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FAMILIAS LÓGICAS
Victor Alfonso Cañar Toapanta
Universidad Tecnológica Israel
Semipresencial 5° (B). Electrónica Digital y Telecomunicaciones.
Ecuador - Quito
victorcanar@hotmail.com
Consumo
Intervalo de temperaturas 1.4. RTL (Lógica Resistencia-Transistor)
Conectividad (fan-out, fan-in y flexibilidad de Fue la primera familia lógica en aparecer antes de la
entradas y salidas) tecnología de integración. Pertenece a la categoría de familias
lógicas bipolares, o que implican la existencia de dos tipos de
Costo.
portadores: electrones y huecos.
Otra característica de particular importancia, el
comportamiento frente al «ruido electromagnético»
1.2. Tipos de familias lógicas.
Dentro de las familias lógicas se encuentran:
DL (Lógica Diodo)
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1.6. HTL (Lógica de alto umbral) Las puertas TTL están caracterizadas por la utilización de
HTL (High Treshold Logic, Lógica de alto umbral) es una dos o más etapas de circuitos de transistores para realizar la
tecnología desarrollada a partir de la tecnología DTL (Diodo función lógica y amplificar la señal, los transistores
Transistor Lógico), pertenece a la familia de circuitos utilizados suelen ser NPN y PNP. Son dispositivos
integrados bipolares. relativamente rápidos, versátiles y muy económicos.
Características:
Característica TTL Standard
Fan Out = 10
Potencia disipada = 55mW Pueden trabajar con frecuencias que van de 18 a 20 MHz y
en algunos casos hasta los 80 Mhz.
Tiempo de propagación = 150nS
Vcc = 14-15 V Existen varias subfamilias TTL que mejoran la velocidad y
consumo de potencia de varias formas estas subfamilias se
VoH máx. = 15V mencionan a continuación:
VoH min = 8.5V
TTL Shottky (S): comprende los dispositivos
VoL máx. = 6.5V designados como 74Sxx y 74Sxxx Consumen 1.8
VoL min = 0V veces más potencia que los dispositivos TTL
Standard, pero son 4 veces más rápidos.
TTL Shottky de baja potencia (LS): Comprende
los dispositivos designados como 74LSxx y
74LSxxx, ejemplo: 74LS84 y 74LS221.
Consumen 5 veces menos potencia que los
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dispositivos TTL Standard y son igual de rápidos. múltiple (BJT). Cuando se introdujo su velocidad era
TTL de alta velocidad (H): Comprende los comparable a los TTL además de que casi eran de tan baja
dispositivos designados como 74Hxx y 74Hxxx potencia como los CMOS, Volviéndose ideal para su uso
Consumen 2.5 veces más potencias que los en circuitos integrados VLSI.
dispositivos TTL Standard pero son 2 veces más
rápidos.
TTL Shottky de baja potencia avanzada (ALS):
Comprende los dispositivos designados como
74ALSxx y 74ALSxxx, ejemplo: 74ALS00.
Consumen la mitad de la potencia requerida por
los dispositivos LS equivalentes y son el doble de
rápidos.
Las familias MOS son aquellas que basan su Fig. 6. Lógica Inyección Integrada
funcionamiento en los transistores de efecto campo o
MOSFET. Estos transistores se pueden clasificar en dos
tipos, según el canal utilizado: NMOS y PMOS. 2. REFERENCIA.
Aguirre, I. (1996). Dispositivo probador de circuito.
Escuela Politécnica Nacional. Facultad de ingeniería eléctrica,
pág. Capítulo II-III.
3. Bibliografía