Вы находитесь на странице: 1из 8

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SALINA CRUZ


ELECTRÓNICA DE POTENCIA
PRACTICA:
PRACTICA CON TIRISTORES UJT

PROFESOR:
PACHECO LÓPEZ APOLINAR
ALUMNO:
HERNÁNDEZ CRUZ MIGUEL ÁNGEL

NÚMERO DE CONTROL: 141020012

CARRERA: ING. ELECTRÓNICA

GRUPO: “8C”
INTRODUCCIÓN

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo


para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y
un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto


solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de
impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo,
al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos
electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB
sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cómo
funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura
siguiente:

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los


terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los cristales P-N
entre el terminal del emisor y el cristal N.

Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es igual
a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos bases,
la tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el circuito
equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.


El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y VBB.

Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,85 y
queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1
al aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que aplicar
para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensión
de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D existe un potencial
positivo de 10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo
permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensión superior
a 10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del diodo D), el diodo
comenzará a conducir, produciéndose el disparo o encendido del UJT. En resumen,
para conseguir que el UJT entre en estado de conducción es necesario aplicar al emisor
una tensión superior a la intrínseca.

Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensión de
polarización directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del
cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y
dicha base (recordar que el cristal P está fuertemente contaminado con impurezas y el
N débilmente). Este efecto produce una disminución repentina de la resistencia R1 y,
con ella, una reducción de la caída de tensión en la base 1 respecto del emisor, lo que
hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo


permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta corriente se
especifica normalmente en las hojas de características y suele ser del orden de 5mA.

En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas características


de un UJT. Vp(punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez
superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip),
provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a
la de mantenimiento Iv (punto Q2).
DESARROLLO

Diseña un circuito UJT con el tiristor de potencia, utilizando el software de simulación


de circuitos eléctricos
MATERIALES:

 Protoboard
 Cables Dupones.
 Un SCR.
 Un botón n/a.
 Una fuente DC.
 Cable tipo alambre.
A continuación se muestra la simulación en el software:

ANÁLISIS DEL CIRCUITO:

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este condensador está conectado al emisor, cuando se
supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico
de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente, y en
el terminal de B1aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la corriente de descarga
del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste se
desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador.
2N2646
2N2647
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SILICON DESCRIPTION:
PN UNIJUNCTION TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2646 and
2N2647 devices are silicon PN Unijunction Transistors
designed for general purpose industrial applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-18 (UJT) CASE

MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS


Emitter Reverse Voltage VB2E 30 V
Interbase Voltage VB2B1 35 V
RMS Emitter Current Ie 50 mA
Peak Emitter Current (Duty Cycle ≤1%, PRR≤10pps) ie 2.0 A
RMS Power Dissipation PD 300 mW
Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)


2N2646 2N2647
SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX UNITS
VB2B1=10V 0.56 0.75 0.68 0.82
RBB VB2B1=3.0V 4.7 9.1 4.7 9.1 kΩ
IEB2O VB2E=30V - 12 - 0.2 μA
IV VB2B1=20V, RB2=100Ω 4.0 - 8.0 18 mA
IP VB2B1=25V - 5.0 - 2.0 μA
VOB1 V1=20V 3.0 - 6.0 - V

R1 (2-December 2013)
2N2646
2N2647

SILICON
PN UNIJUNCTION TRANSISTORS

TO-18 (UJT) CASE - MECHANICAL OUTLINE

LEAD CODE:
1) Emitter
2) Base 1
3) Base 2

MARKING: FULL PART NUMBER

R1 (2-December 2013)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
OUTSTANDING SUPPORT AND SUPERIOR SERVICES

PRODUCT SUPPORT
Central’s operations team provides the highest level of support to insure product is delivered on-time.
• Supply management (Customer portals) • Custom bar coding for shipments
• Inventory bonding • Custom product packing
• Consolidated shipping options

DESIGNER SUPPORT/SERVICES
Central’s applications engineering team is ready to discuss your design challenges. Just ask.
• Free quick ship samples (2nd day air) • Special wafer diffusions
• Online technical data and parametric search • PbSn plating options
• SPICE models • Package details
• Custom electrical curves • Application notes
• Environmental regulation compliance • Application and design sample kits
• Customer specific screening • Custom product and package development
• Up-screening capabilities

REQUESTING PRODUCT PLATING


1. If requesting Tin/Lead plated devices, add the suffix “ TIN/LEAD” to the part number when
ordering (example: 2N2222A TIN/LEAD).
2. If requesting Lead (Pb) Free plated devices, add the suffix “ PBFREE” to the part number
when ordering (example: 2N2222A PBFREE).

CONTACT US

Corporate Headquarters & Customer Support Team

Central Semiconductor Corp.


145 Adams Avenue Worldwide Field Representatives:
Hauppauge, NY 11788 USA www.centralsemi.com/wwreps
Main Tel: (631) 435-1110
Main Fax: (631) 435-1824 Worldwide Distributors:
Support Team Fax: (631) 435-3388 www.centralsemi.com/wwdistributors
www.centralsemi.com

For the latest version of Central Semiconductor’s LIMITATIONS AND DAMAGES DISCLAIMER,
which is part of Central’s Standard Terms and Conditions of sale, visit: www.centralsemi.com/terms

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m (001)
Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:

Central Semiconductor:
2N2647