Вы находитесь на странице: 1из 7

S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

nar un periodo. El desarrollo del tiristor GTO

IGCT, conmutador supuso un gran avance, ya que puede con-


mutar en cualquier instante de un periodo. Los
tiristores IGBT han permitido conseguir fre-

de semiconductores cuencias de conmutación más altas, pero sus


pérdidas de conmutación sólo se mantienen
en un nivel aceptable a bajas tensiones. Para

de alta potencia para todos estos semiconductores de potencia, los


responsables del desarrollo se concentraron
básicamente en los procesos de conmutación

tensiones medias mismos, dejando de lado los trabajos técnicos


necesarios para su uso en la práctica.
Los tiristores GTO están formados por mi-
El diseño de componentes semiconductores para la conmutación de potencia llares de elementos de conmutación alojados
en la gama de megawatios y tensiones medias plantea numerosos problemas. en un disco de silicio. Las pérdidas se produ-
Las propiedades naturales de los dos semiconductores de potencia disponi- cen en cualquiera de los cuatro estados de
bles en la técnica de silicio, concretamente los tiristores GTO (Gate-Turn-Off) servicio (on, off, conexión, desconexión). Con
e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) obligan a aceptar compromisos de tensiones medias, las pérdidas de conducción
cálculo que hacen que los sistemas de potencia y la regulación de los mismos de los tiristores GTO son muy bajas, mientras
sean más complejos y más caros. Para funcionar de manera fiable, los tiristo- que sus pérdidas estacionarias se mantienen
res GTO necesitan circuitos periféricos complejos; además, tienen una fre- en un nivel razonable. Sin embargo, puesto
cuencia baja de conmutación. Los ingenieros de desarrollo de sistemas con la que el proceso de conmutación no es homo-
técnica IGBT tienen que resolver, por una parte, el problema de las grandes géneo, el funcionamiento de conmutación
pérdidas y, por otra parte, han de conjugar la necesidad de mayor número de exige circuitos externos de protección contra
componentes con la exigencia de más disponibilidad. La nueva técnica IGCT las sobretensiones (snubber). Estos circuitos
(Integrated Gate Commutated Thyristor), desarrollada por ABB, compensa los ocupan más de la mitad del volumen del ele-
inconvenientes de los tiristores GTO e IGBT y contiene todos los circuitos ne- mento terminado, requieren mucho tiempo de
cesarios para asegurar la fiabilidad del aparato de conmutación, que puede diseño y provocan una gran parte de los cos-
emplearse sin problemas en la gama de tensiones medias. tes y pérdidas.
Aunque los tiristores IGBT tienen en estado

A BB fabrica los tiristores de alto rendi-


miento GTO e IGBT para aplicaciones en que
mutador de semiconductores, este puede
conmutar más rápidamente y con menores
de paso pérdidas comparativamente más
altas, conmutan de forma homogénea, por lo
que no necesitan circuitos de protección con-
la fiabilidad es decisiva. Se utilizan, entre otras pérdidas que los tiristores GTO e IGBT. Ade- tra las sobretensiones. De todas formas, aún
aplicaciones, en accionamientos industriales, más, sus propiedades permiten a los pro- no se encuentran disponibles para todos los
en trenes y barcos y en los sistemas de trans- yectistas de instalaciones reducir las dimen- niveles de media tensión. Para remediar este
porte y distribución de electricidad 1 , 2 . siones y bajar los costes de los sistemas inconveniente, los diseñadores tienen que co-
También se usan a menudo en la gama de para media tensión, aumentando al mismo nectar en serie varios tiristores IGBT de menor
tensiones medias más usuales: 2,3 kV, 3,3 kV, tiempo su eficacia y fiabilidad. tensión de bloqueo, lo que aumenta enorme-
4,16 kV y 6,9 kV. mente la complejidad y produce muchas más
pérdidas, con la correspondiente reducción de
Un conmutador de potencia la fiabilidad. Así, un convertidor calculado para
Desarrollo de los conmutadores mejorado funcionar con 4,15 kV necesita para cada fase
de potencia de silicio Durante los 30 años transcurridos desde su cuatro tiristores IGBT de 1,8 kV conectados
ABB ha venido invirtiendo constantemente introducción, los conmutadores de potencia en serie.
en el desarrollo y fabricación de los tiristores hechos de silicio se han ido haciendo a la vez Los tiristores GTO pueden fabricarse eco-
GTO y en técnica IGBT, con el resultado de más complejos y más eficaces. Los primeros nómicamente para casi todos los niveles de
un continuo incremento de la potencia de tiristores no podían desconectar sino al termi- media tensión. Previsiblemente, en un próxi-
conmutación 3 . Una serie de innovaciones mo futuro también se dispondrá de tiristores
ha permitido crear durante los últimos años IGBT para 3,3 y 4,5 kV, que simplificarán el di-
una plataforma para el diseño y fabricación seño de los circuitos de media tensión, pero
de un conmutador de potencia, hecho de si- Harold M. Stillman se sabe que provocarán pérdida altas. Para
licio, que supera las prestaciones de los tiris- ABB Corporate Technology compensar estas pérdidas y actuar contra el
tores GTO e IGBT. Denominado IGCT con- correspondiente calentamiento, los tiristores

12 Revista ABB 3/1997


S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

IGBT deberán tener más superficie de silicio,


lo que aumentará su coste.
El conmutador de potencia ideal debería
conmutar como un IGBT y conducir la corrien-
te como un GTO, tendría que tener unos cos-
tes de fabricación razonables y alcanzar el alto
rendimiento de los tiristores GTO. Estas son,
precisamente, las propiedades del tiristor
IGCT (Tabla 1).

El secreto de la técnica IGCT


Han sido necesarias varias innovaciones en la
técnica IGCT para conseguir que los muchos
miles de estructuras individuales de conmuta-
ción de un tiristor GTO modificado puedan
conmutar rápidamente y al mismo tiempo.
Además se ha conseguido mantener el bajo
nivel de pérdidas en estado de paso y de blo-
queo, típicas de los tiristores.
Una de las principales innovaciones es una Con la tecnología IGCT se pueden construir instalaciones electrónicas de potencia 1
más compactas y de mejor precio, por ejemplo instalaciones de convertidores
nueva capa tampón, que permite reducir en
para instalaciones CCAT o compensadores estáticos de potencia reactiva.
un factor 2 a 2,5 las pérdidas en estado de
paso y de conmutación, y hace que los perfi-
les óptimos de dotación de un tiristor GTO y tampón es casi tan vieja como el tiristor GTO estado de paso del aparato. En un tiristor GTO
de un diodo sean prácticamente idénticos. mismo, aún no había llegado a ser realidad de diseño convencional, esta misión la asu-
Hasta ahora, la combinación de un diodo y de por las razones que se exponen a continua- men los cortocircuitos de ánodo, que propor-
un tiristor GTO traía consigo una limitación im- ción. Para reducir las pérdidas de conmuta- cionan una vía de escape a los electrones. La
portante de las prestaciones del diodo en ción, en la desconexión es necesario eliminar combinación de cortocircuitos de ánodo con
cuestión. Aunque la idea de usar una capa lo más rápido posible la carga presente en el una capa tampón, sin embargo, conlleva la

Tabla 1:
La técnica IGCT aúna las ventajas de los tiristores GTO e IGBT

Ventajas Tiristores GTO IGBT IGCT

Técnica de conmutación • suministrable para la • elevada frecuencia de conmutación • elevada frecuencia de conmutación
mayoría de las tensiones • bajas pérdidas de conmutación • bajas pérdidas de conmutación
medias • sin circuitos de protección contra y en estado de paso
• bajas pérdidas en estado las sobretensiones • sin circuitos de protección contra
de paso • control integrado de compuerta las sobretensiones
• suministrable para la mayoría de las
tensiones medias

Conmutación • seguridad contra • menos piezas y con menor tensión • seguridad contra fallos graves
de potencia fallos graves • apropiado para la conexión en serie • fiabilidad acreditada
y en paralelo en caso de tensión baja • diodo y compuerta integrados, para
reducir el número de componentes
• apropiado para la conexión
en serie y en paralelo

Equipos • fiabilidad demostrada • configuración modular • permite construir aparatos


• compacidad modulares compactos
• bajos costes de cableados y conexiones
• módulos listos para su uso
• fiabilidad demostrada

Revista ABB 3/1997 13


S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

vido de base al mito de la imposibilidad de


usar los GTO sin circuito de protección contra
las sobretensiones.
De hecho, el GTO ha ser reducido a un ele-
mento pnp estable (es decir, a un transistor)
sólo durante unos pocos microsegundos, crí-
ticos, durante el proceso de desconexión.
Para neutralizar el cátodo durante este proce-
so se ha de bloquear la polarización de la
unión np del cátodo antes de que se constitu-
ya la tensión en la unión principal. Esto exige
conmutar la corriente de plena carga del cáto-
do (n) hacia la compuerta (p) en aproximada-
mente un microsegundo. El diseño de la
nueva carcasa de baja inductancia permite al-
canzar un valor de 4000 A/µs con una unidad
de compuerta de 20 V. Así quedan eliminadas
por completo las corrientes de fuga, y el com-
portamiento de desconexión y la gama de fun-
cionamiento fiable son análogos a los de un
Los IGCT se pueden aplicar a menudo en la técnica de accionamiento, 2
como en esta bomba de alimentación de agua. transistor (por ejemplo un IGBT). Además, los
actuales GTO pueden conmutar inmediata-
mente sin provocar las fluctuaciones que
aparición de corrientes de encendido y de Otra importante innovación se produce en antes exigían el máximo ingenio para diseñar
mantenimiento muy altas, un problema que se el nivel del control de la compuerta. Los GTO y circuitos en serie.
ha resuelto prescindiendo de los cortocircuitos otros tiristores son dispositivos de cuatro
de ánodo. Así, el ánodo se ha hecho «trans- capas (npnp) y tienen, por tanto, sólo dos
parente», es decir, permeable a los electrones. puntos estables de funcionamiento: «on» y Semiconductores de potencia y
El resultado es que las corrientes de encendi- «off». Todos los estados intermedios son ines- experiencia de diseño de circuitos
do se han reducido casi en un orden de mag- tables y provocan corrientes de fuga. Esta La técnica IGCT es el resultado de un intenso
nitud respecto de los tiristores GTO sin tam- inestabilidad propia está agravada además trabajo conjunto entre el departamento de de-
pón. por los defectos de fabricación, lo cual ha ser- sarrollo de componentes electrónicos de ABB
Semiconductors AG y los grupos de desarro-
llo de convertidores de potencia de ABB In-
Mejora de la potencia de conmutación P de los tiristores GTO e IGBT 3
dustrie AG. Precisamente ha sido el desarrollo
simultáneo del silicio, de la carcasa y de los
circuitos complementarios requeridos por las
10 8
aplicaciones industriales lo que ha permitido
hacer realidad esta combinación de propieda-
VA des de los IGCT, única en su género.
La técnica IGCT engloba el aparato de
GTO
conmutación de potencia (GTC) y el circuito
de control (diodo de rueda libre y control de la
10 7
compuerta), constituyendo un componente in-
IGBT tegrado 4 . Puesto que se efectúan cuatro ni-
veles de agrupación para el suministro e inte-
gración de componentes 5 , 6 , es posible
P
conseguir perfeccionamientos al mismo tiem-
po en cuatro campos interdependientes: bajas
10 6
pérdidas de conmutación y de estado de
paso en la gama de tensiones medias, circui-
tos más sencillos para el control de los semi-
1985 1990 1995
conductores de potencia, menores costes del
sistema de potencia y, finalmente, más seguri-

14 Revista ABB 3/1997


S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

dad de funcionamiento y mayor fiabilidad. Y


puesto que la oferta contiene también módu- n+
los de conmutación prediseñados, la técnica p
IGCT permite al proyectista de equipos de n+
tensión media desarrollar sus productos en p p p
menos tiempo.

Ventajas de la técnica IGCT n + n– ⇒ n–


de media tensión

Bajas pérdidas de conmutación


n+ n n+
Una ventaja de la conmutación con bajas pér- p+
didas es que el proyectista puede elegir la fre-
cuencia de conmutación más conveniente p+ n + p + n + p +
para el caso en cuestión. En los semiconduc- a
tores de potencia construidos con técnicas
anteriores, la frecuencia de conmutación a la
intensidad nominal estaba limitada a 250 Hz.
La técnica IGCT permite trabajar con una fre- n n
cuencia hasta cuatro veces mayor. Por ejem- p p p

plo, un proyectista de sistemas de acciona-


miento puede elegir una frecuencia de conmu-
tación más alta para conseguir mayor n n–
+
rendimiento del sistema o, en otro caso, optar
por una frecuencia de conmutación más baja
para un IGCT con el fin de mejorar el rendi-
miento de instalaciones de onduladores y re-
p n+
ducir sus pérdidas.

Reducción de tamaño de los


Comparación entre los IGBT y los GCT, en el cual el interruptor de potencia 4
circuitos auxiliares
y el diodo de rueda libre están montados en el mismo disco de silicio.
Las sobresalientes características del GCT en El GCT es mucho más sencillo que el IGBT.
el nivel de aparatos, únicas en su clase, hacen
posible el funcionamiento sin circuitos de pro- a Sección de un tiristor GTO (a la izquierda), de un diodo (en el centro) y de un GCT (a la de-
recha). Como puede verse, la capa emisora y tampón transparente del GCT permite tener
tección contra las sobretensiones (snubber),
una capa de base n más delgada, lo cual posibilita integrar el diodo de rueda libre en la
con las importantes ventajas que esto conlle- misma estructura y, si se combina con una carcasa de baja inductividad y un circuito de
va. Las instalaciones de onduladores equipa- mando de compuerta de baja inductividad, prescindir del circuito de protección.
das con circuitos de protección contras las
b Sección de una célula de IGBT (a la izquierda) y de un diodo (a la derecha). Un circuito inte-
sobretensiones son caras y grandes, mientras
grado IGBT completo está formado por gran número de celdas monolíticas como esta. La
que las mismas instalaciones sin circuitos de técnica MOS limita el tamaño de los circuitos integrados IGBT a 1-2 cm2 aproximadamente,
protección no sólo tienen menores pérdidas de modo que se han de conectar varios circuitos en paralelo. Puesto que los semiconduc-
sino que son más compactas y tienen menos tores IGBT todavía no alcanzan los mismos valores de tensión de estado de «no conduc-
ción» que los GCT, han de conectarse en serie para conseguir la tensión de bloqueo reque-
componentes 6 . Y, además, aumenta la se-
rida por la aplicación concreta.
guridad de funcionamiento.
Hay que mencionar también que la técnica
IGCT simplifica el proyecto de instalaciones, Mejores precios de componentes Los GCT pueden fabricarse con los proce-
gracias a la integración de los diodos de rueda y sistemas dimientos que ya se emplean para fabricar los
libre en la estructura GCT. Esto es posible por- La aplicación de la técnica IGCT permite re- GTO. Puesto que se trata de procedimientos
que la reducción de espesor del disco de sili- ducir al menos un 30% de los costes de los perfectamente dominados y además pueden
cio GCT, que también reduce las pérdidas de convertidores de potencia para control y re- utilizarse los equipamientos ya disponibles, los
conmutación, no impide fabricar un diodo efi- gulación. Varios factores contribuyen a esta costes de fabricación de los GCT son seme-
caz en el mismo. reducción. jantes a los de los tiristores GTO. Comparados

Revista ABB 3/1997 15


S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

La técnica IGCT ofrece cuatro niveles para la construcción 5


por capas e integración de los componentes (véase a, b y c,
así como la figura 6b ). Los diseñadores de aparatos
pueden utilizar cada nivel como punto de partida. Si se
elige una pila IGCT lista para usarse (figura 6b ),
se puede ahorrar gran parte del tiempo dedicado al
proyecto de circuitos de potencia y de sistemas mecánicos.
a GCT (Gate commutated thyristor)
a • El tiristor GCT y el diodo están integrados en el mismo disco.
• Gracias al diseño del ánodo, la carga eléctrica puede entrar y
salir rápidamente del GCT.
• La baja potencia del disco de silicio limita la carga almacenada
y permite colocar en el mismo disco el diodo y el conmutador
de potencia.
• Un disco de silicio más delgado tiene mayores pérdidas en es-
tado de paso.
• Todos los elementos conmutan al mismo tiempo; se puede
prescindir de un circuito de protección contra las sobretensio-
nes.
b GCT alojado en carcasa
• Una carcasa de baja inductancia asegura que las corrientes de
carga y de control de compuerta penetran en el GCT y salen de
b
él con rapidez.
• La carcasa «Presspack» garantiza libertad de movimientos y
previene los fallos por fatiga, con solicitaciones térmicas incluso
durante decenas de años.
• La carcasa «Presspack» resiste sin problemas la solicitación
térmicas y aumenta la fiabilidad.
c Control de compuerta integrado
• El circuito de control de compuerta, de baja inductancia, se en-
carga de que las corrientes de control penetren y salgan con
rapidez del GCT.
• El circuito de mando de compuerta, localizado y altamente inte-
c grado, reduce la inductancia de fuga.
• La compacidad de la construcción simplifica el diseño de las
instalaciones.

con los IGBT, los tiristores GCT son menos hechos con otras técnicas. Las pérdidas en los Este último factor reduce también los costes
sensibles a las fluctuaciones de procedimien- circuitos de potencia y en los correspondientes de almacenamiento de piezas de recambio.
to, que no influyen sobre el comportamiento circuitos auxiliares son más bajas y, por tanto, Además, en el caso improbable de una pertur-
de desconexión. Por eso ha mejorado el ren- los dispositivos de refrigeración ocupan menos bación, la configuración modular de la técnica
dimiento de fabricación y se han reducido los espacio, reduciéndose aún más los costes. IGCT permite sustituir con facilidad y rapidez
costes. Además, la simulación de los GCT es los componentes de potencia, de modo que
más simple, lo que se refleja en una reducción el proceso industrial continúa sin problemas o
de costes y en plazos más cortos de desarro- Fiabilidad y disponibilidad a lo más se interrumpe brevemente.
llo de los sistemas. De forma general, los costes de las instalacio-
Gracias a la técnica GCT, el número de nes de control y regulación de potencia son
componentes de los circuitos de potencia ha bajos en comparación con los provocados Aplicaciones de la técnica IGCT
quedado reducido en cerca del 50%. Esto por las interrupciones de los procedimientos La mayor ventaja del tiristor IGCT es su capa-
proviene, de forma general, de la reducción de industriales. La disponibilidad de estos com- cidad para desconectar en 3 microsegundos y
cableado, conseguida gracias a la fuerte inte- ponentes y sistemas es, por lo tanto, funda- para conducir como un tiristor normal. Por
gración de los elementos, y a que los diodos mental. La técnica IGCT, desarrollada espe- eso, la tecnología IGCT permite realizar ins-
forman parte del tiristor GCT. La mayor fre- cialmente para aplicaciones en la gama de talaciones de onduladores con pérdidas que
cuencia de funcionamiento permite que algu- tensión media, proporciona máxima fiabilidad no llegan ni a la mitad que las de otras tecno-
nos componentes tengan menor tamaño, lo gracias a las características siguientes: logías. Los IGCT han hecho posible la configu-
que trae consigo otros ahorros. Y finalmente, • conmutación homogénea, ración de circuitos con una potencia nominal
el circuito de control de la compuerta requiere • técnica robusta de apilado, semejante a la de hasta 100 MW, valor que antes exigía el
menos potencia y por tanto se pueden utilizar de los tiristores (sin cableado), montaje en serie de numerosos conmutado-
componentes más baratos. • simplificación de los circuitos de control de res de silicio. Los equipamientos para media
Los componentes realizados con la técnica compuertas, tensión construidos con la nueva técnica se
IGCT consiguen rendimientos mayores que los • menor número de componentes. distinguen además por su altísima fiabilidad.

16 Revista ABB 3/1997


S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

a b

Comparación entre dos convertidores de tiristores, GTO e IGCT, el primero refrigerado por agua y el segundo por aire, 6
para la misma potencia y tensión. La técnica IGCT permite una configuración mucho más simple, lo cual repercute en el
coste y proporciona mayor fiabilidad.

a Convertidor de tiristores GTO b Convertidor de tiristores IGCT con las siguientes características:
– Los elementos IGCT se montan con facilidad en una configuración compacta.
– La estructura permite sustituir rápidamente los IGCT en el improbable caso de que falle
un elemento.

Por vez primera se ha conseguido desa- • convertidores de resonancia para calefac- Bibliografía
rrollar la técnica de silicio para aplicaciones ción inductiva, [1] Grüning, H. y otros: High power hard dri-
de alta potencia en la gama de tensiones • interruptores automáticos estáticos. ven GTO module for 4,5 kV/ 3 kA snubberless
medias. Por eso, ahora es posible construir operation. PCIM Conference, 21–23 de mayo
sistemas de control y regulación más fiables, de 1996, Nüremberg.
más compactos y más baratos, como: La técnica IGCT ya se encuentra [2] Grüning, H.; Zuckerberger, A.: Hard drive
• convertidores de frecuencia para alimen- disponible of high power GTOs: better switching capabi-
tación ferroviaria, ABB es uno de los proveedores más impor- lity obtained through improved gate units. IEEE
• acoplamiento de redes, tantes de componentes y sistemas electróni- paper 0-7803-3544-9/96.
• compensadores de corriente reactiva para cos de potencia. Su posición puntera queda
regular el factor de potencia, ilustrada claramente por las innovaciones téc-
• reguladores de flujo de potencia para cen- nicas que la técnica IGCT ha hecho posibles.
trales nucleares, Las instalaciones realizadas con esta técnica
• accionamientos de media tensión para destacan por sus menores costes y por su
tensiones de red de hasta 6,9 kVeff, gran fiabilidad, incluso para los máximos valo-
• accionamientos de bombas y ventila- res de la potencia. Actualmente, los proyectis- Dirección del autor
dores 2 para la industria química y pe- tas de instalaciones de electrónica de poten- Harold M. Stillman
troquímica, cia para tensiones medias pueden optar entre ABB Corporate Technology
• accionamientos eléctricos principales tres tecnologías de conmutadores de poten- ABB Asea Brown Boveri AG
para barcos, cia, hechos de silicio: los tiristores GTO, IGBT Postfach 8131
• alimentación de corriente ferroviaria sin e IGCT. La técnica IGCT se utiliza preferente- CH-8050 Zurich
transformadores, mente cuando lo fundamental es conseguir Telefax: + 41 (0) 1 317 79 68
• accionamientos para locomotoras eléctri- compacidad de construcción, alto rendimien- E-mail:
cas, to, rapidez en el desarrollo y alta fiabilidad. hal.stillman@abbzh.mail.abb.com

Revista ABB 3/1997 17