LABORATORIO N°5: “CONFIGURACIONES TRANSISTOR BJT”

 Emisor, que se diferencia de las otras

RESUMEN
En este informe se describe el desarrollo del
laboratorio sobre configuraciones del transistor BJT,
donde se trabajarán con diferentes transistores como
el 2N2222, 2N2222A, 2N3906 y 2N2907,
identificando sus terminales e implementando
distintas configuraciones para hacer trabajar al
transistor en sus diferentes zonas de operación.
Adicionalmente se contrastan los valores obtenidos
matemáticamente y los medidos con el multímetro de
los voltajes y corrientes del circuito, obteniendo las
conclusiones pertinentes.
PALABRAS CLAVES
Transistor, multímetro, zona de operación,
configuración.
INTRODUCCIÓN
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar
junction transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el
paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores
de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que
separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
OBJETIVOS
 Identificar los terminales de un
transistor BJT
 Comprender el funcionamiento de un
transistor BJT en sus tres regiones de
operación (corte, corriente constante y
saturación)
 Calcular y medir los voltajes de
operación de cd que se encuentran en
un circuito típico emisor común.
 Observar e interpretar las curvas
características en el puerto de entrada
y en el puerto de saluda de un
transistor BJT.
ANALISIS PRELIMINAR
Se realiza una consulta sobre las corrientes y
los voltajes que pueden soportar los
componentes para comprobar que se puede
realizar la práctica, con la ayuda de los
datasheet de cada transistor.

Los transistores bipolares son los transistores

más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica, aunque también en
algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado

por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy
estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
 MARCO TEORICO

TERMINALES DEL TRANSISTOR BJT

TRANSISTOR 2N2222A

Figura 2. Esquema de los diodos internos del

transistor 2N2907 con la numeración de sus pines
para su posterior medición.

Es tomado el transistor 2N2907 y son

realizadas las mediciones indicadas en la
tabla 2.

Tabla 2. Valores medidos en los terminales del

transistor 2N2907
Figura 1. Esquema de los diodos internos del DVM RESISTENCIA POLARIZACION
transistor 2N2222A con la numeración de sus pines DE LA UNION
+ -
para su posterior medición.
1 2 𝟎. 𝟖𝟗𝟔 𝑲Ω Directa
Es tomado el transistor 2N2222A y son 1 3 - Inversa
realizadas las mediciones indicadas en la 2 1 - Inversa
tabla 1. 2 3 - Inversa
3 1 - Inversa
Tabla1. Valores medidos en los terminales del
transistor 2N2222A 3 2 𝟎. 𝟖𝟕𝟖𝟑 𝑲Ω Directa
DVM RESISTENCIA POLARIZACION
+ - DE LA UNION IB = 39 µA
1 2 - Inversa
1 3 - Inversa
IC = 8.21 mA
IC
2 1 𝟑. 𝟎𝟏𝟎𝑲Ω Directa B = = 210.51
IB
2 3 𝟑. 𝟎𝟏𝟎𝑲Ω Directa B Medida en multimetro = 215
3 1 - Inversa (Ver anexo 2)
3 2 - Inversa B segun el datasheet = 300

𝐼𝐵 = 0.04 𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 11.04 𝑚𝐴
𝐼𝐶
𝐵= = 274
𝐼𝐵
𝐵 𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑎 𝑒𝑛 𝑚𝑢𝑙𝑡𝑖𝑚𝑒𝑡𝑟𝑜 = 242
(Ver anexo 1)
𝐵 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑎𝑡𝑎𝑠ℎ𝑒𝑒𝑡 = 300

TRANSISTOR 2N2907
 TRANSISTOR 2N3906
POLARIZACION CON VOLTAJE VBB

Se seleccionan valores de resistencias y de

fuentes de voltaje para que el transistor
2N2222A quede polarizado en la región de
corriente constante. Los valores
seleccionados son:
 Voltaje VBB = 2 Voltios
 Resistencia RB = 100 K Ω
Figura 3. Esquema de los diodos internos del  Voltaje VCC = 10 Voltios
transistor 2N3906 con la numeración de sus pines  Resistencia RC = 1 K Ω
para su posterior medición.
Seguido es implementado el circuito de la
Es tomado el transistor 2N3906 y son figura 3 en el protoboard
realizadas las mediciones indicadas en la
tabla 3.

Tabla 3. Valores medidos en los terminales del

transistor 2N3906
DVM RESISTENCIA POLARIZACION
+ - DE LA UNION
1 2 𝟑. 𝟎𝟓𝟑 𝑲Ω Directa
1 3 - Inversa
2 1 - Inversa
2 3 - Inversa Figura 3. Esquema del circuito para el transistor
2N2222A
3 1 - Inversa
3 2 𝟎. 𝟗𝟕𝟖𝟎 𝑲Ω Directa
Se obtienen los valores del circuito
IB = 38.7 µA matemáticamente de la siguiente manera:

Se utiliza el análisis de mallas para obtener el valor

IC = 7.55 mA de la corriente de base:
IC −2 + 100𝑘 ∗ 𝐼𝐵 + 0.7 = 0
B = = 195.09
IB
B Medida en multimetro = 194
𝐼𝐵 = 13 µ𝐴
(Ver anexo 3)
Seguido se encuentra la corriente de colector:
B segun el datasheet = 300
𝐼𝐶 = ß ∗ 𝐼𝑏
𝐼𝐶 = 3.9 𝑚𝐴
Se encuentra la corriente del emisor sumando
la corriente de la base y la del colector:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐸 = 3.913 𝑚𝐴

Mediante la ley de ohm se encuentra el voltaje

en las resistencias RB y RC

TECNICA DE POLARIZACION DE 𝑉𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 = 1.3 𝑉

CIRCUITOR CON BJT 𝑉𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 = 3.9 𝑉
Una vez obtenido el voltaje en RC, mediante
el análisis de mallas se encuentra el voltaje 10 𝑣
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 = = 10 𝑚𝐴
colector-emisor(VCE) y colector-base(VCB): 1𝐾

−10 + 3.9 + 𝑉𝐶𝐸 = 0 Con este valor se encuentra la corriente de

𝑉𝐶𝐸 = 6.1 𝑉 base de saturación utilizando el Beta del
−10 + 3.9 + 𝑉𝐶𝐵 − 1.3 + 2 = 0 datasheet de la siguiente manera:
𝑉𝐶𝐵 = 5.4 𝑉
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛
𝐼𝐵𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 =
ß
A continuación, son medidos los mismos 10𝑚𝐴
valores con la ayuda el multímetro, = = 33.3 µ𝐴
300
registrándolos en la tabla 4.
Una vez obtenido la corriente de base se
Tabla 4. Valores medidos de los voltajes y obtiene el voltaje de la resistencia RB que se
corrientes en el transistor.
obtendría con esa corriente de la siguiente
Medición Valor manera:
Corriente Base (IB) 15 µ𝐴
Corriente Colector(IC) 4.2 𝑚𝐴
𝑉𝑅𝐵𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 = 33.3 µ ∗ 100𝐾
Corriente Emisor(IE) 4.11 𝑚𝐴
= 3.3 𝑉
Voltaje Colector- 6.5 𝑉
Base(VCB)
Voltaje Colector- 7.1 𝑉 Y finalmente se obtiene el valor de la fuente
emisor(VCE) sumando el voltaje de la resistencia más el
Voltaje Base- 0.7 𝑉 voltaje de 0.7 del transistor:
emisor(VBE)
𝑉𝐵𝐵 = 3.3 + 0.7 = 4 𝑉
Contrastando los resultados matemáticos con
los medidos se aprecia una cercanía Se observa que a partir de este valor de 4
considerable. voltios el transistor entraría en saturación, en
el caso del valor medido fue a partir de 4.2
Seguido se tiene que aumentar el valor de la voltios el transistor entraría en saturación.
fuente VBB para hacer que el transistor entre
en zona de saturación, para encontrar este
valor matemáticamente encontramos la Seguido se disminuye el valor de la fuente
corriente de saturación haciendo corto el VBB para hacer que el transistor entre en la
colector con el emisor como en la figura 4. zona de corte donde, todas las corrientes son
aproximadamente 0, en consecuencia, como
se observa en la figura 5 el colector y emisor
se encuentran en circuito abierto, por lo tanto,
el valor de Voltaje colector-emisor debe ser
igual a la fuente VCC.

Figura 4. Corto circuito entre el colector y emisor.

Por lo tanto, la corriente de saturación seria:


Figura 5. Circuito abierto en los terminales de
colector y emisor.
Esto se puede ver reflejado con el análisis de
mallas de la siguiente manera:
−10 + 1𝐾 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
Figura 6. Esquema del circuito a implementar con
el transistor 2N2222
Es implementado el circuito de la figura donde
la fuente VBB se ajusta entre 0 a 10 voltios y
se mide los valores de los voltajes de RB, RC,
VCE y CBE. Los datos medidos se plasman en
la tabla 5.

Como IC=0, entonces: Tabla 5. Valores medidos de los voltajes en el

transistor y las resistencias
VBB V(RC) V(RB) VCE VBE
−10 + 1𝐾 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
0 0 0 5.88 0
−10 + 𝑉𝐶𝐸 = 0 1 1 0.38 4.86 0.67
VCE = 10 V 2 3.76 1.50 2.03 0.728
3 5.14 2.64 0.22 0.750
De esta manera el valor de VBB para que 4 5.54 3.79 0.15 0.764
entre en la zona de corte sería aquel que no 5 5.60 5 0.12 0.777
es suficiente para accionar el diodo del emisor 6 5.70 6.17 0.11 0.785
del 2N2222, en este caso sería: 7 5.72 7.34 0.10 0.792
8 5.73 8.51 0.09 0.797
𝑉𝐵𝐵 = 0.6 𝑉 9 5.74 9.68 0.09 0.803
10 5.74 10.86 0.09 0.807
Por lo tanto, con valores menor o iguales a 0.6,
el transistor entraría a zona de corte. Los valores en rojo, indican que el transistor
se encuentra en corte debido a que los voltajes
En cuando a la medición del circuito se obtuvo son cero, esto nos indica que no hay corriente.
un valor de VBB de 0.8 V, por lo tanto, con Los valores en verde indican que el transistor
valores igual o menores a este el transistor está trabajando en zona activa pues su VBE
estaría en zona de corte. está en un valor permitido para el voltaje Base-
emisor y por último los valores en azul donde
𝑉𝐵𝐵(𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜) = 0.8 𝑉 la fuente varia de 2 voltios a 10 voltios, nos
𝑉𝐶𝐸(𝑀𝐸𝐷𝐼𝐷𝑂) = 10.1 𝑉 indican que el transistor se encuentra en zona
de saturación porque su voltaje excede lo
Las regiones de operación obtenidas del permitido en el voltaje base-emisor.
transistor 2N2222A se pueden apreciar en el
Anexo 4.
A partir de los datos de la tabla podemos
determinar por la ley de ohm los valores de la
ZONAS DE TABAJO DEL BJT corriente de base y de colector utilizando los
voltajes cuando está en la zona activa, de la
siguiente manera:
 𝑉(𝑅𝐵) 0.38  http://www.farnell.com/datasheets/296
𝐼𝐵 = = = 38 µ𝐴 640.pdf
𝑅𝐵 10𝐾
𝑉(𝑅𝐶) 1  https://www.onsemi.com/pub/Collatera
𝐼𝐶 = = = 10 𝑚𝐴 l/2N3906-D.PDF
𝑅𝐶 100
 http://www.datasheetcatalog.com/data
De esta manera podemos determinar Beta sheets_pdf/2/N/2/9/2N2907.shtml
dividiendo la corriente del colector entre la
corriente de la base:

𝐼𝐶 10 𝑚
ß= = = 263.15
𝐼𝐵 38 µ

Cuyo valor es cercano a el que nos

proporciona el datasheet de 300.

CONCLUSIONES

 Se identificaron los respectivos

terminales de cada transistor con
ayuda del multímetro.
 Se comprendió el comportamiento
del transistor en cada zona de
operación.
 Se contrastaron los datos medidos
con los obtenidos teóricamente y
mostraron una cercanía
considerable.

BIBLIOGRAFIA

 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
_de_uni%C3%B3n_bipolar
 http://web.mit.edu/6.101/www/referenc
e/2N2222A.pdf
ANEXOS

ANEXO 1
Medición con el multímetro de beta del transistor 2N2222A

ANEXO 2

Medición con el multímetro de beta del transistor 2N2907

ANEXO 3

Medición con el multímetro de beta del transistor 2N3906

ANEXO 4

Regiones de operacion del transistor 2N2222A

1.20E-02
Zona Saturacion
1.00E-02
Corriente colector IC (mA)

8.00E-03

6.00E-03
Zona activa

4.00E-03

2.00E-03 Zona corte

0.00E+00
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Voltaje Colector-Emisor (V)

Regiones de operación obtenidas del transistor 2N2222A