodos conectados. Si el transistor es un PNP, el equivalente será con
respecto a la base de ambos diodos conectados por los ánodos. En ambos ejemplos los dos
terminales sobrantes de los diodos representarían el colector y emisor. Ambas uniones PN del
transistor se testean por separado como si fueran dos diodos independientes. Si ambos diodos
no presentan falla entonces el transistor funciona correctamente.
La función “Diode test-mode” de nuestro multímetro puede ser utilizada para testear
transistores. Por ej, supongamos que tenemos un transistor tipo PNP para testear. La sonda
negativa la conectamos a la base del transistor y la sonda positiva al emisor y luego al colector.
De esta manera las uniones PN serán directamente polarizadas.
El multímetro deberá leer entre 0.5v y0.9 en ambos casos. Cuando la sonda positiva es
conectada a la base del transistor en vede la negra y repetimos el proceso, los diodos serán
inversamente polarizados y el multímetro deberá leer resistencia muy alta en ambos casos. El
procedimiento para testear un transistor NPN es idéntico, pero empezando por testear los
diodos con la sonda positiva en la base.
Si el multímetro no tiene “diode test-mode” el transistor puede testearse con el óhmetro. La
ejecución es similar a la descrita previamente. Pero es importante enfatizar de nuevo, que la
lectura de unos pocos cientos a unos pocos miles de ohmios de la polarización directa no
necesariamente indica un transistor con falla. Es más bien una señal de que la fuente de
alimentación de nuestro multímetro no es suficiente como para polarizar directamente la unión
PN. La indicación de fuera de rango para la polarización inversa del mismo transistor indica
claramente que el dispositivo esta funcionando correctamente. Lo importante aquí es la
diferencia entre los valores medidos y no su valor numérico como tal.
Consejo: Haz los cálculos en papel fijándote en circuito típico y haciendo una pequeña
reingeniería inversa de ese transistor y los componentes de alrededor. Una vez puestos lo
números sobre el papel, deberías medir los mismos en el circuito. De esta manera conseguirás
comprender bien que estas midiendo y podrás determinar un análisis más lógico de las
posibles causas de la falla. El tema de investigar las causas de la falla es tan importante como
el proceso de búsqueda de fallos en sí, aunque ya estemos tirando cohetes al descubrir los
componentes fallados, analizar las posibles causas nos pueden conducir a más fallas y en el
mejor de los casos a reconocer síntomas similares en el futuro. Hablaré más a fondo de esto en
el articulo de estragetia de "Troubleshooting PCB" estrategia de solucion de problemas.
Aparecerá en el óhmetro como dos diodos conectados en serie entre el drenador y el surtidor,
la polaridad de los diodos está invertida. El terminal de la puerta es tomado desde el punto
medio entre ellos. En el caso de uno de tipo canal-N, la puerta está conectada a los ánodos de
ambos diodos. Si el transistor es de tipo canal-P, la puerta está conectada a los cátodos de
ambos diodos. La capa de aislamiento de SiO2 aparecerá en el óhmetro como una resistencia
conectada ente el drenador y el surtidor en paralelo a ambos diodos.
Por lo tanto los JFETs se pueden testear usando un óhmetro testeando las uniones PN ente la
puerta y drenador por un lado y por otro la puerta y el surtidor. Si el JFET está en buenas
condiciones ambas uniones PN se comportarán de manera como un diodo normal, mostrando
una muy alta resistencia en una dirección y muy baja en la otra. Luego se mide la resistencia
entre drenador y surtidor, esta nos debe dar un cierto valor de resistencia que dependerá de las
características del JFET.
En el mejor de los casos la medición de un MOSFET con un óhmetro es una tarea muy difícil.
Esto es así porque una capa muy fina de metal-oxido separa la unión de la puerta con el canal.
Esta propiedad de los MOSFET asegura una impedancia de entrada muy alta en el dispositivo,
pero lo hace vulnerable a daños permanentes incluso cuando se producen pequeñas tensiones
estáticas en los terminales del transistor.
De hecho un MOSFET puede ser dañado cuando lo tocamos con los dedos. Por esta razón, los
MOSFETs viene en paquetes que proporcionan un conexión eléctrica entre todos los
terminales para prevenir la acumulación de electricidad estática.
MOSFETs pueden ser testeados cuidadosamente con un óhmetro de bajo voltaje, configurado
al mayor rango de resistencia. N-MOSFET que funcionen correctamente presentan una cierta
continuidad entre el surtidor y el drenador. Sin embargo no debería haber ninguna resistencia
entre la puerta y el drenador y la puerta y el surtidor. P-MOSFET que están funcionando
correctamente no muestran continuidad entre ninguno de sus terminales.
No es una práctica recomendable desoldar un transistor FET para testarlo. Después de una
inspección visual buscando componentes dañados o malas soldaduras, lo voltajes en el
drenador y en el surtidor tiene que ser medidos con respecto a tierra. Un síntoma de fallo típico
es el voltaje en el drenador, el cual es casi igual que el voltaje de alimentación. Esta condición
ocurre cuando la corriente del drenador es cero y por lo cual no hay caída de voltaje a través
de la resistencia de drenador RD, los siguientes fallos pueden ser la causa:
Soldadura fría en RS (Resistencia del Surtidor aparece como un circuito abierto)
RS está dañada o fuera de su rango
Soldadura fría en RD (Resistencia del Drenador aparece como un circuito abierto)
RD está dañada o fuera de su rango
Soldadura fría en el terminal del surtidor
Soldadura fría en el terminal del drenador
Circuito abierto interno en el JFET entre el surtidor y la puerta
Otro síntoma típico de fallo es un voltaje mucho menor del normal en el drenador. Esta
condición ocurre cuando la corriente del drenador es más alta de lo normal, en este caso la
caída de voltaje a través de la RD resistencia es mayor. Los siguientes fallos pueden provocar
que esto suceda:
Soldadura fría en RG (La resistencia de la puerta aparece como un circuito abierto)
RG está dañada o fuera de rango
Soldadura fría en el terminal de la puerta
Un circuito abierto interno en el JFET en el terminal de la puerta
Algunas de las fallas son muy difíciles de solucionar. Un buen ejemplo es una puerta abierta
internamente en un D-MOSFET polarizado. Después de que este fallo ocurra, la tensión de la
puerta el drenador sigue siendo la misma 0v. Por esta razón la corriente del drenador no
cambia su valor y la polarización parece estar correcta. En general el testeo de FETs es una
tarea mucho más difícil y requiere de más habilidades y experiencia que al testear BJTs.
La mayoría de los multímetros proporcionan funciones especiales para testear diodos y BJTs.
Sin embargo si tales funciones no están disponibles, muchos componentes electrónicos
pueden ser testeados con un óhmetro ordinario. Si un diodo esta en buenas condiciones, las
lectura del óhmetro deben cambiar de alta a baja y viceversa cada vez que la sondas se
cambian entre ánodo y cátodo. Los SRCs son testeados de forma similar, la única diferencia es
un puente entre la puerta y ánodo para activar el SRC. Cuando un SRC es activado, su
resistencia cae significativamente de alta a baja. Los TRIACs son testeados como los SCR
pero en ambas direcciones. (ej. Las sondas son puestas al revés y el test es repetido). BJTs
son tratado como 2 diodos y cada uno de ellos es comprobado independientemente. FETs son
más difíciles de testear, hay que tener especial cuidado de no ocasionar descargas
electroestáticas en ellos cuando son testeados. Los transistores JFET pueden ser
representados como 2 diodos conectados en serie con una resistencia adicional en paralelo a
ellos. Ambos diodos son testeados de forma independiente. También se mide el valor de la
resistencia. Para encontrar fallos en transistores polarizados, en un principio, se calcula las
tensiones aproximadas en cada uno de los terminales del transistor y entonces medimos los
voltajes. Cualquier desviación de los valores calculados son analizados lógicamente, lo cual
conduce esencialmente a encontrar y corregir el problema. Los amplificadores operacionales
no pueden ser testeados como los otros dispositivos, sino que todos los componentes externos
y soldaduras tienen que ser chequeados y si el circuito sigue sin operar correctamente el AP es
reemplazado.