You are on page 1of 13

UMSNH, FIE

ELECTRÓNICA
ANALÓGICA I:
Notas de la materia
Ignacio Franco Torres

2012
UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Ignacio Franco Torres 2012 2/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Capitulo Introducción a la Física de


1 los Semiconductores
Objetivo del capítulo: Que el alumno comprenda el fundamento físico de los
materiales semiconductores y entienda como funcionan los semiconductores intrínsecos,
y extrínsecos tipo N y P de Silicio y Germanio.

El objetivo de este capítulo es la introducción del lector al conocimiento de los


semiconductores y de sus propiedades eléctricas fundamentales, que le permita
emprender en los capítulos siguientes el estudio de los dispositivos electrónicos
realizados con semiconductores, lo cual, en definitiva, es el objetivo de este libro. Se
comienza con una breve descripción de los materiales eléctricos, conductores, aislantes y
semiconductores, haciendo énfasis en estos últimos se analiza su dopaje, haciendo
especial hincapié en el silicio. Se estudia después una propiedad de importancia
fundamental, como es la cantidad de cargas móviles que pueden originar corriente en el
semiconductor, denominadas portadores. Se analizan los mecanismos por los cuales esos
portadores inducen una corriente eléctrica, Finalmente se presenta las bandas de
energía, que permite emprender en el capítulo siguiente el estudio de la unión PN, la
estructura básica para fabricar dispositivos

1.1 Clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico (con enfoque a los
enlaces químicos que se dan: conductores, semiconductores (Si y Ge) y aislantes o
dieléctricos).

a) Carga Eléctrica (q)- Un electrón es considerado una partícula atómica donde está
contenida la carga eléctrica fundamental que se considera es de polaridad negativa y
cuya magnitud se especifica por 1.6 X 10-19 Coulombios (C), esta carga es la
responsable de la interacción atómica (reacción química) entre diferentes átomos.
La carga Positiva se considera está en el núcleo atómico; en los protones los cuales tienen
la misma magnitud de carga que los electrones pero con signo positivo.

La carga eléctrica tiene unas reglas de operación:


cargas de igual signo se repelen o rechazan.
cargas de signos contrarios se atraen.

Las fuerzas de atracción y o repulsión de las cargas son función de la magnitud de la


carga y de la distancia entre las mismas.

La fuerza resultante (F) entre cargas es directamente proporcional a la magnitud de las


cargas (q1, q2, qn) en cuestión e inversamente proporcional su distancia.
n m 2 q1 q2
Ley de Coulomb: F 9.8 10 9 2
C r2
Donde:

Ignacio Franco Torres 2012 3/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

F en Newton (N)
si q1 y q2 están en coulomb (C)
r en metros (m)

Por lo que podemos concluir que la fuerza eléctrica de atracción resultante entre
electrones y protones es muy intensa de la misma manera que la fuerza de rechazo entre
los protones del núcleo es todavía mas intensa y la explicación que se da nos da para que
esas partículas no se junten (electrones con protones) o se separen (protones con
protones ó electrones con electrones) es que las fuerzas nucleares son las encargadas de
mantener un equilibrio a semejanza de un sistema planetarios.
Distancia promedio entre el electrón y el protón es de 5.3 x·10-11 m
Distancia promedio entre protones es de 2 x·10-15m

b) Símbolo. e−
c) Portador de carga. Al electrón se le considera la partícula atómica por excelencia
capaz de portar carga eléctrica (llevar, transportar), esta propiedad es la más
importante para la electricidad y la electrónica ya que permite el flujo de energía
eléctrica entre los sistemas. Al movimiento de electrones de manera ordenada se le
denomina corriente eléctrica.
d) Masa del electrón. Como toda partícula atómica el electrón también tiene masa, esta
es muy pequeña y colabora con la propiedad anterior, su masa es de 9.11 x10-31
kilogramos, unas 1800 veces menor que la de los neutrones y protones
e) Tamaño del electrón. Radio clásico del electrón,
con un valor de 2.8179 x 10-15 m.

Existen tres tipos fundamentales de materiales, de


acuerdo con su comportamiento eléctrico:
 Conductores
 Aislantes o Dieléctricos
 Semiconductores

En los apartados siguientes se analiza la respuesta de


los dos primeros ante la aplicación de un campo
eléctrico. Los materiales semiconductores serán
tratados con profundidad un poco mayor.

1.1.1 Materiales Conductores. Los conductores son materiales o elementos


cuyos electrones de valencia pueden ser extraídos fácilmente del núcleo que les
corresponde. De esta forma, se convierten en fuentes de electrones libres, capaces
de producir una corriente eléctrica.

Estructura

Ignacio Franco Torres 2012 4/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Los conductores por excelencia son los metales.


Estos forman redes de iones en los que cada
átomo cede sus electrones de valencia para
formar una nube de electrones libres, se les
denomina enlace metálico. La nube negativa
hace de aglutinante de los iones positivos,
apantallando la repulsión y manteniéndolos
unidos. En la Figura 1 se muestra de manera
simplificada, la red de átomos del aluminio. Figura 1: Enlace metálico del aluminio

Conductores bajo la acción de un campo eléctrico


Puesto que un conductor
dispone de una nube de
electrones libres, la aplicación de
un campo eléctrico (voltaje o
tensión eléctrica) provocará un
movimiento de cargas. Este
fenómeno presenta una cierta
analogía con el movimiento de
los cuerpos en el campo
gravitatorio como se muestra en Figura 2 Analogía de los campos gravitatorio y
la Figura 2. eléctrico
La fuerza de la gravedad es equivalente a la que ejerce el campo eléctrico, mientras que
la diferencia de alturas se corresponde con la diferencia de potencial ( V1 V2 ). La
intensidad de la corriente eléctrica es el número de portadores de carga que atraviesa
una sección del conductor por unidad de tiempo.

Obsérvese que aunque el movimiento de los electrones es relativamente lento, la


propagación de este movimiento en el interior del conductor se produce casi
instantáneamente (a la velocidad de la luz: 3 x 108 m/s).

Obviamente, la situación representada en la Figura 2 es una tosca aproximación al


fenómeno de la conducción eléctrica en los materiales. En realidad los electrones libres
interaccionan tanto entre ellos como con los iones positivos. Como resultado de estos
choques se produce un consumo de energía, que se caracteriza mediante el parámetro
llamado resistencia eléctrica del conductor.
La propiedad eléctrica más importante de los materiales es la que expresa que tan
fácilmente permiten el paso de la corriente eléctrica: la más común se llama “resistencia
eléctrica”R=expresa la oposición que tiene un material al paso de una corriente
volt
eléctrica, sus unidades están en ohms ( ) el mejor material conductor de
Ampere
electricidad sería aquel cuya R=0 Ω (ohm), dicho material no se conoce.
Una propiedad que seria la opuesta a la Resistencia eléctrica sería la Conductividad
Eléctrica, la cual también expresa que tan buen conductor eléctrico es un material. Se
1 volt
(G ) Siemens S
representa con R Ampere

Ignacio Franco Torres 2012 5/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Idealmente el mejor conductor Eléctrico tendría una resistencia eléctrica de 0 ohms (Ω) ó
una conductividad eléctrica de ∞ Ω

La resistencia eléctrica que presenta un resistor es función del material con el que esta
hecho el resistor así como la geometría (forma) del resistor, por ejemplo para un resistor
de forma cilíndrica, la resistencia que presenta este resistor será:
R=ρ(L/S)
L = longitud (m)
S = área (m2)
ρ = resistividad de material (Ω-m)

La resistividad (ρ) es función de la temperatura

Resistividad Coeficiente de temperatura


Sustancia
ρ (Ω-m) α (1/°K)
Plata 1.59·10-8 3.8·10-3
-8
Cobre 1.67·10 3.9·10-3
CONDUCTORES

Oro 2.35·10-8 3.4·10-3


-8
Aluminio 2.65·10 3.9·10-3
Wolframio 5.65·10-8 4.5·10-3
-8
Níquel 6.84·10 6.0·10-3
Hierro 9.71·10-8 5·10-3
Platino 10.6·10-8 3.93·10-3
-8
Plomo 20.65·10 4.3·10-3
Silicio 4300 -7.5·10-2
Semiconductores
Germanio 0.46 -4.8·10-2
Vidrio 1010- 1014
Cuarzo 7.5·1017
AISALANTES

Azufre 1015
Teflón 1013
Caucho 1013- 1016
Madera 108- 1011
Diamante 1011
Resistividad de algunos materiales a 20 °C

En los conductores, aumenta con la temperatura, pudiéndose considerar que para


pequeños intervalos de temperatura una dependencia lineal:
ρ = resistividad de material (Ω-
m)
ρ20 = Resistividad del material
ρ= ρ20(1 +α(t- 20 °C ))
a 20 °C
α = coeficiente de temperatura
t = temperatura en °C

Ignacio Franco Torres 2012 6/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Los resistores son


dispositivos que se
usan para manipular
corrientes y voltajes
en los circuitos
eléctricos las más
comunes tienen un
código de colores
que permite
identificar su valor
de resistencia y de
tolerancia.

Conductores en equilibrio electrostático


Cuando en el interior de un conductor no se tiene movimiento neto de carga, se dice
que está en equilibrio electrostático. En esta circunstancia, el conductor presenta las
siguientes propiedades:
 El campo eléctrico en el interior del conductor es nulo: En caso contrario, sobre los
electrones libres actuaría una fuerza capaz de moverlos. En consecuencia, la
diferencia de potencial entre dos puntos del interior del conductor es nula.
 En el interior del conductor no existe carga eléctrica neta: En efecto, la carga del
conductor sólo puede estar distribuida en la superficie del conductor, ya que si
hubiera carga interior también existiría un campo eléctrico interior.
 El campo eléctrico sobre la superficie del conductor es perpendicular a la misma: De
otro modo existirían fuerzas tangenciales capaces de provocar el movimiento de los
electrones.

1.1.2 Materiales Aislantes ó Dieléctricos. Los materiales aislantes o


dieléctricos ideales son aquellos que no permiten el establecimiento de una
corriente eléctrica.

Estructura
Se trata de materiales en los que, para formar el enlace, los átomos completan su última
capa atómica alcanzando la estructura electrónica estable: la propia de un gas noble. Los
electrones pueden cederse (enlace iónico puro), compartirse (enlace covalente puro) o
combinarse (enlace covalente heteropolar). En la Figura 3 se muestra la estructura
molecular del dióxido de silicio (SiO2), material aislante por excelencia empleado en la
industria microelectrónica.

El hecho fundamental es que los


electrones quedan ligados al material, al
contrario de lo que sucedía con la nube
electrónica de los conductores.
Figura 3 Estructura molecular del SiO2
Aislantes bajo la acción de un campo eléctrico

Ignacio Franco Torres 2012 7/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Si un aislante (o dieléctrico) ideal se somete a un campo eléctrico (o a una diferencia de


potencial), no es posible la circulación de una corriente, ya que no existen cargas libres.
Sin embargo, si las tensiones son muy elevadas pueden llegar a arrancar electrones e
incluso iones de la red. Los electrones arrancados bombardearán otros átomos, liberando
nuevos electrones. Así se genera una avalancha que si no se controla puede destruir el
material. Por lo tanto, existe un campo eléctrico por encima del cual se produce la
ruptura dieléctrica del material aislante. En los buenos aislantes esta tensión es muy
elevada.

Idealmente el mejor Aislante Eléctrico tendría una resistencia eléctrica de ∞ ohms (Ω)

1.1.3 Materiales Semiconductores (Si y Ge). Los materiales semiconductores


ideales son aquellos que tienen propiedades entre los conductores y aislantes es
decir no son buenos conductores no son buenos aislantes.

Estructura
Se trata de materiales en los que, para
formar el enlace, los átomos
completan su última capa atómica
alcanzando la estructura electrónica
estable que puede ser manipulada
eléctricamente. Los electrones se
Figura 4 Estructura molecular del Si
comparten (enlace covalente puro).
En Figura 4 se muestra la estructura molecular del silicio ( Si ), material semiconductor por
excelencia empleado en la industria microelectrónica.

El hecho fundamental es que los electrones quedan semi-ligados al material, al contrario


de lo que sucedía con la nube electrónica de los conductores.

Semiconductores bajo la acción de un campo eléctrico


Si un semiconductor ideal se somete a un campo eléctrico (o a una diferencia de
potencial), es posible la circulación de una pequeña corriente, ya que no existen cargas
semi-libres. Técnicamente son malos conductores y malos aislantes.

MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA.


Otra manera de explicar el funcionamiento de los materiales eléctricos es a través del
modelo de bandas de energía como se muestra en la Figura 5 donde se representan los
electrones de conducción y de valencia representados en bandas.

Figura 5 Bandas de Energía de (a) Conductor (b) Aislante (c) Semiconductor

Ignacio Franco Torres 2012 8/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

95 % de los elementos electrónicos fabricados en la actualidad son de materiales


semiconductores simples, principalmente de silicio, pero los semiconductores
compuestos empiezan a jugar un papel cada vez más significativo en aplicaciones de alta
velocidad y en la optoelectrónica. Por ese motivo, en este libro se considera al silicio
como semiconductor de referencia, si no se indica otra cosa explícitamente.

1.2 Construcción de los semiconductores para uso electrónico.


(Enfoque de red cristalina pura, características eléctricas del semiconductor
intrínseco).

1.2.1 Los semiconductores naturales deben ser preparados para ser


usados como semiconductores grado electrónico.
 Deben de purificarse, solo deben quedar impurezas en partes por millón (ppm)
 Deben poseer una Red cristalina pura y ordenada (Figura 6)
 Se usan Silicio y Germanio generalmente.

Figura 6 Red cristalina tridimensional, Bidimensional y simplificada

1.2.2 Semiconductores Intrínsecos. Se les denomina a los semiconductores que


tienen una red cristalina ordenada y un alto grado de pureza y debido a ello sus
propiedades eléctricas solo dependen de sí mismos y de su forma geométrica
cuando se construyen dispositivos con ellos (figura 6).

Ignacio Franco Torres 2012 9/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Un termistor es un ejemplo clásico de dispositivo electrónico fabricado con


semiconductores intrínsecos, tiene típicamente un coeficiente que lo hace dependiente
de la temperatura, es decir su resistencia eléctrica depende de la temperatura, si lo hace
de forma negativa, es decir si al aumentar la temperatura disminuye su resistencia se dice
que es NTC (Negative Temperature Coeficient) ó PTC (Positive Temperature Coeficient) si
lo hace de manera opuesta.

Figura 7 Resistencia Vs Temperatura en termistores NTC y PTC y Símbolo

Su uso es como sensor de temperatura o como compensador dependiente de la


temperatura.

Figura 8.- Aplicaciones del termistor a) Corriente dependiente de Temperatura, b)


Voltaje dependiente de Temperatura c) Termómetro con termistor

1.3 Semiconductores Extrínsecos: (Efectos de los contaminantes y cuáles de


ellos se pueden usar. Semiconductor tipo N y Tipo P. Características eléctricas.)

1.3.1 Dopado. Si a los semiconductores intrínsecos se les combina adecuadamente


con elementos del III y/o con elementos del V grupo se forman los
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS.

1.3.2 Semiconductores Tipo N. Los elementos del V grupo que se usan en la


electrónica junto con el silicio y germanio son: fósforo, arsénico, antimonio y
bismuto que al combinarse con los semiconductores intrínsecos forman los
Semiconductores Extrínseco tipo N.

Ignacio Franco Torres 2012 10/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Figura 9.- Semiconductor Extrínseco tipo N, (a) Bandas de Energía, (b) Enlace

1.3.3 Semiconductores Tipo P. Mientras que los III grupo son: Boro, Aluminio, Indio y
Galio que al combinarse con los semiconductores intrínsecos forman los
Semiconductores Extrínseco tipo P.

Figura 10.- Semiconductor Extrínseco tipo P, (a) Bandas de Energía (b) Enlaces
Covalentes

1.3.4 Características Eléctricas.


Semiconductores Intrínsecos
Tabla 1.3 Intervalos prohibidos de energía, conductividades a temperatura ambiente,
movilidad de los electrones y huecos de materiales semiconductores,
Intervalo Conductividad Movilidad de los Movilidad de los
Material
prohibido (eV) Eléctrica (Ω-m)-1 electrones (m2/V-s) huecos (m2/V-s)
Elemental
Si 1.11 4 x 10-4 0.14 0.05
Ge 0.67 2.2 0.38 0.18
Compuestos III-V
GaP 2.25 - 0.05 0.002
GaAs 1.42 10-6 0.85 0.45
InSb 0.17 2 x 104 7.7 0.07
Compuestos II-VI
Cd 2.40 - 0.03 -
ZnTe 2.26 - 0.03 0.01
Estas características eléctricas de los materiales semiconductores intrínsecos son alteradas
sustancialmente en los extrínsecos de acuerdo a la cantidad de dopaje de los mismos.

Semiconductores Extrínsecos
Tipo N
Portadores de cargatransportadoreselectrones

Tipo P
Portadores de cargatransportadoreshuecos

Ignacio Franco Torres 2012 11/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Figura 11.- Variación de la movilidad de Figura 12.- Variación de la movilidad de los


los electrones contra la concentración de electrones contra la concentración de
impureza donadora (tipo n) impureza aceptora (tipo p)

Figura 13.- Influencia de la temperatura en la conductividad eléctrica

Figura 14.- Disminución de la movilidad Figura 15.- Disminución de la movilidad


del electrón al aumentar la temperatura de los huecos al aumentar la
temperatura

Ignacio Franco Torres 2012 12/13


UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Figura 16.- Si T se incrementa Extrínseco  Intrínseco

Ignacio Franco Torres 2012 13/13