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luís rat Viñas, ed.
ircuitos y dispositivos electrónicos
Fundamentos de electrónica
DI I
© los autores, 1998; © dicions , 1998.
a presente obra fue galardonadaen el tercer concurso "Ajut a l'elaboració de mat
erial docent" convocado por al .
rimera edición: noviembre
de 1994 egunda edición: septiembre de 1995 ercera edición
: septiembre de 1996 uarta edición: septiembre de 1997 Quinta edición: septiembre
d
e
1998 exta edición: marzo de 1999
Diseño de
la cubierta:
Manuel
Andreu / dicions
Diseño y montaje interiores: dicions y David ablo on la colaboración del
ervei d’Informació, Imatge i Publicacions de la UPC © © Los autores, 1999 Edicions UPC,
1999 Edicions de la Universitat Politècnica de Catalunya, SL Jordi Girona Salgado
31, 08034 Barcelona Tel. 934 016 883 Fax. 934 015 885 Edicions Virtuals: www.ed
icionsupc.es e-mail: edupc@sg.upc.es
Impresión: Romanyà-Valls Pl. Verdaguer 1, 08786 Capellades (Barcelona)
Depósito legal: B-10.970-99 ISBN: 84-8301-291-X
Quedan rigurosamente prohibidas, sin la autorización escrita de los titulares del
copyright, bajo las sanciones establecidas en las leyes, la reproducción total o p
arcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendidos la reprogr
afía y el tratamiento informático y la distribución de ejemplares de ella mediante alq
uiler o préstamo públicos, así como la exportación e importación de ejemplares para su dis
tribución y venta fuera del ámbito de la Unión Europea.
Prólogo
La rápida evolución de la tecnología electrónica obliga a una renovación y actualización co
stante de su enseñanza. Deben introducirse nuevos conceptos y condensar otros. En
particular hay dos aspectos que en la actualidad conviene considerar desde el pr
incipio en la formación del estudiante: la utilización de herramientas informáticas pa
ra el análisis y diseño de circuitos electrónicos, y proporcionar al estudiante una vi
sión global de la ingeniería electrónica. Este segundo aspecto es consecuencia de la c
reciente interacción entre el diseñador de circuitos y sistemas y el fabricante de c
ircuitos integrados. Este libro pretende responder a este planteamiento. Se trat
a de un texto de introducción a la electrónica dirigido a estudiantes que inician su
s estudios universitarios. Su contenido puede agruparse en cuatro bloques temático
s. El primer bloque está dedicado a introducir las técnicas más elementales de análisis
de circuitos. El conocimiento de esta temática es esencial para comprender el comp
ortamiento de los circuitos electrónicos que se tratan en los restantes capítulos. E
ste bloque comprende los cinco primeros capítulos del libro. El segundo bloque se
dedica a presentar las características eléctricas de los principales dispositivos se
miconductores y su aplicación a circuitos analógicos y digitales básicos. Las caracterís
ticas de los dispositivos electrónicos se presentan a partir de su circuito equiva
lente. Los dispositivos tratados en este texto son el diodo, el transistor bipol
ar, los transistores de efecto de campo (MOS y JFET), los tiristores y algunos d
ispositivos optoelectrónicos. Este bloque comprende los capítulos seis al nueve. El
tercer bloque presenta los rasgos más significativos del comportamiento físico de lo
s dispositivos semiconductores y de su tecnología de fabricación. A partir de las pr
opiedades eléctricas de los semiconductores se explica el comportamiento de la unión
PN y el principio de funcionamiento del transistor bipolar y del transistor MOS
, justificando el modelo circuital que representa al dispositivo. También se prese
ntan los procesos básicos en la tecnología de semiconductores y las etapas de fabric
ación del transistor bipolar y del transistor MOS. Este tema se desarrolla en el c
apítulo diez. El cuarto bloque se dedica a la presentación y utilización del programa
de análisis de circuitos por ordenador SPICE. A diferencia de los anteriores, la p
resentación de esta temática se distribuye a lo
7
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
largo del texto. En el a éndice B se hace una resentación general del rograma come
rcial PSPICE, y al final de los ca ítulos cuatro al ocho se resenta la utilización
de este simulador de manera gradual. Se one es ecial énfasis en la forma en que S
PICE modela los distintos dis ositivos semiconductores. Se han cuidado, de forma
es ecial, los as ectos edagógicos en la resentación de las materias que contiene
este libro, ofreciendo gran cantidad de material educativo: ejem los resueltos,
ejercicios ro uestos al estudiante indicando la solución, cuestiones conce tuales
que estimulen la reflexión del lector y roblemas de a licación. Este libro se ha e
scrito a artir de la ex eriencia adquirida or sus autores en la enseñanza, duran
te varios años, de un curso semestral de introducción a la electrónica en la Escola Tècn
ica Su erior d’Enginyers de Telecomunicació de Barcelona (ETSETB) y en la Escola Uni
versitària Politècnica del Baix Llobregat (EUPBL), ambas de la Universitat Politècnica
de Catalunya. El libro desborda el contenido de dicho curso con el objeto de fa
cilitar su utilización como material educativo en otros estudios. En articular, s
i los estudiantes ya han seguido un curso básico de análisis de circuitos, se ueden
obviar los cinco rimeros ca ítulos y centrar el curso en el resto del libro. Los
autores quieren ex resar su agradecimiento a las autoridades académicas de la Uni
versitat Politècnica de Catalunya or la ayuda concedida ara la elaboración de este
libro. Asimismo desean agradecer los consejos y comentarios recibidos de colega
s y estudiantes durante la elaboración de este libro y que han sido de gran utilid
ad.
8
Los autores
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
Índice
1
Conce tos básicos 1.1 Magnitudes eléctricas fundamentales ..........................
............................................ 1.1.1 Carga eléctrica................
.............................................................................. 1
.1.2 Cam o eléctrico .............................................................
.............................. 1.1.3 Tensión .....................................
.................................................................... 1.1.4 Corri
ente............................................................................
........................... 1.1.5 Potencia .....................................
................................................................... 1.2 Com onen
tes, dis ositivos y circuitos...................................................
.................. 1.3 Señales....................................................
.................................................................. 1.3.1 Señal esc
alón..............................................................................
.................. 1.3.2 Señal ex onencial........................................
................................................. 1.3.3 Señal sinusoidal..........
................................................................................
.. 1.4 Leyes de Kirchhoff.......................................................
............................................ 1.5 Símbolos y unidades .............
................................................................................
... Cuestiones y roblemas .....................................................
................................................ 15 15 15 17 18 20 21 23 23 25 2
6 28 30 31
9
2
Circuitos resistivos 2.1 Conce to de resistencia................................
............................................................ 2.2 Análisis de circu
itos resistivos or el método de nudos.......................................... 2
.3 Análisis de circuitos resistivos or el método de mallas.........................
................ 2.4 Conce to de circuito equivalente...........................
.................................................. 2.5 Resistencias en serie. El
divisor de tensión .............................................................
2.6 Resistencias en aralelo. El divisor de corriente ..........................
........................... 2.7 Reducción de circuitos resistivos.................
............................................................ Cuestiones y roble
mas ............................................................................
......................... 35 39 42 45 46 48 49 51
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
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3
Circuitos lineales 3.1 Linealidad y su er osición ................................
...................................................... 3.2 Cálculo de un circuito
or el método de su er osición .......................................... 3.3 Circui
tos equivalentes de Thévenin y de Norton..........................................
........... 3.4 Transferencia de señal............................................
.................................................. Cuestiones y roblemas ......
................................................................................
............... 57 61 62 65 67
4
Fuentes de endientes 4.1 Conce to de fuente de endiente lineal .................
................................................... 4.2 Análisis de circuitos con
fuentes de endientes........................................................ 4.3
Fuentes de endientes y circuitos activos ......................................
........................... 4.4 El am lificador o eracional ....................
................................................................. 4.5 Análisis de
circuitos con A.O. que trabajan en la región lineal ..............................
4.6 Circuitos de aco lamiento con A.O. ........................................
................................ 4.7 Análisis de circuitos con A.O. o erando en fo
rma no lineal................................... 4.8 Análisis de circuitos con ord
enador usando SPICE ................................................ Cuestiones
y roblemas ....................................................................
................................. 73 74 78 78 81 86 88 90 95
10
5
El condensador, la bobina y el transformador El condensador ....................
................................................................................
..... 5.1.1 El condensador ideal ...............................................
..................................... 5.1.2 Princi io físico de funcionamiento ...
........................................................... 5.1.3 Asociación de co
ndensadores ....................................................................
.. 5.2 Análisis de circuitos RC...................................................
........................................ 5.2.1 Res uesta de un condensador a señal
es en escalón..................................... 5.2.2 Res uesta de circuitos RC
a excitaciones sinusoidales ............................... 5.3 La bobina......
................................................................................
............................ 5.3.1 La bobina ideal..............................
............................................................... 5.3.2 Princi io
físico de funcionamiento .........................................................
..... 5.3.3 Asociación de bobinas en serie y en aralelo .........................
..................... 5.4 Análisis de circuitos RL................................
........................................................... 5.5 Linealidad y ene
rgía almacenada en condensadores y bobinas............................... 5.6 El t
ransformador....................................................................
................................... 5.6.1. El transformador ideal ..............
................................................................... 5.6.2. El tr
ansformador real ...............................................................
................... 5.7 Análisis de circuitos con condensadores y bobinas usando S
PICE ........................ Cuestiones y roblemas ...........................
......................................................................... 5.1 10
3 103 107 108 110 111 120 125 125 127 128 129 134 135 136 136 140 142
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
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ÍNDICE
6
El diodo. Circuitos con diodos 6.1 El diodo. Conce tos básicos ...................
................................................................. 6.1.1 El diodo
ideal .........................................................................
...................... 6.1.2 El diodo real .....................................
............................................................ 6.2 El diodo en con
tinua y baja frecuencia.........................................................
........... 6.3 El diodo rectificador...........................................
...................................................... 6.3.1 Modelización del diod
o rectificador ............................................................ 6.3.
2 Técnicas de análisis de circuitos con diodos en continua y baja frecuencia.. 6.3.3
. A licaciones del diodo rectificador ..........................................
................... 6.4 El diodo zener. ........................................
................................................................. 6.4.1 Modeliza
ción del diodo zener..............................................................
........ 6.4.2 A licaciones del diodo zener ....................................
................................... 6.5 El diodo en régimen dinámico. Transitorios d
e conmutación ................................. 6.6 El diodo en equeña señal.........
...............................................................................
6.6.1 Conce to de circuito incremental .........................................
....................... 6.6.2 Modelo del diodo en equeña señal.....................
........................................ 6.7 Consideraciones térmicas.............
............................................................................ 6.7
.1 Efectos de la tem eratura sobre las características del diodo..................
.... 6.7.2 Potencia disi ada y aumento de la tem eratura........................
................... 6.8 Análisis de circuitos con diodos usando SPICE ............
.......................................... 6.8.1 Modelo SPICE del diodo ........
.................................................................... 6.8.2 Ejem
los de análisis de circuitos con diodos con SPICE............................ Cues
tiones y roblemas .............................................................
........................................ 149 149 151 153 154 154 158 161 178 178
179 182 184 185 186 188 189 189 190 191 193 198
11
7
El transistor bi olar 7.1 7.2 El transistor bi olar. Conce tos básicos ...........
....................................................... El transistor bi olar en
continua y en baja frecuencia............................................. 7.2.
1 Curvas características del transistor bi olar en emisor común....................
7.2.2 Análisis de circuitos con transistores bi olares en continua ...............
........ El transistor bi olar en régimen dinámico..................................
............................. El transistor bi olar como interru tor............
.......................................................... 7.4.1 Puertas lógicas c
on transistores bi olares. Puertas TTL ............................. El transist
or bi olar como am lificador. Conce tos básicos...................................
7.5.1 Análisis en continua. Punto de re oso .....................................
.................... 7.5.2 Análisis en gran señal. Am lificación y márgenes dinámicos ....
................ 7.5.3 Análisis en equeña señal. Circuito incremental y ganancia.....
.................. 7.5.4 Am lificador con com onentes discretos.................
................................... 7.5.5 Estructura tí ica de un am lificador int
egrado............................................ 7.5.6 Resistencia de entrada
y resistencia de salida de un am lificador ............. El transistor bi olar c
omo am lificador. Modelos en equeña señal...................... 7.6.1 El circuito e
quivalente híbrido en π.............................................................
7.6.2 El circuito equivalente de arámetros h....................................
................... 7.6.3 Limitaciones del transistor bi olar en alta frecuencia
................................. 205 209 209 216 220 221 224 228 229 230 233 2
35 241 244 246 246 249 251
7.3 7.4 7.5
7.6
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
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7.7
El transistor bi olar como am lificador. Eta as elementales.....................
............. 7.7.1 Análisis de las eta as elementales ...........................
.................................... 7.7.2 Com aración entre las eta as elementale
s................................................... 7.8 El ar de transistores
bi olares aco lados or emisor............................................. 7.8.
1 El am lificador diferencial...................................................
........................ 7.8.2 La uerta lógica ECL ..............................
..................................................... 7.9 Limitaciones en la o e
ración de los transistores bi olares...................................... 7.10 Anál
isis de circuitos con transistores bi olares usando SPICE.......................
........ 7.10.1 Modelo del transistor bi olar en SPICE .........................
............................. 7.10.2 Ejem los de análisis de circuitos con transis
tores mediante SPICE ........... Cuestiones y roblemas ........................
.............................................................................
252 255 258 262 264 267 269 270 270 272 277
8
El transistor MOS 8.1 8.2 El transistor de efecto de cam o MOS. Conce tos básicos
.................................... El transistor MOS en continua..............
................................................................... 8.2.1 Curvas
características..................................................................
................. 8.2.2 Análisis de circuitos con transistores MOS en continua ...
.......................... 8.3 El transistor MOS en régimen dinámico................
.................................................. 8.4 El transistor MOS como re
sistencia.......................................................................
.. 8.4.1 Cargas saturadas y cargas de vaciamiento...............................
.................... 8.4.2 El inversor NMOS ....................................
................................................... 8.4.3 El MOS como resistenci
a controlada or tensión ....................................... 8.5 El transistor
MOS como interru tor ..........................................................
.............. 8.5.1 El MOS como transistor de aso ............................
..................................... 8.5.2 El inversor CMOS....................
.................................................................... 8.5.3 Puert
as lógicas NMOS y CMOS ...........................................................
...... 8.6 El transistor MOS como am lificador .................................
.................................... 8.6.1 Circuitos básicos .....................
..................................................................... 8.6.2 Mode
lo de equeña señal del transistor MOS saturado ............................. 8.7 Ef
ectos de segundo orden en los transistores MOS..................................
............... 8.7.1 Modelos más recisos del transistor MOS ....................
.............................. 8.7.2 Conducción en la región de inversión débil ........
........................................ 8.8 Análisis de circuitos con transistore
s MOS usando SPICE..................................... 8.8.1 Modelo del transis
tor MOS en SPICE......................................................... 8.8.2
Ejem lo de análisis de circuitos con transistores MOS usando SPICE ...... Cuestion
es y roblemas .................................................................
.................................... 283 288 288 291 294 295 295 297 303 303 304
306 309 311 312 313 317 317 317 318 318 320 321
12
9
Otros dis ositivos semiconductores 9.1 Dis ositivos o toelectrónicos .............
..................................................................... 9.1.1 El d
iodo electroluminiscente (LED) .................................................
........... 9.1.2 El fotodiodo..................................................
................................................ 329 329 331
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
ÍNDICE
9.1.3 La célula solar ............................................................
.................................. 9.1.4 El fototransistor......................
...................................................................... 9.2 Dis o
sitivos ara la electrónica de otencia...........................................
................. 9.2.1 El rectificador controlado de silicio (SCR) ............
..................................... 9.2.2 El triac ...........................
...............................................................................
9.2.3 El GTO y el IGBT .........................................................
.............................. 9.3 El transistor de efecto de cam o de unión (JFET
) .................................................. Cuestiones y roblemas ....
................................................................................
.................
332 333 335 337 341 343 347 351
10 Teoría y tecnología de dis ositivos semiconductores 10.1 Conducción eléctrica en semi
conductores ............................................................... 10.1
.1 Estructura cristalina de los semiconductores ................................
............... 10.1.2 Semiconductores intrínsecos................................
........................................ 10.1.3 Semiconductores extrínsecos ......
................................................................. 10.1.4 Generac
ión y recombinación de ortadores en un semiconductor .............. 10.1.5 Corrient
es en un semiconductor..........................................................
......... 10.2 Princi io de o eración del diodo de unión PN ........................
................................ 10.2.1 La unión PN en equilibrio térmico ..........
.................................................... 10.2.2 Característica i-v de
la unión PN ................................................................. 10.2
.3 Ru tura de la unión............................................................
.......................... 10.2.4 Ca acidad de transición ........................
....................................................... 10.2.5 Ca acidad de difu
sión..............................................................................
.... 10.3 El transistor bi olar ................................................
.................................................. 10.3.1 Princi io de o eración d
el transistor bi olar ............................................... 10.3.2 Mod
elo del transistor bi olar .....................................................
.................. 10.4 El transistor de efecto de cam o MOS ...................
................................................. 10.4.1 Princi io de o eración de
l transistor MOS.................................................. 10.4.2 Modelo
del transistor MOS.............................................................
............. 10.5 Procesos tecnológicos básicos en los semiconductores.............
.............................. 10.5.1 De osición de ca as sobre el silicio .......
..................................................... 10.5.2 Oxidación del silicio
...............................................................................
..... 10.5.3 Fotolitografía.......................................................
......................................... 10.5.4 Grabado de ca as sobre el silic
io................................................................. 10.5.5 Difus
ión...............................................................................
......................... 10.5.6 Im lantación iónica................................
...................................................... 10.5.7 Montaje y enca sul
ado de los dis ositivos.................................................. 10.6 F
abricación del transistor bi olar.................................................
............................ 10.6.1 Estructura física del transistor bi olar de C.
I. ............................................. 10.6.2 La tecnología bi olar: ro
ceso de fabricación de un transistor bi olar de C.I. 10.7 Fabricación de un transist
or MOS .........................................................................
.. 10.7.1 Estructura física del transistor MOS ...................................
......................... 10.7.2 La tecnología MOS: roceso de fabricación del trans
istor MOS. .............. Cuestiones y roblemas ...............................
...................................................................... 355 355 3
57 360 363 364 368 368 372 374 375 376 377 378 381 382 382 385 387 388 389 389 3
90 391 391 392 392 393 394 396 396 398 400
13
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
A éndices A. Características de los com onentes asivos ............................
............................... B. Introducción al simulador PSPICE...............
........................................................... C. Características de
dis ositivos semiconductores ...................................................
. 403 421 433
Resultados de roblemas ........................................................
...............................................
449
Bibliografía .....................................................................
........................................................
457
14
Índice alfabético ..................................................................
...................................................
459
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
Bibliografía
* Circuitos y señales: Introducción a los circuitos lineales y de aco lamiento Thoma
s R.E., Rosa A.J. Reverté, 1992 Excelente texto de análisis de circuitos. Cubre con
rofundidad y de forma edagógica la temática de los cinco rimeros ca ítulos de este
libro.
457
* Microelectrónica Millman J., Gravel A. His ano Euro ea, 1991 Los libros escritos
or el rofesor Millman constituyen una referencia obligada de la enseñanza de la
electrónica en las tres últimas décadas. Presenta de forma asequible la mayor arte d
e la temática resentada en los últimos cinco ca ítulos.
* Diseño digital. Una ers ectiva VLSI-CMOS Alcubilla R., Pons J., Bardés D. Edicion
s UPC, 1995 Texto que trata de forma actualizada y com leta las a licaciones dig
itales de los dis ositivos electrónicos, haciendo es ecial énfasis en los circuitos
basados en el transistor MOS.
* S ice for circuits and electronics using PS ice Rashid M.H. Prentice Hall Inc,
1990 El lector uede encontrar en este texto una am liación de la simulación de cir
cuitos electrónicos or ordenador que ha sido introducido en este libro.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
*Modular Series on Solid State Devices. Vol I, II, III, IV, V Neudeck G.W., Pier
ret R.F., Ed. Addison Wesley, 1988 Excelente obra dedicada a la temática resentad
a en el ca ítulo 10 de este libro. Los autores han conseguido una resentación muy a
sequible y edagógica de la teoría de dis ositivos. Existe una traducción al es añol de
algunos volúmenes de la obra realizada or la editorial Addison-Wesley Iberoameric
ana.
458
Índice alfabético
acción de masas 364 ace tador 360; 362; 368; 383; 394; 400 aco lamiento 66; 351; 3
52 acumulación 283; 288; 295; 299; 305; 317; 321; 412 ada tación 71; 138; 336; 419 a
gitación 364; 391; 408 ajustable 413 alta frecuencia 251; 277; 295; 416; 418 alta
inyección 191 amorfo 356 am erio 19; 30 am lificador diferencial 83; 253; 264; 277
; 280 am lificador integrado 241 am lificador inversor 81; 85; 95; 101; 240; 312
am lificador no inversor 82; 96 am lificador o eracional 73; 78; 86; 93; 262; 2
66 am lificador sumador 83 análisis gráfico 159; 219; 292; 297 análisis numérico 218; 21
9 AND 225 ánodo 149; 157; 164; 172 a ertura de contactos 398 área activa 397 armadur
a 376; 383; 412 Auger 364 autoinducción 125; 142
248; 249; 251; 269; 272; 276; 278; 329; 336; 343; 351; 355; 377; 379; 387; 392;
396; 399; 425; 434 BJT 205; 277; 279; 425 bobina 103; 125; 140; 141 Boltzman 154
; 359
baja frecuencia 153; 158; 184; 186; 198; 202; 209; 248; 314 bandas de energía 357
barrera de otencial 369; 372; 374 bi olar 205; 212; 220; 224; 226; 228; 230; 23
4; 246;
cam o eléctrico 15; 30; 103; 107; 357; 363; 369; 374; 379; 382; 412 cam o magnético
125; 127; 130; 417; 418 canal 283; 294; 300; 304; 313; 321; 325; 327; 347; 353;
382; 397; 402 ca a antirreflejo 333 ca a enterrada 393 ca acidad 103; 108; 110;
119; 123; 125; 136; 142 ca acidad de difusión 182; 377; 402 ca acidad de transición
182; 375 carga activa 241; 297 carga almacenada 103; 107; 143 carga de vaciamien
to 298 carga eléctrica 15; 17; 18; 31 carga inicial 105; 115; 117; 134 carga satur
ada 296; 298 cargas móviles 355; 357; 363 cascada 252 cátodo 149; 157; 164 célula sola
r 332 circuito abierto 31; 104; 114; 120; 147 circuito activo 78 circuito de ol
arización 236; 312 circuito equivalente 45; 48; 53; 62; 68; 77; 81; 93; 97; 100; 1
38; 144; 151; 157; 188; 210; 222; 234; 244; 248; 256; 288; 316
459
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
460
circuito incremental 185; 198; 233; 237; 244; 255; 266; 279; 314; 316 CMOS 297;
306; 312; 316; 322; 327 CMRR 265; 280 código 407; 413 coherencia 330 colector abie
rto 227 com arador 88; 96; 100 com artimiento de carga 107 com ensación 362; 410 c
om onente 21; 29; 353; 383; 403; 409; 411; 416; 418; 420; 423 concentración 359; 3
68; 378; 391; 397; 400; 401 condensador de aco lo 235 condensador lano 103; 108
conductancia 36 conductividad 367; 406; 417 conexión 330; 393; 404 conformador 19
7 conmutación 182; 194; 202; 220; 264; 273; 300; 303; 309; 320 constante de difusión
401 constante de tiem o 25; 113; 116; 120; 130; 131; 145 control de fase 340; 3
42 conversión 164; 166 corriente de fuga 413 corriente de mantenimiento 338; 352 c
orriente inversa de saturación 154; 189; 273; 331; 351; 373; 377 cortocircuito vir
tual 80; 82; 96; 99 Coulomb 15; 19; 31; 360 covalente 356; 360; 364; 375; 400 cr
istalina 355; 360; 387; 389; 420 cuanto 357; 361 culombio 15; 17; 30; 103; 117 c
urva de carga 242; 297 CVD 388 Czochralski 387
diac 342 diagrama de radiación 330; 334 dieléctrico 389; 412 diferencia de otencial
17; 21; 29; 33; 367; 370; 400 difusión 364; 369; 378; 391; 394 digital 220; 224;
227; 295; 304; 322 diodo 149; 403 disi ador 269 dis aro 339 distorsión 232; 239; 2
55; 281 doble onda 162; 200 donador 360; 362; 368; 370; 387; 394; 399; 400 do ad
o 355; 362; 367; 369; 371; 375; 380; 387; 389; 391; 393; 399; 400 drenador 283;
394; 297; 304; 308; 312; 314; 317; 323; 347; 349; 384; 399 DTL 225
dado 392; 399 Darlington 260; 277; 336 decibelio 265 demodulador 166 densidad 35
6; 367; 369; 402 de osición de ca as 388; 399 desaco lo 235; 237; 277; 279 desacti
vación 131 descarga 105; 106; 108; 111; 113; 115; 118; 123; 134; 142; 144; 167; 17
2 detector 201
Early 214; 243; 246; 265; 272; 277; 279 Ebers-Moll 381; 400 ECL 262; 264; 268; 2
77 ecuación del diodo 154; 155; 159; 187; 378 ecuación diferencial 111; 114; 118; 12
4; 130 efecto de cam o 283; 329; 347; 377; 382 eficiencia 332; 352; 380 electrolít
ico 412 electrón libre 357; 360; 363 electrónica de otencia 329; 335; 344; 412; 415
elemento de circuito 21; 35 elevador 138 enca sulado 334; 392; 399 enriquecimie
nto (ver acumulación) envolvente 167; 201 e itaxia 389; 394 escalón 23; 32 es ecific
aciones 411; 413; 420; 434 es ectro 329; 363 estabilidad 404; 406; 413 estabiliz
ador 198; 201 estrangulamiento 347; 353 eta a 227; 253; 266; 269; 277; 281; 384
Euler 28 ex onencial 23; 25; 112; 116; 122; 131; 133; 147; 168; 172; 177; 182; 1
98
factor de forma 332 factor de idealidad 154; 191; 272 factor de multi licación 331
factor de trans orte 379; 402
π
ÍNDICE ALFABÉTICO
fase 26; 30; 32; 330; 340; 342; 352; 361; 399; 431 fiabilidad 403; 406; 413 fich
ero 91; 94; 196; 273; 320; 421; 427 fijador de nivel 201 filtro 166; 200 flujo m
agnético 127; 138; 147; 417 forma de onda 23; 27 fotodiodo 329; 334; 351 fotolitog
rafía 389; 390; 394; 399 fototransistor 329; 333; 351 fotovoltaico 332; 352 Foucau
lt 417; 420 frecuencia de transición 251; 277 fuente de alimentación 164; 166; 198
JFET 329; 344; 347; 425 Joule 36; 417 La lace 134 láser 329 LED 329; 334; 351; 364
limitaciones 246; 270 lineal 57; 67; 110; 112; 133; 134; 149; 154; 156; 161; 17
7; 193; 197; 287; 292; 295; 323; 334; 345; 386; 405; 411; 424; 428 logarítmica 155
; 193 lógico 309 longitud de onda 329; 334; 363
ganancia 210; 228; 231; 233; 234; 237; 240; 243; 245; 254; 256; 263; 313; 316; 3
27; 349; 353 Gauss 370 generación 333; 363; 375 germanio 359 grabado 389; 399; 400
; 404 GTO 343; 344; 351
henrio 126 híbrido 246; 248; 280 hi érbola 270; 277 hueco 330; 357; 361; 364; 369; 3
73; 375; 378; 383; 387; 400; 401
IGBT 336; 343 im acto 363; 375 im edancia 125; 133 im lantación 391; 394; 399 im u
rezas 355; 360; 364; 368; 383; 391; 394; 400; 410 inducción mutua 137 inductor 125
; 137; 142; 405; 416 infrarrojo 329; 331; 363 integración 403 interacción 329 interr
u tor 21; 106; 111; 115; 117; 123; 129; 130; 144 intrínseco 331; 357; 359; 360; 36
4; 368; 400 inversión débil 318 inversor 222; 228; 277; 279; 296; 306; 321 inyección 3
73; 381 ionización 361; 363; 375; 391 isla 393
malla 29; 33; 42; 52; 54 margenes dinámicos 230; 238; 243; 254; 277; 280; 315; 322
; 327 máscara 389; 396; 399 materiales magnéticos 420 mayoritarios 361; 368; 369; 37
3 media onda 150; 163; 198 metalización 396; 399 minoritarios 361; 368; 369; 373;
376 modelo de enlaces 356 modelo ex onencial 154; 155; 158; 161; 164; 186; 189;
191; 193; 199 modelo or tramos lineales 158 modo común 265; 267 modo diferencial
267 modulación 201; 291; 313 monocristal 356; 360; 368; 387; 393; 394 montaje 399;
405 MOS 283; 294; 314; 329; 336; 343; 344; 347; 350; 355; 382; 389; 396; 402; 4
25; 433 movilidad 367; 400 multiemisor 226
461
NAND 310 neutralidad 370 nivel 227; 263; 268; 272; 274; 295; 299; 309; 320 nomin
al 352; 404; 410; 413 NOR 225; 263; 269; 310; 311 Norton 62 NOT 222 NTC 401; 409
núcleo 356; 360; 416 nudos 39; 41; 44; 48; 51; 52; 54
oblea 388; 394; 397; 399; 400
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ohm 36; 38; 42 óhmica 289; 293; 294; 296; 298; 307; 315; 336; 347 ó tica 331; 363 o
toaco lado 334 o toelectrónica 329; 355 oxidación 389; 399 óxido delgado 397 óxido grues
o 397
462
anel 352 arámetros h 248; 277; 280 entavalente 360; 361; 394; 400 equeña señal 184
; 186; 198; 202; 233; 239; 244; 248; 253; 255; 261; 267; 276; 277; 280; 313; 327
érdidas 332; 379; 413; 417 ermanente 113; 117; 120; 122; 130; 131; 133; 141 er
mitividad 15; 103; 108; 376; 412 Poisson 370 olarización 152; 177; 182; 186; 191;
193; 195; 207; 219; 228; 233; 243; 246; 275; 277; 280; 313; 327 olicristalino
387; 397 olisilicio 399 ortador 357; 361; 363; 367; 373; 382; 400 otenciómetro
53; 405; 409 rimario 138; 143; 147 rinci io de funcionamiento 169 rocesador 4
30 roceso 339; 361; 384; 387; 390; 394; 399; 402; 404 rotección 201 PSPICE 91; 1
91; 195; 273; 319; 421 PTC 409 uente 166 uerta 222; 224; 264; 267; 277; 283; 2
88; 289; 291; 293; 294; 301; 303; 311; 317; 321 ulso 24 unto de re oso 237; 24
1; 312; 327 unto de trabajo 159; 185; 186; 188; 198; 217; 229; 238; 243; 250; 2
77; 292; 305; 307; 315; 327 PVD 388
redistribución 391; 394 reductor 138 referencia 263; 268; 291 régimen dinámico 182; 20
5; 220; 294 región activa 211; 219; 229; 230; 234; 239; 246; 256; 264; 335; 338; 3
44 región de corte 212; 222; 227 región de saturación 212; 216; 221; 224; 228; 231; 26
4; 289; 298; 305; 307; 313; 315; 339; 343; 347; 385 región inversa 214; 226 regula
dor 201 relación de rechazo 265 rendimiento 332; 419 reostato 405; 409 resina 389
resistencia de entrada 244; 254; 258; 267; 280; 327 resistencia de salida 244; 2
56; 258; 261; 280; 327 resistencia dinámica 186; 188; 198; 234 resistencia térmica 1
89; 203; 280; 404; 406 resistencia variable 47; 340 resistividad 368; 386; 393;
401; 406; 414; 420 resistor 405; 413; 420 res uesta en frecuencia 275; 334; 428
res uesta es ectral 331; 334 res uesta forzada 122 res uesta natural 122; 124 re
tardo de ro agación 222; 228; 277; 321; 322; 326 revelado 389 RTL 225
radiación 329; 352; 363; 389 radiativa 364 ram a 23; 32 reci rocidad 381 recocido
392 recortador 168; 169; 170; 172; 177; 182 recta de carga 158; 186; 217; 230; 2
39; 243; 277; 279; 290; 293; 297; 315 rectificador de recisión 200
SCR 337; 351 Schmitt 89 Schottky 228 secundario 138; 143; 147 señal común 264 Shockl
ey 339; 342; 352; 377 siemens 36 sílice 387 silicio 152; 154; 189; 202; 330; 332;
337; 355; 359; 361; 368; 371; 377; 384; 387; 394; 396; 399; 411; 420 sinusoide 2
3; 26 sola amiento 294 SPICE (ver PSPICE) subcircuito 94; 426 su er osición 57; 61
; 67; 68; 75; 77; 85; 134; 149; 185; 234 surtidor 284; 290; 293; 294; 304; 313;
319; 322; 347; 349; 353; 383; 399
π
ÍNDICE ALFABÉTICO
tensión de ru tura 152; 189; 198; 336; 340; 352; 375; 402; 405; 408 tensión máxima 142
; 404; 408; 413 tensión térmica 154; 184; 189; 198; 207; 284; 377 tensión umbral 155;
172; 189; 198; 228; 284; 285; 287; 291; 296; 300; 330; 335; 351; 384; 387 termis
tor 38; 401; 403; 409 Thévenin 62; 65; 67; 75; 93; 95 tiem o de tránsito 182; 220; 2
52; 277; 377; 402 tiem o de vida 364; 379 tiristor 336; 341; 342 tolerancia 404;
406; 410 totem ole 227 transconductancia 287; 318 transferencia 65; 66; 71; 22
0; 252; 264; 269; 283; 285; 289; 293; 298; 307; 312; 316; 324; 327; 334; 348; 35
2; 363; 390; 427 transformador 136; 143; 147 transistor de carga 243; 300 transi
stor de efecto de cam o 347; 382 transistor de aso 304 transistores aco lados 2
62 transitorio 113; 122; 140; 182; 195; 202; 221; 222; 273; 300; 303; 309 transm
isión 305
tres estados 227 triac 342; 352 trimmer 405; 413 trivalente 360; 361; 368; 400;
420 TTL 226; 228; 277
ultravioleta 329; 331; 363; 389 umbral 155; 287; 384 unión 151; 198; 203; 205; 212
; 219; 225; 229; 231; 241; 247; 329; 332; 338; 347; 355; 368; 385; 393; 400
vaciamiento 285; 295; 299; 306; 320; 387 valencia 356 valor medio 27 varica 188
varistor 38; 403; 408; 411 vatio 20; 30 VDR 411 voltio 17; 20; 30
zener 169; 181; 198; 363; 375 zona flotante 387
463
Ca ítulo 1 Conce tos básicos
1.1 Magnitudes eléctricas fundamentales
1.1.1 Carga eléctrica La carga eléctrica es la cantidad de electricidad que osee un
cuer o. Hay dos ti os de carga eléctrica: ositiva y negativa. Dos cuer os que te
ngan carga del mismo signo se re elen, mientras que si su carga es de signo cont
rario se atraen. La unidad de carga es el culombio (C). La menor cantidad de car
ga que se encuentra en la naturaleza es la carga del electrón, cuyo valor, qe, es –
1,6 10–19 C. La carga del rotón es ositiva y del mismo valor que la del electrón. La
fuerza que ejercen entre sí dos cargas eléctricas q y q
, se aradas una distancia r
, viene dada or la ley de Coulomb, y su magnitud es: F= 1 q.q
4πε r 2 (1.1)
15
dond ε s la prmitividad diléctrica dl mdio n l qu stán las cargas. Si l md
io s l vacío, sta constant s dnomina ε0 y su valor s 8,8510–12 F/m. En st caso
l valor d (1/4πε0) s 9109 V.m/C. Cuando l signo d sta furza s positivo signi
fica qu las cargas s rpln, y cuando s ngativo qu s atran.
1.1.2 Campo léctrico El campo léctrico n un punto dl spacio s la furza d ori
gn léctrico qu xprimnta la unidad d carga léctrica positiva n s punto. Si
n dicho punto hubira una carga q, la furza jrcida por l campo léctrico E(x
) sobr lla sría: r r F( x ) = q ⋅ E( x ) (1.2) Nóts qu tanto la furza como l c
ampo léctrico son magnituds vctorials, dfinidas por un módulo, una dircción y un
sntido. La unidad d campo léctrico, sgún s dduc d (1.2), s l nwton/culom
bio.
© los autors, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
El conce to de cam o eléctrico ermite ex licar la "acción a distancia" entre cargas
eléctricas sin conexión material entre ellas. Se dice que una carga eléctrica crea un
cam o eléctrico en el es acio que la rodea. Este cam o ejerce a su vez una fuerza
sobre una segunda carga resente en dicho es acio. De esta forma se uede inter
retar la ley de Coulomb diciendo que la carga q crea, a una distancia r, un cam
o de valor: 1q E= (1.3) 4πε r 2 y st campo jrc una furza F sobr una carga q'
prsnt n sa rgión dl spacio, d valor:
E1 E2 E q2
q1
F = E ⋅ q' =
1q ⋅ q' 4πε r 2
(1.4)
Fig. 1.1 Campo léctrico crado por dos cargas
qu no s más qu la xprsión d la ly d Coulomb. Cuando hay más d una carga n un
a rgión dl spacio, l campo léctrico crado por llas s la suma vctorial d lo
s campos crados por cada una d las cargas (figura 1.1).
16
Ejmplo 1.1 En los vértics d un triángulo quilátro s hallan trs partículas d carg
as 2 nC, –1 nC y –1 nC. Calcular l campo léctrico n l punto n l qu s cruzan la
s alturas dl triángulo n función d la longitud dl lado dl triángulo. La distribuc
ión d las cargas y los campos léctricos qu originan cada una d llas s rprsn
tan n la figura 1.2. A partir d la xprsión 1.3 pud dducirs qu: r Ea r r E
b = Ec = 2 r Ea r r r r1 r Eb + Ec = 2 Eb cos(60 º ) = 2 Eb = Eb = 2 nC 2 2 o r Ea
r r r r 3r Ea + Eb + Ec = Ea + = Ea 2 2
Eb –1nC o 30° Ea Ec
La distancia dsd un vértic al punto cntral dl triángulo s:
o –1nC
r=
3 d d d − tan(30 º ) = 2 2 3
Fig. 1.2 Campos léctricos crados por la distribución d cargas dl jmplo 1.1
r El módulo dl campo E a srá:
© los autors, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
CONCEPTOS BÁSICOS
r Ea =
1q 2 ⋅ 10 −9 54 = 9 ⋅ 10 9 2 =2 4πε o r 2 d /3 d
rr r El campo léctrico total srá la suma d los trs vctors Ea , E b y Ec . El r
sultado srá un vcr tor d la misma dircción y sntido qu E a su módulo srá: r r r
81 Ea + Eb + Ec = 2 d Ejrcicio 1.1 San dos partículas d cargas 1 C y –1 C situada
s n l j d abscisas a una distancia d y –d rspctivamnt dl orign d coord
nadas. Calcular l campo léctrico a lo largo d la lína qu un ambas partículas. S
olución: r 2d E = 9 ⋅ 10 9 2 x − d2
1.1.3 Tnsión La tnsión léctrica n un punto A rspcto a otro punto B, también dnomi
nada difrncia d potncial ntr A y B, s l trabajo qu hay qu ralizar sob
r la unidad d carga léctrica positiva situada n B para trasladarla hasta A, v
ncindo la furza jrcida sobr lla por l campo léctrico:
Ar r v AB = v A − v B = − ∫B E.dr
17
(1.5)
Est trabajo s indpndint dl camino sguido por la carga para ir d B hacia
A, ya qu l campo léctrico s consrvativo. La unidad d tnsión s l voltio (V)
. Por llo, también s sul utilizar l término "voltaj" para dsignar la tnsión léc
trica, y s l rprsnta por la ltra v. La xprsión 1.5 mustra qu l campo léc
trico también s pud xprsar n voltios/mtro, qu s la forma usada más habitual
mnt n lctrónica. Igualando las dos xprsions dl campo léctrico, rsulta: 1
voltio = 1 nwton.1 mtro / 1 culombio = 1 julio / 1 culombio
A
Considrmos l campo léctrico crado por una carga q. La difrncia d potncial
ntr dos puntos A y B srá:
d E
v AB = − ∫r A E.dr = − ∫r A B B
r
r
1q q 11 dr = (−) 4πε o r 2 4πε o rA rB
B 1C
Por convnio, s toma l orign d potncial n l infinito. Entoncs, l potnc
ial d un punto A, situado a una distancia rA d la carga q, vin dado por:
Fig. 1.3 Potncial dl punto A rspcto al punto B
© los autors, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
vA =
1q 4πε o rA
Cuando l campo léctrico s crado por una distribución d cargas, l potncial srá:
vA = q 1 ∑i 4πε o i ri (1.6)
Ejmplo 1.2 Calcular l potncial crado por la distribución d cargas dl jmplo
1.1 n l cntro dl triángulo quilátro. Aplicando la xprsión 1.6 y tnindo n c
u nta qu la distancia dl cntro a cada vértic, r, s la misma n los trs casos
, rsulta: vA = 1 2 ⋅ 10 −9 −1 ⋅ 10 −9 −1 ⋅ 10 −9 + + =0 r r 4πε o r
Ejrcicio 1.2 Calcular l potncial crado por la distribución d cargas dl jrc
icio 1.2 a lo largo dl j d abscisas.
18
Solución:
v( x ) =
1 2d 2 4πε o x − d 2
Obsérvs qu s cumpl la siguint rlación: v BA = v B − v A = −(v A − v B ) =
ión d un punto rspcto a otro db xprsars mdiant un módulo y un signo. Con f
rcuncia s stablc una analogía ntr l campo léctrico y l campo gravitatorio
. En dicha analogía la tnsión quival a la nrgía qu hay qu dar a la unidad d ma
sa para llvarla d un punto a otro punto situado a una altura h por ncima d él.
Esta nrgía s proporcional a la difrncia d alturas ntr los dos puntos (g.h
), y s indpndint dl camino rcorrido por la masa para ir d un punto al ot
ro. D forma análoga, la tnsión d un punto rspcto a otro s indpndint dl ca
mino rcorrido por la carga.
1.1.4 Corrint La intnsidad d la corrint léctrica qu circula por un conduct
or s la cantidad d carga léctrica qu atravisa la scción dl conductor por unid
ad d timpo. Es una magnitud vctorial pusto qu
© los autors, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
CONCEPTOS BÁSICOS
de ende del sentido del movimiento de las cargas. Si en un incremento de tiem o ∆t
la cantidad de carga eléctrica que atraviesa la sección del conductor es ∆q, el módulo
de la intensidad de la corriente viene dado or: ∆q dq i = lim = (1.7) ∆t → 0 ∆t dt En e
l lenguaje habitual se suele llamar "corriente" a la intensidad de la corriente.
Por convenio, se asigna a la corriente el sentido que tendría el movimiento de la
s cargas ositivas en el conductor. La unidad de intensidad de corriente eléctrica
es el am erio (A). De (1.7): 1 am erio = 1 culombio / 1 segundo Imaginemos que
las cargas eléctricas se mueven en el interior del conductor or efecto de un cam
o eléctrico E, según se indica en la figura 1.5. Si el conductor sólo tuviera cargas
ositivas, la corriente tendría el sentido de izquierda a derecha, ya que la carga
que atravesaría la sección sería ositiva y en el sentido de izquierda a derecha. Si t
odas las cargas en el interior del conductor fueran negativas, la corriente tamb
ién circularía de izquierda a derecha, ya que, en este caso, el signo negativo de la
carga eléctrica que atravesaría la sección sería com ensado con el signo negativo del s
entido en el que la atraviesa, uesto que el cam o eléctrico des laza a dichas car
gas de derecha a izquierda. En el estudio de circuitos electrónicos se suele imagi
nar que la corriente está constituida or cargas ositivas que se mueven desde los
untos de mayor tensión a los de menor, con inde endencia de la carga real que o
sean los ortadores de corriente. Suele establecerse una analogía entre un circuit
o eléctrico y un circuito hidráulico, en el que se su one que las moléculas de líquido s
e mueven or la fuerza de la gravedad. En dicha analogía el equivalente a la corri
ente eléctrica sería el caudal de líquido en un unto del circuito hidráulico (m3 de líqui
do que atraviesan una sección determinada en un segundo).
A
I
Fig. 1.4 Corriente or un conductor
19
E A I
a)
E A I
b)
Fig. 1.5 Corriente trans ortada or: a) cargas ositivas; b) cargas negativas
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
1.1.5 Potencia Imaginemos una carga q situada en un unto A que está a una tensión v
res ecto a un unto B (figura W = q.v = dW/dt = i.v v v 1.6). Esto significa
que hemos tenido que entregar una energía w – – a la carga q ara llevarla desde B B B
b) hasta A. Cuando ermitimos que la a) carga q se des lace, ésta volverá a B retor
nando la energía w. Por Fig. 1.6 a) Energía retornada or una carga. b) Potencia ret
ornada or una corriente definición de tensión, la energía que retornará será w = qv. Si
un timpo dt circulan por l circuito dq cargas, la nrgía qu éstas rtornarán n
st dt srá dw = dq.v. S dnomina potncia, p, qu ntrga la corrint al circul
ar ntr A y B a la nrgía qu ntrga por unidad d timpo: dw dq ⋅ v p= = = i⋅v (1.
8) dt dt
A q + A+ i = dq/dt
La unidad d potncia s l vatio (W) , qu vin dada por: 1vatio = 1 julio / 1
sgundo = 1 amprio1 voltio
20
Hay dispositivos lctrónicos qu dan nrgía a las cargas llvándolas a un punto d m
ayor potncial. Estos dispositivos s dnominan funts o gnradors. El gnra
dor no rcib potncia sino qu la ntrga. Por sto s important dfinir la po
tncia ntrgada como l producto iv n dond i circula dsd l punto d mayor
tnsión al d mnor, tal como s indica n la figura 1.6. En un gnrador la intn
sidad circula dsd l punto d mnor al d mayor tnsión y, por tanto, a fctos
d cálculo d potncia, s l asigna un signo ngativo, dando lugar a una potncia
rcibida ngativa, lo qu db intrprtars como potncia ntrgada a la corri
nt. En la analogía, comntada antriormnt, ntr un circuito léctrico y un circ
uito hidráulico, la bomba hidráulica quival al gnrador o funt, l cual lva l
as moléculas dl líquido dsd l "nivl bas" hasta una altura dtrminada, incrm
ntando su nrgía potncial. Esta nrgía s dvulta al movr l líquido las palas d
la turbina (figura 1.7).
corrint
caudal
+
+ funt – tnsión motor Bomba hidráulica altura turbina
–
a)
b)
Fig. 1.7 Analogía ntr un circuito léctrico (a) y un circuito hidráulico (b)
© los autors, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
CONCEPTOS BÁSICOS
1.2 Com onentes, dis ositivos y circuitos
La electrónica es la disci lina que trata de la utilización de los com onentes y de
los circuitos electrónicos ara realizar funciones es ecificadas. Un com onente el
ectrónico es un ente físico que resenta determinadas relaciones entre las magnitude
s tensión y corriente en sus terminales. Un circuito consiste en la interconexión de
com onentes, generalmente mediante conductores, ara realizar una función electróni
ca es ecífica. Otro vocablo que a arece en la bibliografía técnica de significado simi
lar al de com onente es el de dis ositivo. El significado reciso de estos vocab
los es ambiguo y de ende del contexto. En este texto los utilizaremos indistinta
mente ara referirnos a entes físicos que realizan funciones elementales. Los com
onentes, dis ositivos y circuitos son entes físicos cuyo com ortamiento suele ser
com lejo y difícil de re resentar con exactitud mediante arámetros concretos. Estud
iarlos y analizarlos con leno rigor, sin realizar ninguna a roximación, sería una t
area de enorme dificultad y, en muchos casos, de oca utilidad. Por esto, es ese
ncial a roximar los dis ositivos y circuitos mediante modelos sim les, de fácil tr
atamiento matemático, que ermitan obtener unos resultados razonablemente róximos a
los reales. Denominaremos a estas a roximaciones elementos ideales, cuyo com or
tamiento es descrito or una función matemática, y que no tienen existencia real. Lo
s com onentes y dis ositivos reales se a roximan, entonces, or uno o varios ele
mentos ideales, y con ellos se analizan los circuitos electrónicos. La interconexión
de com onentes ara constituir un circuito se realiza normalmente mediante cond
uctores (figura 1.8). El conductor real suele ser un hilo metálico de determinado
diámetro y longitud. El elemento de circuito que utilizaremos ara modelar este co
nductor será un "conductor ideal" que mantiene idéntica tensión en todos sus untos co
n inde endencia de la corriente que lo atraviesa. Aunque en el conductor real la
tensión varía ligeramente a lo largo de él cuando circula corriente, la a roximación de
conductor ideal suele ser razonablemente recisa ara la gran mayoría de los caso
s.
com onente 3
21
com onente 1
com onente 2
com onente 4
Fig. 1.8 Interconexión de dis ositivos ara formar un circuito. Todos los untos d
e un mismo conductor se su onen a idéntica tensión
Otro elemento de interconexión es el interru tor (figura 1.9), que se modela or u
n interru tor ideal. Este tiene dos estados: abierto y cerrado (en inglés OFF y ON
res ectivamente). Cuando está abierto equivale a la ausencia de un camino conduct
or entre sus dos terminales, y no circula corriente aunque se a lique a los term
inales una diferencia de otencial (se su one que el vacío im ide el aso de corri
ente). Cuando el interru tor está cerrado equivale a la resencia de un camino con
ductor entre sus terminales y se dice que existe un cortocircuito entre ellos. E
ste com ortamiento suele describirse mediante una gráfica denominada característica
i-v. Una característica i-v es la re resentación en unos ejes cartesianos de la func
ión i(v): la corriente que circula ara cada tensión a licada entre terminales del d
is ositivo. Cuando el interru tor está abierto, la
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
corriente será nula sea cual sea la tensión a licada. Su característica i–v será el eje de
abscisas (figura 1.9a). Cuando el interru tor está cerrado la tensión entre termina
les será nula (la tensión entre los extremos de un conductor ideal es nula) sea cual
sea la corriente or el interru tor (figura 1.9b).
i + i i + i
v OFF a)
v
v ON
v
–
–
b) Fig. 1.9 Interru tor ideal: a) abierto; b) cerrado
22
Otros com onentes electrónicos fundamentales son los generadores o fuentes de tens
ión y de corriente. Estas fuentes se utilizan en los circuitos electrónicos bien ar
a suministrar energía eléctrica al circuito, bien ara generar una señal (ver 1.3), o
bien ara modelar algún dis ositivo que entregue una señal o energía al circuito que s
e esté analizando. Ejem los de estas fuentes son las ilas comerciales, las fuente
s de alimentación de los equi os electrónicos, los generadores de funciones, etc. En
el análisis de circuitos los generadores de corriente eléctrica se a roximan or do
s ti os de fuentes ideales: las fuentes inde endientes de tensión y de corriente.
Una fuente inde endiente de tensión ideal es un elemento de circuito que mantiene
entre sus terminales una tensión determinada con inde endencia de la corriente que
la atraviesa. Su símbolo y su característica i-v se re resentan en la figura 1.10.
Nótese que cuando el valor de su tensión es constante se usa un símbolo distinto.
i vg i
+ vg (t) – t vg (t) v
a) i v + VG – VG
b) i
c)
t VG d) e) f)
v
Fig. 1.10 Fuente inde endiente de tensión ideal. Caso general: a) símbolo; b) tensión
en función del tiem o; c) característica corriente–tensión del generador en un instante
t. Fuente de tensión constante; d) símbolo; e) de endencia de la tensión con el tiem o
; f) característica corriente–tensión
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
CONCEPTOS BÁSICOS
Una fuente inde endiente de corriente ideal es un dis ositivo electrónico que mant
iene una determinada intensidad de corriente a través de sus terminales, con inde
endencia del valor de la tensión entre ellos. Su símbolo y su característica i–v se res
enta en la figura 1.11.
ig + ig v – a) b) i i + IG IG v – d) e) f) t IG v c) t i g (t) v i
Fig. 1.11 Fuente inde endiente de corriente ideal. Caso general: a) símbolo; b) va
riación de la corriente con el tiem o; c) característica corriente–tensión en el instant
e t. Fuente de corriente constante; d) símbolo; e) corriente en función del tiem o;
f) característica corriente–tensión.
23
1.3 Señales
Una señal es una magnitud física cuyo valor o variación contiene información. Los circui
tos electrónicos rocesan señales, las cuales se ex resan normalmente mediante una t
ensión o una corriente que uede variar con el tiem o. Con frecuencia se denomina
generador de señal a una fuente inde endiente de tensión o de corriente. La re resen
tación gráfica de una señal se suele denominar forma de onda. Las señales reales ueden
ser muy com lejas y se suele recurrir a unas ocas señales sim les, descritas medi
ante funciones sencillas, que ermitan a roximar las señales reales, ya sea cada u
na or se arado o bien mediante combinación de ellas. En este a artado se describe
n algunas señales básicas, como el escalón, la ex onencial y la sinusoide, y otras que
se obtienen a artir de ellas, como el ulso, la ram a, etc.
1.3.1 Señal escalón La señal escalón viene descrita or la función: v ( t ) = A ⋅ u( t − t
(1.9)
dond u(t) s la función scalón unidad y to l dsplazaminto tmporal. Para t mno
r qu to la función val cro y para t mayor o igual a to val uno. La rprsntac
ión gráfica d v(t) s da n la figura 1.12a. S dnomina amplitud dl scalón a la co
nstant A. Una forma práctica d gnrar un scalón consis
© los autors, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
te en activar un interru tor, como se indica, or ejem lo, en la figura 1.12b. E
l escalón suele usarse ara fijar el inicio de otras señales.
v (t)
A Vo t to a) b)
+ t=to v (t) –
Fig. 1.12 a) Función escalón. b) Generación de un escalón con un interru tor
v (t)
A
Combinando dos funciones escalón uede obtenerse una señal de am lio uso en electrónic
a: un ulso (figura 1.13). Su valor es cero exce to ara t1 ≤ t ≤ t2, en cuyo caso s
u valor es A. Se denomina duración del ulso a (t2 – t1), y am litud al valor de A.
Matemáticamente esta función uede ex resarse mediante (1.10).
t t1 t2
24
v(t ) = A ⋅ u(t − t1 ) − A ⋅ u(t − t2 )
(1.10)
Fig. 1.13 Función pulso
v (t)
B 1 t to Fig. 1.14 Función rampa
Cuando un pulso s rpit n l timpo la forma d onda rsultant s dnomina t
rn d pulsos. Otra sñal qu pud obtnrs a través d la función scalón s la rampa
. Esta forma d onda (figura 1.14) stá constituida por dos sgmntos: para t<to s
u valor s nulo; a partir d to crc linalmnt con l timpo con una pndint
B. Su cuación matmática s: v(t ) = B ⋅ r(t − to ) = u(t − to ) ⋅ B ⋅ (t − to ) (1.11)
(1.12)
Combinando rampas y escalones
pueden ob enerse señales riangulares y en dien e de
sierra como las represen adas en la figura 1.15.
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π
CONCEPTOS BÁSICOS
v (t)
v (t)
A
A
t T a) Fig. 1.15 a) Señal triangular. b) Señal en diente de sierra T b)
t
1.3.2 Señal
ex onencial La señal ex onencial viene dada or la ecuación: v(t ) = Au(t
) ⋅ e − / τ (1.13)
El paráme ro A
es
el valor
inicial
de la exponencial
(cuando
= 0). El paráme ro τ se
denomina cons an e de
iempo, iene unidades de
iempo y de ermina la rapidez c
on la que la función iende a cero. Su represen ación gráfica se da en la figura 1.16.
25
v ( ) A v ( ) τ 2 > τ1
A
τ2 τ1 a) b)
Fig. 1.16 a) Señal exponencial. b) Efec o del paráme ro τ sobre la señal
La señal exponencial
iene unas propiedades
que conviene
recordar.
El valor de la
función después de ranscurrir un
iempo
igual
a la cons an e de iempo es el 37% de
l valor inicial. Después de 3 cons an es de iempo el valor es el 5% del inicial,
y después de 5 es menor que el 1% del valor inicial. Según la precisión que exija el
ipo
de
aplicación
se supone
que la exponencial alcanza
el valor
cero después de 3 ó 5
cons
an es de
iempo. O ra propiedad
es que la rec a angen e a la exponencial e
n = 0 cor a al eje de abscisas en = τ (figura 1.17).
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
1
0.8 t 0.6 – t/τ e 0.4 0 τ 2τ 3τ 4τ 5τ 1 0,37 0,13 0,05 0,02 0,007 v( )
0.2
0 0 1 2 /τ 3 4 5 6
Fig. 1.17 Decaimien o de la señal exponencial con el iempo
1.3.3 Señal sinusoidal Una
sinusoide, ambién
denominada
senoide, es una señal que res
ponde a una de las siguien es ecuaciones: v( ) = A sen(ω + ϕ )
26
(1.14.a) (1.14.b)
v( ) = A cos(ω + ϕ )
donde A se denomina ampli ud o valor de pico de la sinusoide, ω pulsación o frecuenc
ia angular y ϕ ángulo de fase. El ángulo de fase se mide en grados o en radianes, y la
pulsación en grados por segundo o radianes por segundo. Recuérdese que la función cos
eno no es más que la función seno desfasada
90 grados. La
sinusoide es una función per
iódica, lo que significa que
un valor de
erminado se repi e de forma cíclica cada T
segundos
(figura 1.18): v( + nT ) = v( ) (1.15)
v( ) T A T
–A
Fig. 1.18 Represen ación gráfica de una sinusoide
para cualquier
valor en ero de n. La cons an e T se denomina período de la función,
y por an o de la sinusoide,
y se mide en segundos. A su inversa se la denomina
frecuencia, se la represen a por f, y es el número de períodos o ciclos que se dan e
n un segundo.
Su
valor viene dado en ciclos por segundo o hercio (Hz, en honor d
el cien ífico Her z). La variable ω, que aparece
en 1.14, se denomina pulsación de la
sinusoide y se relaciona con la frecuencia a ravés de la expresión 1.16. No es más qu
e la frecuencia expresada de forma angular, y su unidad es el radian por segundo
(rad/s).
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π
CONCEPTOS BÁSICOS
ω = 2πf =
2π T
(1.16)
Se suele definir ara las señales un valor medio y un valor eficaz en un cierto in
tervalo de tiem o. En las señales eriódicas este intervalo de tiem o se toma de val
or un eríodo de la señal. El valor medio es el área encerrada entre la función y el eje
de abscisas durante el intervalo T, dividida or T. Matemáticamente se ex resa o
r: Vm = 1T ∫ v(t ) ⋅ dt T0 (1.17)
Obviamente, el valor medio de una sinusoide es cero, uesto que el área encerrada
or los semiciclos ositivos es igual al área encerrada or los semiciclos negativ
os (figura 1.19a). Para la forma de onda re resentada en la figura 1.19b su valo
r medio es: Vm =
v(t) A A
1 T /2 2π 2A ∫0 A sen( T t ) ⋅ dt = π T /2
v(t)
(1.18)
27
t 0 T 2T 3T 0 T 2T t
–A a)
–A b) Fig. 1.19 Valor medio: a) ara una sinusoide es nulo; b) ara una sinusoide
rectificada su valor es 2A/π
El valor eficaz de una señal (denominado en inglés r.m.s, iniciales de root mean squ
are) es un valor de tensión o corriente que está relacionado con la otencia que tra
ns orta la señal y viene dado or: Vef = 1 T2 ∫ v (t ) ⋅ dt T0 (1.19)
Cuando la señal v(t) es una sinusoide, al a licar la ex resión (1.19) resulta que su
valor eficaz es: Vef = A 2 (1.20)
Así, or ejem lo, la sinusoide de 220 V eficaces de la red eléctrica doméstica corres
onde a una sinusoide de 311 V de am litud (220 2 V).
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ejem lo 1.3
v (t)
A
t
Calcular los valores medio y eficaz de la señal cuadrada re resentada en la figura
1.20. El valor medio de esta señal es cero, ya que el área encerrada or el rimer
semiciclo es igual y de signo contrario a la encerrada or el segundo semiciclo.
El valor eficaz es A, ya que a licando 1.19: Vef = 1 T /2 2 T ( ∫ A dt + ∫T / 2 A 2
dt ) = A T0
–A
Fig. 1.20 Señal cuadrada
Ejercicio 1.3 Calcular los valores medio y eficaz de la señal triangular de la fig
ura 1.15a. Solución: A A Vm = Vef = 2 3 en donde A es la am litud de ico de la seña
l triangular En el ámbito de la ingeniería se acostumbra a trabajar en
el " lano
o".
La fórmula
de Euler ermite ex
resar: e j (ω
+ϕ ) = cos(ω + ϕ ) +
j sen(ω + ϕ ) y po
an o: A sen(ω + ϕ ) = Im( Ae j (ω +ϕ ) ) A cos(ω + ϕ ) = Re( Ae j (ω +ϕ ) ) (1.22) (1.2
28
donde
el operador "Im" significa
par e imaginaria
y "Re" par e real. A la vis a
de es a propiedad, se
suele rabajar con magni udes complejas, para
simplificar
los cálculos
de circui os con señales
sinusoidales, y al final se oma la par e real
o la par e imaginaria del resul ado.
1.4 Leyes de
Kirchhoff
Cuando
se in erconec an varios
componen es
para formar
un circui o se cumplen
un
conjun o de relaciones en re las corrien
es y las ensiones del circui o denomi
nadas leyes de Kirchhoff. En un circui o
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π
CONCEPTOS BÁSICOS
se denomina nudo al unto de interconexión de dos o más com onentes, y malla a todo
camino cerrado que contenga dos o más nudos. Las leyes que debe cum lir todo circu
ito son: la ley de Kirchhoff de corrientes, también denominada ley de nudos, y la
ley de Kirchhoff de tensiones, o ley de mallas. La ley de Kirchhoff de corriente
s establece que la suma de las corrientes entrantes a un nudo debe ser igual a l
a suma de las corrientes que salen de él. Es decir, la suma algebraica de las corr
ientes en un nudo debe ser nula. De no cum lirse esta ley, odría darse una acumul
ación infinita de cargas en algún nudo del circuito, y otro nudo debería actuar como u
na fuente infinita de cargas eléctricas. La a licación de esta ley, or ejem lo, en
el nudo 2 de la figura 1.21 establece: iB = iC + iD La ley de Kirchhoff de tensi
ones establece que la suma algebraica de las diferencias de tensión a lo largo de
una malla cualquiera del circuito, recorrida en un mismo sentido, debe ser nula.
La justificación física de esta ley se debe a que la diferencia de otencial entre
dos untos del circuito es inde endiente del camino recorrido ara ir de un unt
o al otro. Puesto que no se conocen a riori los signos de las diferencias de te
nsión entre los terminales de cada com onente (ni los sentidos de las corrientes),
se asigna arbitrariamente un signo a cada una de ellas, tal como se indica en l
a figura 1.21. Al recorrer la malla en un determinado sentido, si se va de una m
arca "–" a una marca "+" se asigna signo ositivo a esta diferencia de tensión y se
dice que se trata de una "subida" de tensión. Si, or el contrario, se va desde "+
" a "–" se dice que hay una "caída" de tensión y se le asigna signo negativo. Así, or e
jem lo, ara la malla a del circuito anterior:
( + v A ) + ( − v B ) + ( − vC ) = 0
iB 1 B + + iA A vA – malla a – vB – + vC C iC malla b + vD – D iD 2
29
3 Fig.
1.21 Circui
o formado por la in erconexión de los componen es A,B,C y D. El
circui o con iene los nudos 1, 2 y 3, y las mallas a y b
La ensión es una
magni
ud que se
define en re
dos pun os, al igual
que la al ura
en el campo
gravi a orio. Por es o es convenien
e señalar al po encial de
un pun o
como po encial de
referencia,
y expresar
las ensiones de los demás
pun os como d
iferencias respec o al po encial del pun o de referencia.
Al pun o seleccionado
se le conoce con el nombre de "masa" y se le iden ifica con uno de
los símbolos
in
dicados en
la figura 1.22a.
Para
simplificar
el dibujo del circui o "se conec an
" a masa
odos los pun
os que es
án a la ensión
de referencia y se supone que
odos
ellos es án unidos en re sí a ravés del conduc or de "masa" que no se acos umbra a d
ibujar (figura 1.22b).
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
B
A
C
D
a)
b)
Fig. 1.22 a) Símbolos usados ara el terminal de masa. b) Esquema de circuito en e
l que se indican los untos conectados a masa (todos estos untos están interconec
tados)
1.5 Símbolos y unidades
En la tabla 1.1 se indican las magnitudes físicas más utilizadas en electrónica, y se
incluyen sus símbolos y sus unidades. Estas magnitudes están referidas al sistema in
ternacional de unidades basado en el metro (m), como unidad de longitud, en el k
ilogramo (kg), como unidad de masa, y en el segundo (s), como unidad de tiem o.
Los valores numéricos que se utilizan en ingeniería electrónica suelen ocu ar varios órd
enes de magnitud. Por esto se suelen utilizar refijos decimales que se ante one
n a la unidad e indican la otencia de diez or la que se debe multi licar la un
idad. En la tabla 1.2 se indican los refijos decimales más usuales. Nótese que corr
es onden a ex onentes múlti los de tres. Así or ejem lo: 510–3 A = 5 mA y s l 5 mil
iamprios; 10109Hz = 10 GHz y s l 10 gigahrcios.
30
MAGNITUD
SÍMBOLO
UNIDAD
SÍMBOLO UNIDAD
Carga Campo léctrico Tnsión Corrint Enrgía Potncia Timpo Frcuncia Pulsación o f
rcuncia angular Angulo d fas Rsistncia Impdancia Conductancia Admitancia
Capacidad Inductancia Flujo magnético Inducción magnética
q E v i w p t f ω ϕ R Z G Y C L φ B
culombio voltio por metro voltio amperio julio vatio segundo hercio radián por seg
undo radián o grado ohmio ohmio siemens siemens aradio henrio weber tesla
C V/m V A J W s Hz rad/s rad o o Ω Ω Ω–1o S Ω–1o S F H Wb T
Tabla 1.1 Magnitudes eléctricas. Símbolos y unidades
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π
CONCEPTOS BÁSICOS
PREFIJO
MULTIPLICADOR
SÍMBOLO PREFIJO
Exa Peta Tera Giga Mega Kilo mili micro nano ico femto atto
1018 1015 1012 109 106 103 10–3 10–6 10–9 10–12 10–15 10–18
E P T G M k m µ n f a
Tabla 1.2 Prefijos decimales más usuales
Cuestiones C1.1 C1.2 C1.3 C1.4 C1.5 Razonar que no existe cam o eléctrico en un u
nto del es acio en el cual el otencial sea nulo. Enunciar la diferencia cualita
tiva entre la ley de Coulomb y la ley de gravitación de Newton. Dibujar las líneas d
e fuerza corres ondientes a dos cargas q1 y q2 se aradas una cierta distancia d,
ara los dos casos osibles de cargas con igual o distinto signo. Definir los c
once tos intensidad de corriente (i), tensión eléctrica (v) y otencia eléctrica (P),
a artir de los conce tos de carga eléctrica (q) y trabajo eléctrico (w). Cuando se
roduce una corriente eléctrica or la acción de un cam o eléctrico dado sobre la carg
as eléctricas móviles en el seno de un material, el sentido de la corriente (i) es e
l mismo que el del cam o (E) que la genera. Razónese este efecto a artir del movi
miento de las cargas y a artir de la otencia disi ada en el material. ¿Por qué a l
as otencias eléctricas en las cargas y en las fuentes se les asocian signos o ues
tos? ¿Cuál de ellas se considera ositiva? Razónese la validez de com arar la corrient
e eléctrica con la conducción de fluidos en un sistema de tuberías. ¿Qué variables son anál
gas a la tensión y corriente eléctrica en el sistema de tuberías? Defínase qué significa e
l decir que dos untos A y B de un circuito eléctrico se hallan cortocircuitados.
Idem ara el caso de que estén en circuito abierto. ¿Cuál es el modelo más adecuado ara
la red eléctrica doméstica, una fuente de tensión, o de corriente? Dar cinco ejem los
de señales eriódicas, no necesariamente eléctricas, y otras cinco no eriódicas, que s
ean comunes en la vida diaria. ¿ Tiene sentido decir que la tensión en un nodo es 3
voltios? Razónese la res uesta. Cuáles de las siguientes configuraciones violan algu
na de las leyes de Kirchhoff: a) Una fuente de corriente ideal en circuito abier
to. b) Una fuente de corriente ideal en cortocircuito. c) Una fuente de tensión id
eal en circuito abierto. d) Una fuente de tensión ideal en cortocircuito.
31
C1.6 C1.7
C1.8 C1.9 C1.10 C1.11 C1.12
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Problemas P1.1 Dos cargas de 2C y –3C se hallan sobre un lano en las coordenadas
(–3mm, 0) y (3mm, 0) res ectivamente. Determinar el unto en el cual el cam o se a
nula. Determinar el otencial en dicho unto res ecto al infinito. El cam o eléctr
ico creado or una carga untual a una cierta distancia es de 30 N/C, y el oten
cial de dicho unto res ecto al infinito es de 240 voltios. Se ide: a) Calcular
el valor de la carga. b) Calcular la distancia a la que se encuentra el unto i
ndicado de la carga. Dos cargas eléctricas ositivas de 10–8 C están situadas una en e
l origen de un sistema de coordenadas cartesiano lano y la otra en un unto (20
cm, 0). Calcular: a) El cam o y el otencial res ecto del infinito en el unto
A (10 cm, 0). b) El cam o y el otencial res ecto del infinito en el unto B (10
cm, 10 cm). c) El trabajo necesario ara llevar una carga de 10–12 C desde B hast
a A. Utilizando los refijos decimales adecuados, sim lificar los siguientes val
ores numéricos dando el resultado más com acto osible. a)0,00035 km. b)487000⋅104 nm/
s. c)391⋅108 nF. d)0,05⋅10–3 ms. e) 0,082⋅10–15 N/C. Indicar cuál es la trayectoria correct
ara un electrón que entra a una velocidad Vo en el es acio com rendido entre las
lacas del condensador de la figura. Su oner un valor de Va ositivo. ¿Cuál sería la
trayectoria con Va negativo?
P1.2
P1.3
P1.4
P1.5
v(t)
32
4
1 2 3
6 Va t –2 8 Figura P1.7 Fig. P1.7
Fig. P1.5 Figura P1.5
P1.6
P1.7 P1.8 P1.9 P1.10
P1.11 P1.12
¿Qué otencia mecánica máxima uede suministrar un motor de continua conectado a una il
a de 9 voltios, si la corriente máxima que admite es 0,5 A? Razónese or qué nunca se
uede alcanzar este máximo. Ex resar matemáticamente la señal v(t) de la figura P1.7 a
artir de señales constante, ram a y escalón. Calcular los valores medio y eficaz d
e la señal anterior entre los tiem os 0 y 8. Calcular los valores medio y eficaz d
e las señales de la figura P1.9. Las gráficas que siguen muestran las tensiones y co
rrientes, ambas senoidales, en el elemento A de la figura, ara dos osibles cas
os: Caso 1) Tensión en fase. Caso 2) Tensión en cuadratura. Calcular, ara cada uno
de los dos casos: a) La otencia instantánea (t) disi ada en A. b) La otencia me
dia disi ada en A. c) La energía disi ada en A durante un eríodo. Dibujar las sigui
entes señales. a) x(t) = u (t – 10). b) x(t) = u (t –2)sn (t) . c) x(t) = cos (2πt + π/3)
d) x(t) = 10–5 e –40 t Indíquese ara cada circuito de la figura P1.12 si éste es osib
le y, caso de no serlo, ex licar or qué.
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π
CONCEPTOS BÁSICOS
V A A
V T t t T –A b) Triangular V A A A
V
T
t
a) Diente de sierra V A t T d) Senoide rectificada a doble onda
c) Senoide rectificada a 1/2 onda V
A/2 t dT T ) Pulso priódico ( d < 1) Fig. P1.9 T f) Sñal scalonada t
ia
+
va A ia
– Vo
va Vo t –Vo t –Vo
va
t
Io
33
–Io
Caso 1
Caso 2
Fig. P1.10
P1.13 P1.14
Dtrminar l númro d nodos y mallas d los circuitos d la figura P1.13. Asigna
r una difrncia d potncial y una corrint a cada uno d los lmntos dl ci
rcuito d la figura P1.14. Escríbans todas las cuacions d nudos, y d mallas.
V2 V1 I1 V1 I1 V1 d) V1 ) V2
a)
b)
c)
I1
V1
V1 I1 I1 I2 I1
I2
f)
g)
h) Fig. P1.12
i)
j)
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
a)
b) Fig. P1.13
c)
d)
P1.15
Calcular la tensión Vab en el circuito de la figura P1.15 a licando la ley de Kirc
hhoff que corres onda.
+ 2V – R1 R5 Vo R3 R4 5V b R2 + a + Vab –
Figura P1.14 Fig.
Figura P1.15 Fig. P1.15
34
P1.16
Para el circuito de la figura se sabe que Va = 2 V. Se ide : a) Calcular la ten
sión entre el nodo 1 y el de referencia. b) Si V12 vale 1,5 V, determinar la tensión
entre el nodo 2 y el de referencia. c) Si Ia=10A, Ib=20A, Ie= – 5A , hallar Ic, I
d.
Ia Ic + V12 – 1 B Ib C Id 2 D Ie
Va
Fig. P1.16
P1.17
Dibujar las señales vx e ix que se generan en los siguientes circuitos en función de
l tiem o t.
+ 3 cos wt 3 2 cos wt + Fig. P1.17 + vx o
o –
t u(t-1)
u(t)
ix
t u(t)
u(t-2)
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Ca ítulo 2 Circuitos resistivos
2.1 Conce to de resistencia
Todos los com onentes electrónicos resentan algún ti o de relación entre la tensión a l
icada a sus terminales y la corriente que los atraviesa. En el ca ítulo anterior,
se vio que la característica corrientetensión de una fuente inde endiente de tensión c
ontinua ideal era una recta vertical que re resentaba el com ortamiento de la fu
ente: mantener una tensión constante entre terminales con inde endencia de la corr
iente que circula. Se denominan elementos resistivos a los elementos que disi an
energía y que cum len que la relación entre la tensión que se a lica a sus terminales
y la corriente que los atraviesa ueda ser re resentada or una gráfica en los ej
es cartesianos corriente-tensión (figura 2.1). Esta gráfica está limitada a los cuadra
ntes rimero y tercero ya que la otencia que disi an es ositiva.
i
35
i + v – Elemento resistivo
v
Fig. 2.1 Ejem lo de característica i-v de un elemento resistivo
Como se verá en los róximos ca ítulos muchos com onentes y dis ositivos electrónicos (r
esistencias, diodos, transistores,...) se com ortan como elementos resistivos en
determinados ámbitos de o eración. Sin embargo, no todos los elementos de circuito
son resistivos. Por ejem lo, en los condensadores, la tensión entre terminales es
ro orcional a la integral de la corriente, mientras que en los inductores, la t
ensión es ro orcional a la derivada de la corriente. El objetivo de este ca ítulo e
s estudiar uno de estos elementos resistivos denominado resistencia, y los circu
itos en los que interviene conjuntamente con los elementos vistos en el ca ítulo a
nterior.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
La resistencia lineal ideal es un elemento de circuito cuya característica i-v es
una recta que asa or el origen (figura 2.2b). Analíticamente esta recta viene da
da or la ecuación: i= v R (2.1)
36
donde R, denominada resistencia, es la inversa de la endiente de la recta, y es
constante y ositiva. A esta ecuación se la conoce como ley de Ohm : la caída de te
nsión entre los terminales de la resistencia es ro orcional a la corriente que la
atraviesa. Su símbolo circuital, el signo de la tensión v, y el sentido de la corri
ente i, se re resentan en la figura 2.2a. Una inter retación física del conce to i d
e resistencia está im lícito en su ro io nombre: dificultad al aso de una 1 corrie
nte. Cuando se a lica una tensión entre los terminales, a mayor resisteni R R cia
menor corriente, y viceversa. v – Obsérvese en la característica i-v de la + v resiste
ncia que es un dis ositivo simétrico ya que si se invierte el sentido de i también s
e invierte el de v. Nótese a) b) también que cuando la resistencia es nula la caract
erística i-v es una línea Fig. 2.2 a) Símbolo de la resistencia, sentido de la corrien
te y signo vertical que coincide con el eje de de la caída de tensión. b) Característi
ca i-v de la resistencia ordenadas. Por esto, un interru tor cerrado, que en el
ca ítulo anterior se vio que se com orta como un cortocircuito, se uede modelar
or una resistencia de valor cero. Asimismo, cuando la resistencia es infinita, s
u característica i-v coincide con el eje de abscisas, or lo que un interru tor ab
ierto, que se com orta como un circuito abierto, uede modelarse or una resiste
ncia de valor infinito. La unidad de resistencia es el ohmio (Ω). De la expresión (2
.1) resulta: 1 ohmio = 1 voltio / 1 amperio A la inversa de la resistencia se la
denomina conductancia, e indica la acilidad al paso de corriente. Se la identi
ica con la letra G y su unidad es el inverso del ohmio (Ω–1), que se denomina sieme
ns (S): i = Gv (2.2)
Cuando una corriente atraviesa una resistencia, ésta absorbe energía del circuito y
la convierte en calor. Este enómeno se denomina e ecto Joule y la potencia conver
tida en calor recibe el nombre de potencia disipada por la resistencia: PR = iv
= i 2 R = donde se ha hecho uso de la ley de Ohm. v2 R (2.3)
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
El significado físico del valor eficaz de una señal en el intervalo de tiem o de 0 a
T es fácil de entender a artir de la ex resión 2.3. En efecto, si se considera una
señal v(t), la otencia media que entrega a una resistencia R en un tiem o T es:
Pm = 1T 1 T (v(t )) 2 11T (t )dt = ∫0 dt = ∫0 (v(t )) 2 dt ∫ T0 T R R T
Por definición, el valor eficaz sería el valor de una tensión constante que entregara
a la resistencia R la misma otencia durante el tiem o T: Pm = 12 Vef R
Identificando esta ex resión con la anterior resulta la ex resión del valor eficaz 1
.19 vista en el ca ítulo anterior.
Ejem lo 2.1 Determinar la otencia que disi a una resistencia de 100 Ω cuando se a
plica entre sus terminales una tensión de 15 V. ¿Cuál es el valor de la corriente que
atraviesa la resistencia? Solución: v 2 152 = = 2, 25 W R 100 15 v i = = Solución: m
A = 150 R 100 PR =
37
Ejercicio 2.1 ¿Cuál es la máxima corriente que puede circular a través de una resistenci
a de 100 Ω si ésta puede disipar una potencia máxima de 0,5 W?¿Cuál será la máxima tensión
e puede aplicar entre sus terminales? Solución: imax ≅ 71 mA; vmax ≅ 7, 1 V
La mayoría de dispositivos reales presentan e ectos resistivos. Así por ejemplo,
uctor real presenta una variación de tensión entre sus extremos cuando es atravesado
por una corriente. Un interruptor real cerrado también presenta una cierta resist
encia entre sus terminales. Sin embargo, su valor es muy pequeño y se suele despre
ciar rente al resto de resistencias del circuito. La resistencia lineal real es
un dispositivo cuya característica i-v se puede aproximar por una recta dentro de
unos ciertos márgenes de corriente y tensión, y por tanto se puede aproximar por un
a resistencia ideal entre dichos márgenes. En el apéndice A se detallan las principa
les propiedades, tipos
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
y limitaciones de este dis ositivo electrónico en su forma comercial. Existen en e
l mercado dis ositivos electrónicos resistivos no lineales. Entre ellos destacan l
os termistores NTC y PTC, cuyo valor resistivo de ende de la tem eratura, y los
varistores, cuyo valor resistivo de ende de la tensión a licada entre terminales.
En el a éndice A también se detallan sus ro iedades más significativas. El rinci io
físico de la ley de Ohm es el siguiente. Considérese, ara sim lificar, que el condu
ctor sólo contiene cargas ositivas, con una concentración de cargas or unidad de
volumen, siendo q el valor de cada carga. Un cam o eléctrico E, que se su one con
stante en el interior del conductor, ejerce una fuerza sobre las cargas que, al
ser móviles, las des laza originándose una corriente i (ver figura 1.5a). El movimie
nto "microscó ico" de las cargas en el interior del conductor está constituido or t
ramos de movimiento uniformemente acelerado de cada carga. El movimiento comienz
a con velocidad inicial nula. La carga se acelera con una aceleración constante a
de valor qE/m (m es la masa de la carga), y des ués de un tiem o tc colisiona con át
omos del conductor a los que transfiere la energía cinética ganada. A consecuencia d
el choque la carga queda en re oso, e inmediatamente se inicia otro tramo de mov
imiento uniformemente acelerado. Al analizar el movimiento descrito en el árrafo
anterior desde un unto de vista "macroscó ico", se considera que la artícula se mu
eve con una velocidad uniforme v cuyo valor es igual a la velocidad media del m
ovimiento "microscó ico": v = x c 1 / 2 ⋅ a ⋅ tc2 qtc = = E = µ ⋅ E 2m tc tc
38
donde xc y tc son la longitud y tiem o medio entre colisiones. Nótese que la veloc
idad macroscó ica es ro orcional al cam o eléctrico. A la constante de ro orcional
idad, µ , se la denomina movilidad. La corriente que roducirán las cargas moviéndose
a una velocidad uniforme v (ver figura 1.5a), será: i= ∆q q ⋅ ⋅ [ A ⋅ v ∆t ] = = qA v
= qA µ E ∆t ∆t
uesto que las cargas que atravesarán la sección A son las contenidas en el cilindro
de base A y altura v .∆t. Si el conductor tiene una longitud L y entre sus termin
ales está a licada una diferencia de otencial V, el cam o eléctrico en el interior
del conductor será E=V/L, con lo que la ex resión de la corriente será: i = qA µ V L ⇉ V
= 1L L i = ρ i = R⋅i qµ p p A A
que es la exp esión de la ley de Ohm. En la exp esión ante io ρ se denomina esistivi
dad del conducto , que depende de la concent ación de sus ca gas mobiles y de su m
ovilidad. Nótese, po tanto, que la esistencia es p opo cional a la esistividad
del mate ial, a la longitud del conducto y a la inve sa de su sección. Po ot a p
a te, la ene gía que cede una pa tícula al colisiona con los átomos del conducto es:
wu = 121 mvc = m( atc ) 2 = qµ p tc E 2 2 2
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
y como en el conductor hay ALp partículas y cada una d llas xprimnta 1/tc colis
ions por sgundo, la nrgía transfrida al conductor por unidad d timpo dbido
a las coslions d las partículas qu constituyn la corrint srá: PR = ALp V2 V2
= = i2 R wu = qApµ p tc L R
qu no s más qu la ly d Joul. Nóts qu la ly d Ohm s basa n qu la vloci
dad d las cargas s proporcional al campo léctrico. Cuando l campo léctrico alca
nza valors muy lvados dja d cumplirs sta proporcionalidad y, n conscun
cia, la ly d Ohm dja d sr válida.
2.2 Análisis d circuitos rsistivos por l método d nudos
Analizar un circuito consist n calcular las tnsions n todos sus nudos y las
corrints qu circulan por sus lmntos. Hay varios métodos para analizar un ci
rcuito. El método d nudos s un procdiminto sistmático para analizar circuitos q
u consist n aplicar a sus nudos la ly d Kirchhoff d corrints. Supóngas po
r l momnto qu l circuito sólo tnga rsistncias y gnradors indpndints
d corrint. Para rsolvrlo por l método d análisis por nudos s sguirá l sigui
nt procdiminto: 1. S asigna a un nudo l potncial d rfrncia (cro). A c
ada uno d los rstants nudos s l asigna una tnsión rspcto al nudo d rfr
ncia. Estas tnsions srán las incógnitas qu s dbrán dtrminar. 2. S xprsa pa
ra cada nudo, xcpto para l d rfrncia, la ly d Kirchhoff d corrints.
Si n l circuito hay n nudos rsultarán n 1 cuacions. Para llo s asigna a cad
a lmnto, d forma arbitraria, un vctor d corrint, y s scribn las cuac
ions d Kirchhoff n función d stas corrints. 3. S scrib cada una d las c
orrints dsconocidas n las cuacions antriors n función d las tnsions d
los nudos, hacindo uso d la ly d Ohm. Estas cuacions dbn rsptar l si
gno d la caída d tnsión y l sntido d la corrint tal como s indica n la fig
ura 2.2a. 4. S rsulv l sistma d cuacions rsultant para hallar las tn
sions d los nudos. 5. A partir d las tnsions d los nudos s hallan las var
iabls dsadas dl circuito. Cuando l valor numérico d una d las corrints s
a ngativo, indica qu l sntido ral d sta corrint s contrario al qu hm
os arbitrariamnt asignado n l apartado 2. Ejmplo 2.2 Aplicando l método d a
nálisis por nudos, hallar la corrint qu circula por la rsistncia R3, n l ci
rcuito d la figura 2.3a. Notar qu l circuito d la figura 2.3b s léctricamnt
igual al d la 2.3a. Como la tnsión d un conductor s la misma n todos sus pu
ntos, todos los conductors unidos a un nudo stán a la tnsión dl nudo. 1. El circ
uito contin cuatro nudos. La tnsión d rfrncia ha sido asignada al nudo 0. L
as tnsions n los nudos 1, 2 y 3 han sido dsignadas como v1, v2 y v3., tal co
mo s indica n la figura 2.3b.
39
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
v1 R1 i g2 i g1 R4 i g1 v2 ic R4 R3 R2 ia R1 i g2 R2 v3 id ib
R3
a)
b)
vr = 0
Fig. 2.3 a) Circuito del ejem lo 2.2. b) Tensiones y corrientes en el circuito
2. La ley de Kirchhoff de corrientes conduce a las siguientes ecuaciones: Nudo 1
→ ig1 = ia + ib Nudo 2 → ig 2 + ia = ic Nudo 3 → ib = ig 2 + id 3. Las corrientes des
conocidas de las ecuaciones anteriores (es decir, todas exce to las de los gener
adores) se ex resan, a licando la ley de Ohm, de la siguiente forma:
40
ia = ic =
v1 − v2 R1 v2 − 0 R4
ib = id =
v1 − v3 R2 v3 − 0 R3
4. Sustituyendo las exp esiones del punto 3 en las ecuaciones del punto 2 esult
a un sistema de t es ecuaciones con las t es incognitas v1, v2 y v3. Po ejemplo
, si los valo es numé icos de las cuat o esistencias fue an todos de 1 Ω el sistema
de ecuaciones resultante sería: 2v1 − v2 − v3 = ig1 − v1 + 2v2 = ig 2 v1 − 2v3 = ig 2 Téng
se en cuenta que los coeficientes de las tensiones en estas ecuaciones tienen di
mensiones de Ω−1. Una vez esuelto el sistema, se obtiene: v1 = ig1 v2 = 1 (ig1 + ig
2 ) 2 v3 = 1 (ig1 − ig 2 ) 2
5. La co iente que ci cula po R3 puede calcula se a pa ti de v3: iR3 = id = v
3 1 = v3 = (ig1 − ig 2 ) R3 2
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
Ejercicio 2.2 Hallar la tensión vo en el circuito de la figura 2.4. Solución: vo ≅ 1,
82 i1
i1 5Ω
2Ω 4Ω
+ vo –
Fig. 2.4 Circuito del ejercicio 2.2
El análisis de nudos tal como ha sido ormulado anteriormente es de aplicación di
uando el circuito contiene solamente generadores de corriente. Cuando el circuit
o contiene generadores de tensión la metodología anterior debe ser modi icada puesto
que la corriente que proporciona un generador de tensión no está prede inida: depen
de del circuito. Por esta razón cada generador de tensión introduce en el sistema de
ecuaciones de nudos una incógnita extra: la corriente que proporciona este genera
dor. Sin embargo, cada generador de tensión elimina una tensión incógnita, ya que ija
la di erencia de tensión entre los nudos a los que está conectado. Se deben modi ic
ar, por tanto, los pasos 1 y 3 del procedimiento anterior. En el siguiente ejemp
lo se ilustran estos cambios.
Ejemplo 2.3 Aplicando el análisis de nudos, hallar la corriente que circula por R3
en el circuito de la igura 2.5. 1. La tensión v1 vale, en este circuito, vg1. De
saparece la incógnita v1. 2. En el nudo 1 la corriente ig1 del ejemplo 2.2 debe se
r sustituida por la corriente ix que entrega la uente de tensión. 3. La corriente
ix no puede expresarse directamente a partir de las tensiones de los nudos. Es
una nueva incógnita. 4. A partir de las consideraciones apuntadas en 1 y 2, el nue
vo sistema a resolver es: ix = ig 2 + vg1 − v2 R1 vg1 − v2 R1 + = vg1 − v3 R2 v2 − 0 R4
v1 ix + vg1 – R1 v2 R4 i R3 i g2 R2 v3 R3
41
vg1 − v3 R2
v −0 = ig 2 + 3 R3
que, en el caso en que todas las esistencias sean de 1Ω, conduce a: ix + v2 + v3
= 2vg1 2v2 = ig 2 + vg1 −2v3 = ig 2 − vg1
Fig. 2.5 Ci cuito del ejemplo 2.3
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
cuya solución es:
ix = vg1 v2 = v3 = vg1 + ig 2 2 vg1 − ig 2 2
Po lo tanto: iR 3 = v3 1 = (vg1 − ig 2 ) R3 2
Eje cicio 2.3 Resolve el ci cuito del eje cicio 2.2 sustituyendo la fuente i1 p
o una fuente de tensión de valo va. Solución: 2v vo = a 3
2.3 Análisis de ci cuitos esistivos po el método de mallas
42
Ot o método sistemático pa a analiza ci cuitos es el método de mallas, que se basa en
la aplicación de la ley de tensiones de Ki chhoff a cada una de las mallas de un
ci cuito. A efectos de simplicidad, se eligi án las mallas que no contengan ningún c
omponente en su inte io . A cada malla se le asigna una "co iente de malla". Po
cada componente de ci cuito ci cula á una co iente que se á la suma algeb aica de
las co ientes de malla que afecten al componente en cuestión. Supóngase, po el mo
mento, que el ci cuito sólo tiene gene ado es de tensión. El p ocedimiento que se se
gui á pa a analiza lo po el método de mallas es el siguiente: 1. Se asigna a cada m
alla del ci cuito sin componentes inte nos una "co iente de malla". Estas se án l
as incógnitas que se debe án calcula . 2. Se exp esa pa a cada malla la ley de Ki ch
hoff de tensiones, eco iéndola según el sentido indicado po la co iente de malla
. Hab á tantas ecuaciones como mallas. Pa a ello se asigna a cada componente, de f
o ma a bit a ia, una caída de tensión, y se esc iben las ecuaciones de Ki chhoff en
función de estas caídas de tensión. 3. Se esc ibe la tensión ent e los te minales de cad
a esistencia en función de las co ientes de malla que ci culan po dicho compone
nte, aplicando la Ley de Ohm. La co iente total que at aviesa la esistencia es
la suma algeb aica de las co ientes de malla que ci culan a t avés de esta esis
tencia, asignando a una co iente de malla el signo positivo si su sentido es de
"+" a "–" en la caída de tensión, y negativo en caso cont a io. 4. Se esuelve el sis
tema de ecuaciones esultante pa a halla las co ientes de malla. 5. A pa ti d
e las co ientes de malla se hallan las va iables deseadas del ci cuito. Si el v
alo numé ico de una caída de tensión en una esistencia es negativo, significa que su
pola idad es cont a ia a la que se le ha asignado en el punto 2.
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
Ejem lo 2.4 En el circuito de la figura 2.6a hallar la tensión en el unto A res e
cto a masa.
+ + vg1 – R1 A R3 + vg2 – R2 + vg1 R4 – i 1 vR3 – b) vR1 – + i3 + + vR2 – – + vR4 –
i2 vg2
a) Fig. 2.6 a) Circuito del ejem lo 2.4. b) Tensiones y corrientes ara el análisi
s
1. Como se indica en la figura 2.6b, el circuito tiene tres mallas sin com onent
es internos a las que se les asigna las corrientes i1, i2, i3. 2. Las ecuaciones
de malla son: malla 1 → vg1 = v R1 + v R3 malla 2 → vg 2 + v R1 = v R 2 malla 3 → v R
3 = vg 2 + v R 4 3. Las diferencias de tensión en los com onentes del circuito son
, según la ley de Ohm: v R1 = R1 (i1 − i2 ) v R 2 = R2 i2 v R3 = R3 (i1 − i3 ) v R 4 =
R4 i3 4. Sustituyendo las exp esiones del punto 3 en las ecuaciones del punto 2
se obtiene un sistema de t es ecuaciones con las incógnitas i1, i2, i3. Si los va
lo es de todas las esistencias fue an de 1 Ω, las ecuaciones resultantes serían:
g
43
i1 = vg1
1 i2 = (vg1 + vg 2 ) 2
2 1 i3 = (vg1 − vg 2 ) 2
5. La tensión en el punto A se calcula a pa ti de las co ientes de malla: v A =
v R3 = R3 (i1 − i3 ) = R3 (vg1 + vg 2 ) 2
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ejercicio 2.4 A licando el método de análisis or corrientes de malla, hallar la ten
sión en el unto P res ecto a masa del circuito de la figura 2.7. Solución: VP = 4VA
+ VB 7
1Ω
P
4Ω
VA
2Ω
VB
Fig. 2.7 Circuito del ejercicio 2.4
Cuando el circuito contiene generadores de corriente, el procedimiento acabado de
poner debe ser modi icado puesto que la tensión entre los terminales de un generad
or de corriente no es una cantidad prede inida: se ajusta a lo que demanda el ci
rcuito a in de que se cumplan las leyes de Kirchho . De orma similar a lo que
ocurría en el análisis por nudos cuando en el circuito aparecía un generador de tensión
, en el análisis por mallas un generador de corriente permite eliminar como incógnit
a una corriente de malla, y obliga a considerar como nueva incógnita la tensión entr
e los terminales del mismo. Ejemplo 2.5
44
Resolver, aplicando el método de análisis por mallas, el circuito del ejemplo 2.3. S
e denominará vx a la di erencia de tensión entre los terminales de la uente de corr
iente ig2 (tensión en el terminal de la izquierda menos tensión en el terminal de la
derecha), y se utilizarán corrientes de malla similares a las de inidas en la ig
ura 2.6b. 1. Puesto que i2 - i3 = ig2 , una de estas dos corrientes incógnitas pue
de ser eliminada. Por ejemplo: i2 = ig2 + i3 2. Las ecuaciones de las mallas 2 y
3 deben ser modi icadas incluyendo la tensión entre terminales de la uente de co
rriente ig2. La tensión vx, será una nueva incógnita. Las ecuaciones que se deben reso
lver son: malla 1 → vg1 = R1 (i1 − i2 ) + R4 (i1 − i3 ) malla 2 → v x + R1 (i1 − i2 ) = R2
i2 malla 3 → R4 (i1 − i3 ) = v x + R3i3 3. Teniendo en cuenta la nueva ecuación del a
pa tado 1 y suponiendo pa a todas las esistencias el valo de 1 Ω, el sistema par
a resolver sería: 2i1 − 2i3 = vg1 + ig 2 v x + i1 − 2i3 = 2ig 2 − v x + i1 − 2i3 = 0
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
cuya solución es:
v x = ig 2 i1 = vg1 i3 = 1 (vg1 − ig 2 ) 2
1Ω P 4Ω
Ejercicio 2.5 Hallar la tensión del punto P del circuito de la igura 2.8. Solución:
VP = 2(VA + I B ) 3
V
A
2Ω
IB
Fig. 2.8 Circuito del ejercicio 2.5
2.4 Concepto de circuito equivalente
Considérese el circuito de la igura 2.9a encerrado dentro de una "caja negra", qu
e permite que aparezcan al exterior únicamente los dos terminales A y B. Cualquier
otra "caja negra" que contenga un circuito de dos terminales, y que a través de m
edidas de corriente y tensión en dichos terminales sea indistinguible de la anteri
or, se dice que es equivalente a la primera.
Caja A Caja B i + 8Ω v – A 1,6 Ω 8V i + v – B b) Fig. 2.9 Circuitos equivalentes encerra
dos en "cajas negras" A
45
2Ω 10 V
B
a)
Imagínese que la segunda caja contiene el circuito de la igura 2.9b. Para intenta
r distinguir las dos cajas negras se podría conectar entre los dos terminales de s
alida una uente de tensión de valor variable y medir para cada tensión la corriente
que circula por los terminales ( igura 2.10). La corriente i, de entrada a la c
aja A, será la suma de las corrientes que circulan por las resistencias de 2 Ω y 8 Ω:
v − 10 v v i= += −5 2 8 1, 6
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
i A + v B –
mientras que ara la caja B la corriente de entrada será: i= v−8 v = −5 1, 6 1, 6
de donde esulta idéntica co iente pa a ambas cajas, cualquie a que sea el valo
de v. Lo mismo sucede ía si se conecta a ent e los te minales de salida una fuente
de Fig. 2.10 Medida de la ca acte ística i v de co iente de valo va iable y se
midie a la tensión ent e una "caja neg a" te minales. Las dos cajas esultan eléct i
camente indistinguibles, y en consecuencia se dice que son equivalentes. El conc
epto de ci cuito equivalente se usa extensamente en elect ónica pa a desc ibi el
funcionamiento de dispositivos. En estos casos se dice que el dispositivo se com
po ta como su ci cuito equivalente y son po tanto inte cambiables. También se usa
pa a simplifica ci cuitos.
2.5 Resistencias en se ie. El diviso de tensión
Se dice que dos esistencias están en se ie cuando compa ten un nudo común al cual n
o hay conectado ningún ot o elemento. En consecuencia la co iente que las at avie
sa es la misma. En la figu a 2.11a se ep esentan las esistencias R1 y R2 conec
tadas en se ie. Aplicando la ley de tensiones de Ki chhoff esulta:
46
VG = IR1 + IR2 = I ( R1 + R2 )
(2.4)
En la figu a 2.11b se p esenta un ci cuito equivalente de las dos esistencias c
onectadas en se ie, una única esistencia de valo Rs. En efecto, la ley de tensio
nes de Ki chhoff aplicada a este segundo ci cuito establece que: VG = IRs e iden
tificando con 2.4 esulta: Rs = R1 + R2
I I
(2.5)
(2.6)
R1 VG R2 VG Rs
a)
b)
Fig. 2.11 a) Conexión de R1 y de R2 en se ie. b) Resistencia equivalente
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
Cuando en lugar de dos resistencias hay n resistencias en serie, su circuito equ
ivalente es una resistencia de valor la suma de todas ellas. Considérese el circui
to de la figura 2.12a. La tensión que a arece en los terminales de salida A y B es
una fracción de la tensión vg. Por esta razón se denomina a este circuito divisor de
tensión. Cuando la corriente de salida or el terminal A es nula (io = 0), la tens
ión entre A y B uede calcularse de la siguiente forma: vo = iR2 = vg R1 + R2 R2 =
vg R2 R1 + R2 (2.7)
Obsérvese que el factor que multi lica a vg en la última ex resión es inferior a la un
idad. Existe en el mercado un com onente denominado resistencia variable cuyo símb
olo está incluido en la figura 2.12b. Consiste en una resistencia que tiene un ter
cer terminal que hace contacto en un unto intermedio de ella. Este unto de con
tacto uede des lazarse, a voluntad del usuario, desde un extremo al otro. Denom
inando R a la resistencia total entre los terminales a y c, la resistencia entr
e el terminal b y el c es xR , y la resistencia entre los terminales a y b es (1
-x)R . En estas ex resiones, x uede variar entre 0 y 1. El com ortamiento del c
ircuito de la figura 2.12b es idéntico al de la 2.12a sin más que tomar como R1 y R2
las resistencias (1-x)R y xR . Así, a artir de 2.7: vo = v g xR (1 − x ) Rp + xR
p = xvg (2.8)
Obsé vese que según la posición x del cu so , vo va ía ent e 0 y vg.
io = 0 A + vg – – B a) b) i R1 R2 + vo vg – c + Rp a (1 x)R p xR p io = 0 b
47
Fig. 2.12 a) Diviso de tensión. b) Resistencia va iable como diviso de tensión
Ejemplo 2.6 ¿Qué valo debe tene la esistencia R2 del ci cuito de la figu a 2.12a
pa a que vAB sea la mitad de vg? De acue do a la exp esión 2.7, se equie e que R2
= R1. Eje cicio 2.6 En el ci cuito de la figu a 2.12b el valo total de la esi
stencia va iable es de 10 kΩ. Si la resistencia entre b y c es de 2 kΩ, ¿cuál es el valo
r de la tensión entre b y c, si vg es 5 V?¿Y entre a y b? Solución: Vbc = 1 V; Vab = 4
V
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
2.6 Resistencias en aralelo. El divisor de corriente
Se dice que dos resistencias están conectadas en aralelo cuando las dos están conec
tadas entre los mismos nudos. En consecuencia, la tensión entre sus terminales es
la misma. En la figura 2.13a se re resentan dos resistencias conectadas en aral
elo. A licando análisis de nudos al circuito de la figura 2.13a, obtenemos: ig = 1
1 v v + = v + R1 R2 R1 R2 (2.9)
+ ig v – R1 R2 ig
+ v – R
a)
b)
Fig. 2.13 a) Conexión en aralelo de R1 y R2 . b) Resistencia equivalente
48
En el circuito de la figura 2.13b se re resenta el circuito equivalente de dos r
esistencias conectadas en aralelo, una resistencia de valor R . Analizando or
nudos este circuito, resulta: ig = v R
(2.10)
Identificando 2.9 con 2.10 resulta que la inversa de la resistencia equivalente
de dos resistencias conectadas en aralelo es la suma de las inversas de dichas
resistencias: 1 1 1 = + R R1 R2
(2.11)
Esta ex resión uede extenderse al caso de n resistencias en aralelo: la inversa
de la resistencia equivalente es la suma de las inversas de las resistencias. En
el caso de que hubiera sólo dos resistencias en aralelo, la ex resión 2.11 uede
resentarse de otra forma: R = R1 R2 R1 + R2
(2.12)
La resistencia equivalente es el roducto dividido or la suma de las dos resist
encias. Esta última ex resión no es generalizable al caso de más de dos resistencias e
n aralelo.
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
Ejem lo 2.7 Calcular la resistencia equivalente de: a) dos resistencias iguales
en aralelo; b) n resistencias iguales en aralelo. a) A licando 2.12, si R1 = R
2 = R , resulta R = R/2; b) A licando 2.11 resulta R = R / n
Ejercicio 2.7 Calcular el valor a roximado de la resistencia equivalente de dos
resistencias R1 y R2 en aralelo, si R2 es mucho mayor que R1. Solución: R ≈ R1
uito de la figura 2.13a se le denomina también divisor de corriente. La corriente
ig que llega al nudo se divide entre la que circula or R1 y la que circula or
R2. Esta última corriente, i2, será v/R2, y teniendo en cuenta 2.9 resulta: i2 = ig
R1 R1 + R2 (2.13)
que se uede enunciar diciendo que la corriente que circula or una rama es la c
orriente que entra al nudo, dividida or la suma de las resistencias de las dos
ramas, y multi licada or la resistencia de la otra rama.
49
Ejercicio 2.8 ¿Qué valor debe tener R2 en el divisor de corriente de la figura 2.13a
si se desea que la corriente que la atraviesa sea la décima arte de la que entra
al nudo? Solución: R2 = 9 R1
2.7 Reducción de circuitos resistivos
En el análisis de circuitos a arece con cierta frecuencia el roblema de hallar la
resistencia equivalente vista entre dos untos. La utilización de los conce tos d
e resistencia equivalente, serie y aralelo ermite resolver un gran número de cas
os, aunque hay que señalar que no siem re es osible. La consideración de dos ejem l
os uede ilustrar esta roblemática.
Ejem lo 2.8 Hallar la resistencia equivalente que "ve" la fuente de tensión vg de
la figura 2.14.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
R1 5Ω + vg – R2 10Ω
R3 5Ω
R5 5Ω
R4
10Ω
R6
5Ω
R eq
Fig. 2.14 Circuito del ejemplo 2.8
Empezando el análisis por la parte derecha del circuito, se observa que las resist
encias R6 y R5 están en serie. Equivalen a una resistencia de 10 Ω. Esta resistencia
equivalente está a su vez en paralelo con R4, agrupación que podemos sustituir por
una resistencia de 5 Ω. Y, de nuevo, esta resistencia equivalente está conectada en
serie con R3, con lo que se repite el proceso anterior. Procediendo de esta orm
a puede determinarse ácilmente que la resistencia que "ve" la uente vg es de 10 Ω.
Hay casos en los que no es posible reducir un circuito asociando las resistencias
serie y en paralelo y sustituyendo éstas por su resistencia equivalente. Un ejemp
lo es el circuito de la igura 2.16. En dicho circuito no hay ninguna resistenci
a en serie ni en paralelo. En la igura 2.15 se presentan algunas con iguracione
s típicas con resistencias.
50
R1 R3 R2
o
o
o
o
R2
R1
R3
o
o
o
o
a)
a)
b)
o
b)
o
R1
R1
R2
o
R3
o o
R2 R2 R2
o
o o
R3
c) c)
c)
Fig. 2.15 Algunas con iguraciones especiales de circuitos: a) Conexión en estrella
o en T. b) Conexión en triángulo o en π. c) Conexión en uente
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
Un método más general, ero que sólo se em lea cuando el rocedimiento anterior no ue
de a licarse, consiste en conectar entre los untos entre los que se desea calcu
lar la resistencia equivalente un generador "de rueba" vx. Calculando la corrie
nte que entrega este generador, ix, uede calcularse la resistencia equivalente
haciendo: v Req = x (2.14) ix Si se encierra todo el circuito conectado al gener
ador de rueba en una "caja negra", otro circuito consistente en una resistencia
Req daría la misma corriente ix que el rimero, y or tanto sería equivalente. Ejem
lo 2.9 Calcular la resistencia equivalente vista desde los terminales A y B de
la figura 2.16. Su oner las cinco resistencias de valor 1 Ω. En este circuito no s
e puede encontrar ninguna resistencia en serie ni en paralelo, y por tanto no se
puede proceder a la simpli icación del circuito como en el ejemplo anterior. En e
ste caso, se conectará el generador de prueba vx entre los terminales A y B y se c
alculará ix haciendo uso, por ejemplo, del método de nudos. Las ecuaciones son: 2v x
= ix + v2 + v3 v x = 3v2 − v3 v x = − v2 + 3v3 Resolviendo este sistema de ecuacion
es se encuent a que: ix = v x / 1 Ω Por tanto, la resistencia equivalente del circ
uito será: Req = vx =1 Ω ix
+ vx – R3 R4 v2 ix R1 R5 v3 R2 A v1
o
51
o
B Fig. 2.16 Circuito del ejemplo 2.9
Cuestiones C2.1
R1
Razonar, utilizando las leyes de Kirchho , si son correctos o no los circuitos
siguientes:
1A R1 R1 + + R1 V2
I2
I1
R1 2A
4A
I1
I1
V1
a)
b) Fig. C2.1
c)
d)
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
C2.2
C2.3 C2.4 C2.5 C2.6 C2.7 C2.8
La otencia media que disi a una resistencia cuando se le a lica una forma de on
da senoidal y una forma de onda triangular, de igual am litud, ¿es la misma? ¿Y si l
as señales tienen el mismo valor eficaz? Si la otencia máxima que uede disi ar una
resistencia es Pmax, ¿existe alguna restricción en cuanto a los valores máximos de te
nsión a licada y de corriente que uede circular or ella? ¿Puede ser negativa la o
tencia disi ada en un elemento resistivo? ¿Y or un generador? En un circuito se d
esea una resistencia de valor variable. Dibujar las dos osibles formas de monta
r dicha resistencia en el circuito. Justificar a artir del divisor de corriente
or qué al cortocircuitar una resistencia no asa corriente or ella. Demostrar q
ue la fórmula R1//R2=R1R2/(R1+R2) no es directamente extra olable a más de dos resis
tencias. Según los circuitos de la figura, ¿ or qué resistencia (Ra, Rb, Rc, Rd o Re)
asará más corriente? Su oner que todas las resistencias tienen el mismo valor óhmico.
Rd + V1 Ra V1 + Rb Rc V1 + Re
Fig. C2.8
52
C2.9 C2.10
C2.11
¿Es equivalente analizar un circuito a licando el método de nudos que a licando el mét
odo de mallas? ¿Cuántas ecuaciones a arecen al a licar la ley de Kirchhoff de corrie
ntes en un circuito con N nudos? ¿Cuántas tensiones de nudo hay que calcular? ¿Por qué s
e ueden sustituir las corrientes que circulan or las resistencias? ¿Cuáles son los
términos inde endientes? Los dos circuitos equivalentes de la figura, ¿ roducen la
misma disi ación de otencia en la resistencia de carga RL?
R Th + VTh RL IN RN RL
a) Fig. C2.11
b)
C2.12
Indicar algún motivo or el que, en algunas a licaciones, las resistencias comerci
ales no uedan llegar a modelarse or resistencias ideales.
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
Problemas P2.1 Hallar el valor de la resistencia ara cada una de las característi
cas i-v de la figura P2.1.
C i (A) 3 7 v (V) 12 a) Fig. P2.1 0,5 b) Fig. P2.3 v (V) 5V 5 kΩ B i (mA) + 1 kΩ A
P2.2
P2.3
P2.4
La tensión
entre los
terminales de un elemento
resistivo viene dada por
5sn(ω
), y l
a corrien e que
la a raviesa por 15 sen(ω ). a) ¿Cuál es
el
valor de es e elemen
o? b)
¿Cuál es la po encia media
que disipa? Hallar la carac erís ica i v en el circui o de
la figura
P2.3
desde los erminales A B,
y desde C A.
¿Es
la misma? En conclusión, ¿l
a carac
erís ica i
v depende
de qué pun os del
circui
o se oma? En la
figura P2.4b
se mues
ra la carac
erís ica i v del disposi
ivo ac
ivo. Se pide:
a) Ob ener
un
ci
rcui o equivalen
e sencillo
para el disposi ivo ac ivo. b) Ob
ener la carac erís i
ca i v
del circui o resis
ivo.
c) ¿Cuál sería el valor
de la ensión
y de
la corrien e a
la
en rada del disposi ivo ac ivo si
se le
conec ara el circui
o resis ivo? d)
Ob ener en las condiciones del apar ado an erior el valor de la ensión de salida
Vo.
i (A)
53
i + disposi ivo ac ivo v – a) –2
1/4 Ω + v (V) 6 1Ω 1/4 Ω
V0
–
b) Figura P2.4 P2.4 Fig.
circuito resistivo c)
P2.5 P2.6 P2.7 P2.8
Si una resistencia disipa 1 W de potencia cuando circula por ella una corriente
de 10 mA, ¿qué tensión cae entre sus terminales? ¿Cuál es el valor óhmico de dicha resisten
ia? ¿Cuál debe ser el valor de x del cursor del potenciómetro para que la resistencia
R de la igura P2.6 disipe 36 mW de potencia? En el circuito de la igura P2.7,
calcular el valor de la potencia entregada (o recibida) por cada uno de los dos
generadores. Escribir las ecuaciones resultantes de aplicar las leyes de Kirchho
en los siguientes circuitos:
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
R1 + V1 V1 +
R1 + R2 V1
R1
R2
I1
a) R1 + V1 R2 I1 R3
b) R2 + V1 R1
c)
+ R3 V2
d)
e)
Fig. P2.8
P2.9
Hallar vx or el método de nudos y ix or el de mallas.
8V + 5 mA
54
a)
b) ix + 10 kΩ + vx – 20 kΩ 6 kΩ 10 mA 5 kΩ ix 5 kΩ + 6 kΩ vx – 20 kΩ
10 V
c) + 10 V
2 kΩ
1 kΩ d) + 6 kΩ 10 V ix + vx – 5 kΩ 20 kΩ 5 mA
8 kΩ ix + vx –
5 mA
10 kΩ
4 kΩ
Fig. P2.9
P2.10
Calcular ix en el circuito de la igura P2.10 empleando técnicas de reducción de res
istencias y divisores de corriente.
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π
CIRCUITOS RESISTIVOS
R
R
R
io
100 Ω
i3
I1
2R
2R
2R
ix
R
200 Ω
400 Ω
1 kΩ
Fig. P2.10 FiguraP2.10
Fig. P2.11 FiguraP2.11
P2.11 P2.12
Encontrar el valor de io en el circuito de la igura P2.11 sabiendo que i3 = 5 m
A. ¿Cuál ha de ser el valor de la alimentación Vcc para que con los valores de las res
istencias existentes en el circuito de la igura P2.12, Vo sea de 2 V?
5 kΩ + Vcc + V0 –
20 kΩ + 10 kΩ Va
1 kΩ V1 2 kΩ
Rx + + R1 vp –
R2
R
3
Fig. P2.12 Figura P2.12
Fig. P2.13 Figura P2.13
Fig. P2.14 Figura P2.14
P2.13
P2.14 P2.15
Siendo 1 W la potencia máxima que pueden disipar cada una de las resistencias ¿cuál pu
ede ser el valor máximo de la tensión Va aplicable al circuito de la igura P2.13 pa
ra no exceder la limitación de potencia de ninguna de las resistencias? En el circ
uito de la igura P2.14, hallar el valor de Rx si R1, R2 y R3 son conocidos y si
se cumple que vp = 0. Hallar la resistencia equivalente de los siguientes circu
itos resistivos:
100 Ω 10 Ω
55
1 MΩ
20 kΩ
30 Ω
10
Ω
12 Ω
6Ω
R eq
a) 50 Ω
R eq
6Ω
b)
150 Ω 60 Ω 200 Ω 200 Ω 1Ω 10 Ω
1Ω
2Ω
2Ω
R eq
c)
Fig. P2.15
R eq
d)
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
P2.16
P2.17
Dado el circuito de la figura P2.16, se ide: a) Calcular la resistencia equival
ente en A-A
. b) Calcular i2(Vo) y re resentarla gráficamente. c) Calcular v1(V0)
y re resentarla gráficamente. d) Potencia entregada or el generador de tensión Vo.
e) Potencia disi ada en R1. f) Calcular Ro ara que la otencia disi ada en R1 s
ea máxima. Encontrar los valores de R1 y R2 que forman la red de ada tación ara que
se cum lan las relaciones de resistencias vistas desde el generador y la carga
de la figura P2.17.
A Ro 300 Ω R1 + v1 – 2 R1
+ Vo
R1 2 R1 2 R1 i2 V1
+ R2 50 Ω
generador 300 Ω
A' Fig. P2.16 FiguraP2.16
red de adaptación Fig. P2.17 Figura P2.17
carga 50 Ω
P2.18 P2.19
56
P2.20
Calcular la resistencia equivalente del circuito de la igura P2.18 (3 grupos en
serie de 3 resistencias en paralelo cada uno). Calcular la resistencia equivale
nte del circuito de la igura P2.19 (3 grupos en paralelo de 3 resistencias en s
erie cada uno). Encontrar los valores de las resistencias ra, rb y rc de la red
en T en unción de RA, RB y RC de la red en π, de forma que ambas configuraciones se
an equivalentes desde los terminales 1-2 y 3-4.
R 11 R 11 R 12 R 13 R 21 R 22 R 23 FiguraP2.18 Fig. P2.18 RB 1 RA 2 RC 4 2 3 1 r
b rc R 31 R 12 R 32 R 13 R 33
R 21
R 31
R 22
R 32
R 23
R 33
Figura P2.19 Fig. P2.19 ra 3
4
Fig. P2.20 Figura P2.20
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Ca ítulo 3 Circuitos lineales
3.1 Linealidad y su er osición
En los dis ositivos y circuitos electrónicos se dan de endencias funcionales de un
as variables (corrientes y tensiones) res ecto a otras. Así, or ejem lo, la caída d
e tensión en una resistencia es función de la corriente que la atraviesa; la corrien
te en un transistor es función de las tensiones a licadas a sus terminales; la ten
sión en un nudo de un circuito es función de las fuentes o generadores inde endiente
s del circuito. Las características de estas funciones son similares a las de otra
s funciones que a arecen en áreas de conocimiento tan alejadas de la electrónica com
o la economía o la sicología. Por esta razón el estudio de las funciones se realiza d
e una forma inde endiente de su área de a licación. En este texto daremos una breve
descri ción matemática de la definición de linealidad de una función, y osteriormente "
traduciremos" su significado al ámbito es ecífico de los circuitos electrónicos. La li
nealidad es una ro iedad matemática que oseen algunas funciones. Esta ro iedad
suele estudiarse dentro del contexto del álgebra lineal. En este contexto, se dice
que una a licación de un es acio vectorial E en otro F es lineal si cum le la sig
uiente ro iedad: r r r r f (k1 .u1 + k2 .u2 ) = k1 . f (u1 ) + k2 . f (u2 ) (3.
1) r en donde u son elementos del es acio vectorial E, y k son constantes arbitr
arias. Esta definición ermite unificar el tratamiento de entes tan diversos como
funciones de una o varias variables, de o eraciones como la derivación y la integr
ación, y de ecuaciones diferenciales entre otros. Se remite al lector interesado e
n rofundizar sobre este tema a algún texto básico de álgebra lineal. Una ro iedad qu
e resentan las a licaciones lineales es la su er osición. Consideremos un r vecto
r u a . Este vector, erteneciente al es acio vectorial E de dimensión n, uede ex
resarse de la siguiente forma: r r r r ua = ua1 + ua 2 + .... + uan (3.2) r en
donde cada vector u ai tiene todas sus com onentes nulas exce to la com onente i
: r r r r uai = 0.i1 + .... + uai .ii + .... + 0.in
57
(3.3)
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
r siendo i j el vector j-ésimo de la base del es acio vectorial E. A licando la r
o iedad de linealidad 3.1 resulta: r r r r r r r f (ua ) = f (ua1 + ua 2 + ... +
uan ) = f (ua1 ) + f (ua 2 ) + ... + f (uan ) (3.4) r Obsérvese que f(u ai ) es e
l valor que toma la a licación ara un vector que tiene todas sus com onentes nula
s exce to la i-ésima. En consecuencia, la ex resión 3.4 ex resa el rinci io de su e
r osición: el valor de la a licación ara un vector arbitrario uede obtenerse suman
do los n valores que se obtendrían ara vectores que tuvieran todas las com onente
s nulas exce to una de ellas. La "traducción" de esta definición matemática al context
o de circuitos electrónicos es sim le. Su ongamos, inicialmente, una función de una
sola variable inde endiente. En este caso el es acio vectorial es unidimensional
y la definición 3.1 se convierte en: f (k1 . x1 + k2 . x 2 ) = k1 . f ( x1 ) + k2
. f ( x 2 ) donde x es la variable inde endiente. Ejem lo 3.1 ¿Es lineal la oten
cia disi ada or una resistencia en función de la intensidad que circula or ella?
¿Y la caída de tensión entre sus terminales en función de su intensidad? La otencia di
si ada viene dada or:
58
(3.5)
PR (i ) = i 2 . R Esta función es no lineal uesto que no cum le 3.5:
2 PR (k1 .i1 + k2 .i2 ) = (k1 .i1 + k2 .i2 ) 2 . R ≠ k1 .PR (i1 ) + k2 .PR (i2 ) =
k1 .i12 . R + k2 .i2 . R
En cambio, la función caída de tensión en una resistencia en función de la corriente en
ella: VR (i ) = R.i sí que es una función lineal ya que cum le 3.5: VR (k1 .i1 + k2
.i2 ) = ( k1 .i1 + k2 .i2 ). R = k1 .i1 . R + k2 .i2 . R = k1 .VR (i1 ) + k2 .VR
(i2 ) Ejercicio 3.1 El diodo es un dis ositivo de dos terminales cuya corriente
es función de la tensión a licada a sus terminales: iD = Is .(e v / VT − 1) en donde
Is y VT son constantes. ¿Es lineal la co iente en el diodo especto a la tensión ap
licada a sus te minales? Solución: No es lineal.
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π
CIRCUITOS LINEALES
Consideremos ahora el caso de una función de dos o más variables inde endientes: f (
x, y,..., z ) Esta función uede ex resarse en forma vectorial definiendo una bas
e de vectores constituida or cada una de las variables inde endientes, en la cu
al las com onentes de un vector u son los valores articulares que toman sus var
iables inde endientes: u1 = ( x1 , y1 ,..., z1 ) u2 = ( x 2 , y2 ,..., z2 ) (3.6
)
Para com robar la linealidad de la función f debe cum lirse 3.1. Las com onentes d
el vector r r r u = k1 .u1 + k2 .u2 , serán: u = [(k1 . x1 + k2 . x 2 ), (k1 . y1
+ k2 . y2 ),..., (k1 .z1 + k2 .z2 )] y deberá cum lirse: r r r f (u ) = k1 . f (u1
) + k2 . f (u2 ) (3.8) (3.7)
Ejem lo 3.2
R1
59
+ + vg – – ig R2 vo
En el circuito de la figura 3.1 hállese la relación funcional entre vo y las fuentes
inde endientes vg e ig. ¿Es lineal esta función? A licando análisis de nudos: ig + v
g − vo R1
Fig. 3.1 Ci cuito ejemplo 3.2
v =o R2 vo = v g . R2 R .R + ig . 1 2 R1 + R2 R1 + R2
y despejando vo :
Obsé vese que pa a cada pa de valo es de vg y de ig existe un valo de vo. Po es
to, puede con side a se que vo es función de un vecto u cuyas componentes son (v
g , ig). Esta función se á lineal si: vo (k1 .u1 + k2 .u2 ) = k1 .vo (u1 ) +
k2 .vo (u2 ) donde u1 = (vg1, ig1 ) y u2 = (vg2 , ig2 ) . Como: k1u1 +
k2 u2 = (k1vg1 + k2 vg 2 , k1ig1 + k2 ig 2 )
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
O erando resulta: r r vo (k1 .u1 + k2 .u2 ) = y or tanto: r r R2 R .R R2 R .R +
ig 2 . 1 2 vo (k1 .u1 + k2 .u2 ) = k1 . vg1 . + ig1 . 1 2 + k2 . vg 2 . R1 + R2 R1
+ R2 R1 + R2 R1 + R2 con lo cual se cum le la relación de linealidad. Ejercicio 3.
2 En un transistor MOS la corriente de drenador, en una determinada forma de o e
ración, es función de la tensión vgs y de la tensión vds, según la siguiente ex resión: v
ds = K . (vgs − VT ).vds − ds 2 ¿Es lineal la co iente del MOS especto a las tension
vgs y vds? Solución: La co iente de d enado no es función lineal de las tensiones
vgs y vds.
60
R2 R .R .( k1 .vg1 + k2 .vg 2 ) + 1 2 .(k1 .ig1 + k2 .ig 2 ) R1 + R2 R1 + R2
Eje cicio 3.3
R
+ vg
1
+ vg 2
R
+ vo
Halla vo en el ci cuito de la figu a 3.2 e indica si es lineal. Solución vo = 1
.(vg1 + vg 2 ) 2
–
– –
Fig. 3.2 Ci cuito eje cicio 3.3
Es, po tanto, un ci cuito lineal.
La t aducción de la p opiedad de supe posición fo mulada en 3.4 pa a funciones de va
ias va iables toma á, en este caso, la siguiente fo ma: f ( x a , ya ,..., za ) =
f ( x a , 0,...0) + f (0, ya ,...0) + ... + f (0, 0,..., za ) (3.9)
es deci , el valo de la función pa a un conjunto de valo es de las va iables inde
pendientes puede obtene se como la suma de los p oducidos po cada una de las va
iables, siendo nulas las ot as va iables independientes. La tensión en un nudo o
la co iente en una ama de un ci cuito que sólo contenga esistencias lineales y
fuentes independientes ideales de tensión o co iente viene dada po una función lin
eal de
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π
CIRCUITOS LINEALES
dichos generadores. Es decir, cada generador es una variable inde endiente de la
función. Se suele decir entonces que son circuitos lineales. En los róximos ca ítulo
s se estudiarán nuevos com onentes, algunos de los cuales son lineales, como las f
uentes de endientes lineales, los condensadores y las bobinas, mientras que otro
s no lo son, como es el caso del diodo. Los circuitos constituidos or com onent
es lineales y fuentes inde endientes ideales son lineales (en el sentido de que
sus corrientes y tensiones son función lineal de las fuentes inde endientes). Al a
rgumento de la función se le suele denominar entrada o excitación del circuito, y a
la función a calcular salida o res uesta.
3.2 Cálculo de un circuito or el método de su er osición
Como se ha justificado en el a artado anterior, las tensiones en los nudos y las
corrientes en las ramas de un circuito lineal son una función lineal de los gener
adores inde endientes. Al ser una función lineal cum le la ro iedad de su er osic
ión: la salida corres ondiente a la acción simultánea de n entradas inde endientes ue
de obtenerse sumando las salidas roducidas or cada una de las entradas siendo
nulas las otras. La a licación de este rinci io ermite resolver un circuito line
al or el método de su er osición, que consiste en a licar el siguiente rocedimient
o: 1. 2. 3. 4. Se anulan todas las fuentes inde endientes exce to la fuente j. S
e calcula la salida roducida or la fuente j. Se re iten los asos 1 y 2 ara e
l resto de fuentes inde endientes. La salida del circuito com leto se obtiene su
mando las salidas roducidas or cada una de las fuentes or se arado.
61
Para anular una fuente de tensión ideal hay que sustituirla or un cortocircuito (
ya que de esta forma se asegura que entre sus terminales haya una tensión nula sin
im oner ninguna restricción a la corriente que la atraviesa). Para anular una fue
nte de corriente ideal hay que sustituirla or un circuito abierto, ya que así se
asegura que la intensidad que la atraviesa sea nula, sin im oner restricciones a
la tensión entre sus terminales. Ejem lo 3.3 Calcular vo en el circuito del ejem
lo 3.2 mediante su er osición. En este circuito el vector u tiene dimensión dos. Las
com onentes de este vector son vg e ig. Para analizar el circuito or su er osi
ción debe calcularse vo1, salida roducida or vg siendo nula ig, y vo2, roducida
or ig con vg nula. En la figura 3.3 se re resentan los circuitos ara el cálculo
de vo1 y de vo2.
R1 + R1 +
+ vg –
o o
a)
o
R2 vo 1 ig
R2
vo 2 –
o
– b) Fig. 3.3 Circuitos ara el cálculo de a) vo1 y b) vo2
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
vo1 = vg .
R2 R1 + R2 R1 R2 R1 + R2
vo 2 = ig .
donde la rimera ex resión ha sido hallada or divisor de tensión y la segunda media
nte aralelo de resistencias. Por tanto: vo = vo1 + vo2 que, o erando, conduce a
l mismo resultado obtenido en el ejem lo 3.2.
Ejercicio 3.4 Resolver el ejercicio 3.3 a licando el método de su er osición.
3.3 Circuitos equivalentes de Thévenin y de Norton
La a licación del rinci io de su er osición a un circuito lineal con varias excitac
iones facilita la obtención de circuitos equivalentes sim les constituidos or una
resistencia en serie con una fuente inde endiente de tensión (Thévenin) o una resis
tencia en aralelo con una fuente inde endiente de corriente (Norton). Considérese
la figura 3.4a, que muestra una "caja negra" que contiene un circuito lineal, d
el que a arecen al exterior dos terminales A y B. Se trata de encontrar un circu
ito equivalente al encerrado en la "caja negra" y que sea lo más sim le osible. T
al como se estableció en el ca ítulo anterior, será equivalente cualquier circuito que
resente entre A y B la misma característica i-v. Para encontrar esta característic
a i-v se conecta a la salida una fuente inde endiente de tensión v, y se calcula l
a corriente i que sale del circuito, su oniendo que éste contiene n fuentes inde e
ndientes de tensión y m fuentes inde endientes de corriente, tal como se indica en
la figura 3.4b. Debido al carácter lineal del circuito, la corriente será una combi
nación lineal (su er osición) de las n+m+1 fuentes inde endientes del circuito: i =
a1 .v1 + a2 .v2 + ... + an .vn + b1 .i1 + ... + bm .im + c.v (3.10)
62
donde ai, bj y c son constantes. Cuando se anula el generador inde endiente v, l
a corriente que circula entre A y B se la denomina corriente de cortocircuito ic
c, ya que anular una fuente de tensión significa sustituirla or un cortocircuito.
De acuerdo con 3.10 esta corriente contendrá todos los términos exce to el último: ic
c = a1 .v1 + a2 .v2 + ... + bm .im Así ues, la ex resión 3.10 odrá escribirse como:
i = icc + c.v (3.12) (3.11)
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π
CIRCUITOS LINEALES
i
i
oA
Circuito lineal Circuito lineal con: n fuentes inde . de tensión m fuentes inde .
de corriente
o
A + v B –
oB
a) b) Fig. 3.4 Circuito lineal "encerrado en una caja negra"
o
Para encontrar un circuito equivalente al considerado en 3.4a, debe buscarse un
circuito que, "encerrado en una caja negra" como el anterior, con dos terminales
externos A y B entre los que se conecte una fuente de tensión v, roduzca una cor
riente i igual que la dada or 3.12. En la figura 3.5 se muestran los dos circui
tos más sim les que cum len esta ro iedad: el equivalente Thévenin (3.5a) y el equi
valente Norton (3.5b). Para el equivalente Thévenin: i= vth − v vth 1 = − .v Rth Rth R
th (3.13)
63
que es idéntica a la exp esión 3.12 sin más que hace icc = vth/Rth y c = 1/Rth. Pa a
el equivalente de No ton: i = in − v Rn (3.14)
exp esión también idéntica a 3.12 si se hace icc = in y c = 1/Rn.
i R th + vth – – v in Rn v + i
oA
+
oA
oB
b)
–
oB
a) Fig. 3.5 a) Ci cuito Thévenin
b) Ci cuito No ton
Las exp esiones 3.12, 3.13 y 3.14 ponen de manifiesto la equivalencia ent e los
ci cuitos conside ados. Sin emba go, existe un p ocedimiento más simple que el ind
icado pa a calcula los pa á
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
metros vth, Rth, in, Rn. Como un circuito y su equivalente tienen la misma carac
terística i-v, deben tener el mismo com ortamiento ara cualquier valor de i y de
v. En articular, cuando entre los terminales de salida hay un circuito abierto
(i = 0), la tensión entre terminales debe ser la misma. En el circuito Thévenin esta
tensión es vth, or lo que el circuito encerrado en la caja negra también debe res
entar esta tensión. Análogamente, si se cortocircuitaran los terminales de salida (v
= 0), el análisis del circuito Norton muestra que la corriente que circularía or e
l cortocircuito sería in, (si circulara corriente a través de Rn la tensión entre los
terminales de salida no sería nula como exige la resencia del cortocircuito), e i
déntica corriente debería circular or los terminales A y B cortocircuitados del cir
cuito considerado. La ex resión 3.10 muestra que si se anulasen todas las fuentes
internas y sólo se mantuviese el generador externo v, la corriente sería i = c.v. A
licando el mismo rinci io a los circuitos Thévenin y Norton, las ecuaciones 3.13
y 3.14 muestran que i = -v/Rth y i = -v/Rn. Como la corriente debe ser la misma
en los tres casos, es obvio que Rth = Rn = -1/c. La forma ráctica de hallar esta
resistencia consiste en realizar el siguiente rocedimiento: 1. 2. 3. 4. Se cone
cta entre los terminales de salida una fuente inde endiente de tensión vx. Se anul
an todas las fuentes inde endientes internas ( ara anular icc en 3.12). Se calcu
la la corriente ix que la fuente vx introduce al circuito. Se calcula la resiste
ncia haciendo: Rth = Rn =
64
vx ix
(3.15)
Ejem lo 3.4
a R1 + vg b R2
Calcular los circuitos equivalentes Thévenin y Norton del circuito de la figura 3.
6. Para calcular el circuito equivalente Thévenin debe hallarse la tensión entre los
terminales a y b en circuito abierto. La corriente que circulará or la malla en
estas condiciones será vg/(R1+R2), y la tensión entre a y b: vth = vg . R2 R1 + R2 (
3.16)
Fig. 3.6 Circuito del ejem lo 3.4
Por otra arte, ara calcular la resistencia Rth se conecta una fuente de tensión
"externa", vx, se anula la fuente inde endiente vg, y se calcula la corriente ix
(figura 3.7). Esta corriente será: ix = vx vx 1 1 + = v x .( + ) R2 R1 R1 R2
y or tanto:
i R .R 1 1 1 =x= + ⇉ Rth = 1 2 Rth v x R1 R2 R1 + R2
(3.17)
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π
CIRCUITOS LINEALES
Para calcular el equivalente Norton se cortocircuitan a y b. La corriente que a
sará or el cortocircuito será: in = icc = vg R1
ix
o
R1
o
R2
+ vx –
o o
y la resistencia Rn será la misma que Rth. Estos valores de vth, Rth, in y Rn son
los que hay que dar a los com onentes de los circuitos de la figura 3.5 ara que
sean equivalentes al circuito de la figura 3.6.
Fig. 3.7 Circuito ara el cálculo de Rth del ejem lo 3.4
2Ω
2Ω A
Ejercicio 3.5 Calcular los circuitos equivalentes de Thévenin y Norton del circuit
o de la igura 3.8, respecto a los terminales A y B. Solución: vth = 10/3 V, Rth =
2 Ω; in = 5/3 A, Rn = 2 Ω.
10 V
2Ω
6Ω
B Fig. 3.8 Circuito ejercicio 3.5
65
3.4 Trans erencia de señal
Muchos circuitos electrónicos actúan como " uente" para trans erir una señal a una "ca
rga". Algunos ejemplos pueden ilustrar este concepto. Un ampli icador de audio e
ntrega una señal eléctrica que contiene la in ormación de sonido al altavoz, el cual a
ctúa como carga. Un micró ono convierte las ondas acústicas en señales eléctricas y actúa c
mo uente de señal para el ampli icador, el cual actúa ahora como carga. Un cristal
piezoeléctrico entrega una señal eléctrica a un ampli icador que es proporcional a la
presión a la que se somete el cristal. Se suele denominar uente al circuito que e
ntrega la señal, y carga al que la recibe. Con recuencia el iL circuito uente se
representa por su equivalente Thévenin o Noro ton, y la carga por una resistencia
. + Rg Este conjunto uente-carga se + representa en la igura 3.9. RL vg vL En
un circuito de este tipo interesa, en general, trans erir la – máxima señal posible. A
veces, – trans erir la máxima señal signio ica conseguir que la corriente en la carg
a sea máxima, otras veces Fig. 3.9 Acoplamiento uente de señal - carga
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
lo que debe ser máximo es la tensión que se a lica a la carga, y en otros casos lo q
ue hay que hacer máximo es la otencia que la fuente entrega a la carga. Se estudi
ará a continuación la transferencia de tensión, de corriente y de otencia desde la fu
ente a la carga en el circuito de la figura 3.9, su oniendo la resistencia Rg de
la fuente fija, y la resistencia RL de la carga variable. La tensión y la corrien
te en la carga vienen dadas or: v L = vg . RL RL + Rg Rg Rg Rg + RL (3.18)
iL =
vg Rg + RL
=
vg
Rg Rg + RL
.
= ig .
(3.19)
En la última ex resión, ig es el valor de la fuente de intensidad del equivalente No
rton del circuito fuente. La otencia transferida a la carga será: L = v L .iL =
vg . RL RL 1 2 .vg . = vg . Rg + RL Rg + RL ( Rg + RL ) 2
(3.20)
66
Esta última ex resión resenta un máximo cuando RL = Rg, como uede com robarse deriva
ndo L res ecto a RL e igualando a cero. Este valor máximo es vg2/(4.Rg). En la fi
gura 3.10 se re resentan las variaciones de vL, iL, y L con RL. Si la a licación
concreta requiere hacer máxima la tensión entregada a la carga, convendrá hacer RL >>
Rg. Si lo que conviene es maximizar la corriente IL, entonces habrá que hacer RL <
< Rg. Y si lo que interesa es transferir la máxima otencia a la carga, entonces d
ebe hacerse RL = Rg.
1 vL / vg / 1/2 iL / i g
L
max
Rg
RL
Fig. 3.10 Variación de iL, vL y L en función de RL manteniendo Rg constante
La discusión anterior se ha basado en la hi ótesis de que Rg era fija y RL variable.
Podría hacerse una discusión similar si RL fuera fija y Rg variable, encontrándose lo
s requisitos que debería cum lir Rg ara conseguir la máxima transferencia de señal. P
ero hay situaciones en las que ambas resistencias son fijas, es decir, nos viene
n dadas. En estos casos ara conseguir la máxima transferencia de señal hay que util
izar un circuito de aco lamiento o ada tación entre la fuente y la carga, de la fo
rma
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π
CIRCUITOS LINEALES
indicada en la figura 3.11. La realización de estos circuitos de aco lamiento será i
lustrada en ca ítulos osteriores.
Fuente de señal
Circuito de aco lamiento
Carga
Fig. 3.11 Circuito de aco lamiento entre fuente y carga ara conseguir la máxima t
ransferencia de señal.
Cuestiones C3.1 C3.2 C3.3 Según las definiciones dadas en el a artado 3.1, ¿son las
fuentes inde endientes ideales de tensión y de corriente elementos lineales? ¿Son li
neales los circuitos que las contienen?. En general, un circuito com uesto or c
om onentes lineales es lineal. ¿Es ésta una condición necesaria y suficiente o sólo sufi
ciente? Razonar la res uesta. En un circuito que contiene elementos no lineales:
a) ¿Podemos a licar las leyes de Kirchhoff? b) ¿Podemos a licar su er osición? c) ¿Pode
mos extraer los circuitos equivalentes de Thévenin y Norton? Si la relación entre la
s variables i y v viene descrita or la siguiente característica, ¿se uede decir qu
e el dis ositivo es lineal?
i
C3.4
67
v
Fig. C3.4
C3.5 C3.6 C3.7
C3.8
¿Se odría trabajar con el circuito descrito or la característica i-v, dada en la cue
stión anterior, como si fuera lineal? ¿Cómo? ¿Si la tensión de Thévenin es nula, significa
ue el circuito no tiene fuentes inde endientes? En una fuente de tensión real la t
ensión disminuye al aumentar la corriente. ¿Cómo odría modelarse? Dadas 2 fuentes inde
endientes de tensión reales conectadas en aralelo, ¿cuál es el equivalente de Thévenin
del conjunto en función de los elementos que la com onen? ¿Qué ocurriría si las fuentes
fuesen ideales? ¿Cuál es el equivalente de Thévenin de una fuente de tensión ideal en a
ralelo con una resistencia? ¿Cuál es el equivalente de Norton de una fuente de corri
ente en serie con una resistencia? ¿Se uede rescindir de dichas resistencias en
el análisis de los circuitos que las contienen?
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
C3.9
C3.10
C3.11
¿Cuál es el equivalente de Thévenin de una fuente inde endiente ideal de tensión? ¿Y el eq
uivalente de Norton de una fuente inde endiente ideal de corriente? ¿Qué indetermina
ción se roduce al intentar calcular el equivalente de Thévenin de una fuente de cor
riente o el de Norton de una fuente de tensión? Si dos circuitos tienen el mismo c
ircuito equivalente, ¿cuál de las siguientes afirmaciones es válida? a) Son iguales y
se com ortan igual. b) Son distintos y se com ortan igual. c) Son distintos y no
se com ortan igual. d) Se com ortan igual. Un circuito está cargado con una resis
tencia RL tal que ermite la máxima transferencia de otencia. ¿Se uede conseguir máx
ima transferencia de corriente y de tensión con la misma resistencia de carga?
Problemas P3.1 Demostrar la linealidad o la alinealidad de las funciones que se
definen a continuación: a) I (V ) = V 2 + bV + c c) I ( I1 , Vo ) = a( I1 + bVo )
e ) i (t ) =
68
b) V (V1 , I2 ) = aV1 + bI2 + c d ) i(t ) = C dv(t ) dt I1 I2 2
1 ∫ v(t )dt L
f ) V ( I1 , I2 , V1 ) = 2V1 +
P3.2 P3.3
Se sabe que: V(2) = 8, V(3) = 10 y V(5) = 14. Para demostrar que V(I) es lineal
se ha obtenido V(10) y ha resultado 34. ¿Se uede deducir que V(I) es lineal? ¿Por q
ué? Calcular el equivalente de Thévenin del circuito P3.3. A artir de los valores e
ncontrados deducir el equivalente de Norton.
R2 + + R1 R3
R1
R3
o
V1
+ R2
o
R1 R2 V1 R1
o
V1
Vo –
o
Fig. P3.3 Figura P3.3 a)
o
Figura P3.4 Fig. P3.4 b)
o
P3.4 P3.5
¿Son equivalentes entre sí los circuitos de las figuras P3.4 a y b? Calcular la tens
ión Vo y la corriente Ia del circuito de la figura P3.5, a licando el rinci io de
su er osición.
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π
CIRCUITOS LINEALES
Ro + V1 R1 Ia R1 I1 R V1 +
o
R RL
o
Io Ro Ro
+
I1
R
Vo
o
o
Figura P3.5 Fig. P3.5
– Figura P3.6 Fig. P3.6
P3.6
P3.7
Dibujar el circuito equivalente de Thévenin ara la red de la figura P3.6, visto d
esde los terminales de RL. Además, calcular la tensión en RL cuando se conecta al ci
rcuito y la máxima otencia que uede transferirse a la misma (teniendo en cuenta
que RL es variable). Calcular el equivalente de Thévenin de cada uno de los circui
tos de la figura P3.7, visto desde los terminales A-B.
100 Ω
oA
100 Ω +
oA
+ 10V 200 Ω 5V 4V +
300
Ω + V1
R1
R1
oA
2R 1 I1 R1
69
oB
Fig. P3.7 Figura P3.7
oB
oB
P3.8
Calcular el equivalente de Thévenin y de Norton de los circuitos de la igura P3.8
.
o
R1 + V1 I2 R2 R1 R2 + R3 V1 R4
o
o
Figura P3.8 Fig. P3.8
o
P3.9 P3.10
Hallar la tensión Vx en el circuito de la igura P3.9 aplicando el principio de su
perposición. Hallar los equivalentes de Thévenin y Norton a partir de las característi
cas I-V representadas en la igura P3.10.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
R1 + V1 R2 Vx – Fig. P3.9 Figura P3.9 a) I + I1
R3 + V2 Ia
R1
Va +
R1
o
+ 2 R1 R1 Vo
2 R1
o
Fig. P3.13 Figura P3.13 b) I 3A 2 mA V 3V 1V Figura P3.10 Fig. P3.10 V 3V c) I d
)
–
I
1A V 5V V 8 mA
P3.11
Calcular la otencia disi ada en la resistencia RL cuando la caja A se sustituye
or los circuitos a), b) y c) de la figura P3.11.
R1
70
Va
+ A RL
R1 R1
R1 R1
R1 R1
a)
b) Figura P3.11 Fig. P3.11
c)
P3.12 P3.13 P3.14 P3.15
Dado el circuito de la figura 2.7 del ca ítulo 2, calcular V em leando su er osic
ión. Com arar la com lejidad de la resolución frente al método de mallas. Encontrar el
equivalente de Thévenin del circuito de la figura P3.13 visto desde los terminale
s de Vo. Se recomienda a licar su er osición y conversiones Thévenin-Norton. Calcula
r el equivalente de Thévenin del circuito de la figura P3.14 visto desde los termi
nales de Vo. ¿Qué relación han de cum lir las resistencias ara que la tensión Vo sea 0?
Dado el circuito de la figura P3.15: a) ¿Cuánto ha de valer RL ara que la otencia
disi ada PL sea máxima? ¿Cuánto vale PLmax? b) ¿Cuánto ha de valer RL ara que PL = 2/3PL
ax ? c) ¿Es razonabl qu l apartado antrior tnga dos rsultados válidos? Dibujar
PL n función d RL para justificarlo.
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π
CIRCUITOS LINEALES
R1 Va +
R2 1A – R4
2Ω + 1Ω
o
o Vo o
R3
IL RL
VL
o
Fig. P3.14 Figura P3.14 Fig. Figura P3.15P3.15
–
P3.16
El potenciómetro del circuito de la igura P3.16 es la resistencia de carga del ci
rcuito. Se pide: a) Calcular el equivalente de Thévenin visto desde los terminales
A-A'. b) Dibujar la grá ica iL(RL) siendo RL la racción de la resistencia del pote
nciómetro que no está cortocircuitada. c) ¿Para qué valor de RL se obtiene la máxima trans
erencia de corriente, iL? d) Si se desea máxima potencia disipada en RL, ¿cuál debe s
er su valor?
R 5 kΩ A 4 – R2
o
IL 5 kΩ + 10 V 2 mA 10 kΩ 5 kΩ Vs +
+ R1
Vx
A RL B
R3 Ix Figura P3.17 Fig. P3.17
o
Figura P3.16P3.16 Fig. A'
71
P3.17 P3.18
Calcular vx e ix en el circuito de la igura P3.17 por el método más adecuado, y los
equivalentes de Thévenin y Norton vistos desde los terminales A-B. Se dispone de
un generador de señal que proporciona 30 V y tiene una resistencia interna de 10 Ω.
Se quiere alimentar con él una carga de valor 75 Ω en cuyos bornes debe haber una di
erencia de potencial de 10 V. Para ello se ha de utilizar un circuito de adapta
ción entre el generador y la carga, con dos posibles con iguraciones. Se pide el v
alor de R1 para cada uno de ellos.
10 Ω R1 + 10 V – a) 75 Ω 30 V R1 10 Ω + 10 V – b) 75 Ω
30 V
Figura P3.18 Fig. P3.18
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Capítulo 4 Fuentes dependientes
4.1 Concepto de uente dependiente lineal
Una uente dependiente es un generador cuya magnitud depende de la tensión de algún
nudo del circuito o de la corriente de alguna de sus ramas. Las uentes independ
ientes estudiadas en los capítulos anteriores, a di erencia de éstas, no dependen de
l circuito al que se conectan. Algunos ejemplos pueden ser útiles para clari icar
este nuevo concepto. Un transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales
en la igura 4.1a. En dicho dispositivo la corriente ic es β ve
cuyo símbolo aparece
ces la corriente i en un cierto margen de operación denominado región
activa. Una f
orma de modelar este comportamiento
es la indicada en la figura 4.1 , en la que
aparece una fuente de valor βi . O sérvese que el valor de la corriente ic de e coin
cidir con el de esta fuente, por lo que el circuito fuerza la relación antes citad
a entre las dos corrientes. A esta fuente de corriente se la denomina
dependient
e porque su valor depende o está controlado por la corriente i que fluye por otra
parte del circuito. Las fuentes dependientes de corriente se representan median
te un rom o con una flecha en su interior que indica el sentido de la corriente,
con o jeto de distinguirlas de las fuentes independientes, que se representan m
ediante un círculo que encierra una flecha. A la constante β se la suele denominar g
anancia de corriente de la fuente dependiente.
ic
73
i β. i
ic
i
a)
)
Fig. 4.1 a) Sím olo circuital del transistor ipolar. ) Modelización
mediante una f
uente dependiente de la relación entre las corrientes ic e i en la región activa (i
c = βi )
Un amplificador operacional es un circuito integrado cuyo sím olo se representa en
la figura 4.2a. En un rango de operación denominado lineal, la tensión de salida vo
es A veces la tensión de
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
entrada vi. Esta de endencia funcional uede modelarse mediante el circuito de l
a figura 4.2b, en el que a arece una fuente de endiente de tensión de valor Avi. L
as fuentes de endientes de tensión se re resentan mediante un rombo con los signos
+ y - ara indicar su olaridad. A la constante A se la denomina ganancia de te
nsión de la fuente de endiente.
vo + vi – + vo – a) b) + vi – + Av i –
Fig. 4.2 a) Símbolo circuital de un am lificador o eracional. b) Circuito que mode
la su com ortamiento en la región lineal (vo = Avi)
74
Un transistor MOS es un dis ositivo cuyo símbolo circuital id se re resenta en la
figura 4.3a. En vi K(v i - VT ) 2 un determinado margen de o era+ ción (denominado
región de satura– vi ción) la corriente id es K veces el – cuadrado de (vi - VT), donde
vi es la tensión a la entrada y VT una consa) b) tante. Este com ortamiento se re
resenta en la figura 4.3b, mediante una fuente de endiente Fig. 4.3 a) Símbolo ci
rcuital del transistor MOS. b) Circuito que modede corriente. la su com ortamien
to en la región de saturación Nótese que, en estos tres ejem los, las relaciones entre
las variables consideradas han sido modeladas mediante fuentes de endientes de
tensión o de corriente. Estas de endencias son lineales en los dos rimeros casos
y no lineal en el último. Las fuentes de endientes lineales son aquellas en las qu
e la de endencia entre variables es lineal. Se utilizan, en combinación con otros
elementos, ara realizar modelos circuitales de dis ositivos reales como los vis
tos anteriormente, con objeto de analizar los circuitos que los contienen.
id +
4.2 Análisis de circuitos con fuentes de endientes El análisis de circuitos que cont
ienen fuentes de endientes es igual al de los circuitos analizados hasta ahora.
Las leyes de Kirchhoff siguen siendo válidas, y en consecuencia es a licable el anál
isis or los métodos de nudos y de mallas.
Ejem lo 4.1 Hallar la tensión vo en el circuito de la figura 4.4.
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π
FUENTES DEPENDIENTES
El circuito contiene dos mallas: la que está recorrida or la corriente i1 y la re
corrida or i2. Obsérvese que or el conductor que une los untos a y b no circula
corriente. En efecto , a licando la ley de Kirchhoff de corrientes al nudo a: i
1 = i1 + ia ⇉ ia = 0
Rg + vg – a i1 i1 vx – i1 ia b + β. i 1 i2 Rc Vcc + vo –
Fig. 4.4 Circuito del ejemplo 4.1
Sin em argo, el hecho de que no circule corriente por este conductor no signific
a que pueda eliminarse y que se pueda considerar las dos mallas aisladas. La pre
sencia de este conductor asegura que todos los puntos del circuito conectados a él
están a la misma tensión. Esta tensión común en las dos mallas se perdería si éstas estuvi
ran efectivamente aisladas. Las ecuaciones de las mallas son: vg = Rg i1 v x = R
c i2 + Vcc donde vx es la caída de tensión entre terminales de la fuente dependiente
βi1. La corriente i2
viene fijada por el valor de la fuente de corriente dependie
nte: i2 = - βi1. Com inando estas ecuaciones es inmediato hallar el valor de vo: R
vo = Vcc − β c vg Rg Ejercicio 4.1
Rg + vg – + v1 – – + Av1 RL + vo –
75
Hallar la tensión vo en el circuito de la figura 4.5. Solución: vo = Avg
Fig. 4.5 Circuito del ejercicio 4.1
Los circuitos que contienen fuentes dependientes lineales, juntamente con los com
entes vistos hasta el momento (fuentes independientes y resistencias), son linea
les. En consecuencia se pueden analizar mediante superposición y pueden ser
repres
entados mediante circuitos equivalentes de Thévenin y Norton. Conviene su rayar qu
e, en estos casos, las fuentes dependientes nunca de en suprimirse
al aplicar su
perposición, ya que éstas expresan una relación entre varia les y no son una excitación
como es el caso de las independientes. En los circuitos lineales la salida es un
a com inación lineal de las excitaciones y, por tanto, sólo las fuentes independient
es pueden anularse en el análisis por superposición.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ejem lo 4.2 Calcular vo en el circuito de la figura 4.4 a licando su er osición. L
as únicas fuentes inde endientes del circuito son vg y Vcc. Por tanto, la salida s
erá una combinación lineal de estas dos fuentes, y se calculará la contribución de cada
una de ellas en vo, anulando la otra Contribución de vg: vo1 = vo [Vcc = 0] = − Rc βi1
= − β Rc vg Rg
Contri ución de Vcc
vo 2 = vo vg = 0 = Vcc
[
]
ya que al ser vg = 0, resulta i1 = 0. O sérvese que, en este caso, la fuente indep
endiente de corriente tiene un valor nulo como consecuencia de la anulación de la
fuente dependiente vg. El valor
de vo será la suma de vo1 y vo2 que coincide con e
l resultado del ejemplo 4.1. O sérvese que en ningún caso se ha anulado la fuente de
pendiente.
Ejemplo 4.3 Calcular el equivalente de Thévenin del circuito de la figura 4.6 desd
e los terminales de salida. La tensión del generador Thévenin
es la que aparece entr
e los terminales de salida cuando éstos están en circuito a ierto. Llamando ip a la
corriente que circula en el sentido de avance de las agujas del reloj por la mal
la formada por la fuente dependiente - Rp - RL - VBB - Rs resulta: vth = VBB + i
p RL ip = Avε − VBB Rs + RL + Rp
76
Rp + A.vε Rg + vg v1 – – + vε – + Rs – ip VBB RL
Fig. 4.6 Circuito dl jmplo 4.3
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π
FUENTES DEPENDIENTES
Finalmente, a licando las leyes de Kirchhoff en la rimera malla, se obtiene la
tensión vε rstando, a la tnsión dl trminal drcho d Rg, la tnsión qu aparc nt
r la funt dpndint y la rsistncia Rs, qu s dnominará v1. Obsérvs qu a
través d vg y d Rg no circula corrint dbido a la prsncia dl circuito abir
to, por lo qu la caída d tnsión n Rg s nula. Así pus: vε = vg − v1 = vg − ( − Rs i p
ombinando sta cuación con las dos antriors s halla vth, qu rsulta sr: vth
= vg ARL + VBB ( Rp + Rs (1 − A)) RL + Rp + Rs (1 − A)
La rsistncia Rth s calcula conctando a la salida un gnrador d pruba vx,
y calculando la corrint ix qu ntrga st gnrador, anulando prviamnt la
s funts indpndints vg y VBB: ix = v x v x − (v1 + Avε ) + RL Rp
Como vg stá anulada, l valor d vε vin dado por: vε = 0 − v1 = − v1 dond l valor d
v1 pud calculars multiplicando Rs por la corrint qu atravisa, ip. Oprand
o rsulta: v vx ix = x + RL Rp + Rs (1 − A) y por tanto, l valor d la rsistnci
a Thévnin srá: i 1 1 1 =x= + Rth v x RL Rp + Rs (1 − A) s dcir, a combinación n par
allo d RL y [Rp+Rs(1 A)]. Nóts qu aunqu s han anulado las funts indpndi
nts, la funt dpndint no s anula. Ejrcicio 4.2 Calcular la tnsión d sal
ida dl circuito quivalnt d Thévnin dl circuito d la figura 4.6 aplicando s
uprposición. Ejrcicio 4.3 Calcular l quivalnt Thévnin dl circuito d la figu
ra 4.4. Solución: R vth = Vcc − β c vg Rg Rth = Rc
77
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
4.3 Fuentes de endientes y circuitos activos
Se denomina circuito activo aquel que es ca az de entregar a una carga más otenci
a que la recibida de la fuente de señal. Considérese el circuito de la figura 4.7, e
n el que el rimer bloque, vg–Rg, re resenta un generador de señal, y el último bloque
, RL, re resenta la carga. En este circuito, la otencia que entrega el generado
r de señal es nula, ya que ig es cero debido a la resencia del circuito abierto.
Sin embargo, la otencia que el circuito entrega a la carga no es nula: L = v L
⋅ iL = ( Avi ) ⋅ ( Avi ( Avi ) 2 )= RL RL
iL + vi – – – + A.vi + vL – RL
Rg + vg
ig
Fuente de señal
"Circuito activo"
Carga
78
Fig. 4.7 Circuito formado or una fuente de señal, un circuito activo y una carga
Obviamente la otencia que se entrega a la carga la ro orciona la fuente de end
iente. Dado que la energía no se uede crear a artir de la nada, ¿de dónde obtiene la
energía la fuente de endiente? Como se señalaba en el inicio de este ca ítulo, la fue
nte de endiente es un elemento de circuito que se utiliza ara modelar dis ositi
vos, ero que no tiene, como fuente, una existencia real. Estos dis ositivos rea
lizan una transformación de energía: toman energía de una "fuente de alimentación" y la
convierten en "energía de señal". Forma arte de nuestra ex eriencia cotidiana el he
cho que el funcionamiento de un a arato de radio agota la energía de las ilas que
lo alimentan. A veces, en los esquemas de estos circuitos, no se hace ex lícita l
a "fuente" que "alimenta" a los dis ositivos. En estos casos, debe tenerse rese
nte que las fuentes de endientes modelan el fenómeno de conversión de energía. Cuando
se estudien dis ositivos activos se ondrá de manifiesto esta transformación de ener
gía con mayor claridad.
4.4 El am lificador o eracional
Un dis ositivo activo, de am lia utilización en la electrónica actual, que ilustra l
os conce tos desarrollados en el árrafo anterior, es el am lificador o eracional
(A.O.). El am lificador o eracional es un circuito com lejo formado or docenas
de transistores, resistencias y condensadores, todos ellos fabricados e intercon
ectados sobre un equeño cristal de silicio. Debido a esta "integración" de diversos
dis ositivos y a su interconexión sobre silicio, se dice que es un circuito integ
rado. Pese a su com lejidad interna, el am lificador o eracional se uede modela
r de forma muy sim le a través de su modelo ideal, que a roxima razonablemente bie
n, en un am lio margen de o eración, el com ortamiento del dis ositivo real.
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π
FUENTES DEPENDIENTES
Vcc+: Alimentación ositiva El símbolo circuital y los terminales del am lificador o
eracional básico son los indicados en la figura 4.8. Tal como + Entrada no invers
ora : v se ilustra en dicha figura, el disvo : Salida ositivo consta de cinco
termiEntrada inversora : vn – nales: dos entradas, denominadas inversora y no inv
ersora, una salida, y dos terminales de alimentación a los que se suele Vcc- : Ali
mentación negativa a licar una tensión ositiva, Fig. 4.8 Símbolo y terminales del am
lificador o eracional básico Vcc+, y negativa, Vcc-, res ectivamente. Los valores
tí icos ara Vcc+ y Vcc- son 15 V y -15 V, aunque otros valores como 8 y -8 o incl
uso otros no simétricos como 0 y 5 son osibles. Algunos am lificadores o eraciona
les reales resentan algún terminal extra ara mejorar determinadas características,
que se ignorarán or el momento a fin de resaltar el com ortamiento esencial del
A.O.. En la figura 4.9 se re resentan las tensiones y corrientes en terminales d
el A.O. Nótese que todas las tensiones están referidas a un nudo de referencia, gene
ralmente masa. (Obsérvese que las tensiones v y vn ueden ser ositivas o negativ
as.) Con objeto de sim lificar los esquemas de los circuitos con A.O. sólo se re r
esentan los terminales de señal, or lo que se eliminan los de alimentación, cuya ex
istencia se da or su uesta.
79
i + + in + vn – – – i c– – Vcc+ – + Vcc+ + vo – i c+ io v vn + vo –
v
a)
b)
Fig. 4.9 a) Tensiones y corrientes en un A.O. b) Esquema sim lificado del A.O.
El com ortamiento del A.O. uede a roximarse or la característica vo(vi) re resen
tada en la figura 4.10, donde vi=v -vn. Dicha característica consta de tres region
es: región lineal (1), re resentada or un segmento de recta que asa or el orige
n; región de saturación ositiva (2), re resentada or un segmento de recta horizont
al de ordenada +Vcc; y la región de saturación negativa (3), similar a la anterior,
ero de ordenada -Vcc. (Se su one alimentación simétrica) En la región lineal, la sali
da es ro orcional a la entrada (ecuación de una recta que asa or el origen): vo
= A(v − vn ) (4.1)
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
80
Esta característica re resenta una o eración que se denomi2 na am lificación. La salid
a +Vcc re roduce la entrada (v -vn) "am lificándola". De ahí el 1 vocablo "am lifica
dor" que –V /A se usa ara nombrar a este cc (v -vn ) (mV) dis ositivo. La consta
nte A Vcc /A se denomina ganancia en tensión del am lificador. En la ex resión 4.1 l
a ganancia del A.O. es A. Los am lificado–Vcc res tienen un extenso uso en 3 la el
ectrónica, uesto que frecuentemente las señales de Fig. 4.10 Característica vo-vi a r
oximada de un am lificador o eracional entrada de los circuitos son muy débiles y
deben am lificarse ara oder o erar con ellas. Piénsese or ejem lo en la señal de
TV que ca ta una antena, o en el "eco" que recibe un radar. En los A.O. la ganan
cia A suele ser del orden de 105. Tal como se indica en la figura 4.10, el valor
máximo de vo en la región lineal es Vcc, que tí icamente es de 15 V. Así ues, el valor
máximo de (v -vn) en la región lineal será del orden de 15/105 V, es decir, 150 µV. Por
esta razón el eje de ordenadas suele estar rotulado en voltios y el de abscisas e
n milésimas de voltio. En el modelo del A.O. ideal se suele considerar que A tiend
e a infinito y, en consecuencia (v -vn), dentro de la región lineal, tiende a cero
. Es decir, v coincide con vn. Se dice entonces que entre las dos entradas se e
stablece un cortocircuito virtual, en el sentido que v -vn es rácticamente cero,
ero sin que exista un camino de corriente entre ambos terminales. La característi
ca am lificadora acabada de comentar tiene límites en el dis ositivo real. La tens
ión de salida no uede su erar a las tensiones de alimentación. De ahí la "saturación de
l am lificador" en las regiones 2 y 3. En la región de saturación ositiva la salida
se hace inde endiente de la entrada y se fija en: vo = +Vcc y en la región de sat
uración negativa, de forma similar a la anterior: vo = −Vcc (4.3) (4.2)
vo (V)
El modelo ideal del A.O. se completa con las elaciones de co ientes: las co i
entes de ent ada ip y in se suponen nulas, po lo que la co iente de salida io
viene dada po la suma de las co ientes de alimentación ic+ e ic . i p = in = 0 (
4.4) io = ic + + ic− (4.5)
En la egión lineal, y sólo en ella, el A.O. puede modela se mediante el ci cuito de
la figu a 4.2b. Este ci cuito establece que la elación ent e la salida y la ent
ada viene dada po la ecuación 4.1,
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π
FUENTES DEPENDIENTES
y que las corrientes de entrada i e in son nulas. En las regiones de saturación
ositiva y negativa habría que sustituir la fuente de endiente del modelo anterior
or una fuente inde endiente de valor +Vcc o –Vcc res ectivamente. Nótese que el A.O
. trabajará en la región lineal mientras la tensión de salida tome valores entre +Vcc
y –Vcc.
4.5 Análisis de circuitos con A.O. que trabajan en la región lineal
Tal como se ha dicho en el a artado anterior, cuando un A.O. trabaja en la región
lineal se uede modelar según el circuito de la figura 4.2b. El análisis de un circu
ito con A.O. trabajando en la región lineal consiste en sustituir el A.O. or su c
ircuito equivalente, y a continuación resolver el circuito resultante. Con los val
ores obtenidos de vo debe verificarse que el A.O. trabaja en su región lineal, con
objeto de validar el análisis realizado.
Ejem lo 4.4 El circuito de la figura 4.11a se denomina am lificador inversor. Ca
lcular la relación vo/vg.
RF RF
Rs + vg – vn v – vo + + vg –
Rs vi – + + Avi – vi = v - v n a) b) vo
81
Fig. 4.11 a) Circuito am lificador inversor con A.O. b) Sustitución del A.O. or s
u circuito equivalente en la región lineal
En la figura 4.11b se ha sustituido el A.O. or su circuito equivalente. El anális
is de este circuito uede realizarse a artir de las siguientes ecuaciones: vo =
A(v − vn ) vp = 0 vn = vg − Rs ig ig = v g − vo Rs + RF
La última exp esión ha sido obtenida haciendo uso de que in es nula. Ope ando se lle
ga a la siguiente exp esión:
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
vo = −
ARF ⋅ vg RF + ( A + 1) Rs
vo ARF =− vg RF + ( A + 1) Rs Obsé vese en la última exp esión que si A tiende a infinit
o la elación ent e vo y vg se simplifica a: vo R =− F vg Rs (4.6)
puesto que 1 es desp eciable f ente a A y RF lo es f ente a ARs, con lo que se o
btiene la última exp esión simplificando A en el nume ado y en el denominado . Este
esultado sólo es válido pa a aquellos valo es de vg que impliquen que vo está en el
ma gen Vcc a +Vcc.
Eje cicio 4.4
Rs + + vg vo – – R1 R2
82
El ci cuito de la figu a 4.12 se denomina amplificado no inve so . Halla vo/vg
en función de A, y luego ap oxima su valo suponiendo que A tienda a infinito. S
olución: vo A( R1 + R2 ) R = ≈1+ 1 vg R1 + ( A + 1). R2 R2 (4.7)
Fig. 4.12 Ci cuito amplificado no inve so con A.O.
esultado válido sólo si vo es supe io a Vcc e infe io a +Vcc.
o
) + V1 R1 i1 c) V1 +
o
R2
o
vx –
o
Fig. P4.4
o
o
P4.5 P4.6
Proponer un circuito equivalente al de la figura P4.1 que contenga una fuente de
tensión controlada por corriente en lugar de una fuente de corriente controlada p
or tensión. Halle el equivalente de Thévenin de los siguientes circuitos. ¿Por qué la te
nsión
de Thévenin
es nula?
β
i a) g mvx i i c) RL β i βi
o
+ vx
) R1
o
R2
o
d) R1 i R2
o
97
o
–
o
Fig. P4.6
o
o
P4.7
Dado el circuito de la figura, calcule la máxima potencia transferida a la carga R
L.
i A i1 + Vs + + V
1
1
Rg
+ Ri KV1
R0
+ V0 – RL
I
R
R
RL Ps
PL Figura P4.8 Fig. P4.8
FiguraP4.7 Fig. P4.7
P4.8
P4.9
¿Qué relación han de cumplir Rs y Ri del circuito P4.8 para que la tensión de entrada al
circuito vi sea
máxima? ¿Como será la potencia entregada al circuito Ps en ese caso? ¿Q
ué relación de en cumplir R0 y RL para que la
potencia entregada a la carga PL sea máx
ima? ¿Cuanto valdrá dicha potencia? Haga el alance de potencias. ¿De dónde proviene la
energía que falta? Dado el circuito de la figura P4.9 , sustituya el transistor po
r el circuito P4.9a y calcule la relación v0 /vs.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
c Rs c b b ib R e c βi Vs + e – e Fig. P4.9 + Vo RL
P4.10
Calcule en los circuitos de la figuraP4.10, sustituyendo el transistor por el c
ircuito de la figura P4.9a, a) Vo/V, ) Vo/Vs o Vo/Ii, c) el circuito equivalent
e de Thévenin visto desde la entrada, d) la resistencia equivalente de Thévenin vist
a desde
la salida.
e Rs + V – a) Fig. P4.10 Figura P4.10 c – Vo RL Vs + + c Rs e + V – ) c + Vo – RL I
i Rs + V – c) e Vo Re – R +
+ Vs
98
P4.11
Dado el circuito de la figura P4.11, se pide: a)Potencia entregada por el genera
dor vi. )Potencia disipada en la resistencia de carga RL. c)Calcule el valor de
Vo en función de R1, R2, R3, RF y Vi.
R1 R3 RF 15V a) R1 – R2 15V )
+ Vi R2
– + –15V
o o+
+ R L Vo Vi
o
+ –15V + Vo
o
+ Vi R i KV i
+
o
+ Vo
o
Figura P4.11 Fig. P4.11
–
o
–
o
–
o
–
o
–
FiguraP4.12 Fig. P4.12
P4.12
P4.13
Se desea modelar
el circuito amplificador de la figura P4.12a mediante el de la
figura P4.12 de modo que sean equivalentes. Halle los valores de Ri y K. ¿Para qué
margen de valores de vi los dos circuitos son equivalentes? Sugerencia: calcular
lo para vo y poner vi en función de vo. Calcule la tensión de salida de los circuito
s de la figura siguiente:
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
FUENTES DEPENDIENTES
R2 R1 + V1 V2 a) + + –15V 15V – +
R
R 15V –
R
R 15V – + + Vo
o
+ + + –15V V2 b) –15V V1
o
Vo –
o
–
o
Figura P4.13 Fig. P4.13
P4.14
En el circuito de la figura, encuentre: a) Vo en función de V1 y V2. b) Particular
ice ara R2 = R4 = 10 kΩ y R1 = R3 = 1 kΩ. c) De el valor de Vo en este último caso si
: 1) V1 = 2 V y V2 = 3 V; 2) V1 = 1 V y V2 = 3 V.
R2 R1 R3 + V1 + V2 + –15V R4 15V –
o
+ Vo
o
Fig. P4.14
–
99
P4.15
Dibuje la salida del circuito de la igura siguiente (convertidor digital / analóg
ico) para los casos en que RF = R y RF = 2R, siendo V1,V2 y V3 las representadas
en dicha igura:
R R R RF 15V + V3 5 t
R
R + V
3
2R + V
2
2R + V1
2R
o Vo
– –15V
V2 5 t V 1 5 t
Fig. P4.15
P4.16
Dibuje vo en el circuito de la igura P4.16 si vi = 3senωt. Identifique cuá de os
dos amp ificadores operaciona es de circuito de a figura trabaja en zona inea
y ap ique en ese caso e cortocircuito virtua .
(5.3)
donde se supone
que la carga en el condensador es nula cuando → –∞. Sus i uyendo en
5.1: vc ( ) =
∫−∞ ic (τ ).dτ
C
(5.4)
Es a formulación
in
egral se expresa,
a
veces, de
o ra forma más convenien e para la
manipulación ma emá ica. La in
egral en re –∞ y
se descompone
en la suma de
dos in eg
rales: una desde –∞ a
cero,
y o ra desde cero a . La primera
in egral represen a la
carga almacenada has a = 0, que denominaremos q(0). En onces:
C
= vc ( 0 ) +
1
∫ ic (τ ).dτ C0
i( )
(5.6)
105
en la cual la ensión en
re erminales depende de la carga inicial,
q(0), y de la
carga almacenada desde
= 0. Obsérvese
que,
cuando el condensador
iene almacenad
a una carga
inicial, la ensión en re sus erminales en = 0 es vc(0) = q(0)/C, q
ue es la ensión
"inicial" generada por la carga inicial del condensador. La expre
sión
5.6
mues ra que
un condensador con carga inicial puede modelarse por una fuen
e de ensión cons an e, de valor vc(0), en serie con un condensador descargado.
5 mA 2 ms –5 mA a) v( ) 4 ms
Ejemplo 5.2
Se conec a
en re los erminales de un condensador
de 1 µF una fuen e i
ndependien e de corrien
e cuya forma de onda se represen a en la figura 5.2a.
Ca
lcular y represen ar la ensión en bornes
del condensador
en
función
del iempo. Sup
oner que la carga del condensador
en = 0
es nula. En re = 0 y = 2ms el con
densador se carga con una in ensidad cons an e de 5mA.
10 V
2 ms b) Fig. 5.2 a) Forma de onda de
la corrien e que carga al condensador del
ejemplo 5.2. b) Forma de onda de la ensión en bornes del condensador 4 ms
© los au ores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
A licando 5.6, y teniendo en cuenta
que q(0) = 0, resulta: vc ( t ) = 1t 5 ⋅ 10 −3 t
−3 3 ∫0 5 ⋅ 10 .dτ = C = 5 ⋅ 10 C
que es
una rampa de
pendien
e posi
iva, que par e del origen y alcanza los
10 V
cuando
= 2ms. En re = 2ms y = 4ms, la
expresión 5.6 conduce a: vc ( ' ) = 10
+ 1 ' −3 3 ∫ (−5 ⋅ 10 ).dτ = 10 − 5 ⋅ 10 ' C0
donde, para facili
ar la operación ma emá ica, hacemos ' = – 2ms. El resul ado es u
na
rampa que par e de 10 V y alcanza 0 V al cabo
de 2 ms. La forma de onda de la
ensión en bornes del condensador se represen a en la figura 5.2b.
Ejercicio
5.2
v( )
10 V
106
–2 ms –10 V 10 ms 22 ms
Fig. 5.3 Forma de onda de la ensión en bornes del condensador del ejercicio 5.2
Hallar la forma de onda de la corrien
e que circula
por un condensador de
5 µF, sa
biendo que la forma de onda de la ensión en sus erminales
es la represen ada
en
la figura 5.3. Solución:
La forma de onda de la
corrien e será una señal rec angular
c
uyos pulsos posi ivos serán de 10 mA de ampli ud y 10 ms de duración, y los nega ivo
s de –50 mA y de 2 ms de duración.
Ejemplo 5.3
+ + q
i
=0
–
Ci
V Cm
–
Fig.
5.4 Fenómeno de compar imien o de carga (ejemplo 5.2). An es de cerrar el in
errup or, V es de 5 V. Después vale Vf
En los circui
os in
egrados a muy gran escala
(VLSI) suele ser impor an e el fenóm
eno
de compar imien o de carga. Una forma elec rónica
de almacenar información
consi
s e en "guardar
" carga en un condensador. Si es á cargado guarda un "1", mien
ras
que si es
á descargado
guarda
un "0".
Supongamos que un condensador Ci con iene u
na carga al que la ensión en re sus erminales
es 5 V. Para "leer" la información
guardada
en el condensador
hay que medir la ensión
en bornes
del condensador, con
ec ándole un circui o de medida. Supongamos que es e circui o equivalga a un conde
nsador Cm que supondremos descargado (figura 5.4). Al
© los au ores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
conectar el condensador de medida, la carga guardada en Ci se distribuye entre C
i y Cm, lo que hace disminuir la tensión en bornes de Ci, y si ésta fuera inferior a
un cierto umbral sería inter retado como que el condensador "guarda" un "0", en l
ugar de guardar un "1", como realmente hace. El objetivo de este ejem lo consist
e en calcular la tensión en bornes de Ci des ués de conectar Cm. En t < 0 la carga t
otal del circuito es: qT = qio + qmo = 5Ci + 0 = 5Ci Una vez conectado el circui
to de medida, la carga total del conjunto continúa siendo la misma, ya que se ha s
u uesto nula qmo (carga inicial de Cm). Al estar conectados en aralelo los dos
condensadores tendrán entre sus terminales la misma tensión, lo cual exige que la ca
rga antes almacenada en Ci se "com arta" con Cm, or lo que los valores finales
de tensión y carga serán: qT = qif + qmf = Vf Ci + Vf Cm = Vf (Ci + Cm ) Igualando e
sta ex resión con la anterior: Vf = 5 Ci Ci + Cm
Para que el efecto de com artimiento de carga tenga oca incidencia se requiere
que Cm sea muy inferior a Ci. Tal como ha sido resuelto este ejercicio, el lecto
r odría sacar la im resión de que la tensión en bornes de los dos condensadores cambi
a instantáneamente al cerrar el interru tor. Pero, como se ha comentado anteriorme
nte, esta variación discontinua de la tensión no es osible. En efecto, ara sim lif
icar el circuito, no se han re resentado las resistencias asociadas a los conduc
tores y al interru tor, que siem re están resentes, las cuales, como se verá más adel
ante, im lican que se llega a un valor final estable des ués de transcurrir cierto
tiem o.
107
5.1.2 Princi io físico de funcionamiento El rinci io físico del condensador se basa
en que la carga almacenada en las lacas del condensador crea un cam o eléctrico
entre dichas lacas, el cual origina una diferencia de otencial entre ellas. Co
nsideremos la figura 5.5. Una corriente i inyecta cargas ositivas a la laca su
erior del condensador. El aislante entre lacas les im ide el aso a la laca i
nferior, y obliga a que queden almacenadas en dicha laca. Estas cargas almacena
das en la laca su erior originan un cam o eléctrico que "ex ulsa" cargas ositiva
s de la laca inferior (ley de Coulomb) y or tanto "carga" a
+ i +q + – –q i + + + + + – – – + + – + – + +
Fig. 5.5 Almacenamiento de cargas y cam o eléctrico en un condensador
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
la laca inferior con una carga igual y de signo contrario a la almacenada en la
laca su erior. Las cargas ositivas ex ulsadas de la laca inferior circulan
or el terminal inferior y dan continuidad a la corriente: la corriente que sale
del terminal inferior es igual a la que entra or el su erior. El cam o eléctrico
entre lacas rovoca que éstas estén a diferente otencial. Nótese también que en el con
densador hay neutralidad global de carga: la carga de la laca su erior es igual
y de signo contrario a la de la laca inferior. En un condensador lano se demu
estra que el cam o eléctrico entre lacas vale a roximadamente: rσ E= ε dond σ la d
n idad uprficial d carga n la placa (q/A) y ε la prmitividad dl ai lant. El
p or d t ai lant d, qu upon igual a la paración ntr placa .
Por tanto la difrncia d potncial ntr placa rá: r vc = E .d y u tituyndo
l campo léctrico dado por la xpr ión antrior r ulta: vc = q q q σ .d = .d = = A
.ε A.ε C ε d
108
La capacidad dl condn ador plano, por tanto, vin dada por: C= A.ε d (5.7)
5.1.3 A ociación d condn ador D forma imilar a lo qu ocurría con la r i tn
cia , a vc lo condn ador aparcn n un circuito conctado n ri o n
parallo. También n t ca o pudn r u tituido por condn ador quivaln
t . Con idrmo la figura 5.6a, n la qu lo condn ador C1 y C2 aparcn c
onctado n parallo. La tn ión ntr trminal v, por lo qu la carga inyc
tada al conjunto d lo do condn ador , uponindo qu ambo taban inicialm
nt d cargado , :
q + q +
v
q
1
C1
q
2
C2
v
q
C q
–
–
a)
b)
Fig. 5.6 a) Condn ador conctado n parallo. b) Condn ador quivalnt
© lo autor , 1998; © Edicion UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
q = q1 + q2 = vC1 + vC2 = v(C1 + C2 ) El condensador de la figura 5.6b, con una
tensión v entre terminales, tiene una carga almacenada de: q = vCeq Para que este úl
timo condensador sea equivalente a los dos conectados en aralelo se requiere qu
e ara la misma tensión entre terminales tenga la misma carga inyectada. Com arand
o las dos ex resiones anteriores es inmediato verificar que debe cum lirse que:
Ceq = C1 + C2 (5.8)
Es decir, cuando dos condensadores están conectados en aralelo equivalen a uno cu
ya ca acidad es la suma de las ca acidades. Esta ex resión uede generalizarse al
caso de n condensadores conectados en aralelo: el valor de la ca acidad equival
ente es la suma de todas las ca acidades. En la figura 5.7a se re resentan los c
ondensadores C1 y C2, que se su onen inicialmente descargados, conectados en ser
ie. La corriente que circula or ambos condensadores es la misma, or lo que las
cargas que almacenan también lo son. Por tanto, la tensión entre terminales será: v =
v1 + v2 = 1 q q 1 + = q + C1 C2 C1 C2
109
En el condensador de la figura 5.7b la relación entre la tensión y la carga es: v= q
Ceq
q + C 1; q v + v2 – – C2 ; q – q + – C eq
q + v1 v
+ –
Fig. 5.7 a) Condensadores conectados en serie. b) Condensador equivalente
Para que sean equivalentes, a igualdad de tensión debe haber igualdad de carga alm
acenada, lo cual im lica que: 1 1 1 = + Ceq C1 C2 (5.9)
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
es decir, y generalizando ara dos o más condensadores, la inversa de la ca acidad
equivalente de varias ca acidades conectadas en serie es la suma de las inversa
s de todas ellas.
Ejercicio 5.3 Hallar la ca acidad equivalente del conjunto de condensadores de l
a figura 5.8. Solución: 2 µF
1 µF
3 µF
3 µF
1 µF
Fig. 5.8 Circuito del ejercicio 5.3
Obsérvese que estas reglas de equivalencia son "contrarias" a las que rigen ara
esistencias. La regla ara condensadores en aralelo es análoga a la de resistenci
as en serie y viceversa. Los condensadores ideales a roximan el com ortamiento d
e los condensadores reales. Las características de éstos y sus desviaciones res ecto
a este modelo ideal se tratan en el a éndice A. En articular hay que destacar qu
e un condensador real uede deteriorarse si se a lica entre sus terminales una t
ensión su erior a un valor límite denominada tensión máxima de trabajo (ver a éndice A).
110
5.2 Análisis de circuitos RC
El análisis de circuitos que contienen resistencias y condensadores se basa en la
a licación de las leyes de Kirchhoff, al igual que en los circuitos uramente resi
stivos. La única diferencia estriba en que los condensadores resentan una de ende
ncia diferencial entre la tensión y la corriente en lugar de la relación de ro orci
onalidad que regía en el caso de las resistencias. Esta de endencia diferencial da
lugar a ecuaciones en las que a arecen la incógnita y sus derivadas, motivo or e
l cual se denominan ecuaciones diferenciales. La resolución de las ecuaciones dife
renciales requiere el conocimiento de técnicas matemáticas es ecíficas que no ueden s
er desarrolladas en un texto de electrónica básica como éste. Para aquellos lectores q
ue no las conozcan, y ara evitar a lazar el estudio a un rimer nivel de estos
circuitos a la es era que las adquieran, daremos una breve descri ción del rocedi
miento que se debe seguir sin retender con ello su lir la adquisición rigurosa de
dichos conocimientos. En este ca ítulo sólo resolveremos circuitos que originan un
ti o determinado de ecuaciones diferenciales: las de rimer orden con coeficient
es constantes, es decir, aquellas que están formadas or una combinación lineal de l
a variable y su rimera derivada. Existen, or su uesto, circuitos que dan lugar
a ecuaciones diferenciales más com licadas, los cuales no serán estudiados or el m
omento.
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
5.2.1 Res uesta de un condensador a señales en escalón Consideremos el circuito de l
a figura 5.9, en el que el interru tor se cierra en el instante t = 0. El conden
sador está inicialmente descargado (q(0) = 0), or lo que al cerrar el interru tor
el condensador iniciará un roceso de carga. La señal que se a lica al conjunto R–C e
s un escalón de tensión. Se suele denominar a este análisis res uesta al escalón. Para t
≥ 0 la ecuación de Kirchhoff de la malla es: Va = ic R + vc (5.10)
a t=0 C ic – Va + vc R b
Esta ecuación contiene dos incógnitas: ic y vc. Para resolverla hace falta una ecuac
ión extra que relacione ic y vc. Se uede o tar or utilizar la ecuación 5.2 o la ec
uación 5.6. En el rimer caso resulta una ecuación en que la incógnita es vc. En el se
gundo caso la incógnita es ic. Resolveremos las dos o ciones. Sustituyendo la ecua
ción 5.2 en 5.10: Va = RC dvc + vc dt
Fig. 5.9 Circuito de carga de un condensador a través de una resistencia
(5.11)
111
que es una ecuación diferencial en vc. A diferencia de las ecuaciones algebraicas,
la solución de una ecuación diferencial es una función de la variable res ecto a la q
ue se deriva. En este caso la solución será la función vc(t). El rocedimiento que se
debe seguir ara resolver este ti o de ecuaciones diferenciales es el siguiente:
1. Escribir la ecuación de forma estándar: los términos que contienen la incógnita y su
s derivadas se escriben en el rimer miembro de la igualdad. El resto de los térmi
nos en el segundo miembro. RC 2. dvc + vc = Va dt (5.12)
Hallar la solución general de la ecuación homogénea. La ecuación homogénea es la constitui
da or el rimer miembro de 5.12 igualado a cero: RC dvc + vc = 0 dt (5.13)
Para resolver esta ecuación se ensaya una solución del ti o vc = ea.t, y se determin
a el arámetro a ara que sea solución. Sustituyendo esta ex resión y su derivada en 5
.13, resulta: RCe at a + e at = 0 ⇉ e at ( aRC + 1) = 0 (5.14)
Para que eat sea solución se requiere que se cum la 5.14. Esta ecuación se cum lirá si
eat es nula, o si el aréntesis es nulo. La rimera alternativa no es adecuada,
uesto que im lica únicamente la solución trivial vc = 0. Por el contrario, la segund
a significa que:
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
a=−
1 RC
(5.15)
qu conduc a una olución no nula para vc. La olución gnral d la cuación homogéna
vin dada por l producto d la xponncial por una con tant arbitraria: vch
= K − t / RC (5.16)
tal como pud vrificar u tituyndo ta xpr ión n 5.13. Ob érv qu ta f
orma d r olvr la cuación homogéna no n ab oluto "capricho a". La cuación 5.1
3 podría r r ulta d forma dircta in má qu rordnar u término : dvc dt =− vc
RC Intgrando ambo mimbro d la igualdad: t RC vc = k1 − t / RC = K − t / RC
ln(vc ) = k1 −
112
(5.17)
(5.18)
qu la olución obtnida por l procdiminto antrior. Nót qu para qu puda
cumplir 5.13 rquir qu vc y u drivada an funcion dl mi mo tipo.
Si no lo furan, no podría r nula una combinación linal d la función y u drivada
. La función xponncial cumpl ta propidad. 3. Hallar una olución particular d
la cuación complta. Para t tipo d cuación, n la qu l gundo mimbro d l
a igualdad una con tant, pruba una olución dl tipo vc = B, indo B una
con tant. Su tituyndo t valor n la cuación complta r ulta: RC ⋅ 0 + B = Va
B = Va Por tanto, la olución particular rá: vcp = Va 4. (5.20) (5.19)
Formular la olución matmática d la cuación difrncial. E ta olución compon d
la uma d la olución gnral d la cuación homogéna má la olución particular: vc = v
ch + vcp = K − t / RC + Va En fcto, ob érv qu u tituyndo 5.21 n 5.12 ob
tin: RC d (vch + vcp ) dt dvcp dv + (vch + vcp ) = RC ch + vch + RC + vcp = V
dt dt (5.22) (5.21)
© lo autor , 1998; © Edicion UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
que cum le la ecuación diferencial ya que el rimer aréntesis es nulo, y el segundo
vale Va. Es im ortante observar que hay infinitas soluciones matemáticas (ex resi
ones que cum len la ecuación): una ara cada valor de K. 5. Hallar la solución física,
es decir, escoger de entre todas las soluciones matemáticas la que tenga sentido
físico. En este ti o de ecuaciones diferenciales, esta solución se halla haciendo qu
e la solución matemática tome, ara t = 0, el mismo valor que el que im one el com o
rtamiento físico del circuito. En el circuito que estamos analizando, el condensad
or estaba inicialmente descargado, or lo que en t = 0: q( 0 ) (5.23) vc ( 0 ) =
=0 C Así ues, la ex resión 5.21 ara t = 0 debe tomar este valor: Ke 0 + Va = K +
Va = 0 Por tanto, el valor que debe tomar K ara que se cum la esta condición inic
ial es: K = −Va y la olución d la cuación difrncial rá: vc = −Va − t / RC + Va = V
(1 − − t / RC ) (5.26)
113
(5.24)
(5.25)
La rpr ntación gráfica d la olución da n la figura 5.10a. La olución 5.26 cont
in do término : uno qu xtingu al tran currir l timpo, qu con cuntm
nt dnomina régimn tran itorio, y otro qu prmanc invariabl d pué d xti
nguido l primro, y qu dnomina régimn prmannt. En t circuito, l régim
n tran itorio vin dado por una ly xponncial con una con tant d vc timpo
dada por l producto d la r i tncia por la capaVa cidad. D pué d una poca
con tant d timpo (d tr a cinco, gún la prci ión qu rquira) t términ
o adquir un valor d prciabl (vr capítulo 1, apartado 1.3.2). El régimn tran i
torio prmit dar "continuit dad" a vc para pa ar d d u valor inicial (0 V) a
u valor final (Va) (rcuérd qu n un condn ador vc no pud a) cambiar d f
orma abrupta). El régimn prmannt Va, i qu invariabl con l timpo. Va
/R La corrint ic, qu carga al condn ador, pud calcular aplicando 5.2: ic
= C dvc Va − t / RC = dt R (5.27)
b) Fig. 5.10 Evolución d vc n l circuito d la figura 5.7 t
La rpr ntación gráfica d ta corrint da n la figura 5.10b. Para t = 0 l
valor d ic Va/R, y cuando
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
t es mucho mayor que RC tiende a cero. Así ues, el régimen ermanente de un condens
ador excitado or una tensión continua equivale a un circuito abierto: una vez car
gado el condensador a la tensión Va im ide el aso de corriente a través de él. Estos
resultados tienen una fácil inter retación física. La tensión en bornes del condensador
es ro orcional a su carga. Inicialmente ésta es nula, y or tanto también lo es la
tensión en el unto "b" de la figura 5.9. El unto "a" siem re está conectado ( ara
t ≥ 0) a Va. Por tanto, en el instante inicial la caída de tensión en R será Va, y la co
rriente será, en consecuencia, Va/R. Esta corriente em ezará a cargar el condensador
, y a medida que se cargue aumentará vc, y or tanto la tensión del unto "b". La caíd
a de tensión en la resistencia disminuirá y, or tanto, también disminuirá la corriente.
Pero aunque disminuya, esta corriente seguirá cargando al condensador e increment
ando vc, lo que rovocará una ulterior disminución de la corriente. El roceso llega
a un unto estable cuando vc alcanza el valor Va. En estas condiciones la caída d
e tensión en la resistencia es nula, lo que im lica una corriente nula, y al ser n
ula la corriente deja de incrementarse la carga en el condensador, y or tanto n
o varía vc. La segunda alternativa ara resolver el circuito consistía en sustituir
la ecuación 5.6 en 5.10. Esto conduce a la ecuación: Va = ic R + q(0) + ∫0 ic .dτ
(5.28)
C
que resul a ser una ecuación in egral en ic. Es a ecuación
la ransformamos en difer
encial derivando ambos miembros de la igualdad respec o al iempo:
114
0=R
dic ic + d C
(5.29)
ya que Va y q(0) son cons an
es. Mul iplicando
ambos
miembros de la igualdad por
C y aplicando el
procedimien o descri
o an
eriormen
e para resolver una ecuación
diferencial resul a: 1. 2. ic = e a RCe a a + e a = 0 ⇉ a = −1 / RC ic h = K − t /
RC 3. ic = B RC 0 + B = 0 ⇉ B = 0 ic = 0 4. 5. ic = Ke − t / RC + 0 = K − t / RC
Fí icamnt F icamnt :
RC
dic + ic = 0 dt
ic (0 + ) = Va / R ic (0) = K Va − t / RC R
Matmáticamnt Matm ticamnt :
Lugo
A í pu A pu
K = Va / R ic =
© lo autor , 1998; © Edicion UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
que es el mismo resultado que el hallado anteriormente. Nótese que el valor inicia
l de ic debe ser una vez cerrado el interru tor, ic(0+), diferente de ic(0–). A li
cando la ecuación 5.6 odemos hallar vc :
t 1 t Va −τ / RC .dτ = −Va e −τ / RC 0 ∫0 R e C vc = Va (1 − e − / RC )
vc =
que vuelve a coincidir con el resul ado an erior.
Ejercicio 5.4 En el circui o de la figura 5.11 el condensador es
á inicialmen e de
scargado. Se pide: a) Hallar la ecuación
diferencial del circui o aplicando análisis
de nudos.
b) Hallar la expresión
de la ensión en bornes del condensador. c) ¿Cuán o i
empo ardará aproximadamen e en cargarse el condensador a su valor final? Solución:
=0 2 kΩ
12 V
50 nF
2 kΩ
Fig. 5.11 Circuito del ejercicio 5.4
115
12 −
vc dv v =C c + c 2 kΩ dt 2 kΩ vc (t ) = 6 − 6 − t / τ con τ =
1kΩ ⋅ 50nF tc ≈ 3τ = 15
con inuación la descarga
de un condensador. Consideremos el
circui o de la figura
5.12, en el que
se
mues ra
un condensador cargado inicialmen e con qo.
Cuando s
e cierre
el in errup
or en = 0 el condensador se irá descargando
a
ravés de
la re
sis encia R.
Al ener el condensador una carga inicial qo, presen
a en
re sus
e
rminales una ensión inicial
vco de valor
qo/C. Al cerrar el in
errup
or, es a en
sión se aplica
a la resis encia, y
por an o
circula
inicialmen e a ravés de ella u
na corrien e de la valor vco/R. Es a corrien e es
á formada por las cargas
almacen
adas en el condensador
por lo que la
carga en
és e disminuye de forma
con
inua,
lo
que provoca que
la ensión en
sus erminales
ambién
lo haga, y por an o ambién lo
hará la corrien
e por la resis
encia. Es
e proceso ermina cuando
el condensador
h
a perdido oda su carga.
En onces, al es ar descargado,
presen
a una ensión nula,
y en consecuencia
ambién será
nula
la corrien
e por la
resis encia. Es
una si uación
final es able.
La resolución ma emá ica de es e circui o es la siguien e. La ecuación
de malla, para ≥ 0, es: vc = iR (5.30)
© los au ores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
t=0
+ vc – C
ic qo i R
La segunda ecuación necesaria ara resolver el circuito es una modificación de la ec
uación 5.6. En este circuito debe observarse que el sentido de i es contrario al d
efinido en el rimer a artado como corriente de carga del condensador ic. Es una
corriente que descarga al condensador en lugar de cargarlo. Por tanto, la carga
en
el condensador será: q(t ) = q(0) + ∫0 ic .dτ = q(0) − ∫0 i.dτ
Fig. 5.12 Circui o de descarga de un condensador
vc ( ) =
q( ) qo − ∫0 i.dτ = C C
(5.31)
Sus i uyendo 5.31 en 5.30 y derivando respec o al iempo resul a: − i di =R C d (
5.32)
que
es una
ecuación
diferencial que
puede resolverse
aplicando el procedimien o de
scri o an eriormen e: di i + =0 d C 1 1 e a Ra + = 0 ⇉ a = − C RC ip = 0 R i =
/ RC + 0 = K − t / RC El análi i fí ico dl circuito mu tra qu l valor inicial d
i, ju to d pué d crrar l intrruptor, db r: v q (5.33) i(0) = co = o R
CR A í pu , como l valor d K db r i(0), la olución rá: i= qo − t / RC RC (5.
34)
116
qu mu tra qu la corrint di minuy xponncialmnt con una con tant d ti
mpo RC. La tn ión n trminal dl condn ador pud calcular u tituyndo 5.3
4 n 5.31. Oprando r ulta: vc = qo − t / RC C (5.35)
qu dmu tra qu ta tn ión también xtingu d forma xponncial d d u val
or inicial qo/C.
© lo autor , 1998; © Edicion UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
Ejem lo 5.4 En el circuito de la figura 5.13a el interru tor se cierra en t = 0.
Hallar la tensión en bornes del condensador a artir del instante en que se cierr
a el interru tor. ¿Cuánto tiem o debe transcurrir desde que se cierra el interru tor
ara que la tensión alcance el régimen ermanente si el valor de C es de 1 µF?
t=0 10 kΩ 10 kΩ
10 V
C
20 V
a)
10 kΩ
10 kΩ
117
20 V 10 V C
b)
Fig. 5.13 a) Circuito del ejemplo 5.4. b) Circuito cuando el interruptor está cerr
ado
Con el interruptor abierto, la tensión en bornes del condensador es de 10 V, dado
que la uente de 10 V ha cargado el condensador. Por tanto su carga será de 10C cul
ombios. Cuando l intrruptor s cirra, s pud volvr a dibujar l circuito d
la forma indicada n la figura 5.13b. Entoncs la part d circuito rcuadrada
pud sustituirs por su quivalnt Thévnin, lo qu conduc a un circuito dl t
ipo d la figura 5.9, pro n l qu l valor d la batría s d 15 V y l d la
rsistncia 5 kΩ. La solución de este circuito, teniendo en cuenta que su carga inic
ial es q(0) = 10C, s: vc (t ) = 15 − 5 − t / τ donde τ = RC = 1µF.5kΩ = 5ms. Observar qu
a tensión evoluciona desde un valor inicial de 10 V hasta un valor inal de 15 V.
El valor inal de 15 V será prácticamente alcanzado después de unas tres constantes de
tiempo, es decir, después de unos 15 ms.
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ejercicio 5.5
R1 t=0
Va
C
R2
Calcular vc(t) en el circuito de la figura 5.14, en el que el interru tor se cie
rra en t = 0. Solución: Con el interru tor abierto, el condensador está cargado a la
tensiónVa. Una vez cerrado el interru tor, la evolución de vc viene dada or: vc (
t ) = Va ( R2 + R1e − t / C. R ) R1 + R2
Fig. 5.14 Circuito dl jrcicio 5.5
dond R l quivalnt parallo d R1 y R2.
Ejmplo 5.5
A t=0 R +
118
VBB
B C1 i C2 – vo
Fig. 5.15 Circuito dl jmplo 5.5
En l circuito d la figura 5.15 l intrruptor conmuta a la po ición B n t = 0.
Hallar la xpr ion d vc1 y d vc2 n función dl timpo. Con l intrruptor
n la po ición A l condn ador C2 tá cargado a la tn ión VBB. A í pu , n t = 0, ju
to ant d la conmutación:
vo (0) = vC 2 (0) = VBB ⇉ q2 (0) = C2 VBB En t = 0 se roduce la conmutación. A art
ir de este instante el circuito es el formado or los elementos C1, R y C2. Como
C1 se su one descargado, la tensión entre sus terminales será nula, or lo que toda
la tensión entre los terminales de C2, q2(0)/C2, se a lica a R. Por tanto, la cor
riente que circulará en el instante inicial será: i( 0 ) = vo (0) VBB = R R
Esta corriente roviene de las cargas almacenadas en C2, or lo que descargará a e
ste condensador, y en consecuencia disminuirá la tensión entre sus bornes. Pero, or
otra arte, esta corriente carga a C1, haciendo aumentar la tensión entre termina
les de este condensador. Ambos efectos, la disminución de vc2 y el aumento de vc1,
rovocan que la caída de tensión en R disminuya a artir de su valor inicial, or l
o que disminuirá la corriente i. Se llegará a una situación estable cuando la caída de t
ensión en R sea nula, es decir, cuando las tensiones en los dos condensadores sean
iguales. Entonces la corriente i será nula, las cargas no se redistribuirán más, y la
s tensiones serán invariables.
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
El tratamiento matemático de este com ortamiento es el siguiente: vc 2 = iR + vc1
vc 2 = vc1 = q2 (0) − ∫0 i.dτ
C2 0 + ∫0 i.dτ
C1
Sus
i uyendo
vc1 y vc2 en la primera
ecuación, y derivando ambos miembros respec o
al iempo ob enemos: R di i + =0 d Ce
donde Ce
es la capacidad
equivalen e de C1 y C2 en
serie. La
resolución de es a ec
uación,
eniendo en
cuen a la condición inicial an es comen ada, conduce a: V
i = BB
e −
/ RCe R Las ensiones en bornes de los condensadores pueden
hallarse
in egr
ando es a expresión de acuerdo con
las expresiones
de vc1 y vc2 an es
escri as, co
n lo que se llega a:
C1 vo ( ) = vc 2 ( ) = VBB 1 − (1 − e − / RCe ) C1 + C2
) = VBB C2 (1 − e − / RCe ) C1 + C2
119
Obsérvese
que
ambas ensiones ienden al mismo valor
final,
al como habíamos razona
do an eriormen e. El análisis
de los resul ados ob enidos
en los procesos
de carg
escarga de un condensador, permi e ex rapolar una expresión para ob ener el resul
ado final
sin resolver la ecuación diferencial. Si denominamos vi
al
valor inicial
de la ensión en bornes
del condensador y vf al valor final de es a ensión: vc = v
f + (vi − v f )e − / τ (5.36)
donde τ es
la cons an
e de iempo del circui o y viene dada por el produc o de C p
or la
resis encia "vis a" por el condensador.
Obsérvese que
en
5.36 el
valor
de vc
para = 0 es vi, y el
valor para mucho
mayor que la cons an e de iempo ien
de a vf. Para aplicar es a expresión bas a conocer vi, vf y τ
© los au ores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
mediante "ins ección física" del circuito. En articular, el valor de vf uede obten
erse sustituyendo el condensador or un circuito abierto, uesto que en régimen e
rmanente éste es su estado. Así, or ejem lo, en el caso de descarga del condensador
sabemos que el valor inicial es qo/C, el valor final 0, y la constante de tiem
o RC. Sustituyendo estos valores en la ex resión 5.36 obtenemos 5.35. De forma sim
ilar se odría obtener la ex resión 5.26 relativa a la carga de un condensador a ar
tir del valor inicial, vc(0) = 0, y del valor final, vc(∞) = Va, conocidos or sim
le ins ección del circuito.
Ejem lo 5.6 Resolver el ejem lo 5.4 a licando la ex resión 5.36. El valor inicial
de vc será de 10 V, tal como fue justificado en el ejem lo 5.4. El valor final de
vc será la tensión del generador equivalente de Thévenin cuyo valor es de 15 V. La con
stante de tiem o del circuito será el roducto de la ca acidad or la resistencia
que "ve" , que no es otra que la del equivalente Thévenin (R1 y R2 en aralelo). P
or tanto, sustituyendo estas constantes en 5.36 se obtiene el mismo resultado qu
e en el ejem lo 5.4.
Ejercicio 5.6 Resolver el ejercicio 5.5 a licando la ex resión 5.36. Solución: Los v
alores vi, vf, y τ de la expresión 5.36 son:
120
vi=Va
vf=Va.R2/(R1+R2)
τ=C[R1R2/(R1+R2)]
5.2.2
Respues
a de circui os RC a exci aciones sinusoidales
La respues
a de los
circui os elec rónicos
a las señales sinusoidales cons
i uye una
par
e
muy impor
an
e de
la ingeniería
elec rónica
pero sobrepasa los obje
ivos de es e ex o.
En
es e a
par ado nos limi aremos a in roducir algunos concep
os generales
sobre es e ema
, resolviendo la ecuación diferencial
de un circui o RC exci ado por una señal
sinus
oidal, ya que algunos concep os sobre amplificadores,
que se verán en capí ulos pos
eriores, lo requieren.
Consideremos el circui o de la
figura 5.16.
Suponemos
el
condensador inicialmen e descargado. La ecuación de es e circui o es, para ≥ 0:
R
A cos(ω ) = Ri + vc
C + v –
=0 + Acos ω –
que,
combinada
con 5.2, conduce a la siguien e ecuación diferencial: dvc + vc = A
cos(ω ) d
RC
(5.37)
Fig. 5.16 Circui o RC con exci ación sinusoidal
que es similar a las an eriores, con la diferencia de que el érmino independien e
es una sinusoide de pulsa
© los au ores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
ción ω radian por gundo n lugar d r una con tant. El procdiminto d r ol
ución con ta d lo mi mo pa o xpu to n 5.2.1: 1 y 2: La cuación homogéna l
a mi ma qu 5.13. 3: Para hallar la olución particular n aya: vc = a n(ωt ) +
b co (ωt ) Su tituyndo ta xpr ión y u drivada n 5.37 r ulta: (b + aωRC) co (ωt
) + ( a − bωRC) n(ωt ) = A co (ωt ) (5.39) (5.38)
Para qu cumpla ta cuación para cualquir valor d t rquir qu lo co
ficint d la funcion no y co no a ambo lado d la igualdad an idéntic
o : b + aωRC = A a − bωRC = 0 y hallan a y b r olvindo t i tma d cuacion
, con lo qu obtin: vcp = A [co (ωt ) + ωRC n(ωt )] 1 + (ωRC) 2 (5.40)
xpr ión qu también pud cribir d la iguint forma: vcp = A 1 + (ωRC) 2 co (ωt
− ϕ ) (5.41)
121
ϕ = arc g(ωRC)
que mues ra que la solución par icular ambién es
una sinusoide en
la que su ampli u
d y desfase dependen de
la frecuencia de la exci
ación
y del produc o RC. 4: Usand
o 5.40 como solución
par icular,
la solución ma
emá ica de la ecuación 5.37 es: vc = vch
+ vcp = Ke − / RC + A [cos(ω ) + ωRC sen(ω )] 1 + (ωRC) 2 (5.42)
5: La solución
física se ob endrá
haciendo
que el valor
ma emá ico para = 0 coincida c
on el que debe
ener físicamen e el circui o. En es e caso, suponíamos el condensado
r inicialmen
e descargado por lo
que debe cumplirse
que vc(0) = 0, con lo que se
encuen ra que: vc = − A A e − / RC + cos(ω − ϕ ) 1 + (ωRC) 2 1 + (ωRC) 2 (5.43)
Es a expresión se represen a gráficamen e
en la figura 5.17. El primer érmino
es la s
olución de la ecuación homogénea. Como es a solución no depende de la exci ación sinusoida
l (generadores inde
© los au ores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
vc Res uesta transitoria Res uesta ermanente
t
Fig. 5.17 Res uesta a la excitación sinusoidal del circuito de la figura 5.16
122
endientes) se la suele denominar res uesta natural del circuito. El segundo térmi
no de ende tanto del circuito como de la excitación y se le denomina res uesta for
zada. Obsérvese que la res uesta natural se extingue des ués de unas ocas constante
s de tiem o y queda solamente la res uesta forzada. Esta última es una señal eriódica
que se mantiene indefinidamente en el tiem o mientras dure la excitación. Por est
a razón se la suele denominar régimen ermanente sinusoidal. Aunque se ha resuelto l
a ecuación diferencial 5.37 usando sinusoides, matemáticamente resulta mucho más sim l
e resolverla usando ex onenciales com lejas, uesto que la fórmula de Euler (1.21)
ermite ex resar un coseno como la arte real de la ex onencial com leja de su
argumento. Por esto, en lugar de resolver 5.37, se resuelve: r dvc r (5.44) RC +
vc = Ae jωt dt r En t ca o ν c será, a diferecia de 5.37, ua magitud compleja,
cuya parte real será la respuesta a la excitació Acosωt, mietras que su parte imagi
aria lo sería a Aseωt. La solució de la ecuació 5.44 se halla igual que la de 5.37, p
ero la solució particular será ahora del tipo: r r vc = Be jωt (5.45) que, sustituida
e 5.44, coduce a: r B= A 1 + jωRC (5.46)
Igorado el régime trasitorio, que tiee poco iterés e la respuesta de circuito
s a excitacioes siusoidales, resulta que la solució del régime permaete siuso
idal es: r vc = A e jωt 1 + jωRC (5.47)
© los autores, 1998; © Edicios UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
El factor que multi lica a la ex onencial uede ex resarse
en forma olar como:
r vc = donde el ángulo ϕ es: A 1 + (ωRC) 2 e − jϕ e jω (5.48)
ϕ = arc g(ωRC)
La par e real de es
a solución, haciendo uso de la fórmula de Euler, es: r Re[vc ] =
A 1 + (ωRC) 2 cos(ω − ϕ ) (5.49)
que coincide con la solución hallada por el mé odo an erior.
Ejercicio 5.7 En el circui o de la figura 5.16 la resis encia es de 5 kΩ y la capa
cidad de 20 nF. ¿Para qué valor de ω el desfase de la salida respecto a la etrada será
de: a) π/4 radianes (45o) y b) π/3 radianes (60o)? Solución: 1 π = 10 4 rad / s ϕ = π / 4 ⇉
= tg = 1 ⇉ ω = 4 RC
123
π ϕ = π / 3 ⇉ ωRC = tg = 3 ⇉ ω = 3 .10 4 rad / s 3
Ejemplo 5.7 El circuito de la figura 5.18 represeta ua situació que será ecotra
da e el estudio de los amplificadores: la combiació de ua excitació cotiua Io
y ua siusoidal Acos(ωt) sobre u circuito formado por ua resistecia e parale
lo co u codesador. Se pide calcular la tesió vc(t). Supoemos el codesador
iicialmete descargado. Ua vez cerrado el iterruptor, y usado la técica de e
xpoeciales complejas, la ecuació del circuito es: C r r dvc vc + = I0 + Ae jωt dt
R
Io t=0 + Acos(ω t) R C vc –
Al igual que e los casos ateriores, la solució geeral de la ecuació homogéea es:
r vc = Ke − t / RC
Fig. 5.18 Circuito del ejemplo 5.7
© los autores, 1998; © Edicios UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
que es la res uesta natural del circuito. Para hallar una solución articular se e
nsaya: r vc = B1 + B2 e jωt sustituyedo esta expresió y su derivada e la ecuació d
iferecial, e idetificado coeficietes de la fució expoecial y de la costa
te e los dos miembros de la igualdad, resulta: r vc = I 0 R + R Ae jωt 1 + jωRC
Igorado la respuesta atural (solució de la ecuació homogéea), la última expresió pr
oporcioa el régime permaete siusoidal del circuito, si más que tomar la parte
real: r Re[vc ] = I0 R + R 1 + (ωRC) 2 A cos(ωt − ϕ )
ϕ = arc g(ωRC)
solución que consis e en un érmino cons an e, IoR, al qu s l suprpon una sinuso
id . Hay dos asp ctos d st r sultado qu s dbn dstacar d una forma spc
ial. El primro s qu la amplitud y l dsfas d la sinusoid dpndn d la f
rcuncia d la sñal. Por sta razón la rspusta d un circuito a una sñal sinusoid
al dpnd d la frcuncia. Esta dpndncia s sul rprsntar gráficamnt. E
l sgundo aspcto a sñalar s qu si la frcuncia angular ω es suficietemete ele
vada, la siusoide de la expresió aterior se puede aproximar por:
vc
124
A cos(ωt − π / 2) ωC cuya amplitud será muy pequeña y podrá despreciarse frete al térmio
ate (figura 5.19). Etoces puede aproximarse el codesador como si fuera ua
fuete de tesió cotiua de valor IoR.
R.I o
t
Fig. 5.19 Rspusta dl circuito 5.18
En un studio más avanzado d st tma s vrá un nuvo concpto dnominado imp
En régim n prmannt sinusoidal la impdancia, qu s sul rprsntar por l sím
bolo Z, vin dada por l cocint ntr la tnsión n trminals dl dispositivo
y la corrint qu circula por él, xprsadas ambas n forma d xponncials comp
ljas. Si s aplica a un condnsador una tnsión: r r vc = Vc jωt = Ae jωt la corrie
te que circulará por él será, de acuerdo co 5.2:
L
(5.54)
En es a expresión iL(0) es la corrien e que circula
por la bobina en el ins an e
i
nicial. Obsérvese
que una bobina
con
una corrien e inicial puede modelarse median
e una
fuen e de in ensidad
cons an e, de valor iL(0), en paralelo con una bobina
desac ivada en el ins an e inicial.
5.3.2
Principio físico de funcionamien o El fundamen
o físico de es
e compor amien o
iene su origen en las fuerzas
que ejercen en re sí las cargas
eléc ricas en movimi
en o.
Además
de la fuerza es á ica de
Coulomb, dos cargas eléc ricas en movimien o exp
erimen an o ra fuerza de
origen
"magné ico". De forma similar a lo que se hacía
para
describir la fuerza elec ros á ica, se puede imaginar que
una carga
en movimien
o
modifica el espacio que la rodea,
creando un
campo magné ico
B. Es e
campo magné ic
o ejerce una fuerza Fm sobre o ra carga eléc rica q que pene re en es a región del e
spacio con una velocidad v: r rr Fm = q.v ∧ B (5.55)
127
Como una
corrien e eléc rica
es un conjun o
de cargas en movimien o, creará un campo
magné ico a su alrededor.
Es e campo magné ico
es proporcional al valor de la in en
sidad de la corrien e. Se define
el flujo magné ico de un campo B en una superfici
e perpendicular A como el produc o: φ = B. A (5.56) Un alambre en orma de espira
abierta de área A "abraza" un lujo magnético, φ, dado por 5.56. Faraday estableció que
si el lujo magnético que abrazaba esta espira variaba con el tiempo, aparecía una d
i erencia de potencial entre sus extremos de valor: vε = − dφ dt (5.57)
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Es ira
Líneas de cam o B
Fig. 5.22 Bobina en la que se indican las líneas de cam o magnético
Una bobina está formada or un alambre "enrollado" sobre un núcleo formando N es ira
s en serie (figura 5.22). La corriente que circula or un hilo crea un cam o mag
nético. Dentro del arrollamiento existe, ues, un cam o B que es ro orcional a la
corriente y al número de es iras, debido a la adición de los cam os magnéticos creado
s or cada es ira. Su oniendo que este cam o es er endicular a las es iras, el
flujo en cada una de ellas viene dado or el roducto del cam o or el área de la
es ira. Si este flujo varía con el tiem o, creará una diferencia de tensión vε n cada
pira, con lo qu obtin una difrncia total d tn ión vL ntr lo trminal
d la bobina igual a la uma d la tn ion n cada pira, ya qu é ta tán
n ri. La variación dl flujo n la pira d la bobina db a la variación
dl campo magnético. Como qu l campo magnético proporcional a la corrint qu
atravi a la bobina, r ulta qu vL proporcional a la variación d la corrint
n la bobina: dφ d di di = N (kNi) = kN 2 =L dt dt dt dt
vL = N
128
donde L es la constante k.N2 que aparece en la expresión anterior. La constante de
proporcionalidad k depende de la sección de la bobina S, de la longitud del circu
ito magnético l, y de la permeabilidad µ del material que constituye el núcleo sobre e
l que se enrolla la bobina: k=
µS l
Se remite al lector a la consulta de textos básicos de electricidad y magnetismo p
ara la pro undización en estos conceptos. 5.3.3 Asociación de bobinas en serie y en
paralelo
i + + v1 v v2 – – a) Fig. 5.23 Asociación de bobinas. a) En serie. b) En paralelo b) – +
L2 – L1 + v i1 L1 i2 L2 i
En algunos casos las bobinas se pueden encontrar en un circuito conectadas en se
rie o en paralelo, en cuyo caso el conjunto de ellas puede ser sustituido por un
a bobina equivalente. En la igura 5.23a se presentan las bobinas L1 y L2 conect
adas en serie y construidas de orma que el campo magnético creado por una no a ec
te a la otra. Suponiendo que la corriente inicial de cada una de las bobinas sea
nula, es obvio que la caída de tensión del conjunto de ellas es:
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
EL CONDENSADOR, LA BOBINA Y EL TRANSFORMADOR
v = v1 + v2 = L1
di di di + L2 = ( L1 + L2 ) dt dt dt
or lo que equivalen a una bobina de valor suma de las dos: Leq = L1 + L2 (5.58)
que ermite calcular la corriente máxima or el diodo conociendo el valor del cond
ensador (la corriente or el diodo sería la suma de la corriente que va al condens
ador más la que va a RL).
Ejem lo 6.7 Una fuente de alimentación está constituida or un transformador de rela
ción de transformación 1/6, un uente rectificador de diodos, un condensador de filt
ro de 5 mF y una resistencia de carga de 50
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ω. La uente se conecta a la red de energía eléctrica (220 Ve , 50 Hz). Hallar la ten
sión de salida y su rizado. La tensión en el secundario del trans ormador será de 220/
6 = 36,6 Ve que corresponden a 36,6 √2 = 51,8 V de pico. El puente recti icador s
in el condensador proporcionaría a la resistencia de carga una sinusoide recti ica
da en onda completa de unos 50 V de pico (51,8 V – 2 Vγ). El condensador del filtro
produce una tensión de salida dada por: vo ≅ 50.e − t / 0.25 donde el orien de t es a
proximadamente un pico de la sinusoide rectificada. Si aproximamos el tiempo de
validez de esta descara del condensador hasta que ocurra el siuiente pico, res
ulta un tiempo de T/2 debido a la rectificación de onda completa, es decir 1/(250 H
z) = 10 ms. Por tanto la tnsión n la salida n st instant srá: 50 −10
−2
/ 0 ,25
= 50 −0,04 ≅ 48V
El valor mdio d la tnsión d salida srá aproximadamnt 49 V, y la amplitud dl
rizado d 2 V pico a pico.
Ejrcicio 6.8
166
Calcular la rlación d transformación dl transformador y l condnsador d filtro
d una funt d alimntación con punt d diodos, qu proporcion una salida d
8 V, con un rizado d 2 V pico a pico, sobr una rsistncia d carga d 5 Ω. La
uente debe estar alimentada por la red de distribución de energía eléctrica (220Ve , 5
0 Hz). Solución: n = 1/30; C = 8 mF. El tercer bloque constituyente de una uente
limentación es el estabilizador de tensión. En este capítulo nos limitaremos a describ
ir un estabilizador muy simple basado en un diodo zener, que se analizará en el ap
artado 6.4.2. En los circuitos descritos aparece siempre una resistencia de carg
a RL. Esta resistencia o bien es una resistencia real, o bien modela el circuito
que se conecta al convertidor de alterna a continua. Imagínese que la uente de a
limentación proporcione una tensión Vo. Si el circuito que se conecta a esta uente
consume una corriente IL, equivaldrá a una resistencia de carga de valor Vo/IL, pu
es esta resistencia absorbería la misma corriente que el circuito. b) Detector de
envolvente Otra aplicación importante del diodo es como detector de envolvente o d
emodulador de una señal modulada en amplitud. Una señal modulada en amplitud es aque
lla que responde a la ecuación: vi (t ) = Vim [1 + m(t )] cos(ω p t ) (6.6)
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π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
en la que la am litud de la sinusoide varía con el tiem o y lleva la señal de inform
ación m(t), que se denomina moduladora. A esta am litud de la función coseno, variab
le con el tiem o, se la denomina envolvente, y la señal sinusoidal de frecuencia ωp
se la llama portadora. Usualmente la envolvente varía mucho más lentamente que la po
rtadora. En la fiura 6.19a se representa una señal modulada en amplitud.
portadora moduladora salida
t
t
portadora a) b)
Fi. 6.19 a) Señal modulada en amplitud. b) Salida del detector
El objetivo del detector de envolvente es recuperar la señal m(t) a partir de la s
eñal modulada en amplitud. El circuito que se usa es un rectificador de media onda
seuido de un filtro de condensador. La principal diferencia en esta aplicación e
stá en que en este caso el circuito debe ser capaz de seuir la envolvente, en lu
ar de proporcionar en la salida una tensión casi constante. Si la constante de tie
mpo fuera muy rande la salida no podría seuir a la envolvente. Por el contrario,
si fuera muy pequeña, el condensador se descararía muy deprisa y la salida tendería
a la señal portadora rectificada, produciendo un rizado excesivo. Por esto, el det
ector de envolvente se diseña de forma que la constante de tiempo del circuito sea
: C. RL = 1 2πAm fm (6.7)
167
donde fm se suele tomar como la frecuencia más elevada de la señal moduladora m(t),
que se su one sinusoidal y de am litud Am. De esta forma la salida uede seguir
bien a la envolvente. Cuando la ortadora es una señal de alta frecuencia este análi
sis debería ser modificado ara tomar en consideración la ca acidad del diodo CD.
Ejem lo 6.8 Demostrar la ex resión 6.7. El condensador debe ermitir que la tensión
de salida vo entre dos icos consecutivos de la ortadora disminuya tanto como
ueda disminuir la envolvente. Esta variación en la salida será: ∆vo = Vim − Vim e − To / τ
im To τ
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
donde To es el eríodo de la ortadora. Para obtener la ex resión anterior se ha su
uesto que τ es mucho mayor que
To y que en consecuencia la exponencial puede aprox
imarse por los dos primeros
érminos de su desarrollo
en serie de
Taylor. La máxima
variación de la envolven e en re dos picos consecu ivos de la por adora será: dv (
) ∆ve (t ) max ≅ e To dt max dve (t ) = V dm(t ) = V A ω cos(ω t ) [ im
im Amω m dt dt max max ∆ve (t ) max ≅ Vim Amω m To Para que la salida pueda
envolvente se iuala la descara del condensador entre dos picos consecutivos co
n la última expresión, se obtiene:
τ=
1 Amω m
Ejercicio 6.9
168
Una señal modulada en ampli ud u iliza una por adora de 10 MHz. La ampli
ud de la
señal moduladora
es Am = 0,5 y cubriendo un
margen de frecuencias
en re 300 Hz y 6
kHz. Si la resis encia de carga del de ec or de envolven e es de 10 kΩ ¿cuál debe ser
el valor del condensador para recuperar adecuadamente la envolvente? Solución: C
= 5,3 nF c) Circuitos recortadores y circuitos ijadores de nivel Los circuitos r
rtadores, también denominados limitadores de amplitud, se utilizan para eliminar l
a parte de la señal que se encuentra por encima, o por debajo, de un cierto nivel
de re erencia. En la igura 6.20 se presentan dos circuitos recortadores. El cir
cuito 6.20a opera de la siguiente orma. Cuando la tensión vi es positiva el diodo
D2 siempre estará en inversa, ya que la corriente que tiende a impulsar vi va en
la dirección de cátodo a ánodo. Por tanto la rama D2–VB2 puede ignorarse cuando vi sea p
ositiva. Para que el diodo D1 conduzca se requiere que vo supere a VB1 en Vγ. Mien
tras vo está por debajo de este valor D1 equivaldrá a un circuito abierto, y no circ
ulará corriente por R, por lo que vo = vi. Cuando el diodo D1 conduzca la salida e
stará limitada a VB1+Vγ. Esto ocurrirá para valores de vi mayores o iuales que (VB1+Vγ)
. Cuando vo se hace menor que –(VB2+Vγ) el diodo D2 conducirá y fijará la salida en este
valor, tal como se indica en la fiura 6.20. Obsérvese que mientras vi sea neati
va el diodo D1 estará en inversa y puede inorarse esta rama del circuito.
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π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
R + D1 V V D2 + vo –
B1 B2
R + + v
i
D1 vo D2 – b)
vi
– v
–
a)
0
vi
Vrs t Vri
c) Fig. 6.20 Circuitos recortadores. a) Con diodos y fuentes de tensión. b) Con di
odos zener. c) Forma de onda de salida. Para el circuito a) Vrs = VB1+Vγ; Vri = –(VB
2+Vγ). Para el circuito b) Vrs = Vz+Vγ; Vri = –(Vz+Vγ)
El circuito, por tanto, recorta la señal de entrada limitándola a los valores que fi
jan las fuentes de tensión VB1 y VB2. Se pueden obtener diversas variantes de este
circuito básico sin más que cambiar la polaridad de las fuentes o la de los diodos.
El circuito recortador usando diodos zener de la fiura 6.20b será descrito en el
apartado 6.4.2.
169
Ejemplo 6.9 Otro tipo de circuito recortador es el presentado en la fiura 6.21.
Discutir el funcionamiento de este circuito.
VB vi R + vo – – VB vo t
+ v
i
Fi. 6.21 Circuito recortador del ejemplo 6.9
Suponiendo válida la aproximación del diodo ideal, el diodo conducirá solamente cuando
la corriente por el diodo vaya de ánodo a cátodo, en cuyo caso mantendrá la salida a
cero voltios. Para valores positivos de vo el diodo no conducirá y la salida será vo
= vi–VB. Por tanto, la forma de onda de la salida será iual a la de la entrada des
plazada hacia abajo una cantidad VB y "recortando" los valores neativos.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Ejercicio 6.10 Diseñar un recortador que ermita obtener la forma de onda de la fi
gura 6.22 a artir de una señal triangular de 10 V de ico. Solución: El circuito se
rá como el de la figura 6.21 ero invirtiendo el diodo y haciendo VB = 5 V.
vo
vi t
–5
Fig. 6.22 Forma de onda del ejercicio 6.10
Los circuitos fijadores de nivel suman a la señal una tensión de referencia. Esta
de referencia generalmente es continua, ero odría ser variable con el tiem o. En
la figura 6.23a se resenta el circuito básico de fijador de nivel.
vo VB + V γ C + + RL – VB vo – t a) Fi. 6.23 a) Circuito fijador de nivel. b) Forma d
e onda de salida b)
170
vi
El funcionamiento del circuito es el siuiente. Supónase por el momento que RL es
de valor infinito. Como se verá más adelante, el condensador se cara a un valor Vp–V
B–Vγ, donde Vp es el valor máximo que toma vi. Para los instantes de tiempo posteriore
s a los que vi toma su valor máximo, el diodo no conducirá ya que la tensión de salida
será vi–(Vp–VB–Vγ), la cual es inferior a VB+Vγ (por ser vi < Vp) que es la mínima que se
uiere para que el diodo conduzca. Por tanto, la tensión de salida será la de la entr
ada menos la tensión en terminales del condensador. En la salida se ha fijado el v
alor máximo de la señal a la tensión VB+Vγ. Si en un momento determinado la entrada toma
un valor Vpr superior al máximo detectado hasta aquel momento, el diodo conducirá p
rovocando una corriente que incrementa la cara en el condensador, el cual fijará
la salida a partir del momento en el que se presente el nuevo máximo en vi–(Vpr–VB–Vγ). Si
por alún motivo aparece en la señal de entrada un pico de tensión imprevisto, el cir
cuito lo interpreta como máximo de la señal, y fija la salida a este máximo. Para evit
ar este fenómeno se añade la resistencia RL, que permite una descara lenta del cond
ensador a fin de que el circuito fije el nivel de los máximos normales de la señal.
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π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
Ejem lo 6.10 En el circuito de la figura 6.23a se toma VB = 0 V siendo vi una seña
l cuadrada de 10 kHz y 10 V de am litud (figura 6.24a). Su oniendo que la resist
encia serie del diodo, Rs, es muy inferior a RL, a) dibujar vo en función del tiem
o si RL=10 kΩ y C=1 µF. b) repetir el apartado anterior cuando al conectar el circu
ito (t=0) aparece una señal imprevista de 20 V de muy corta duración, superpuesta a
la señal cuadrada. Supóngase que se mantienen los valores de RL y C del caso anterio
r.
vi vo 10 t vo t
t
–10
–20
a)
b) Fig. 6.24 Formas de onda del ejemplo 6.10
c)
171
a) El período de la señal será T=10–4 s. Durante el inicio del primer semiciclo el diodo
conduce y el condensador se carga a la tensión de 10 V en un tiempo idealmente nu
lo. Mientras el diodo conduce la tensión de salida será nula (diodo ideal), y durant
e el resto del semiciclo positivo (con el condensador cargado) la salida será tamb
ién nula (vo = vi–10). Cuando vi conmuta a vi=–10 V, el diodo queda polarizado inversa
mente y equivale a un circuito abierto. El circuito queda ormado por vi – C – RL. L
a tensión en la salida, justo después de la transición de vi, será vo = vi – vc = –10 – 10
V. A partir de este valor inicial la tensión a la salida empieza a aumentar debid
o a que el condensador se va descargando, disminuyendo la tensión entre sus termin
ales vc. La expresión de vo viene dada por: vo = −20 ⋅ e − t / τ donde se ha hecho uso de
la expresión de descarga
de un
condensador con
un valor inicial de –20 V y un valor
final de 0 V. La cons
an e de iempo del circui o es C.RL (τ=10–2 s). Cuando finaliz
a el semiciclo nega ivo (de duración 0,510–4 s) la tnsión n la salida s –19,9 V. En t=
10–4 s la sñal vi vulv a conmutar a +10 V. La tnsión n la salida prsnta n cons
cuncia un salto d 20 V ya qu la tnsión n borns dl condnsador no pud cam
biar instantánamnt. La tnsión positiva n vo hac conducir al diodo y n un tim
po idalmnt nulo l condnsador s rcarga a –10 V por lo qu hac nula la salid
a. Como pud obsrvars n 6.24b l circuito fija l máximo d la sñal cuadrada n
la salida a un valor d 0 V. b) Supóngas ahora qu n l instant d conxión d v
i aparc n l circuito una sñal spúra d 20 V. El condnsador s cargará a 20 V
n un timpo idalmnt nulo y la salida srá
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
vo = vi – 20. Así ues, la tensión de salida justo des ués de haberse terminado la señal e
s úrea será de –10 V. El diodo estará olarizado inversamente y el condensador iniciará su
descarga. Cuando la señal de entrada conmuta a –10 V el diodo seguirá estando en inve
rsa y el condensador roseguirá su descarga. Esta situación se mantendrá mientras vo n
o se haga ositiva, en cuyo caso el diodo conducirá, re ondrá carga en el condensado
r y el circuito se com ortará según se ha descrito en el a artado anterior (figura 6
.24c). Para que el circuito recu ere su funcionamiento normal el condensador deb
e erder la diferencia entre la carga inicial roducida or la señal es úrea (20 V)
y la carga normal corres ondiente al valor de ico de la señal (10 V). Esta érdida
de carga se realiza de forma ex onencial con una constante de tiem o CRL. Por ta
nto, el tiem o que tarda el circuito en eliminar los efectos de la señal es úrea será:
10 = 20e − t / τ ⇉ t = τ ln 2 = 0, 69CRL que con los valores numéricos
del circui o da un
iempo de 6,9 ms. Como un período
de la señal son 0,1 ms, harán fal a 69 períodos de seña
l para recuperar el funcionamien o normal.
Ejercicio 6.11 Diseñar un circui o fijador
de ensión que sume 7 V a una señal sinusoi
dal de 1 KHz y 5 V de pico. Los efec os de una señal espúrea de 20 V de pico deberían
desaparecer en unos cinco períodos de la señal. Suponer el diodo ideal y usar un con
densador de 1 µF. Solución: Ver figura 6.25
1 µF + 5 kΩ – 2V vo –
+ vi
172
Fig. 6.25 Circuito del ejercicio 6.11
Aunque se ha tratado la recti icación como una aplicación separada, el recti icad
hecho, no es más que un caso particular de circuito recortador, en el que es espec
ialmente importante la potencia capaz de entregar a una carga. En algunas aplica
ciones, sin embargo, esta potencia entregada no es importante y sí lo es la precis
ión de la recti icación. Este podría ser el caso de recti icación de una señal de muy pequ
eña amplitud. Si la amplitud de la señal es del orden de las décimas de voltio, la ten
sión umbral del diodo impide su recti icación. Se requiere en este caso un recti ica
dor capaz de permitir el paso a las tensiones positivas desde casi cero voltios.
Esta recti icación precisa puede conseguirse combinando un ampli icador operacion
al y un diodo, en la orma mostrada en el circuito de la igura 6.26a. El punto
de partida para el análisis consiste en observar que las corrientes iL e iD deben
ser iguales, ya que por el terminal inversor no circula corriente. Como la corri
ente iD sólo puede tener el sentido indicado en la igura, la tensión de salida sólo p
uede ser positiva (vo = iL.RL). En estas condiciones existe un camino cerrado en
tre la entrada y la salida, y vo es igual a vi. Cuando vo es negativo el diodo e
quivale a un circuito abierto, ya que iD debería ser negativo. En estas condicione
s no circula corriente por RL y vo es nula. Nótese que en el límite entre estas dos
situaciones, cuando la salida empieza a ser positiva, empieza a pasar corriente
por el diodo, y en la salida del operacional (ánodo del diodo) habrá una tensión de va
lor Vγ. La curva de transferencia del circuito se presenta en la fiura 6.26b.
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π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
vo – + + vi – a) Fig. 6.26 a) Rectificador de recisión. b) Curva de transferencia b)
iL RL vi iD vo
d) A roximación de funciones con diodos En este a artado se describirá un método ara
a roximar funciones mediante tramos lineales usando circuitos electrónicos con dio
dos. También se resentarán un ar de ejem los de otros ti os de a roximación de funci
ones mediante circuitos con diodos: la obtención de una sinusoide recortando una s
eñal triangular, y la obtención del logaritmo de una función mediante un A.O. y un dio
do. Su óngase que se desee realizar una función vo(vi) de carácter no lineal. La rime
ra tarea consiste en a roximar dicha función or un cierto número de tramos lineales
, tal como se indica en la figura 6.27a. Esta a roximación mediante tramos lineale
s se uede realizar con el circuito de la figura 6.27b. En efecto, el rimer tra
mo, ara vi < v1, se realiza mediante un sim le divisor de tensión: vo1 = v1 R2 R1
+ R2 (6.8)
173
ecuación que ermite conocer R2, su oniendo fijada R1. Durante este rimer tramo l
os diodos D1 y D2 deben estar en olarización inversa.
vo vo2 vo1 vi – v v
1 i
R1 D1 + R2 R3 Va D2 Vb vo R4 – b) +
v a)
2
Fig. 6.27 a) A roximación de una función or tramos lineales. b) Circuito que realiz
a los tramos lineales
Cuando vi ≥ v1 el diodo D1 debe em ezar a conducir, y el D2 debe continuar cortado
hasta que la tensión de entrada alcance el valor v2. Para hacer que D1 inicie su
conducción debe seleccionarse Va=vo1–Vγ. A partir de este momento la tensión en la salid
a será: vo − Va − Vγ v vo = vi − R1 o + R3 R2 (6.9)
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
Derivando esta ex resión se obtiene: dvo = R2 dvi R1 + R2 (1 + R1 / R3 ) (6.10)
que one de manifiesto que es una endiente menor que la del rimer tramo. Igual
ando esta endiente al valor requerido or la gráfica: vo 2 − vo1 R2 = v2 − v1 R1 + R2
(1 + R1 / R3 )
D Vb
(6.11)
+ vi –
R
1
R3 R2
+ vo –
Fi. 6.28 Circuito para aumentar la pendiente de vo(vi) al aumentar vi
se obtiene R3 supuestos conocidos R1 y R2. El proceso anterior se repite para di
señar el tercer tramo de la ráfica. El circuito anterior sólo permite reducir la pend
iente de la ráfica cuando vi aumenta. Para aproximar alunas funciones puede inte
resar aumentar la pendiente a partir de determinado valor. Una forma de lorarlo
es la indicada en el circuito 6.28. En este caso, mientras la caída de tensión en R
3 sea inferior a Vb+Vγ el diodo estará abierto y la tensión de salida será:
174
vo =
R2 vi R1 + R2 + R3
(6.12)
Cuando el diodo conduzca la tensión de entrada será: vi = vo + Vb + Vγ + R1 Derivando
esta expresión se obtiene: dvo = R2 dvi R1 + R2 (6.14) vo R2 (6.13)
que es una pendiente mayor que la del tramo anterior. El valor de vi para que el
diodo inicie la conducción es: R + R2 + R3 vi = 1 (Vb + Vγ ) (6.15) R3 Ejemplo 6.11
Se desea aproximar la función vo = vi
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π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
mediante tres tramos lineales que asen or los untos (vi,vo): (1,1); (4,2); (9
,3). Diseñar el circuito que realiza esta a roximación. Su oner una tensión umbral de
los diodos de 0,7 V. Como la endiente va disminuyendo a medida que aumenta vi,
se uede utilizar el circuito de la figura 6.27b. Por comodidad se tomará R1 = 1 kΩ.
Cuando vi tome valores entre 0 y 1 V la pendiente debe ser 1. Para conseguirlo
basta tomar R2 in inita (es decir, eliminar dicha resistencia). El diodo D1 debe
iniciar su conducción cuando vo = 1 V. Para ello basta que Va = 0,3 V. Para que v
o valga 2 V cuando vi sea 4 V se requiere que la corriente que atraviesa R1 sea
2 mA. Esta corriente debe provocar una caída de tensión en R3 de 1 V, para que vo se
a 2 V. Entonces debe tomarse R3 = 500 Ω. El diodo D2 debe empezar a conducir cuand
o vo sea 2 V. Para ello tomaremos Vb = 1,3 V. Como se desea que vo sea 3 V cuand
o vi sea 9 V, debe circular una corriente de 6 mA por R1. Para esta salida, circ
ularán 4 mA por la resistencia R3. Por tanto por D2 deben circular 2 mA, los cuale
s deben producir 1 V de caída a través de R4. Por tanto, el valor de R4 debe ser de
500 Ω.
Ejercicio 6.12 Diseñar un circuito cuya curva de trans erencia vo(vi) sea la indic
ada en la igura 6.29a. Suponer los diodos ideales.
0,75V vo 2,25 1,25 1 vi + vi – 1V – b) 1 a) 2 3 1kΩ vo 3kΩ +
175
Fig. 6.29 a) Curva de trans erencia del ejercicio 6.12. b) Circuito que la reali
za
Otra técnica de aproximación de unciones consiste en obtener una señal modi ican
El circuito de la igura 6.30 permite obtener una sinusoide recortanto una señal t
riangular ( igura 6.31). Esta técnica se usa en equipos electrónicos que generan señal
es (generadores de unciones). El principio de uncionamiento del circuito es el
siguiente. Cuando la amplitud de vi es pequeña todos los diodos están cortados y vi
está conectada al terminal inversor del A.O. a través de cuatro ramas resistivas en
paralelo. Al aumentar vi, la tensión en el punto a del circuito llega a Vr y ento
nces el diodo D1 entra en conducción (los otros diodos continúan cortados). Al condu
cir D1 la corriente entre el punto a y el terminal inversor se ija en Vr/R2, co
n lo que se hace independiente de vi. La pendiente de la corriente que entra en
el A.O. respecto a vi disminuye, y también disminuye, por tanto, la pendiente de v
o respecto a vi. Al ir aumentando vi van entrando sucesivamente en conducción los
diodos D2, D5 y D6. Cuando los cuatro conducen la corriente que entra al A.O. es
constante e independiente de vi, por lo que la derivada de vo respecto a vi es
nula. Los diodos D3, D4, D7 y D8 reproducen el comportamiento descrito para valo
res de vi negativos.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
En la figura 6.32 se resenta un circuito que a roxima la función logarítmica. En ef
ecto, su oniendo que el A.O. o era en su región lineal, la salida será vo = –vd, (vd e
s la caida de tensión en el diodo) ya que la entrada inversora está a cero voltios (
cortocircuito virtual). Si la corriente que atraviesa el diodo es ositiva y no
excesivamente equeña, la relación entre la corriente y la tensión en el
R1 D1 +Vr o D2 R3 R5 + v
i
a D3
R2
o –Vr
D4 b c D7 R4 R6 + RF
– vo
D5 – +Vr o D6 R d
o –Vr
D8 R
Fig. 6.30 Circuito conformador de una señal sinusoidal a artir de un triangular
176
Fig. 6.31 Formas de onda ro orcionadas or SPICE ara el circuito 6.30
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π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
diodo uede a roximarse or una ex onencial (ecuación del diodo). Pero la corrient
e en el diodo será vi/R1. Entonces
v
i
R1 + – – vo +
vo = − vd ≅ −VT ln(
v iD ) = −VT ln( i ) Is R1 Is
(6.16)
siendo, por tanto, la tensión de salida proporcional al loaritmo de la tensión de e
ntrada. e) El diodo como elemento de protección
Fi. 6.32 Circuito que aproxima la función loarítmica
La máxima tensión que se puede aplicar a la entrada de muchos circuitos interados e
stá limitada a unos pocos voltios. Conviene, por tanto, limitar la tensión máxima en l
a entrada del circuito. Una forma de conseuirlo es colocando en su entrada un r
ecortador de tensión como el de la fiura 6.20. Cuando la tensión de entrada del cir
cuito para funcionamiento normal es muy pequeña, como es el caso de un A.O. trabaj
ando en la reión lineal, pueden ponerse dos diodos de uso eneral conectados en p
aralelo y con sentidos contrarios. Suponamos una entrada positiva. El diodo pol
arizado en inversa siempre estará cortado, y el otro equivaldrá también a un circuito
abierto, y no afectará al funcionamiento del circuito, mientras la tensión aplicada
sea muy inferior a Vγ. Cuando el valor aumente de forma anómala, empezará a conducir e
ste seundo diodo limitando la tensión a un valor Vγ. Para entradas neativas, el co
mportamiento de los diodos es simétrico al descrito. R Otra aplicación del diodo com
o elemento de protección es frecuente en circuitos con caras inductit=0 vas como
el representado en la fiura 6.33. En este circuito, si no existiera el diodo, a
l abrirse el interruptor L se eneraría una tensión muy elevada y neativa en Va bor
nes de la bobina, puesto que: diL dt
177
vL =
Fi. 6.33 El diodo como elemento de protección en circuitos inductivos
y al no existir camino de conducción cerrado iL tendería a cero en un tiempo nulo. E
sta tensión en la bobina (teóricamente de valor infinito) provocaría un arco voltaico
entre los terminales del interruptor para mantener la corriente a través de ella.
La repetición de esta chispa acabaría dañando el interruptor. El diodo se conecta para
proteer al interruptor. Cuando el interruptor está cerrado, el diodo está polariza
do neativamente y su presencia no afecta al comportamiento del circuito. Cuando
se abre el interruptor, la tensión neativa en bornes de la bobina lo polariza di
rectamente, conduce, y permite que la bobina mantena la continuidad de la corri
ente. Mientras el diodo conduce, la tensión entre sus terminales será Vγ y evitará el ar
co en el interruptor. La corriente que circula por el par bobina diodo se extin
ue proresivamente debido a la disipación de potencia en la bobina y diodo reales.
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CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
π
6.4 El diodo zener
Cuando la o eración en la región de ru tura es básica en la a licación del diodo suele d
enominársele diodo zener. El símbolo circuital del diodo zener es como el del diodo
normal, com letado con una es ecie de "z" en la línea que re resenta el cátodo, tal
como uede observarse en la figura 6.34a. En este a artado se describirá la modeli
zación del diodo zener y algunos circuitos de a licación que usan diodos zener.
6.4.1 Modelización del diodo zener El diodo zener es un diodo normal en cuya o era
ción interviene la región de ru tura. Por tanto, su modelización es una am liación de la
modelización del diodo rectificador ara incluir la región de ru tura. Aunque no ac
ostumbra a usarse en análisis de circuitos con "la iz y a el", un rimer modelo d
el diodo zener consiste en com letar el modelo ex onencial con otra ecuación ex on
encial ara olarización inversa. Este es el modelo que usa el rograma SPICE ara
modelar la región de ru tura. El modelo más habitual de la región de ru tura consiste
en añadir un nuevo tramo lineal al modelo del diodo rectificador or tramos linea
les. Esto se consigue añadiendo en aralelo al conjunto D1–Rs–Vγ de la fiura 6.10 un ci
rcuito D2–Rz–Vz tal como se muestra en la fiura 6.34b. Este circuito añadido equivale
en polarización directa a un circuito abierto, pero en inversa, cuando la polariz
ación es superior a Vz el diodo D2 entra en conducción y el diodo zener se comporta
como una fuente de tensión continua Vz en serie con la resistencia Rz. Con cierta
frecuencia el valor de Rz es suficientemente pequeño como para que pueda ser aprox
imado por Rz = 0.
Id pendiente 1/R s id + v
D
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d + D1 D2 vD Rz
Vz Vγ vD Rs
– Vγ pendiente 1/R z a) b) c) – Vz
Fi. 6.34 a) Simbolo del diodo zener. b) Curva corriente tensión. c) Modelización po
r tramos lineales
El análisis de circuitos que contienen diodos zener es iual al de los circuitos c
on diodos rectificadores. Puede realizarse un análisis ráfico o un análisis por tramo
s lineales. Ejemplo 6.12 Encontrar ráficamente el punto de trabajo del circuito d
e la fiura 6.35a. La tensión de ruptura del diodo es Vz = – 6V.
© los autores, 1998; © Edicions UPC, 1998.
π
EL DIODO. CIRCUITOS CON DIODOS
iD 100Ω –10V 10V ix + vx – – vD iD + i DQ –100mA a) b) Fig. 6.35 a) Circuito del ejemplo 6
.7. b) Análisis grá ico Vz vD
La ley de Kirchho de tensiones del circuito establece: 10 = ix 100 + v x Pero
obsérvese en el circuito que ix = – iD y que vx = – vD. Por tanto, la ecuación anterior
puede escribirse en unción de iD y de vD: 10 = −100iD − v D ecuación que puede represen
tarse en los mismos ejes coordenados que la curva del diodo, y que proporciona e
l punto de trabajo, tal como puede verse en la fiura 6.35b. El punto de trabajo
es: v DQ ≅ −6 V iDQ ≅ −40 mA
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Este circuito también puede ser resuelto mediante análisis por tramos lineales. Para
ello basta sustituir el diodo por el circuito equivalente