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ELECTRÓNICA I
LABORATORIO 2:
MEDICIÓN DE tox y Vt
CATEDRÁTICO:
GRUPO DE LABORATORIO: 01
INSTRUCTOR:
BR.
ESTUDIANTES:
RESUMEN
INTRODUCCION
En este laboratorio estudiamos el comportamiento de los MOSFET de varias maneras, por ejemplo,
en la parte 1 con el cálculo del tox a partir de dos circuitos uno con un condensador y resistencia y
el otro con el CD40007, se utilizó el osciloscopio y generador de señales para obtener el tiempo de
subida (tr) y tener una mejor interpretación de los datos; en la parte 2 se procedió a el cálculo de Vt
con la implementación de dos circuitos repetidores de corriente (MOSFET cana p y n
respectivamente), se interpretaran los resultados y realizaran los cálculos pertinentes para
desarrollar de manera eficiente con el contenido requerido del laboratorio.
DESCRIPCION DE CIRCUITOS
Para medir tox se medirá la capacitancia total de los seis transistores en un circuito integrado
CD4007; y luego se calcula tox. La capacitancia se mide indirectamente, por medio de la medición
del tiempo de subida (tr) en un circuito RC. Para un circuito RC, se sabe que:
tr = 2.2 RC
Se realizará la implementación del circuito de la figura 1 para probar el tiempo de subida con el
osciloscopio y el generador de señales y se procederá a montar circuito 2 que permite la medición
de la capacitancia total de las compuertas del CD4007.
Figura 2. Circuito de prueba para medición de tox.
Procedimiento:
Primero con el circuito de la figura 1 se efectuará la medición de tr con una señal de prueba de onda
cuadrada de amplitud 5V y con una frecuencia de aproximadamente 5KHz.
Con el circuito de la figura 2, montando el circuito de manera que el CD4007 se pueda quitar sin
afectar el alambrado se hará la medición del tr con y sin CD4007 con el objetivo de determinar la
capacitancia parasita del montaje, se ajustara el generador de señales con el propósito de producir
una onda cuadrada de aproximadamente 0.75V de amplitud con un offset de 1.25V. Este rango de
tensión garantiza que todos los MOSFETs se encuentran en la región de inversión, en donde la
capacitancia de la compuerta se debe principalmente a tox.
Se reportarán los valores medidos de rise time y fall time con y sin el CD4007, constante de tiempo
RC calculada con y sin el CD4007, así como análisis y cálculos para el tox. Además de los valores de
constante de tiempo RC calculada se determinará:
CCON y CSIN y con la diferencia determinar la capacitancia total de la compuerta del chip y con los
datos y disponibles se puede determinar el tox.
En el repetidor de corriente se tienen las dos ecuaciones que gobiernan el funcionamiento del
circuito en la rama de M1:
5 − 𝑉𝑆𝐺
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝜇𝑃 𝑐𝑜𝑥 𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2
2𝐿𝑝
Si se usan dos valores de RB, se puede resolver para las incógnitas kp y Vt. Además, si usamos
diferentes valores de RLD, entonces se puede conocer el efecto de la longitud del canal (Lambda o
VA). Se usarán dos valores de RB (5.1k y 51 k). El procedimiento es similar para MOSFET canal n.
Parte 1:
Con el circuito RC conceptual:
tr=2.2RC.
Por definición tr es el tiempo que tarda la salida en pasar del 10% al 90% del valor final,por lo
tanto:
Valores rise time y fall time con CD4007
Rise time = 15.0us(0.8) = 12.0us.
Fall time = 13.0us(0.8) = 10.4us.
𝑡𝑟
Constante de tiempo 𝑅𝐶 = 2.2
12𝑢𝑠
𝑅𝐶 = 2.2
= 5.454𝑢𝑠
5.454𝑢𝑠
𝐶𝑐𝑜𝑛 = (100𝐾Ω)
= 54.545𝑝𝐹
𝑡𝑟
Constante de tiempo 𝑅𝐶 = 2.2
8.32𝑢𝑠
𝑅𝐶 = = 3.782𝑢𝑠
2.2
3.782𝑢𝑠
𝐶𝑠𝑖𝑛 = = 37.818𝑝𝐹
(100𝐾Ω)
𝐶𝑠𝑖𝑛 = 𝐶𝑝𝑎𝑟
Por lo tanto:
𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜
Cox= 𝑡𝑜𝑥
; 𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜 = 3.9 𝑥 8.85𝑥10−12 𝐹/𝑚
16.636𝑝𝐹
𝐶𝑜𝑥 = = 443𝑢𝐹/𝑚2
3(900𝑢𝑚(10𝑢𝑚) + 350𝑢𝑚(10𝑢𝑚))
𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜
Cox= 𝑡𝑜𝑥
Despejando se obtiene:
𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜
𝑡𝑜𝑥 =
𝐶𝑜𝑥
Parte 2:
Determinación de Vt y kn (kp)
MOSFET CANAL P:
Ecuaciones 1 y 2 respectivamente:
5 − 𝑉𝑆𝐺
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝜇𝑃 𝑐𝑜𝑥 𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2
2𝐿𝑝
Realizando los cálculos para derteminar Vt y Kp del cirucito de la figura 4 el cual es un circuito
repetidor de corriente (MOSFET canal p).
Para R1 = 5.1KΩ
RB = 5.095KΩ
VSG = 2.706V Medidos
VB = 2.523V
IB = 0.459mA IB = VB /RB
Tabla 1: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 5.1KΩ(nominal).
ID = VLD/RLD
Medidos Calculado
RLD VLD VSD ID
1KΩ 0.573V 4.658V 574uA
2KΩ 1.211V 3.996V 605.5uA
3KΩ 1.675V 3.548V 558uA
5.1KΩ 2.620V 2.620V 514uA
10KΩ 4.311V 0.991V 431.1uA
20KΩ 4.914V 0.326V 246uA
30KΩ 5.036V 0.2236V 167uA
51 KΩ 5.119V 0.1273V 100uA
Tabla 2: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 5.1KΩ(nominal).
Para R2 = 51.0KΩ
RB = 51.15KΩ
VSG = 1.979V Medidos
VB = 3.992V
IB = 78uA IB = VB /RB
Tabla 3: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 51.0KΩ(nominal).
ID = VLD/RLD
Medidos Calculando
RLD VLD VSD ID
5.1KΩ 0.438V 4.932V 85.882uA
10KΩ 0.976V 4.902V 97.66uA
20KΩ 1.662V 3.632V 83.1uA
30KΩ 3.032V 3.440V 0.101mA
51KΩ 3.982V 1.860V 78.07uA
100KΩ 5.448V 0.268V 54.48uA
200KΩ 5.517V 0.0925V 27.585uA
30 0KΩ 5.826V 0.0586V 19.46uA
Tabla 4: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 51.0KΩ(nominal).
0.492𝑚𝐴 78𝑢𝐴
=
(2.706V − |𝑉𝑡|)2 (1.979V − |𝑉𝑡|)2
|𝑉𝑡| = 1.5004𝑉
|𝑉𝑡| = 2.1855𝑉
𝑉𝑜𝑣 = 𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑡
Donde 𝑉𝑜𝑣 debe ser un valor positivo, evaluando en la ecuación para los Vt:
|𝑉𝑡| = 1.5004𝑉
10(2)(0.34𝑥10−3 )
𝑢𝑝 =
900(443𝑥10−6 )
𝑢𝑝 = 0.01705 𝑚2 /V.s
Para conocer las regiones tríodo y saturación del circuito figura 3 se procede a utilizar los datos de
la tabla 2 y tabla 4 para graficar ID-VSD.
VSDsat = VGS – Vt
VSDsat = 1.206V
VSDsat = 0.479V
extrapolando la región de saturación ya que esta presenta como característica la tendencia de una
línea recta se puede obtener el valor VA o lambda (λ), este valor se encuentra calculando la
intercepción de V cuando ID es igual a cero en la ecuación.
Si:
1
𝑉𝐴 =
λ
𝜕𝐼𝐷 −1
𝑟𝑜 ≡ [ ]
𝜕𝑉𝐷𝑆 𝑉
𝐺𝑆 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
El gráfico de ID vs VSD para R1 = 5.1 kΩ y R2 = 51KΩ es el siguiente:
Para R1 = 5.1KΩ
Para R2 = 51.0KΩ
Chart Title
650
550
450
ID = 39.619VSD + 395.6
350
250
ID (uA)
ID = 6.0858VDS + 64.759
150
50
-150
-250
VSD (V)
Gráfico 1: Extrapolación de la región de saturación para PMOS con R1= 5.1KΩ y R2 = 51.0KΩ.
Para R1 = 5.1KΩ
Si 𝐼𝐷 = 0𝐴
0 =39.619VSD + 395.6
−395.6
𝑉𝑆𝐷 = = −9.985𝑉
39.619
𝑉𝐴 = 9.985𝑉
ro = 0.025Ω
Para R2 = 51.0KΩ
Si 𝐼𝐷 = 0𝐴
0 =6.085VSD + 64.75
−64.75
𝑉𝑆𝐷 = = −10.64𝑉
6.085
𝑉𝐴 = 10.64𝑉
De la ecuación:
ro = 0.1643Ω
𝑉𝐴1 + 𝑉𝐴2
𝑉𝐴 =
2
9.985𝑉 + 10.64𝑉
𝑉𝐴 =
2
𝑉𝐴 = 10.313𝑉
1
𝑉𝐴 =
λ
λ = 0.0969 𝑉 −1
MOSFET CANAL N:
Ecuaciones 1 y 2 respectivamente:
5 − 𝑉𝑆𝐺
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝜇𝑃 𝑐𝑜𝑥 𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2
2𝐿𝑝
Cálculos para determinar Vt y Kn del circuito de la figura 5el cual es un circuito repetidor de corriente
(MOSFET canal n).
Para R1 = 5.1KΩ
RB = 5.0955KΩ
VSG = 2.2450V Medidos
VB = 3.160V
IB = 0.620mA IB = VB /RB
Tabla 5: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 5.1KΩ(nominal).
ID = VLD/RLD
Medidos Calculado
RLD VLD VSD ID
1KΩ 0.690V 5.473V 690uA
2KΩ 1.592V 4.608V 795uA
3KΩ 2.063V 3.442V 687uA
5.1KΩ 3.009V 2.325V 590uA
10KΩ 4.8454V 0.452V 480uA
20KΩ 5.812V 0.169V 290uA
30KΩ 5.916V 0.116V 190uA
51 KΩ 6.166V 0.0676V 120uA
Tabla 6: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 5.1KΩ(nominal).
Para R2 = 51.0KΩ
RB = 51.15KΩ
VSG = 1.492V Medidos
VB = 4.153V
IB = 0.081mA IB = VB /RB
Tabla 7: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 51.0KΩ(nominal).
ID = VLD/RLD
Medidos Calculado
RLD VLD VSD ID
5.1KΩ 0.398V 4.801V 78.09uA
10KΩ 0.854V 4.904V 85.41uA
20KΩ 1.636V 3.727V 81.8uA
30KΩ 2.736V 2.235V 91.2uA
51KΩ 4.564V 1.406V 89.49uA
100KΩ 6.116V 0.118V 61.16uA
200KΩ 6.288V 0.043V 31.44uA
300KΩ 6.478V 0.028V 21.59uA
Tabla 8: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 51.0KΩ(nominal).
𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝 =
2𝐿𝑝
𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝1 = 𝑘𝑝2 =
2𝐿𝑝
𝐼𝐵2
𝑘𝑝 =
(Vgs − |𝑉𝑡|)2
Igualando 𝑘𝑝1 = 𝑘𝑝2 se obtiene:
𝐼𝐵1 𝐼𝐵2
=
(Vgs − |𝑉𝑡|)2 (Vgs − |𝑉𝑡|)2
0.620𝑚𝐴 0.0811𝑚𝐴
=
(2.45V − |𝑉𝑡|)2 (1.392V − |𝑉𝑡|)2
|𝑉𝑡| = 1.065𝑉
|𝑉𝑡| = 1.692𝑉
𝑉𝑜𝑣 = 𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑡
Donde 𝑉𝑜𝑣 debe ser un valor positivo, evaluando en la ecuación para los Vt:
|𝑉𝑡| = 1.065𝑉
10(2)(0.34𝑥10−3 )
𝑢𝑝 =
350(445𝑥10−6 )
𝑢𝑝 = 0.0436 𝑚2 /Vs
Para conocer las regiones tríodo y saturación del circuito figura 3 se procede a utilizar los datos de
la tabla 2 y tabla 4 para graficar ID-VSD.
VSDsat = VGS – Vt
Región triodo y saturación para R1 = 5.1KΩ
VSDsat = 1.18V
VSDsat = 0.432V
Extrapolando la región de saturación ya que esta presenta como característica la tendencia de una
línea recta se puede obtener el valor VA o lambda (λ), este valor se encuentra calculando la
intercepción de V cuando ID es igual a cero en la ecuación.
Si:
1
𝑉𝐴 =
λ
Donde 𝑉𝐴 = −𝑉𝐷𝑆 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝐴 𝑢𝑛 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜.
𝜕𝐼𝐷 −1
𝑟𝑜 ≡ [ ]
𝜕𝑉𝐷𝑆 𝑉
𝐺𝑆 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
Para R1 = 5.1KΩ
Para R2 = 51.0KΩ
NMOS ID - VSD
750
ID = 29.133VSD + 569.35
550
350
150
ID (uA)
-50 -40 -30 -20 -10 -50 0 10
-250
-450
ID = 3.1978VSD + 65.872
-650
-850
VSD (V)
Gráfico 6: Extrapolación de la región de saturación para NMOS con R1= 5.1KΩ y R2 = 51.0KΩ.
Para R1 = 5.1KΩ
ID = 29.133VSD + 569.35
Si 𝐼𝐷 = 0𝐴
0= 29.133VSD + 569.35
−569.35
𝑉𝑆𝐷 = = −19.543𝑉
29.133
𝑉𝐴 = 19.543𝑉
De la ecuación:
ro = 0.0343Ω
Para R2 = 51.0KΩ
ID = 3.1978VSD + 65.872
Si 𝐼𝐷 = 0𝐴
0 = 3.1978VSD + 65.872
−65.872
𝑉𝑆𝐷 = = −20.604𝑉
3.197
𝑉𝐴 = 20.604𝑉
De la ecuación:
ro = 0.313Ω
𝑉𝐴1 + 𝑉𝐴2
𝑉𝐴 =
2
19.54𝑉 + 20.604𝑉
𝑉𝐴 =
2
𝑉𝐴 = 20.072𝑉
1
𝑉𝐴 =
λ
DISCUSIÓN
Los datos teóricos concuerdan en gran medida con los datos reales (mediciones de laboratorio), una
forma de comprobar dichos datos fue con la implementación de las gráficas donde se hizo uso del
análisis de dispersión para obtener el conjunto de datos ajustados donde se logró un R2 superior al
0.80 lo que nos dije que la medición en el laboratorio fue aceptable.
Para comprobar
CONCLUSIONES
[1] http://courses.ece.wpi.edu/ece4902/labs/lab3/4902_C2013_Lab3.pdf
[2] http://courses.ece.wpi.edu/ece4902/labs/lab1/4902_C2013_Lab1.pdf