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Descripción Los sensores inteligentes

Second Edition

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Descripción Los sensores inteligentes


Segunda Edición
Randy Frank
Artech House Boston • Londres

Biblioteca del Congreso de catalogación en publicación Data Frank, Randy.


Descripción Los sensores inteligentes / Randy Frank.—2ª ed.
p. cm.—(Artech House sensores biblioteca) Incluye referencias bibliográficas e
índice.
ISBN 0-89006-311-7 (alk. papel) 1. Detectors—Design y construcción. 2.
Controladores programables.
3. Señal processing—Digital técnicas. 4. Semiconductores.
5. Los circuitos integrados de aplicación específica. I. EL TÍTULO.
TA165.F724 2000 681'.2—dc21 00-021296 CIP
British Library catalogación en publicación de datos, Randy franco entendimiento
sensores inteligentes.—2ª ed.—(Artech House biblioteca sensores) 1.
Detectors—Design y construcción 2. Controladores programables 3. Técnicas
processing—Digital señal 4. Los circuitos integrados de aplicación específica
I. TÍTULO 681.2 ISBN1-58053-398-1
tapa y el diseño de texto por Darrell Judd cubrir Imagen cortesía de Sandia
National Laboratories
© 2000 ARTECH HOUSE, INC.
685 Calle Cantón Norwood, MA 02062
Todos los derechos reservados. Impreso y encuadernado en los Estados Unidos de
América. Ninguna parte de este libro puede ser reproducida o utilizada en cualquier
forma o por cualquier medio, electrónico o mecánico, incluyendo fotocopiado,
grabación o cualquier sistema de almacenamiento y recuperación de información sin
permis- sión por escrito del editor.
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fe de la exactitud de esta información.
La utilización de un término en este libro no debe considerarse que afecta a la
validez de cualquier marca comercial o marca de servicio.
Número de libro estándar internacional: 0-89006-311-7 Catálogo de la Biblioteca del
Congreso Número de tarjeta: 00-021296
10 9 8 7 6 5 4 3 2 1

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dedicado a la memoria de una persona que hubiera gustado ver este libro pero no
Not—my padre, Carl Robert Frank.

Contenido
Prefacio xix
1 sensor inteligente básico 1
1.1 Introducción 1
1.2 Mechanical-Electronic transiciones en la detección de 4
1.3 La naturaleza de los sensores 5
1.4 Integración de micromaquinado y Microelectrónica 11
1.5 Resumen 15
Referencias 16 Bibliografía selecta 16
2 El micromaquinado 17
17 2.1 Introducción
2.2 grueso micromaquinado 19
2.3
2.3.1 21 Pegado de obleas de silicio sobre Silicon pegado 22
2.3.2 en cristal de silicio (pegado) Anódico 23
2.3.3 Silicio pegado Fusion 24
vii

viii comprensión sensores inteligentes


2.3.4 Wafer pegado a estructuras más complejas y adición de ICs 25
2.4 La superficie de
amortiguación Squeeze-Film micromaquinado 25 2.4.1 29
2.4.2 29
2.4.3 Control Stiction partículas 30
2.4.4 Combinaciones de superficie y grueso micromaquinado 30
2.5 Otras técnicas de micromaquinado 31
2.5.1 Proceso de LIGA 32
2.5.2 32
2.5.3 Micromilling Dry-Etching procesos 36
2.5.4 Los láseres en el micromaquinado 36
2.5.5 grabado químico y tecnología IC 37
2.6 Otros materiales Micromecanizado 40
2.6.1 Diamante como alternativa Material del Sensor 41
2.6.2 óxidos metálicos y sensores piezoeléctricos 41
2.6.3 Películas en microestructuras 42
2.6.4 El micromaquinado Estructuras Metálicas 43
2.7 Resumen 44
Referencias 44
3 La naturaleza del Sensor semiconductor de 49 salida
49 3.1 Introducción
3.2 Características de salida del sensor 49
3.2.1 50
3.2.2 Piezoresistivity puente de Wheatstone en
Sensor semiconductor de silicio 52 3.2.3 Definiciones 54
3.2.4 estático o dinámico Operación 57
3.3 Otras tecnologías de detección de
los sensores capacitivos 57 3.3.1 58
3.3.2 59 sensores piezoeléctricos

contenido ix
3.3.3 Efecto Hall
sensores químicos 60 3.3.4 60
3.3.5 mejora las características del sensor 61
3.4
3.4.1 62 sensores de salida digital óptica de codificadores incrementales 63
3.4.2 Técnicas digitales 64
3.5 Aspectos de interferencia de ruido/65
3.6 de bajo consumo de energía, los sensores de bajo voltaje 66
3.6.1 Impedancia 67
3.7 Análisis de sensibilidad mejora 67
3.7.1 fino diafragma
diafragma mayor área 67 3.7.2 67
3.7.3 Solución combinada: Micromaquinado y Microelectrónica 68
3.8 Resumen 68
Referencias 69
4 Obteniendo información del sensor en la MCU 71
71 4.1 Introducción
4.2 La amplificación y acondicionamiento de señal 72
4.2.1 Amplificadores de instrumentación
amplificador operacional SLEEPMODE™ 73 4.2.2 75
4.2.3 Rail-to-rail
Switched-Capacitor Simplifiers operacional 76 4.2.4 77
4.2.5 barómetro amplificador circuito de aplicación 79
4.2.6 4 a 20 mA Transmisor de señal 79
4.2.7 disparador Schmitt 79
4.2.8 inherente Rechazo de fuente de alimentación 81
4.3 versus independiente Acondicionamiento de Señales Integrado 82
4.3.1 elementos pasivos integrados 83
4.3.2 Elementos activos integrados 84
4.4 La conversión digital 86

x comprensión sensores inteligentes


4.4.1 conversores A/D de 87
4.4.2 El rendimiento de los convertidores A/D de 89
4.4.3 Implicaciones de A/D y los errores de precisión 90
4.5 Resumen 91
Referencias 91
5 Usando MCUs/DSP para aumentar el sensor IQ 93
5.1 Introducción 93
5.1.1 Otras Tecnologías IC 93
5.1.2 Requisitos de lógica de
control MCU 94 5.2 95
5.3 MCUs para Sensor Interface 96
5.3.1 96
5.3.2 memoria periféricos de
entrada/salida 97 5.3.3 98
5.3.4 a bordo de la conversión A/D de 99
5.3.5 Capacidad de ahorro de energía 101
5.3.6 Regulación de voltaje o corriente Local 103
5.3.7 MCU Diseño Modular 103
5.4 Control
5.4.1 algoritmos DSP 104 versus 106 tablas de búsqueda
5.5 Consideraciones técnicas y sistemas 107
5.5.1
5.5.2 Control PWM de linearización 108 108
5.5.3 Autozero y Autorange 109
111 diagnósticos 5.5.4
5.5.5 La reducción de la compatibilidad electromagnética y la interferencia de
radio frecuencia 111
5.5.6 indirectos (calculada, No detectada) versus la Detección Directa 112
5.6 Software, herramientas y apoyo 112
5.7 Integración de sensores 113

Contenido xi
5.8 Resumen 116
referencias 116
6 comunicaciones para sensores inteligentes 119
119 6.1 Introducción
6.2 Definiciones y antecedentes 119
6.2.1 Definiciones 119
6.2.2 Antecedentes 120
6.3 Fuentes (organizaciones) y las Normas 122
6.4 Protocolos de Automoción 123
6.4.1 SAE J1850 125
6.4.2 Protocolo CAN 126
6.4.3 Otros protocolos automotriz 129
6.5 Redes Industriales 130
6.5.1 El uso industrial de can 130
6.5.2 Protocolo LonTalk™ 131
6.5.3 Otros protocolos industriales 132
6.6 Office/automatización del edificio 133
6.7 Home Automation 134
6.7.1
6.7.2 LonTalk™ CEBus 135 135
6.8 Protocolos en Silicon 135
6.8.1 MCU integrada con SAE J1850 135
6.8.2 MCU con 137 puede integrado
Neuron® - 6.8.3 chips y protocolo LonTalk™ 139
6.8.4 MI-Bus 141
6.8.5 Otros protocolos MCU y 142
6.9 Otros aspectos de las comunicaciones de red 142
143
6.9.2 6.9.1 MCU protocolos protocolos de transición entre 143
6.9.3 Transición entre sistemas 144

xii comprensión sensores inteligentes


6.9.4 El Protocolo como un módulo 145
6.10 Resumen 146
referencias
técnicas de control de 7 146 149
149 7.1 Introducción
7.1.1 Controladores Lógicos Programables 150
7.1.2 Open- versus sistemas de circuito cerrado de 150
7.1.3 Control PID 150
7.2 máquinas de estado 154
7.3 Fuzzy Logic 155
7.4 Redes neuronales 157
7.5 combina Lógica Difusa y Redes Neuronales 160
7.6 Control adaptativo
7.6.1 161 observadores para la detección 162
7.7 Otras áreas de control 164
7.7.1 Versus RISC CISC 165
7.7.2 combinado CISC, RISC y DSP 167
7.8 El impacto de la Inteligencia Artificial 168
7.9 Resumen 169
referencias 170
8 transceptores, Transpondedores, y telemetría 173
173 8.1 Introducción
8.1.1 El espectro de RF 174
8.1.2 Spread Spectrum 177
8.2 Datos y Comunicaciones Inalámbricas 179
8.2.1 Redes de Área Local Inalámbricas 180
8.2.2 fax/módems
inalámbricos de detección de zona 180 8.2.3
8.2.4 181 182
8.3 La transmisión de la señal óptica de detección RF 183

Contenido xiii
8.3.1 Dispositivos de Onda Acústica de Superficie 183
8.3.2 El Radar 183
8.3.3 El Sistema de Posicionamiento Global 185
8.3.4 Detección de emisiones remoto 186
8.3.5 Entrada sin llave a control remoto 187
8.3.6 Sistema Inteligente de Transporte 188
8.3.7 RF-ID 191
8.3.8 Otros Teledetección 192
8.3.8 midiendo la fuerza de la señal RF 192
8.4 La telemetría 192
8.5 MEMS de RF 195
8.6 Resumen 196
referencias 197
9 más allá de los sensores MEMS
9.1 Introducción
9.2 201 201 203
9.2.1 Actuadores Micromecanizado Microválvulas 203
9.2.2 micromotores 203
9.2.3
9.2.4 El color Microdynamometers Micropumps 206 208
motores Microsteam 210
9.2.6 9.2.5 Actuadores en otros materiales semiconductores 210
9.3 Otras Estructuras Micromecanizado 211
9.3.1 Canales de refrigeración 211
9.3.2 213
214 Microgrippers Microoptics 9.3.3
9.3.4
9.3.5 Micromirrors Microprobes 214 215
217
9.3.7 9.3.6 Elementos calefactores emisores Termiónicas 217

xiv comprensión sensores inteligentes


9.3.8 Emisiones de campo muestra 219
9.3.1 Desdoblable microelementos 219
221
9.3.11 9.3.10 Micronozzles interconexiones para obleas apiladas 222
9.3.12 Nanoguitar 222
9.4 Resumen 223
referencias 223
10 Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 227
10.1 Introducción 227
10.2 Embalaje sensores semiconductores aplicados a 228
10.2.1 Mayor cantidad de pines 231
10.3 empaquetado híbrido 231
10.3.1 Los envases de cerámica y sustratos cerámicos 232
10.3.2 módulos multichip 232
233 envases Dual-Chip 10.3.3
10.3.4 Ball Grid Array Embalaje 234
10.4 envasado para sensores monolítico 235
10.4.1
10.4.2 236 envases de plástico de embalaje Surface-Mount 236
10.4.3
10.4.4 Envasado Wafer-Level Flip-Chip 237 238
10,5 Fiabilidad implicaciones 239
10.5.1 La Física del fracaso 242
10.5.2 Wafer-Level Fiabilidad Sensor 243
10.6 probar sensores inteligentes 244
10.7 Resumen 245
referencias 246
11 mecatrónica y sistemas de detección de 249
11.1 Introducción 249

Contenido xv
11.1.1 Integración y Mecatrónica 250
11.2 Smart-Power ICs 250
11.3 Detección incorporado 252
11.3.1
11.3.2 252 con sensor de temperatura sensor de corriente en circuitos integrados de
potencia 256
256 diagnósticos 11.3.3
11.3.4 MEMS relés 261
11.4 Matrices de detección 261
11.4.1 varios dispositivos sensores 261
11.4.2 varios tipos de sensores 264
11.4.3 integrado un sistema de detección de 265
11.5 Otros aspectos del sistema 265
11.5.1 Baterías 266
11.5.2 Emisiones de campo muestra 266
11.5.3 Cómo Sistema transitorios de tensión, descargas electrostáticas,
interferencia electromagnética y 267
11.6 Resumen 270
referencias 270
12 normas para detección Inteligente 273
12.1 Introducción 273
12.2 establece los estándares para los sensores inteligentes y sistemas 273
12.3 IEEE 1451.1
12.3.1 Network-Capable Procesador de aplicaciones 276 276
278 modelos de comunicación de red 12.3.2
12.3.3 El IEEE 1451.1 Ejemplo 280
12.4 IEEE 1451.2 281
12.4.1 STIM 282
12.4.2 hoja electrónica de datos del transductor 284
285
12.4.4 12.4.3 TII Calibración/Motor de corrección 286

xvi comprensión sensores inteligentes


12.4.5 Sourcing alimentación STIMs 289
12.4.6 que representan las unidades físicas en Los TEDS
IEEE P1451.3 289 12,5 291
12,6 IEEE P1451.4 292
12.7 extender el sistema a la red 293
12.8 Resumen 295
referencias 295
13 las implicaciones de sensor inteligente de los estándares 297
13.1 Introducción 297
13.2 Sensor Plug-and-Play 297
13.3 Comunicando los datos del sensor mediante el cableado existente de 300
Ethernet 300 13.3.1
13.3.2 detectado por módem 300
13.4 automatizados y la Teleobservación y la Web 301
302 protocolo inalámbrico 13.4.1
13.4.2 El diagnóstico remoto 302
13.5 El control del proceso a través de Internet 303
13.6 normas alternativas 305
aviones 306
13.6.2 13.6.1 REDES Red de Seguridad Automotriz 306
13.7 Resumen 308
referencias 308
14 la siguiente fase de sistemas de detección de 311
14.1 Introducción 311
14.2 futuras capacidades de semiconductores 313
14.3 requisitos futuros del sistema 315
14.4 Not-So-sistemas futuristas 317
14.4.1 Interferómetro de Fabry-Perot 317
14.4.2
14.4.3 HVAC 318 Chip Sensor de reconocimiento de voz y
contenido 319 Micromicrophones xvii
14.4.4
14.4.5 Microangular Mesocooler electrostática 320 sensores de velocidad 321
14.4.6 MCU con Sensor de presión integrado 321
14.4.7 de la teledetección en la red inalámbrica 323
14.4.8 Vehículo Personal ID Sensor Inteligente 324
14.5 El Software, y el sistema de detección de 325
14.5.1 CAD para MEMS 325
14.6 puntos de vista alternativos de detección inteligente 326
14.7 Smart Loop 328
14.8 Resumen 329
referencias 330 Lista de abreviaturas y acrónimos 333 Glosario 351 Bibliografía
Seleccionada 367 libros y 367 revistas sitios Web Acerca del Autor 368 373 375
Índice de

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Prefacio
El principal desafío que enfrentan los ingenieros es la rápida evolución de la
tecnología, según un 1999 Encuesta [1]. IBM estima que más datos ha sido gener-
ciada en los últimos 30 años que en los 5.000 años anteriores! Hay ciertamente no
es la falta de información disponible sobre lo que está sucediendo y las
actividades en curso en el área de detección, el micromaquinado, y sistemas
microelectromecánicos (MEMS). La dificultad surge en la toma de decisiones eficaces
como usuarios de la tecnología o el establecimiento de un plan de largo alcance,
donde una compañía podría utilizar los productos actuales y futuros para
desarrollar productos de usuario final. Este libro pro- denses el material
existente en un formato de fácil lectura y enlaces de la variedad de las
actividades en curso en el área de smart sensor y MEMS.
Según Dana Gardner y como se señaló en la primera edición de este libro, "Para el
año 2000, el 50% de todos los ingenieros de diseño con sensores, arriba del 16% que
habitualmente utilizadas al comienzo del decade" [2]. No sé si esa predicción se
hizo realidad, pero los años noventa ciertamente debe ser recordada como la década
en la tecnología MEMS se aceleró desde el laboratorio en la produc- ción y el
decenio que establecieron los sensores inteligentes a través del IEEE 1451 apre-
ciación. El micromaquinado tecnología continuará siendo la principal razón para
sensores lograr avances de costo que permiten el uso del sensor generalizada. En el
corazón de la mayoría de los sensores inteligentes serán digitales la tecnología de
circuitos integrados.
Microcontroladores incrustados ya desempeñan un papel oculto en la mayoría de las
actividades comunes que ocurren en nuestra vida diaria. Utilice un teléfono
celular, reciba una página, ver la televisión, escuchar un disco compacto, o
conducir un coche modelo actual y tendrá la asistencia de microcontroladores
incrustados. Por ejemplo, hay una docena de microcontroladores en un automóvil
típico, más de 50 si usted conduce un vehículo de lujo bien equipadas. Sensores
semiconductores ofrecen muchos de los insumos de
xix

xx comprensión sensores inteligentes de


dichos dispositivos. El número de sensores y el nivel de inteligencia están
aumentando para mantenerse al día con la creciente complejidad de control.
Sensores semiconductores fueron desarrollados inicialmente para facilitar a la
interfaz, de menor costo, más confiables y más insumos para sistemas electrónicos
de control.
Los microcontroladores en el corazón de estos sistemas han aumentado la complejidad
y capacidad de lograr reducir drásticamente mientras que el costo por función.
Semi- conductor tecnología también ha sido aplicado a la entrada lateral para unas
pocas entradas de sensores (presión, temperatura, aceleración, optoelectrónica y
dispositivos de efecto Hall), pero apenas se está comenzando a ampliar en el ámbito
(nivel de integración) y detecta los parámetros y para lograr algunos de los
beneficios de reducción de costos de la integración.
Las salidas del sistema han hecho un mejor trabajo de mantenerse actualizado con
los avances en la tecnología de semiconductores. El término smart power se refiere
a tecnologías de energía de semiconductores que combinan una potencia de salida(s)
dispositivo(s) con control cir- cuitry en el mismo chip de silicio. Ambos
dispositivos de entrada y de salida están recibiendo mayor atención, la capacidad
de combinar tecnologías está siendo ampliado, y la necesidad de sistemas de
comunicaciones a nivel de sensores inteligentes que finalmente es una realidad.
Wen ko de la Case Western Reserve University estableció una visión de Intel- ligent
sensores [3], pero Joe Giachino de Ford Motor Company es frecuentemente dado
crédito por el término smart sensor, basado en su documento de 1986 [4]. Varias
otras enti- dades, incluyendo Middelhoek y Brignell, reclamar parte del mérito de
pionero en el concepto de sensores inteligentes con capacidades más allá de la
simple condición de señal- ing. La comunicación de la información sensorial es
finalmente exigen consenso para el verdadero significado de sensor inteligente.
La capacidad máxima de nuevos sensores inteligentes serán sin duda van mucho más
allá de today's proyecciones. Un entendimiento de lo que es posible hoy y lo que
puede esperarse en el futuro es necesario tomar el primer paso hacia sistemas de
detección inteligente. Este libro está destinado a proporcionar al lector con
conocimientos sobre un amplio espectro de posibilidades basadas en los actuales
indus- pruebe, universitario y laboratories' nacional los esfuerzos de I+D de
sensores inteligentes. Se dis- cusses muchos acontecimientos recientes que afectan
a la tecnología de detección y los futuros productos.
En esta segunda edición, cada capítulo ha sido revisado, y nuevas y más material
actual ha sido añadido. La reciente votación y aceptación de IEEE 1451.1 y 1451.2
proporcionó el impulso para actualizar la primera edición.
Los capítulos 12 y 13 de abordar esas adiciones importantes para el futuro de la
detección inteligente.
Quisiera expresar mi sincero agradecimiento a Mark Shaw, cuyo con- la CEPT de las
fases de integración se convirtió en un tema subyacente a este libro, y creo que la
forma en que evolucionará de detección inteligente. Ciertamente se ha mantenido
fiel

Prefacio xxi
durante más de 6 años. Un número de otras personas jugaron un papel importante en
la creación de este libro una realidad:
• Ray Weiss de equipo revista de diseño siempre metodología guid- ance y fue el
principal impulsor.
• Mark Walsh y el equipo de Artech House fueron muy favorables en cada paso del
proceso.
• Lj Ristic, Mark Shaw, Cindy madera, y Mark Reinhard del sector de productos
semiconductores de Motorola proporciona capítulo comentarios.
• Carl Helmers y la gente en la revista sensores y captadores Expo pro- brindan
muchas oportunidades editoriales que fueron útiles en el documento- ing varios
aspectos de sensores inteligentes.
• Sandia National Laboratories ha proporcionado material para el arte de portada.
Finalmente, este libro no hubiese sido posible sin la evaluación crítica,
tolerancia y aliento de mi esposa, Rose Ann. Cualquier expre- sión de
reconocimiento es pequeño comparado con los sacrificios que ella hizo.
Referencias
[1] Diseño de Noticias, 18 de enero de 1999, pág. 74.
[2] Gardner, D. L., "Acelerómetros para dibujos exóticos", Diseño de Noticias, 17
de julio de 1989, pág. 55.
[3] Ko, W. H., y C. D. Fung, "VLSI y transductores inteligentes", sensores y
actuadores, 2 (1982), págs. 239–250.
[4] Giachino, J. M., "Sensores Inteligentes", sensores y actuadores, 10 (1986),
págs. 239–248.

1
sensor inteligente Basics
una rosa por cualquier otro nombre sería un olor tan dulce.
-William Shakespeare
Una rosa con un microcontrolador inteligente sería una rosa.
-Randy Frank
1.1 Introducción
casi todo hoy en día en el área de la tecnología es un candidato para tener el
prefijo smart añadida. Sensor inteligente El término fue acuñado a mediados de la
década de 1980, y desde entonces se han llamado varios dispositivos sensores
inteligentes. La inteligencia requerida por dichos dispositivos está disponible en
unidad de microcontrolador (MCU), procesador digital de señal (DSP) y un circuito
integrado de aplicación específica (ASIC) tecnologías desarrolladas por varios
fabricantes de semiconductores. Algunos de estos mismos fabricantes de
semiconductores están trabajando activamente en los dispositivos de silicio más
inteligente para los lados de entrada y salida del sistema de control. El término
de sistemas microelectromecánicos (MEMS) se utiliza para describir una estructura
creada con procesos de fabricación de semiconductores para sensores y actuadores.
Para entender lo que está ocurriendo hoy cuando se aplica la tecnología
microelectrónica avanzada para sensores, una breve reseña de los cambios que se han
producido está en orden.
Antes de la disponibilidad de la microelectrónica, los sensores o transductores
utilizados para medir magnitudes físicas tales como temperatura, presión y caudal,
generalmente se acopla directamente a un dispositivo de lectura, normalmente un
medidor que fue leído por un
1

2 Comprensión sensores inteligentes


observador. El transductor convierte la cantidad física que se mide a un
desplazamiento. El observador iniciado correcciones del sistema para cambiar la
lectura más cercana a un valor deseado. Los bloques típicos de un sistema de
medición se muestran en la Figura 1.1 [1].
Muchas home termostatos, indicadores de presión de neumáticos, medidores de flujo y
la fábrica sigue funcionando de la misma manera. Sin embargo, el advenimiento de la
tecnología de microprocesador inició el requisito de sensores para tener una
producción eléctrica que podría ser más fácilmente interactuar para proporcionar
control y medición desatendida. También requiere que el nivel de la señal analógica
se amplifica y pro- verted a formato digital antes de ser suministrada al
controlador de procesos.
Today's MCU y de analógico a digital (A/D) transformadores suelen tener una fuente
de alimentación de 5V, que ha dictado la tensión de alimentación para muchos y la
señal amplificada acondicionado sensores. No obstante, la reducción de la tensión
de alimentación de 5V a 3.3V e incluso voltajes inferiores y la presencia de más de
una tensión en un sistema plantean desafíos que generalmente no se asocian con
incluso los sensores est Smart-. Separar los circuitos integrados (ICs) están
disponibles para manejar la variedad de voltajes y resolver el problema, sino que
se agregue al sistema sensor y complejidad.
Comúnmente se utilizan las definiciones de los términos y el transductor del sensor
debe ser el primero en la lista de muchos términos que serán definidos. Un
transductor es un dispositivo que convierte la energía de un dominio a otro,
calibrados para minimizar los errores en el proceso de conversión [2]. Un sensor es
un dispositivo que proporciona una salida útil para un determinado mesurando. El
sensor es un elemento básico de un transductor, pero también puede referirse a una
detección de voltaje o corriente eléctrica en el régimen que no requiere
conversión. En este libro, los términos se usan indistintamente, porque es parte de
conversión de energía de cada dispositivo en el que se exponen. Las mediciones
mecánicas que requieren un transductor para proporcionar una producción eléctrica
se indican en la Tabla 1.1.
Entrada de calibración de potencia auxiliar (no siempre es necesario)
de alimentación auxiliar (requeridas)
Indicador
mesurando Recorder Sensor transductor/ Acondicionador de señal de
controlador de procesador
gráfico 1.1 Sistema de detección general.

El sensor inteligente Basics 3


Tabla 1.1 Mediciones mecánico
típico de medición/técnicas
/posición común de desplazamiento, de reluctancia variable y efecto Hall,
optoelectrónica termistor de temperatura, tensión emisor-base del transistor (VBE)
de
presión piezo-resistivo, capacitivo
(velocidad lineal/angular), de reluctancia variable y efecto Hall, optoelectrónica
, capacitivos piezorresistiva aceleración piezoeléctrico
piezorresistiva fuerza par impedancia mecánica optoelectrónicos cepa
Piezorresistiva
Flujo Piezorresistiva ∆ la presión, la
humedad o la presión delta resistivos, capacitivos de
proximidad
rango ultrasónico Radar
ultrasónico de nivel de líquidos de par doble deslizamiento
inminente colisión Radar
la definición de sensor inteligente (Intelligent transductor) no ha sido tan
ampliamente aceptado y es sometido a un uso indebido. Sin embargo, el Institute of
Electrical and Electronics Engineers (IEEE) el Comité ha estado trabajando
activamente en la consolidación de la terminología que se aplica a los sensores
microelectrónicos. La recientemente aprobada la especificación IEEE 1451.2 define
un sensor inteligente como un sensor "que ofrece funciones más allá de lo necesario
para generar una representación correcta de una detectada o cantidad controlada.
Normalmente esta función simplifica la integración del transductor en aplicaciones
en una red environment" [2]. Que defi- nición proporciona un punto de partida para
el contenido mínimo de un sensor inteligente.
Sensores inteligentes en el futuro será capaz de mucho más, y la clasificación-
ciones adicionales (por ejemplo, tipo de sensor inteligente 1) puede ser necesaria
para diferenciar los productos.
El capítulo 12 aborda la IEEE-aprobado transductor inteligente interfaz para
sensores y accionadores que establece un estándar para el transductor de
microprocesador comunicación protocolos en una hoja electrónica de datos del
transductor (TEDS) formato.
Ese estándar y otros proporcionará mayor definición y diferenciación para

4 Comprensión sensores inteligentes


sensores inteligentes y acelerar el desarrollo y comercialización de sensores
inteligentes.
1.2 Detección Mechanical-Electronic transiciones en
una indicación temprana de la transición desde las estrictamente mecánico para
detección elec- trónica técnicas está demostrada en el área de temperatura y las
mediciones de posición. Los termistores de semiconductores y sensores de
temperatura que eran inferiores en costo, de menor tamaño y más fáciles de interfaz
a otros elementos del circuito sustituido termopares y termómetros de expansión. En
la posición de mediciones, los sensores de reluctancia variable con detectores
magnéticos han sido reemplazados por efecto Hall, óptico y magnetoresistente (MR)
los elementos de detección. Todas estas técnicas hacen uso de un problema anterior
que se apartan del ideal el rendimiento de un transistor o un IC. La sensibilidad
de los transistores de temperatura, luz, campos magnéticos, estrés y otras
variables físicas, se explota en muchos sensores semiconductores existentes.
La ampliación de la gama de parámetros que pueden ser detectadas mediante
tecnología semiconduc- tor es parte del creciente interés en la detección
inteligente. Con el micromaquinado, o técnicas de grabado químico, estructuras
mecánicas han sido producidos en el silicio que han ampliado grandemente el número
y los tipos de mediciones que pueden realizarse. Por ejemplo, un diafragma de
caucho conectado a un potenciómetro puede ser sustituido por un diafragma de
silicio piezorresistiva y elementos para la medición de presión. Este enfoque se ha
utilizado en la producción de sensores para más de dos décadas. Más recientemente,
en voladizo de vigas y otra
tabla 1.2 Técnicas de detección de
estado de la técnica en Silicon Sensor
Presión Piezorresistiva, aceleración
capacitivo de presión, aceleración, posición de presión piezoeléctricos,
aceleración, vibración
optoelectrónico de posición, velocidad
, velocidad, posición magnético campo magnético de
producción limitada de radar
láser (lidar) radar de infrarrojos de producción/investigación/desarrollo
producción ultrasónico el

sensor inteligente Basics 5


suspendido estructuras han sido fabricados en silicio y aceleración se mide por
resistivos, capacitivos, u otras técnicas. La tabla 1.2 enumera una serie de
técnicas de detección y su estado relativo a la aplicación en silicon sen- sors.
(El capítulo 2 explica los acontecimientos más populares en el micromaquinado que
permiten los sensores y otros dispositivos MEMS para fabricarse.) Sensor
fabricantes están adaptando los procesos utilizados para la fabricación de
tecnologías avanzadas de semiconductores. Como resultado, los sensores están siendo
manufacturas- tured, ya sea conjuntamente o por separado, que aprovechan las
ventajas de las mejoras en el rendimiento que puede ofrecer la tecnología de IC, y
un importante paso adelante se está produciendo en la tecnología de detección.
(Capítulos 3 y 4 desarrollan las interfaces y los aspectos de integración.)
1.3 La naturaleza de los sensores de
detección de la salida de la mayoría de los elementos es de nivel bajo y sujeto a
varias fuentes de interferencia de la señal, tal como se muestra en la Figura 1.2,
un modelo generalizado de trans- ducer [3]. La auto-generación como dispositivos
transductores piezoeléctricos no requieren una entrada secundaria para producir una
señal de salida. Sin embargo, basado en los transductores resistivos, capacitivos,
sensores inductivos y elementos requieren excitación de
entrada deseada, la principal aportación de
auto- generando respuesta
Sumador de entrada no deseada de salida, todos los demás
no auto- generar respuestas
Multiplicador de excitación de formas de onda de entrada menor
Figura 1.2 General modelo de transductor. (Después de: [3].)

6 Comprensión sensores inteligentes


para proporcionar una salida. Además de la entrada deseada (por ejemplo, presión y
unde- procreados efectos ambientales, como la temperatura, la humedad y las
vibraciones) son factores que afectan el rendimiento y la precisión del
transductor, factores que deben tenerse en cuenta durante el diseño del
transductor. La compensación para los parámetros secundarios históricamente ha sido
realizado por circuitos adicionales, pero con la tecnología de detección
inteligente la compensación pueden ser integrados en el sensor o logrado en el
microcontrolador.
La salida de un sensor de presión de silicio piezorresistiva micromecanizado y el
efecto de la temperatura en el tramo y el desplazamiento se muestra en la Figura
1.3 [4]. Aunque el resultado es bastante lineal, en este caso dentro del 0,1% de
escala completa (F.S.), la salida varía debido al efecto de la temperatura sobre la
duración del sensor por aproximadamente 0.12 mV/°C. Debido a que el nivel de señal
es insuficiente para una interfaz directa para un control adicional de la IC,
amplificación y calibración normalmente se realizan en la etapa siguiente de un
transductor.
En un sencillo sistema de control, el sensor es sólo uno de los tres elementos
necesarios para implementar una estrategia de control. El sensor proporciona una
entrada a un controlador con la estrategia deseada en su memoria y el controlador
se encarga de una etapa de salida para modificar o mantener el estado de una carga,
como una luz, un motor, una única- noid, o una pantalla. Como se muestra en la
Figura 1.4, una interfaz de acondicionamiento de señal habitualmente existe entre
el sensor(s) y el contralor y entre el controlador
70
60
50
Span 40 Salida: 30
-40°C (salida en mVdc) 20 +25°C +125 °C 10 Offset
0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 el
diferencial de presión (en kPa)
Figura 1.3 Efecto de la temperatura en la salida del sensor de presión piezo-
resistivo.
El sensor inteligente Basics 7
fuente de alimentación Fuente de alimentación Fuente de alimentación Fuente de
alimentación
electrónica de interfaz de sensor / DSP y MCU de acondicionamiento de señal de
salida de memoria(s) dispositivo(s) de salida del accionador mecánico o el
software de la pantalla
Figura 1.4. Sistema de control genérico
y el dispositivo de salida. Detección inteligente incluye una porción de la
controller's funciones en la parte del sensor del sistema. Esto significa que el
software jugarán un papel cada vez más importante en los sensores inteligentes. Los
requisitos de alimentación de la electrónica y el sensor representan una
consideración adicional que es cada vez más importante a medida que disminuyen las
tensiones de MCU y más sensores se utilizan en la alimentación de la batería o
aplicaciones portátiles. El número de fuentes de alimentación en la Figura 1.4
puede no ser necesaria para una aplicación en particular, sino que sirven como un
recordatorio para considerar el voltaje disponible para el sensor y la interfaz
versus el resto del sistema.
El sensor inteligente de modelos desarrollados por varias fuentes [5 7]–tener
tantos como seis elementos distintos para los sensores analógicos. Como se muestra
en la Figura 1.5, además del elemento sensible y sus asociados de amplificación y
acondicionamiento de señal, un convertidor A/D, memoria de algún tipo, y la lógica
(control) capacidad

bidireccional ADC son fuentes de alimentación bus del sensor Sensor acondicionador
de señal y amplificación de la
controladora de memoria MCU
Figura 1.5 Modelo de sensor inteligente.

8 Comprensión sensores inteligentes


incluido en el sensor inteligente. Una vez que la señal está en formato digital,
puede ser comunicada por varios protocolos de comunicación. La fuente de
alimentación regulada también son necesarios para el sistema y su efecto sobre la
exactitud del sistema deben tenerse en cuenta. Que es cada vez más importante como
fuente de ges- tión cuestiones se abordan en el diseño de sistemas y diferentes
voltajes de alimentación proliferan.
Reducir el número de elementos discretos en un sensor inteligente (o cualquier Sys-
tem) Es conveniente reducir el número de componentes, el factor de forma, intercon-
nections, coste de montaje y, con frecuencia, así como el coste de los componentes.
Las opciones para que la integración se produce a menudo son una función de la
experiencia original del integrador. Por ejemplo, como se muestra en la Figura 1.6,
un fabricante que ya utiliza el sensor semiconductor, es decir, trastorno bipolar o
semiconductor de óxido de metal (MOS), tecnología para el elemento de detección
puede ampliar la capacidad y aumentar el valor (y la inteligencia) de la unidad de
detección se produce por combinat- ing el acondicionamiento de señal en el mismo
paquete o en un módulo del sensor.
A través de la integración, el acondicionamiento de señal también se pueden
combinar en el mismo tiempo que el sensor está fabricado o fabricado.
Si bien el proceso de integración es más complejo, el sensor integrado pueden ser
fabricados con el sensor y el acondicionamiento de señal optimizada para una
aplicación particular. A la inversa, una MCU fabricante mediante un complemen- rio
CMOS (semiconductor de óxido metálico) proceso normalmente se integra a la memoria,
A/D, y acondicionamiento de señales adicional para reducir el número de componentes
del sistema. Una variedad de combinaciones están indicadas en la Figura 1.6.
Tecnología de procesamiento es un factor clave. No obstante, los fabricantes no
sólo deben estar dispuestos a integrar componentes adicionales del sistema, también
debe lograr una solución rentable. Combinaciones de híbridos (nivel de paquete) y
se discuten integración monolítica con frecuencia en el resto de este libro. Diseño
diferente losophies phi- y la necesidad de la partición del sistema/sensor en
diferentes puntos puede determinar si un sensor inteligente es comprado o,
alternativamente, diseñado usando un procesador de señal del sensor u otros
componentes necesarios para satisfacer el desempeño deseado del producto final.
La integración puede tener un efecto significativo sobre el nivel definitivo del
órgano de reducción. Como se muestra en la Figura 1.7 [8], la entrada (demostrado
por un sensor de presión), la informática (CMOS de alta densidad [HCMOS]
microcontrol- ler) y el lado de salida de potencia (MOS) están aumentando el nivel
de integración monolítica. La elección de la tecnología de los sensores, tales como
bipolar, puede tener un límite- ing efecto sobre en qué medida la integración puede
progresar. Por ejemplo, un sensor bipolar puede aumentar el nivel de integración
mediante la adición de acondicionamiento de señal y progresar a un nivel III
monolítica del sensor. A través de la integración en el nivel de paquete, un dos-
chip sen- sor de controlador puede lograrse combinando el sensor con un

sensor inteligente HCMOS Basics 9


A/D
acondicionador de señal de sensor de salida analógica
/DSP y MCU memoria memoria
A/D de
acondicionamiento de señal del sensor de salida analógica
/DSP y MCU memoria memoria
A/D de
acondicionamiento de señal del sensor de salida analógica
/DSP y MCU memoria memoria
A/D de
acondicionamiento de señal del sensor de salida analógica
/DSP y MCU memoria memoria
Figura 1.6 Particionado y posibilidades de integración. el
microcontrolador. Sin embargo, el nivel más alto de integración monolítica, nivel
V, sólo se logrará aplicando MOS-compatible y detección de tecnologías de control
de potencia.
La realización del pleno potencial de los nuevos sensores requerirá un nuevo
enfoque para identificar aplicaciones de sensor. La lista de términos del sensor en
el cuadro 1.3, sirve como punto de partida para repensar las posibilidades de
sensores inteligentes. Muchos de los términos están asociados con un sistema y no a
la parte del sensor del sistema.

Comprensión de 10 sensores inteligentes de


Nivel I Nivel II Nivel III Nivel IV nivel V
dispositivos discretos Mezclando tecnologías básicas de integración integración
selectiva plena integración
compatible MOS sensor sensor Bipolar Bipolar Multichip discreto sensor sensor
integrado controlador de interfaz interfaz
"inteligente" el sensor
completamente
HCMOS HCMOS
MCU integrada MCU
MCU del sistema sensor + + interfaz LDMOS MCU + alta corriente de alta tensión
controladores MOS MOS driver driver SMARTMOS ™
Tecnología de sensor Figura 1.7 Controladores de ruta de migración.
Cuadro 1.3 Los términos utilizados para identificar nuevas aplicaciones Smart-
Sensor
medir entender monitor diagnosticar el correcto control
detectar la presencia/ausencia de
área de funcionamiento seguro superan el nivel
comunicar identificar prevenir fallas mantener Instrumento
indicador de advertencia regular observar saber
determinar Ver/Escuchar/Tocar/aroma/sabor cómo y qué/donde/cuando/porque
cuando los sensores se combinan con un MCU, un DSP, o un ASIC, la capa- bilidad
para obtener mejoras de rendimiento adicionales sólo está limitada por el

sensor inteligente Basics 11


capacidad del elemento de computación y la imaginación del diseñador.
Los capítulos 5, 6 y 7 de explicar y desarrollar algunas de esas posibilidades. En
las operacio- nes a la transmisión de la señal en sistemas de control distribuido a
través de una variedad de protocolos descritos en el Capítulo 6, las posibilidades
de la portátil, Inalámbrico, y teledetección se examinan en el Capítulo 8. Una
amplia variedad de elementos de micromecánica y componentes adicionales del sistema
son investigados en el Capítulo 9.
Entre los desafíos y factores limitantes para los niveles más altos de integración
son envases, pruebas y fiabilidad. Capítulo 10 revela el progreso en estas áreas
para la producción de sensores. Sin embargo, el empaquetado, pruebas y reliabil-
lidad son algunos de los enormes desafíos que deben abordarse para smart sen- sors.
La combinación de los aspectos discutidos anteriormente ya está siendo investigado,
como se discutió en el capítulo 11, con la adición de la salida del sistema y
sistemas de detección.
El capítulo 12 presenta lo que podría ser el hito en el futuro para que el punto de
inflexión en la evolución de los sensores inteligentes. La disponibilidad y la
aceptación de normas puede acelerar el desarrollo y el uso de sensores
inteligentes.
Capítulo 13 ofrece algunos ejemplos y explora las implicaciones de las normas que
afectan a la detección. Por último, sobre la base del nivel de complejidad del
sistema ya posi- ble y en continua evolución, una mirada hacia el futuro no muy
lejano de detección inteligente es compartida en el Capítulo 14.
1.4 Integración de micromaquinado y Microelectrónica
aumentando el rendimiento y la fiabilidad, y reducir el costo de los circuitos
electrónicos mediante una mayor integración son estándar expectativas para semicon-
ductor tecnología. En el área de sensores semiconductores, sin embargo, que la
integra- ción se ha limitado a efecto Hall y dispositivos optoelectrónicos. La
reciente combinación de micromecánica estructuras, los elementos de detección, y la
señal de- ditioning es el comienzo de un nuevo capítulo en tecnología de sensores.
La combina- ción de la microelectrónica con estructuras micromecánica promete
cambiar el futuro de los sistemas de control y habilitar aplicaciones completamente
nuevas, que anteriormente eran demasiado costosos para los propósitos de comercial.
El término sistemas microelectromecánicos, o a veces simplemente microsystems, se
utiliza para describir las estructuras y las funciones proporcionadas por el
micromaquinado y la incorporación de la microelectrónica a esas estructuras.
Un sensor con su propio circuito de interfaz tiene varias ventajas.
El sensor diseñador puede compensar las características de rendimiento innecesaria
para aquellos que proporcionará ventajas de rendimiento deseable para la
combinación de interfaz de sensor. Normalmente, la interfaz ICs están diseñados
para una amplia gama de solici- tudes y tales concesiones no son posibles. Esta
combinación permite la

comprensión del sensor de 12 sensores inteligentes


usuario tratar el sensor como un "negro box" y diseñar fácilmente un complejo
sistema de control.
El sensor integrado toma ventaja del sensor de temperatura integrado más
estrechamente para realizar el seguimiento de la temperatura del elemento sensor y
compensa los efectos de la temperatura en el rango de temperatura. Al reducir el
número de conexiones internas, la fiabilidad de los sensores integrados inher-
ently es mejor que un sensor independiente y el circuito de control, incluso cuando
los componentes son fabricados utilizando un sustrato cerámico de película delgada.
Para un elemento sensor de cuatro terminales, una reducción de 23 a sólo 9
conexiones es posible mediante una solución integrada. Porque el sensor proporciona
la primera información a un sistema de control, la fiabilidad de esa información es
fundamental para toda la system's fiabilidad.
La figura 1.8 es útil para analizar los resultados de la integración de las dos
primeras etapas se ilustran en la figura 1.7 para obtener la parte del sensor de
nivel III del sistema.
La figura 1.8 es una vista ampliada de un sensor de presión piezorresistiva
completamente integrado con la amplificación y los circuitos de acondicionamiento
de señal, incluyendo láser- resistencias recortado, ubicados alrededor del
diafragma de silicio grabada en el centro de la ficha. El único elemento piezo-
resistivo es un brazo de la X que se encuentra cerca de la
Figura 1.8 Microfotografía de morir con sensor de presión empaquetados a través de
la membrana del sensor micromecanizado. (Cortesía de Motorola, Inc.) El

sensor inteligente Basics 13 de


borde del lado derecho del diafragma. El paquete utilizado para ese sensor (que se
muestra en el centro del diafragma con el chip dentro) tiene seis ter- minals. Sólo
tres terminales son requeridos para la aplicación; las otras tres se utilizan para
acceder a los puntos de medición en el chip durante el proceso de revestimiento y
no son necesarios para que el sensor funcione correctamente.
Una ventaja importante de la detección y acondicionamiento de señales integrado es
la adición de calibración on-chip a través de técnicas, tales como el láser fresado
de resistencias de película delgada en el sensor mueren, y la consiguiente
capacidad para obtener la pieza por pieza replaceability en el nivel de componente.
La cantidad de acondicionamiento de señal puede variar. Por ejemplo, la adición de
resistencias de película delgada y fresado láser para el elemento de detección es
todo que es necesario para producir un calibrado y sensor de temperatura compensada
para aplicaciones de presión sanguínea desechables. Para aplicaciones de bajo
volumen, el único requisito para la función de transferencia o inter- Circuitos de
cara puede no ser rentable. En esos casos, el sensor con exter- nal circuitos sigue
siendo la mejor opción. Eventualmente, las únicas aplicaciones de volumen inferior
también podría beneficiarse de las ventajas de la integración.
Detección y detección integrada (detección de señal más acondicionado) son algo
análogo a otros procesos de señal mixta que existen en semiconduc- tores,
especialmente en el poder y la tecnología de energía inteligente, es decir, el lado
de la salida del sistema de control. Tecnologías de energía inteligente Today's
integrar bipolar y CMOS con varios circuitos de potencia de óxido metálico
semiconductor el transistor de efecto de campo (MOSFET) dispositivos de salida. El
proceso es más complejo que un dis- creta MOSFET de potencia, pero el rendimiento
alcanzado por la combinación de tecnologías ofrece una función específica,
componente de reducción para una mayor fiabilidad y la reducción del espacio para
los conjuntos de menor coste y más que justifica el costo de procesamiento mayor.
Tras varios años de proceso y mejoras de diseño, dispositivos de alimentación
inteligente han establecido una amplia aceptación en el mercado, especialmente en
el caso de diseños personalizados. Asimismo, los sensores inteligentes que tienen
sus propios sig- nal los circuitos de acondicionamiento de a bordo están en las
primeras fases de aceptación en el mercado y están aproximadamente en la misma
etapa de desarrollo que el poder inteligente es de cinco a siete años. Sin embargo,
los sensores inteligentes pueden no tener que ser dispositivos personalizados para
satisfacer un gran número de aplicaciones.
Los nuevos paquetes que deben ser desarrolladas para sensores inteligentes para
acomodar las conexiones adicionales de alimentación, tierra, producción,
diagnósticos y otra fea- tures que la combinación de tecnologías puede ofrecer. Los
sensores tienen pocas, si alguna, comúnmente aceptado paquetes. En su lugar, cada
proveedor ofrece una única configuración de pines y factor de forma. El problema es
exacerbado por la adición de más características de sensores, ya sea mediante
integración o por la adición de circuitos.
Antes de la era de la integración de sensores, productos que combinan la tecnología
en el nivel de paquete, en lugar de a nivel de silicio, han sido la norma de la
industria. Un híbrido o el módulo de solución tiene la ventaja de utilizar mostrado
disponibles

14 Comprensión de la
tecnología de sensores inteligentes para lograr una solución de productos más
sofisticados. Que puede ser en una placa de circuito impreso o formulario de
sustrato cerámico. La figura 1.9 muestra los pasos que puede tomar para lograr un
mayor nivel de integración monolítica.
La figura 1.10 es un ejemplo de nivel IV, el sensor inteligente de dos chips. La
unidad utiliza el sensor de presión integrado mostrada en la Figura 1.8, junto con
un solo chip MCU de 8 bits, con un convertidor A/D integrado y una memoria de
únicamente lectura borrable y programable eléctricamente (EEPROM) para lograr un
mínimo de componentes--count sensor inteligente [9]. A excepción de tres resistores
utilizados para aumentar la resolución, los otros 10 componentes del circuito son
necesarios para el correcto funcionamiento de la MCU. Un circuito de detección de
subtensión se utiliza para la función de reinicio para proporcionar un apagado
ordenado en el caso de baja tensión de la batería.
Dos puentes (y no los potenciómetros) se utilizan para realizar la calibración
inicial.
El código 01 para los puentes (J1 y J2) se utiliza para la calibración a cero, y el
código 10 se utiliza para indicar el valor de escala completa. 000 de la pantalla
indica cero, y la FFF indica el valor de escala completa durante la calibración. Ya
sea el 00 o 11 de código se usa para el funcionamiento normal. Los valores de cero
y la escala completa se almacenan en la memoria EEPROM. Tres resistencias se
utilizan para proporcionar una referencia radiométrico de
elemento sensor
solución módulo
amplificador integrado y
módulo de sensor
integrado de solución de acondicionamiento de señal y conversión de datos del
módulo del sensor
Sensor de solución y MCU
Figura 1.9 Pasos de desarrollo hacia una mayor integración.
El sensor inteligente Basics 15
Figura 1.10 Dos chip sensor inteligente para mediciones de presión. (Cortesía de
Motorola, Inc.)
VRL= 0,3 A VRH= 4,7, utilizando la más alta capacidad de salida del sensor
integrado.
La pantalla de cristal líquido (LCD) es impulsado directamente desde la MCU
mediante la MCU para generar una señal de onda cuadrada cada 32 ms. El plano
posterior está invertida alternativamente con los segmentos y fuera de fase con el
segmento que está activado. Cada MCU puerto está conectado a un dígito, y otros dos
de entrada-salida (I/O) las líneas se utilizan para generar el punto decimal y el
plano posterior de la señal.
Este enfoque utiliza el software para eliminar la necesidad de un controlador de
pantalla adicionales y logra una reducción tanto en el número de componentes y el
espacio. El mem- ory requeridos por la MCU es mínima, sólo 1 KB de memoria de sólo
lectura (ROM) y 4 bytes de EEPROM, dejando esencialmente toda la memoria restante
para otras funciones. El programa de la MCU está escrito en C, un lenguaje de alto
nivel.
1.5 Resumen de
hoy, es posible construir un sensor inteligente para varias mediciones con basi-
camente dos componentes de semiconductores: el sensor y la MCU. Esa es la fase
actual de desarrollo y uno de los pasos necesarios para el siguiente nivel.
El dinero inteligente está puesto en áreas que aprovechan el número de tecnologías
que están disponibles o en acontecimientos que fundamentalmente

comprensión 16 sensores inteligentes


cambian la naturaleza de los sistemas, la detección, el control y los aspectos de
la vida cotidiana. Los restantes capítulos tratan sobre una variedad de aspectos de
la detección y el estado del arte de la evolución que permitirá que aquellos que
entienden cómo aplicar tales desarrollos para crear la próxima generación de
productos y sistemas.
Referencias
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MA: Addison-Wesley, 1982.
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Actuators—Trans- ducer al microprocesador protocolos de comunicaciones y hoja
electrónica de datos del transductor (TEDS) formatos", Piscataway, NJ: Departamento
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[3] Wright, C., "Conversión de información separa los niveles de ruido, de modo que
usted pueda controlar", Personal e instrumentación Ingeniería Noticias, Abril 1993,
pp. 63–67.
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productos semiconductores de Motorola, Austin, TX.
[5] Najafi, K., "Sensores Inteligentes", J. La micromecánica y Microengineering,
Vol 1, 1991, pp. 86–102.
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Los ingenieros de automoción, SAE891709, 1989.
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adecuado para incrustar en sensores inteligentes," Proc. Sensores Expo, Cleveland,
el 20 de septiembre–22, 1994, pp. 485–500.
[8] Benson, M., et al., "Tecnologías avanzadas de semiconductores para sen- sors
inteligentes integradas", Proc. Sensores Expo, Filadelfia, el 26 de
octubre–28, 1993, pp. 133–143.
[9] Frank, R., "Enfoque Two-Chip sensores inteligentes", Proc. Sensores Expo,
Chicago, 1990, págs. 104C1–104C8.
Bibliografía selecta
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actuadores, 2 (1982), págs. 239–250.
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Washington, D.C.: National Academy Press, 1997.
Middelhook, S. y A. C Hoogerwerf, "Sensores Inteligentes: ¿Cuándo y dónde?" y el
proyecto "ACTUA- tores de sensores, 8 (1985), págs. 39–48.
Muller, R. S., et al. (Eds.), microsensores, IEEE Press, 1991.
Trimmer, W., "La micromecánica y MEMS", clásico y papeles seminales a 1990, IEEE
Press, 1997.

2 El
micromaquinado
me pregunto cuántos ángeles pueden bailar en la cabeza de un alfiler?
-Desconocido Edad Media filósofo
2.1 Introducción
La respuesta a esta pregunta es no más de 25.200, dado que un pasador tiene un
diámetro de 116 pulgadas (15,875 mm) y cada uno (micromecanizado) angel tiene un
diame- ter de 100 mm. Tanto para la filosofía. El micromaquinado está causando el
reinves- res de cada aspecto de la física, química, biología e ingeniería.
La termodinámica, mecánica, óptica, acústica, fluidics magnetics, electro-
magnéticos, onda, cinética, y las fuerzas nucleares, así como la medicina, la
robótica, la dis- desempeña, e instrumentación, están siendo investigados en el
curso académico, nacional, industrial y de investigación y desarrollo (R&D)
Labs. El micromaquinado tecnología está permitiendo que la extensión de la
detección basada en semiconductores más allá de la temperatura, magnético y los
efectos ópticos para producir estructuras mecánicas en el silicio y la detección de
fenómenos mecánicos. Muchas universidades están creando departamentos transversales
y cross-college programas para explorar las posibilidades futuras de
micromecanizado dispositivos MEMS.
El micromaquinado es, en la mayoría de uso común, un proceso de grabado químico
para la fabricación de microestructuras tridimensional que es consistente con las
técnicas de procesamiento de semiconductores. IC procesos de fabricación utilizados
para hacer las microestructuras incluyen la fotolitografía, Deposición de película
delgada, química y grabado de plasma. El micromaquinado a granel ha sido utilizado
para manufacturas- ture semiconductores sensores de presión desde los 1970s.
Recientemente, los nuevos
17

18 Entendimiento sensores inteligentes


como técnicas de micromaquinado superficial se han desarrollado que alcanzar
incluso las estructuras más pequeñas. Además, las técnicas de procesamiento para el
micromaquinado superficial son más compatibles con CMOS procesos utilizados para la
fabricación de circuitos integrados.
El silicio tiene muchas propiedades que lo hacen ideal para estructuras mecánicas.
Como se indica en el cuadro 2.1, tiene un módulo de elasticidad (Young's modulus)
comparable a la de acero y una mayor fuerza de producción de acero o de aluminio
[1, 2].
El silicio tiene básicamente perfecta elasticidad, resultando en hys- teresis
mecánica mínima. (Sin embargo, es un material quebradizo y se agrietan cuando
destaca más allá de su límite elástico.) También, silicon's propiedades eléctricas
han hecho el material de elección en la mayoría de los circuitos integrados,
ofreciendo tecnología de fabricación establecidos- niques micromecanizado en muchos
aspectos de los sensores. Micromecanizado semicon- ductor sensores toman ventaja de
las propiedades mecánicas y eléctricas de silicio, pero los productos que
aprovechan al máximo la combinación de propiedades mecánicas y eléctricas están
todavía en su infancia.
Tabla 2.1 Propiedades del silicio en comparación con otros materiales
propiedad de 3C-SiC (6H-SiC) GaAs si el
punto de fusión del diamante (°C) Sublima en 1.825 1.238 1.415 el cambio de fase de
temp. de funcionamiento máx. (°C) 873 (1.240) 460 300 1100 conductividad térmica
4,9 0,5 1,5 W/cm (20 °C)
La expansión térmica coeff. 3.8 (4.2) 6,9 2,6 -
1 (*10E-6°C )
Young's modulus (GPa) 448 75 190 1.035 Excelente estabilidad física Feria feria
buena brecha energética (eV) 2.2 (2.9) 1.42 1.12 5.5
2 movilidad de electrones (cm /v s) (500) 1.000 8.500 1.350 2.200
2 Orificio movilidad (cm /v s) 40 (50) 400 600 1600
Sat. electron drift vel. 2.5 (2) 2 1 2.7 (*10E7 cm/s) la
tensión de ruptura 3 (4-6) 0 .4 0.3 10 (*10E7 cm/s)
constante dieléctrica de 9,7 13,2 11,9 5,5 Lattice constante (Å) 4.36 5.65 5.43 --
El

micromaquinado 19
La relativa facilidad de realizar tanto a granel y micromaquinado superficial ha
llevado a muchos investigadores a investigar una variedad de aplicaciones. Algunas
de las áreas que están siendo investigados conducirá a sensores inteligentes a
través de mayores niveles de integración. Un proceso clave asociados con el
micromaquinado es el pegado de silicio a un sustrato de silicio o de material. Los
procesos utilizados para micromachin- ing, procesos asociados, y la aplicación de
la tecnología de sensores son cov- bles en este capítulo.
2.2 El micromaquinado a granel
Bulk micromaquinado es un proceso para la elaboración de tres-dimensional
microstruc- tures en una oblea de silicio enmascarados está grabada en una
orientación de grabado dependiente de la solución [3]. Utilizando la tecnología de
micromaquinado, varias obleas puede fabricarse simultáneamente y muchos-a-muchos
consistencia se mantiene por fiscalizando un número mínimo de parámetros.
Parámetros clave a granel micromaquinado incluyen orientación cristalográfica,
etchant etchant, concentración, semicon- ductor material inicial, temperatura y
tiempo. La fotolitografía técnicas comunes en tecnología IC precisamente definir
patrones de grabado a ambos lados de obleas de silicio. La orientación
cristalográfica, etchant, semiconductores y material de partida son escogidos por
el diseño, dejando etchant concentración, tempera- tura y el tiempo como muchos-a-
muchos elementos de control.
ICs son generalmente fabricadas de silicio (fabricación) con <100> o
<111> silicio. A granel el micromaquinado, un etchant anisotrópicos
(unidireccional), tales como etileno diamino-pyrocatechol (EDP), la hidrazina
(N2H4), hidróxido tetramethylam- monium (TMAH) o hidróxido de potasio (KOH), ataca
el <100> Plano de silicio. El <100> plano está grabado a un ritmo mucho
más rápido que el <111> Plano, normalmente 35 veces más rápido. Silicio tipo
N está grabado a un ritmo mucho más rápido (>50 veces más rápido) que p+-tipo,
de forma que el material tipo n se utiliza a menudo como el comienzo- ción de
material. Material tipo P+ puede ser epitaxially crecido en la oblea o difuso en la
oblea para agregar un elemento de control adicional en la definición de las
dimensiones. Agi- tation mantiene concentración uniforme durante el grabado
anisotrópico. La char- acteristic forma (preferencial) de grabado grabado
anisotrópico de <100> silicio es mostrada en la sección transversal de la
Figura 2.1(a), lo cual produce un 54,7 grados de ángulo para <100> silicio
[4, 5]. La vista superior de grabado en la superficie de la sili- acondicionado
aparece como un hoyo con forma de pirámide.
Tasas de Etch 1.0–1.5 mm/minuto ocurren en el <100> Plano de silicio con
etch–temperaturas de 85 a 115°C para etchants comunes como EDP y KOH [6].
Aguafuerte isótropos, mostrado en la Figura 2.1(b), tiene tasas de etch
independiente de la orientación cristalográfica. Grabado isotrópico permite
subcotizaron y estructuras en voladizo que se producen. A GRANEL DE SILICIO, sin
embargo, es más difícil la

comprensión de 20 sensores inteligentes


<100> Superficie de orientación
<111>
(a) SiO máscara 2
fino diafragma 54.74°
estructura Cantilever SiO máscara 2
(b)
<110> Superficie de orientación
<111> (c)

Figura 2.1 máscara de nitruro de silicio micromecanizado a granel estructuras: (a),


(b) anisotrópico isotrópico con agitación, y (c) alternativa crystal orientación y
material de la máscara.
control de grabado anisotrópico, y el nivel de agitación influye en los resultados.
La subcotización y estructuras suspendidas se logran con el grabado anisotrópico
con patrones de máscara y ampliado los tiempos de etch. Para expandir las solici-
tudes de micromaquinado, otros productos químicos, como el hidróxido de sodio
(NaOH), son utilizados para el grabado de la <100> y <110> plano.
Además, otros materiales como el nitruro de silicio puede ser utilizado para la
capa de máscara, como se muestra en la Figura 2.1(c).
El cuadro 2.2 muestra las tasas de etch materiales comunes y posibles etchants se
describen en la sección 2.5.2 [2]. Las tasas de etch 317 16 combinaciones de mate-
riales (single-cristal de silicio, dopado y undoped, varios tipos de polisilicio
sili- contras, dióxido de silicio y estequiométrica ricos de nitruro de silicio,
aluminio, titanio, tungsteno, titanio y aleación de tungsteno, y dos marcas de
resina fotosensible) utilizados en la fabricación de dispositivos MEMS e ICs en 28,
plasma y húmedo-plasmaless etches de fase gaseosa se han reportado en un estudio
[7].
Etch detener técnicas mejoran la precisión de grabado químico húmedo. Las técnicas
más comunes para etch-control de profundidad en el micromaquinado a granel se
muestran en la Figura 2.2 [6]: Precisamente controlada (a), difusiones epitaxially
crecido capas en el cristal de silicio (b), o en el campo agotamiento mejorada
capas (c) frenar el proceso de grabado en la interfaz, permitiendo que las
estructuras precisas para ser obtenidos.
El boro etch deja de usar o EDP TMAH pueden utilizarse para producir capas gruesas
como el

micromaquinado 21
Cuadro 2.2 Atributos de micromaquinado Etchants a granel (Después: [2])
Material grabado Etch Rate (nm/min) Posibles Comentarios Etchant
<100> silicon 1.250 anisotrópico EDP <110> silicon 1.400 KOH Anisótropo
is 900 SF6 isotrópicas–1.300
10.000 300.000–is HF Isotropic
SiO2 400 8.600–Superficie HF de
1 a 20 m m (a) difusión de boro profundo
sustrato de silicio de 4 a 40 m m circuitos capa Epi de
boro (B) enterrados los dispositivos activos de la capa
n de 2 a 40 m m
p Epi capa
(c) unión p-n electroquímico de etch-stop
Figura 2.2 Etch-detener técnicas en etchants anisotrópico: (a) de profundidad,
difusión de boro (B) boro enterrado capa, y c) la unión p-n.
como 15–50 mm, con el enmascaramiento de óxido Capaz de proteger otras zonas
del chip para la adición de circuitos.
2.3 Wafer pegado
además de micromaquinado, diferentes tipos de wafer pegado son necesarias para
producir más complejas estructuras de detección. El accesorio de silicona para una

comprensión 22 sensores inteligentes


segunda oblea de silicio o de vidrio es un aspecto importante de sensores
semiconductores. De hecho, una clara dependencia en la oblea pegado como la
habilitación technol- gía para alto volumen de MEMS ha sido identificado [8].
Cuatro enfoques diferentes para pegado de obleas son discutidas en este capítulo.
2.3.1 Silicio Silicio sobre el pegado de
un enfoque común para la fabricación de semiconductores utiliza sensores de presión
de diafragma anisotropically micromecanizado a granel está grabado en una oblea de
silicio. Por sectores, los elementos de detección zoresistive difundida o ion
implantado en la membrana delgada son un puente de Wheatstone de cuatro elementos,
o un solo elemento posicionado para maximizar la sensibilidad a la cizalladura [9].
Dos obleas de silicio se utilizan a menudo para producir el sensor de presión de
silicio piezorresistiva. La figura 2.3 muestra una dos capas de silicio sobre el
sensor de presión de silicio [9]. La plaqueta superior está grabada hasta una fina
membrana cuadrados aproximadamente 0,001 pulgadas (25,6 mm) de espesor es
alcanzado. La zona de la plaza y los 54,7 grados de ángulo de la pared de la
cavidad son extremadamente reproducibles. Además de una cavidad de referencia
sellada para mediciones de presión absoluta, de dos capas de silicio permite que el
sensor de presión atmosférica o una referencia para ser aplicado a un lado del
sensor por un orificio de entrada en la parte inferior de silicio micromecanizado
(restricción) oblea. Se utilizan varios métodos para fijar la parte superior a la
parte inferior de obleas, incluyendo anódico pegado, frita de vidrio sellado, y
dirigir la oblea de silicio (Silicon)-pegado o fusión de silicio pegado.
El sensor que se muestra en la Figura 2.3 utiliza una frita de vidrio o pasta para
fijar la parte superior a la parte inferior de obleas obleas. La pasta se aplica a
la parte inferior (restricción), obleas, que luego se thermocompression-pegado a la
parte superior la oblea que contiene la estructura de detección de presión de
micromecanizado a granel. La oblea inferior, conteniendo el vidrio, proporciona
aislamiento de estrés y permite una referencia vacío para ser sellada en el
interior de la estructura combinada.
Para ampliar la capacidad de presión a las lecturas de presión muy baja (≤2
pulgadas o 5 cm de agua) y minimizar el error de linealidad, diferentes enfoques
están siendo perseguidos. Estos enfoques incluyen patrones de silicio utilizados
como estrés concentrators en circulares, cuadradas y rectangulares de doble
diafragma; con- plaza voluted diafragma; y etch detener técnicas para controlar el
espesor del diafragma. Los diafragmas tan fino como 2,5 mm se han utilizado para
producir sensores de presión capacitivo para 300 mtorr y menor presión aplicaciones
[10].
El micromaquinado puede ser mejorada mediante la inherente capacidad electrónica de
fabricación de semiconductores. Que pueda proporcionar una solución adicional para
mediciones de baja presión.

El micromaquinado 23
25,4 micrones (0,001") de
referencia de membrana de sellado al vacío en la cavidad grabada en el
sello de vidrio restricción
figura 2.3 de obleas de silicio con sensor de presión de silicio-pegado.
2.3.2 en cristal de silicio (pegado) anódico
, electrostático o anódico, pegado es un proceso que se utiliza para conectar una
oblea de silicio superior a un sustrato de vidrio y también para acoplar al Silicio
Silicio. Pegado anódico atribuye una oblea de silicio, con o sin una capa oxidada,
a un borosilicato
Pyrex (vidrio  ) se calienta hasta aproximadamente 400°C cuando 500V o más se
aplica a la estructura [4]. Un ejemplo de un producto fabricado con pegada al
cristal de silicio anodically es el silicio capacitivo de presión absoluta (SCAP)
ele- mento de detección se muestra en la Figura 2.4 [11].
El diafragma de silicio micromecanizado con control de la profundidad de la cavidad
es
 anodically pegado a un sustrato de vidrio pyrex que es mucho más grueso que el
chip de silicio. A través de los orificios de alimentación están taladrados en el
cristal para proporcionar una conexión precisa a las placas del condensador en el
interior de la unidad. El sustrato de vidrio, metal- lized utilizando técnicas de
Deposición de película delgada, fotolitografía y define la configuración del
electrodo. Después de conectar la oblea de silicio superior al cristal sub- au, los
orificios perforados están selladas con soldadura en vacío. Que proporciona un
elemento de detección capacitivo con un vacío al interior de referencia y golpes de
soldadura para montaje directo en una placa de circuito o sustrato cerámico. El
valor del condensador cambia linealmente desde aproximadamente 32 a 39 pF con
presión aplicada desde 17 a 105 kPa. El elemento capacitivo es 6,7 mm x 6,7 mm y
tiene un coeficiente de temperatura baja de la capacitancia (-30 a 80 ppm/°C),
Buena linealidad (≈1,4%), tiempo de respuesta rápido (≈1 ms), y no hay cables
expuestos bond.
El silicio también está pegado a una segunda oblea de silicio utilizando anódico
pegado. Una delgada (≈4 m m ) capa de vidrio Pyrex es espolvoreado sobre una de
las capas, y mucho menor tensión de aproximadamente 50V se aplica [4]. En lugar de
cristal de silicio de

24 sensores inteligentes comprensión


electrodo metalizado
cavidad de vacío de diafragma de Silicio Silicio contacto eléctrico de 6,5 mm,
0,9 mm de
cierre hermético de
soldadura de sustrato de vidrio Pyrex golpes
Figura 2.4 SCAP con sensor de silicio sobre vidrio (anódico) pegado.
La estructura de soporte permite realizar otras técnicas de grabado húmedo que se
realiza más tarde en el proceso.
2.3.3 La Fusión de silicio Pegado de
una técnica que los bonos de obleas en el nivel atómico sin adhesivos de polímero,
una capa de vidrio, o un campo eléctrico se conoce como fusión de silicio pegado
(SFB) o direct wafer pegado (MSF) [Figura 2.5(a)]. Antes de proceder al pegado,
tanto las obleas son tratadas en una solución, como la ebullición el ácido nítrico
o sulfúrico peróxido [12]. Este paso cubre la superficie de las obleas con unas
pocas monocapas de moléculas hidroxilo reactivos. El contacto inicial de los wafers
mantiene juntos a través de la fuerte tensión superficial. El procesamiento
posterior a temperaturas de entre 900 a 1.100 °C acciona las moléculas de
hidroxilo. El resto reacciona con el oxígeno para formar dióxido de silicio silicio
y fusiona las dos superficies.
Pegado de fusión de silicio puede ser utilizado para reducir el tamaño de una
estructura de micromecanizado. Como se muestra en la Figura 2.5(b), la cavidad
grabada anisotropically puede ser mucho más pequeño, pero el área del diafragma es
idéntico para un sensor de presión de SFB en comparación con un sensor de presión
convencionales. La oblea inferior con el ani- sotropically cavidad grabada es la
fusión de silicio pegada a una oblea. Después bond- ing, la oblea superior está
grabada hacia atrás para formar una membrana delgada y la oblea inferior es de
tierra y luego pulida para abrir el acceso a la membrana. Para el

micromaquinado 25
captadores de presión absoluta, como las unidades de la Figura 2.5(b), un soporte
de la oblea se adjunta a la estructura que contiene el pulmón producidos por
cualquiera de los métodos descritos previamente.
La tabla 2.3 es una comparación de las típicas condiciones de proceso de silicio-
silicio anódico, pegado, pegado y pegado de fusión de silicio.
2.3.4 Wafer pegado a estructuras más complejas y adición de ICs
pegado oblea está siendo investigado como un medio para integrar otros materiales y
estructuras micromecanizado para combinar con la microelectrónica. Investigadores
de la Universidad de California, Berkeley, han utilizado un bono de epoxi para
fijar un SAP- phire wafer con un nitruro de galio (GaN) película a una oblea de
silicio. La oblea de zafiro es la servidumbre frente a la oblea de silicio. Corto,
pulsos de alta intensidad de un láser escaneados hacia atrás y adelante a través de
la oblea zafiro separados la GaN de zafiro. El GaN, que quedó fijado en la oblea de
silicio no tienen irregularidades en la película [13].
Los laboratorios nacionales de Sandia ha crecido una GaN película sobre un estándar
<111> de obleas de silicio. Un implante de hidrógeno en el <111> wafer
provoca pequeñas bub- bles a la forma cuando la oblea se adjunta a una tradicional
(alto volumen) <100> utilizando obleas de Silicio Silicio-pegado. Cuando la
oblea se calienta durante bond- ing, las burbujas pequeñas se expanden, rompiendo
una fina <111> capa de silicio. El sistema de silicio sobre aislante
resultante ha GaN que también pueden integrar circuitos CMOS [13].
2.4 El micromaquinado superficial
el aguafuerte selectiva de múltiples capas de las películas finas depositadas o
superficie micromaquinado, permite movable microestructuras a fabricarse en obleas
de silicio [14]. Con el micromaquinado superficial (mostrado en la figura 2.6),
capas de material estructural, normalmente, de polisilicio y materiales de
sacrificio, como sili- con carbónico, son depositados y telas. Los materiales de
sacrificio, actúa como una capa de separador intermedio y está grabado lejos de
producir una autoestables estruc- tura. El micromaquinado superficial la tecnología
permite que los pequeños y estructuras más complejas con varias capas para
fabricarse en un sustrato. Sin embargo, templar- ing o proceso de deposición de
especial control es necesario para reducir tensiones en las capas que pueden
deformar. En contraste, el micromaquinado granel normalmente está libre de estrés.
El micromaquinado superficial ha sido utilizado para fabricar un acelerómetro para
automoción aplicaciones de la bolsa de aire. Un diferencial de tres capas
condensador es creada por alternativamente capas de polisilicio phosphosilicate y
vidrio (PSG) sobre un

Entendimiento de 26 sensores inteligentes


fusión de silicio del proceso de pegado de
silicio oblea detección
Paso 1 cavidad grabada Anisotropically hidratado de
silicio de la superficie
grabada de oblea de delimitación de la superficie posterior de la interfaz
fusionadas
Paso 2
Paso 3
Suelo y superficie pulida para el grosor de la oblea final
(a)
del sensor de presión absoluta convencional
a
una
fusión de silicio de la oblea de
silicio superior pegado equivalente-fusion-servidumbre sensor
(B)
Figura 2.5 (a) del proceso de pegado de fusión de silicio y (b) su efecto sobre el
tamaño del chip. (Después de: [12].)

Tabla 2.3 Comparación de oblea típica del proceso de pegado condiciones [8] Nivel
de vacío durante el pegado (Torr) de
silicio-silicio–400 500 1 10 N/A N/A No Sí la rugosidad de la superficie (nm)
lagunas precisas sellado hermético micromaquinado
(frita de vidrio) de temperatura y presión de la tensión (V) Proceso anódico (°C)
300–500 N/A 100–1.000 20 (Bar) Sí Sí 10
-5
Fusión de silicio 1.000 N/A N/A 0.5 Sí Sí -3 10
27

28 Entendimiento sensores inteligentes


sacrificial de
sustrato de capa de la
capa de aislamiento de la
capa estructural

estructura micromecánica de sustrato


sustrato
(a) de la
Capa 3 de la
Capa 1 de la Capa 2
(b)
Figura 2.6 El micromaquinado superficial: (a) los pasos del proceso y (b) ejemplo
real de la estructura de 3 capas.
El micromaquinado 29 de
4 pulgadas (100 mm) de la oblea que es 0,015 pulgadas (0,38 mm) de grosor [15]. Una
oblea de silicio sirve como sustrato para la estructura mecánica. El trampolín en
forma de capa intermedia es suspendido por cuatro brazos de soporte. Estructura
movible que es la masa sísmica para el acelerómetro. La parte superior e inferior
de la lay de polisilicio- ers son placas fijas para el condensador del diferencial.
El PSG es muy generosamente grabada por isotrópico etch, tales como el ácido
fluorhídrico (HF).
Debido al reducido espacio (≈2 mm) es posible con la superficie micromachin- ing,
surgen nuevos problemas que afectan tanto al diseño del sensor y el proceso de
fabricación. Squeeze-película, stiction amortiguación y control de partículas debe
abordarse en cada nuevo diseño. En las tres secciones siguientes se describen las
áreas y algunos enfoques utilizados para tratar con ellos.
2.4.1 La amortiguación Squeeze-Film
los movimientos de estructuras separadas por sólo unos pocos micrones puede verse
muy afectado por la separación real y a temperatura ambiente (o vacío) de gas entre
las es- tructuras. Este efecto se conoce como squeeze-film la amortiguación.
Squeeze-film puede ser significativo de amortiguación a granel micromecanizado
estructuras capacitivas, en las que se necesita más espacio para lograr mayores
valores de capacitancia. Es inherente en el micromaquinado superficial, en la que
el espaciado es de solamente unos pocos micrones. Para una estructura particular,
el gas que separa las capas tiene una amortiguación viscosa constante que aumenta
con el cubo inverso de la distancia [16]. La incorporación de los agujeros en la
superficie micromecanizado estructura permite la amortiguación a afinarse para las
características deseadas. Orificios también proporcionan acceso distribuido para el
etchant para reducir el tiempo de grabado y la posibilidad de overetching porciones
de la estructura.
2.4.2 Stiction
Stiction (fricción estática) es un fenómeno que se produce en la superficie
micromachin- ing resultantes del capilar (van der Waals) las fuerzas generadas
durante el grabado húmedo de las capas de sacrificio [17]. Bajo ciertas condiciones
de fabricación, las microestructuras puede colapsar y adherirse permanentemente a
la subyacente sub- strate. El fracaso es catastrófica y que se debe evitar para
conseguir un alto rendimiento y un proceso de diseño fiable. Prevenir la estructura
superior en contacto con la estructura inferior requiere minimizar las fuerzas que
actúan sobre el dispositivo cuando se extrae el líquido, o minimizar las fuerzas
atractivas entre las es- tructuras si entran en contacto con cada uno de los demás.
Las técnicas utilizadas para evitar stiction dependen del fabricante, el diseño de
producto, y el flujo de proceso [17]. Otras muchas soluciones para stiction están
siendo desarrollados.

30 Entendimiento sensores inteligentes


2.4.3 Control de partículas
uno de los problemas de diseño que deben ser resueltos en el trabajo con
estructuras separadas por sólo unos pocos micrones es la evitación de la
contaminación. A nivel de oblea de embalaje es una solución atractiva porque
proporciona un bajo costo, protector, y un ambiente seguro para las piezas móviles
que requieren más pruebas eléctricas y de los procesos de montaje. El paquete
protege el dispositivo de par- ticulates microscópica, manipulación y proporciona
una atmósfera para el ajuste de la amortiguación. Un acelerómetro herméticamente
chip que puede ser sobremoldeados en un bajo costo paquete epoxi convencional es un
ejemplo de enfoque para evitar- ción de la contaminación.
El concepto general de un morir con detección de piezas móviles que necesitan
protec- ción del medio ambiente se muestra en la Figura 2.7 [15]. Las tres capas de
polisilicio están sellados dentro de un protector de la cavidad formada por el
sustrato de silicio, un grueso micromecanizado (cubierta superior) Wafer, y una
capa de vidrio que rodea completamente la estructura de polisilicio. El vidrio es
espaciados a una distancia desde el polisilicio estruc- tura para evitar la
posibilidad de interferencia mecánica. El cristal sirve no sólo como medio de
pegado, sino también como la "mecánica" del separador que proporciona el espacio
para la estructura móvil. A 0.015 pulgadas de oblea de silicio se utiliza como
cubierta o superior oblea. El vidrio es aplicado a la primera oblea, que luego se
thermocompression-pegado a la parte inferior, la oblea que contiene el
micromecanizado estructuras del acelerómetro. La plaqueta superior diseño
proporciona un entorno metic su-, protección física y acceso a las pastillas de
bond. Cuando la servidumbre, una cavidad sellada para squeeze-film amortiguación
controlada se logra.
Otras técnicas para minimizar la contaminación de partículas de metal pueden
utilizar o los envases de cerámica. En esos casos, el paquete final proporciona un
medio ambiente hermético para la estructura. Antes del embalaje, se debe prestar
atención a otros pasos de procesamiento que podría permitir que las partículas
atrapadas en la estructura.
2.4.4 Combinaciones de superficie y grueso micromaquinado
otra combinación de superficie y el micromaquinado a granel ha sido reportado.
Un sensor de presión capacitivo intervalo de airede ha demostrado que combina el
micromaquinado superficial y a granel en una única oblea [18]. La estructura de la
Figura 2.8 utiliza procesamiento de CI estándar para crear canal n semiconductor de
óxido de metal (NMOS) circuitos con una capa de polisilicio adicionales para
producir un condensador con una de 0,6 mm de grosor dieléctrico. El micromaquinado
superficial permitió una brecha menor a ser producidos. Circuitería de mos en la
parte superior de la oblea no estaba expuesta a la presión media. La entrada para
la fuente de presión y la liberación para el micromecanizado cara sur- estructura
fueron a granel en el silicio micromecanizado sub- strate utilizando KOH de etch.
Una sensibilidad de 0.93 mV/kPa (6,4 mV/psi) fue el

micromaquinado 31
Frita de Vidrio separador/sello de
alambre grueso bonos cap silicio micromecanizado
sustrato de silicio
micromecanizado de superficie de aluminio condensadores duales acelerómetro
Figura 2.7 superficie combinada y a granel el micromaquinado en un acelerómetro
para la protección contra la contaminación.
La cavidad de polisilicio DIAFRAGMA diafragma anclaje
dispositivos NMOS 100 m m
n+ condensador inferior placa grabada en Koh-entrada de presión
Figura 2.8 superficie combinada y a granel el micromaquinado en un sensor de
presión. (Después de: [18].)
medida de 100 mm por 100 mm estructura capacitivos. El 100-fF (femto-
-15 -18 faradio = 10 ) condensador tenía una resolución de 30 attofarads (10 ).
2.5 Otras técnicas de micromaquinado
El micromaquinado técnicas descritas hasta ahora han grabado húmedo tech- niques
utilizada principalmente para piezorresistiva y los sensores capacitivos para medir
la presión y aceleración. Éstos son los procesos básicos utilizados en la
investigación que han progresado en la fabricación comercial. Sin embargo, otros se
están desarrollando técnicas que permitan superar las limitaciones, extender los
tipos de
comprensión de 32 sensores inteligentes
mediciones que pueden realizarse, o mejorar las capacidades de los enfoques
anteriormente examinadas. Las nuevas técnicas incluyen el proceso de Liga, varios
métodos de grabado en seco, micromilling y micromaquinado.
2.5.1 Proceso de liga
uno de los más recientes procesos de micromaquinado es la liga (derivado de Ger-
hombre términos para litografía, electroformación, y proceso de moldeo), que com-
bines de rayos X, litografía y técnicas micromolding electroformación [19].
La liga proceso permite alta con relación de aspecto (altura/anchura) estructuras
para fabricarse. X-Ray–patterned fotorresistente moldes son químicamente
grabados en una placa de metal. Una capa de poliimida unos pocos micrones de
espesor actúa como una capa sacrificial. Un comple- mentary estructura está
construida por electrodepositing una capa de metal, tales como el níquel.
Después del último proceso de grabado, las porciones de la microestructura
permanecer conectado al sustrato y se pueden mover libremente. Las temperaturas
están por debajo de los 200°C durante todo el proceso. Este proceso ha hecho
pequeños engranajes (100 mm sobre el diame- ter de un cabello humano). Hasta una
docena de engranajes metálicos han sido impulsadas por un bajo nivel de campo
magnético alimenta el micromotor. La liga proceso amplía enormemente las
capacidades de micromaquinado, haciendo posible cantilevers vertical, bobinas,
dispositivos, microoptical microconnectors y actuadores [14]. Sin embargo, la Liga
proceso es difícil de integrar con la electrónica y tiene un alto costo de
inversión de capital en comparación a granel y micromaquinado superficial. La Tabla
2.4 compara otros aspectos de los tres procesos de micromaquinado [20].
Un sensor de presión diferencial de doble cara con protección de sobrecarga ha sido
fabricada con un proceso de liga modificada [21]. Como se muestra en la Figura 2.9,
este diseño combina a granel isotrópica micromaquinado de la cavidad y los canales
de flujo, liga la tramitación para galvanizar la estructura de níquel (que es de
100 mm de espesor y tiene una separación de 0,80 mm), y grabado para el polysili
sacrificial- con el diafragma. La alta proporción de aspecto de tope metálico
limita el movimiento y el sup- presiona el diafragma estrés, así como facilita la
opción de una segunda señal para comprobar su rendimiento.
2.5.2 Procesos Dry-Etching
Plasma aguafuerte y grabado iónico reactivo puede producir estructuras que no son
posibles a partir de los procesos de grabado químico húmedo. Grabado de plasma es
un proceso que utiliza el grabado un grabado gas en lugar de un líquido
químicamente etch una estruc- tura. Asistido por plasma grabado en seco es una
tecnología crítica para la fabricación ultra-circuitos integrados a gran escala
[22]. Procesos de grabado de plasma se dividen en cuatro clases: chisporroteando,
grabado químico, energético o daño de iones impulsado por el

micromaquinado 33
Cuadro 2.4 Comparación de grueso, de superficie y LIGA Micromaquinado procesos
(después de: [20] La
capacidad de superficie a granel LIGA
geometría plana Rectangular ilimitado ilimitado
planar mín. El tamaño de la característica 2 × 1 mm de profundidad de
pared de 3 mm características 54.74° pendiente seco limitada etch 0.2 mm de
descentramiento de la
superficie de más de 400 mm y el borde excelente generalmente adecuada definiciones
muy buenas
propiedades de material muy bien controlado bien controlado generalmente adecuada
integración con demostrado demostrado difícil electrónica
moderada baja inversión de capital y el costo elevado de
conocimientos Publicado muy alta Alta Baja
chapeados de níquel por parada de sobrepresión LIGA proceso
diafragma de polisilicio
oblea de

silicio de la cavidad principal canal de flujo de parada de sobrepresión


Figura 2.9 PROCESO DE LIGA Combinado con el grabado de sacrificio para el sensor de
presión diferencial.
(Después de: [21].)
aguafuerte, inhibidor de la pared lateral y ion-asistida grabado anisotrópico. La
figura 2.10 muestra las diferentes estructuras mecánicas que resultan de estas
técnicas.

34 Entendimiento sensores inteligentes


Ion
Sputtering +
Neutral

Neutral químicas volátiles de iones producto +


Ion-
Ion energético mejorado producto volátil Punto muerto +
Ion-
inhibidor inhibidor mejorada
Figura 2.10 diferentes estructuras del plasma aguafuerte. (Después de: [22].)
Fabricación de control de un proceso de grabado de plasma las direcciones de
control de índice de etch, la selectividad, la dimensión crítica de control,
control, control de perfil y con- trol de la calidad y la uniformidad de la
superficie. El control de estos parámetros permite nuevos elementos estructurales
que deben alcanzarse. Grabado de plasma fue usado en la superficie del sensor
micromecanizado en la Figura 2.8. SF6 se utilizó para etch chemi de baja presión-
cal (LPCVD deposición de vapor) y de polisilicio de nitruro de silicio; CF4 se
utilizó para etch-fosfo-silicato de boro (BPSG vidrio); y CH4 fue utilizado para
etch y el nitruro BPSG. Grabado de plasma también se realiza en el metal de
aluminio [22].
Fresado de haz de iones es un proceso de grabado en seco que utiliza un haz de
iones para retirar el material a través de una acción de sputtering. Se puede
utilizar por separado o con grabado de plasma. Cuando se combina con el plasma
aguafuerte, es también conocido como grabado iónico reactivo (RIE).
El proceso RIE ha sido utilizada para las estructuras mecánicas y condensadores en
single-silicio cristalino [23]. El proceso RIE fue utilizado para lograr una alta
relación de aspecto- estructuras mecánicas, difícil de lograr con el micromaquinado
superficial y wet-etch micromaquinado a granel. Las estructuras con tamaños de
característica de abajo para el

micromaquinado 35
250 nm y con estructura arbitraria orientaciones sobre una oblea de silicio han
sido producidos utilizando el reactivo de cristal único aguafuerte y metalización
(Scream). Como se muestra en la figura 2.11 [23], una deposición de película gruesa
no es necesaria. Una viga en voladizo de silicio está formado con electrodos de
aluminio en ambos lados de la viga usando dióxido de silicio de aislamiento y de la
parte superior y
fotorresistente
sustrato de silicio SiO2 térmico de
aluminio

térmico fotorresistente SiO2 Aluminiosilicio

Figura 2.11 RIE en el proceso SCREAM. (Después de: [23].)

36 Entendimiento sensores inteligentes el


flanco de grabado de máscara. El grito que proceso puede ser utilizado para
fabricar complejos, triangulares, circulares y rectangulares, estructuras en un
solo cristal de silicio.
2.5.3 Micromilling
molienda a nivel microsocial puede realizarse utilizando las herramientas
fabricadas mediante otro proceso de micromaquinado. Un haz de iones centrados (FIB)
micromaquinado proceso ha sido utilizado para extraer con precisión el material de
M42 de acero de cobalto de alta velocidad con una dureza de Rockwell C de
65–70 [24]. Cuatro-acanaladas, dos-estriado, y dos estrías herramientas
micromilling cuadrados fueron fabricados con FIB micro mecanizado. Las herramientas
micromilling fueron posteriormente utilizadas para cortar el estrecho (4 mm),
intrincado trincheras en polimetacrilato de metilo (PMMA).
2.5.4 Los láseres en el micromaquinado
además de grabado químico, los láseres se utilizan para realizar el recorte y la
crítica de película delgada y sensor semiconductor de corte en el procesamiento. La
flexibilidad de programación de sistemas láser permite su uso en el marcado,
extracción de película delgada, fresado y taladrado [25]. El láser también
proporcionan no contacto mecanizado libre de residuos en los productos
semiconductores, incluidos los sensores. El valor exacto de las resistencias de
película delgada en los circuitos de interfaz se realiza mediante fresado láser
interactivos. Fresado Láser interactivos en el chip para micromecanizado de
sensores ha sido utilizado para la fabricación de alto volumen, intercambiables,
calibrado y sensores de presión compensada desde mediados de la década de 1980
[26].
Se han utilizado láseres para taladrar a través de obleas de silicio grueso como
0,070 pulgadas (1,78 mm) con diámetros de agujero pequeño como 0,002 pulgadas (50,8
mm) [25]. Por ejemplo, 0,005 pulgadas (127 mm) hoyos espaciados en 0,010 pulgadas
(254 mm) centros han sido taladrados en una oblea de 0.015 pulgadas (0.381 mm) de
grosor. El orificio diame- ros y cerrar espaciado se logra sin causar la
fracturación o material gra- radation. Además, el láser puede vaporizar el material
(ablación) con alta densidad de potencia.
Los láseres también han sido investigadas como medio de ampliar el proceso de
micromaquinado masiva [27]. La figura 2.12 muestra que o bien <110> o
<100> obleas se pueden procesar utilizando una combinación de la
fotolitografía, derretir láser- ing y grabado anisotrópico. Una mayor y más amplia
etch ocurre en el área que ha sido dañado. La forma ranurada o microcanal obtenida
por este proceso ha sido utilizado para precisar la posición de fibras y esférico
en híbrido microoptical lentes sin necesidad de dispositivos adicionales de pegado
o técnicas de captura.
El micromaquinado 37
<110> o <100>
SiO2
(a) zona dañada Si
SiO2
<110> SiO2 {111}
(b) Si la 35°
SiO2
<100>
{111} SiO2
(55° c) Si
SiO2
Figura 2.12 efecto combinado de micromaquinado y grabado anisotrópico. (Después de:
[27].)
2.5.5 el grabado químico y tecnología IC,
mientras que muchos de los procesos utilizados para la fabricación de una
estructura MEMS son simi- lar a los procesos utilizados para fabricar ICs, hay
importantes diferencias que hacen que la combinación de ICs y microestructuras una
tarea no trivial. La tabla 2.5 muestra la dife- rencia entre el IC y el
micromaquinado procesos en cinco áreas diferentes [28].
Una de las principales preocupaciones en la integración de circuitos con es-
tructuras micromecanizado es el efecto que el aguafuerte y las temperaturas
resultantes pueden tener en otros procesos de semiconductores y elementos del
circuito. La superficie combinada y a granel el micromaquinado proceso se muestra
en la Figura 2.8 también incluye cir- cuitry NMOS para procesar la señal para el
sensor capacitivo. Otros ejemplos serán examinadas para mostrar los diferentes
enfoques que están siendo perseguidos.
El proceso para un sensor integrado es más compleja porque implica la unión del
sensor exclusivo de procesos con los procesos tradicionales de IC. Por ejem- plo,
bipolar amplificadores operacionales (op amps) normalmente son fabricadas en
<111> sustratos de silicio, mientras que los sensores de presión normalmente
son fabricadas en <100>

38 Entendimiento sensores inteligentes


Tabla 2.5 Comparación de CI y el micromaquinado procesos (después de: [28])
película de dispositivo crítico aspecto dimensión espesor topografía dispositivo
Tipo Tamaño (mm) (mm) Ratio (mm) (mm)
ICs <1 0,35 2:1 <1 1 2 MEMS–6 1,00 6:1 4 10 100–
sustratos de silicio. Una solución a ese problema de producción utiliza un
amplificador operacional estándar en un diseño <100> sustrato de silicio
[29]. Mientras que reduce la tensión de ruptura- abajo en el op amp, no resultan en
tensiones de ruptura inferior a los 10V necesarios para el sensor. D el sustrato de
silicio es de tipo p+ con una capa epitaxial tipo-n. La capa epitaxial tipo n
coincida tanto con la op amp y el captador de presión requisitos. El sensor de
presión también tiene varios procesos únicos, tales como la cavidad etch y un
requisito de película delgada, que debe se fusionaba con la op amp de
procesamiento.
La tarea de combinar dos diferentes flujos de proceso se complica por las
prestaciones que debe realizarse para cada proceso. La combinación final permite la
difusión del sensor para seguir siendo el mismo y mantiene el flujo de proceso de
la Op Amp. La cavidad etch proceso define y etches el silicio para producir un
diafragma en el silicio. La etch procesar las llamadas de varios pasos de
enmascaramiento para proteger el silicio durante el etch. Las capas deben agregarse
en el flujo de una manera que permita una adecuada estructura de capas.
Los pasos para la fabricación de sensores integrados incluyen un proceso de
película delgada que sirve como enlace entre el circuito del sensor de presión y el
op amp. La película delgada es telas para hacer laser-Resistencias ajustables. El
rela- mente alta resistencia pero bajo coeficiente de temperatura de resistencia
(TCR) de las películas metálicas han permitido a redes de resistencia a fabricarse
económicamente en un chip. Cada unidad es individualmente láser recortado para el
correcto desplazamiento de temperatura, sensibilidad y características. El uso de
estas técnicas permite sólidas, rentables y precisos los sensores integrados que se
fabrican en alto volumen. La figura 2.13 muestra un microscopio electrónico de
barrido (SEM) Vista del pecado- gle elemento de detección piezorresistiva y
circuitos que estaban integradas en el proceso final.
Fundiciones CMOS comerciales estándar, a través del Metal Oxide Semi-conductor
Sistema de Aplicación (MOSIS) servicio, ofrecen la posibilidad de tener circuitos
CMOS y el post-procesamiento EDP maskless aguafuerte para ceder el

micromaquinado 39
Figura 2.13 monolítica del sensor de presión piezo-resistivo. (Cortesía de
Motorola, Inc.)
Circuito integrado y estructuras mecánicas en la misma oblea de silicio [30].
El micromaquinado se realiza después del procesamiento CMOS ha sido culminada, lo
cual permite la mezcla eléctrica y mecánica de dispositivos de silicio para ser
desarrollado y producido en pequeños volúmenes. Con este enfoque los instrumentos y
dispositivos de medición- ción puede ser reducida tanto en tamaño como en costo.
De alto volumen, las aplicaciones sensibles al coste, como automóviles o
electrodomésticos, requerirá una planta de fabricación de obleas dedicado bajo el
control directo del fabricante del sensor.
Otro estándar de proceso CMOS de 3 mm se ha combinado con ani- sotropic grabado
húmedo en el Instituto Fraunhofer en Berlín [31]. Los parámetros del proceso CMOS
no se modificaron. Seis más máscaras de capas fueron necesarios para fabricar
monolíticas de acelerómetros. La estructura del sensor CMOS se definió en el
procesamiento, y la prueba de la porción IC fue posible antes de que el
micromaquinado pasos. La parte superior y la parte trasera (con parada de etch)
grabado anisotrópico fueron realizadas para crear la estructura del acelerómetro.
Un sistema modular de proceso CMOS y el micromaquinado superficial fue desarrollada
en la Universidad de California [32]. Una fundición de silicio puede realizar la
gran

comprensión de 40 sensores inteligentes


optimizado proceso CMOS. Las interconexiones de aluminio en el proceso CMOS fueron
reemplazadas con tungsteno y níquel-titanio/titanio y silicio (TiN/ TiSi2) capa
difusora de silicio metal contactos fue agregado para aumentar la tem- peratura
máximo para el proceso. Las películas de nitruro de óxido y fueron depositados a
iso- finales el CMOS desde el polisilicio.
Las temperaturas de procesamiento son una gran preocupación para los sensores
integrados monolíticos. Con bulk micromaquinado, la misma temperatura de
procesamiento limita- ciones se aplican tanto al sensor y la electrónica de
control. Con técnicas de micromaquinado superficial, las estructuras son
dielectrically aisladas, de modo que la fuga no es un problema a temperaturas
elevadas. La temperatura máxima de funcionamiento es, por lo tanto, limitado por la
electrónica de control.
Enfoques para la integración en el nivel de componente puede ser totalmente mono-
líticas o módulos multichip separadas con morir por sensor y la interfaz
inteligente.
El Centro de Microelectrónica de Carolina del Norte (MCNC) ha investigado la
tecnología flip-chip (discutido en detalle en el capítulo 10) para agregar los
circuitos que procesan dispositivos micromecanizado con soldadura golpeando [33].
Este enfoque ha sido estudiado para el micromaquinado superficial y una superficie
combinada y a granel
® micromaquinado proceso. Materiales, incluyendo el sustrato de silicio, Pyrex,
cuarzo y el arseniuro de galio (GaAs), se han explorado.
Tamaño del chip y la complejidad del proceso son controladores básicos de coste
para semiconduc- tor de los procesos y de los sensores. Cuanto menor sea el tamaño
del chip, mayor será el número de morir que caben en una oblea especial. La
simplificación del proceso, menor será el costo de procesamiento y mayor
rendimiento. Procesos combinados deben lograr una reducción de costes, la ventaja
de rendimiento(s), o una fiabilidad mejorada para ser competitivos en el mercado.
2.6 Otros materiales Micromecanizado
Los más comunes materiales [IC de silicio (Si), el dióxido de silicio (SiO2),
aluminio (Al), y el nitruro de silicio (Si3N4)] han desempeñado un importante papel
en el micromaquinado tecnología establecida. Sin embargo, mejorar el rendimiento de
un sensor para una aplicación en particular, abordar un mayor rango operativo, o
sentir un nuevo parámetro pueden requerir otros materiales y técnicas de detección.
Tabla 2.1 Comparación de GaAs, el carburo de silicio (SiC), y el diamante al
silicio. Silicon comienza a exhibir una deformación plástica a temperaturas
superiores a 600°C. Las altas temperaturas de funcionamiento se encuentran entre
las propiedades deseables que hacen que los materiales alternativos atractivos para
ICs y sensores semiconductores. Otros materiales semiconductores, tales como el
fosfuro de indio (InP), están siendo investigados para la micro sensores
mecanizada. Además, varios metales, óxidos metálicos, polímeros y películas son el

micromaquinado 41
utilizados en dispositivos de micromecanizado. Los cuatro ejemplos siguientes
demuestran la variedad de enfoques que se están adoptando.
2.6.1 diamante como un sensor alternativo
selectivamente material depositado diamond film ha sido utilizada como elemento
térmico en un sensor de flujo [34]. El micromecanizado masiva estructura con
película de diamantes se muestra en la figura 2.14. Procesamiento para el boro-
dopado resistencias es per- formado a temperaturas superiores a 1.000 °C. Después
de la preparación de la superficie, la película Diamante se cultiva en las regiones
deseada por plasma de microondas de vapores químicos depo- sición en una mezcla de
hidrógeno y gas metano y en un sustrato de temperatura de 900°C. El contacto de la
placa de aluminio para las resistencias es el próximo paso. Por último, la parte
posterior de la oblea es anisotropically grabados para formar la estructura del
puente del sensor de flujo. Además de las altas temperaturas de funcionamiento,
diamond's resistencia a ambientes corrosivos y abrasivos lo hace atractivo como un
sensor de flujo.
2.6.2 óxidos metálicos y sensores piezoeléctricos
además de materiales semiconductores, diversos óxidos metálicos pueden depositarse
en estructuras de micromecanizado. Un sensor de presión con un óxido de zinc (ZnO)-
elemento sensor zoelectric circular se ha realizado en un proceso compatible con IC
[35].
El micromaquinado superficial se utiliza para crear la cavidad. Como se muestra en
la figura 2.15, una capa de óxido térmico (TOX) es crecido para aislar el sensor
desde el silicio sub- strate. La parte inferior del electrodo de polisilicio está
encapsulado en el Si3N4. El separador de la capa de óxido es muy generosamente
grabado. De polisilicio que se utiliza para formar una con- eléctricamente
reproductiva apoyo estructural y la cavidad para el sensor. El de 0,95 mm de
espesor de la capa de ZnO activo es depositado por RF sputtering. Además de formar
la tarta activo- zoelectric film, el sputtering sella los flancos de la estructura
con una mezcla de O2-Ar en 10 mtorr dentro de la cavidad. El sensor muestra
aproximadamente 0,36 mV/mbar sensibilidad a 1,4 kHz y 3.4 dB en el rango de
variación de la
película Diamante de
aluminio
resistencia Boro

Nitruro de Silicio Silicio


Figura 2.14 Diamond film sensor de flujo. (Después de: [34].)

42 Entendimiento sensores inteligentes de


aluminio cavidad Sealed Air
polisilicio de ZnO
nitruro de silicio Tox sustrato de silicio
Figura 2.15 Piezo sensor micromecanizado superficial. (Después de: [35].) de
200 Hz a 40 kHz. Las dimensiones del rango del sensor de 50 por 50 mm a 2 250 por
250 mm 2 .
El micromaquinado superficial se han aplicado técnicas de GaAs en un metal
semiconductor transistor de efecto de campo (MESFET) Proceso para formar ambos
sensores y circuitos electrónicos [36]. Los sensores incorporan una de 1 mm de
espesor sputtered ZnO condensador apoyado por una membrana de aluminio de 2 mm de
GaAs formada en el sustrato. El sensor de presión piezoeléctrico es de 80mm por
80mm. Circuitos utilizando 4-mm de GaAs MESFETs son fabricados de un planar,
directa de iones implantados en proceso. Los sensores y circuitos ambos funcionan a
temperaturas de hasta 200°C.
2.6.3 Películas en microestructuras
las delicadas capas de sensores químicos pueden depositarse sobre una estructura de
micromecanizado a granel. Como se muestra en la figura 2.16, un acercamiento a un
semi- conductor utiliza un sensor de gas semiconductor de óxido de metal fino
depositados sobre un elemento calefactor integrado [37]. La resistividad del óxido
de metal depende del entorno reductoras u oxidantes que se detecta. El área
sensible es ther- mally aislados del sustrato de silicio para minimizar el consumo
de energía.
Tiempo de respuesta del dispositivo es inferior a 1 segundo con un rango de
temperatura de funcionamiento de 250–400°C. La estructura está contenida en un
chip de 3,5 mm a 3,5 mm por 0,3 mm.
Filmes poliméricos también están siendo depositados sobre la superficie y las
estructuras de micromecanizado a granel. Las películas actúan como una membrana en
biosensores. Multi- ple sitios pueden tener una variedad de películas sensibles a
distintos niveles de una determinada sustancia o sustancias diferentes. Estos
sensores piden una muestra muy pequeña material para proporcionar un análisis, lo
que les hace ideales para su uso en niños pequeños o cualquier aplicación donde
sólo una pequeña muestra está disponible.

El micromaquinado 43
Contacto a capa sensible sensible capa aislante de SiO 2
contactos a granel integrada calefacción calefacción elemento resistivo de
micromecanizado de silicio sustrato elemento
Figura 2.16 depositado sobre capa de detección masiva estructura micromecanizado.
(Después de: [37].)
2.6.4 El micromaquinado Estructuras Metálicas
un proceso llamado micromaquinado fabricación electroquímica (EFAB) ha sido
desarrollado que puede construir una amplia gama de estructuras tridimensionales
[38].
El proceso se basa en la electrólisis de metal y una máscara de in-situ patterning
técnica. El EFAB proceso se muestra en la figura 2.17.
Deposita selectivamente el electrolito 1 material Manta ánodo-segunda máscara
depositado material
(a) (b) (c) el sustrato
(d) (e) (f)
Figura 2.17 EFAB proceso. (Cortesía de USC/Information Sciences Institute.)

44 Entendimiento sensores inteligentes


el primer metal se deposita sobre un sustrato mediante un aislante conformable
modelado sobre un ánodo, como se muestra en la figura 2.17(a), para producir la
capa parcial de la figura 2.17(b). Una segunda manta de metal depositado sobre el
primero, la figura 2.17(c) y, a continuación, toda la estructura está mecánicamente
planarized una precisa espesor y planitud, tal como se muestra en la figura
2.17(d). El proceso se puede repetir para varias capas. La estructura final, como
la figura 2.17(e), luego es grabada para producir un dispositivo tridimensional,
Figura 2.17(f ). El metal de sacrificio es análogo a los materiales de sacrificio
en el micromaquinado superficial, excepto que es totalmente conductor. Por lo
tanto, una capa de dibujos arbitrarios, uno de ellos con una estructura
sobresaliente, puede ser electrodeposited sobre él. La baja temperatura de proceso
hace que sea un candidato para la integración de circuitos CMOS adicionales.
2.7 Resumen de
las tendencias en la industria para la detección de estructuras micromecanizado
incluyen las siguientes:
• Mejora de la precisión y resolución;
• amplió la gama de funcionamiento de los sensores existentes;
• El desarrollo de sensores de temperatura de funcionamiento superior;
• estructuras más complejas utilizando una avanzada tecnología de micromaquinado y
nuevos materiales;
• La adición de circuitos integrados;
• reducción de costos a través de mejoras en el proceso de morir y de contracción.
Estructuras más complejas que permitirán nuevos parámetros para ser detectada y
combinado de las mediciones que se realizan. La continuación de la fusión de los
electrones- ics y diversas técnicas de micromaquinado promete ser un factor clave
para la detección inteligente.
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El micromaquinado 47
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3
La naturaleza de la salida del sensor semiconductor
qué desarrollo revoltin' esto es!
-El Pato Lucas, de Warner Bros cartoons
3.1 Introducción El
micromaquinado tecnología combinada con procesamiento de semiconductores pro-
porciona la habilidad de percibir, mecánicos, magnéticos, ópticos, químicos,
biológicos y otros fenómenos. Estos sensores semiconductores son, en la mayoría de
los casos, un engaño considerables mejora con respecto a la anterior mecánica o
otras contrapartes.
Sin embargo, como componentes independientes, están muy lejos de las
características ideales que se desean para la mayoría de las mediciones. En este
capítulo se analiza la salida de piezorresistiva, capacitivos y sensores
piezoeléctricos. Breve consideración es dada por otros enfoques y técnicas de
detección directa para lograr una salida digital- poner desde el sensor. El nivel
real de las señales y los distintos parámetros utilizados para especificar el
rendimiento sensor's son discutidos.
3.2 Características de salida del sensor de
detección de la técnica utilizada para una medición en particular puede variar
consideracio- Bly, dependiendo del alcance del mensurando, la precisión requerida,
ambien- tales consideraciones que afectan el embalaje y la fiabilidad de la sonda,
la

comprensión 49 50 sensores inteligentes


naturaleza dinámica de la señal, y el efecto de otros insumos en el mesurando.
Las consideraciones ambientales que incluyen la temperatura de funcionamiento,
exposición a químicos y la compatibilidad multimedia. Los sistemas de medición se
aplican también limita- ciones. Factores tales como el acondicionamiento de señal,
la señal de transmisión de datos, visualización, vida útil,
mantenimiento/calibración, impedancia de captador, impedancia de sistema, tensión
de alimentación, respuesta en frecuencia, y el filtrado puede hacer una solución
prefiere- poder sobre otro. En algunos casos, el diseño sensor's puede hacer más de
una tecnología de detección aceptable. Eso depende de la capacidad de diseño y
fabricación de el proveedor del sensor. Por ejemplo, la cerámica y los
semiconductores sen- sors utilizando tecnología capacitiva o piezorresistiva
frecuentemente compiten por un par- ticular aplicación. Asimismo, optoelectrónica,
efecto Hall, magnetorresistivo, e incluso los sensores inductivos pueden medir el
desplazamiento o la velocidad. No obstante, una vez que la tecnología ha sido
aceptado para una medición en particular, desplazamiento por una tecnología
alternativa es difícil.
La determinación de la tecnología de detección adecuado para una determinada
aplicación comienza con la comprensión del principio fundamental del diseño de
sensor y las especificaciones que el fabricante garantiza. Sensores semiconductores
han definido nuevos términos y permitir alternativa metodología de diseño de
sensores basados en el micrómetro y nanométrica en la que operan. Este capítulo
utiliza el sensor de presión piezorresistiva ejemplos para explicar algunos de los
principales parámetros del sensor y un enfoque de diseño tradicional.
3.2.1
El cambio del puente de Wheatstone en la resistencia de un material cuando se
destaca se llama piezoresistivity mecánicamente. Cepa-Sensores de presión
manométrica convertir el cambio en resis- cia en cuatro (a veces sólo uno o dos)
armas de un puente de Wheatstone, tal como se muestra en la Figura 3.1(a). La
tensión de salida de un puente de Wheatstone de cuatro elementos, que se muestra en
la Figura 3.1(b), está dada por
E R ∆ (3.1) Eo = R
donde Eo es la tensión de salida, E es el voltaje aplicado, R es la resistencia de
los brazos del puente, y ∆R es el cambio en la resistencia, debido a una presión
aplicada [1].
Elementos resistivos variables adicionales se agregan normalmente a ajustar el cero
off- set, calibrar la sensibilidad, y proporcionar compensación de temperatura. El
trigo- puente de piedra puede funcionar en un modo de tensión constante o un modo
de corriente constante. El modo de tensión constante es más común porque es más
fácil que el gen- erate una fuente de tensión controlada. Sin embargo, el modo de
corriente constante es también

la naturaleza de la salida del sensor semiconductor 51


70 60 50
RR+²R +∆R-²R R-∆R Span 40 Salida
Columna E 30 225 C° R-∆R+²R R+∆R de
salida (en mVdc) 20 columna 3 + 125 ° C
Eo Columna 4 - 40 ° C 10 Offset
0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 el
diferencial de presión (en kPa)
(a) (b)
Figura 3.1 (a) del puente de Wheatstone y b) curva de salida del sensor de presión
piezorresistiva.
utiliza y proporciona compensación de temperatura que es independiente de la
tensión de alimentación.
Diferentes enfoques de extensómetros piezorresistiva van desde el tradicional y
unbonded pegados a los nuevos sensores de presión de silicio integrados. Pres-
seguro aplicado al diafragma, se produce un cambio en la dimensión de la dia-
diafragma, un aumento en la longitud del calibrador (l ), y un cambio en la
resistencia (R = rl /A, donde R es la resistencia de la galga, r es la resistividad
del mate- rial, l es la longitud del elemento resistivo, y A es el área
transversal).
El cambio en la longitud por unidad de longitud es la cepa. La sensibilidad de un
calibrador de esfuerzo está indicada por el factor de medición (GF), el cual está
definido por:
∆R / (3,2) K = ∆l l /
donde K = p ⋅ E = el factor de medición, p es el piezocoefficient y e es la modu-
lus de elasticidad del material.
K para metales es 2; para el silicio, es aproximadamente de 100 a 200, dependiendo
del nivel de dopaje y el diseño [2]. En contraste con los metales, el cambio de
resistencia es un efecto secundario de silicio. El efecto primario es el cambio en
la conductividad de los materiales semiconductores, debido a su dependencia de los
mecánicos el estrés.
El GF para un calibrador de esfuerzo está mejorado considerablemente (alrededor de
150) mediante el uso de un medidor de deformación de silicio. Sin embargo, además
de las tradicionales resistivo de trigo- puente de piedra, las técnicas de
procesamiento de silicio y el tamaño miniatura de piezoresis elementos- tiva en el
silicio permiten el diseño de un único captador piezo-resistivo. Este

entendimiento 52 sensores inteligentes


diseño alternativo demuestra una de las diferentes posibilidades que semicon-
ductor trae la tecnología de detección.
3.2.2 Piezoresistivity en Silicon
la descripción analítica del efecto piezo-resistivo en silicio cúbico puede
reducirse a dos ecuaciones que demuestran los efectos de primer orden [3].
∆E P X X 1 0 1 11 1 12 2 = ⋅ + I ( ) p p (3,3)
∆E P X 2 02 = ⋅⋅ I p 44 6 (3.4)
donde ∆E1 y ∆E2 son la densidad de flujo de campo eléctrico, P0 es la resis- tivity
unstressed masiva de silicio, I es la densidad de corriente de excitación, p es el
coeffi piezorresistiva- cientes, X X2 son el estrés axial tensores, y X6 es una
cizalladura tensor debido a la 1 y la fuerza aplicada.
El efecto descrito por (3.3) se utiliza en un transductor de presión de silicio del
tipo puente de Wheatstone. Independientemente de si el sensor designer elige tipo n
o p-capas de texto para el elemento de detección difusa, el coef piezorresistiva-
ficients p11 y p12 en (3,3) tienen signos opuestos. Esto implica que, a través de
una cuidadosa colocación, orientación con respecto al eje cristalográfico adecuada
y una relación de aspecto suficientemente grande para las resistencias, es posible
fabricar resistencias con el mismo diafragma que tanto aumentar o reducir,
respectivamente, de sus valores nominales con la aplicación de estrés.
El efecto descrito por (3.4) es normalmente descuidados como parásito en el diseño
de un dispositivo de puente de Wheatstone. Un vistazo a (3.4) revela que el
incremento de la densidad de flujo de campo eléctrico, ∆E2, debido a las tensiones
aplicadas, X6, es aumentar monotónicamente para aumentar X6. De hecho, (3.4)
predice una salida extremadamente lineal, ya que sólo depende de un coeficiente
piezorresistiva y aplicado el estrés. Además, el aumento de campo eléctrico puede
ser medido por un solo elemento sensible al estrés. Esa es la base teórica para el
diseño de la transversal de tensión o estrés de cizalla extensímetro
piezorresistiva.
La figura 3.2 muestra la construcción de un dispositivo que optimiza el efecto de
sistive piezore- (3.4). El diafragma es anisotropically grabados a partir de un
sustrato de silicio. El elemento piezo-resistivo es un único indicador de tensión
de cuatro terminales situados en el punto medio del borde del diafragma cuadrado en
un ángulo de 45 grados. La orientación de 45 grados y la ubicación en el centro del
borde del diafragma aumenta la sensibilidad a la cizalladura (X6) y la cizalladura
detectada por el transductor por maximizar el coeficiente piezorresistiva, p44.

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor 53


S- elemento activo
S+ grabados diafragma límite grifos de tensión
tensión transversal guía cepa resistencia
1 4
2 3
1. Tierra 2. +Vout 3. Vs 4. Vout -
Figura 3.2 La cizalladura de galgas de deformación.
Corriente de excitación se pasa longitudinalmente a través del resistor (patillas 1
y 3), y la presión que subraya el diafragma se aplica en ángulo recto con respecto
al flujo de corriente. El estrés se establece un campo eléctrico transversal en la
resistencia que se percibe como una salida de tensión en las patillas 2 y 4, que
son los grifos situados en el punto medio de la resistencia. El único elemento de
cizalladura de galgas de deformación puede ser considerada como la mecánica
analógica de un dispositivo de efecto Hall.
Utilizando un único elemento elimina la necesidad para adaptar el estrés cuatro- y
resistencias sensibles a la temperatura en el puente de Wheatstone diseños mientras
simplifica en gran medida la circuiteria adicional necesario para lograr cali-
bration y compensación de temperatura. El desplazamiento no depende de resistencias
coincidentes pero en cuán bien la tensión transversal grifos están alineados. La
alineación se realiza en un solo paso la fotolitografía, haciéndola fácil de
controlar, y sólo es positiva, la simplificación de regímenes a cero el
desplazamiento. La tem- peratura coeficiente de la desviación es pequeña
(nominalmente ±15 mV/°C), porque múl- tiples resistencias y los coeficientes de
temperatura no tienen que ser coincidentes. Mediante adecuados niveles de dopaje,
la dependencia de la temperatura del intervalo de escala completa (la dife- encia
entre salida a escala completa y offset) puede ser controlada cuidadosamente y

comprensión 54 sensores inteligentes


, por lo tanto, compensa sin el requisito de caracterizar cada dispositivo a través
de la gama de temperatura.
Un solo elemento más eficiente diseño del transductor se ha desarrollado
recientemente para producir una señal de salida superior desde el mismo nivel de
estrés mecánico [4].
La figura 3.3(a) muestra el original X-ducer™ diseño y su ubicación en
relación con el borde del diafragma. El diseño proporciona una mayor distribución
de offset, lo cual fue una mejora significativa sobre el puente de Wheatstone
diseños utilizados en el oído- ly días de micromecanizado de sensores de presión.
Sin embargo, las mejoras en el proceso- ing y el diseño pueden lograr una mayor
distribución sin usar el X-ducer™ diseño. Como resultado, la "imagen frame"
diseño se muestra en la Figura 3.3(b) fue desarrollado. El diseño de marco
proporciona alrededor del 40% más largo que el X-ducer™. Diseño más eficiente
que permite tanto una mejor linealidad y mayor relación señal-ruido. Esa mejora en
la señal de salida permite una menor ganancia general para ser utilizado, mejorando
la precisión.
3.2.3 Sensor semiconductor de
las definiciones técnicas de procesamiento por lotes utilizado por fabricantes de
semiconductores son ideales para hacer de alto volumen, sensores de bajo costo. Una
limitación de procesarse por lotes de piezas, sin embargo, es que ciertos
parámetros no son precisamente especificados pero sólo aparece como "típico" en la
hoja de datos manufacturer's. En muchos casos, la reunión se fijaron los límites en
todos los parámetros pueden conducir cuesta arriba y contrarrestar las ventajas de
un alto volumen de procesamiento por lotes [5].
Uso de las especificaciones típicas no es necesariamente una desventaja, sin
embargo. Uni- conformidad en cada wafer lote es una fuerza específica de
procesamiento de semiconductores.
Elemento de detección piezorresistiva
(a) (b)
Figura 3.3 diseño Piezoresistor comparación de (a) un solo elemento original (B) al
nuevo diseño.
(Cortesía de Motorola, Inc.)

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor 55


Sin embargo, es un factor que debe considerarse para evitar problemas en la
producción en volumen.
El término especificación típica generalmente tiene varias implicaciones en la
industria de semiconductores. Normalmente, esto indica un parámetro que ha sido
terized caract.- Durante la fase de diseño y representa el valor medio de las
manufacturas- proceso de Turing. Algunos fabricantes también añaden que un±3 valor
Sigma es la difusión total que pueden esperar los usuarios típicos de los
parámetros especificados. Esa propagación puede asumirse, sin embargo, porque
significa que los límites típicos normalmente no están conectados a la
manufacturer's programa de aseguramiento de la calidad.
En muchos casos, típicamente se usa para indicar que el proceso de medición
contribuye más a la inexactitud de la lectura que a la variación real de una unidad
a otra. La práctica demuestra que la razón por la que el usuario debe evaluar el
parámetro especificado como típicos. Histéresis de presión en los diafragmas de
silicio, por ejemplo, es esencialmente inexistente y no debe ser motivo de gran
preocupación si especifica como typi- cal. Por otra parte, la variación en la
temperatura de span y offset pensation com- podría ser importante y se necesita más
investigación si aparece como una especificación típica.
Muchos de los parámetros en las hojas de datos del sensor se especifica como más o
menos el porcentaje de escala completa (salida o span). Esa designación es la clave
para com- prensión otras especificaciones. Salida a escala completa es la salida a
la presión nominal incluido el desplazamiento cero. Intervalo de escala completa es
la diferencia entre la salida sin presión aplicada (offset) y la salida a la
presión nominal. Para un dispositivo determinado, por ejemplo, Motorola's MPX100,
un 0,25% de escala completa span calificación de linealidad puede oscilar entre
0.113 mV para un dispositivo de salida baja (45 mV) a 0,225 mV para un dispositivo
con mayor salida (-90 mV).
La sensibilidad es el span dividido por la gama de presión de funcionamiento. La
sensi- tivities para dispositivos de distintos fabricantes son frecuentemente
comparados.
Los rangos de presión y la tensión de alimentación debe ser considerado para una
comparación exacta. El procedimiento a menudo revela información interesante que
puede afectar una decisión de diseño, especialmente si la linealidad en una
determinada sensibilidad también se toman en cuenta.
La linealidad o desviación de una línea recta relación se expresa como un
porcentaje de la escala total de salida (o amplitud) y también está sujeto a
diferentes métodos de prueba. Los menos plazas, mejor ajuste de la técnica es la
elección comúnmente aceptado para establecer la linealidad. Sin embargo, requiere
varios puntos de medición para proporcionar resultados aceptables.
Una medición más simple es el método de punto final, que requiere sólo tres puntos:
cero, gama media, y a escala completa. El método se presta a un gran volumen de
pruebas. Porque siempre produce un valor que es aproximadamente el doble de la
magni- tude de un método de los mínimos cuadrados, frecuentemente es más apropiado
para el error

56 Entendimiento sensores inteligentes


cálculos presupuestarios. Cualquier comparación de los valores de la hoja de datos
de la competencia para la línea- aridad debería tener en cuenta el método utilizado
para determinar el valor de este parámetro.
El efecto de la temperatura sobre la amplitud y offset (y sensibilidad) es uno de
los más críticos y con frecuencia aspectos más preocupantes de semiconductores
mediante sensores de presión. Los productos que no tienen ninguna compensación de
temperatura puede ser usado con poco esfuerzo para un estrecho rango de
temperatura, tales como 25°C ± 15°C o menos, y los requisitos de precisión de unos
pocos puntos porcentuales. Algunos sensores, como MPX Motorola's familia, puede ser
compensada por temperatura a 1–3% 0–precisión en un rango de temperatura
de 85°C sin ejercer el sensor sobre tempera- tura. Facilidad de compensar la
temperatura es un factor importante en la evaluación de un sensor de presión.
A comparar diferentes productos, unidades similares deben ser utilizados.
Valor de escala completa (F.S.), Rango de temperatura, y los límites reales
(especificado como más o menos puntos porcentuales F.S., más o menos milivoltios, o
más o menos puntos porcentuales F.S. por grado Celsius) puede variar de un
fabricante a otro. La conversión de estas unidades milivoltios por grado Celsius
puede propor- cionar una buena comparación. Por ejemplo, un sensor de presión
calibrada, como Motorola's MPX2000 con salida de mV de 40±1% y F.S.
variación–durante 0 a 85°C, tiene un máximo de ventana 9.4mV/°C. Este tipo de
especificación puede indicar un rendimiento mejorado en comparación con temperatura
reducida vanos. No obstante, el usuario debe saber de formas curvas reales dentro
de la compensación de temperatura win- dow a tener confianza en ese valor.
Otros tres términos en hojas de datos de sensores son a menudo una fuente de
confusión:
la precisión estática, ratiometricity y sobrepresión. Con frecuencia, los
fabricantes a mezclar la linealidad, histéresis y repetibilidad de presión, como la
precisión estática.
A veces los fabricantes indican que característico, declaró simplemente como el
accu- raciales, como único parámetro en la hoja de datos.
Ratiometricity es uno de los nuevos términos que los fabricantes de semiconductores
han llevado a la detección de presión. Aunque se da salida a una determinada
tensión nominal, de mayor o menor tensión de alimentación puede ser utilizado
(dentro de los límites máximos de la rata- ing del dispositivo) con los sensores de
la fuente de tensión constante. Error Ratiometricity es el cambio en el resultado
de un cambio en la tensión de alimentación y generalmente se expresa como un
porcentaje de la escala total de salida. La salida en esa instancia varía según la
relación de tensión a la tensión nominal manufacturer's.
Un voltaje constante es necesaria para el correcto funcionamiento, un hecho que no
debe pasarse por alto al considerar el total de requisitos de circuito.
El término "sobrepresión" adquiere un significado distinto con semiconductor de
sensores de presión. Aunque el diafragma de silicona está a sólo 25,4 mm (0,001
pulgadas) de grosor, un dispositivo calibrado a 30 psi pueden soportar 200–300
psi sin daños. La mayoría de los fabricantes especifican la sobrepresión
conservadoramente en dos o tres veces la presión nominal.

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor 57


Obviamente, ningún daño debe ocurrir cuando el sensor opera dentro de la
calificación de sobrepresión. Sin embargo, lecturas hechas por encima del rango
normal son otro asunto. Normalmente, linealidad, comience a disminuir y podría caer
fuera de la clasificación especificada si el sensor funciona por encima de su
presión nominal. Si linealidad eran sólo marginalmente aceptable para comenzar con
lecturas overscale podría causar problemas. Sin embargo, este no es el caso de
muchas aplicaciones.
La mentalidad normal para hacer lecturas de presión con un manómetro es evitar el
funcionamiento a escala completa para la mejor precisión. Una operación en gran
escala puede anclar la aguja del manómetro, resultando en miscalibration o daños.
Sin embargo, ing operacional un sensor semiconductor a escala completa generalmente
proporciona una precisión mayor que una lectura de gama media. Esto es
especialmente cierto para las unidades de medida lineal endpoint- lidad, porque la
salida es medido con precisión a la especificación a escala completa. Pequeña
excursión sobre la presión de tarado no degradar significativamente la linealidad.
De cualquier modo, si la salida se satura por encima de la presión nominal o el
ope- rativo gauge's digital se ha superado, un rango de entrada de presión superior
no producirá una lectura de salida superior.
3.2.4 Funcionamiento estático o dinámico
los geles o recubrimientos protectores que protegen la superficie activa de los
medios de presión degradar el tiempo de respuesta para los sensores de presión de
semiconductores. Asimismo, isolat- ing el semiconductor por acero inoxidable
diafragmas y cámaras llenas de aceite puede disminuir el tiempo de respuesta. Sin
embargo, el tiempo de respuesta de 1 ms se consigue normalmente cuando el sensor
está expuesto a una presión a escala completa excursión.
Los sistemas de medición que operan a 6,000 rpm requieren sensores para funcionar a
frecuencias superiores a 100 Hz. Con frecuencia, un rango de frecuencias mayor fre-
cuencia o superior también son componentes de la señal de interés, como en el caso
de aceleración y los sensores de vibración. Sin embargo, los sensores de baja
frecuencia tienden a tener menor ruido en plantas. El piso de ruido inferior
aumenta el rango dinámico sensor's y puede ser más importante para la aplicación de
mayor capacidad de frecuencia [6].
3.3 Otras tecnologías de sensores de
detección piezorresistiva más común es el sensor micromecanizado porque su señal de
salida es predecible y fácil-a-condición de señal. Otras técnicas están ganando en
popularidad, especialmente como las técnicas de detección por sensores inteligentes
se basan en la capacidad de circuitos electrónicos para manejar la condición de
señal- ing. Un breve examen centrado en la salida de las actuales técnicas de
sensores semiconductores sigue.

58 Entendimiento sensores inteligentes


3.3.1 Los sensores capacitivos
Los sensores capacitivos suelen tener una placa que es fijo y uno que se mueve como
resultado de la aplicación de mesurando. La capacitancia nominal es C = Aε/d, donde
A es el área de la placa, ε es la constante dieléctrica, y d es la distancia entre
las placas. Dos sensores de presión capacitivo común utilizado en apli- caciones de
automoción están basados en silicio y condensadores de cerámica. Una estructura de
condensador diferencial también puede ser utilizado para la aceleración. La figura
3.4 muestra la superficie micromecanizado capacitor y la salida resultante [7].
(A)
4 10
Roll-off de datos 10-g
3 10 de la señal de
salida del acelerómetro (mV)
2 10 1 2 3 4 10 10 10 10 la frecuencia (en Hz)
(b)
Figura 3.4 (a) Estructura de condensador diferencial acelerómetro y (b) la salida.

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor de


silicio 59 tecnología combinada con el micromaquinado superficial ha permitido la
capacitancia entre interdigitated dedos para medir la aceleración y otros insumos.
El valor de la capacitancia nominal está en el rango de 100 FF a 1 pF y la
variación de la capacitancia es en femtofarads. Los circuitos integrados en el
mismo chip de silicio o en el mismo paquete (que tiene en cuenta el efecto de
capacitancia sitic pará- de embalaje) puede utilizar ese nivel de señal para
proporcionar una salida útil para un sistema de control [8].
3.3.2 Sensores piezoeléctricos
un sensor piezoeléctrico se produce un cambio en la carga eléctrica cuando se
aplica una fuerza a través de la cara de un cristal, cerámica o película
piezoeléctrica. La capacidad inherente de sentir vibraciones y la necesidad para
circuitos de alta impedancia son tenidos en cuenta en el diseño de modernos
sensores piezocrystal. Los transductores están construidos con varias placas
rígidas y un culto-ele- mento de detección de cuarzo que contiene un acelerómetro
integrado para reducir la vibración y sensibilidad suprimir resonancias.
Titanato zirconato de plomo (PZT) cerámica es utilizado para construir biomorph
transductores que detectar movimiento, vibración o aceleración y pueden ser
activadas por una tensión aplicada. La biomorph consta de dos capas de diferentes
materiales piezoeléctricos formulaciones que se unen en tiras rectangulares o
arandela formas.
La forma rectangular puede ser montado como un voladizo. Perpendicular a la
superficie de movimiento genera una tensión [9].
Más recientemente, piezofilm sensores que producen una tensión de salida cuando son
desviados proporcionan un método barato para las mediciones. La figura 3.5(a)
muestra la construcción de un elemento de detección de película piezoeléctrica
[10]. La poli- mer film genera un cargo cuando es deformado y también exhibe
movimiento mecánico cuando se aplica una carga. Para un vehículo detector, el
sensor está montado en un canal de aluminio rellenos con poliuretano y incrustada
en el pavimento. La salida del sensor para tres diferentes tipos de vehículos se
muestra en la Figura 3.5(b). En el modo de tensión, el peso y la velocidad del
vehículo, pasar sobre ella influyen en la tensión. Un resultado positivo se produce
cuando el neumático se comprime la película. Los resultados negativos de la
expansión después de que el neumático ha pasado sobre el sensor.
El micromaquinado superficial técnicas han sido combinados con piezoelec- tric
thin-film materiales, tales como el óxido de zinc, para producir un semiconductor
piezoe- léctrica captador de presión. Uno de diseño tiene una sensibilidad de 0.36
mV/mbar a 1,4 kHz [11]. Mediciones acústicas de bajo nivel son una aplicación
potencial de la tecnología.

Comprensión de 60 sensores inteligentes


extrusión estirar polarizar Metalizar 5:1 100 V/m
++++++++++
- - - - - - - - - - Fabrique
fase α se convierte en fase β metalización en
agarra los sensores piezoeléctricos de carga
creada por film del elemento (a)
0,8 0,6 0,4 0,2 0
Voltios -0,2 -0,4 -0,6 -0,8 50 mS /div automóvil de pasajeros pequeño camión grande
de 2 axle
(b)
Figura 3.5 (a) una película piezoeléctrica Kynar está polarizada en un intenso
campo eléctrico de aproxi- madamente 100 V/mm y metalizado para crear un
transductor. (B) La salida de un Vel.- cle el sensor en el modo de tensión es una
tensión proporcional al peso y la velocidad del vehículo. (Después de: [10].)
3.3.3 de efecto Hall de
efecto Hall vertical estructura ha sido diseñada para la detección de campos
magnéticos orientadas paralelas al plano del chip. El micromaquinado a granel se
utiliza para conseguir mayor sensibilidad de un dispositivo sin el micromaquinado.
El micromecanizado dependencia tenía una potencia de salida de 70 mV para un campo
magnético aplicado de 400 toneladas, que es casi cinco veces la sensibilidad de la
unidad unetched [12].
3.3.4 sensores químicos
un químico de óxido de metal de resistividad sensor's cambia, dependiendo de la
naturaleza oxidante o reductor del ambiente gaseoso alrededor del sensor. La figura
3.6 muestra los datos de sensibilidad de hidrógeno (H2) y monóxido de carbono (CO)
en el aire de
-7 -1 Un diseño [13]. Más de 100 Conductances(10 )Ω para H2 y casi
-7 -1 32(10 )Ω para CO fueron medidos con el sensor expuesto a la concentración de

la naturaleza de la salida del sensor semiconductor 61


110 100 90 80 H2
70
7 1 - - 60 50 40 Ω Conductancia CO 10 30
20 10 0 0 500 1.000 1.500 2.000 de la
concentración (ppm) de la
Conductancia Figura 3.6 cambio de sensor químico específico basado en gas y
concentración.
2.000 ppm de cada gas por separado en las mediciones y trabaja a una temperatura
mínima de 250 °C.
El Laboratorio de Propulsión a Chorro (JPL) está investigando un hidrocarburo sen-
sor de la cual una capa porosa de SiC en la parte superior de 6H formas de carburo
de silicio el chan- nel de un transistor de efecto de campo (FET) [14]. Los iones
producidos durante la catálisis de un hidrocarburo recogida en la capa porosa
debajo de la puerta, afectando la relación corriente-voltaje de la FET. Explora los
circuitos FET en una gama de tensiones y identifica un determinado compuesto de
hidrocarburos. La intención es la de integrar las funciones de detección con
electrónica adicional para una sonda integrada para la detección de hidrocarburos.
El SiC el sensor debe ser capaz de funcionar a temperaturas de hasta 500°C.
3.3.5 Mejorar las características del sensor
de bajo nivel de salida de los sensores descritos en esta sección y en el diseño de
los parámetros analizados en la sección 3.2.3 son algunas de las características
que deben ser consideradas en el uso de un sensor semiconductor en una aplicación
particular.
El cuadro 3.1 resume las características del sensor y las áreas de diseño que se
utilizan comúnmente para mejorar estas características [15]. Sensor mejorado

62 sensores inteligentes la comprensión


común de la tabla 3.1 Características indeseables de sensores semiconductores
(Después: [15])
Caracteristicas el diseño del sensor Sensor Interface MCU/DSP
No linealidad coherente reducir la
deriva minimizar compensar
compensar Calibrar Calibrar/reducir la
dependencia del tiempo de minimizar el
tiempo de desplazamiento de Auto-cero dependencia de Auto-rango sensibilidad
Nonrepeatability Reducir
sensibilidad cruzada para calibrar guardar el valor y la temperatura correcta y la
tensión de
histéresis
baja resolución previsible aumento Aumento de sensibilidad baja amplificación
amplifican
inadecuado del búfer de salida
auto-calefacción Aumento de impedancia Z técnica PWM
inadecuado Modificar filtro de respuesta de frecuencia
depende de la temperatura- y almacene el valor correcto de
Temperatura de desviación dependerá de ence- y almacene el valor correcto de
sensibilidad de ence
desempeño puede resultar cuando el diseño del sensor y la capacidad de sub- sequent
componentes que conseguir un sensor inteligente son tomados en Cuenta en el diseño
general del sensor inteligente. Lógica digital proporcionada por una MCU o un DSP
juega un papel vital en la detección inteligente y en la mejora del rendimiento
sensor's.
3.4 Sensores de salida digital de
un captador que interfaces a un MCU directamente sin necesidad de conversión A/D
simplifica el diseño del sistema y reduce el costo de la MCU. Sensores Today's
la naturaleza de la salida del sensor semiconductor 63
lograrlo con circuitos adicionales. Sin embargo, el industry's Quest es un sensor o
su familia con inherente a la salida digital. En chip externo o sig- nal
acondicionado puede lograr "inherente" de la capacidad, pero debe costar
consideracio- bly menos y ser más precisos que las unidades usando técnicas
existentes.
3.4.1 incrementales Encoders ópticos
estructuras que contienen una fuente de luz y un fotodetector proporcionan un medio
digital de medición de desplazamiento o velocidad cuando un alternando opaco y
translúcido grid es que pasa entre ellas. Como se muestra en la Figura 3.7, un
ejemplo de macrosized aperturas espaciadas uniformemente en una rueda permite
circuitos lógicos para contar el número de pulsos en un período de tiempo
determinado para determinar la velocidad del eje o el desplazamiento angular [16].
Mediciones lineales de desplazamiento y la velocidad son también posibles.
Detector de presencia básica puede lograrse mediante el uso de un solo canal óptico
o emisor-detector (par). La velocidad y la posición incremental sens- ing debe
utilizar dos canales. El enfoque más utilizado es la detección de cuadratura, en
que las posiciones relativas de las señales de salida de dos canales ópticos son
comparados. Esta comparación proporciona la información de la dirección, y
cualquiera de los canales individuales da la señal de transición para obtener la
información de la velocidad o bien contar. Una aplicación típica puede utilizar la
dirección de salida como la entrada arriba/abajo y canal A o B como el conteo de
entrada comunes para un contador de arriba/abajo. El contador en un sistema
incremental se incre- mento o disminuir según sea necesario para mantener una
posición relativa o recuento de salida.
Sensor de dirección de cuadratura requiere que los dos canales ópticos crear
señales de transición eléctricos que se encuentran fuera de fase uno con el otro
por 90 grados nominalmente. Cuando el código de las ruedas está girando, las dos
señales de salida eléctrica, A y B, será de 90 grados fuera de fase, porque la
rueda de windows son de 90 grados fuera de fase con los dos canales del sensor. La
interpretación del
reloj
Ch Input φA fotodetector paso acondicionado velocidad temporizador determinación
salida
Ch B Dirección/ entrada DN arriba/abajo fotodetector φB Count Contador
determinación acondicionado salida
codificador óptico incremental de la Figura 3.7.

64 Entendimiento sensores inteligentes


si la señal B es líder en sentido horario o antihorario es una cuestión de
elección. La figura 3.8 muestra el ideal salidas en cuadratura. Las dos formas de
onda están en cuatro cuadrantes iguales, exactamente 90 grados fuera de fase uno
con el otro.
El detector está en cuando la luz está presente y se apaga cuando la web bloquea el
haz.
3.4.2 Técnicas digitales
un estudio de técnicas digitales disponibles ha informado [15]. Tecnología de
detección- niques basado en una estructura resonante o una publicación periódica
estructuras geométricas son potencialmente el método más directo para sensores
digitales. Sin embargo, otros tech- niques también se pueden usar.
Silicio micromecanizado pueden actuar como una estructura resonante si está
diseñado con una membrana o diapasón. Activación eléctrica se consigue mediante una
tarta- zoelectric film tales como ZnO sobre la estructura micromecanizado. La
mayoría de estructuras resonantes están implementadas en pares. Un elemento no está
interconectado con la entrada y actúa como referencia. Comparación de la frecuencia
de salida del ele- mento de detección para el elemento de referencia reduce la
influencia de los parámetros no deseados.
La técnica es comúnmente utilizada en sensores químicos utilizando la onda acústica
de Superficie (SAW) de línea de retardo de los osciladores.
La posición de la posición de la posición 3 4 1 2 3 4
Salidas Una
salida B
Rotación hacia la derecha
figura 3.8 Detección de cuadratura.

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor 65


otros enfoques para salida digital sensores incluyen oscilador eléctrico- basado
(EOB) Sensores y estocástico de analógico a digital (SAD) convertidores [15].
Una EOB sensor está diseñado para generar una señal de voltaje o corriente
periódica cuando es sometida a un mesurando. A Frecuencia de corriente o tensión- a
conversión de frecuencia proporciona una señal digital. La corriente a frecuencia
técnica ha sido demostrada en un sensor de presión de silicio piezorresistiva.
La frecuencia pasó de 200 a 230 kHz–con un cambio de presión de 0–750
mmHg.
Un enfoque diferente para un sensor FDB fue utilizado con un sensor capacitivo.
Dos fuentes de corriente igual pero opuesto aplica una onda cuadrada a un sensor de
presión de silicio capacitivo. La frecuencia de presión cero era de 155 kHz, el
sen- sitivity era de 25 kHz/450 mmHg para ese diseño.
Un oscilador de anillo también se ha utilizado para EOB sensores. Un número impar
de
2 integrada-inyectado logic (I L) puertas conectadas en forma de anillo en un
piezorresistiva pres- seguro sensor proporcionaba el oscilador de anillo. Las
sensibilidades hasta 10,6 kHz/bar fueron obtenidos con un anillo de frecuencia del
oscilador de 667 kHz.
Convertidores triste emplean el ruido en flip-flop circuitos para generar una señal
de ran- dom y usar el flip-flop como un comparador. Un captador piezo-resistivo
ele- mento en el flip-flop circuito es una forma de aplicar este enfoque para un
sensor.
El número de 1s y 0s es una medida directa de la tensión de un sensor de presión y
un simple procedimiento de escrutinio para una MCU. Un flip-flop sensor que puede
cam- ura destaca tan pequeños como de 8 kPa en una viga en voladizo de silicio ha
sido reportado.
Un ejemplo digital final es proporcionado por las matrices de elementos de
detección [17]. Un interruptor de presión con cuatro puntos de contacto se ha
fabricado con silicona fusion
1 3 pegado. Interruptor de presión de puntos de 4 (P1), 12 (P2), 4 (P3) y 1 (P4)
atmos- atmósfera controlada fueron diseñados utilizando el adelgazamiento del
diafragma. Los interruptores se cierran los contactos eléctricos cuando la presión
deseada se ha superado el umbral.
La tabla 3.2 muestra la tabla de verdad para el diseño. Las salidas pueden ser
aplicados directamente a una lógica de control.
3.5 Aspectos de interferencia o ruido
El modelo general de un transductor que se muestra en la Figura 1.2 indica el
interfer- encia fuentes que afectan a la salida de bajo nivel del sensor. La señal
del sensor real combinado con el ruido y las interferencias procedentes de otras
fuentes, como la tem- peratura, humedad, vibración, o puede ser un gran problema
cuando se miden señales dinámicas. En comparación con las señales estáticas donde
se pueden usar filtros para mini- mizar ruido, mediciones dinámicas puede plantear
un desafío [18].
Sensores de presión piezorresistiva tienen dos tipos de ruido dominante [19].
Ruido de Disparo es el resultado del flujo no uniformes de operadores a través de
un empalme y

comprensión 66 sensores inteligentes


Tabla 3.2 Tabla de verdad de matriz de cuatro interruptores de presión de
presión (P) S1 S2 S3 S41234 con
P < P1 OpenOpenOpenOpen0 0 0 0 P1 ≤ P < P2 cerrado Abierto abierto 1 0 0 0 P2
≤ P < P3 cerrado Abierto Cerrado 1 1 0 0 P3 ≤ P < P4 Cerrado Cerrado Cerrado
abierto 1 1 1 0 P4 ≤ P Cerrado Cerrado Cerrado Cerrado 1 1 1 1
es independiente de la temperatura. Ruido de Disparo aumenta en sensores con
mayores niveles de integración. El segundo tipo de ruido, flicker, o 1/f,
resultados de crystal defectos y procesamiento de obleas. El flicker es
proporcional a la inversa de la frecuencia y es más dominante en las frecuencias
más bajas. La desvinculación y filtro- ing puede reducir estos tipos de ruido.
Ruido térmico o de Johnson producida por agitación térmica de la electrónica en los
conductores y semiconductores es generalmente menor en dichos dispositivos.
3.6 de bajo consumo de energía, sensores de
detección portátil de bajo voltaje, incluyendo aplicaciones de datos y
registradores de datos portátiles acquisi- ción, requieren sistemas de sensores
para funcionar a niveles de baja potencia y batería baja sup- ply voltajes. Para
las mediciones de presión de baja potencia, alta impedancia y sensores de presión
de modulación de ancho de pulso (PWM) se han desarrollado técnicas para reducir el
consumo de energía. Dependiendo del tipo de medición (estática o dinámica) y con
qué frecuencia debe medirse, el sistema de detección puede estar en modo de reposo
y despertar a hacer lecturas periódicas que pueden ser transmitidos a los
instrumentos de registro distantes. Esta técnica es útil para controles de proceso,
haz- ardua material, sistemas de control y adquisición de datos de una gran
variedad de solici- tudes que habría sido más lento, peligroso, prohibitivamente
costoso o demasiado pesado con tecnologías anteriores. Control de la presión es uno
de los más frecuentes las mediciones que deben realizarse en los sistemas, que van
desde la presión de los neumáticos en vehículos para fugas en tanques,
monitorización de la presión sanguínea en portátiles y monitores de salud en tiempo
sondes de presión barométrica. La combinación de mayor impedancia sensores con
nuevos enfoques de diseño, tales como la entrada PWM y otras técnicas de
administración de energía, está aumentando la apli- caciones en esta área de equipo
portátil.

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor 67


3 . 6 . 1 i m p e d a n c e
m a n s m e c h a n i c a l t r a n s d u c h e r s e v a l o w i m p e d a n c e .
S t r a i n g a u g e s , f o r e x a m - p l e t r e s p i c a l l s 3 5 0 Ω . T a
t i m p e d a n c e h a b e s e n c h i e v e d i n s e m i c o n d u c t o r d e v
i c e s , e s p e c i a l l y w h e r e d i r e c t r e p l a c e m e n t o f a m e
c h a n i c a l u n i t i s r e q u i r e d . I n s e m i c o n d u c t o r c i r c
u i t o s , l o w i m p e d a n c e i s d e s d i r e f o r n o e s p u e r p o s e
s . H o w e v e r , h i g h i m p e d a n c e i s r e q u i r e d a t o m i n i m i
z e t h e c u r r e n t r a d w f o r p o r t a b l e a p l i c a c i o n e s , t o
u e s e x i s t i n g i n t e r f a c e c i r c u i t o s , a n d t o p r e v E n t
l o a d i n g e n a m p l i f i c a c i o n e s t a g e s [ 2 0 ] . F o r h i g h -
i m p e d a n c e p r e s s u r e s e n s o r s i n p u t i m p e d a n c h e i n t
e r a n g e o f a p r o x i m a t e l y 5 k Ω i s c o m o n . O u t p u t i m p e d
a n c e f o r t h o s e d e v i c e s i s o s o l a p r o x i m a t e l y 5 k Ω . T
h e s e n s o r m u s t b e d e s i g n e d t o c h i e v e t h e r e s u l t a d o
s t h t t h e p a r t i c u l a r s y s t e m r e q u i r e s .
3 . 7 a n a l s i s o s f e n s i t i v i t s i m p r o v i m i e n t o
l o w - p r e s s u r e m a s u r e m i e n t o s ( < 0 . 2 5 k p o r 0 . 0 3 6
p s i ) a r e g o s d e x a m p l e s o f t h e r p r o b l e m s t h c a n t o c c
u r a n d t h e s o l u c i o n e s t h t h a v e b e e n d e v e l o p e d o c t o
p e w i t h t h e l o w - l e s i g n a l . L o w - p r e s s u r e m a s u r e m i
e n t o s r e l i m i t e d b y e x i s t i n g s i l i c o n s e n s o r d e s i g
n s . T h e s e n s i t i v i t y ( a n d m a x i m u m s t r e s s ) o f a s i l i
c o n d i a - p h r a g m i s d i r e c t l y r e l a t e d t o t h e r e a a n d i
n v e r s e l y r e l a t e d t o t h e s q u a r e s t h e t h i c k n e S o s o f
t h e d i a p h r a g m . T h e r e d i f f e r e n t a p r o c h e s h a v e b e n
e r s u p u e d e n i m p r o v e s e n s i t i v i t s .
3 . 7 . 1 T h i n d i a p h r a g m
e n e a p r o c h f o r i n c r e s i n g t h e s e n s i t i v i t y f o r l o w -
p r e s s u r e m a s u r e m e n t e s i s t h i n i n g h t e d i a p h r a g m .
T h e s t i c i p a l t h i c k n e s f o r s i l i c o n d i a p h r a g m s r a n
g e s de 2 a 12 mm. Sin embargo, puede tener un fino diafragma linealidad
inaceptable.
Un número de investigadores han investigado una variedad de estrés concentradores o
patrones diseñados en la estructura de la membrana para minimizar el error de
linealidad.
Los jefes proporcionan una estructura más rígida localmente y limitar la deflexión
total del diafragma. Una membrana delgada (4 mm), con geometrías de resistencia
superficial en el área submicron y avanzados de silicio micromaquinado han sido
utilizadas en un captador piezo-resistivo para lograr una sensibilidad de 50
mV/V/psi (7,3 mV/V/kPa) [21].
3.7.2 Área de pulmón aumentaron
un segundo enfoque de baja sensibilidad implica aumentar la sensibilidad aumentando
el tamaño del diafragma. Una zona aumento de más de 2,5 veces resultados

68 Entendimiento sensores inteligentes


en un 0,5 psi sensor con 7 mV/V/psi [22]. El área más grande no comprometa la
robustez, pero aumenta el costo del sensor.
3.7.3 Solución combinada: Micromaquinado y Microelectrónica
una solución más reciente para incrementar la sensibilidad utiliza la combinación
capabil- lidad de un sensor de presión baja y un microcontrolador. La figura 3.9
muestra el diagrama de bloques [23]. El microcontrolador proporciona una señal a
pulso el sensor con una tensión de alimentación superior. El microcontrolador
también proporciona un promedio de señal para reducción de ruidos y muestras de la
tensión de alimentación para rechazar la salida del sensor varia- ciones debidas a
variaciones de alimentación. Un factor importante para los sensores haciendo
mediciones de presión muy baja es el estrés aislamiento para el paquete. Un pistón-
colocar el paquete para la unidad utilizada en este circuito permite 40 mV/Pa 15V
con una fuente.
3.8 Resumen El
presente capítulo demostró las ventajas claras que tienen sensores semiconductores
más mecánica predecesores. Sin embargo, estos sensores requieren de un esfuerzo
adicional para obtener sus beneficios completos en sistemas. Sensores
semiconductores de sacar de
la presión de señal baja Vpp acondicionado Dout sensor de baja tensión de 8 bits
Din MCU inhibir los
circuitos de conmutación de
potencia SCLK CS 5V±5% Oferta circuitos rechazo regulador
Figura 3.9 sensor de baja presión combinada con MCU para lograr una mayor
sensibilidad a la presión.

La naturaleza de la salida del sensor semiconductor 69


sensores mecánicos anteriores, pero la física de la microescala pueden proporcionar
soluciones alternativas que no son posibles en el plano macroeconómico.
Referencias
[1] Carr, J. J., sensores y circuitos, Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, 1993.
[2] Shankland, E. P., "Sensores de presión de silicio Piezorresistiva", sensores,
de agosto de 1991, págs. 22–26.
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sensores de presión de silicio", Wescon/85 Tecnología de sensor integrado Grabar la
sesión 27, San Francisco, 1985, págs. 27/4––1 5.
[4] Bitko, G., R. Frank, y A. McNeil, "Mejoras desde la última generación de
sensores MEMS Design" (pendiente de publicación).
[5] Frank, R., "El diseño con sensores de presión Semiconductor", el diseño de la
máquina, Noviembre 21, 1985, pp. 103–107.
[6] Barrett, R. y F. Wicoxon, "control de vibraciones con sensores
piezoeléctricos", sensores, de agosto de 1993, págs. 16–24.
[7] Ristic, L., et al., "un tipo capacitivo acelerómetro con función de
autodiagnóstico basado en una estructura de polisilicio Double-Pinned",
recopilación de documentos técnicos transductores '93, Yoko- hama,–7 de junio
10, 1993, pp. 810–813.
[8] Payne, R. S., y K. A. Dinsmore, la "superficie de micromecanizado Acelerómetro:
una tecnología Update", SAE P-242, sensores y actuadores, 1991, págs. 127–135.
[9] Matroc, M., "una actualización sobre los transductores cerámicos
piezoeléctricos", Diseño electrónico, Octubre
26, 1989, pág. 119.
[10] Halvorsen, D. L., "Polímeros piezoeléctricos sensores de tráfico y las
autopistas inteligentes", sensores, de agosto de 1992, págs. 10–17.
[11] Schiller, P. D. L. Pollb y M. Ghezzo, "Sensores de presión piezoeléctricos
micromecanizado superficial", Tech. Resumen de IEEE Solid-State actuador y sensor
de taller, Hilton Head, SC, 1990, págs. 188–190.
[12] Paranjape, M., L. Ristic y W. Allegretto, "la simulación, el diseño y la
fabricación de una ver- tical Hall para dispositivo de detección de campo magnético
Two-Dimensional", Sensores y materiales, Vol. 5, nº 2, 1993, pp. 91–101.
[13] sensor químico folleto Microsens, Neuchâtel, Suiza.
[14] Brown, C., "Un chip sensor de hidrocarburos exploradas", tiempos de Ingeniería
Electrónica, Enero 15, 1996, pág. 41.
[15] Middelhoek, S., et al., "los sensores con salida de frecuencia o digital",
sensores y actuadores, 15 (1988), págs. 119–133.

70 Entendimiento sensores inteligentes


[16] Cumberledge, W. R. Frank, y L. Hayes, "Alta Resolución el sensor de posición
del sistema de control de movimiento," Proc. PCIM '91, Universal City, CA, 22 de
Sept–27, 1991, pp. 149–157.
[17] Ismail, M. S. y R. W. Bower, "Digital Pressure-Switch matriz alineados con la
fusión de silicio, pegado" J. La micromecánica y Microengineering, Vol 1, nº 4,
diciembre de 1991, págs. 231–236.
[18] Cigoy, D., et al., "Cable de bajo ruido y calificación de pruebas para
aplicaciones de sensor", Proc. Sensores Expo, Cleveland, el 20 de
septiembre–22, 1994, pp. 575–596.
[19] Reodique, A. y W. Schultz, "Ruido consideraciones para sensores de presión
integrados", Motorola Application Note un1646, 1998.
[20] Los datos del dispositivo Sensor Motorola/Handbook, DL200/Rev. D 4, 1998.
[21] Bryzek, B. J. R. Mallon, y K. Petersen, "bajo dirección de sensores de presión
de silicio aplicaciones HVAC", sensores, de marzo de 1990, pp. 30–34.
[22] Hughes, B., "percibir una presión inferior a 0,5 psi", Proc. Los sensores de
la Expo 1990, 104A1–104A5.
[23] Baum, J., "Baja presión de solución de detección inteligente con interfaz de
comunicaciones serie," Proc. Sensores Expo, Boston, 16 de mayo–18, 1995, pp.
251–261.

4
Obteniendo información del sensor en la MCU
algún día encontrar It—the we'll rainbow connection.
-Kermit la rana de Jim Henson's Muppets
4.1 Introducción
La señal del sensor es sólo el primer paso hacia un sensor que, en última
instancia, se propor- cionar una entrada a un sistema de control. Acondicionamiento
de señal la salida del sen- sor es tan importante como la elección de la tecnología
de detección adecuado. La mayoría de los elementos transductores requieren la
amplificación, así como offset y salida a escala completa calibración y
compensación para los parámetros secundarios, tales como la temperatura. Si el
acondicionador de señal se realiza como una parte integral del sensor compradas o
realizadas por el usuario, la precisión de la medición, en última instancia, será
determinado por la combinación de las características y la sensor's adicio- nal
circuitos. Los circuitos de acondicionamiento de señal que se requiere es una
función del propio sensor y variará considerablemente dependiendo de si el sensor
capacitivo, piezo resistivo, piezoeléctricos, et cetera.
una vez una señal analógica de alto nivel está disponible, se debe convertir a un
formato digi- tal para el uso en un sistema de control digital. El conversor A/D
(ADC) puede ser una parte integral del sistema de control digital, o puede ser un
intermediario standa- lone unidad. Se utilizan diferentes enfoques para ADCs; La
precisión teórica (resolución), indicada por el número de bits, no siempre se
consigue en la aplicación.
Este capítulo aborda, acondicionamiento de señal y conversión A/D para sen- sors.
Se muestran ejemplos de ICs disponibles que han sido diseñados para simplificar la

comprensión 71 72 sensores inteligentes


la tarea de acondicionamiento de señal de una amplia gama de sensores y circuitos
de aplicación desarrollada para sensores de presión piezo-resistivo con
características de rendimiento específicos.
4.2 La amplificación y acondicionamiento de señal
micromaquinado es usado para fabricar un diafragma o grosor de la viga a sus
objetivos de rendimiento nominal. La microelectrónica se utiliza para proporcionar
la precisión para semicon- ductor de sensores. Precisión combinada con la facilidad
de la interfaz, el coste, la potencia de consumo de espacio de la placa de circuito
impreso, y el voltaje de la fuente de alimentación puede ser una de las
consideraciones en la selección de un acondicionamiento de señal IC. La semicon-
ductor tecnologías utilizadas para los amplificadores modulares e ICs en esta
sección tienen un impacto importante en dichos criterios.
Los circuitos de acondicionamiento de señal del sensor se basa en dos tecnologías
fundamentales: bipolar y CMOS. Sin embargo, esas dos tecnologías tienen un gran
número de derivados. Los requisitos de la aplicación debe ser usado para determinar
qué tecnología o derivado es apropiado. Un desempeño com- parison entre bipolar y
CMOS para circuitos de acondicionamiento de señal se muestra en la Tabla 4.1 [1].
La comparación se realiza en los primeros años de la década de 1990. Las mejoras en
la tecnología del proceso en continua y rápida disminución de los procesos CMOS ha
cambiado algunos de los parámetros a favor de CMOS, especialmente para los más
avanzados procesos. En cualquier momento, las dos tecnologías pueden combinarse
para obtener BiCMOS y las mejores características de bipolar y CMOS a expensas de
un proceso más complejo, pasando de un 10 a un proceso bipolar de máscara que
requieren pasos máscara de 14/15. El proceso BiCMOS tiene rendimientos más bajos
debido a la complejidad de procesamiento para las aplicaciones deben utilizar las
mejoras de rendimiento que ofrece.
Una fuente de alimentación de 5V se utiliza comúnmente para MCUs y DSPs. Por lo
tanto, condicionada por las salidas de señal común captadores–0.5–4.5V
0,25 o 4,75 V.
Otros productos industriales estándar son de 1–1–6V, 5V y 0–6V. La
tensión de alimentación de las unidades puede oscilar de 7 a 30V. Sistemas de
adquisición de datos habitualmente han utilizado ±15V, ±12V y ±5V de suministros.
Acondicionadores de señal para las salidas de los sensores van desde los básicos de
baja ganancia dc Amplificadores Amplificadores especializados como demoduladores
sensible a la fase [2].
Lineal, logarítmica, de alta ganancia y amplificadores de dc-puente todos caen en
las siguientes categorías: amplificador diferencial, ac-amplificador acoplado,
troceador estabilizado, portador del amplificador amplificador amplificador puente,
dc y ac-amplificador de nivel. Una serie de amplificadores especializados se
utilizan también para los sensores, incluyendo amplificadores log-lineal, la
frecuencia de los transformadores de tensión, integrador, amplificadores y diferen-
tiator amplificadores. Las soluciones empaquetadas, tome la salida de bajo nivel de

obtención de información de sensor en la MCU 73


Tabla 4.1 Comparación de
elemento de circuito bipolar y CMOS CMOS bipolar
Op Amp muy bueno justo
pobre del conmutador analógico muy bueno
muy buena comparación ADC justo buena referencia buena muy buena Mala
Muy buen espejo
regulador
filtro activo Pobre Muy buena buena muy buena lógica deficiente
amplificador de potencia Muy bueno Bueno bueno <3V FUNCIONAMIENTO Muy bueno
Bueno
sensores y agregar procesos computacionales para liberar el controlador digital de
per- formando tiempo funciones. Algunos amplificadores trabajan con excitación de
ca o cc, y otros están específicamente diseñados para el funcionamiento en ca o cc.
En cualquier circuito amplificador del sensor, las corrientes circulantes en la
ruta de conexión a tierra entre el sensor y el punto de medición se puede generar
un voltaje de modo común. La tensión aparece simultáneamente y en fase en ambos
difieren- ential amplifier's terminales de entrada. La tensión puede producir un
error en la medición o un fracaso catastrófico. La proporción de rechazo de modo
común (CMRR), expresado en decibelios es una medida de un amplifier's capacidad
para evitar este problema. Un amplificador diferencial rechaza el voltaje de modo
común y sólo amplifica la diferencia entre sus terminales de entrada.
4.2.1 Amplificadores de instrumentación
varios ICs han sido diseñadas para proporcionar la amplificación para aplicaciones
como sensores. Amplificadores de instrumentación se utilizan para proporcionar un
diferencial a la conversión final individual y amplificar la señal de bajo nivel de
un sensor. Ratiometricity, la salida que varía linealmente con la tensión de
alimentación, es una consideración importante para los sensores y circuitos de
acondicionamiento de señal utilizado para amplificar su salida. La impedancia del
sensor, el rango de temperatura,

74 Entendimiento sensores inteligentes


y la precisión de medición deseado son factores importantes a la hora de decidir el
tipo de circuitos de acondicionamiento de señal que se requiere.
La instrumentación dedicada amplifier's diferencial-Bloque de ganancia de entrada
se diferencia de un amplificador operacional ordinaria. Aunque el nivel de la señal
de la sen- sor puede ser sólo unos pocos milivoltios, que puede ser superpuesta en
una señal de modo común de varios voltios. Un alto CMRR mantiene el voltaje de modo
común fluctua- ciones de causar errores en la salida [3]. Un circuito simple con un
amplificador de instrumentación estándar con una ganancia de 10.100, sensibilidad
de 100 dB, y la banda- ancho de 33 kHz se muestra en la Figura 4.1 [4]. El captador
de presión ha pasiva para la calibración de offset cero, en plena escala span, y
compensación de temperatura, pero sin amplificación adicional. Puente de la
corriente en el circuito es inferior a 3,6 mA con una alimentación de 9V y la
salida puede ser directamente interactuar con un ADC de un MCU o un DSP.
Otro circuito que demuestra la amplificación y la calibración de un sensor de
presión se muestra en la Figura 4.2 [5]. Este circuito tiene una tensión regulada
para el puente y amplificador alimentado desde el regulador de tensión U1. La
tensión de alimentación puede variar desde 6.8 a 30V [6]. La interfaz de bajo costo
amplificador 0.5–4.5V pro- porciona una salida y puede alcanzar una precisión
de ±5% con 1% de
9V 9V 100k
+
LT1078
-
LT1004 1.2V
+
salida 0 a 5V = 0 a 30psi
+ 100K LT1078 LT1101 A=100 - 100k*
-
0,33 Fm 10k*
2k Gain -
Notas: *1% de resistencias de película = Sensor Motorola MPX2200AP Zin = 1800
Figura 4.1 circuito sensor de presión utilizando un amplificador de
instrumentación.

Obteniendo información del sensor en la MCU 75


B+
3 U1 MC78L08ACP I 1 o G 5 C2 + 8 7 2 6 0.2 Fµ - C1 3 0.2 Fµ 2 U2B MC33272 R1 93.1 k
1%
1 1
MPX2000 series XDCD1 sensor
R7
R3 Trim 39,2k 1% C2 0.001 Fµ
GND 3 U1B MC33272 + 1
R2 750 1%
2 - 1 R5 1,33 k 1%
R6 11 k 1%
R4 100 1% Notas:
R7 es nominalmente 39,2 k y seleccionados para la presión cero v = 0,5 V para los
sensores de MPX2010 R1 = 150 K y R4 = 61,9 ohmios
Figura 4.2 Sensor-circuito Acondicionador de señal concreta.
resistencias. La MCU puede aumentar esta precisión mediante software y evitar un
recorte en el amplificador analógico.
4.2.2 SLEEPMODE™ Amplificador operacional
circuitos integrados diseñados para optimizar el rendimiento puede proporcionar
nuevas solucio- nes para sensores inteligentes. Por ejemplo, en aplicaciones con
pilas, la cur- alquiler de drenaje y el consumo de energía debe ser baja para
obtener la vida óptima de la batería.
Un amplificador operacional bipolar ha sido diseñado que conserva la energía en
puerto capaz y otras aplicaciones de baja potencia pero puede manejar mayor drenaje
actual para mejorar el rendimiento [7]. El modo de reposo con amplificador
operacional- sumes sólo 140 mA como máximo (40 1 mA típica) con hasta 5V cuando
está dormido.
En el modo activo, es un típico producto de ancho de banda de 2.2 MHz y una
sensibilidad de 90 dB y puede conducir a 700 mA. Los elementos clave de este IC se
muestran en la Figura 4.3. En el modo de reposo, el amplificador está activo y a la
espera de una señal de entrada del sensor. Cuando se aplica una señal que los
sumideros o fuentes de 200mA, el amplificador cambia automáticamente al modo activo
para una mayor velocidad de rotación, el aumento de la ganancia de ancho de banda,
y la mejora de la capacidad de transmisión. El amplificador auto- matically regresa
al modo de reposo cuando la corriente de salida cae por debajo del umbral (90 mA).
Esta unidad oscila en 100 mV (típico) de ambos rieles.
1. El modo de reposo es una marca registrada de componentes semiconductores
Industries, LLC (D. B. A. (1975-2003) ON Semiconductor).

76 Entendimiento sensores inteligentes


% de I L
detector de umbral actual
despierto para retrasar el modo de reposo del circuito
detector de corriente de carga fraccionada IHysteresis IEnable
Buffer Buffer
CStorage
sesgo Bias boost
IL
Vin
forma de entrada de la etapa de salida forma Interfaz Vout
RL
corrección de sobremarcha
IBias
habilitar
ISleep
IAwake
regulador de corriente en modo de reposo
Modo Activo regulador de corriente
Figura 4.3 Diagrama de bloques del amplificador operacional de modo de reposo.
4.2.3 Rail-to-rail Simplifiers operacional
circuitos alimentados con baterías están requiriendo el funcionamiento del sistema
en la disminución progresiva de los voltajes. Un amplificador operacional ha sido
diseñado de forma que evita el elevado umbral de tensión CMOS amplificadores y
funciona con una alimentación de una sola cara con tensiones tan bajas como 1V o un
doble de la tensión de alimentación de ±0,5 [8]. El rail-to-rail diseño tiene una
etapa de salida que es actual-impulsado a entregar al menos 10 mA a la carga dentro
de 50 mV de los carriles de alimentación de 1V. El circuito puede funcionar a volt-
las edades hasta 7V. La etapa de entrada es un código cas plegada que utiliza el
modo de agotamiento de umbral variable MOSFETs. Los circuitos especializados de
este tipo puede ser útil para proporcionar rendimiento para acondicionamiento de
señal del sensor en aplicaciones específicas.
La figura 4.4 muestra el efecto de rail-to-rail operación [9]. Tradicionalmente, un
proceso CMOS ha tenido dificultad para lograr baja deriva y bajo ruido

Obteniendo información del sensor en la MCU 77 de


ancho de banda, ganancia de bucle de precisión, velocidad de muestreo de la señal
de entrada, impedancia de salida
A/D de alta referencia
amplificador analógico en
plena escala
ADC de tensión de salida A/D rango dinámico
digital de datos muestreados
Sensor's tensión plena escala span
fuera cero voltaje offset de presión del cambio de impedancia de entrada, picos de
corriente A/D
global de referencia baja el ruido, la distorsión, el número efectivo de bits
(a) (b)
Figura 4.4 (a) Unidad de amplificador y ADC diagrama de bloque, y b) el efecto de
rail-to-rail en funcionamiento el rendimiento del A/D. (Después de: [9].)
los requisitos de alto rendimiento funciones analógicas. Para el amplificador que
pro- homenaje ningún error adicional a la ADC, el amplifier's relación señal-ruido
debe ser mejor que el mejor caso teórico del rango dinámico de la ADC.
Dependiendo de la cantidad de ruido presente, la combinación de la unidad de
amplificador y el ADC determinará el número efectivo de bits de la reso- lución. El
A/D rango dinámico es el valor de escala completa (menos la referencia alta
referencia baja A/D). La salida normal del sensor debe estar dentro del rango
dinámico A/D para asegurar el buen margen operativo.
Un solo polo (o varios polos) Resistencia Capacitancia (RC), el filtro se puede
utilizar para minimizar el ruido del sensor que de lo contrario se pasaría a un ADC
[10]. En aplicaciones en las que el ADC es sensible a la fuente alta impedancia,
debe utilizarse un búfer. Un rail-to-rail amplificador buffer es usado en la Figura
4.5 con un sensor de presión integrado (IPS) que también tiene una salida rail-to-
rail swing. La entrada rail-to-rail y la capacidad de salida del amplificador
operacional evita la saturación del búfer.
4.2.4 Amplificador Switched-Capacitor
CMOS es el preferido para acondicionamiento de señales de sensores con salida
capacitiva debido a la impedancia de entrada alta de la CMOS. Otra ventaja del CMOS
está bajo los requisitos actuales de la fuente de alimentación. Condensador
conmutado

78 técnicas de comprensión sensores inteligentes


+5V
A/D - + 750 Ω 3 1 MC33502
1.0 fm fm fm 0,01 0,33 2 sensor de presión integrado
Figura 4.5 un rail-to-rail búfer utilizado para reducir la impedancia de salida de
un filtro RC.[10]
utilizando circuitos CMOS han sido desarrollados para detectar cambios tan pequeños
como 0,5 fF.
Un filtro de condensador conmutado analógico es un circuito de datos muestreados.
Los componentes de un circuito básico de un amplificador operacional, un
condensador y un conmutador analógico, todos conducidos por un reloj [11]. El
rendimiento filter's está determinado por la proporción de los valores de
condensadores y no los valores absolutos. Cambiar el condensador hace comportarse
como una resistencia con una resistencia efectiva que es proporcional a la fre-
cuencia de conmutación. La figura 4.6 muestra un capacitor conmutado filtro que ha
sido desarrollado para un acelerómetro micromecanizado superficial con los sensores
capacitivos diferencial [12]. Este tipo de circuito minimiza los efectos de la
capacitancia parásita y tiene una impedancia de entrada muy alta para reducir al
mínimo la carga de señal.
VREF C1
C3
-
C2
+
tierra VREF/2
Figura 4.6 conmutada del circuito del filtro de condensador.

Obteniendo información del sensor en la MCU 79


4.2.5 Barómetro
Sensor de circuito de Aplicaciones Las aplicaciones que utilizan sólo una parte
limitada de la potencia disponible de un sensor puede proporcionar interesantes
retos al sensor fabricantes y diseñadores de circuitos. Observaciones barométricas
realizadas, por ejemplo, use sólo una variación de presión de unas pocas pulgadas
de mercurio. Además, esa variación se superpone en la altitud, la lectura de
presión, que puede variar desde 29,92 pulgadas de mercurio a nivel del mar y 16.86
pulgadas de mercurio a 15.000 pies. Un circuito que interactúa una temperatura
compensada y calibrado de 100 kPa (29,92 pulgadas de mercurio) sensor de presión
absoluta de un microcontrolador se ha diseñado sobre la base de una variación de la
Figura 4.2 [13]. El circuito tiene una ganancia de 187 y se obtiene una reso-
lución de 0,1 pulgadas de mercurio cuando está conectado a un MCU de 8 bits con un
inte- gral ADC.
4.2.6 4 a 20 mA Transmisor de señal
La utilización de transmisores de dos hilos monolítico puede proporcionar un bajo
costo, de fácil solución- interfaz de acondicionamiento de señal de 4 a 20 mA
bucles de corriente para transmitir las lecturas del sensor en muchas aplicaciones
industriales. El bucle actual evita los problemas de caída de tensión cuando se
transmite una señal analógica durante un largo dis- cia y la tensión de
alimentación, que puede oscilar de 9 a 40V. Los circuitos de estos dispositivos
también puede compensar la no linealidad en un detector de temperatura de
resistencia (RTD) o el puente de la resistencia del sensor y, por lo tanto, mejorar
el rendimiento general de la combinación Sensor–signal acondicionado. Además,
la disponibilidad de características adicionales, tales como una fuente de
corriente de precisión o un 5V- regulador shunt, puede simplificar la tarea del
diseñador del circuito y permitir el uso de los CSI para varios tipos de sensores.
La figura 4.7 muestra una alta impedancia, pres- seguro el sensor conectado con un
transmisor IC [14]. Con cero presión aplicada, la salida es de 4 mA; con presión
total, que es de 20 mA. Una resistencia de 240Ω referenciada a tierra en el extremo
receptor proporciona un 0,96–4.8V señal que puede ser inter- frente a un ADC.
4.2.7 disparador Schmitt
un circuito final a considerar es el disparador Schmitt, que convierte los pulsos
de salida de un sensor como un fototransistor o optodetector en una señal digital
pura. La figura 4.8 muestra la entrada y salida de optoelectrónica de la trig
Schmitt- ger [15]. Los umbrales superior e inferior en el desencadenador extraer la
transi- ción lineal región entre los estados de encendido y apagado. Esta
histéresis filtros de ruido eléctrico que pueden provocar la salida cambia de
estado cuando se está cerca del umbral de un

entendimiento de 80 sensores inteligentes


2 mA
4–20 mA Salida
8 +
3 2 4
1 0 1 1 24 V 30 5 R3 +
R1 750 1/2 W D1 1N4002 XDCR1 sensor de la serie MPX7000 6 12 4 1 U1 XTR101
3 -
Q1 MPSA06 C1 0.01 mF–4.8 .96 V R5 100 PLOOP 240 Span
1 2 17 19 4 3
- D2 1N4565V de 6,4 @ 0,5 mA retorno R6 100 k R4
R2 Offset de 1M 1 K
Figura 4.7 sensor de presión con 4 a 20 mA transmisor.
Luz detecta la
luz parcialmente bloqueado luz bloqueada la entrada de trigger Schmitt
umbral superior
del umbral inferior de
salida a
Salida del Activador Schmitt salida baja baja salida alta
figura 4.8 Salida del Activador Schmitt y el fotodetector. entrada
entrada digital IC. La salida del disparador Schmitt puede ser utilizado
directamente por los circuitos lógicos de digi- tal.

Obteniendo información del sensor en la MCU 81


4.2.8 inherente Rechazo de fuente de alimentación
si una fuente de alimentación de alto voltaje con la falta de regulación se utiliza
para suministrar energía al sensor y la entrada de ADC a la MCU, una combinación de
hardware/software puede utilizarse para reducir los errores causados por
fluctuaciones de voltaje de alimentación [16]. El plan se basa en las propiedades
radiométrico del sensor y los ADCs. Como se muestra en la Figura 4.9, un divisor de
resistencias programables matriz se usa para determinar la cantidad de atenuación
de la alimentación de 24V no regulada. Un software algo- rithm se basa en un
procedimiento de calibración que almacena datos en la EEPROM. La resis- tor valores
son escogidos basándose en lo siguiente:
• El rango esperado de los voltajes no regulados;
• el array de resistencias de resolución necesario para atenuar el rango de
voltajes no regulados;
• Consumo de energía consideraciones en el conmutador digital y programa- mable
resistencia divisora de matriz.
No reglamentada de alimentación (24 V ±20%) 1 Vin Vout 3 MC7805CT 128R
2 64R
PA0 32R PA VDD
1 VDIV PA 16R 2 PA3 PA 8R 4 PA5 MC68HC705B16 4R PA PA6
2R
7 A/D Ref ALTO A/D en la RPU PA R8
2 VSS RB 3 - 5 1 +
Q1
MPSA06 3 1 4 MC33072
2 sensor de presión
Figura 4.9 inherente a la fuente de alimentación del circuito de rechazo para una
alta tensión de alimentación no regulado.

82 Entendimiento sensores inteligentes


una vez que el circuito está calibrado, el rechazo de la fuente de alimentación
inherente sistema funciona automáticamente sin necesidad de software adicional o
sobrecarga de MCU, el tiempo de proceso.
4.3 versus independiente Acondicionamiento de Señales Integrado
existe un esfuerzo mundial [17, 18], tanto en el mundo académico y la industria
para integrar varios sensores con la electrónica debido a las posibles ventajas.
Estas ventajas incluyen la mejora de la sensibilidad, la amplificación diferencial
para cancelar los efectos parásitos tales como la temperatura y la presión,
circuitos de compensación de temperatura, Multiplexado, circuitos y A/D-circuitos
de conversión [19]. La combina- ción no es inherentemente brindan un menor coste y
un rendimiento mejorado. Sin embargo, la selección del sensor adecuado, aplicación
(especialmente de alto volumen), y los criterios de diseño pueden proporcionar un
sensor que es de menor costo y más fiable que una película gruesa, multichip
versión.
Los sensores de semiconductores, al igual que otros dispositivos semiconductores,
están sujetos a la paradoja de que (1) una mayor integración es inevitable con la
tecnología de semiconductores para el rendimiento y la reducción de costos y (2)
todos los dispositivos no se pueden integrar y obtener un rendimiento mejorado o la
reducción de costos. Particionamiento del sistema adecuado es necesario para evitar
que componentes que son difíciles de integrar, tales como condensadores de alto
valor, y componentes que pueden ser obtenidos de costo más eficazmente con otros
enfoques. Combinando los sensores y circuitos adicionales pueden ser beneficiosos
en algunas aplicaciones e indeseable en otros.
Salidas de precisión para los sensores integrados pueden obtenerse mediante láser
trim- Ming de la cero-TCR thin-film metales en la oblea, morir, o nivel de paquete.
Resistencias de silicio creado por aleación de aluminio y silicio también puede ser
recortada para mejorar la precisión. Un proceso de corte se ha logrado
fundamentalmente el ajuste continuo por impulsos de corriente controlados por
ordenador aplicada a las resistencias tanto en el nivel de oblea o tras el envasado
[20].
Las técnicas electrónicas integradas son especialmente útiles cuando sólo un
pequeño ajuste debe hacerse. Elementos activos, como transistores y amplificadores
operacionales, se utilizan para producir una señal amplificada que pueden ser
fácilmente interactuar con el resto del sistema de detección. Precisión mejorada
puede obtenerse mediante la caracterización de dispositivos a través de la
temperatura y la presión (o aceleración o fuerza) y almacenar en memoria algoritmos
de corrección. La tecnología de detección de semiconductores permite la integra-
ción de ambas el elemento sensor(s) y los circuitos de acondicionamiento de señal
en la misma estructura monolítica (silicio). Un número de factores que determinan
que la tecnología de un fabricante podría elegir cuando se aproxima un nuevo
diseño. La integración de elementos pasivos y elementos activos con un
piezorresistiva pres- seguro de sensor se usa aquí para demostrar enfoques comunes.
Obteniendo información del sensor en la MCU 83
4.3.1 elementos pasivos integrados
un sensor con precisamente offset recortados, en plena escala span y compensaciones
de temperatura puede simplificar el procedimiento de calibración del sensor y los
circuitos de acondicionamiento de señal. La figura 4.10 muestra un sensor de
presión integrado con resistencias recortado para cumplir las especificaciones que
son posibles en el flujo de proceso de semiconductores. El TCR BAJO resistencias
están cortados con láser con una de 5 mm de diámetro de haz láser de pulsos [21].
Factores que afectan la precisión de recorte incluyen la variabilidad de la
resistencia del metal depositado de película fina, resistencias, el ciclo de
recocido para aliviar la tensión, y la hoja de la resistencia. Permite el control
del proceso de prod uctos recortados- a ser extremadamente repetible y proporciona
un alto volumen y alto rendimiento. Esa pequeña cantidad de integración simplifica
la circuitería de amplificación posteriores, como los circuitos en la figura 4.1 y
Figura 4.2 demostrado. También permite que el sensor se aplica a una serie de
aplicaciones y con diferentes tensiones de alimentación.
Figura 4.10 Microfotografía de micromecanizado con sensor de presión
piezorresistiva integra red de resistencia para la compensación cero, span, y
compensación de temperatura.

84 Entendimiento sensores inteligentes


4.3.2 Elementos activos integrados
integrando la amplificación y acondicionamiento de señal directamente sobre el
sensor puede realizarse mediante el uso combinado de micromaquinado y micro-
electrónica. El circuito de señal del sensor de presión completamente acondicionado
es mostrado en la figura 4.11(a). La circuiteria adicional está integrado en el
sensor con la superficie de silicio que se requiere para proporcionar el soporte
mecánico para la dia- diafragma [22]. El tamaño del chip para la señal
completamente acondicionado unidad es 0,145 pulgadas por 0,130 pulgadas. El
diafragma y el elemento piezo-resistivo representan el 20% de la matriz, y los
circuitos de acondicionamiento de señal es de 80%, incluyendo el área necesaria
para el cable de electrodos de bonos. Un cuádruple amplificador operacional más
frecuentemente utilizados para la amplificación de salida del sensor es el LM324.
El área de silicio en el LM324 es aproximadamente 0,050 pulgadas por 0.050
pulgadas. El sensor sin acondicionador de señal es un 0.120- 0.120 pulgadas
pulgadas por chip. En ese caso, la electrónica se ha combinado con el sensor con un
aumento muy pequeño en el área total del chip porque los mecánicos para apoyar el
pulmón se ha utilizado. Rangos de presión común y una interfaz estándar de 5V DC
ADC permiten el enfoque integrado para satisfacer una serie de requisitos de las
aplicaciones y justificar el coste del diseño integrado. El sensor integrado
interfaces fácilmente a un MCU con un ADC de a bordo, como se muestra en la figura
4.11(b). El capacitor de 50 pF y 51 kΩ se recomiendan como un filtro de
desacoplamiento.
Un diseño de circuito más recientes han alcanzado la meta de las especificaciones
con una etapa menos en los circuitos de amplificación que el diseño anterior [23].
Como se muestra en la figura 4.12, se utiliza menos resistencias y es más fácil
para recortar. Además, una mayor corriente de fuente/sumidero puede ser obtenida en
el nuevo diseño. Los primeros indicios son que mejora de al menos 10 veces se ha
obtenido. La etapa de salida se ha diseñado para impulsar un CMOS/D Entradas de
0.2V a 4.7V (valores típicos) con una fuente de alimentación de 5V.
Junto con el nuevo circuito, un algoritmo de recorte revisado fue desarrollado.
Aunque los principios básicos son similares a los de la versión anterior, hay
varias mejoras importantes. Uno de los más importantes es el diseño equilibrado,
que permite el fresado bidireccional de todos los parámetros, y una más inde-
guarnecido colgantes de cada parámetro. En el viejo circuito, parámetros tales como
la tem- peratura coeficiente de desplazamiento (TCO) y la ganancia podría ser
recortado en sólo una dirección. Si el procesamiento variaciones resultaron en el
valor inicial de esos parame- ros está más allá de los valores de destino, el
dispositivo no puede ser recortado. Además- aliado, muchos parámetros tuvo que ser
recortado con un proceso iterativo en que varios parámetros fueron desbastada y, a
continuación, todos ellos fueron recortados de nuevo, para alcanzar el objetivo
final. Cualquier ajuste de una resistencia que afectó a más de un parámetro y
limita la precisión general del sistema. Para el nuevo diseño, todos los parámetros
pueden ser recortadas en cualquier dirección, y cada uno está

recibiendo información de sensor en la MCU 85


V1 V2
RS R1
R3
rto -
Vex OA1 Va Vs- + R4
V4

R11 Vsource Rg
Vp
Qout
Vs+ +
OA2
R2 R8 -
R5
R9
(a)
MPX51000
VexV2V1VccGnd Vout
(b)
Figura 4.11 (a) del circuito del sensor de presión piezorresistiva integrada e
interfaz con MCU, y
Vout
+
OA3 Q4
-
R10 R13 Gnd
Vrh Vdd
MC68HC05B6
P1 CH1
PORT D
Vrl Vss
(b) sensor interactuar con MCU.

86 Entendimiento sensores inteligentes


Vcc
Vcc RS R9 R7 V2 R11 R5 R1 R7 R3 R5 rto V1 R4 _ _ Rg R8
+ + + Vout R2 + R8 _ - - + Vout R1 R2 R6 R4 R9 R10 R3 Gnd GND
(a) (b)
Figura 4.12: comparación del circuito (a) original de 3amp –op diseño, y b) la
reducción de la cantidad de componentes en el nuevo 2–op amp diseño.
medido y recortado de manera independiente de los demás. Que se traduce en más
precisas guarnecido con una mayor capacidad de control de la producción.
El nuevo dispositivo tiene un chip calentador que es controlada independientemente
del resto del circuito. Cuando el coste total de propiedad (TCO) trim es alcanzado,
la calefacción está encendida y una forma de onda de tensión controlada es
aplicado, por lo que el chip se calienta rápidamente y alcanza una temperatura
estabilizada. El coste total de propiedad (TCO) es medido y compensado, y luego el
calentador está desactivado. El nuevo método se logra una distribución más uniforme
para el perfil de tem- peratura, así como reducir el tiempo de respuesta térmica y
recortar el coste total de propiedad total del tiempo. Ese nivel de mejora del
diseño de un nivel al siguiente es parte del enfoque más inteligente que la
microelectrónica puede y debe proporcionar para la detección.
4.4 La conversión digital
diversas arquitecturas de A/D están disponibles para la integración y la
interconexión con los sensores. La conversión de resolución, precisión de la
conversión, la conversión de ancho de banda o velocidad-, inherente del sistema,
los niveles de ruido y consumo de energía son todos los ADC compensaciones
recíprocas. En la evaluación de un convertidor de la arquitectura, es importante
considerar todos los aspectos. Por ejemplo, errores debidos a la temperatura,
tensión de alimentación, linealidad, quan- tizing, etc., pueden reducir la
precisión de un ADC por varios bits cuando todas las fuentes de error son
considerados. Asimismo, la precisión de bits por sí solos pueden no ser
suficientes, especialmente si el muestreo o la tasa de conversión es incorrecto
para la respuesta del sensor bajo consideración [24]. El cuadro 4.2 muestra los
errores de cuantificación y otros parámetros de 4- a 16 bits de conversión A/D
[25]. El error de cuantización (como porcentaje del rango de escala completa) es de
±1/2 ⋅ n 1/(2 - 1) ⋅ 100, que también es de ±1/2 LSB.
La resolución es el bit menos significativo porcentaje de escala completa/100. La

obtención de información de sensor en la MCU 87


Cuadro 4.2 A/D bits y rango dinámico
A/D Peso LSB LSB Rango Dinámico de tensión (número de bits) % de FS FS de 5V (dB)
4 6,25 300 mV 24.08 8 0.3906 0.0977 19,5 mV 48.16 10 4,90 mV 60,12 12 0.0244 1.20
mV 72.25
14 0.00610 0.00153 305 mV 84.29 96.33 16 75 mV
teórico de la raíz cuadrada media (RMS) la relación señal-ruido de anN-bit ADC es
calculada por
la relación señal-ruido dB = ⋅+ 602 176 . . N (4.1)
donde N = número de bits.
4.4.1 convertidores A/D de
conversión A/D común técnicas incluyen solo pendiente (rampa), doble-integración
integración pendiente, de seguimiento, de aproximaciones sucesivas, plegado (flash)
y ADCs oversampled sigma-delta. El cuadro 4.3 compara seis tipos y enumera los
rela- tiva relativa y tasa de conversión necesarios para cada área de silicio [24].
Observe el efecto de hardware- versus softwares de aproximaciones sucesivas.
La mayoría de los ADCs pueden clasificarse en dos grupos en función de la
frecuencia de muestreo, es decir, tasa de Nyquist y convertidores de sobremuestreo.
La tasa de Nyquist requiere el muestreo de las señales analógicas que tienen
frecuencias máxima ligeramente inferior a la frecuencia Nyquist, fN = fs /2, donde
fs es la frecuencia de muestreo. Sin embargo, las señales de entrada por encima de
la frecuencia Nyquist puede convertirse correctamente y crear la distorsión de la
señal o el aliasing. Un paso bajo Filtro de suavizado atenúa fre- quencies por
encima de la frecuencia Nyquist y mantiene la respuesta por debajo del piso de
ruido.
Sigma-delta (Σ-∆), o delta-sigma, convertidores se basa en técnicas de filtrado
digital y puede ser integrada fácilmente con DSP ICs. Σ-∆ convertidores muestra a
una frecuencia mucho más alta que la frecuencia Nyquist. La figura 4.13 muestra la

comprensión 88 sensores inteligentes


Tabla 4.3 Arquitecturas ADC
relativo típico tipo ADC relativo número de bits Conversión Die Zona
8 (flash) de plegado rápido 14
aproximaciones sucesivas 12 Fast 10 (hardware impulsado)
sigma-delta (Σ-∆) 16 Lenta 8
aproximación sucesiva 12 Lenta 7 (software controlado)
Doble cuesta 12 3 más lento solo cuesta 12 Lenta 1
Fs y(n) (x)n x(t) Σ ∆
1
filtro de decimación Digital 16
y(t) F :f s s
1-bit D/A 6.4 MHz (1 bits) 100 kHz (16 bits)
- Bucle de primer orden Σ ∆
Figura 4.13 Diagrama de bloques de una Σ de primer orden-∆ ADC.
diagrama de bloques de un primer orden oversampled Σ-∆ ADC [26]. La entrada
analógica está resumida en el nodo de entrada con la diferencia de la salida de la
1-bit convertidor de digital a analógico (DAC). La señal resultante es
proporcionada a un inte- grator y luego a un 1-bit quantizer (ADC). Una segunda
orderΣ-∆ consta de dos integradores, dos veranos, y el cuantizador de 1 bit.
Segunda o tercera orden Σ-∆ moduladores para reducir el nivel de ruido de banda
base aún más que la primera orden de Σ-∆ unidad.
La salida de la Σ-∆ convertidor se promedian aplicándolo a la entrada de un filtro
de decimación digital. El filtro de decimación digital realiza tres fun- ciones. En
primer lugar, elimina fuera de banda de ruido de cuantización, que es equivalente a

obtener información del sensor en la MCU 89


aumentar la eficacia en la resolución de la salida digital. Segundo, realiza la
decimación, o reducción de la velocidad de muestreo, elevando la tasa de muestreo a
la tasa de Nyquist. Que minimiza la cantidad de información para su posterior
trans- misión, almacenamiento o procesamiento de señales. Por último, proporciona
más el antialiasing de rechazo por parte de la señal de entrada.
4.4.2 El rendimiento de los convertidores A/D
con frecuencia el sensor requiere alta resolución a moderadamente rápido de las
tasas de conversión. En tales casos, la ganancia de la señal alcance y/o compensar
la reducción a cero con ADC de 8 bits puede ser utilizada de una manera costo-
efectiva. Alcance de entrada/puesta a cero permite un aumento en el rango dinámico
sin comprometer el tiempo de conversión total o aumentar significativamente la
superficie de silicio y por ende el costo. Como se muestra en la Fig ura- 4.14, 10
bits de entrada de señal puede lograrse por rango de amplificación y/o compensar la
reducción a cero antes de un ADC de 8 bits. Porque los que van/puesta a cero es
típicamente definido por el tiempo de asentamiento del amplificador operacional, el
tiempo de conversión total sigue siendo pequeño en comparación a un total de 10-bit
A/D la conversión. Ocho bits de precisión no es una limitación en función de la
aplicación, debido a que muchos procesos operan normalmente alrededor de una
pequeña porción de la señal a escala completa.
Un alto grado de precisión que se requiere en el rango operativo, especialmente si
el sensor está siendo usado como un elemento de retroalimentación. Mediante el
ajuste de la ganancia de entrada y off- set, un ADC de 8 bits puede ser colocado en
el punto de medición óptima pero aún ser capaz de reaccionar a la repentina
excursiones fuera del rango normal [24].
Resolución de 10 bits de resolución de 8 bits
4x gain

offset - 6 de salida del sensor


detecta el parámetro parámetro detectada
Figura 4.14 el aumento de la precisión de un ADC de 8 bits.

Comprensión de 90 sensores inteligentes


resolución ADC también pueden incrementarse con técnicas del circuito. Por ejem-
plo, un circuito que utiliza ambos canales ADC y DAC de una MCU y un amplificador
de dos etapas ha sido diseñado de forma que aumenta la eficacia en la resolución de
un ADC de 8 bits a 12 bits para mediciones de presión [27]. Los componentes
estándar se utiliza para el circuito amplificador y MCU. Una presión aplicada en la
gama media de 200 kPa sensor mide originalmente con un error de 0,3 kPa fue sub-
sequently reducida a 0,1 kPa mediante ese enfoque.
Otra consideración en la elección de un ADC es la especificación de los requisitos
dentro de las fuentes de ruido del sistema. Dichas limitaciones pueden deberse a un
menor a la óptima disposición de circuito impreso, fuentes de alimentación
inestables, cerca de campos de alta energía, y/o el uso de dispositivos sin buena
señal-a-ruido CMRR y la fuente de alimentación. Es importante evaluar primero el
ruido de fondo para el sistema y, a continuación, compare esto con la resolución
deseada de la señal. Si la combinación de diseño y el piso de ruido system's
condiciones crean una señal mínima requerida que debe ser mayor que 5 de 10
mV––, sólo 8 de 9 bits de resolución puede determinarse en un 5V del
sistema. Utilizando una resolución mayor ADC no propor- cionar cualquier dato
adicional a menos que la velocidad de conversión del ADC y capacidad de
procesamiento permite un muestreo múltiple con datos de corrección. Además, el
proceso debe atender también las necesidades de ancho de banda deseado, consumo de
energía y la capacidad de respuesta del sistema [28]. El sobremuestreo y media son,
por lo tanto, deseado, porque no es posible separar el ruido de la señal mediante
un único/D sam- ple/conversión.
4.4.3 Implicaciones de A/D y los errores de precisión
una señal de presión amplificada suministradas a un ADC de 8 bits es un ejemplo de
la capacidad combinada del amplificador y del ADC. El resultante A/D conver- sión
está relacionada a la entrada de presión mediante la siguiente ecuación:
count V V V V = 255 / - ⋅ - ( ) FS OFFSET ( ) RH RL (4.2)
Donde VFS - sensor's VOffset es el intervalo de escala completa tensión, 255 es el
máximo número de recuentos del convertidor de 8 bits, y VRH - VRL es 5V, basado en
la utilización de la misma fuente de alimentación de 5V como la MCU. Utilizando la
misma tensión de referencia para el ADC y el sensor minimiza el número de
componentes adicionales, pero no sacrificar la resolución. Para aquellos casos en
los que se requiere una mayor resolución, referencias de tensión inferior
independiente debería ser proporcionada para el ADC y/o en el sensor.
Para un sensor con un 0.25–4,75V de salida, el número máximo de cuentas
disponibles en el registro de salida estarán
obteniendo información de sensor en la MCU 91
count (escala completa) = 229
a plena escala de presión de 15 psi con resultados de alimentación 5,0 V en un
sistema de resolución de
15 psi / 229 = 0,066 psi /count
4.5 Resumen
varios circuitos y técnicas que pueden utilizarse para amplificar la salida de bajo
nivel que es inherentemente disponibles del transductor o sensor de elementos. Los
circuitos que se discutieron se utilizan principalmente para la interconexión de la
salida analógica del sensor al mundo digital del microcontrolador y el DSP. El
continuo esfuerzo de la industria para mejorar el rendimiento y simplificar la
interfaz para sensores ya sea como unidades independientes o integrados con los
sensores continuará ampliando las aplicaciones de sensores en general y simplificar
el diseño de los futuros sensores inteligentes.
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alimentación inteligente", PCI '88, Munich, Junio 6, 1988 8–.
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92 Entendimiento sensores inteligentes


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5
Usando MCUs/DSP para aumentar el sensor IQ
podríamos utilizar fichas de vaca en lugar de microchips y salvar millones.
-Dilbert™, por Scott Adams
5.1 Introducción de
varias tecnologías de semiconductores están disponibles para mejorar la exactitud y
la calidad de las mediciones y agregar los diagnósticos e información de otro tipo
a cualquier tipo de sensor. Entre esas tecnologías se MCUs, DSPs, ICs de aplicación
específica (ASIC) y field-programmable gate arrays (FPGAs).
Procesadores de señal del sensor dedicado normalmente son una adaptación de uno de
esos enfoques. Las tecnologías también tienen el potencial para permitir la plena
inte- ciales (monolítico) sensor inteligente. Antes de tomar este gran paso
siguiente, sino, es importante entender las tecnologías que están disponibles, su
contribución a los sensores inteligentes, y su capacidad para proporcionar un mayor
nivel de inteligencia (y el valor) a los sensores.
5.1.1 Otras Tecnologías IC
utiliza tecnología ASIC de diseño asistido por ordenador (CAD), herramientas de
software para lograr diseños de circuitos personalizados. La tecnología ASIC consta
de dispositivos lógicos programables (PLDs) de baja densidad de circuitos
(<5.000 gates), gate arrays de densidad media (<100,000 gates), células
estándar y personalizados de alta gama cir- cuits. El ASIC dispositivos combinan
una alta densidad y plena integración de diseños personalizados con un costo
relativamente bajo y rápido cambio de diseño. Una
comprensión altamente personalizado 93 94 sensores inteligentes
integrados utilizando chip microprocesador "core" celdas combinadas con la
analógica, memoria y funciones lógicas adicionales pueden abordar determinados
requerimientos de detección, tales como detección de nivel de líquido. Asic de
señal mixta combinan analógica con capacidad digital.
FPGAs y matrices analógico programable en campo (FPAA), las versiones analógicas de
los FPGAs, son atractivos como interfaces de sensor porque pueden minimizar el
tiempo de desarrollo y puede ser reconfigurado después que han estado en servicio.
Tanto la FPAA FPGA y usar un front-end de diseño de circuitos programa [1]. Diseño
de un circuito es transferido a la FPGA (FPAA), ya sea por descarga de datos serie
convertida directamente en el chip de memoria estática de acceso aleatorio (RAM) en
la FPGA o serie ROM programable borrable (EPROM). Un núcleo digital incorporado en
el diseño de FPGA le da el mismo tipo de capacidad informática como un MCU con las
ventajas del campo de programación. Las FPGAs son especialmente útiles cuando el
rápido prototipado de circuitos y la flexibilidad son necesarios.
El término "sistema en un chip (SOC) se utiliza con frecuencia para describir un
circuito altamente integrado, el ASIC, MCU, o DSP que incorpora considerablemente
más opciones de hardware que anteriormente las versiones disponibles. Estos chips
suelen incorporar software específico que está estrechamente ligada al hardware en
el chip. Estos chips incluyen una gran y creciente del sistema y reducir el
recuento total del chip. Sólo en los sistemas más sencillos son en realidad todo el
sistema. Esto es especialmente cierto con la parte del sensor del sistema.
La complejidad añadida de añadir el sensor a la SOC realiza un sistema de sensores
en un chip mucho más mucho más disponibles expensive—than Difficult—and
alter- nativos. (Capítulo 14 ofrece más detalles sobre el sensor SOC.)
5.1.2 Requisitos de lógica
el cambio de los requisitos de la lógica de un equipo centralizado a nodos en
sistemas descentralizados está creando la necesidad de sensores inteligentes.
Sensores impulsada en los sistemas de control de procesos que eliminen los
operadores y aumentar la preci- sión del proceso jugará un papel importante en la
fabricación de semiconductores que controlarlos. Una nueva arquitectura e interfaz
han sido propuestos por investigadores de la Universidad de Michigan para abordar
esta aplica- ción [2]. La figura 5.1 muestra el diagrama de bloques de los
elementos clave de esa propuesta. La amplificación y la conversión A/D fueron
examinadas en el Capítulo 4, y la interfaz de comunicaciones está cubierto en el
Capítulo 7. Este capítulo utiliza productos DSP y MCU existente para demostrar los
elementos restantes. Otros componentes del sistema que pueden obtenerse con un MCU
o un DSP también se discute.

Utilizando MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 95


transductores matriz y sistema electrónico de interfaz
¿DV HACER Power CLK, CIN, STR ¿Frecuencia convertidor digital-a-
registro Digital amplificador
PROM

RAM MICROPROCESADOR X10 de 12 bits


detector dirección ADC

Bus de interfaz de comunicación de


bus de sistema externo MPS
Figura 5.1 Diagrama de bloques monolíticos de diseño de interfaz de sensor.
(Después de: [2].)
5.2 Control MCU,
MCU en un solo chip microprocesador unidad cosechadora (MPU) informática capabil-
lidad, diversas formas de un oscilador de reloj, memoria y capacidad de E/S en un
solo chip, como se muestra en la Figura 5.2 [3]. MCUs proporcionan flexibilidad y
rápida llegada al mercado de numerosos sistemas de control integrados y de
detección inteligente solucio- nes. La capacidad de programación y una amplia
variedad de opciones de periféricos disponibles en la MCU proporcionan opciones de
diseño. Estas opciones pueden compensar el costo de las operacio- nales eliminando
componentes otros componentes o proporcionar funciones que de otro modo requerirían
mucho más componentes. Además, los productos de alto volumen permiten alcanzar
sistemas de bajo costo, alta calidad y excelente fiabilidad.

96 Entendimiento sensores inteligentes


alimentación
Vdd
Vss
memoria del programa
tierra la
dirección del

bus de datos de la memoria de datos de


entradas digitales
y periféricos de E/S

Digital de Bus Salida


Reset de la unidad central de procesamiento (CPU)

y sincronización de Oscilador de cristal


Figura 5.2 Basic MCU diagrama de bloque.
5.3 MCUs para Sensor Interface
además de las funciones básicas de un MCU, un número de módulos personalizados
están integrados en el mismo chip para aumentar la utilización de los procesos,
reducir el espacio de la placa de circuito impreso y aumentar la funcionalidad de
una aplicación específica. Esta sección discute las características MCU que tienen
un efecto significativo sobre la sen- sor de rendimiento del sistema. Estas
incluyen capacidades de entrada analógica, técnicas de conversión A/D, el ancho de
banda de procesamiento programable electrónicamente, guarnecido, memoria
incorporada, la conservación de energía y la mejora de la compatibilidad
electromagnética (EMC) y control de interferencias de radiofrecuencia (RFI). Para
fines de discusión aquí, el MC68HC05 Familia de microcontroladores de 8 bits se usa
para explicar las diferentes características de la MCU. Las mismas características,
posiblemente con especificaciones diferentes, funcionan de forma similar en otras
familias de MCU y mayor rendimiento de 16 bits y de 32 bits así como productos.
5.3.1 Periféricos
MCU existente tecnología contiene una gran variedad de periféricos, o de opciones
de hardware, que mejoran la capacidad de la MCU. Periféricos permiten la MCU

con MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 97


para obtener información de los sensores y controlar los dispositivos de salida.
Algunos de los periféricos más comunes son de uso general de puertos de E/S,
temporizadores, y puertos serie.
Temporizadores generalmente miden el tiempo en relación con el reloj interno del
chip o una señal de reloj proporcionada externamente. Un oscilador en chip que
opera hasta 4.0 MHz a 5V o 1 MHz a 3V controla el reloj en el chip. Más com- plex
temporizador puede generar uno o más señales de PWM, medir el ancho de pulso, y
generar trenes de pulsos de salida adicional.
Dos puertos serie básica son la interfaz de comunicaciones serie (SCI) y el Serial
Peripheral Interface (SPI). El SCI es una sencilla interfaz con dos patas que opera
de forma asincrónica. Los datos se transmiten de un pasador y recibida por la otra.
Los bits de arranque y parada sincronizar las comunicaciones entre dos
dispositivos.
La SCI port es un transmisor receptor asíncrono universal (UART) que pueden
utilizarse con un traductor de nivel RS-232 para comunicarse con personal o de
otros tipos de equipos a lo largo de muy largas distancias.
El puerto SPI requiere un tercer pin para proporcionar la señal de sincronización
entre el control chip y un periférico externo. Este tipo de comunicación es
generalmente en la misma placa. Periféricos SPI estándar están disponibles desde
muchos fabricantes e incluyen ADCs, controladores de pantalla, EEPROM, y registros
de desplazamiento.
5.3.2 Los
distintos tipos de memoria La memoria puede ser integrado en un chip, incluyendo
RAM, memoria de sólo lectura (ROM), EPROM, EEPROM y memoria flash. Memoria
semiconduc- tor se basa en un solo transistor o celda que está activada o
desactivada para generar un bit eithera1ora0.Se clasifica en memoria volátil o no
volátil.
La memoria volátil no se guarda cuando se desconecta la alimentación a la MCU.
Memoria no volátil (NV) se guarda cuando se desconecta la alimentación. La cantidad
de memoria en un chip es usualmente clasificado en kilobytes (1 KB = 1.024 bits).
Aumentar la cantidad de memoria que aumenta el tamaño de las fichas y el coste de
los chips. Algunos tipos de memoria, como EEPROM, puede aumentar de forma
significativa la complejidad del proceso y también aumentan los costos.
RAM puede ser leída o escrita (modificado) por la CPU y es volátil [3].
La lectura/escritura (W/R) de resistencia es un parámetro clave para la memoria
RAM. RAM dinámica requiere una actualización frecuente de señal o se perderán los
datos. RAM estática no requiere una actualización de la señal. ROM, que puede
leerse pero no modificarse, es nonvola- memoria de mosaico y se incluye en el
diseño (Layout) enmascarado del chip. Repro- gramación un chip una vez que ha sido
diseñado es una práctica común para corregir errores en el software original,
actualizar para mejorar el rendimiento del sistema, o para ajustar las variaciones
que podrían haber ocurrido desde que el sistema fue inicialmente

98 Entendimiento sensores inteligentes


instalados. EPROM puede ser cambiado por borrar el contenido con una luz
ultravioleta y luego reprogramar los nuevos valores. Memoria no volátil que tiene
un limitado número de cancelación y reprogramación de operaciones. Una vez
programma- ble (OTP) ROM es la misma que la EPROM, excepto que está encapsulado en
un paquete opaco de menor coste. Porque la luz ultravioleta puede penetrar el
paquete, este no puede ser borrado de la memoria después de que se haya programado.
La EEPROM es un mosaico nonvola- memoria que puede cambiarse mediante señales
eléctricas. Normalmente, una ubicación de EEPROM puede borrarse y reprogramarse
miles de veces antes de que se desgasta. Uno de los más nuevos tipos de memoria es
la memoria flash. Flash- mem oria es una memoria no volátil que se reprogramó
fácilmente en la aplicación más rápida que la EEPROM. Una vez que se programan,
memoria flash contenido permanecen intactos hasta el software inicia un ciclo de
borrado. Programa y borrar los voltajes de memoria EEPROM y Flash se realiza
aproximadamente a 12V. Una memoria de próxima generación todavía en desarrollo es
ferroeléctrico FeRAM (memoria de acceso aleatorio o FRAM). El efecto ferroeléctrico
es la tendencia de los dipolos dentro de un cristal para alinear en la presencia de
un campo eléctrico y siguen polarizadas se retira después del campo [4]. Invertir
el campo hace que la polarización en el sentido opuesto.
No es requerido para mantener el actual estado o bien proporcionando un capacitor
de memoria binaria con bajo consumo de energía. FeRAM para detección de
aplicaciones tiene varias ventajas:
• Tiempos de escritura muy rápidas (hasta 20 veces más rápida que la EEPROM);
• de escritura/borrado (P/E) resistencia de hasta 10 millones de veces mayor que la
EEPROM;
• Arreglos hasta ocho veces mayor que las versiones anteriores;
• reducción de voltaje de operación y menor consumo de energía para prolongar la
duración de la batería.
La tabla 5.1 es una comparación de cinco diferentes tipos de memoria [4].
5.3.3 Input/Output
I/O es un tipo especial de memoria que sentidos o cambios basados en elementos
digitales externos y no la CPU [3]. Los puertos de E/S Conecte los elementos
externos a la CPU y proporcionan la capacidad de control para el sistema. I/O puede
ser paralelo, transferencia de 8 bits a la vez a la MCU, o serie, la transferencia
de datos de 1 bit a la vez.
E/S de propósito general conexiones (PIN) puede ser utilizado como una entrada o
una salida. Un número de pines normalmente se agrupan y se denomina puerto.
El programa determina la función de cada pin. Las instrucciones de los programas

utilizando los MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 99


Tabla 5.1 Comparación de memorias de semiconductor (Después: [4])
FeRAM DRAM RAM estática (SRAM) Flash EEPROM
densidad celular* 3.5 2 5 1 4.5
Nonvolatility Sí No Sí Sí No Sí Sí
velocidad de regrabación de 50~100 150~200 ns ns ns 10 5~100 ms~1 ms 1 ms
5 W/R (resistencia infinita W/R) infinita (W/E) < 6 10 (P/E) < 10 1010 13 ~10
disipación de potencia muy baja Media Media Baja Media
característica de copia de seguridad con batería de alta densidad de archivos de
alta velocidad y baja densidad de tarjeta de memoria del equipo de aplicación de
memoria NVROM
*1 = menor; 5 = mayor
lógica. Evaluar el estado de cada una de las entradas y salidas a la unidad lógica
1 o 0 para implantar la estrategia de control. Captura de entrada-salida y comparar
las funciones en la MCU para simplificar el diseño de la estrategia de control.
Captura de entrada se utiliza para registrar la hora en la que ha ocurrido un
evento. Mediante el registro del tiempo de los sucesivos bordes en una señal de
entrada, el software puede deter- mina el período y el ancho de pulso de la señal.
Dos bordes sucesivos de la misma polaridad son capturados para medir un período.
Dos bordes de polaridad alternativo son capturados para medir un ancho de pulso
[5].
Compare la salida se utiliza para programar una acción en un momento determinado.
Por ejemplo, una salida se genera cuando la salida para comparar registro coincide
con el valor de un contador de 16 bits. Pulsos de duración determinada y el tiempo
de retardo son fáciles de implementar con esta función.
5.3.4 La Conversión A/D incorporados
diversos tipos de ADCs fueron examinadas en el Capítulo 4. Un ADC es frecuentemente
integrado con la MCU. Por ejemplo, el típico ADC en la MCU de la familia HC05
consta de una aproximación sucesiva de 8 bits del convertidor y un multiplexor de
canales de entrada. Algunos de los canales están disponibles para la entrada, y los
otros pueden estar dedicados a funciones de prueba interna. Por ejemplo, el ADC de
8 bits del MC68HC05B6 tiene una resolución de alrededor de 0,39%. La oferta de
referencia para el convertidor utiliza clavijas de entrada dedicada para evitar
caídas de tensión que
100 Comprensión sensores inteligentes
se produciría por la carga de las líneas de alimentación y posteriormente se
degrada la precisión de las conversiones A/D. Para lograr la conversión
radiométrico, la alimentación de +5 V para el sensor también está conectada a la
entrada de referencia VRH pin de la ADC, y el suelo está referenciada a VRL. Un
estado de 8 bits de control de registro se utiliza para indicar que el oscilador y
las fuentes actuales se han estabilizado y que la conversión se ha completado. Los
resultados de la conversión se almacenan en un registro de 8 bits dedicado.
Para aquellos casos en que se requiere una resolución mayor, el puerto SPI del
68HC05 permite circuitos externos se comuniquen. Por ejemplo, un circuito integrado
como el lineal Technologies' LTC1290 conectada al reloj SPI, datos, datos, y una
clavija de salida programables adicionales proporciona una interfaz de cuatro hilos
para una conversión de datos de 12 bits. Los datos se transfieren en dos turnos de
8 bits para el 68HC05 en 40 ms. Añadiendo la capacidad de 12 bits, la resolución se
ha mejorado desde 0,39% a 0.0244%.
El registro de aproximaciones sucesivas (SAR) es el método más popular de realizar
las conversiones A/D debido a su rápida velocidad de conversión y la facilidad de
uso de las señales de entrada multiplexados. La SAR ADC de 8 bits en el MC68HC05P8
MCU tiene la distribución mostrada en la figura 5.3 y puede ser accionado desde el
reloj de bus del procesador o un oscilador RC interno funcionando a aproxi-
madamente 1,5 MHz [6]. Frecuencia de funcionamiento que hace que el tiempo total
para acceder y convertir una fuente de señal aproximadamente 16–32 ms.
Utilizando los cri- terios Nyquist para 2X La toma de muestras por ciclo, por
ejemplo una tasa de A/D podría utilizarse para fuentes de entrada hasta
aproximadamente 31 kHz, lo cual es muy superior a la que se necesitaba para muchos
de presión, temperatura y sensores de aceleración. Con ese aumento de ancho de
banda-, se pueden tomar muestras adicionales y se promedian para reducir los
efectos de la ran- dom fuentes de ruido y la distorsión de los componentes de alta
frecuencia. Un simple promedio de las cuatro muestras consecutivas con este ADC
puede tomar menos de 128 ms para un ancho de banda efectivo de aproximadamente 3,9
kHz. Desde este ADC también posee una
escritura a/d para iniciar la conversión de
entrada muestra sucesivas sequence End aproximado de 12 ciclos de reloj 18 ciclos
de reloj
Total ciclo de conversión A/D de 32 ciclos de reloj 2 ciclos de reloj
Figura 5.3 A/D Consideraciones de cronometraje de procesos para la MC68HC05P8.

Utilizando MCU/DSP para aumentar 101 IQ sensor


SAR impulsada por hardware, cada conversión puede ser iniciado y realizado sin
disminuir la potencia de procesamiento de la CPU. Mientras tanto, la CPU puede
procesar antes A/D muestras hasta que se interrumpe con un nuevo resultado de la
conversión. Algunas variaciones de este ADC en el mayor rendimiento de la familia
68HC11 tiene hardware capaz de guardar automáticamente cuatro lecturas consecutivas
en cuatro registros de resultados independiente.
Otra consideración A/D es el uso de una muestra y mantenga la señal antes de que se
inicie la operación de la RAE. La ADC en la familia HC05 realiza esa función en
típicamente 6–12 ms. Si la entrada se muestrea demasiado largo, la señal no
debe cambiar más de la mitad de LSB durante el muestreo para limitar los errores.
Que el máximo cambio de mitad LSB en la señal de entrada durante el tiempo de
muestreo puede limitar considerablemente el ancho de banda de entrada más del
mínimo 2x muestreo criterios de Nyquist.
Una ventaja adicional de un ADC diseño con un oscilador RC interno es la capacidad
de optimizar el consumo de energía versus el ancho de banda. Que se logra por pro-
viding un breve ciclo de conversión A/D, mientras que el procesador principal se
ejecuta en mucho menor frecuencia del bus. Este enfoque de ahorro de energía
combinada con otros puede aumentar la vida útil de la batería en aplicaciones
portátiles.
5.3.5 Capacidad de ahorro de energía
otra ventaja de MCU de hardware y software es la variedad de métodos de ahorro de
energía. Variando la velocidad de procesamiento o detener procesamiento alto-
gether pueden tener un efecto significativo sobre el consumo general de energía.
Además, la capacidad de funcionar a voltajes más bajos también reduce el consumo de
energía. Reduc- ción del consumo de energía implica algo más que la reducción de la
corriente de alimentación mientras se ejecuta el código del procesador.
La MCU de la familia 68HC05 dispone de dos modos de funcionamiento adicionales para
reducir el consumo de energía, llamado el esperar y modos de parada. En el modo de
espera, el bus del procesador está detenido pero el oscilador en chip y
temporizadores internos quedan en funcionamiento. El dispositivo vuelve al modo de
funcionamiento normal después de cualquier interrupción o un reset externo. El modo
de espera en el MC68HC05P8 dispositivo que reduce el consumo de corriente en casi
un factor de 2 en cualquier velocidad del procesador. En el modo de parada, tanto
el procesador como el oscilador en chip son detenidos. El dispositivo vuelve al
modo de funcionamiento normal sólo después de una interrupción externa o
restablecer. El modo de parada en el MC68HC05P8 reduce la corriente de alimentación
consumo de menos de 180 mA con una fuente de alimentación DC 5V funciona a
temperaturas por debajo de 85°C.
Un ejemplo demuestra la importancia de los modos de operación y rendimiento de ADC
versus el consumo de potencia del procesador de señal. Considere un ejemplo de
procesamiento de señal a través de un procedimiento que requiere 100 CPU

102 Comprensión sensores inteligentes


instrucciones después de una conversión A/D de un sensor de presión con un ancho de
banda de 500 Hz. El MC68HC05P8 modos de funcionamiento permiten varios enfoques,
tal y como se muestra en la Figura 5.4 [7]. Suponiendo un típico ciclo de CPU de 1
ms (1 MHz), el MC68HC05P8 requerirá 32ms para una conversión A/D y un adicional de
300 ms para el procedimiento digital (aproximadamente tres ciclos por instrucción).
Un tiempo de proceso total del sistema es de 332 ms y produciría un 6X el muestreo
de una señal de 500 Hz.
Si el MC68HC05P8 en la figura 5.4 se opera a una velocidad de 1 MHz a 5V DC en el
rango de temperatura de 40 °C a °C+85, conversiones de continuo y procesamiento
consumirá una media de 2.38 mA de corriente de alimentación.
Sin embargo, si el dispositivo está permitido sólo para probar, convertir y
procesar a dos veces el criterio de Nyquist una vez cada milisegundo, podría
muestra y proceso en 332 ms y luego entrar en el modo de espera. El temporizador
on-chip sería despertarlo cada milisegundo. El suministro de corriente resultante
podría bajar a un promedio de alrededor de 1,32 mA, como se muestra en la Figura
5.4. Otra alternativa para ahorrar energía frenaría el reloj del sistema para
procesar una muestra cada milisegundo. En ese caso, el reloj de la CPU podría caer
a 3 ms (333 kHz), mientras que el bus de corriente de alimentación al MC68HC05P8 se
reduciría a aproximadamente 0,79 mA, como se muestra en la Figura 5.4. Otras
combinaciones de velocidad de bus y los tiempos de espera se requieren corrientes
de alimentación promedio de 0.79 a 1.32 mA.
El modo de parada es útil en los casos en que la hora de reinicio oscillator's
típicamente de 4064 ciclos de la CPU no es una parte importante del proceso de
muestreo y
procesamiento continuo de 2,5 a 1 MHz de velocidad de bus (Idd promedio = 2,38 mA)
2,0
1,5 procesando a 1 MHz de velocidad de bus, a continuación, espere a que el resto
de 1 mseg (Idd promedio = 1.32 mA) Suministro de corriente (mA) 1,0
0,5
procesamiento continuo a 333 kHz de velocidad de bus (media= Idd 0,79 mA)
0
Procesador dejó Idd (media = 0,18 mA)
0 200 400 600 800 1.000
tiempo de procesamiento (microsegundos)
Figura 5.4 Modo de procesamiento de efectos sobre el consumo de energía.

Utilizando MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 103


tiempo y la adquisición de datos y procesamiento es solicitado por una fuente
externa.
Por ejemplo, que se produce si una señal serie transmitidos cada segundo tras una
lectura de temperatura. Utilizando el modo de parada, la corriente de alimentación
de las previ- ou ejemplo podría caer de alrededor de 2,38 mA para la continua
operación de 1 MHz a un promedio actual de cerca de 0,18 mA. La muestra, convertir,
procesar y enviar secuencia ocurre a 1 MHz, luego se detiene y espera otra
solicitud externa para reiniciar la secuencia casi un segundo más tarde.
5.3.6 Regulación de voltaje o corriente local
a bordo de regulación de voltaje o corriente es importante para sensores que no
rati- ometric, porque la variación de la tensión de alimentación de -40°C a+125 °C
ope- rativo gama puede ser superior a ±5%. La disponibilidad de circuitos de
control analógico con separadores de 40V capacidad permite la integración de una
serie pasar el regulador de 5 V en el MCU (por ejemplo, el MC68HC705V8) [7].
Disponibilidad de un regulador shunt similares permite dos cables auto-protegido y
autoalimentado sistema a ser diseñado utilizando sólo un sensor y un MCU. A mayores
niveles de integración, como la tensión analógica y/o reglamento actual puede
reducir el número de componentes necesarios y mejorar la precisión. Además, los
esquemas de regulación puede ser dynami- calmente alterado para mejorar la
funcionalidad o reducir el consumo de energía.
5.3.7 Diseño MCU Modular
se ha desarrollado una metodología que permite personalizar las MCUs para ser
diseñadas específicamente para satisfacer los requisitos de una aplicación
particular [7]. El circuito integrado especificadas por el cliente (CSIC) enfoque
difiere de un ASIC en la densidad y el rendimiento que puede lograrse. Soluciones
de chip ASIC típico utilizar (1) una familia de elementos básicos diseñados para
manejar una gran variedad de exigen- cias y (2) Herramientas de diseño automatizado
para reducir el tiempo de ciclo de diseño. Ambos de estos atributos contribuyen a
un mayor tamaño del chip. El conjunto de chips automatizado métodos también pueden
comprometer el rendimiento analógico cuando las señales de bajo nivel están
involucrados.
Utilizar CSICs subsistemas funcionales estándar que han demostrado su campo- toria
en aplicaciones, incluido el entorno exigente de automóviles.
El chasis consta de probada bloques sobre la base de los microcontroladores 68HC05.
Los bloques modulares incluyen RAM, ROM, EPROM y EEPROM de los módulos existentes,
así como los módulos de comunicaciones serie, una variedad de controladores de
pantalla como pantalla de cristal líquido (LCD), pantalla fluorescente de vacío
(VFD), o diodos emisores de luz (LED), temporizadores y convertidores A/D y D/A
(Figura 5.5). Estos módulos pueden ser modificados, o los módulos existentes de
previ- amente desarrollado productos puede ser utilizada. Además, los nuevos
módulos pueden ser diseñados para
104 Comprensión sensores inteligentes
J1850 VPW CAN J1850 PWM
del convertidor A/D decodificador DTNF Inter-circuito integrado puede por SCI TMR
COP SPI convertidor D/A de
rango automático pantalla VFD-Watch Dog Timer CPU RAM driver LED controladores
LDMOS CONDENSADOR CONMUTADO filtros puesta a cero automática regulador serie
controlador LCD ROM ROM ROM 68HC05C4 regulador shunt
CHASIS 68HC05C4
codificador DTMF oscilador de baja potencia
Figura 5.5 MCU personalizado y varios bloques de construcción.
satisfacer una necesidad específica del cliente. El último caso, a fin de "diseño"
se usa para sólo una pequeña porción del total de diseño. El enfoque preferido
utiliza mano-envasados, altamente optimizado y probado sobre el terreno para lograr
circuitos cortos de tiempo de ciclo de diseño, la primera vez que el éxito y el
bajo coste del producto final.
El enfoque del CSIC Eliminates—nonrecurring minimizes—in algunos casos
los costes de ingeniería, y permite que un chip personalizado diseñado que pueden
costar menos de $1 por algunas unidades. En muchos casos, uno de los diseños
existentes es aceptable ofrecer una "solución semicustom" sin necesidad de un nuevo
diseño. El número de opciones disponibles MCU y una metodología que permite un
rápido cus- tomization de MCUs han estado en vigor durante varios años para atender
las necesidades específicas de las distintas aplicaciones.
5.4 Control DSP
DSP tienen capacidad aritmética de hardware que permite la ejecución en tiempo real
de algoritmos de filtro de retroalimentación. En contraste, los MCU usar tablas de
consulta para aproximar algoritmos de filtrado con limitaciones inherentes de
flexibilidad y precisión. Un típico DSP Puede ejecutar instrucciones en menos de
100 ns. Esta capacidad permite una tasa de ejecución máximo de 20 MIPS (millones de
instrucciones por segundo), lo que es 10 a 20 veces el rendimiento de los MCU
convencionales. Los DSPs son a menudo clasificados en millo- nes de operaciones por
segundo (MOPS). Las mopas rating es varias veces el

uso de las MCUs/DSP para aumentar el sensor IQ 105


MIPS rating. Las características específicas de un DSP de 16 bits, el DSP56L811,
incluyen las siguientes:
• 40 MHz, 20 MIPS operación de 2,7V a 3,6V;
• un ciclo de multiplicar a acumular shifter;
• instrucciones de 16-bit y 16-bit de la palabra de datos;
• dos acumuladores de 36 bits;
• tres puertos serie;
• 16 I/Os, dos interrupciones externas;
• la disipación de potencia de 120 mW a 40 MHz.
La necesidad de un procesamiento en tiempo real en varios sistemas de control está
causando Sys- tem a los ingenieros evaluar y utilizar la tecnología DSP para la
función de control.
Esta creciente clase de funciones puede trabajar eficazmente con la tradicional
tabla look-up e interpolar funciones para hacer el control de decisión. En su
lugar, una multiplicación a acumular unidad permite el estimador de estado
funciones a ser implementada con un algoritmo definiendo el estado. Sin embargo,
como se muestra en la Tabla 5.2, MCU tienen una ventaja sobre las unidades DSP
salvo en muchas áreas de funcionamiento en tiempo real efi- eficacia. La pregunta
que los diseñadores de sistemas debe responder es, "Qué velocidad de muestreo y el
nivel de rendimiento son necesarios para que la aplicación?" También, la
posibilidad de combinar el nuevo sistema con un desarrollado previamente o
simultáneamente desple- gado sistema deben ser evaluados. Dependiendo de la
naturaleza del sistema(s) y la disponibilidad de alternativas de control, un cambio
de MCU de DSP puede no ser necesario.
La tecnología DSP está evolucionando en dos formas. En primer lugar, DSP-como el
rendimiento puede ser abordada cuando una unidad de procesador de tiempo (TPU) se
incluye en el diseño una MCU, que es posible en las MCUs de mayor rendimiento. La
TPU es una pro- grammable máquina microestado, que aborda las necesidades de
cómputo y reduce la carga sobre el procesador principal. Que permite que el
procesador principal para calcular los temas relacionados con la estrategia y no
tener que decidir cuándo una actividad es- pecífico iniciado, como el disparo de la
próxima bujia en un sistema de control del motor de automoción. En algunas
aplicaciones, la señal principal es un procesador DSP. En otros casos, varios
dispositivos pueden ser integrados en el mismo chip, especialmente con la capacidad
de integrar un mayor número de transistores por chip. Por ejemplo, múltiples CPUs
son utilizados para tolerancia a fallos en los sistemas de seguridad, como la
automoción sistemas de frenado antibloqueo.
En segundo lugar, en aplicaciones de gama alta, como un automóvil cerca del
obstáculo- sistema de detección o sistema de cancelación de ruido, un dedicado DSP
de 24 bits se utiliza.

106 Entendimiento sensores inteligentes


Tabla 5.2 Diferencias entre las arquitecturas DSP y MCU
característica DSP MCU
facilidad de programación mejor lógica booleana mejor
eficiencia operativa en tiempo real mejor
mantenibilidad de código periféricos mejor disponibilidad mejor
portabilidad del código, sin embargo, es mínima en nivel de today's DSPs con la
estrategia estrechamente vinculado a la E/S y la arquitectura. Además, la
generación de código para un DSP, en general, es más difícil que la generación de
código para un MCU. Sin embargo, al multiplicar a acumular unidad programado en C
requiere menos esfuerzo. Como herramientas más sofisticadas están disponibles para
tratar con DSPs en el nivel de comportamiento, las dificultades actuales en la
programación de la transformada rápida de Fourier (FFT) y desarro- llando filtros
para DSPs será simplificado.
La figura 5.6 muestra un DSP de 24 bits y su arquitectura. El dispositivo se ha
pro- grama de memoria, dos memorias de datos, y el mismo tipo de conjunto de
instrucciones que es común en toda la familia de MCU de Motorola. Utilizando
conjuntos de instrucciones similares facilita la escritura de código y minimiza la
discontinuidad para programadores familiarizados con la familia de MCU. Por
ejemplo, multiplicar, agregar, mover, rama, y prueba de bits son los mismos. Sin
embargo, las funciones avanzadas del chip requieren nuevas instrucciones.
Un DSP se ha utilizado para desarrollar un sensor inteligente para controlar el
tono de agujeros roscados en bloques de motor. El sensor reemplazado una
computadora mainframe que estaba comprobando un orificio por minuto. Proporcionando
potencia DSP en cada sensor, el sistema de inspección aumentó la tasa de 100
perforaciones por minuto [8].
El sensor fue desarrollado usando un kit de diseño DSP que es del tamaño de una
tarjeta de crédito. Supervisión de tensión, circuitos de respaldo de batería, y un
temporizador watchdog son características del kit de diseño basado en DSP y el
sensor.
5.4.1 algoritmos de búsqueda versus
MCU tablas utilizar tablas de búsqueda para almacenar los valores que se accede
cuando se ejecuta el programa. Los algoritmos se utilizan para corregir las
variaciones de los resultados esperados y para implementar una estrategia de
control. La velocidad de acceso a la información desde un

uso de las MCUs/DSP para aumentar el sensor IQ 107


unidad de generación de Dirección de
bus dirección
Puerto del conmutador externo un Programa ROM 3,75K × 24
X Memoria RAM 256 × 24
Y MEMORIA RAM de 256 × 24
× 24 ROM ROM 256 256 × 24 controlador de bus
host periféricos On-chip, SSI, SCI 7 de E/S PARALELO
YDB XDB datos PDB GDB
Interruptor de bus de datos internos y
externos de la unidad de manipulación de bits del bus de datos
generador de reloj conmutador
generador de direcciones de Programa
Programa
Programa generador de decodificación de

datos del controlador del programa controlador de interrupción ALU 24 × 24÷ 56 MAC
de 56 bits de dos acumuladores de 56 bits
Figura 5.6 Arquitectura DSP de 24 bits.
tabla o realizar un cálculo determina el tiempo de respuesta del sensor de entrada
La MCU/DSP parte del sistema. Puede ser un factor limitante para iniciar un cambio
en la salida en un MCU/DSP-controlada del sistema.
Un sensor de control de combinación puede implementar un programa electrónicamente-
mable guarnecido como alternativa al recorte de láser. No obstante, el recorte y la
cali- bration procesos para un sensor requieren algún tipo de conversión de los
datos por el MCU o DSP. El tiempo que se tarda en realizar las conversiones
mediante cálculos matemáticos o de obtener datos de una tabla de búsqueda debe
estar dentro del control system's capacidad para responder a la entrada detectado.
En la aplicación, fresado en tiempo real pueden ser implementados para permitir el
control adaptativo en el sensor. Que mejorará la precisión de un sensor que se ha
desviado después de algún tiempo en funcionamiento.
5.5 Consideraciones técnicas y sistemas
mayor precisión pueden ser obtenidas por sensores por caracterizar dispositivos a
través de la temperatura y la presión (o la aceleración, fuerza, etc.) y almacenar
co- rection MCU algoritmos en la memoria. La MCU puede convertir la medición para
mostrar diferentes unidades (por ejemplo, PSI, kPa, mmHg o en pulgadas de agua para
mediciones de la presión). Otras técnicas utilizan el MCU's capacidad para mejorar
la

comprensión de 108 sensores inteligentes


linearización, para proporcionar salidas PWM para el control, y proporcionar
autozero- ing/autorrango. La frecuencia de funcionamiento y capacidad de
conmutación de la MCU deben ser considerados en el diseño del sistema. Finalmente,
la capacidad de computación MCU's puede utilizarse en lugar del sensor(s) cuando
existe información suficiente.
5.5.1 linearización
no linealidad del sensor puede ser mejorada mediante el uso de algoritmos de
búsqueda en la tabla.
La variación de la señal del sensor de temperatura causada por también puede ser
mejorada mediante un sensor de temperatura integrado y una tabla de búsqueda para
compensar los efectos de la temperatura, mientras que la salida linearizing
anulamiento, compensaciones y ajuste de ganancia en gran escala a partir de la
información almacenada en una memoria EEPROM. Tablas de búsqueda puede ser
implementado en la ROM enmascarada, EPROM programable de campo, o a bordo de la
EEPROM.
Indemnización por falta de linealidad y el número de mediciones durante la prueba y
el procedimiento de calibración puede simplificarse si una salida lineal corres-
lates con un parámetro de diseño del sensor. Por ejemplo, se encontró una fuerte
correlación entre la duración y la linealidad de un sensor de presión con un
diámetro delgado- diafragma [9]. Como muestra la Figura 5.7, la falta de linealidad
aumentó a casi el 5% con la mayor span de unidades.
Se investigaron las técnicas analíticas para mejorar la no linealidad. Un análisis
de regresión polinomial fue realizado en 139 muestras de sensor que van de 30 a 70
mV span en gran escala para determinar la coefficientsB0, B1 y B2
en la fórmula:
2 3 V V =⋅⋅ + ++++... off ( ) B BPBP BP 0 1 2 3 (5.1)
donde B0, B1, B2 y B3 son coeficientes de sensibilidad. Los términos de segundo
orden eran suficientes para realizar los cálculos de acuerdo con los datos medidos
con un caso peor valor de coeficiente de regresión calculada = 0.99999. La relación
de estos valores a los span permitió una linealización piecewise técnica con cuatro
Win- dows para reducir el error de linearización de la mayoría de los sensores a
menos del 0,5%. Esos cálculos podrían incluirse en la MCU tabla de búsqueda para
mejorar la precisión en una aplicación. Otros han investigado también linearización
en gran detalle como un medio para mejorar la precisión del sensor [10, 11].
5.5.2 Control PWM
La salida PWM de la MCU puede usarse para convertir un sensor analógico fuera-
poner a un formato digital para la transmisión de señales en la teleobservación o
ruidosa

con MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 109


5.0
+ ++ + 4,0
3,0
2,0
1,0 linealidad (%FS)

-1,0 0 0 10 20 30 40 50 60 70 8090
Span (mV)
Figura 5.7 Span versus la linealidad del sensor de presión de salida.
Ambientes [12]. La figura 5.8 muestra los circuitos simples, baratas utilizado para
crear un ciclo de trabajo que es lineal a la presión aplicada. El tren de pulsos
generados MCU es aplicado a un generador de rampa. La frecuencia y la duración del
pulso puede controlarse con precisión en el software. La MCU requiere de entrada-
salida y captura de comparar canales del temporizador. La salida-capture pin es
pro- grammed a la salida el tren de impulsos que acciona el generador de rampa,
mientras que la entrada-capture pin detecta las transiciones para medir el ancho de
pulso de salida PWM. Los cambios de ancho de pulso de 50 a casi 650 ms por cero a
la salida a escala completa para este sensor.
5.5.3 Autozero y Autorange
combina un sensor y un MCU para realizar una medición que de otro modo sería menos
precisa o más costoso que otras alternativas disponibles es feasi- ble. El costo de
muchos MCU es comparable o menor que la que proporcionan los sensores de
micromecanizado su señal de entrada. Por ejemplo, una señal acondicionado pres-
seguro de sensor se ha combinado con un 68HC05 MCU a medir 1,5 pulgadas o menos de
agua con una precisión del 1% de la lectura de escala completa [13]. La MCU
proporciona software, software de calibración y compensación de temperatura nula
capacidad dinámica. Además, una salida digital compatible con el SPI proto- col se
proporciona para la medición de presión.

110 Entendimiento sensores inteligentes de


+5,0 V
C2 de tren de pulsos de micro
rampa generator 1.0 Fµ salida PWM a micro U2 MDC4010CT1 Q1 MMBT3904LT1
R4 C1 4,75 kΩ 3.3 R5 Fµ 22,1 kΩ
R3 4,75 kΩ -
+
R1
U1 LM311D
10 kΩ
X1 MPX5100DP Comparador etapa R2
Sensor de presión 10 kΩ
Figura 5.8 Esquema del sensor de presión de salida PWM.
Autoreferencing puede realizarse por la MCU para corregir errores de modo común,
especialmente con señales de bajo nivel. Autoreferencing utiliza la lógica y la
señal de reloj MCU combinada con un DAC y el contador. Una señal de la MCU inicia
el contador. El DAC proporciona una muestra y mantener y un pro- grammable fuente
de tensión. La salida del sensor es autoreference sumada a la corrección en la
entrada de un amplificador para obtener una salida al sistema corregido.
Un método libre de calibración de sensores de presión ha sido diseñada con un
sensor de presión calibrada, un MCU con ADC integral, y dos nuevos ICs [14]. Como
se muestra en la Figura 5.9, los dos canales de entrada y un puerto de salida se
utilizan en la porción de calibración del sistema. Los conmutadores analógicos
proporcionan tensiones V1 y V2, que se convierten y se almacenan en registros de la
MCU. Los interruptores se ponen entonces en la dirección opuesta y los nuevos
valores se almacenan.
La MCU agrega los resultados del diferencial que se convierten en un insumo para el
ADC. Todos los errores del amplificador de instrumentos se cancelan en este
circuito utilizando la dife- ential conversión. Para realizar una medición que sólo
requiere una precisión de escala completa de ±2,5%, la desviación del sensor de
presión puede ser descuidado y el sistema hace

uso de las MCUs/DSP para aumentar el sensor IQ 111


+5 V
MPX2100AP MC7HC405 3
MC307 6 - V1 VR VDD H + 3 2 Rf
CH 1 V
RG
MC68HC05B 6 P
4 1 Rf + V2 -
CH 2 VSS VR
0 V
Figura 5.9 libre de calibración del sensor de presión del sistema.
No se requiere ningún procedimiento de calibración. Para una medición±1%, la
producción en gran escala se ajusta a 25°C.
5.5.4
Uno de los diagnósticos más valiosas contribuciones que pueden hacer a la MCU
sensor's funcionalidad es la capacidad de autodiagnóstico, analizar, diagnosticar y
estado informe pro- blemas a un operador o a otros sistemas que utilizan la salida
sensor's. El problema puede ser tan simple como una advertencia para el
mantenimiento o la calibración o una indicación de una falla catastrófica que no
permita que el sistema funcione cuando sea necesario. Por ejemplo, un sistema de
bolsa de aire automotriz podría funcionar por años sin necesidad de implementación.
Sin embargo, sabiendo que el sensor es capaz de proporcionar la señal para indicar
un accidente es parte de la seguridad el sistema ofrece habitualmente al conductor
y a los pasajeros. En el sistema de bolsas de aire, un guión indi- cador lamp es
activada por la MCU para indicar que se ha realizado un análisis de sistema- listo.
5.5.5 Reducir la compatibilidad electromagnética y la interferencia de
radiofrecuencia
radiada y RFI interferencia electromagnética (EMI), tanto la transmisión y
recepción de señales no deseadas o EMC, de un dispositivo se están convirtiendo en
un importante examen de diseño con cada vez mayores niveles de integración del
sistema y mayores anchos de banda de procesamiento. Estos problemas pueden
reducirse a los com- ponent con menor nivel de radiación de bucles y un menor
número de líneas de señal.
Gestión de la energía en la MCU también puede eliminar algunos de los efectos
inducidos por la propia

comprensión 112 sensores inteligentes


que generan a RFI el elemento sensor. Un ejemplo de administración de energía está
tranquilo muestreo de tiempo, una técnica que realiza el circuito de conmutación
analógica cuando no hay conmutación digital [6]. Limpiador de los datos son
muestras tomadas por detener una corriente alta, actividad de alta frecuencia,
mientras que la entrada del sensor se mide.
Funciones de procesamiento digital normal continuar una vez que esos valores están
en la memoria.
5.5.6 indirectos (calculada, No detectada) versus la Detección Directa de
insumos a la MCU puede ser manipulado para proporcionar datos adicionales para un
sistema.
Por ejemplo, la MCU puede utilizar una señal de presión de entrada para
proporcionar la máxima presión, presión mínima, integrados (promedio) de presión y
tiempo- datos de presión diferenciada a un sistema. Un acelerómetro señal procesada
por el procesador de la señal puede integrarse una vez para proporcionar velocidad
y dos veces para proporcionar información de desplazamiento. Además, una sola
entrada del sensor a un MCU puede sustituir varios conmutadores detección del mismo
parámetro y proporcionar puntos de conmutación programables para las salidas.
La capacidad para calcular en lugar de sentido es una de las soluciones que las
MCUs llevar a aplicaciones de control. Por ejemplo, en el motor trifásico con- trol
systems, un sensor de efecto Hall se utiliza para detectar la ubicación del campo
magnético para cada fase o la velocidad del rotor en motores de inducción. Un MCU
usa la señal para los controladores de salida de interruptor de control de
modulación de ancho de pulso. Los sensores de este sistema han sido un objetivo
para la reducción de costes durante muchos años. Los últimos solucio- nes han
eliminado los sensores mediante la MCU para calcular el patinaje de velocidad del
rotor y la frecuencia angular de otra información disponible, incluida la
resistencia primaria [15].
5.6 El Software, las herramientas, y apoyar la
creación de un nuevo enfoque o alternativa a las tecnologías de control existentes
requiere mucho más que la arquitectura. El software usado para programar la parte
de control y las herramientas que permiten que el sistema sea desarrollado son
igualmente importantes. Compatibilidad de software (código portátil) es esencial si
los futuros productos finales requieren la migración a un mayor rendimiento MCU.
Además, manteniendo el diseño y proceso sensor's simple y separada de la MCU
permite apli- cación con otros procesadores disponibles.
Una ventaja principal de usar MCU existente o DSPs es que el con- cepto
herramientas ya existen y permiten al diseñador a rápidamente y fácilmente
desarrollar tanto el hardware y el software del sistema. Por ejemplo, la entrada de
datos, depuración de programas- ging, y la programación de un MCU's OTP, EPROM y
EEPROM puede lograrse utilizando un módulo de evaluación (EVM) (Figura 5.10)

utilizando los MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 113


MCU circuitos del sistema destino EEPROM programador MCU,
MCU Tx0 Terminal puerto I/O Rx0
Control
(MCU MC68HC05) y los circuitos de control del
bus de Control Terminal transceptor host y puerto de E/S (DACIA) ordenador Host
pseudo Usuario
RAM/ROM Monitor ROM Tx0 Rx0 Control
Figura 5.10 MC68HC05EVM herramienta de desarrollo para 68HC05 MCU.
interactuar con un equipo host como un IBM-compatible PC o Apple-
 Macin tosh [16]. Todos los esenciales MCU calendario y circuitos I/O ya existen
en el EVM para iniciar el proceso de desarrollo. Código MCU puede generarse con un
residente de una línea ensamblador/desensamblador o descargar en el programa de
usuario a través de la RAM del host o puerto terminal de conectores. El código
puede ser ejecutado por varios comandos de depuración en el monitor.
Freeware obtenidos a través de la World Wide Web puede ser utilizado en el
desarrollo de software. Información, herramientas de desarrollo y documentación
establecida a lo largo de varios años de uso del cliente están disponibles para
muchos MCUs. Como resultado, la capacidad existe para desarrollar el sensor
inteligente que puede definirse hoy.
5.7 Integración de sensores
El cuarto nivel para avanzar en la integración (véase la figura 1.7) es migrar la
interfaz mos desarrollado en la MCU. El elemento sensor básico es inter- conectado
en estrecha proximidad a la MCU mejorada en el mismo paquete. Ahora el propio
sensor es el único elemento que no necesita ser compatible con proceso MOS. El
cuarto nivel es también el punto óptimo en el cual considerar

114 Comprensión sensores inteligentes la


inclusión de cualquier unidad de salida capacidades requeridas por la aplicación de
control y detección específica en la MCU. Este tipo de energía se podría haber
logrado la integración en el nivel III, excepto que los MCU de producción estándar
con controladores externos podría haber sido utilizada de manera más eficaz en los
niveles inferiores. Nivel IV, hay una transición definitiva del producto estándar
en cus- tomization MCUs para una aplicación específica o de mercado. Por lo tanto,
todos los aspectos del sistema total debe ser considerada para la integración a
este nivel para maximizar los beneficios de la mezcla de diseño y desarrollo de la
inversión.
El cuadro 5.3 muestra las consecuencias de los diferentes procesos (defectivities
defectos por unidad de área) en el coste neto de una solución combinada en un punto
en el tiempo [7].
Los procesos de fabricación de MOS reciente del sector tienen normalmente entre 0,5
a 1,0
2 defectos/cm 2 con los mejores de su clase en 0,2 defectos/cm. Para demostrar los
costos de la combinación de un sensor con un MCU, considere un pequeño 0,100
pulgadas por 2,54 pulgadas
2 MCU procesan a 0,8 defectos/cm y un 0,100 pulgadas por 2,54 pulgadas proc-
2 essed sensor de 4,0 defectos/cm . El ejemplo MCU tendrá un costo relativo de 1.05
ver- sus a 0.100 pulgadas por 2,54 pulgadas dispositivo procesa con cero defectos.
El sensor tendrá un costo relativo de alrededor de 1,29. Que da una combinación de
dos chips costo relativo de 2.34. Si el sensor y la MCU están combinadas en un solo
chip mediante un
proceso que crea el sensor 2 4,0 defectos/cm, el morir resultante sería de
aproximadamente 0,128 pulgadas por 0,128 pulgadas y tienen un costo relativo de
2,50. Que el incremento de los costes de sólo 1,07 veces el costo combinado de
morir puede ser menos importante que el agregado de ensamblaje y prueba cuesta de
dos dispositivos distintos.
El costo equilibrio cambia dramáticamente la MCU morir aumenta de tamaño. Si el
mismo 0,100 pulgadas por 2,54 pulgadas se combina con un sensor mayor a 0,300
pulgadas por 0.300 pulgadas MCU con costo relativo de 15,15, el costo relativo de
la combinación de dos-chip set sube a 16,44. Combinando las dos fichas en un
equiva- cuaresma morir tamaño de 0,311 pulgadas por 0,311 pulgadas y procesamiento
en el mayor defecto- sensor ivity proceso dará lugar a un costo relativo de las
75.28 o 4.58 veces la solución de dos chips. En un estudio más reciente (1998), que
tuvo en cuenta el análisis de resol- ver mejoras aún arrojan un 4× impacto de coste
para integrar un sensor micromecanizado a granel con un MCU. Integración de una
(normalmente) mayor defecto- sensor ivity proceso en otro chip esté cada vez más
costoso como el total de morir aumenta de tamaño. En todos los casos, la adición de
un sensor a otro dispositivo de silicio agregará algunos costos debido al área de
Silicio añadido para un tamaño de lote fijo (obleas) de diámetro. Sin embargo, el
costo de la adición de un sensor en un chip disminuye si el proceso defectivity del
sensor disminuye. Normalmente, los MCU utilizan mayor tamaño wafer y un proceso de
mayor densidad que el sensor, añadiendo a las expectativas de menores rendimientos
y mayor costo para una combinación de los dos enfoques. Como mejoras en la
tecnología de procesamiento ocurre, el costo adicional se puede intercambiarse por
el embalaje y los costes de montaje para el enfoque de dos chips.

Utilizando MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 115


Tabla 5.3 Relación teórica mueren los costes de integración de sensores
Mejor en espera mos típico nivel del sensor clase Process* Sector*
2 defectos de desarrollo/cm 0.2 0.8 2.0 4.0
Tamaño del chip (pulgadas)
0.100 por 0.100 1.01 1.05 1.14 1.29 0,128 por 0,128 1,70 1,81 2,05 2,50 a 0,300 por
0,300 10.85 15.15 27.69 65.11 11.31 16.17 0,311 por 0,311 30,89 75.28
2 *teórico obleas de 6 pulgadas. Die costo de 1,0 a 0,1 por 0.100 mueren y cero
defectos/cm .
Un acercamiento provisional para el sensor completamente integrado en un MCU es
mostrado en la figura 5.11. La interfaz del sensor del acelerómetro es inicialmente
un standa- lone circuito que utiliza las mismas reglas de diseño y proceso como la
MCU. Que
ASIC de control HCMOS G-celda con auto-test
condensador conmutado integrator amplificador S/H Filtro paso bajo
control de temperatura
puede por SCI SPI TMR HCMOS MCU
CPU RAM
ROM ROM 68HC05C4 ROM
Figura 5.11 dos chips y HCMOS sensor sensor interface IC.

116 Entendimiento sensores inteligentes


proporciona un breve ciclo de diseño y menor coste inicial para el sensor. Una vez
que el producto final (que contienen la combinación de este sensor y la MCU) ha
conseguido la aceptación del mercado y una tasa mínima, un diseño de fase II (nivel
III en la figura 1.7) es posible. La interfaz del sensor es tratada como un bloque
de construcción prediseñados para un procesador de señal de sensor integrado
plenamente con el enfoque de diseño modular discutido anteriormente en este
capítulo.
5.8 Resumen de
las tendencias en el desarrollo de la microelectrónica para microprocesadores,
DSPs, FPGAs y ASICs, han sido para acelerar el procesamiento de la señal, más
compleja y fea- tura de tamaño reducido (dimensiones críticas), en el rango de
submicron. Esos objetivos han llevado a reducir tensiones de alimentación (3,3 V o
menos). Además, las necesidades de los clientes para una mayor y más fáciles de
programar la memoria y reduce el costo de desarrollo y el tiempo de ciclo de diseño
están afectando el diseño y la metodología utilizada para el diseño de los
productos. Las mejoras resultantes pueden ser útiles en el diseño de sensores
inteligentes y puede ser rentable mediante otras funciones proporcionadas por la
MCU, DSP, el ASIC, o FPGA. La comunicación de los datos de smart sen- sors está
entre las capacidades que pueden ser integrados en el chip y es una parte de cal
criti- que el capítulo 7 está dedicado a ese aspecto de la lógica de control.
Referencias
[1] Jacobsen, E., "Acondicionador de señal de un sensor de presión con una matriz
analógica Field-Programmable", sensores, de noviembre de 1997, págs. 81–86.
[2] Najafi, N. y K. Wise, "Una organización de interfaz para sistemas de control de
proceso de semiconductores Sensor-Driven", IEEE Trans. Fabricación de
semiconductores, Vol 3, nº 4, Noviembre de 1990, págs. 230–238.
[3] Sibigtroth, J. M., la comprensión de los pequeños microcontroladores, Boletín
técnico de Motorola M68HC05TB/Rev. D 1, 1992.
[4] "Fram hace un retorno", diseño portátil, de octubre de 1996, pp. 14–16.
[5] M68HC05 la guía de aplicaciones de microcontrolador, Motorola M68HC05AG/AD.
[6] Benson, M., et al., "Tecnologías avanzadas de semiconductores para sen- sors
inteligentes integradas", Proc. Los sensores de la Expo '93, el 26 de
octubre–28, 1993, pp. 133–143.
[7] Frank, R. J. y M. Jandu Shaw, "una actualización sobre las tecnologías de
semiconductores avanzados sensores inteligentes integrados", Proc. Sensores Expo
West, Anaheim, CA, 8 de febrero–10, 1994, pp. 249–259.

Utilizando MCU/DSP para aumentar el sensor IQ 117


[8] "MiniKit 56001 proporciona potencia DSP a Low-Volume productos", DSP News, Vol.
6, Número 3, 3Q93, Motorola, 1993, pág. 5.
[9] Derrington, C., "la indemnización de no linealidad en el MPX10 Serie Trans-
Presión ducer935", un dispositivo de sensor de datos/Manual, DL200/Rev. D 4, 1998.
[10] Hille, P. R. Hohler, y H. Strack, "un método de compensación y de
linearización para sensores integrados", sensores y actuadores de 44, 1994, pp.
95–102.
[11] Heintz, F. y E. Zabler, "Posibilidades de aplicación y futuras posibilidades
de 'Smart' Sen- sors en el vehículo de motor", 890304 en SAE sensores y actuadores
SP-771, 1989.
[12] Jacobsen, E. y J. Baum, "mediante una señal modulada de ancho de pulso de
salida con sensores de presión semiconduc- tor", un dispositivo de sensor en1518
Data/Handbook, DL200/Rev. D 4, 1998.
[13] Ajluni, C., "Sensores de presión se esfuerzan por mantenerse en la cima", el
diseño electrónico, el 3 de octubre de 1994, pp. 67–74.
[14] Burri, M., "Libre de calibración del sensor de presión de sistema", un1097 en
datos del dispositivo Sensor/Handbook, DL200/Rev. D 4, 1998.
[15] Kanmachi, T. y I. Sensor-Less Takahashi, "Control de velocidad de un motor de
inducción", IEEE Industry Applications, Enero/Febrero 1995, pp. 22–27.
[16] Frank, R., "Enfoque Two-Chip sensores inteligentes", Proc. Los sensores de la
Expo 1990, págs. 104C-1–104C-8.

Esta página se ha dejado intencionadamente en blanco

6
comunicaciones de sensores inteligentes que
he aquí el pueblo es uno, y todos tienen un solo lenguaje; y han comenzado a hacer:
y nada los hará desistir ahora de lo que han pensado hacer.
-Génesis 11:6
6.1 Introducción
El creciente interés en los sensores inteligentes es un resultado directo de la
necesidad de comu- sensor nicate información en sistemas de control distribuido.
Lamentablemente, se han definido varios protocolos para la comunicación de datos en
el control Sys- tem. Los estándares de la industria han sido y están siendo
desarrollados para varias solici- tudes. Dentro de un determinado segmento de
mercado, varias propuestas están compitiendo para su aceptación. Algunos de estos
protocolos ya han sido implementados en hardware de silicio. Este capítulo
proporciona información de antecedentes, identifica muchos de los protocolos
propuestos, y describe los chips de silicio que han sido desarrollados para apoyar
los diseños de sistema. (Capítulo 12 entra en los detalles de los nuevos estándares
IEEE1451 desarrollado específicamente para sensores.)
6.2 Definiciones y antecedentes
6.2.1 Definiciones de
comunicación de datos de entradas del sensor debe ser analizada con la recogni-
ción que el sensor es parte de todo un sistema de control. Varios
119

120 industria comprensión sensores inteligentes


comités y empresas individuales han dedicado considerables esfuerzos a generar
protocolos aceptables que servirán de apoyo a los requisitos para el control
distribuido. La funcionalidad del sistema y la capacidad de utilizar silicio
disponibles de hardware, software y herramientas de desarrollo deben tenerse en
cuenta en la selección de un proto-col para una aplicación dada.
Varios términos y definiciones que se utilizan para describir la comunicación de
información del sistema. Un protocolo es un acuerdo sobre el conjunto de normas
para las comunicaciones.
El bus conecta los componentes del circuito interno o externo y pueden ser en serie
o en paralelo; el enfoque de serie es más común. Un dispositivo de autobuses
conecta elementos de control básico, los sensores y actuadores, a un controlador
host. Multiplexado (MUX) es la combinación de varios mensajes para su transmisión
en el mismo sig- nal camino. El acceso al bus es obtenido mediante un proceso de
arbitraje. Poco a poco el arbitraje también se llama Detección de colisión. La
contención es la capacidad para acceder a la estación de autobuses en una
determinada prioridad. La latencia es el acceso garantizado (con prioridad máxima)
dentro de un periodo de tiempo definido. Un sistema determinista puede predecir el
comportamiento futuro de una señal. El controlador de enlace de datos (DLC) es el
silicio de la aplicación del protocolo que gestiona todas las necesidades de
comunicaciones.
El objetivo del sistema de interoperabilidad permite a los sensores o actuadores de
un proveedor a ser sustituido por el de otro fabricante. Los diferentes tipos de
redes se muestran en la Figura 6.1. Estrella, anillo y lineal (árbol, multidrop)
topologías son comunes, es decir, métodos de conexión de las líneas de datos de
nodos del sistema.
El uso de las relaciones maestro-esclavo, aunque una parte importante de las redes
de control, está dando paso a la utilización de la inteligencia distribuida en
muchas aplicaciones.
Los 4 a 20 mA estándar del instrumento Society of America (ISA) ha sido el estándar
de transmisión analógica de datos durante más de 30 años. Sin embargo, técnicas
digitales pueden ofrecer más funcionalidad y mayor inmunidad contra el ruido para
la transmisión de la señal. Muchos formatos de interfaz digital ya existe para el
punto-a-punto o multipunto de comunicaciones, como se muestra en la Tabla 6.1 [1].
Estos protocolos han visto limitado su uso en sistemas controlados por ordenador.
La EIA-485 se utiliza con más frecuencia para aplicaciones de bus de campo digital.
Es la capa física en Profibus, topacio, y Bitbus protocolos. La EIA-485 es una
línea equilibrada (diferencial) transmisión de datos a través de un solo cable de
par trenzado de [1]. Sin embargo, examinando los diferentes segmentos del mercado,
una amplia variedad de normas existente.
6.2.2 Antecedentes
La Organización Internacional para la Estandarización (ISO) ha definido el modelo
OSI (Interconexión de Sistemas Abiertos) que describe siete capas para redes de
datos. Las capas y sus funciones se muestran en la Figura 6.2 [2].

Comunicaciones para sensores inteligentes 121


R T esclavo ECU 3
RT esclavo R R R R Slave 1 ECU T T T T Master 5 ECUS
ECUS T T R R
R R Esclavo esclavo T Star 2 ECU ECU T 4
T 1 ECU R
T R 2 ECUS T R 6 ecus el
anillo
R T 3 R ECU ECU 5 T
R T 4
ECU ECU ECU ECU R/T R/T R/T,
R/T lineal R/T R/T R/T ECU ECU ECU ECU
Figura 6.1 diversas topologías de bus.
Disponible y normas propuestas suelen utilizar todo o una parte de las capas para
definir el estándar.
En un sistema distribuido, un nodo contiene el sensor (o actuador), el hard- ware
para los cálculos, y la interfaz de red [3]. El término bus del sensor
122 Comprensión sensores inteligentes
Tabla 6.1 Punto a punto y multipunto
Parámetro estándar EIA-232-C EIA-432-A EIA-422-un EIA-485
Modo de funcionamiento solo terminó solo terminó diferencial diferencial
número de conductores y 1 controlador, 1 controlador, 1 controlador, 32
controladores, receptores permitidos 1 receptor 10 receptores 10 receptores 32
receptores la
longitud máxima del cable 50 4.000 4.000 4.000 (ft)
velocidad de datos máxima de 20k 100k 10M 10M (bps)
Máximo común: ± 25V ±6V 6V, -0.25V 12V, -7V modo de salida del controlador de
tensión de ±5V min.; ±3,6 min.; ± 2V min. ±1,5 min.
±15V máx. ±6V máx.
La carga del controlador ±3 kΩ 450Ω kΩ–7 min. 100Ω min. 60Ω min.
conductor slew rate de 30V/ms máx. NA NA externamente controlada
conductor corto de salida de 500 mA a 150 mA a GND Vcc 150 mA a 150 mA GND del
circuito a masa o GND de límite de corriente de 250 mA a 8V o 12V
SALIDA DE RECEPTOR NA NA NA 120 kΩ de resistencia (en) estado Z alta) (off) 300Ω
60Ω 60Ω 120 Ω
resistencia de entrada del receptor 3–7 kΩ 4 kΩ 4 kΩ 12 kΩ
sensibilidad del receptor ± 3V ± 200 mV ± 200 mV ± 200 mV
se utiliza frecuentemente cuando los sensores están conectados en un sistema que
utiliza un bus multiplexado para ofrecer datos Link–level multiplexado y
permitir que los paquetes de distintos emisores para ser enviadas a diferentes
receptores. Una red de sensores de nivel superior utiliza todas las capas del
modelo OSI para proporcionar más información y simplificar el diseño del sistema
user's y actividad de mantenimiento.
6.3 Fuentes (organizaciones) y
varias universidades han desarrollado normas estándares para la comunicación. Por
ejemplo, en la Universidad de Michigan ha propuesto la Michigan paralelo estándar
(MPS)

Comunicaciones para sensores inteligentes 123


capas OSI tarea típica de Control asignados requisitos de red
semántica de los objetos de datos de usuario 1 Application File Transfer
estandarizado de
compresión de datos de estructuras de red de estructuras de redes 2 Presentación de
interpretación de datos de conversión de datos de usuario de
autenticación de sincronización 3 Sesiones de gestión de red la estructura de
diálogo
transferencia segura de datos de extremo a extremo de transporte de 4 acuse de
recibo comunicación de extremo a extremo la detección de duplicados, reintentos
automáticos
, enrutamiento de direccionamiento lógico de direccionamiento unicast, multicast,
broadcast 5 Red MAC Interfaz Independiente de
Medios Routers de acceso preferencial al MAC, la evitación de colisiones/
6 Detección de encuadre, codificación de datos Data-Link corrección de errores y
comprobación de errores CRC, encuadre prioridad definición de interfaz física 7
transceptores de medios interfaz transceptor físico
MAC = media access control CRC = comprobación de redundancia cíclica
figura 6.2 ISO's modelo OSI (Interconexión de sistemas abiertos).
[4]. Investigadores de la Universidad de Tecnología de Delft han desarrollado una
serie de com-
2 Protocolo de telecomunicaciones [5]. El sensor inteligente integrado (ES ) bus es
una mezcla analógica/digital de dos líneas de interfaz de bus serie. Sin embargo,
un protocolo requiere algo más que la definición y la demostración de hardware. Uso
aceptado por un número de fabricantes determina, en última instancia, las
verdaderas normas que pueden, de hecho, ser estándares de facto. Universidad-
protocolos desarrollados pueden lograr aceptación con la adaptación de los usuarios
industriales, pero el proceso tarda más que utiliz- ing existentes normas
patrocinadas por la industria. El objetivo de este capítulo es normas que la
industria ya admite. La tabla 6.2 enumera las normas más comunes, incluyendo
aquellos desarrollados por universidades, fabricantes, y las normas de las
organizaciones.
6.4 Protocolos de Automoción
debido a su gran volumen, el sector de la automoción ha impulsado las
especificaciones, resultando en la aplicación real de los protocolos en varios
productos. En auto- móviles, la información de un sensor y/o datos de un sistema
puede comunicarse con otros sistemas mediante cableado multiplexado para reducir el
número de sensores y de la cantidad de cable utilizado en un vehículo. Dos
protocolos predominantes han surgido como varios estándares, pero existen otros
protocolos de

entendimiento 124 sensores inteligentes


Tabla 6.2 Protocolos y patrocinadores en diferentes segmentos del mercado
automotriz de protocolo patrocinador
J-1850 Society of Automotive Engineers (SAE)
J-1939 (CAN)
2 SAE J1567 C D SAE
J2058 (Chrysler) CSC (Chrysler) SAE J2106 Token ranura (GM)
Puede Robert Bosch GmbH
VAN
A ISO-BUS Volkswagen AG
2D B
MI-Bus Philips Motorola
PTT Universidad de Wien, Austria
Industrial
Rosemount Hart y HART Communication Foundation
DeviceNET™ Allen-Bradley Sistemas Distribuidos (Inteligente) SDS™
Honeywell
SP50 Fieldbus ISP + mundo FIP = Fieldbus Foundation
SP50 IEC/ISA
LonTalk™ Echelon Corp.
Profibus alemana DIN
ASI bus ASI Asociación
Interbus-S y Phoenix Contact Interbus-S Club
Seriplex proceso automatizado de control y organización de tecnología Seriplex
SERCOS SERCOS N.A.
IPCA -
Datos ARCNet ARCNet Corp. y Trade Association
Building/automatización de oficinas
Industria de automatización de edificios BACnet
LonTalk™ Echelon Corp.
IBIbus Edificio Inteligente del Instituto
Batibus Merlin Gerin (Francia)

Comunicaciones para sensores inteligentes 125


Edificio Protocolo/ofimática
EIbus Alemania Canadá cabina
domótica
X-10 X-10 Corp.
Casa Inteligente casa inteligente L.P.
EIA
LonTalk™ CEBus Echelon Corp.
Michigan University of Michigan estándar paralelo
integrado Bus Smart-Sensor Delft University of Technology de
tiempo activa el protocolo de la Universidad de Viena, Austria (automoción)
DeviceNET™ es una marca registrada de Allen-Bradley SDS™ Company, Inc. es
una marca registrada de Honeywell Inc. LonTalk™ es una marca registrada de
Echelon Corporation.
manufacturers' aplicaciones específicas, como se muestra en la Tabla 6.2. La
Sociedad de Ingenieros Automotrices (SAE) SAE J1850 se ha establecido como el
estándar para la multiplexación y comunicaciones de datos en EE.UU. de automóviles.
Sin embargo, comunicaciones de datos para camiones y OBD II (OBDII) se basan en la
red de área del controlador (CAN) es un protocolo desarrollado por Robert Bosch
GmbH.
El SAE Vehículo para multiplexado de red y comunicaciones de datos (multiplexado)
Comité ha definido tres clases de vehículos redes: Clase A, Clase B y Clase C [6].
La clase A es para aplicaciones de baja velocidad, tales como la luz del cuerpo-
ing. La clase B es para la transferencia de datos entre nodos para eliminar
sensores redundantes y otros elementos del sistema. La clase C es para
comunicaciones de alta velocidad y tasas de datos típicamente asociados con los
sistemas de control en tiempo real. El cuadro 6.3 resume los tipos de datos y las
latencias de las tres clases.
6.4.1 SAE J1850
SAE J1850 fue aprobado como el protocolo estándar para los fabricantes de
automóviles de EE.UU. en 1994. J1850 define la aplicación, enlace de datos y f sica
de las capas del modelo OSI. J1850 especifica dos implementaciones: una versión PWM
y un ancho de pulso variable (VPW) versión. Las diferencias se indican en la Tabla
6.4. SAE

126 Comprensión sensores inteligentes


Tabla 6.3 Automotive Network Clases
Clase Tipo de velocidad de datos
baja latencia 1 Kbps a 10 Kbps 20–50 ms B mediano de 10 Kbps a 100 Kbps
5–50 ms c alta de 10 Kbps a 1 Mbps 1–5 ms
J1850 está respaldado por una serie de otras especificaciones SAE, que se consulte-
sufrido en J1850, como el documento de estrategia de mensaje, J2178.
Además de las técnicas de codificación de bits SAE especificada en la Tabla 6.4,
otras técnicas comunes incluyen 10-bit sin retorno a cero (NRZ), bit-stuf NRZ, L-
Man (Manchester), E-Man, y modificó la modulación de frecuencia (MFM). Estas
técnicas difieren en función de sincronización variable, arbitraje, transiciones
por bit, la velocidad de datos máxima de oscilador, la tolerancia y la integridad.
SAE J1850 el acceso de red no es destructiva priorizados por poco a poco el
arbitraje para cualquiera opción protocolo [6]. Un marco es definido como una
completa transmisión de la información. Dentro de la trama, el encabezado contiene
información sobre la prioridad del mensaje, el mensaje de origen, dirección de
destino, tipo de mensaje, y en el marco de respuesta. Para SAE J1850, cada
fotograma contiene sólo un mensaje, y la longitud máxima para un frame es 101
tiempos de bit. Una reducción de potencia o de reposo se produce en un nodo si el
bus está inactivo durante más de 500 ms. La activación se produce con cualquier
actividad en el bus.
6.4.2 Protocolo CAN
CAN, un protocolo de comunicaciones serie desarrollado por Robert Bosch GmbH, fue
originalmente diseñado para sistemas de cableado multiplexado de automoción,
especialmente la
Tabla 6.4 Opciones de protocolo SAE J1850
Características 1- y 3-byte encabezados 1- y 3-byte de
codificación de bits encabezados VPW PWM
MEDIO Bus de cable doble alambre único tasa de datos de 41,7 Kbps 10,4 Kbps la
integridad de los datos de

comunicaciones CRC CRC para sensores inteligentes 127


comunicaciones de datos de alta velocidad. Se admite el control distribuido en
tiempo real con un alto nivel de seguridad e integridad del mensaje. También se ha
convertido en una opción atractiva para el uso en velocidad baja, y otras
aplicaciones de control distribuido.
La especificación original fue anunciado en el 1980. Una revisión, puede 2.0, fue
anunciado en 1991. Puede 2.0 consta de una parte y una parte B.
La parte A se conoce como 2.0, 1.2, y BasicCAN. Una parte especifica un campo
identificador de 11 bits, no incluye ninguna especificación para el filtrado de
mensajes, y tiene una arquitectura en capas descripción basada en Bosch's modelo
interno. Parte B mejoras incluyen un extenso campo identificador de 29 bits, algún
mensaje filtro- ing requisitos y descripción de capas basado en el modelo de
referencia ISO/OSI.
El campo identificador de 29 bits permite el protocolo estándar de automoción, SAE
J1850, 3 bytes encabezados que se asignan en el campo Identificador del CAN. Sin
embargo, el mínimo puede se establezca el cumplimiento de conformidad con CAN 2.0
Un único [7].
CAN es un protocolo que permite multimaster cualquier nodo de red para comu- nicate
con cualquier otro nodo de la misma red. Cualquier nodo puede iniciar una trans-
misión una vez que ha determinado que la red esté inactiva. Puede incluir
propiedades de priorización de mensajes definidos por el usuario. Puede es en
realidad un nondeterminis- sistema TIC, pero una latencia máxima garantizada para
la máxima prioridad puede ser calculada. Prioridades inferiores están determinados
sobre una base estadística. Puede utiliza Carrier Sense Multiple Access/Resolución
de colisión (CSMA/CR) para nondestruc- tiva de Resolución de colisión. La técnica
de arbitraje es el operador y resultados en la máxima prioridad del mensaje que se
transmite con el tiempo de latencia baja. El sistema flexible permite la
configuración de opciones de usuario que se han llevado a CAN-desarrollado sistemas
en aplicaciones automotrices e industriales [7].
El formato del mensaje de CAN es un bastidor de formato fijo con un número variable
de bytes de datos. 0 a 8 bytes de datos son permisibles. La longitud mínima de
trama de datos es de 44 tiempos de bit. Se definen cuatro tipos de mensajes: trama
de datos, remote frame, marco de error, y la sobrecarga del bastidor. Los mensajes
se enrutan al recibir los nodos mediante el uso de identificadores de mensaje y
filtrado de mensajes. Direccionamiento funcional permite que varios nodos para
actuar en un solo mensaje. Sin embargo, nada en el hardware impide que el usuario
utilice direccionamiento físico para lograr nodo a nodo direccionamiento. Parte del
sistema de detección de errores es la aceptación de cada mensaje por todos los
nodos o no nodos. Incluso si un componente de la red no está preocupado con el
mensaje que se transmite, aún debe recibir el mensaje, compruebe la comprobación de
redundancia cíclica (CRC) y aceptación de confirmación (ACK). La trama de datos, se
muestra en la Figura 6.3, el más utilizado es el bastidor. La prioridad se
establece en el campo identificador basado en la estrategia de mensajería user's
[7].
Se solicitan datos mediante el uso de un bastidor remoto y se transmite a través de
la trama de datos. El remote frame no contiene datos de campo y la

comprensión 128 sensores inteligentes


espacio entre tramas espacio entre tramas de trama de datos

campo de arbitraje Inicio de trama


campo de control campo de datos campo CRC
campo ACK
final del marco
Figura 6.3. trama de datos puede
solicitar la transmisión remota (RTR) bit se envía recesivo. De lo contrario, el
bastidor remoto es idéntica a la trama de datos [8].
Detección de errores y de señalización de errores son posibles porque se tiene una
variedad de contadores de error integrados que ayudan a contener errores e impedir
que los nodos que tienen fallas por restricción de comunicaciones en el bus. Un
nodo transmisor defectuoso siempre aumenta el contador de errores más de otros
nodos. Por lo tanto, el nodo defectuoso se convierte en el primer bus para ir a
"off". retransmisión automática de mensajes rupted cor- minimiza la posibilidad de
que un mensaje no detectados. Puede también tiene la capacidad de distinguir entre
errores temporales y permanentes de los errores de los nodos, lo que la hace ideal
para los entornos de alto ruido que se producen en las aplicaciones automotrices e
industriales [7]. Bastidor el mensaje de error se muestra en la Figura 6.4. Error
de bit, cosas error, error de CRC, error de formulario, y reconocer el error puede
ser detectado. El error trama contiene la superposición de banderas de error
enviados por varios nodos de la red y el error delimitador. Tanto pasiva como
activa los códigos de error son posibles en lata, dependiendo del estado del nodo
[8].
El protocolo CAN no aborda los requisitos de la capa física.
El transceptor no está especificado, sino que se deja a la red user's
marco de Error de trama de datos espacio entre tramas o sobrecarga frame
flag de error
Superposición de banderas de error
Error
error CAN Figura 6.4 delimitador de bastidor.

Comunicaciones para sensores inteligentes 129


características para definir los requisitos. (En las reglas de distribución de bits
puede especifi- cación debe cumplirse.) acepta los medios físicos incluyen, pero no
están limitados a, par trenzado (con o sin blindaje), solo alambre, cable de fibra
óptica, y trans- ex junto a las líneas de energía. Los transmisores de RF también
están siendo desarrollados por algunos usuarios para sistemas CAN. Las tasas de
transmisión aceptables oscilan entre 5 Kbps a 1 Mbps. La implementación más
utilizada hasta la fecha es un bus de par trenzado con formato de bits NRZ. Par
trenzado de controladores que puede simplificar el diseño del sistema están
disponibles [7].
6.4.3 Otros protocolos de automoción
como se muestra en la Tabla 6.1, otros se han elaborado protocolos de automoción,
algunos de los cuales están cubiertos por las especificaciones SAE. La aplicación
de esos alter- nativos requiere un volumen de usuarios que consigue beneficio
utilizando el protocolo alternativo, así como un fabricante de semiconductores
dispuestos a aplicar el Protocolo en hardware de silicio. En comparación, la
industria automotriz Bit-Serial Universal Sistema de interfaz (bus) y el vehículo
de la red de área local (VAN) son discutidos.
A-bus fue desarrollado por Volkswagen AG [6]. La detección de errores es algo
único. Tanto de un solo cable de fibra óptica y pueden ser utilizados por los
medios de transmisión.
La longitud máxima del bus no está especificado, pero normalmente es de 30m. La
velocidad de datos máxima de 500 Kbps es considerablemente superior a la tasa
especificada en la norma SAE J1850.
VAN, desarrollado por el fabricante francés de automóviles Renault está siendo
considerado como un estándar ISO. Es el medio de transmisión de par trenzado. La
velocidad de datos máxima es definible por el usuario. Un máximo de 16 nodos es
posible con una longitud máxima del bus de 20m. Codificación de bits es una de las
dos variantes de codificación Manchester.
La técnica de codificación Manchester codifica un 1 con un alto nivel durante la
primera mitad del tiempo de bit, anda0isencoded con un nivel bajo durante la
segunda mitad del tiempo de bit. Por lo tanto, un máximo de dos transiciones por
poco tiempo es posible.
La Universidad Técnica de Viena en Austria ha desarrollado un tiempo- activó el
protocolo (TTP). El protocolo proporciona información acerca del futuro (es decir,
un conocimiento a priori) el comportamiento del sistema a través de algoritmos de
distribución. Todas las actividades del sistema se activan por la progresión de
tiempo real. La arquitectura requiere la sincronización del reloj por una base de
tiempo global. TTP de alta velocidad es compatible con sistemas de control
distribuido, donde la operación es tolerante a fallos críticos.
Un consorcio de fabricantes de automóviles alemanes y franceses han desarrollado un
sistema operativo (SO) estándar para la electrónica de automoción. La OSEK (Ger-
man acrónimo de Sistema Abierto para la electrónica de automoción) OS es una
extensión de la parte delantera de la MCU hardware [9]. La intención es ofrecer un
diseño estructurado con niveles de software superiores adicionales encapsulación de
niveles inferiores a

130 Comprensión sensores inteligentes que


reducen la complejidad de software para sistemas de control distribuido en los
vehículos. La norma permite que componentes de software estandarizados para ser
utilizados a través de múltiples plataformas para reducir los costos de desarrollo
y tiempo de salida al mercado.
OSEK fue desarrollado para ser independiente del protocolo de comunicación, por lo
que es compatible con la CAN, J1850 y otros protocolos de automoción se muestra en
la Tabla 6.2. La combinación del sistema operativo específico de la aplicación, el
protocolo y el hardware del sistema, incluyendo los sensores inteligentes, será
necesario mejorar la efi- eficacia, cumplen las normas de seguridad y emisiones, y
mejorar en general la experiencia de conducción en vehículos futuros.
6.5 Redes Industriales
distribuye la potencia de un sistema multiplex es fácilmente demostrado en la
automatización de las fábricas. En muchos casos, los usuarios han completado el
cableado de una instalación del sistema multiplexado con uno o dos personas en un
solo día, una tarea que antes llevaba una tripulación de técnicos eléctricos varios
días al cable. Asimismo, estas instalaciones funcionan correctamente la primera
vez, lo que se traduce en una considerable reducción de costes. Cableado de un
sistema multiplex consta de un par de alambres trenzados, alimentación y tierra, lo
que simplifica enormemente el proceso de interconexión. Una vez que un sistema
estrategia está desple- gado, los nodos se pueden agregar o mover fácilmente sin la
reingeniería del sistema.
Los nodos pueden incluir sensores, así como válvulas, motores y cargas de
iluminación.
La clave es un estándar abierto y capacidad plug-and-play [7].
El mercado industrial tiene aún más propuestas y elaborar normas que el mercado de
la automoción. Fieldbus es el término para un propietario digital estándar de
comunicaciones de dos vías en la automatización de procesos industriales. La
especificación de bus de campo definirá la aplicación, enlace de datos y f sica
capas del modelo ISO con capa-4 servicios definidos. La figura 6.5 ilustra una
típica aplicación industrial, con bus de campo como el más alto nivel de
rendimiento y un bus del sensor en el nivel más bajo [10]. Fieldbus no ha sido
completado, semiconductores y productos no están disponibles para implementar el
control de nodos. Dos protocolos que atraen a un número de usuarios industriales
sobre la base de sili- con productos se puede y LonTalk™.
6.5.1 El uso industrial de CAN
CAN ha sido aprobado para su uso en aplicaciones industriales por fabricantes como
Allen-Bradley y Honeywell en el sistema y SDS™ DeviceNET™,
respectivamente. Las redes de comunicaciones se han desarrollado como alternativas
más simples y de menor costo para fieldbus, que está siendo desarrollado como un
estándar industrial.

Comunicaciones para sensores inteligentes 131


Configuración típica de las grandes
estaciones de operador de sistema de control abierto Engineers' estaciones de
control de sistemas de supervisión de la red de bus de campo o de alta velocidad,
estaciones de operador de sensores y actuadores
Controladores (DCS, PLC) sensores y actuadores
AC y DC drives de baja velocidad
baja velocidad fieldbus fieldbus
sensores y actuadores de alta velocidad fieldbus
Figura 6.5 Arquitectura del sistema de control de bus de campo. (Después de: [10].)
Sin embargo, el bus está destinado a manejar una mayor cantidad de datos. Las tres
obras de net- están diseñados para el funcionamiento en tiempo real, pero cada uno
maneja una cantidad diferente de los datos transmitidos.
El protocolo CAN se usa para implementar tanto NET™ SDS™ y dispositivo-,
pero los dos sistemas no son interoperables. La diferencia entre ellos radica en la
capa física, que no está definido en la especificación puede, permitiendo a los
usuarios aplicar enfoques diferentes.
6.5.2 Protocolo
El Protocolo LonTalk™ LonTalk™, desarrollado por Echelon Corporation, ha
recibido un apoyo considerable para varias aplicaciones industriales y de consumo.
El pro- tocol define las siete capas del modelo OSI. Utiliza codificación
Manchester diferencial con la longitud del paquete de datos de 256 bytes y puede
funcionar hasta una velocidad máxima de 1,25 Mbps. El arbitraje es predictivo
Carrier Sense Multiple Access (CSMA) y la detección de colisiones y opciones de
prioridad. Los pro- tocol LonTalk™ puede utilizarse para apoyar los requisitos
de red del sensor para bus de campo [11]. Un sistema LonWorks™ trabaja en un
peer-to-peer y no requiere un host

132 Comprensión sensores inteligentes


1 Unidad central de procesamiento (CPU). Los eventos que ocurren en un determinado
dispositivo se comuni- cado directamente entre módulos. Red de control de LonWorks
tecnología ha sido seleccionado como un estándar por materiales semiconductores
Inter- nacional (semi). SEMI estándar E-61 especifica LonWorks como sensor de bus
para la conexión simple así como la complejidad de los sensores y otros equipos en
semicon- ductor de fabricación.
6.5.3 Otros protocolos industriales
otros protocolos industriales enumerados en la Tabla 6.2 ofrece ventajas a los
sistemas de control distribuido. Un breve resumen de los más conocidos, con
frecuencia los hombres- cionado, y protocolos mejor documentado concluirá esta
sección. Estos incluyen la autopista transductor remoto direccionable (Hart),
fieldbus, fieldbus de proceso (Profibus), SERCOS, topacio, y ARCNet™
protocolos.
Rosemount desarrolló el protocolo HART a finales de la década de 1980. Tiene un
grupo de usuarios dedicados (Hart Communication Foundation) con varios par-
ticipating empresas. Al abrir varios master es compatible con el protocolo de 4 a
20 mA bucle actual y también permite la comunicación digital [12].
La reciente combinación de los Sistemas Interoperables Proyecto Fundación (ISPF) y
WorldFIP Norteamérica a la Fieldbus Foundation tiene el potencial para completar
una especificación de bus de campo que se ha estado desarrollando durante más de 10
años. Fieldbus define el usuario capa en el modelo OSI, haciéndolo más amplio de
protocolos que se refieren únicamente a la física, enlace de datos, y/o de apli-
cación de capas (por ejemplo, CAN) [13].
Profibus es una norma industrial alemana DIN (Deutsches) estándar que admite una
velocidad de datos de hasta 1,5 Mbps. El sistema determinista utiliza un maestro-
esclavo jerarquía y tiene una capacidad de 127 nodos. El arbitraje es manejado por
com- my respuesta. EIA-485 se utiliza como la capa física [13]. Un número de serie,
sistema de comunicación en tiempo real (red de SERCOS típicamente consiste de ocho
nodos por anillo. Funciona a una velocidad de hasta 1 Mbps y a una distancia de
hasta 40m, a esa velocidad. Es un determinista multimaster con respuesta de
comandos de red y broadcast para el arbitraje. La capa física es de fibra óptica
[12].
Topacio puede manejar hasta 255 nodos y funcionar a una velocidad de 1 MHz. A 1 km,
la velocidad disminuye a 500 Kbps. El sistema multimaster es determinista y utiliza
tokens de arbitraje. La capa física utiliza EIA-485 inter- face [12].
ARCNet™ (Red inform tica de recursos conectada), una marca de Datos Corp., es
una transmisi n de tokens determinista Protocolo [14]. En un
1. LonWorks™ es una marca registrada de Echelon Corporation.

Comunicaciones para sensores inteligentes 133


ARCNet™ sistema, todos los nodos tienen igualdad de acceso a la red,
eliminando las colisiones de transmisión en redes con tráfico intenso. El protocolo
ARCNet™ Automation- camente reconfigura la red sin intervención de software si
un nodo se agrega o se elimina.
Otra especialidad de autobuses, incluido ControlNet, genio I/O y Sensoplex, han
sido desarrollados por fabricantes de control industrial. El cuadro 6.5 muestra los
atributos de 14 sistemas de bus industrial [12]. Sobre la base de la amplia gama de
capa- bilities, es fácil ver por qué tantos diferentes tipos de bus se han
desarrollado.
6.6 Office/automatización del edificio
el protocolo BACnet ha sido desarrollado por la automatización del edificio indus-
pruebe. Ethernet, ARCNet™, MS/TP y LonWorks™ están entre las redes que
pudieran comunicarse en el propuesto sistema compatible con BACnet siendo
desarrollados por la Sociedad Americana de calefacción, refrigeración y aire
acondicionado Engineers (ASHRAE). Normas de sistemas de gestión energética en los
edificios también están siendo desarrollados. Además, la Asociación de lectura
automática de contador (AMRA) está elaborando una norma para la lectura automática
de medidores.
IBIbus ha sido desarrollado por el Edificio Inteligente Institute [15].
Edificios de oficinas inteligentes ofrecen un alto grado de automatización. La
figura 6.6 muestra la interconexión de varios sistemas [15]. En las oficinas, los
nodos detectan los cambios en el medio ambiente y el estado de envío de los
mensajes de control y de otros nodos en respuesta a esos cambios. Nodos de poder
abrir o cerrar amortiguadores, cambiar la velocidad del ventilador, y realizar
otros ajustes sobre la base de esa información.
Tabla 6.5 Comparación de las redes de comunicaciones industriales
red de dispositivo de Bus del sensor del atributo
nombre de red Fieldbus SDS™ DeviceNET™ WorldFIP, ISP
dispositivos destino sensores pulsadores, sensores, transmisores, interruptores,
unidades, flujómetros, arrancadores de servoválvulas, válvulas
paquete de datos normalmente 1 byte hasta 8 bytes hasta 1.000 bytes
data rate ≤puede hasta 500 Kbps hasta 1 Mbps–2.5
cantidad limitada de datos de grandes cantidades de datos moderada la
interoperabilidad de datos específicos del proveedor Abierto

134 Comprensión sensores inteligentes


sensores de humo y fuego
Entertainment controla la iluminación programable

del medidor de potencia del aire acondicionado de control y detección de humedad de


deslastre de carga y
cerraduras electrónicas de seguridad Gestión de energía sensores
actuadores rociadores
Figura 6.6 La automatización de edificios.
Otros aspectos de estos sistemas son auto-diagnóstico, registro de datos, detección
de incendios y sistemas de rociadores, la supervisión del uso de energía y los
sistemas de seguridad.
6.7
El equipo de automatización del hogar control de futuras viviendas es el objetivo
del proyecto casa inteligente.
Entre los probables candidatos para la interconexión a la red son las ven-
tilation, calefacción y aire acondicionado (HVAC); sistema de calentador de agua;
rango; seguridad; y la iluminación [16]. Lectura de medidores remotos y la gestión
de la demanda por parte de las empresas de servicios públicos están entre las
fuerzas impulsoras para aplicaciones en el hogar. La aceptación del protocolo en
este entorno de consumo depende de lograr/nodo de bajo coste y facilidad de
operación. La velocidad de estos sistemas se van de baja a alta, dependiendo de los
dispositivos conectados al sistema. Tanto el mes- sage el tamaño y la complejidad
del protocolo de mensajes serán medio.
Hace más de dos décadas, X-10 Corporation ha desarrollado el protocolo X-10 para
los hogares, que ha sido ampliamente utilizado para la lámpara y el aparato de
control [17]. Más recientemente, la casa inteligente Aplicaciones Idioma (SHAL) fue
desarrollado e incluye más de 100 tipos de mensaje para funciones específicas.
Dedicada multiconductores se requiere cableado en el hogar. El sistema puede tratar
900 nodos y opera a una velocidad máxima de 9,6 Kbps. Otros dos contendientes en
este ámbito, son CEBus y LonTalk™.

Comunicaciones para sensores inteligentes 135


6.7.1 CEBus
Consumer electronics bus (CEBus) fue iniciado por el consumidor tronics Elec- Grupo
de la Asociación de Industrias Electrónicas (EIA). CEBus proporciona datos y
canales de control y controla un máximo de 10 Kbps. Tiene una aceptación creciente
en la industria de servicios públicos [13].
6.7.2
La aceptación de LonTalk™ LonTalk™ en automatización de edificios, la
plena disponibilidad de las capas OSI y la interoperabilidad son algunas de las
razones por las que es muy adecuado para el entorno de automatización del hogar.
Sencillez y facilidad de instalación también son atributos importantes,
especialmente para el equipo de add-on. Amplia aceptación en otros mercados también
conducirán la curva de aprendizaje para la reducción de costes que este mercado
requiere.
6.8 Protocolos de silicio en
algunos de los protocolos que se examinan en este capítulo han sido implementadas
en sili- con hardware y están disponibles desde múltiples fuentes. En algunos
casos, el proto-col es un circuito integrado independiente. Sin embargo, un
protocolo integrado en un MCU proporciona capacidad informática y una variedad de
funciones del sistema que afecta a la rentabilidad de cada uno de los nodos del
sistema.
6.8.1 MCU integrada con SAE J1850
un protocolo estándar proporciona suficiente volumen potencial de fabricantes de
semiconductores para diseñar una variedad de circuitos integrados. En muchos casos,
la solución altamente integrada, ofrece el menor coste por nodo. Por ejemplo,
Motorola's MC68HC705V8, como se muestra en la Figura 6.7, integra el J1850 com-
protocolo de comunicación, regulación de tensión on-chip, la interfaz de la capa
física, el J1850 aspecto digital (VPW versión), y otras funciones relacionadas con
los sistemas.
La solución integrada tiene muchas características que hacen que el diseño del
sistema más fácil y reducir tanto el número de componentes y el costo del sistema.
El corazón del J1850 chip es Motorola's controlador de enlace de datos (MDLC), como
se ilustra en la Figura 6.8 [18]. El MDLC maneja todas las funciones de
comunicación, incluyendo el almacenamiento en búfer de mensaje completo, acceso al
bus, arbitraje, y el error de protección [19]. Otras versiones J1850 han sido
aplicadas por un número de proveedores [20].

136 Entendimiento sensores inteligentes


Figura 6.7 Integración de sistemas en MC68HC705V8 IC. (Cortesía de Motorola, Inc.)
FIFO Rx1 11 bytes
FIFO Rx0 11 bytes
HC05 CPU
CPU Lógica interfaz FIFO/ controlador de protocolo de control de
transmisión FIFO 11 bytes
VSS
Figura 6.8 SAE J1850 Controlador de enlace de datos.
Filtro digital VBAT
J1850 BUS
J1850 Xcvr VPW Símbolo bus de codificación y decodificación de carga
REXT REXT1
gen CCR2./ control de
VCC

Comunicaciones para sensores inteligentes 137


6.8.2 MCU con
varios fabricantes de semiconductores integrados pueden han implementado el
protocolo CAN en una gran variedad de microcontroladores. La solución puede
integrado contiene una variedad de E/S, memoria y otras funciones del sistema. Un
punto clave del protocolo CAN es que, a pesar de que un conjunto de características
básicas debe ser implementado en cualquier dispositivo de la CAN, una serie de
características extendidas puede aplicarse también en silicio, dependiendo de la
aplicación de destino. Las consecuencias deben entenderse cuando la
interoperabilidad y la intercambiabilidad están siendo consideradas. Una serie de
fabricantes de semiconductores han diseñado y ofrece varias soluciones. De hecho,
la amplia disponibilidad de producto es uno de los motivos por los que los usuarios
industriales se pueden elegir [7].
Un ejemplo del protocolo CAN implementado en un MCU es proporcionada por Motorola's
M68HC05 la familia de microcontroladores. Esto puede aplicación se ajusta a la
parte CAN 2.0 una especificación. Todos Motorola puede (MCAN) dispositivos incluyen
automático de arbitraje de bus, Resolución de colisión, Reintentar transmisión,
filtrado de ruido digital, ID del mensaje filtrado, generación de bastidor y
verificar- ing, generación y comprobación de CRC, así como la simple transmisión y
recibir múltiples frame buffers [20]. Como se muestra en la Figura 6.9, el módulo
MCAN pro- mantiene el mensaje completo transmitir y recibir buffers y limitada
capacidad de filtrado de mensajes [21]. La interfaz de bus integrado incluye
comparadores de entrada y salida CMOS controladores. Sin embargo, un transceiver
externo pueden ser necesarias, dependiendo de la aplicación user's.
El módulo puede es totalmente independiente de la CPU y puede integrarse con un
núcleo de CPU, MCU y otros hardware, funciones de E/S en un solo chip.
La figura 6.10 muestra el diagrama de bloques de una de 32 bits Reduced Instruction
Set computadora (RISC) con dos microcontroladores CAN 2.0 integrado B (Tucán) mod-
eglas [22]. El chip tiene dos temporizador de tercera generación de unidades de
procesamiento que puede manejar el combustible y la chispa cálculos sin interrumpir
al procesador principal.
Cada unidad tiene su propio motor MicroRISC 32 bits, capaz de procesar 20 millo-
nes de instrucciones por segundo, y dispone de su propio programador temporizador
incorporado y 16 canales. Periféricos adicionales incluyen dos módulos de ADC en
cola, una cola de serie con dos módulos multicanal de alta velocidad asynchro nous
receptor universal- transmisores y una cola de puerto serie, 18 canales de
entrada/salida modular subsistema (MIOS1), y un sistema de control de interfaz de
bus de propósito general el bloque con el soporte de E/S. Este complejo chip fue
diseñado específicamente para aplicaciones de automoción de control del tren
motriz.
Para los fabricantes de automóviles para conseguir la completa funcionalidad del
sistema, una gama de productos debe estar disponible. La tabla 6.6 enumera otros de
menor coste microcontroladores de 8 bits con una variedad de características [23].
Ejemplo controladores de software disponibles para estas unidades

138 Comprensión sensores inteligentes de


gestión lógica de la interfaz de sincronización de bits (BTL) lógica (IML) interfaz
de CPU{ Transceive bus can logic (TCL)
Transmit Buffer (TBF) Error de gestión
lógica de recibir 0 buffer (EML) (RBF0)
recibe corriente de bits buffer 1 procesador (RBF1) (BSP)
Microprocesador lógica relacionada con la línea de autobús lógica relacionada con
la
Figura 6.9 módulo puede
proporcionar una interfaz entre el software de la aplicación residen en el MCU (ROM
o EPROM) y el módulo CAN. Las rutinas inicializar el módulo, puede transmitir
mensajes previamente almacenados en la memoria RAM, y administrar automáticamente
los mensajes recibidos [7].
En la memoria RAM, ROM o EPROM, EEPROM, es necesaria para el correcto
funcionamiento de CAN. La menor X4 versión incluye 4.096 bytes de memoria EPROM
(programable una vez) o la versión de ROM y 176 bytes de RAM. El X16 y X32 tienen
versiones de 15,120 bytes (EP)ROM, 256 bytes de la EEPROM, y 352 bytes de datos RAM
para programas más complejos. La EEPROM en el X16 también proporciona flexibilidad
para abordar y programación a través de la red.
Un usuario puede producir un número de módulos idénticos y ponga el ID en la EEPROM
cuando cada uno de ellos está instalado, para minimizar los costos de inventario.
El A/D permite una sencilla interfaz para los sensores y el módulo de la PWM puede
utilizarse para control de velocidad digital de dispositivos de alimentación. Los
temporizadores integrados pueden utilizarse como parte del programa de control.
Además, el almacenamiento del módulo requiere CPU puede inter- siones para cada
mensaje recibido o transmitido. Debido a la fun- cionalidad diseñados en el
MC68HC05X16, el módulo puede ocupa menos del 20% del área del chip, una
característica que hace de la función integrada muy rentable [24].

Comunicaciones para sensores inteligentes 139


26 kBytes 192 kBytes flash flash
L Bus interfaz ráfaga U U Sistema de bus externo Bus bus 12 kBytes PowerPC 10
kBytes interfaz SRAM SRAM CPU UNIDAD
L-Bus de U-bus Interfaz Bus L U-Bus serie cola cola cola intermodular multicanal
interfaz de bus CAN 2.0 Módulo ADC ADC controlador bus intermodular 2
hora el tiempo de doble puerto CAN 2.0 Procesador de Canal 18-temporizador modular
de controlador de procesador RAM Unidad 3 Unidad 3 sistema de E/S
Figura 6.10 Diagrama de bloques de un MPC555 PowerPC™ MCU, un chip que integra
dos módulos y una serie de funciones adicionales del sistema. (PowerPC™ es una
marca comercial de International Business Machines.)
Neuron® - 6.8.3 chips y protocolo
El protocolo LonTalk™ LonTalk™ es parte integral de una neurona, como
Motorola's IC
2 MC143150 o MC143120. La neurona IC es un procesador de comunicaciones y control
con un protocolo LonTalk™ integradas para entornos de redes multimedia, en el
que recibió aportes de la red se utilizan para controlar las salidas del
procesador. Como se muestra en la figura 6.11, el MC143150 tiene tres CPU: uno para
el control de acceso al medio (MAC), uno para el procesador procesador de red y uno
para el procesador de aplicación [7].
El procesador Mac maneja las capas 1 y 2 de la pila del protocolo ISO.
Que incluye la conducción del subsistema de comunicaciones hardware así como exe-
cuting el algoritmo de evitación de colisiones. Este procesador se comunica con el
procesador de red usando búferes de red situado en la memoria compartida [12].
El procesador de red implementa las capas 3 a 6 de la pila de ISO. Procesamiento de
variables de red, direccionamiento, procesamiento de transacciones, auth-
2. Neuron® es una marca registrada de Echelon Corporation.

140 Entendimiento sensores inteligentes


Tabla 6.6 MCU integrada con características adicionales y módulos puede
Función X4 X16 X32
MC68HC05 CPU Sí Sí Sí Basic protocolo CAN (Apo. 2.0 Parte A) Sí Sí Sí 8 bits del
registro de máscara ID para el filtrado de mensajes opcional Sí Sí Sí 1 Tx buffer
de mensajes 2 Rx Sí Sí Sí Sí Sí Sí búferes mensaje
Bytes del programa de usuario (EP)ROM 4,096 15,120 31,248
bytes de EEPROM - 256 256 bytes de datos uso de RAM 176 352 352
programables de entrada/outputpins, ( ) i ntroducción sólo 16 24 (8) 24(8)
Puerto B wired o interrumpir la operación - Sí Sí la comunicación Serial Interface
(SCI) - 8 canales Sí Sí Sí Sí - ADC de
16 bits con temporizador _ _ + captura de entrada salida compara 1 + 1 + 2 + 2 2 2
2 sistemas de modulación de duración de impulsos - Sí Sí
chip funciona correctamente (COP) de vigilancia (con COP Sí Sí Sí habilitado en la
opción de reinicio),
EPROM y EEPROM de protección - Sí Sí paquete (número de pines) 28 64/68 64/68
entication, antecedentes de diagnósticos, temporizadores de software, gestión de la
red y funciones de enrutamiento son manejadas por esta unidad. Además de la
comunicación con el procesador MAC, se comunica con el procesador de aplicaciones
mediante la aplicación de buffers.
El procesador de aplicaciones ejecuta el código escrito por el usuario y los
servicios solicitados por el código de usuario. El lenguaje de programación
principal es Neuron C, un derivado del lenguaje C. Mejoras en la Neurona C para
aplicaciones de control distribuido son compatibles en el firmware. Como resultado,
el usuario puede escribir aplicaciones complejas con menos memoria de programa.
Ambos chips Neuron® incluye un transceptor de modo directo y aplica- ción de 25
modelos de E/S. Otras funciones integradas son la red de la comunicación puerto;
varias funciones de E/S, incluidos dos temporizadores/contadores, fichaje y

comunicaciones de sensores inteligentes 141


Figura 6.11 Diagrama de bloque de MC143150 Chip Neuron®.
Capacidad de control; y (para el MC143150) 2 KB de memoria RAM y 512 bytes de la
EEPROM. Lógica difusa los granos han sido escritas para el Chip Neuron® que se
pueden utilizar con herramientas de soporte para implementar fácilmente la lógica
difusa como parte de la parte de control de la red distribuida [25].
6.8.4 MI-Bus
Motorola ha desarrollado un protocolo llamado MI-Bus para una solución de red de
bajo costo. Este enfoque para la clase una operación está construido alrededor
Motorola's HC05 y HC11 MCU y está diseñado para lograr un bajo costo en ciertas
aplicaciones de control maestro-esclavo. MI-bus protocol ha sido diseñada para el
control directo de (baja frecuencia) las cargas de energía [26]. La disposición
permite que el maestro-esclavo Un maestro para controlar tantos como ocho esclavos.
MI-Bus puede ser expulsada del puerto E/S. Cabe señalar que, incluso con el
considerable esfuerzo que han gastado en J1850 y especificaciones de hardware y
apli- ciones que se han desarrollado, necesita una solución alternativa puede ser
identi- zos por parte de un cliente con un volumen suficiente para justificar el
desarrollo de una solución personalizada.
La MCU inicia el protocolo mediante la emisión de una secuencia de 8 bits de datos
que contienen la dirección de 3 bits y 5 bits de control. Los tres bits de
dirección permite hasta ocho dispositivos que deben abordarse. Después de la
transmisión de datos, la MCU lee los datos de serie del dispositivo seleccionado.
Método de acceso al bus, secuencia de fotogramas,

142 El protocolo de entendimiento sensores inteligentes


validación de mensajes, detección de errores, y todos los valores predeterminados
definidos para el mi-Bus.
6.8.5 Otros MCU y protocolos,
el protocolo Profibus está disponible en RAM en un número de microcódigo semicon-
ductor de dispositivos. Un solo chip de red de área local (LAN) La solución ha sido
desarrollada para la interfaz Ethernet y una variedad de diferentes redes de
sensores, incluyendo Profibus [27]. Como se muestra en la figura 6.12, los nodos de
la red puede ser conectada a un concentrador Ethernet con cables de par trenzado.
El MC68360 en esta aplicación tiene una CPU de 32 bits que proporciona 4,5 a 25 MHz
MIPS para potencia y flexibilidad en cualquier sistema Ethernet existente. Porque
Ethernet es el primer número de LAN instalada, la interoperabilidad es esencial.
6.9 Otros aspectos de las comunicaciones de red
además de los protocolos ya discutidos, MCU fabricantes utilizan protocolos de
comunicaciones serie Entre ICs que se encuentran en la misma placa de circuito
impreso. Estas interfaces también pueden ser considerados para subsistemas de
comunicaciones de redes. Cuando MCU o cualquiera de los protocolos anteriormente
simplificado
como hubs Ethernet industrial integrar más funciones, cubos sencillos de hardware y
software se añaden procesadores
10Base-T de Ethernet de par trenzado concentrador de medios a 10 Mbps de velocidad
media y Profibus Ethernet conductores y controladores de interfaces de
red del sensor Sensor de Profibus nodos
Figura 6.12 interfaz Profibus y Ethernet.

Comunicaciones para sensores inteligentes 143


protocolos son utilizados, la necesidad de transición entre distintos protocolos
puede ocurrir, especialmente en sistemas complejos. Protocolos de MCU, la
transición entre los proto- cols, modular y de soluciones de protocolo son los
últimos temas sobre comunicación en este capítulo.
6.9.1 MCU protocolos
Serial Peripheral Interface (SPI) es un protocolo de alta velocidad que se utiliza
para transferir datos de forma sincrónica entre maestro y esclavo de unidades en
una red integrada de serie. Como se muestra en la figura 6.13, el módulo SPI es un
bloque de construcción definidos que pueden utilizarse para la transmisión de
información digital en un sistema a través de un protocolo definido por software.
Este módulo ya está contenida en una serie de familias de MCU. En la cola (SPI
QSPI) es una inteligente interfaz serial sincrónica con un 16-entrada, cola de
full-duplex. Puede explorar continuamente hasta 16 periféricos independientes y
mantener una cola de los más recientemente adquirido información sin la
intervención de la CPU.
La interfaz de comunicaciones serie (SCI) transmite utilizando sólo dos pasadores
en los MCU con un periférico de SCI. El protocolo SCI fue utilizado para
desarrollar el mi-Bus (que se discute en la sección 6.8.4). Esa opción se analiza
con más detalle en la sección 6.9.2.
La inter-IC, o I2C, es una de dos cables de interfaz serie half-duplex con los
datos transmitidos/recibidos por el bit más significativo primero. Los dos cables
son una línea de datos serie (SDL) y una serie de la línea de reloj (SCL). El
protocolo consta de una condición de inicio, un esclavo dirección, n bytes de
datos, y una condición de parada. Cada byte es seguido por un bit de
reconocimiento. El I2C se puede conectar periféricos por medio de una serie de E/S
síncrona puerto (SIOP).
6.9.2 Transición entre protocolos
porque existen varios protocolos de comunicación, la transición entre los proto-
cols frecuentemente es necesario. Un nodo Gateway proporciona la transición entre
maestro MCU periférico esclavo en Master/Slave con miso en Master/slave out de
desplazamiento de 8 bits de desplazamiento de 8 bits reg reg Master/Slave en
Master/Slave en MOSI
Serie SCK reloj reloj serie SS fuera de propósito general (PD5) seleccione Slave
(PD5)
Figura 6.13 el SPI.

144 Entendimiento sensores inteligentes


redes que utilizan diferentes protocolos. En algunos casos, el hardware
personalizado y soft- ware gateways convertir información de uno system's lenguaje
al de otro sistema. Idealmente, la MCU en este nodo tiene uno o ambos protocolos
que permiten una fácil transición. En el peor de los casos, la MCU usa un
dispositivo periférico separado para cada protocolo. La figura 6.14 muestra la
puerta principal de la CAN a un MI-Bus. En el lado maestro, el protocolo SCI MCU
comunes para muchos puede ser utilizado. En el otro lado de la puerta de enlace, la
MCU PUEDE tiene un módulo para la comunicación en la red CAN. La información de
control que permite pasar de la red CAN a través de la unidad de salida de cargas.
En el lado receptor, el Controlador I/O proporciona la interfaz para la carga. Un
controlador de motor paso a paso, el MC33192, fue el primer dispositivo para
controlar cargas en un ambiente automotriz utilizando el mi-Bus [26]. El
dispositivo integrado tiene tanto el mi-Bus- troller y un driver de puente completo
doble para el motor de pasos. Otros módulos pueden ser fácilmente diseñados para
controlar otras cargas simplemente mediante la revisión de la parte de salida del
MI-dispositivo del bus.
6.9.3 Transición entre los sistemas
gateway pueden proporcionar protección y seguridad para los sistemas de control.
Vel. moderna- cles proporcionan un entorno único para las comunicaciones, el equipo
y
las salidas controladas compresor
ventilador COI
COI Entradas:
Configuración de Humedad Temperatura COI monóxido de carbono Calefacción

Aire Gateway MCU SMC MI-Bus


INT amortiguador de admisión del motor de pasos puede
Figura 6.14 CAN-Bus para mi gateway y varios sensores y cargas.

Comunicaciones para sensores inteligentes 145


productos de entretenimiento. Además, el sistema de transporte inteligente (ITS),
los esfuerzos para mejorar la eficiencia y seguridad del transporte por superficie
requerirá una nueva tecnología en varios productos orientados al consumidor para
lograr sus objetivos. Sin embargo, los fabricantes de automóviles están preocupados
de que la fiabilidad y la fun- cionalidad de sistemas existentes puede verse
comprometida por la adición de hardware y software que desarrollan o no aptos para
su uso en vehículos. Como resultado, el SAE ha desarrollado su bus de datos (BID)
estándar. El BID realmente actúa como un firewall, controlar y limitar el flujo de
información entre las dos redes a sólo la información que es valiosa para ambos. El
enfoque de su bus de datos utiliza una interfaz de gateway MCU a una red de
electrones del consumidor- ics componentes y sistemas con los sistemas del
vehículo, como se muestra en la figura 6.15 [28].
6.9.4 El Protocolo como un módulo
del protocolo puede reconfigurarse fácilmente en un nuevo diseño MCU con el diseño
modular de la metodología descrita en el Capítulo 5. Además de la CPU y otros
módulos, protocolos de comunicaciones serie, incluso puede, ver-
siones de 2 SAE J1850, SPI, SCI, y I C puede ser tratada como un sistema modular de
periférico.
Dirección Teléfono teléfono CellCell botones botones de dirección Gateway
Controlador de
E-llamada E-controlador controlador de llamada en la pantalla del salpicadero en la
pantalla del salpicadero del
flujo de mensajes del controlador de puerta de enlace,
Receiver GPSGPS cerraduras de puerta/puerta/bloqueos
(OEM)
Audio buscapersonas buscapersonas
Sensores iDEN de iDEN
(Otros) (Otros)
su bus de datos bus existente
Figura 6.15 El BID, que aísla al consumidor productos añadidos del fabricante-
sistemas instalados en el vehículo.

146 Entendimiento sensores inteligentes


que permite nuevas características a añadirse fácilmente a una MCU integrada con un
proto- col como necesaria para diferentes aplicaciones. Además, un protocolo puede
añadirse fácilmente a un diseño MCU existente que pasará a formar parte de una red
de comunicación.
6.10 Resumen
La capacidad de sensores para comunicarse con otras partes del control Sys- tem
permitirá más inteligencia en el nodo sensor más distribuida y con- trol. Los
protocolos que tienen disponibles soluciones de silicio tienen una mayor
probabilidad de aceptación. Muchos tipos de estándares han sido desarrollados; sin
embargo, apli- cación pueden limitar sus opciones de compatibilidad. Enteramente un
nuevo protocolo desple- gado para aplicaciones específicas del sensor tendría que
estar bien definidos y aceptados por los usuarios del sensor para justificar los
costes de desarrollo necesarias para la aplicación del protocolo en el silicio.
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transductores," Proc. Sensores Expo West, San José, CA, Mar. 2–4, 1993, págs.
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Comunicaciones para sensores inteligentes 147


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[28] Los poderes, C. y R. Frank, "La "consumerización" de la automoción de su
entorno: el bus de datos, tecnologías de transporte futuro" SAE Conferencia, SAE
972839, San Diego.

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7
Técnicas de Control de
una máquina es inteligente cuando hace las cosas de una estructura común en tres
años.
-Marvin Minsky, creador del concepto de la inteligencia artificial
7.1 Introducción
sistemas de control distribuido (DCS) han llevado a la toma de decisiones a la sen-
sor. La inteligencia incorporada para el sensor inteligente puede tomar ventaja de
la vari- ety existentes y el desarrollo de técnicas de control. La medida en que
los nuevos paradigmas de computación afectará a los sensores depende de la
necesidad del control en el sensor y el costo efectividad del uso de las nuevas
técnicas. Las técnicas existentes de con- trol han crecido desde los controladores
lógicos programables (PLC) e instrumentos basados en PC. Proporcional-integral-
Derivativo (PID) y control de la máquina de estado son la base de muchos sistemas
de control. Sin embargo, los nuevos enfoques de la inteligencia artificial de
lógica difusa y redes neuronales afectará cada vez más a los sistemas basados en el
sensor. Lógica difusa ya está encontrando varias aplicaciones en electrodomésticos
y automóviles. Técnicas de control adaptativo utilizando el mayor per- formando
MCUs y DSPs permitirá sensores para ajustar los efectos de envejecimiento durante
su vida operativa. Las estrategias de control que implementan algoritmos
computacionalmente intensa será capaz de reducir una prueba de concepto de
demostración de laboratorio en una solución útil que puede tener aplicaciones
populares basados en el aumento de la capacidad de computación de MCUs y DSPs.
149

150 Descripción sensores inteligentes


7.1.1 Controladores Lógicos Programables
PLCs se utiliza en aplicaciones industriales para controlar una amplia variedad de
lógica y procesos de secuenciación. Un PLC típico se compone de una CPU, una
memoria programable- ory, interfaces de E/S, y una fuente de alimentación [1]. Los
PLCs más pequeños y menos costosos, pueden ser utilizados y el tiempo de respuesta
y la interferencia de ruido reducido por "la combinación de un sensor y un
microprocesador en una unidad, denominada comúnmente sensor" inteligentes [1]. Las
funciones desempeñadas por los sensores inteligentes en ese papel incluir la
corrección de las condiciones ambientales, la realización de las funciones de
diagnóstico y la toma de decisiones.
7.1.2 Sistemas de circuito cerrado- versus abierto
el sistema de control más simple es un sistema de circuito abierto. La entrada del
sensor va a una unidad de procesamiento, que produce una salida. Como se muestra en
la Tabla 7.1, que requiere conocimientos básicos de mecánica y física, así como la
mecánica a la interfaz eléctrica conocimiento para un sistema simple, como un
indicador de combustible [2].
La tabla muestra el creciente nivel de conocimiento requerido para implementar
exis- ingly sistemas más complejos con aplicaciones de automoción como ejemplos.
Un sistema de bucle cerrado puede utilizar el sensor para modificar la estrategia
de control y utilizar una estrategia de control para mejorar el rendimiento del
sensor [3].
La figura 7.1 es una comparación de una superficie capacitiva accelerome
micromecanizado- ter utilizando un bucle abierto el circuito de acondicionamiento
de señal y una señal de bucle cerrado con- ditioning circuito. El sistema cerrado
tiene ventajas sobre el sistema de circuito abierto, incluida la mejora de la
linealidad y rango dinámico más amplio. La tabla 7.2 es una comparación de varios
parámetros [3].
En general, un circuito único sistema cerrado tiene un nodo de comparación para un
punto de ajuste frente a una entrada (la señal de retroalimentación) de un sensor
sobre el estado del proceso que está siendo controlada. Sobre la base de la
compari- Hijo, se toman medidas de control para aumentar, reducir o mantener la
velocidad, flujo o alguna otra variable controlada por un actuador mecánico como
una válvula o el motor. El algoritmo de control PID es una técnica común en un
sistema de bucle cerrado [4].
7.1.3 Control PID, la
mayoría de un solo lazo controladores incluyen al menos tres principales: acciones
de control
proporcional, integral (o reiniciar), y derivado (o tasa). Cada acción cor- resonde
a una técnica específica para controlar el proceso. Proporción ajustes- nales
amplificar el error por una cantidad constante en relación con el tamaño y signo de
la desviación. La banda proporcional tiene una variedad de

técnicas de control de desviaciones en 151


Tabla 7.1 Tipos de sistemas de control de vehículo (Después: [2])
Sistema de conocimiento/Ejemplo de aplicación de habilidades
básicas de bucle abierto mecánica, física; indicador de combustible mecánico-
interfaz eléctrica
básica la teoría de retroalimentación de bucle cerrado de control automático de
temperatura
del procesador compleja función múltiple; motor de gestión de procesos secuenciales
sistema interactivo Interactivo; controles del sistema de frenos antibloqueo
Control de tracción y de análisis para el control
total del vehículo cae la arquitectura de control; herramientas de gestión
inteligente del modo de falla del vehículo; teoría de la comunicación; estructura
global de software Lenguajes de alto nivel; Entorno Externo simuladores de entradas
de la
tabla 7.2 Comparación de los sistemas de circuito cerrado y abierto de
bucle abierto del sistema de circuito cerrado del sistema Parámetro
Latchup posible no es posible minimizar la fatiga mecánica posible
linealidad Media Alta gama dinámica amplia
respuesta de frecuencia estrecha establecida por conjunto de amortiguación por
Ajuste de sensibilidad electrónica por conjunto de diseño mecánico en la
electrónica
el porcentaje de escala completa que corresponde a toda la gama de funcionamiento
del elemento de control [4].
Control integral es una función de tiempo, a diferencia de un control proporcional,
que no dispone de tiempo asociados con ella. Control integral responde a la
continuación de la opció- tence de desviación como una desviación. La combinación
de acciones integrales y proporcional resulta en un cambio a un ritmo constante
para cada valor de desviación.
La tarifa integral suele medirse en repeticiones por minuto.

152 Entendimiento sensores inteligentes


VREF C1
C3
- Salida de muestra y la salida C2
C4 + en espera de búfer
tierra
VREF/2
(un)

Reloj C1 C3 C2
- C4 + salida PWM PWM
analógico + VPN VP de salida del filtro de paso bajo
(b)
Figura 7.1 (a) versus de bucle abierto (B) circuito del acelerómetro de bucle
cerrado.
Control derivados sólo se utiliza en combinación con la acción de control
proporcional o integral. Los cambios en la velocidad o la dirección de la
desviación iniciar acción de control derivado. Esta acción reduce el tiempo que el
sistema

de técnicas de control 153 De


lo contrario tomar para alcanzar un nuevo punto de ajuste determinado por el
control proporcional.
Controladores con tasa de control derivados tienen amplitud y ritmo ajuste hora-
ciones. Control PID puede ser implementado tanto en sistemas analógicos y digitales
[4].
El algoritmo de control PID es definido por
T s Cs Rs ( ) ( )/ ( ) = = 1 (7.1)
donde: T (s) es la función de transferencia deseada, y R (s) y C (s) son
transformaciones de Laplace de la entrada de referencia r (t) y la salida
controlada de c(t) [5].
Si C (s) no se mide, el sistema es de bucle abierto. De lo contrario, una medida-
ción de C (s) se utiliza para proporcionar control de retroalimentación de bucle
cerrado. La figura 7.2 muestra la ubicación de los parámetros en el sistema de
control analógico [5]. R (t) para variar- ing con el tiempo, el seguimiento de un
problema que debe solucionarse. Para r (t)=constante, el prob- lem es uno de
reglamento. Alteraciones en la ruta de transmisión de avance y la ruta de
realimentación puede evitar c (t) desde idealmente siguientes r (t).
El proceso se controla normalmente determina si sólo proporcional, pro- portional e
integrales, o PID completo debería ser implementado. Como en la mayoría de los
sistemas, la solución más adecuada es uno de los más sencillos que permitan lograr
los resultados deseados. Sistemas de control basados en técnicas digitales puede
mejorar ana- sistemas de registro anterior. La figura 7.3 muestra la simplificación
que resulta cuando un codificador giratorio único proporciona la posición,
velocidad, y la conmutación de datos en un sistema de control de velocidad- [6]. El
número de conexiones del motor se redujo de 13 a 8. El cálculo de la velocidad
bloque se utiliza para interpolar la señal de salida del codificador para mejorar
la resolución.

Entrada 1 de salida P I E(s) S C(s)


S D
Figura 7.2 control PID.

154 sensores inteligentes comprender la

posición del mando de velocidad actual velocidad Controller - Controlador de


desacoplamiento - controlador de posición del convertidor - comando - Ii
conmutación de señales de
retroalimentación de posición del contador de realimentación de velocidad
codificador giratorio (posición real) tacogenerador (velocidad real) Hall elementos
(señales de conmutación)
(a)
el codificador rotatorio (posición, velocidad real, la conmutación de la señal de
realimentación del encoder) señal CA
Subdivisión de cálculo de velocidad de
realimentación de velocidad II - - - Posición - Velocidad - disociación actual
controlador controlador de
velocidad de posición de convertidor de comando Comando actual (B)
Figura 7.3 (a) versus analógico (B) control de velocidad digital. (Después de:
[6].)
7.2 máquinas de estado de
la máquina de estado es uno de los más comúnmente implementados funciones en pro-
lógica grammable [7]. La máquina de estado es en realidad un algoritmo de
secuenciación. Permite una rutina de servicio de interrupción para ejecutar un
algoritmo que se extiende a lo largo de muchas interrupciones. Máquinas de estado
pueden ser de circuito abierto o circuito cerrado [8]. Máquinas de estado son
desarrollados a partir de un diagrama de estado y una tabla de estado. El estado
dia- grama se determina al comienzo del proceso de diseño de una descripción del
problema. Una lengua natural, describe el funcionamiento del circuito. Un área
clave de interés es la síntesis de la maquinaria estatal, un proceso que permita
una rápida y fácil desarrollo del circuito desde una descripción funcional de la
máquina de estado. Si sólo un pequeño subconjunto de entradas es detectada,
mientras que el circuito se encuentra en un estado determinado, entonces una
máquina de estado algorítmicas se utiliza en lugar de un diagrama de estado.
Una máquina de estado finito es una representación matemática de un circuito
secuencial digital en la que símbolos abstractos, códigos binarios, no representan
a los Estados. Las máquinas de estado finito puede ser especificado en las tablas
de transición de estado o

las técnicas de control de circuitos 155


consta de puertas lógicas y flip-flops. Estos controladores dedicados puede ser
sincrónica o asincrónica y se puede implementar en hardware o software.
7.3 La Lógica Difusa
lógica difusa teoría de control es una alternativa a las tablas de consulta y
algoritmo culations cal- que es más fácil desarrollar y tiene ventajas de
rendimiento en muchas aplicaciones. La lógica difusa puede ser definida como una
rama de la lógica que utiliza grados de membresía en conjuntos en lugar de una
estricta true/false pertenencia [9]. La lógica difusa es encontrando aceptación en
consumidores, automoción, industrial, e incluso aplicaciones de toma de decisiones
[10]. El cuadro 7.3 da ejemplos de las actuales aplicaciones de lógica difusa.
En contraste al control PID, que modela el sistema o proceso controlado, lógica
difusa se centra en el comportamiento operator's humana [11]. Fuzzy Logic define un
conjunto parcial, no la adhesión estricta de uno normalmente asociadas con la
lógica booleana utilizada en las MCUs y DSPs. Reglas establecidas en lan natural-
meden establecer la pertenencia a los conjuntos difusos.
La figura 7.4 muestra un ejemplo de composición de lógica difusa para una presión
de entrada (o vacío). El conjunto fuzzy permite con diferentes grados de
pertenencia, cada expresada por un número en el intervalo [0, 1]. En este ejemplo,
a las funciones de suscripción y las reglas son establecidas para los cinco rangos
de presión muy baja, baja, normal, alta y muy alta. El valor de pertenencia para
ubicaciones intermedias es un número entre 0 y 1. Una regla de la muy elevada
presión podría ser este: si la presión es muy alta y, a continuación, disminuir la
potencia considerablemente, con un peso
Tabla 7.3 Aplicaciones de Lógica Fuzzy
Consumidor Automoción Industrial Decision Support
VCR Aire acondicionado HVAC del edificio de extrusión de
videocámaras de mezcla control de transmisión diagnósticos médicos
televisores horno control de suspensión controla el transporte aspiradoras
Regulador elevador de controles de temperatura controles
controles transportador secadoras de ropa
lavadoras calentadores de agua

156 Comprensión sensores inteligentes


Composición Muy baja Baja Normal Alta Muy Alta 1
0.7 0.5 0.3
0 0 65% 100% de
vacío / presión
Figura 7.4 fuzzy logic composición funciones para control de presion
de 0,7 asignado para "mucho." Para la presión baja, la regla podría ser: Si la
presión es baja, entonces Aumentar la potencia ligeramente, con un peso de 0,3
asignado para "ligeramente". La última parte del proceso es defuzzification lógica
difusa. El catión defuzzifi- proceso toma un promedio ponderado para traducir las
salidas difusa en un pecado- gle crisp valor. Las funciones de pertenencia de
salida se definen normalmente por singletons. Un singleton en un sistema de 8 bits
se define como un valor de 8 bits que representa el valor de salida correspondiente
a la etiqueta lingüística de la salida del sistema.
Para simplificar la aplicación de la lógica difusa en las MCUs, un kernel difusa
puede ser desarrollado por la MCU fabricante [12]. Un kernel difusa, o el motor, es
un software que realiza los tres pasos básicos de la lógica difusa: fuzzifi-
cación, evaluación de la regla, y defuzzification. Como se muestra en la Figura
7.5, la unidad de inferencia difusa (FIU) recibe las entradas del sistema y la
información de la base de conocimientos para cada paso del proceso. Todas las
aplicaciones específicas de infor- mación está contenida en la base de conocimiento
que se desarrolló independientemente del programa de inferencia difusa.
Con la lógica fuzzy, aplicaciones que se pensaba eran demasiado complejas para ser
práctico se controla fácilmente. Además, las reglas de un borroso Sys- tem suelen
mantener cierto incluso si los parámetros de funcionamiento del cambio en el
sistema. Que normalmente no es cierto en los sistemas de control convencionales.
En general, la lógica difusa no requiere hardware especial. Los requisitos de
software puede ser baja a partir de un número limitado de reglas para describir el
Sys- tem. Para la mayoría de tareas de control, el software que se ejecuta en los
procesadores estándar puede realizar operaciones de lógica difusa. Hardware
especializado no simplificar el desarrollo de código y aumentar el rendimiento
computacional para las aplicaciones de bajo costo.

Técnicas de Control
Fuzzy 157 suministrado por las entradas del sistema de inferencia de procesador de
aplicaciones expertos
miembros de Entrada funciones Fuzzification entradas Fuzzy
Regla evaluación
salidas
salida Defuzzification difusa membresía funciones resultados de cálculo de tiempo
de ejecución

figura 7.5 salidas del sistema DIF.


La lógica difusa permite microcontroladores de 8 bits para realizar tareas que de
otro modo podrían haber necesitado una MCU más potentes, tales como un procesador
RISC.
La Lógica Difusa ha sido utilizado con sensores múltiples para producir un móvil de
seguri- dad de robot para evaluar el entorno en una galería de arte [13]. Como se
muestra en la Figura 7.6, la lógica borrosa certeza de motor en el robot pesa
varias vari- ables, crea una imagen compuesta a partir de los datos suministrados
por los sensores, y per- formas de identificación de amenazas en tiempo real y
evaluación. El robot es capaz de analizar los datos en función de su ubicación, la
hora del día, las tendencias históricas y las condiciones externas. Una amplia gama
de amenazas de seguridad en detrimento de objetos de arte ha sido identificada por
el robot durante 36 meses de evaluación. Una obvia ampliar- sión de esta tecnología
es la evaluación de la calidad del aire para condiciones perjudiciales para los
seres humanos.
7.4 Redes neuronales
a diferencia de lógica difusa, redes neurales permiten al sistema en lugar de un
experto para definir las reglas. Por definición, una red neuronal es una colección
de nodos de procesamiento independientes que solucionan problemas comunicándose el
uno con el otro en un

entendimiento inteligente de
temperatura de 158 sensores de humo de gas sensor de radar pasivo de humedad del
sensor de infrarrojos de la
tarea de análisis de captura de adquisición de datos de la tabla de tareas
pizarrón lecturas y buffers
tabla de tareas certeza motor tarea
Blackboard amenaza puntuaciones y alarmas
y rastreo de adquisición de objetivos
figura 7.6 Una variedad de sensores aportación a la lógica borrosa certeza de motor
de un robot móvil. (Después de: [13].) de
manera más o menos análoga a las neuronas en el cerebro humano [11]. Neural Net-
Works son útiles en sistemas que son difíciles de definir. Tienen la ventaja
adicional de ser capaz de operar en un entorno de alto ruido. O numerosos complejos
patrones de entrada se encuentran entre los problemas que se están abordando las
redes neuronales [14].
Figura 7.7(a) muestra la estructura de una neurona [14]. La neurona aprende a
partir de un conjunto de datos de entrenamiento. Cada entrada a la neurona se
multiplica por el syn- ábside de peso. La neurona suma los resultados de todas las
entradas ponderadas y procesa los resultados con un típicamente no lineales para
determinar la función de transferencia de salida. Una memoria local almacena
cálculos anteriores y modifica los pesos como aprende.
Una red neuronal se compone de un número de neuronas conectadas de alguna manera,
como se indica en la Figura 7.7(b). En este modelo, existe una capa oculta que
impide la interacción directa entre la entrada y la salida. Sin embargo, la capa
oculta no es necesaria, y más de uno puede existir. Además, el número de neuronas
no tiene que ser el mismo en cada capa. A entrenar o condicionar la neurona para
una respuesta adecuada, varios conjuntos de insumos con resultados conocidos se
aplican a la red neuronal. La salida se compara para cada conjunto de insumos a los
resultados conocidos, y los pesos se ajustan para compensar los errores.

Las técnicas de control de 159


pesos de entrada Synapse X1
W1 nodo sumador Semilinear entrada X2 la función de
salida de la Neurona ӏ W2 y
W3 X3 de entrada

entrada WN XN
(a)
X0 Y0
X1, Y1,
Y2, X2,
X3,
X4 y Y34
input layer capa oculta la capa de salida
(B)
Figura 7.7 (a) y (b) la neurona red neuronal. (Después de: [14].)

160 Comprensión sensores inteligentes


un ejemplo de una posible aplicación de una red neuronal es el control de un
sistema de inyección de combustible de automoción [15]. La producción de vehículos
cumplen con los requisitos de las normativas sobre emisiones utilizando la
calibración y tablas de búsqueda. Sin embargo, la normativa de emisiones para 2003
tienen nuevas reducciones de los hidrocarburos (HC), óxidos de nitrógeno (NOX) y
monóxido de carbono (CO) que pueden requerir la función-aproximación, el
aprendizaje y la capacidad de adaptación de las redes neuronales.
Mediante una red neuronal, un control de la relación aire-combustible
estequiométrica (A/F) puede ser mantenida a lo largo de la vida del vehículo,
incluso si el motor de cambio de dinámica.
Resultados experimentales con una red neuronal y un sensor A/F lineales han
demostrado la capacidad de controlar stoichiometry dentro de ±1%, que era mejor que
el de la unidad de control de la producción.
7.5 combina Lógica Difusa y Redes Neuronales
lógica difusa y redes neuronales se combinan para utilizar las mejores
características de cada tecnología. Un enfoque comienza con un conjunto de reglas
fuzzy que han sido bien sintonizado por un experto mediante ensayo y error métodos.
A neural-como mecanismo de adap- tiva se instala entonces en el sistema fuzzy para
manejar circunstancias excepcionales, cuando el sistema está en uso. Estos sistemas
compensar cargar variables y el desgaste que se produce a lo largo del tiempo [16].
En un enfoque alternativo, el sistema fuzzy está toscamente definida por los
expertos.
La base de reglas fuzzy es refinado con una red neuronal. La red neuronal se adapta
a minimizar los errores.
Otro enfoque combina memorias asociativas difusas con neural net- works. En
general, una memoria asociativa es una arquitectura neuronal utilizado en
aplicaciones de reconocimiento de patrones. Los patrones de datos de Network
Associates con determinadas clases o categorías que ha aprendido. Esa combinación
produce un sistema en el que el extremo delantero de la red neuronal aprende las
reglas de datos de entrenamiento y luego proporciona las reglas a un back-end de
lógica difusa para ejecutar las normas [16].
Los ejemplos anteriores se inició con un sistema fuzzy y aplicado neural net-
aprendizaje del trabajo. Otros investigadores han comenzado con redes neuronales y
lógica difusa aplicada. En estos sistemas, la red se adapta de una manera más
inteligente.
La última tecnología en este ámbito podría ser evolutivo del aprendizaje, la
aplica- ción de los algoritmos genéticos para combinar sistemas neuronales difusas
y automáticamente.
Los algoritmos genéticos son guiadas estocástico técnicas de búsqueda que utilizan
los principios básicos de la selección natural para optimizar una determinada
función [17]. Estos conceptos avanzados de control están siendo exploradas para la
optimización de procesos en la fabricación de complejas ICs.

Técnicas de control 161


7.6 Control Adaptativo
Adaptive control es un sistema de control de procesos avanzados de técnicas que es
capaz de ajustar automáticamente o adaptarse para satisfacer una salida deseada, a
pesar de los cambios en los objetivos de control y las condiciones del proceso o
incertidumbres no modelados en la dinámica del proceso [17]. Debido a su capacidad
para aprender, las redes neuronales tienen la capacidad de proporcionar control
adaptable, pero no son los únicos medios. Como se muestra en la Figura 7.8, la
diferencia entre el desempeño deseado y el rendimiento medido en el sistema de
control es el punto de partida para el proceso de adaptación [18]. El sistema
adaptativo modifica los parámetros del controlador adaptable para mantener la
calificación de rendimiento cercano al valor deseado.
Todos los sistemas de control adaptativo tener un amplificador convencional de tipo
bucle de realimentación y un bucle adicional diseñado para identificar el proceso
en línea y determinar los parámetros que se ajustan sobre la base de los parámetros
de proceso. La operacio- ción de un algoritmo de identificación y un bucle de
control exterior mantiene el rendimiento en presencia de perturbaciones. Un sistema
adaptativo indirecta tiene un bucle exterior adicional para realizar la
identificación del sistema, y proporciona acceso a los parámetros del proceso de
monitorización y diagnóstico [18].
Control adaptable puede ser obtenido en la lógica difusa sistemas usando un
controlador que funciona a un nivel superior para realizar funciones de control
adaptable y tuning [19]. Figura 7.9 compara la arquitectura de ese enfoque a un
bajo nivel directo del sistema de bucle cerrado. Los ajustes que el fuzzy logic
controller realiza
perturbación deseada rendimiento
adaptativo de referencia del controlador de entrada salida de planta de
comparación de rendimiento de ajuste del sistema del sistema de medida de
calificación
Figura 7.8 Sistema de control adaptativo.

162 Entendimiento sensores inteligentes de


control comandos Fuzzifier Fuzzy knowledge base de sensores de medición y
referencia (proceso de inferencia insumos) mecanismo de control Defuzzifier
acciones salidas de proceso
(a)
procesador de señal difusa del sistema de vigilancia de la sintonización y
adaptación de los sensores
de las entradas de control de bajo nivel de los controladores de proceso proceso
nítido salidas
(b)
Figura 7.9 (a) bajo nivel de control directo y (b) Ajuste de alto nivel/control
adaptable en el sistema de control de lógica difusa. (Después de: [19].)
incluir online y offline de ajuste los parámetros de controlador, online adapta-
ción de la controlador de bajo nivel, y la auto-organización y dynamic restructur-
ción del sistema de control.
7.6.1 Detección de Observadores Los
observadores o algoritmos que correcto para variaciones de modelos físicos, están
siendo cada vez más utilizados en los sistemas más complejos, tales como los
controles de motor y los controles del motor de automoción. Una representación en
el dominio del tiempo discreto de un observador en un sistema de control del motor
se muestra en la figura 7.10 [20]. En la figura 7.10, la intención es la de
calcular el mejor valor estimado para la velocidad de la medida de la posición del
rotor. En la figura 7.10, u es la tensión de entrada, es una matriz que representa
la dinámica motor's, B es el vector de entrada, D es un vector que indica cual de
las variables de sistema es la salida (posición), X es el vector de variables de
estado que incluye dos componentes: posición y velocidad,

Técnicas de Control Z es el
Observador 163
H
- Xe Xe(n+1)(n) øe + B
-1z D + + - Vel d' una velocidad estimada
u X (N+1) X (n) + Ø B -1z D
Control +
una señal de posición de salida
(Motor y transmisión)
Figura 7.10 El diagrama de bloque de un observador para control de velocidad en
bucle cerrado.
delay de operador, y H es el observador de vector. La parte inferior de la figura
7.10 se muestra el diagrama de bloques del motor real, y la parte superior contiene
el observador que está en el algoritmo de software [20].
El observador calcula tanto la velocidad y posición. Una comparación de la posición
estimada con la posición medida se utiliza para corregir para el próximo período de
muestreo. Error de estimación se usa para lograr una mejor estimación para el
siguiente intervalo de muestreo. El observador vector ganancia H se utiliza para
modificar el observador dinámica.
Feedforward técnicas utilizan sensores para modificar los valores estimados para
las entradas del sistema que están en el modelo de observación [21]. La creciente
complejidad de los controles del motor de automoción para cumplir con los cada vez
más estrictos objetivos de emisiones pueden requerir sistemas que anticipar, actuar
y, a continuación, ajustar los algoritmos basados en mediciones sobre un cilindro
por cilindro. Métodos basados en el modelo también puede reducir el esfuerzo de
calibración que lleva mucho tiempo y esfuerzo para cada motor de combustión interna
que un fabricante produce. Sensor inteligente basado en la toma de decisiones
también ha sido investigado como una posible solución basada en computadora
mecanizado desatendidas [22]. Estas y otras técnicas que amplían la capacidad de
las redes neuronales dependen en gran medida del sistema sensor de la sinergia.

164 Entendimiento sensores inteligentes


7.7 Otras áreas de control
computacionalmente intensa modelos como modelos ocultos de Markov (HMM) (que se usa
en el reconocimiento de voz automático) se utilizará más frecuentemente a medida
que aumenta la potencia informática disponible [23]. Mayor rendimiento para un
control a tiempo real se logra en los DSPs y los sistemas multiprocesador. Por
ejemplo, auto- mático de reconocimiento de voz (ASR) ha sido implementado en la ROM
en un chip DSP. La HMM técnica trata el discurso como un proceso estocástico para
coincidir con la entrada a un comando de Word. En estos sistemas, la señal de
entrada del sensor de un micro teléfono afecta directamente a la relación señal-
ruido de la entrada. Un ancho de banda limitado y alto ruido sistemas, tales como
líneas telefónicas, todavía causa problemas en algunos sistemas de reconocimiento
de voz existente. Sin embargo, las continuas mejoras en algoritmos y motor
computacional están mejorando el proceso.
Informática multiprocesador se utiliza hoy en día para controlar el robot
industrial- ics. Los potentes procesadores admiten la aplicación de visión
artificial, reconocimiento de voz y reconocimiento óptico de caracteres. Técnicas
utilizadas en el mul- tiprocessing comunes incluyen la transformación de Fourier,
convolución lineal de predic- ción, Dynamic Time Warping, patrones y procesamiento
espectral [24].
La transformada discreta de Fourier se utiliza para determinar la frecuencia de
com- ponentes de series de tiempo. Multiplicación de una matriz de funciones de
seno y coseno con el vector de series de tiempo-frecuencia produce el vector de la
serie. Calculando un 64 elemento vector de series de tiempo simultáneamente en 64
procesadores (uno de los componentes por procesador), el tiempo de procesamiento se
redujo a 164 del tiempo uniprocessor's.
La convolución es utilizada para filtrar una serie de tiempo. Se requiere calcular
el interior de los productos de las secciones de series de tiempo con un
coeficiente vector que define las características del filtro. Mediante el uso de un
núcleo de circunvolución de 16 elementos o funciones del software y distribuir los
elementos de un procesador 128 con sólo un amplio elenco de las series cronológicas
de vector, el cálculo se realiza 128 veces más rápido.
Predicción lineal se utiliza para obtener suavizan, compacto repre- tations
espectral de una señal. Se requiere calcular la función de autocorrelación de la
señal horaria. Que es idéntico al cálculo de convolución con el núcleo de
circunvolución, sustituido por una sección de la serie temporal de autocorrelación.
Por transformación de un coeficiente por procesador, la función de autocorrelación
se calcula N veces más rápido, donde N es el número de coeficientes de
autocorrelación calculado. Codificación predictiva lineal es frecuentemente usado
para reconocimiento de voz.
Dynamic Time Warping calcula la similitud entre dos señales que tienen diferentes
patrones de alineación de tiempo no lineal. El cálculo determina la ruta óptima a
través de una matriz de distancias Euclidianas cuadradas formadas a partir de las
distancias entre las secciones de muestras discretas de las señales. Se están
estudiando varias rutas basadas en el algoritmo seleccionado, y el total mínimo de
dis- cia define la similitud y la mejor ruta de alineación. Coincidencia en

las técnicas de control de plantilla de 165


linear-clasificador de cuantificación vectorial requiere un cálculo similar de la
EUCLID- ean distancia entre un desconocido vector de características y un léxico de
plantillas.
Time Warping es otro enfoque para el reconocimiento de voz.
Procesamiento espectral implica una secuencia de cálculos. La computa- ciones
incluyen un vector de peso, transformada de Fourier, la conversión de lo real a
imagi- nary componentes para alimentación, y la conversión de potencia en
decibeles. El cálculo final de los componentes de potencia del espectro de
frecuencias se convierten en decibelios con un estándar lineal a logarítmica
función de biblioteca. La cantidad de procesamiento es indicativo del
reconocimiento de voz e imagen.
Memoria asociativa se utiliza en aplicaciones de reconocimiento de patrones, en la
que la red se usa para asociar los patrones de datos con determinadas clases o
categorías ya ha aprendido [17].
El control áreas discutidas en esta sección están destinados a algunas de las
necesidades informáticas de gama alta en los sistemas sensoriales. Como se muestra
en la Tabla 7.4, estas tecnologías son esenciales para muchas aplicaciones en
sensores inteligentes. Más que un método puede utilizarse para implementar una
solución para estos complejos sistemas.
7.7.1
El complejo RISC vs. CISC Instruction Set Computer (CISC) arquitectura es la
metodología establecida para la computación de escritorio y aplicaciones de control
incorporado. Un
cuadro 7.4 Nuevas Técnicas para aplicaciones de detección inteligente
técnica que permite la tecnología
DSP de reconocimiento de voz, redes neurales (NN), RISC multiprocesador (MP)
DSP de reconocimiento de escritura a mano, MP, NN, lógica difusa (FL)
DSP Multimedia, FL, RISC, MP
Digital DSP de sonido
fax/módem circuitos integrados de radiofrecuencia (RFICs),
almacenamiento de datos CISC Flash, DRAM, SRAM
CD-ROM
DSP de realidad virtual CISC, RISC, FL, MP synthesized speech DSP, RISC, NN, MP
de compresión de datos de
reconocimiento de patrones DSP DSP de alto rendimiento, MCU, NN

166 Comprensión sensores inteligentes


embedded system tiene uno o más dispositivos de cálculo (que pueden ser MPUs o MCU)
que no son directamente accesibles a los usuarios del sistema. Una adición
relativamente nueva para las necesidades informáticas es el Reduced Instruction Set
Computer (arquitectura RISC). Equipo y los fabricantes de estaciones de trabajo que
buscan el máximo nivel de rendimiento es utilizando la arquitectura RISC. Las
aplicaciones informáticas integradas también están utilizando el rendimiento que
ofrece este enfoque. La transición desde el CISC a RISC puede ser entendida
analizando la siguiente ecuación de rendimiento MPU:
MHz Instrucciones Relojes ⋅ / (7,2) rendimiento = Instrucciones
CISC asignar arquitecturas basadas en transistores para disminuir la denomina- tor
de (7.2) [25]. Sin embargo, basados en las recientes mejoras en el precio, el
rendimiento de memoria de semiconductor y los significativos avances en la
tecnología del compilador, los transistores pueden reasignarse para aumentar el
numerador. Esa es la base de la arquitectura RISC que libera los transistores para
integrar componentes adicionales. Los componentes adicionales que pueden ser
periféricos o kernels microcoded que mejoran el rendimiento en una aplicación
específica.
Dos enfoques, CISC y RISC, están ahora disponibles para resolver una variedad de
problemas de aplicación en diversos mercados. Porque ninguna solución informática
es correcta para todas las aplicaciones, los diseñadores deben elegir el método que
satisfaga sus criterios de diseño. Para una determinada aplicación, existe una
solución que mejor se adapte a las necesidades y más de una solución viable.
Diseños basados en la arquitectura CISC continuará para satisfacer un gran número
de aplicaciones, especialmente en el control incorporado. Sin embargo, RISC ha
establecido una presencia creíble en una variedad de entornos informáticos
comerciales y su uso se expanda en aplicaciones integradas. RISC architec- tura en
un entorno integrado no aprovechar el bus de 64 bits, memoria de estado de espera
cero, o la cantidad de memoria integrados en un chip MPU de escritorio. Para ser
asequibles, el rendimiento de RISC es comprometido pero aún más allá de las
capacidades de la arquitectura CISC today's MCU.
CISC MCUs van desde simples unidades de 4 bits y las más populares unidades de 8
bits hasta 32 bits de unidades. Las versiones de bajo coste son fáciles de combinar
con captadores simples tales como presión, flujo o sensor de aceleración para
proporcionar un sensor inteligente.
El alto rendimiento de 32 bits CISC y RISC unidades están permitiendo estrategias
complejas y diagnósticos en motor de automoción y sistemas de control del tren
motriz.
También son necesarios para la detección más complejas en la obtención de imágenes
y sistemas de navegación.

Técnicas de control
combinado de 167 7.7.2 CISC, RISC y DSP
una interesante demostración del valor de ambos de CISC y RISC es pro- rectamente
en un circuito de control de comunicaciones se muestra en la figura 7.11 [26]. Esta
es una solución de un solo chip que incorpora el CISC, RISC, y tecnología DSP. La
tecnología CISC (68000) se utiliza para el procesador multiprotocolo integrado.
Tres canales de comunicaciones serie Gestionar control de enlace de datos de alto
nivel (HDLC), asincrónico (UART) y síncrona BYSYNC protocolos. Un Personal Computer
Memory Card International Association (PCMCIA) bloque proporciona una interfaz
directa para un bus PCMCIA (PC card). RISC es utilizado para la comunicación del
procesador. Como resultado, los puertos funcionan independientemente de la 68000-
host y permitir que el procesador 68000 para manejar las tareas de control de nivel
superior [27]. Tecnología DSP proporciona un mayor rendimiento a través de la
arquitectura paralela (Harvard). Que le permite simultáneamente el programa fetch,
datos de X, Y Y-Memoria de datos. Porque ambos núcleos utilizar memoria común, el
costo es reducido.
Motor de comunicaciones de
68K, 68K, 68K, bus PCMCIA
puerto bus B
16550 RISC CP
SCC2 acceso directo
SCC3 SCC1
DSP 56K externo bus*+ SCI IRQA bus I/F.B * ningún interno DSP externo SSI ROM y
memoria RAM necesaria
Figura 7.11 Diagrama de bloques combinados CISC, RISC y DSP para comunicaciones de
datos.

168 Entendimiento Sensores Inteligentes


La comunicación procesador puede aplicarse a aplicaciones que incluyen detección de
cinta de compresión de voz y contestadores automáticos de la transmisión simultánea
de voz y datos. Lo demuestra la medida en que las tecnologías pueden ser integrados
y que indica el potencial de integración de control del sensor en el futuro.
7.8 El impacto de la Inteligencia Artificial, la
lógica difusa y redes neuronales afectará sin duda no sólo los sistemas de control,
sino también los sensores que se utilizan en estos sistemas. Un análisis que se
muestra en la figura 7.12 sugiere que la inteligencia artificial se requieren
sensores con precisión "inferior" y, posteriormente, costará menos [28]. Al mismo
tiempo, el número de aplicaciones de sensor aumentará como resultado de la
inteligencia artificial (y el menor costo). La inteligencia artificial incluye la
tecnología de control más reciente- niques, tales como la lógica difusa y redes
neuronales.
El control de toma de decisiones en sistemas de lógica difusa puede ser realizado a
pesar de la absoluta precisión de los datos sensoriales [29]. Como resultado,
especificaciones de rendimiento cambiará de punto a punto a las especificaciones
del tipo de dominio.
La precisión del sensor, más o menos
lógica fuzzy logic: Tradicional: el principio del principio de extracto de
razonamiento razonamiento aproximado
del sistema basada en el conocimiento: sistema neuronal artificial: principio de
duplicar el principio de aprendizaje de la experiencia humana
menos más oportunidades de aplicación del sensor
Figura 7.12 Efecto de la inteligencia artificial en los sensores. (Después de:
[28].)

Técnicas de Control 169 de


dominio escriba especificaciones permiten que el sensor funcione con mayor
tolerancia en condiciones de repetibilidad, exactitud y linealidad de la deriva.
Una extensión natural de las reglas de lógica difusa para el sensor tiene el sensor
expresar la medición en términos del grado de pertenencia al dominio predefinido.
Esos principios han sido ya aplicadas al color, la proximidad, el control de
fluidos, y sensores de posición.
Un extenso análisis de la teoría de control clásico, lógica difusa, Neural Net-
works, y áspera de la teoría de conjuntos se ha realizado para sensores
inteligentes [30]. Los autores han definido un modelo de inferencia operator's que
permita la evaluación de la situación, la asignación de la situación a un estado
característico, y la selección y ejecución de la característica apropiada de
control. El modelo ha sido utilizado para evaluar los sensores inteligentes y
diseño del sistema de control. El rough set en el análisis es similar a la lógica
fuzzy, excepto que un áspero reemplaza el fuzzifier ADC en el controlador, y
esbozar una DAC reemplaza el defuzzifier. El motor de inferencia en el controlador
evalúa la tabla de decisión para el conjunto irregular. Las tablas de decisión
utilizados para derivar las reglas en el rough controlador son fáciles de entender
y fácil de editar.
Como parte de sus conclusiones, los autores determinaron que el control clásico-
ory, una tecnología madura con mucho hardware compatible, pueden lograr más
complejas mediante el aumento de la informática de millones de instrucciones por
segundo.
La Lógica Difusa ha desarrollos comerciales disponibles que están haciendo su
accep- cia generalizada, pero tiene inconvenientes de seguridad y fiabilidad. El
rough set puede ser utilizado para la coincidencia de patrón y es rápido y de bajo
costo, pero tiene la estabilidad e integridad de preocupaciones similares a
aquellos con lógica difusa y redes neuronales. Las redes neuronales pueden
proporcionar un sistema analógico que se integra fácilmente con los sensores, pero
tienen el problema añadido de una decisión desconocida. Atención a las esferas de
preocupación, sin embargo, es permitir que todos los sistemas puedan ser evaluados
para nuevas aplicaciones. La combinación de estas técnicas de control con sensores
alcanzarán nuevos niveles de detección inteligente.
7.9 Resumen
Este capítulo discute las técnicas de control y mejoró significativamente la
comput- ing capacidades. Lógica difusa ya está encontrando una amplia aceptación en
muchas aplicaciones de con- trol. Los sistemas más complejos se beneficiarán de
lógica difusa y otros métodos avanzados, tales como algoritmos basados en el
modelo. Algunos de esos sistemas se utilizan más comentarios y, por consiguiente,
más sensores. Sin embargo, los sensores, al menos en algunos casos, puede que no
tengan que ser tan precisas y por lo tanto podría compensar, al menos algunos de
los costes añadidos de cada vez más inteligentes.

170 Entendimiento sensores inteligentes


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Esta página se ha dejado intencionadamente en blanco

8
transceptores, Transpondedores, y telemetría
Tricorder lecturas indican un nivel extraordinariamente alto de nitrium.
-El Teniente Comandante Data, en Star Trek: La Próxima Generación
8.1 Introducción
un cambio monumental que se aceleró a fines del siglo XX y que está afectando
también a la detección es el deseo para portátiles, productos inalámbricos. La
proliferación de los ordenadores portátiles, combinada con la comunicación
inalámbrica tendrá el mismo efecto en sintiendo que el cambio de un mainframe con
computadoras personales que había en el suelo de la fábrica. El número de
parámetros de la detecta y la facilidad de obtener mediciones aumentará basados en
sensores remotos inalámbricos.
Las mediciones remotas requieren la combinación de las tecnologías digitales
(examinadas en el capítulo 5) y de radio frecuencia (RF), semiconductores,
incluyendo radio frecuencia RFICs (ICs). En algunos casos, la tecnología de RF se
utiliza para realizar la función de detección.
El uso de la tecnología de RF en la teleobservación históricamente ha sido associ-
ciada con el análisis de parámetros geofísicos tales como aire y superficie de
tempera- tura, la velocidad del viento, precipitación y velocidad. Esta información
es necesaria para predecir el clima y normalmente se obtiene a partir de equipos
montados en aviones, satélites y globos meteorológicos. Las aplicaciones de RF
siguen creciendo; nuevas aplicaciones comerciales que son portátiles y mucho menor
costo objetivos serán el foco de este capítulo.
173
174 Descripción sensores inteligentes
inalámbricos portátiles requieren productos de bajo consumo de energía para
aumentar su vida útil antes de requerir el reemplazo de las baterías. Para la
medición de bajo consumo de energía, los sensores de alta impedancia, modo de
reposo y smart tech- niques tales como la técnica de PWM (véase el capítulo 5) son
obligatorios. Dependiendo del tipo de medición (estática o dinámica) y con qué
frecuencia deben hacerse lecturas periódicas pueden ser transmitidos a los
instrumentos de registro distante en controles de proceso, sistemas de control de
materiales peligrosos, y una variedad de aplicaciones de adquisición de datos
móviles. Estas lecturas habría sido más lento, peligroso, prohibitivamente costoso
o difícil con la tecnología disponible anteriormente.
8.1.1 El espectro de RF La
legislación reciente ha ampliado el espectro electromagnético que está disponible
para las comunicaciones inalámbricas en los Estados Unidos. La Comisión Federal de
Comunicaciones (FCC) reglamento Título 47, parte 15, cubre sistemas de seguridad
sin licencia, entrada sin llave, control remoto de RF y LANs. Tabla 8.1 identi-
fies principales rangos de frecuencia que están ya en el centro de varias
industrias. El industrial, científica y médica (ISM) bandas están siendo utilizados
por varias apli- caciones. La integración es la clave para un mayor rendimiento,
pequeños paquetes, y menor costo en la arena de RF, así como sistemas discutidos
previamente, con varias tecnologías utilizadas en distintos rangos de frecuencia.
Existen varias opciones de tecnología de RF en el extremo delantero de un portátil
de comunicación producto, mostrado en la Figura 8.1 [1]. Silicon compite con GaAs
en el 1 a 2 GHz; sin embargo, en el de 2 a 18 GHz, GaAs es la única solución. Con
una tensión de alimentación de 3V, de alta frecuencia (1 GHz) funcionamiento de
GaAs tiene una eficiencia del 50% frente al 40% de silicio bipolar o 43% para un
lat- eral LDMOS MOS (difusa). La contrapartida en eficiencia versus costes deben
ser evaluados antes de iniciar un diseño personalizado. El convertidor y
amplificador de bajo ruido (LNA)/mezclador, transmitir el mezclador, interruptor de
antena, conductor y rampa, y el amplificador de potencia puede ser diseñada con
conjuntos de chips RF compuesto de diferentes tecnologías de IC. El conjunto de
chips enfoque puede ser una alternativa rentable a los niveles más altos de
integración. Diseños de alta frecuencia para la frecuencia de radio son
considerablemente diferentes de los procesos digitales de alta velocidad. El rango
de frecuencia en circuitos de RF de 800–2.400 MHz es mucho mayor que el cir-
cuits digital más rápida. Una de señal mixta que combina el enfoque es necesario no
sólo digital y analógico, sino también tecnología de RF. Circuito aislado es
necesaria para evitar el acoplamiento de señales no deseadas, que pueden oscilar
entre 3 Vp–pto menos de 1 mVp - p. RFICs están diseñadas para una serie de
aplicaciones de alta frecuencia, utilizando una variedad de

transceptores, Transpondedores, y telemetría 175


Tabla 8.1 Aplicaciones de RF en
frecuencia de espectro RF versus frecuencia Miscellaneous
Industrial, científica y médica 902––2,483.5/5 928/2,400,725– 5.850
MHz el
radar de microondas 10,25, 24, o 34 GHz
radar sensor de proximidad 1 MHz 856 MHz vio en peajes
clave remota de 41 o 230 MHz a
2,4 GHz WLAN la tasa de transferencia de datos (DTR) ≥ 1,6 Mbps
WLAN Altair™* de 18 GHz DTR = 15 Mbps
LAN PCMCIA TARJETA
RF-ID de 900 MHz a 100 MHz y 900 MHz– kHz–1.5 2,4 GHz (915 MHz)
GPS (L1 y L2), MHz 1,227.60 1,575.42
Ultrasonic Detección de la posición
del pistón 20–200 kHz de telemetría de temperatura
del sistema de vigilancia de los neumáticos de 1 MHz o 355 MHz 433.92 MHz
(UHF) de telemetría médica 450–470 MHz de telemetría médica (VHF) 174–
electrónica de microondas de banda 216 MHz de frecuencia de banda de longitud de
onda
l 1 2 GHz––30,0 15,0 cm S 2 4 GHz–7.5–15.0 cm C 4 GHz
7.5–3.7–8 cm x 8 cm 3.7–2.4–12,5 GHz Ku 12.5 GHz
2.4–1.7–18 cm K 18–26.5 GHz 1.7–1.1 cm 26,5 Ka–40 GHz
1.1–0.75 cm 40 mm 100 GHz–0.3–0.75 cm
ultravioleta visible 0.4–0.7 0.1–0.4 mm mm
0,7 cm mm–0.1 infrarrojos
*Altair™ es una marca comercial de Motorola, Inc.

176 Comprensión sensores inteligentes


Leyenda transmitir en cadena cadena receptor
GaAs antena Tx Rx
Switch
LDMOS
Power amp amp de bajo ruido
LNA PA MOSAICO
BiCMOS
VCO CMOS abajo up converter converter El sistema de RF

modulada Sintetizador PLL Prescaler BIPOLAR


A/D Si amp y demodulador
sistema Digital ADPCM CODEC y sistema analógico
a digital RF Figura 8.1.
Las tecnologías de transición, dependiendo de la aplicación. El término de
circuitos integrados de microondas monolíticos (MMIC) se utiliza para RFICs en el
rango de las microondas.
La transición de RF de banda base digital es simplificado por de señal mixta, ICs
analógico-digital. Como se muestra en la Figura 8.1, un bucle de enganche de fase
(PLL) synthe- sizer y prescaler, así como un modulador/demodulador (módem), son
necesarios para esta transición. Sintetizadores de frecuencia PLL son necesarias en
aplicaciones de RF para proporcionar capacidad de sintonización digital para
comunicación digital inalámbrico para aplicar un coste efectivo, diseño en
múltiples canales. Un PLL permite una precisa sta- ble frecuencia se genera con un
MCU controlando la frecuencia.
Procesos CMOS avanzada proporcionan el menor disipación de energía y una baja
tensión de funcionamiento de 100 a 300 MHz. BiCMOS aumenta el rango de frecuencia
(a unos 2 GHz) y proporciona elementos de circuito flexible en potencia moderada
dis- sipation. Un avanzado proceso bipolar, como el MOSAIC™ (Motorola auto-

transceptores, Transpondedores, y telemetría 177


alineado IC) proceso proporciona baja disipación de potencia a un costo inferior y
tiene un
rango de frecuencia de 1 incluso mayor de BiCMOS. GaAs proporciona el menor voltaje
operacional- ción al más alto costo pero pueden operar por encima de 2 GHz.
Mezcla de tecnología de proceso analógico y digital es necesaria para el Adaptive
Differential Pulse Code Modulation (ADPCM) codificador/descodificador (CODEC) que
se muestra en la Figura 8.1 que se traduce en un formato analógico digital en los
dispositivos de comunicación personal. La digitaliza la señal es transmitida a
través del canal RF. La ADPCM está diseñado para 32 Kbps, que es la tecnología de
códec para muchas per- sonal de los sistemas de comunicación en todo el mundo, así
como 64, 24 y 16 kbps, velocidad de transferencia de datos. Se utiliza la
tecnología DSP para conseguir la máxima velocidad de datos y ancho de banda de RF.
Analógico de precisión y tecnologías digitales de alto rendimiento son necesarios
para la transición del sistema analógico al digital y viceversa.
Semiconductores de arseniuro de galio están diseñados para hacer frente a la mayor
velocidad de aplicaciones y se adapta bien a la operación de bajo voltaje. Sin
embargo, son más caros que el silicio y sólo debe utilizarse cuando su rendimiento
sería difícil o imposible de lograr con el silicio. El uso de la tecnología de
GaAs, añade otra dimensión al circuito la partición debe ser considerado para
circuitos de RF.
8.1.2 Spread Spectrum
Spread Spectrum es uno de los métodos seguros de transmisión de información a
través de señales de radio que recientemente (1991) ha ampliado del uso militar al
uso comer- ciales. La señal de amplio espectro es mucho menor magnitud pero se
gener- ados por un amplio rango de frecuencias de 26 MHz, en comparación con una
señal de banda estrecha de menos de 25 kHz, como se muestra en la Figura 8.2. Los
transceptores de banda estrecha (combinación de transmisores y receptores) son
altamente susceptibles a la interferencia por frecuencia fuentes cercanas a sus
frecuencias de portadora. Debido a que funcionan dentro de la gama de audio, los
equipos monitoreados frecuentemente genera la inter- ferencias [2].
Spread Spectrum ofrece una mejor inmunidad a las interferencias, baja interferencia
generación, altas velocidades de datos y prácticas de operación nonlicensed límites
de potencia [3]. Conforme a las directrices de la FCC, el total de la potencia
transmitida debe ser 1W como máximo, y la densidad espectral (la potencia en
cualquier frecuencia específica) no debe ser mayor de 8 dB a 3 kHz de ancho de
banda. Se utilizan dos técnicas para dis- homenaje la señal de banda estrecha
convencional en un espectro de propagación equivalente:
secuenciación directa y salto de frecuencia.
1. MOSAIC™ es una marca comercial de Motorola, Inc.

178 Comprensión sensores inteligentes de


banda estrecha de
la señal del espectro de extensión de la señal de
25 kHz de
26 MHz de
espectro de difusión Figura 8.2 versus narrowband.
Direct Sequence Spread Spectrum es un enfoque que crea una señal de RF instantane-
ou compuesta de muchas frecuencias repartidas en una porción de la fre- cuencia
espectro. La señal de información, que normalmente es digital, es mucho más rápido
combinado con una secuencia pseudoaleatoria de código binario que se repite con-
tinuously. Esta técnica es difícil de detectar, y volver a capturar la información
requiere duplicar el código de dispersión en el receptor final.
Otro enfoque es spread spectrum frequency hopping. La base y el auricular y la base
(suscriptor) "saltar" de una frecuencia a otra en una moda neous simulta- [4]. La
teoría dice que el ruido tiende a ocurrir en diferentes fre- quencies en momentos
diferentes. Por lo tanto, aunque una parte de la transmisión pueden perderse debido
a las interferencias, es suficiente el mensaje será recibido por el hop- ping a
través de la interferencia para crear una salida mucho mejor en comparación con
sistemas de frecuencia fija. Consulte la Tabla 8.1 para una variedad de
aplicaciones y sus frecuencias. El 1,8- a la banda de 2,4 GHz está abierto para la
recopilación de datos en Europa, que en la actualidad es el segundo mayor mercado
de datos RF.
Propagación spectrum's capacidad de poner un mayor número de transportistas en un
ancho de banda específico y para aumentar la seguridad de los datos transmitidos es
habilitar varias nuevas aplicaciones inalámbricas para la detección. Spread
Spectrum técnicas combinadas con las nuevas gamas de frecuencias en las bandas ISM
sin licencia han hecho nuevas aplicaciones no sólo es posible sino también muy
fácil de implementar. Además de

transceptores, Transpondedores, y telemetría 179


comunicaciones, aplicaciones comerciales de spread spectrum incluyen LAN
inalámbricas, sistemas de seguridad, instrumentos de supervisión remota,
automatización de fábricas, lectura de códigos de barras, localización automática
de vehículos, el control de la contaminación, aplicaciones médicas, y la
teleobservación de estudios sísmicos y los parámetros atmosféricos.
8.2 Los datos inalámbricos y comunicaciones
inalámbricas de datos libres de error es posible debido a la transmisión de datos
digitales. Un número de protocolos que están compitiendo por la aceptación de la
transmisión de la señal de RF. Existen- tes los métodos de acceso incluyen acceso
múltiple por división de tiempo (TDMA), acceso múltiple por división de frecuencia
(FDMA), y el nuevo método, el código división multi- ple Access (CDMA). Los
usuarios están asignados a un intervalo de tiempo, la frecuencia o el código que
permite a múltiples usuarios compartir el espectro de frecuencias disponibles. CDMA
pro- porciona una dimensión adicional y la opción que permite una utilización más
eficiente del espectro disponible y, por tanto, mayor capacidad (hasta 20 veces
superior) con un ancho de banda determinado [5]. Eso significa un aumento en el
número de usuarios que pueden acceder al sistema y mantener el nivel de
Service—access, data rate, tasa de error de bit (BER), y tan sólo una ligera
degradación On—with en proceso de ganancia. El dis- carácter continuo de la
voz humana es la clave para un aspecto de CDMA technol- gía. Sólo un tercio del
tiempo de aire se utiliza para la voz; el resto se gasta en la escucha y las pausas
entre las sílabas, palabras y pensamientos. CDMA utiliza un codificador de voz de
velocidad variable (vocoder), que realiza una codificación de voz algo- rithm para
transmitir señales de voz a la velocidad de datos mínima necesaria. Velocidad de
codificación es de 1 a 8 kbps, dependiendo de la actividad de expresión.
Varias técnicas, incluyendo la frecuencia (FSK), cambio de amplitud (ASK) de
claves, claves on-off (OOK), cambio de fase diferencial (DPSK incrustación), con
cambio de fase en cuadratura (QPSK) y claves de cambio mínimo gaussiana (GMSK), se
utilizan para modular la señal de transmisión. Técnicas utilizadas previamente para
los militares y las comunicaciones por satélite, tales como cambio de cuadratura
diferencial (incrustación DQSK) GMSK y maximizar la densidad de información en un
ancho de banda espectral. La elección dependerá del coste y rendimiento objetivos
dentro del sistema.
Datos de paquetes digitales celulares (CDPD) tecnología divide los datos en
paquetes pequeños que pueden ser enviados en ráfagas cortas durante el tiempo de
inactividad entre las transmisiones de voz celular. La especificación abierta está
diseñado para soportar una variedad de equipos y servicios interoperables y está
respaldado por las grandes operadoras de telefonía móvil.
CDPD permite una transmisión más rápida (19,2 Kbps) de mensajes cortos, en
comparación con el actual sistema de circuito conmutado, ya que maneja los archivos
[6]. CDPD también incorpora protocolos de corrección de errores. La tabla 8.2
muestra algunos de los
180 competidores comprensión sensores inteligentes
Tabla 8.2 comunicación RF: protocolos de LAN inalámbrica y organismos
patrocinadores
Protocolo(s) patrocinador(es) Comentarios
protocolo de paquetes X.25 del CCITT extensión de teléfono fijo inalámbrico IEEE
802.11 de especificación estándar propuesto; utiliza frecuencias ISM CDPD McCaw
utiliza la capacidad ociosa de voz celular
Ericcson Mobitex RAM de sistema de datos de paquetes de mensaje
* ARDIS™ Motorola e IBM paquetes de datos a 9,6 o 14,4 Kbps
*ARDIS™ es una marca comercial de Motorola, Inc.
protocolos. Varios términos específicos de RF están definidos en el glosario al
final de este libro.
8.2.1 Redes de área local inalámbricas
LAN inalámbricas (WLAN) que opera a 18 GHz son capaces de propagar dentro de un
edificio aún difunden rápidamente fuera. Se requieren licencias de la FCC para WLAN
en el servicio de terminación digital (DTS), 18–banda de 19 GHz, que incluye
el uso de las comunicaciones de radio de baja potencia dentro de los edificios.
Cada uno de los canales de 10 MHz en esa banda puede entregar 15 Mbps [7]. Algunas
WLAN también operan en la parte inferior del rango de frecuencia de 900 MHz a 6
GHz. Además, hay una variedad de vínculos de infrarrojos para redes inalámbricas.
Los sistemas interiores tienen un rango de 100m y velocidades de datos de 1 Mbps.
8.2.2 fax/módems de
detección en tiempo real usando una tarjeta PCMCIA fax/módem instalado en cualquier
ordenador portátil establece un vínculo flexible, pueden instalarse fácilmente a
una base de equipo. Hasta 28.000 bps ya son posibles utilizando la tecnología
disponible. Las tarjetas PCMCIA también están diseñados específicamente para
manejar los datos del sensor [8]. Un dispositivo proporciona la función de módem y
un nivel de inteligencia que puede obtener información de los sensores ubicados en
zonas remotas o dispositivos móviles.
Un protocolo de corrección de errores, derivado del modo de balance asincrónica del
Comité Consultivo Internacional de Teléfonos y Telégrafos (CCITT
gráfico-)–defined protocolo de paquetes X.25, retransmite sólo aquellas tramas
que no son reconocidos por el receptor (Figura 8.3). La técnica de modulación
sincroniza fácilmente los datos transmitidos. Un concepto básico de HDLC y sin
retorno-

transceptores, Transpondedores, y telemetría 181


Frequency-shift- aplicación X.25 Modem de incrustación de corrección de errores de
la capa de protocolo programa Terminal
Radio controladores/firmware del teléfono los controladores del kernel
Figura 8.3 Los datos inalámbricos utilizando una tarjeta PC.
a cero (invertida) NRZI poco patterning aumenta el reloj-datos de recuperación para
el receptor. Los datos se transmiten en paquetes de hasta siete tramas de longitud
ajustable.
Un algoritmo de compresión integrado en el núcleo del firmware permite la
compresión de datos, transferencia y análisis antes de la transmisión. Capacidad de
corrección de errores se logra permitiendo el receptor para almacenar adelante
tramas que se reciben fuera de secuencia y solicitar la retransmisión de tramas que
falten.
Un protocolo de nivel de archivo facilita el intercambio de datos entre la unidad
móvil y la unidad base. Un microprocesador controla la transmisión de datos y
servicios de los puertos serie y el puerto paralelo. El sistema de posicionamiento
global (GPS) de datos (que se discute en la sección 8.3.3), terminales de datos
móviles, lectores de códigos de barras y los escáneres/están entre las aplicaciones
inmediatas para dicha transmisión de datos RF.
8.2.3 Detección de zona inalámbrica
zona inalámbrica de sensores (WZS) han sido desarrollados para edificios utilizando
la tecnología de espectro ensanchado. Los sensores inalámbricos son parte de la
construcción moderna- ing sistemas de automatización diseñado para la eficiencia
energética y un control preciso de muchas áreas individuales [9]. La figura 8.4
muestra un sistema típico con alambre- menos sensores de zona.
La WZS spread spectrum es un transmisor que ofrece habitación tempera- tura y otra
información de estado a un receptor situado a 1.000 pies de distancia. Traductor en
la unidad convierte los datos inalámbricos a un cable de enlace de comunicación.
El vínculo de comunicación cableada distribuye los datos de volumen de aire
variable (VAV) los controladores de terminales y el sistema de gestión de
edificios. La VAV ajusta la apertura de la válvula para permitir más o menos flujo
a la zona como requerido por la WZS.
Un sensor se adapta a sus asociados mediante una herramienta de configuración de
VAV conectado a cada WZS durante el proceso de instalación. La batería de litio-
powered WZSs están diseñados para operar un promedio de dos años antes de que las
pilas necesitan cambiarse.

182 Entendimiento sensores inteligentes


VAV 1 VAV VAV VAV 4 2 3

Edificio receptor Difusor traductor


management system
4 1 2 3 WZS WZS WZS WZS
herramienta Configuración del sensor inalámbrico de zona zona 1 Zona 2
Figura 8.4 inalámbrico de detección de zona.
Registradores de datos inalámbricos se utilizan en salas limpias para detectar
fluctuaciones de humedad localizada [10]. En esta aplicación de sensores
inalámbricos, la medición es necesaria sólo para localizar el origen del problema.
Flexibilidad en la elección de los sitios de ensayo, así como evitar la habitación
limpia trajes y perforación de agujeros en la pared, era de suma importancia para
las consideraciones de diseño. De nuevo, la baja interferencia po- sible utilizando
tecnología de espectro de difusión ha facilitado la transmisión inalámbrica de
datos en tiempo real en un entorno que anteriormente prohibida la trans- misión de
la radio. Hasta 20 registradores de datos se han vinculado a una sola estación base
inalámbrica. Como resultado, un único PC puede manejar las mediciones de un número
de unidades de recolección de datos ampliamente separados.
8.2.4 Transmisión de señal óptica
del espectro infrarrojo también se usa para la transmisión de datos. Es de bajo
costo para aplicaciones sensibles al coste y no requieren licencias. Sin embargo,
no se limita a la línea de visión (LOS) transmisión y puede penetrar objetos
sólidos. La infra-rojo (espectro indicado en la tabla 8.1) es de 0,7 a 0,1 cm.

Transceptores, Transpondedores, y telemetría 183


8.3
Técnicas de detección RF RF también se utilizan en sensores inalámbricos. Sensores
RF son intrínsecamente seguros y no contacto una manera de medir la velocidad y
distancia, detección de movimiento y pres- seguro, e indican la dirección del
movimiento. Además, RF sensores se emplean para la detección de nivel de líquido y
detectar la presencia de objetos extraños. Las técnicas incluyen detección de RF
SAW, sensores de radar Doppler, Sónar, ultrasonido, sensores y micro-ondas. Algunas
de estas técnicas de detección se utilizan en vehículos y sistemas antirrobo de
entrada a control remoto.
8.3.1 Dispositivos de ondas acústicas de superficie
vio la tecnología es utilizada tanto para la comunicación y la detección de RF. Vio
se utilizan dispositivos para mejorar la estabilidad de los osciladores en
transmisores y el front-end como filtros para establecer el ancho de banda y
mejorar el rendimiento de intermodulación de receptores. Los dispositivos SAW
responder a temperatura, presión, fuerza y vibración. La sierra dispositivo
colocado en un circuito oscilador, como se muestra en la Figura 8.5, proporciona
una variación de frecuencia que puede medirse con precisión [11].
Técnicas diferenciales pueden ser utilizados para compensar los estímulos no
deseados. El rango de frecuencia puede ser de corriente directa a varios
gigahercios.
Vio dispositivos también están siendo utilizados en sensores químicos. En Sensores
de gas, dual SAW osciladores son utilizados frecuentemente. Uno vio dispositivo
actúa como referencia, y el otro tiene una película sensible de gas depositados
entre la entrada y la salida entre- digitated transductores. El cambio relativo en
la sierra de frecuencia del oscilador es directamente proporcional a la
concentración de gas. En un estudio, los recubrimientos de óxido poroso fueron
utilizadas como elemento de discriminación, en el captador [12]. El recubrimiento
micro estructura fue evaluada mediante la supervisión de ADSORCIÓN-DESORCIÓN de
nitrógeno a 77K con una sierra dispositivos sensibles como las microbalanzas. El
cambio de frecuencia de un dispositivo vio recubierto con zeolita en sol-gel
microcomposite película fue -6.350 Hz para methonal, -10.200 Hz para isopropanol
y+74 Hz para iso-octano.
Sistemas de navegación para automóviles también son usuarios potenciales de la
sierra de dispositivos.
La sierra se utiliza en un dispositivo de identificación de RD (RD-ID) etiqueta
para identificar un vehículo para fines de facturación. En esa aplicación, vio
dispositivos operan a 856 MHz (que se discute en la sección 8.3.7).
8.3.2
RADAR Radar (acrónimo de radio detección y telemetría) utiliza ondas de radio
reflejadas para el rango de compases, rodamientos y otros parámetros. Un sensor de
proximidad de radar recientemente desarrollado (Figura 8.6) utiliza técnicas de
espectro ensanchado y es un buen ejemplo de los elementos críticos de un sistema de
radar [13]. Este sensor en particular es de

184 Comprensión sensores inteligentes


Interdigitated electrodo
Reflectionless transductor
piezoeléctrico de terminación superficial de las olas sustrato
0 f1 f1+ ∆F 0 f0 f0+ f∆
Convertidor estable
0 osciladores oscilador controlado la frecuencia f1
0 0 ²f ∆F
figura 8.5 vio dispositivo.
Diseñado para satisfacer las aplicaciones sensibles al coste, como Blind spot
detection en automóviles. El enfoque detecta los ecos que se reflejan en un rango
limitado de propagar continuamente impulsos electromagnéticos. El sensor no se ve
afectado por la mayoría de los materiales, por lo que su ubicación no es un factor
determinante en su capacidad de funcionar adecuadamente. La unidad se puede ver a
través de las paredes y distinguir entre la madera y la pared metálica. El ruido de
radar está codificada para un número ilimitado de sen- sors pueden colocarse sin
interferir unas con otras.
La proximidad subnanosecond sensor's antena transmite un pulso en un ruido
difuminados tasa de repetición. El pulso puede ser de 50 ps a 50 ns de largo. Dith-
ering aleatoriza el tiempo de la transmisión en un spread spectrum que aparece como
ruido a otros detectores. Los ecos regresó al receptor (patentado) se muestrean
normalmente a una frecuencia de 1 MHz y en un marco de tiempo (más de retraso)
determinado por el transmisor. El rango del sensor está limitado a 20 pies (6 m) o
menos. Sin embargo, varias aplicaciones son posibles con el sensor, incluido el
coche de seguridad, de navegación activado por voz, y detectores para localizar un
material incrustado en otro, tales como el acero dentro del hormigón.
Sensores de proximidad de microondas producción operan sobre principios de radar.
Un simple sensor de microondas se compone de un transmisor, una antena, y señal de

transceptores, Transpondedores, y telemetría 185


Wall 0–esférico de 20 pies, rango de
repetición de impulsos de celda transmisor 0,1 ns ruido de impulsos el ancho del
intervalo
paso RANGO META generator gate
gama de receptores celulares Gama de retardo de
alarma de movimiento Impulse la
sensibilidad del receptor procesador
Figura 8.6 Esquema del sensor de radar.
circuitos de procesamiento [14]. Consulte la Tabla 8.1 para el rango de frecuencias
de microondas y sus diversas subclasificaciones.
El transceptor en un sensor de microondas utiliza un diodo Gunn o un transistor de
efecto de campo (FET) para generar una señal de microondas de baja potencia. La
antena se concentra la energía desarrollada en un haz, cuyo tamaño está determinado
por la aplicación. La reflexión del haz de luz de un objeto proporciona una señal
de nivel inferior, que pueden ser analizadas por el circuito de procesamiento de
señal. La señal puede ser utilizada para el desplazamiento Doppler (movimiento,
velocidad, dirección), la intensidad (presencia), o de cambio de fase (distancia),
dependiendo de la aplicación.
Los sensores de microondas están experimentando reducciones de tamaño y mejoras en
el rendimiento de la integración posible en MMIC chips. Un MMIC puede tener todo el
circuito o grandes partes de ella en un solo chip. Flip-chip envase (véase el
capítulo 10) de un MMIC conteniendo el detector de diodos ha permitido el
funcionamiento de frecuencia hasta 40 GHz [15].
8.3.3 Sistema de posicionamiento global
GPS está basado en información suministrada por 24 satélites situados en seis
planos orbitales [16]. Los satélites pasan sobre la tierra a una altitud de 20,183
km

186 Comprensión Sensores Inteligentes


(10,898 millas náuticas). Un único satélite orbita la Tierra dos veces por cada
rotación de la tierra, trazando la misma ruta dos veces cada día, pero pasando
cuatro minutos antes de lo que lo hizo el día anterior. El diseño del sistema
garantiza que al menos cuatro satélites están a la vista en cualquier momento, por
encima o por debajo de la superficie de la tierra en todas las condiciones
meteorológicas.
Los satélites GPS transmiten en dos frecuencias: L1, centrado en 1,575.42 MHz y L2,
centrado en 1,227.6 MHz. Cada satélite transmite un mensaje de navegación que
incluye una descripción de la posición satellite's como una función de tiempo, un
almanaque, y términos de corrección del reloj. Cada mensaje consta de 25
fotogramas, cada 30 segundos de largo. GPSs comerciales son capaces de localizar a
100 m.
La tecnología GPS es una parte integral de su automóvil (que se discute en la
sección 8.3.6). El GPS se puede utilizar para realizar el seguimiento del personal
sobre el terreno y para localizar posi- ción relativa a la ubicación en un mapa de
CD-ROM. Productos GPS han sido desarrollados para su uso por los consumidores.
Además de los componentes de RF necesaria para convertir las señales de los
satélites, un microprocesador de 32 bits también es necesaria para calcular el
algoritmo de posición rápidamente y proporcionan actualizaciones frecuentes del
usuario. El complejo sensor (receptor) está contenida dentro de una junta que es
50,8 mm por 82,6 mm por 16,3 mm [17]. Mayor aceptación y aplicación en sistemas de
gran volumen como su componente permitirá una mayor reducción a través de una mayor
integración.
8.3.4 Detección remota de emisiones
la medición a distancia de emisiones de los gases de escape del vehículo es una
manera de que la teledetección empezará a afectar a un amplio rango de la
población. Identificación de vehículos que emiten altos niveles de monóxido de
carbono e hidrocarburos es posiblemente el próximo paso hacia la reducción de las
emisiones de los vehículos con motores de combustión.
La figura 8.7 ilustra un sistema de teleobservación [18]. Las partes principales de
la Sys- tem incluyen un detector de infrarrojos (IR) y la fuente; una cámara de
video para grabar el número de matrícula; una pistola de radar de la policía
modificados; y un ordenador personal con software especialmente desarrollado.
El dispositivo de detección remota (RSD) sistema funciona mediante la vigilancia
continua de la intensidad de una fuente de infrarrojos. La presencia de un vehículo
se indica cuando se rompe el haz, provocando la caída de tensión de referencia a
cero y un intervalo de medición de la tensión. El valor antes de la interrupción
del haz también se almacenan. A medida que el vehículo se sale de la viga, se toman
muestras de 125 Hz durante 1 segundo. El dióxido de carbono se filtra en la región
espectral de 4,3 mm y el monóxido de carbono en la región de 4.6 mm para aislar a
esos valores. Los valores de hidrocarburos pueden ser detectados. El sistema
incorpora tres

transceptores remotos de no contacto, Transpondedores, y telemetría 187


IR
I.D. del vídeo de origen
Cámara
pistola de radar detector de
equipo
figura 8.7 medición remota de las emisiones de los gases de escape del vehículo.
Los dispositivos de medición, incluyendo una extensión de policía previamente
utilizado tecnología de radar, que normalmente tiene un alcance máximo de 800m.
8.3.5
disponible de entrada sin llave a control remoto el control remoto inalámbrico de
cerraduras de las puertas de los vehículos es un paso hacia un controlador
automático de sensor (ADS). Los anuncios serán capaces de identificar que un
controlador específico se acerca al vehículo y que el conductor requerirá acceso y
pos- sibly ajustes de control diferentes a los utilizados por el controlador
anterior. Sistemas de entrada remota Today's IR o sensores RF. Un sistema RF, dia-
grammed en la Figura 8.8, tiene un transmisor en la llave de contacto que está
alimentado por una batería de litio [19]. El transmisor genera una frecuencia de
alrededor de 41 o 230 MHz cuando un interruptor de la llave está deprimido. El
desempañador de la luneta trasera vehicle's actúa como la antena. La antena recibe
la señal, que luego se envía al receptor de amplificación, detección de FM y onda
modificación. Si la transmisión de código coincide con el código almacenado, ya sea
en el circuito de mando del motor se desbloquea o bloquea las puertas. El sistema
inalámbrico puede ser activado dentro de 3 pies del vehículo. Tiene un modo de
espera, que es intermitente para evitar un drenaje excesivo de la batería
vehicle's. Si 10 o más códigos incorrectos se transmiten al receptor en un período
de 10 minutos, el sistema reacciona como si se produce un robo- anillo y toda la
recepción está suspendido. La clave debe insertarse manualmente para comprobar la
propiedad.

188 Entendimiento sensores inteligentes


antena
receptor Interruptor Principal
Tecla Desbloquear
la cerradura de la puerta de
control del interruptor de advertencia de
cortesía de la puerta del relé
del interruptor de bloqueo de las puertas de la
llave de contacto del transmisor de monitor (push)
Figura 8.8 Sistema de control de bloqueo de puertas por control remoto.
8.3.6
El Sistema de Transporte Inteligente, anteriormente conocido como su vehículo
inteligente sistema de autopistas (IVHS) en los Estados Unidos y por otros nombres
(y apodos, incluyendo "smart cars" y "smart highways") en todo el mundo, requiere
de varias tecnologías de detección, muchos de los cuales están basado en RF, para
implementar una funcionalidad completa. Su ha definido varias áreas que están
siendo tratados en diversos grados, desde la investigación a la pro- ducción de los
sistemas. Estas áreas para intentar resolver una serie de relacionados con el
sistema de pro- blemas, así como proporcionar nuevas funciones y servicios a los
conductores. Las áreas de aplicación incluyen el sistema de dirección de tráfico
avanzadas (ATMS), un avanzado sistema de información al viajero (ATIS), un avanzado
sistema de transporte público (APTS), un avanzado sistema de control del vehículo
(AVCS), un avanzado sistema de transporte rural (ARTES), y el funcionamiento del
vehículo comercial (CVO).
Los distintos sistemas requieren una serie de sensores, incluyendo GPS, sensor de
vigilancia por circuito cerrado de TV, detectores de infrarrojos, dead reckoning,
automático veh- icle Ubicación e identificación [20]. Reconocimiento inactivo puede
lograrse por medio de una diferencia de velocidad de las ruedas y sensores fluxgate
de una brújula magnética o

transceptores, Transpondedores, y telemetría 189


combinación de inclinómetros, giroscopios, inverse Loran, odómetros electrónicos,
y/o el sistema de frenos antibloqueo de ruedas de los sensores de velocidad.
Además, la infraestructura celular y/o radio beacons juega una parte integral en el
vehículo- ción naviga requisitos de cajeros automáticos, ATIS, apartamentos, Artes
y CVO. Los AVCS Sys- tem requerirá sensores para determinar la distancia entre
vehículos para el control de crucero inteligente (separación automática de
vehículos) y cerrar la distancia (tiempo de impacto) para sistemas anticolisión. La
Figura 8.9 indica los rangos de frecuencia típica de los sensores RF.
Una configuración de un vehículo y de navegación (VNAW) Sistema de advertencia se
muestra en la figura 8.10. El inteligente sistema de navegación inercial (SNS)
contiene la informática que proporciona el filtro y la integración para la entrada
GPS, así como el acelerómetro y giroscopio de entradas [21]. La salida del SNS VNAW
información de posición para el sistema.
La evitación de colisiones en un automóvil sus usos a los 75 GHz tres-beam unidad
de radar para proporcionar un tiempo de impacto de advertencia. Un sistema puede
realizar un seguimiento de hasta 12 objetos al rango de medición de ángulo y
velocidad relativa [22]. El sistema de radar también emplea una cámara de vídeo
montada cerca del espejo interior para proporcionar un ángulo de 30 grados de campo
de visión. La cámara detecta marcas lane, bordes de carretera, y objetos en la ruta
vehicle's.
Cerca de sistemas de detección de obstáculos (NODSs), para aparcar y Blind spot
detection, utilizar el radar Doppler operan en 10,5 a 24 GHz para detectar objetos
cerca de detección de obstáculo Blind spot
advertencia de colisión de detección y evitación
de detección de la velocidad de control de crucero adaptativo de
rastreo de posición de navegación de rastreo de posición
identificación vehículo identificación del vehículo

CC de gestión de tráfico de sistemas de transporte inteligente (ITS) Luz Airbag


armar
sin llave de entrada entrada sin llave antirrobo
20 50 10 MHz 100 MHz 200 500 2 5 1 GHz 10 GHz 20 50 100 GHz de
frecuencia existente desarrollando
Figura 8.9 frecuencias de RF aplicaciones de detección de automoción.

190 Entendimiento sensores inteligentes


VNAW
SNS VEHÍCULO GPS Miniatura giroscopios de control/control de equipo (orientación)
equipo SNS (filtro/integración)
Transmisor acelerómetros la posición de la unidad de información del
bus de datos advertencia
otras unidades actuadores
Figura 8.10 VNAW Sistema.
a pocos centímetros o pies de un vehículo. Sónar también ha sido desarrollado para
las mediciones de corto alcance. Sónar unidades están montadas en cada esquina del
vehículo. Un dispositivo sonar funciona a 50 kHz y conduce un transductor de 300 V
para generar el pulso sónico.
La velocidad de carretera real es uno de los insumos que se necesita en el vehículo
naviga- ción de su parte. Un radar Doppler de microondas sensor montado en la parte
delantera del vehículo puede proporcionar esa medición. Errores intrínsecos, debido
a la propagación de las frecuencias Doppler desde la parte superior a la parte
inferior de la viga, sensor loca- ción, señales falsas de desorden, pitching,
vibración, señal de glint (terreno irregular reflexiones), a corto plazo, la
inestabilidad del oscilador y la suciedad son algunas de las posibilidades para
este error de detección de velocidad de enfoque [23]. Los sensores de microondas no
son significativamente afectados por la humedad, temperatura y movimiento de aire y
no requieren aislamiento de transmisor y receptor, que son consideraciones para
detección Doppler ultrasónico.
Al completar su contiene un número de otros sistemas que, en última instancia,
conseguir una serie de objetivos, incluyendo más seguro viajar en carreteras
urbanas y rurales y el mayor uso del sistema vial existente. Algunos sistemas y
subsys- tems pueden y están siendo implementadas por separado. Uno de sus elementos
ya había alcanzado un volumen alto y su uso en una amplia variedad de otras
aplicaciones es Tags RF-ID.

Transceptores, Transpondedores, y telemetría 191


8.3.7 RF-ID
Tags RF-ID se utiliza para realizar un seguimiento del inventario en los almacenes;
trabajo en proceso (WIP) en plantas de fabricación; y de animales en los
laboratorios, en las granjas, o en la vida silvestre; así como para el cobro de
peaje automático para vehículos. El RF Tag es un trans- ponder que es leído y
descifrado por un lector de RF. Para inventario y WIP en entornos hostiles o no los
operaciones, RF-ID es una alternativa a un sistema de código de barras [24]. Las
etiquetas puede ser activa o pasiva. Las etiquetas activas tienen baterías
integrados y mayores capacidades de datos cerca de 1 Mb. Capacidad para la toma de
decisiones se incluye en algunas variedades con la adición de un microcontrolador.
Las etiquetas pasivas obtienen su potencia de funcionamiento de la transmisión de
energía de RF de la antena, y como resultado, han limitado la capacidad de datos,
normalmente de 1 a 128 bits.
RF-ID sistemas operan en baja y alta rangos de frecuencia. Los sistemas de baja
frecuencia suelen operar en el rango de frecuencia de 100 kHz a 1,5 MHz y también
tienen menores tasas de transferencia de datos. Son rentables en control de acceso
y aplicaciones de seguimiento de activos. Sistemas de alta frecuencia operan en el
rango de espectro extendido de 900 MHz a 2,4 GHz y tienen mayores tasas de
transferencia de datos. Sistemas de alta frecuencia cuestan más que los sistemas de
baja frecuencia, pero pueden funcionar a distancias de hasta 100 pies (30m).
Los bloques principales de un pasivo RF-ID Tag se muestran en la figura 8.11 [25].
Una ráfaga de RF es recibida, rectificada, y utilizarse para cargar un condensador
que sirve como fuente de alimentación para los circuitos de etiqueta. Un regulador
de tensión mantiene la tensión en el condensador a un flujo constante de 2V.
Circuitería lógica interpreta el comando de la ráfaga de RF. Una petición de
interrogatorio es respondida con la transmisión de un número de la EEPROM.
Información en la EEPROM puede ser cambiado por
15 V Vdd 2 V regulador de tensión

lógica extractor de datos

EEPROM de la bomba de carga del transmisor


ID RF Figura 8.11 Diagrama de bloque.

192 Entendimiento sensores inteligentes de


una transmisión que permite la lógica para almacenar nuevos datos en la tarjeta de
mem- ory. La bomba de carga aumenta el 2V a 15V para reprogramar la EEPROM.
Tags RF-ID se utilizan para cobro de peaje automático. El conductor no tiene que
ralentizar el sistema para detectar la vehicle's ID y el conductor/owner's débito
en cuenta. La congestión en las carreteras se reduce y los ingresos recaudados para
cubrir aún es la construcción y mantenimiento de carreteras.
8.3.8 Otros sensores remotos
RF lectores de código de barras, que se han convertido en habituales, demostrar la
libertad de operar sin ataduras para una aplicación comercial. Unidades de RF
disponibles proporcionan datos desde un dispositivo de carga acoplada (CCD), el
escáner láser o infrarrojos sensor wand a una estación base que puede ser de hasta
150 pies (45,7m) de distancia. Las unidades son móviles y pueden ser utilizados sin
la interferencia de cables en áreas de alto tráfico.
Lectura de medidores remotos se realiza mediante la transmisión de la cantidad de
agua, gas o electricidad consumida en un sitio en particular a un móvil de la
unidad receptora. Un solo operador puede verificar el estado de casi el doble del
número de cuentas, reduciendo así el costo de la medición. Lectura de código de
barras a distancia- ers y escáneres también se encuentran entre las aplicaciones
que están tomando ventaja de la tecnología de RF en un entorno de detección.
8.3.8 La medición de intensidad de señal RF de la
exposición, especialmente la exposición continua, es una preocupación para las
señales de RF. El American National Standards Institute (ANSI) tiene límites de
equivalente per- missible exposición, dependiendo de la frecuencia. Un dosímetro RF
ha sido diseñado para detectar y registrar la intensidad y la duración de los
campos eléctricos que pres- ent en áreas de trabajo de los buques de guerra [26].
La posibilidad de incluir la electrónica en el sensor de tamaño de bolsillo ya con
otras técnicas de medición de RF pueden proporcionar datos útiles en futuras
aplicaciones.
8.4
Telemetría Telemetría es una técnica de medición remota que permite que los datos
se inter- preted desde una distancia del detector principal. La telemetría se
utiliza en coches de carreras para permitir que el personal de boxes para analizar
los datos en tiempo real generados desde un vehículo en la pista y proporcionar
retroalimentación al conductor que puede afectar el resultado de la carrera.
Por ejemplo, en la Fórmula Uno Ford's sistema, más de una docena de sensores
colocados alrededor del vehículo proporciona información a la computadora de
control del motor y

los transceptores, Transpondedores, y telemetría 193


transmitir los datos a un laboratorio móvil que se desplaza a las razas [27]. Un
indi- cación de un potencial problema puede iniciar un pit stop antes de
descalificar el problema se convierte en un fracaso. Indianapolis 500 y la
Asociación Nacional de Carreras de Automóviles de Serie (NASCAR) uso en vehículos
similares de telemetría. De hecho, resultando en tierra vehículos equipados con los
sistemas de telemetría permiten a los ingenieros de automoción evalu- ate, desde
sus oficinas, desarrollo de vehículos en pistas de prueba de alta velocidad. Las
comunicaciones celulares con controladores proporcionan sobre el terreno para
realizar diversas pruebas de dirección con información en tiempo real sobre la
forma en que sistemas están afectados. En rac- ing y vehículo de desarrollo, el
tiempo es corto y el costo elevado de inversión. La telemetría hace los resultados
más predecibles.
La telemetría se utiliza también en la producción de vehículos en los sistemas que
controlan la presión y la temperatura de cada neumático. El transmisor de RF en
cada rueda envía una señal (355 ó 433.92 MHz son frecuencias comunes) que es
recibida por una unidad montada debajo del salpicadero y una pantalla montada en el
tablero de a bordo proporciona información al conductor. Utiliza un sistema de
modulación de código de pulso para transmitir datos digitales girando la frecuencia
de la portadora en on u off, produciendo una explosión de energía de
radiofrecuencia [28]. La velocidad y tiempo de conmutación se controlan para crear
el código.
Los transmisores montados sobre ruedas entregamos 10 marcos de datos codificados en
ráfagas de 128 ms en aproximadamente 30 a 35 segundos intervalos. Cada bastidor
tiene 8 bits de datos y un período de supresión. Dos bits indican la presión de los
neumáticos, dos identifican la rueda que se está midiendo, y los otros cuatro
identificar el coche modelo y año. Neumático pres- seguro y la temperatura son
importantes dimensiones del vehículo que no sólo afectan la economía y desempeño
del vehículo, sino que también tienen un impacto significativo en la seguridad del
vehículo. Estos sistemas pueden ser comunes en los futuros vehículos debido a la
combinación de capacidad y la continua reducción de los costes de detección
integrado y tecnología de RF.
Otro difícil de conseguir en la medición de la temperatura del pistón en un motor
de combustión interna. La telemetría ha sido utilizado para transmitir la
temperatura indicada por la variación de la temperatura del chip sensible capaci-
tor. Esquema del sistema se muestra en la figura 8.12 [29]. El aumento de la
temperatura disminuye la capacitancia, lo que a su vez aumenta la frecuencia de
transmisión. Una antena multiloop en el cárter de aceite recibe la señal
transmitida. Los datos se con- verted a la temperatura a través de una curva de
calibración. El sistema tiene 7 canales de datos para correlacionar las
temperaturas en varias localidades en el interior del pistón. Un pequeño 22-pin
paquete híbrido contiene el multiplexor y el bloqueo oscilla- tor. Se genera
energía basado en el movimiento piston's. Una velocidad mínima del motor de 1.200
rpm es necesaria, y temperaturas de 150 a más de 600°F (65°C)–315 puede ser
medido. Para realizar el seguimiento de los datos enviados, un condensador de
referencia que no es dependiente de la temperatura se transmite una señal de 1 MHz.
Los canales restantes se enciende durante 1 segundos y luego se apaga durante 1
seg.

194 Entendimiento sensores inteligentes


transmisor Capacitor secuencial único multiplexor transistor oscilador de bloqueo
de temperatura sensor interruptor
inercial alimentación impulsado por
un enlace de telemetría
antena de bucle
para mostrar la frecuencia y temperatura registro receptor convertidor de
temperatura del pistón Figura 8.12 Sistema de telemetría.
Temperatura-dependiente se generan frecuencias entre 250 y 500 kHz para los canales
de datos.
Monitoreo ambulatorio de pacientes críticamente enfermos o pacientes que requieren
diagnósticos en tiempo real para fines de análisis ha aumentado el uso de
telemetría médica. Esta telemetría puede ser corto intervalo dentro del piso de un
hospital, o largo alcance para un ala completa. La mayoría de telemetría está
dentro de los 174–216 MHz de banda de frecuencia (VHF) para la transmisión de
potencia ultra baja. Requisitos de alimentación superior utilice una alternativa de
banda UHF (450 MHz) y 470–requieren licencias.
Monitorización en tiempo real de la presión sanguínea no invasiva, presión parcial
de oxígeno, y pulso periférico adicional de proporcionar información de diagnóstico
y evaluación en muchos pacientes cardíacos y respiratorios. Los electrocardiogramas
(ECG) y la presión parcial de oxígeno puede ser supervisada por dos cigarrillos
pack--unidades de tamaño, con un peso total de sólo 380g [30]. Una estación central
recibe los datos, analiza los datos de anomalías, y rutas de datos de forma de onda
y los parámetros para el análisis de datos adicionales o equipo de grabación. La
consolidación de varios pacientes en una estación remota puede reducir los costos
hospitalarios, reduciendo el personal y las unidades de cuidados intensivos
postoperatorios, así como proporcionar una mejora en el nivel de la atención al
paciente. Más datos pueden ser acumulados y analizados con menos

transceptores, Transpondedores, y telemetría 195


esfuerzo de enfermeras y médicos. Además, la aparición de problemas se pueden
detectar rápidamente y tomar las medidas adecuadas antes.
Telemetría RF también ha sido investigada por microminiatura de transductores para
aplicaciones biomédicas. La transferencia de datos y poder dentro y fuera del
cuerpo para transductores implantado es una zona crítica debido a la fiabilidad del
componente y, lo que es más importante, las restricciones y las posibilidades de
infección para
el paciente 3. Se ha desarrollado una microstimulator que mide sólo 1,8 mm
3 por 1,8 mm 3 por 9 mmcon telemetría RF funciona a 1 MHz para poder y control
[31]. El conjunto incluye un sustrato de silicio micromecanizado que tiene los
electrodos de estimulación, CMOS y circuitos de regulación de potencia bipolar; una
cápsula de cristal personalizados electrostáticamente pegada en el portador de
silicio para proporcionar un paquete herméticamente; condensadores chip híbrido; y
la bobina de la antena receptora. La aplicación de microtelemetry será más práctico
con mejoras en el micromaquinado integrado y la reducción en el tamaño de la antena
receptora.
8.5
tecnología MEMS MEMS de RF está siendo usado para desarrollar componentes de RF que
demuestran el rendimiento de alta frecuencia superior respecto a los convencionales
(generalmente semi- conductor) dispositivos. Estos nuevos dispositivos ofrecen
potencial para el nuevo sistema capa- bilities [32]. Darpa ha investigado la
tecnología MEMS para radio extremos frontales, condensadores, y redes de retardo de
cuasi-dirección del haz óptico y antenas reconfigurables.
Emitió recientemente una patente describe un monolithically banco de condensador
con interruptor integrado con tecnología MEMS que es capaz de manejar el
gigahercio- tanto en las frecuencias de señal de RF y bandas milimétricas [33].
Además, mantiene la técnica digital precisa selección de niveles de condensadores
en una amplia gama de tun- ing. Cada interruptor MEMS incluye un brazo cantilever
suspendido sobre el sustrato que se extiende a lo largo de una línea de tierra y
una línea de señal de la separación con un conjunto de contactos en el brazo y el
sustrato. El interruptor es accionado mediante MEMS voltio- edad aplicado al
electrodo superior que produce una fuerza electrostática y atrae la estructura del
condensador de control hacia la línea de tierra, causando el contacto eléctrico
para cerrar la brecha. El interruptor de MEMS integrado capacitor pares tienen un
amplio rango entre su estado y estado de desconexión la impedancia y la exhibición
de aislamiento superior y características de pérdida de inserción.
Antenas, líneas de transmisión y otros componentes de RF se construyen utilizando
técnicas de micromaquinado [34]. Los nuevos chips de micromecanizado son menos
costosas que las anteriores versiones de silicio. La figura 8.13 muestra un

entendimiento de 40 GHz 196 sensores inteligentes


área abierta ondas tiras (señal de tierra-tierra)
capa de dióxido de silicio
grabada v-groove
sustrato de silicio
Figura 8.13 a 40 GHz de la guía de onda de silicio micromecanizado. (Después de:
[34].)
guía de ondas [34]. Se utilizó el procesamiento CMOS estándar con un postprocesar
etch para obtener la ranura en V y área abierta. El Transverse Electromagnetic Mode
(TEM) proporciona guía de ondas de baja pérdida y alta velocidad de fase de hasta
40 GHz.
El coste de la instalación de sensores, tanto como $2,000/ft en algunas situaciones
(como partes de una aeronave), está instigando la investigación e inalámbricas de
sensores MEMS [35]. Investigadores de la Universidad de California en Los Ángeles,
han estado investigando de baja potencia (LWIMs microsensores integrados
inalámbricos) para redes microsensor distribuida [36]. Han demostrado su alta
selectividad micropower utilizando sistemas de receptor CMOS estabilizado de sierra
receptores y transmisores, un acelerómetro monolítico y suspendió el inductor de
antena inalámbrica y un sensor de infrarrojos. Los esfuerzos en curso para combinar
los sistemas y subsistemas a través de envases o tecnología de circuitos integrados
monolíticos deben propor- cionar nuevas opciones para futuras redes distribuidas.
8.6 Resumen de
adquisición de datos en tiempo real cada vez más a los sistemas de comunicaciones
de RF que permite una instalación más rápida y un mantenimiento más sencillo. Una
variedad de servicios de datos inalámbricos se están desarrollando sistemas de
savvy que pueden utilizar los desarrolladores para crear nuevos sistemas de
detección. Los trabajadores de servicio de campo y otros colectores de datos
móviles que

los transceptores, Transpondedores, y telemetría 197


necesidad de comunicar los resultados de la detecta parámetros o datos adquiridos
no va a estar conectado por cables a un sistema distribuido. El hogar, la oficina y
los sistemas de monitoreo industrial son más fáciles de implementar por medio de
una señal RF de trans- misión de utilizar instalaciones hardwired, incluso con
simples sistemas de dos hilos.
Asimismo, varias situaciones de monitorización peligrosos requieren detección y
transmisión de datos para minimizar la exposición de personas a sustancias tóxicas.
La combinación de la tecnología inalámbrica con tecnología MEMS es parte de una
nueva y emocionante área de sensores inteligentes.
Referencias
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silicio de bajo voltaje", por su diseño portátil Conf., Santa Clara, CA, 14 de
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[5] Leonard, M., "dominio digital invade las comunicaciones celulares", el diseño
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[9] Alexander, J. R. Aldridge, y D. O'Sullivan, "Inalámbrico", sensores de
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Boston, 1996, pp. 33–38.

Esta página se ha dejado intencionadamente en blanco

9
más allá de los sensores MEMS
"y estos otros instrumentos, el uso del cual no puedo adivinar?" "Aquí, el
profesor, debo darle algunas explicaciones. Será usted la amabilidad de
escucharme?" -Julio Verne, Veinte Mil Leguas Bajo el mar
9.1 Introducción
El micromaquinado tecnología que ha permitido que los sensores de semiconductores
está siendo aplicado a sistemas de control para numerosas aplicaciones mecánicas.
En algunos casos, las microestructuras que están siendo desarrolladas no tienen
ninguna re- lación directa a los sensores. Sin embargo, muchos de estos
dispositivos mejoran el rendimiento del sistema total o permitir el diseño del
sistema que anteriormente no era posible.
Porque el micromaquinado es fundamental para la fabricación de esas estructuras,
los futuros acontecimientos en esta esfera permitirán mejorar tanto el
micromaquinado technol- gía y los sistemas que los utilizan.
El diseño y la fabricación de microscale mecánico y eléctrico de es- tructuras se
denomina sistemas microelectromecánicos (MEMS). Los términos microsystems y
tecnología de microsistemas (MST) también se utilizan para describir las
estructuras formadas mediante el micromaquinado, especialmente en Europa. El
término IMEMS inteligente (MEMS) describe una combinación de MEMS monolítico e IC.
La medida en que el micromaquinado es utilizado para producir los componentes que
no son de sensores está demostrada por la lista de estructuras de silicio
desarrolladas se muestra en la Tabla 9.1 [1]. El procesamiento por lotes de
componentes mecánicos tiene el mismo potencial para la ingeniería mecánica (y otras
disciplinas) que
201

202 Descripción sensores inteligentes


Tabla 9.1 Micromecánica estructuras en silicio (después de: [1]) criogénico
micromotores microconnectors
acopladores de fibra óptica Micropneumatic
película tablas de medición del estrés Micropositioners
componentes fluidos IC Micropumps Microprobes disipadores de calor de las boquillas
de inyección de tinta láser Microreactor deflectores de haz
láser de microrrelés resonadores brazo Microrobotic
moduladores de luz Microrobots Magnetographic cabezales de impresión Micro-SEM
membranas Microscanners
tarjeta PC MEMS Microspectroscopy
Microaligners microbalanzas Microspeakers microinterruptores Microbolometer
(detector de infrarrojos) Microstimulator
Microchannels Micropuntas
Microchromatograph Microtransmissions micromotores Microvacuum tubos
lente Micro-Fresnel Microválvulas
microfusibles matrices Microvalve Microgears Microwaveguide Microgripper/nervio
microtweezers regeneradores
Microinterconnects máscaras fotolitografía
Microinterferometer interruptores de presión reguladores de presión Microlocks
micromecanizado láser de diodos convertidores rms
/microhandler Micromanipulator cabezales de impresión térmica
micromecánica Termopila
Micromicrophone memoria Espejos de torsión
vibrante Micromolds Micromirrors microestructuras en túnel de viento, la fricción
de la piel
semiconductor ha tenido el procesamiento por lotes para ingeniería eléctrica.
Today's $150 millones, además de la industria de los semiconductores y la
electrónica resultante de la industria

más allá de los sensores MEMS 203


no existirían sin la tecnología de procesamiento por lotes. Este capítulo describe
algunas de las áreas que están siendo exploradas para indicar la variedad y el
alcance de la tecnología MEMS. El campo de MEMS está progresando y ampliando muy
rápido.
Los ejemplos muestran la amplia cobertura de este nuevo campo. Nuevo actuador
diseños y nuevas tecnologías MEMS se están desarrollando rápidamente. Los lectores
interesados en los desarrollos más recientes se refieren a las revistas, libros y
sitios Web a los que se hace referencia en el presente capítulo y, al final del
libro.
9.2 Micromecanizado
Actuadores Actuadores de micromecanizado de silicio y otros materiales
semiconductores utilice electrostáticos, electrotérmicos, thermopneumatic,
electromagnéticos, Motic, electrohydrodynamic electroos-, aleación de memoria de
forma (SMA), thermoresponsive polímeros y otros medios para proporcionar el
movimiento. La tabla 9.2 es una comparación de las capacidades de varios actuadores
[2], que van desde productos existentes que proporcionan un rendimiento sin
precedentes en comparación con sus homólogos para intrigu macroscale- ing
curiosidades de laboratorio que requieren un desarrollo significativo para ser
práctico.
Ejemplos de silicon microvalve, micromotores, micropump, microtransmission
microdynamome- ter, y un motor microsteam, así como actuadores en alterna- tiva
materiales, se discuten en esta sección.
9.2.1 Microválvulas
un área de MEMS actuadores que ha alcanzado el estado de producción es micro
válvulas. La figura 9.1 muestra un diseño, un silicon Fluistor™ (o fluidos)
1 microvalve transistor que es aproximadamente de 5,5 mm a 6,5 mm por 2 mm [3]. La
mayor parte de cavidades micromecanizado en la sección superior se llena con un
líquido de control. En el estado desactivado, los gases pueden fluir a través de la
válvula. Una tensión aplicada al elemento de calefacción en el pulmón provoca
dilatación del líquido suficiente para desviar el diafragma, cerrar el asiento de
válvula, y restringe el flujo. La válvula tiene un rango dinámico de 100.000 a 1,
el control de los flujos de gas de 4 mL por minuto a 4 litros por minuto a una
presión de 20 psi.
9.2.2 micromotores
micromotores están entre las más interesantes demostraciones del futuro potencial
de MEMS. Varios investigadores han fabricado y electrostática
1. Fluistor™ es una marca registrada de la Redwood Microsystems, Inc.
204 Comprensión sensores inteligentes
Tabla 9.2 Resumen de las necesidades del conductor del actuador (Después: [2]) la
alimentación de entrada de activación activación concepto fuerza requerimientos de
tiempo
Thermopneumatic 34 kPa 0,03 seg 2.5W Thermoresponsive Polymer 437 kPa 0,05 seg 30
mW de cambio de fase de 100 kPa 0,04 seg 1,9 mW
bloqueo térmico 100 kPa 0.015 seg 3W 150 kPa SMA 0,12 0,2 seg una bilámina 50 kPa
1.0 seg 0.5A
calefacción dieléctrica 4 Pa 0,02 seg 10V @ 4 MHz
capacitivo de 50 kPa md* 2700V 25 kPa piezoeléctrico md 1000V 2.5 kPa
Electrohydrodynamic 0,0004 seg 700V tensión interfacial 10 kPa 0,002 seg 1V
Magnetorestrictive 50 kPa md 72A dos bobinas de 50 kPa md 18una película
ferromagnéticos 50 kPa md 1.4A imán permanente 300 kPa md 0,3 A
*Md = membrana dominado
motores electromagnéticos. Un ejemplo de un motor electrostático es mostrado en la
Figura 9.2 [4]. El diámetro rotor's es típicamente alrededor de 0,1 mm. El estator
es activado por impulsos que producen una fuerza electrostática. Acoplar el motor a
una carga y fricciones entre los problemas que deben ser resueltos para hacer que
el motor útil. Sin embargo, un ventilador para la refrigeración ultraalto
rendimiento- sors microproces está entre las posibilidades que pueden ser previstos
para esta tecnología. Tri- bology es el estudio del desgaste y se encuentra entre
las zonas que reciben una considerable investigación para estas máquinas, que no
puede ser lubricado con con- vencionales de enfoques y que mantengan las
capacidades únicas que promete la tecnología MEMS.
Los embobinados en un micromotor magnética requieren una sección transversal del
actuador más gruesa. Un método utiliza un proceso basado en poliamida que permite
micro estructuras a fabricarse en la parte superior de un proceso CMOS estándar
[5]. El núcleo del motor es multinivel chapeados de níquel-hierro envuelto
alrededor de un meandro

más allá de los sensores MEMS 205


Pyrex
sustrato de silicio
líquido Control de la resistencia de la membrana flexible

tamaño real de Pyrex la salida de flujo


Figura 9.1 Microvalve construcción y trazado de flujo. (Cortesía de la Redwood
MicroSystems, Inc.)
conductor. El meandro de estructura para el conductor y la bobina se aloja- plished
invirtiendo las funciones normales del conductor y el núcleo magnético. El núcleo
magnético está envuelto alrededor de un conductor planar por entrelazar o mediante
la interconexión de capas metálicas multinivel. Poliamida se utiliza como
dieléctrico, intercalar entre para incrustar las bobinas y los núcleos. La figura
9.3 muestra el micromotor funcional y un ejemplo del meandro bobina [5, 6]. El
rotor fue operado hasta una velocidad de 500 rpm según las limitaciones del
controlador del disco duro.
El micromaquinado superficial se ha utilizado la tecnología para fabricar un micro-
cuña mecanizada del motor de pasos [7]. Como se muestra en la Figura 9.4, el anillo
exterior tiene dientes internos, que son contratados por un diente en cada extremo
de la lanzadera alternativo. El anillo exterior puede tener los dientes de
engranaje en el exterior u otros medios de involucrar a otro miembro de la
mecánica. La figura muestra una versión giratoria de la tres-Capa de poly la
indexación del motor de pasos. Sin embargo, una versión lineal es también posible.
Este enfoque puede utilizarse en diseños que requieren posicionamiento preciso y
repetible de la micromecánica componentes.

206 Entendimiento sensores inteligentes


vista superior
estatores de Rotor
1 un
eje fijo de polisilicio nitruro de silicio
dióxido de silicio

Figura 9.2 Sección Transversal micromotor electrostática. (Después de: [4].)


9.2.3 Micropumps
una bomba peristáltica en miniatura ha sido diseñado, fabricado y probado. La bomba
consta de tres obleas de silicio pegados juntos, como se muestra en la Figura 9.5,
para producir un flujo de canal, membrana, y calefacción [8]. Pegado de fusión de
silicio se utiliza para pegar las obleas que contienen esos elementos. Las
resistencias se sus- pendiente en un líquido thermopneumatic y activan
secuencialmente de izquierda a derecha. El canal de flujo está fabricado por una
técnica de aguafuerte patentado para coincidir estrechamente el contorno de la
protrusión de membrana de nitruro de silicio. El calentamiento del fluido desvía la
membrana que desplaza el líquido. Las juntas de la membrana desviado el canal para
evitar el reflujo. Rendimiento del micropump ha pronosticado para ser de 7 mL por
minuto a una presión de 15 psi. Las bombas que pueden desplazar cantidades precisas
de líquido tienen aplicaciones en la medicina para la insulina dispens automática-
mente, así como la manufactura de precisión de control de proceso y reducido coste
mate- rial.

Más allá de los sensores MEMS


(207) un

núcleo magnético Flux I I


I
I actual conductor de
flujo
(b)
Figura 9.3 (a) y micromotor magnético (B) meandro multinivel bobina. (Cortesía del
Instituto de Tecnología de Georgia.)

208 Comprensión sensores inteligentes


Figura 9.4 Cuña giratoria del motor de pasos. (Cortesía de los Laboratorios
Nacionales Sandia.)
9.2.4 El color Microdynamometers
ya se han dado los primeros pasos para lograr una funcional microdynamome planar-
ter [9]. Un dinamómetro consta de un motor, un tren de engranajes de acoplamiento,
un generador para actuar como una carga activa y electrónica asociada. El proceso
de liga (discutidos en el capítulo 2), con la adición de una capa de sacrificio
(SLIGA) fue utilizada para fabri- cate componentes mecánicos de la
microdynamometer. Accionamiento magnético fue elegida para el micromotor y
generador bobinados. Como se muestra en la Figura 9.6, dos pole-par motor con tres
bobinados por polos (esquina superior derecha) y un generador con seis bobinados
fueron fabricados utilizando chapeados de níquel.
Fotodiodos integrado en el diseño puede ser utilizado para determinar la posición
del rotor en el motor y el generador. Entre las cuestiones que deben resolverse
para lograr un microdynamometer funcional materiales magnéticos son problemas.
Un microtransmission fabricados utilizando el micromaquinado superficial puede
aumentar la potencia de un microengine por un factor de 3 millones cuando la
Frédéric- ción está descuidada [10]. Los investigadores junto a seis sistemas de
transmisión idénticos, cada uno con una relación de reducción de 12:1 para lograr
el aumento total. Ese nivel podría

más allá de los sensores MEMS 209


Thermopneumatic calentador calentador de entrada de la caja de la oblea
oblea membrana Salida
canal de flujo de membrana de oblea de Canal
(a) (b)
Figura 9.5 tres actuadores thermopneumatic proporcionando acción peristáltica de
bombeo: (a) Vista lateral y vista de extremo (B).
Figura 9.6 Microdynamometer fabricada con chapeados de níquel. Un único par de
polos de la unidad de prueba se encuentra en la parte inferior derecha. (Cortesía
de la Universidad de Wisconsin.)
permiten un micromachine la fuerza necesaria para mover un objeto de 1 lb. El
engranaje es reversible y puede aumentar como disminuir las velocidades. La figura
9.7 muestra un ejem- plo de un conjunto de engranajes micromecanizado superficial
[11].

210 Entendimiento sensores inteligentes


Figura 9.7 cuatro engranajes formando una transmisión para aumentar la fuerza de un
microengine.
(Cortesía de los Laboratorios Nacionales Sandia.)
9.2.5
world's Microsteam motores, el motor a vapor más pequeño fue fabricado con
tecnología de micromaquinado superficial [11]. La figura 9.8 muestra el SEM del
dispositivo. El agua dentro de los cilindros de compresión es calentada por la
corriente eléctrica, se evapora y, a continuación, empuja el émbolo hacia afuera.
Las fuerzas capilares retraer el pistón cuando la corriente es eliminado.
9.2.6 Actuadores en otros materiales semiconductores
actuadores han sido diseñados y fabricados utilizando película delgada y metales
chapados, dieléctricos y fotoresinas para capas sacrificial sobre sustratos de GaAs
e InP.
GaAs e InP materiales se usan para fabricar dispositivos MMIC, que requieren una
optimización que potencialmente puede realizarse mediante actuadores on-chip y como
resultado un mejor desempeño y rendimiento. Deslizamiento capacitivo interdigitated
sintonizadores, vigas de flexión y rotación de interruptores han sido fabricadas en
un proceso MMIC- compatible como un primer paso hacia su utilización definitiva
para controlar el MMIC [12].
Epitaxial de carburo de silicio (SiC) 3C-Films y espolvoreado SiC amorfos films han
sido investigados para alta temperatura dispositivos MEMS [13].
Más allá de los sensores MEMS 211
Figura 9.8 un solo pistón microsteam motor. (Cortesía de los Laboratorios
Nacionales de Sandia [11].)
suspendió los diafragmas y estructuras en voladizo independiente fueron grabadas en
películas epitaxiales utilizando el micromaquinado a granel. Las vigas voladizas
desviada hacia abajo debido a la variación de las tensiones residuales en la
película. Técnicas de micromaquinado superficial se aplican también a SiC amorfa.
De 150 mm de diámetro y 1,5 mm de espesor se ha fabricado desde engranaje amorfo
espolvoreado de SiC en dióxido de silicio. Esos materiales promisorios para
dispositivos MEMS, pero requieren un considerable esfuerzo de desarrollo para el
progreso del laboratorio a la producción.
9.3 Otras Estructuras Micromecanizado
además de actuadores, estructuras MEMS será utilizado para los componentes del
sistema que requieren tamaño pequeño o reproducibilidad que puede lograrse con
micro mecanizado. Varios, metal microgears han sido impulsadas por aire forzado o
relativamente débiles campos magnéticos. Otros ejemplos examinados en esta sección-
onstrate dem la variedad de actividades de investigación y desarrollo que se está
produciendo para dispositivos basados en MEMS.
9.3.1 Canales de refrigeración
un tubo microheat creado por microchannels paralelo en la parte inferior de IC de
alto rendimiento pueden proporcionar refrigeración para minimizar los puntos
calientes, mejorar la

comprensión de 212 sensores inteligentes el


rendimiento y aumentar la fiabilidad. El enfoque propuesto se muestra en la Figura
9.9 [14]. Después de que los canales están grabados, múltiples capas de
metalización al vacío son depositados en las paredes del canal y selle la parte
superior. Calentamiento del chip en una bañera llena de líquido aproximadamente el
20% del volumen de cavidades con líquido.
Los extremos están sellados después de este paso para contener el líquido. La
microheat pipe's operación hace que el líquido se evapore en regiones de alta
temperatura y se condensan en zonas de baja temperatura, lo que resulta en una
distribución de temperatura más uniforme a través de la IC. Frecuencias de
funcionamiento cada vez mayores para obtener un mayor rendimiento MPUs y MCUs
pueden requerir este tipo de refrigeración para evitar que aumente el tamaño del
envase o la cantidad de disipación térmica externa.
Se ha publicado una patente en los Estados Unidos, para la refrigeración de los
dispositivos semiconductores de alta potencia con microchannels formado por el
micromaquinado o técnicas de corte por láser de silicio o estructuras de carburo de
silicio [15]. Los microchannels eliminar el calor por convección forzada o el uso
de líquido refrigerante situado lo más cerca posible de la fuente de calor. Los
microchannels maximizar la superficie del disipador y mejorar los coeficientes de
transferencia de calor para una mayor densidad de potencia de los dispositivos
semiconductores sin aumentar junction tempera- tura o disminuyendo la fiabilidad.
Flujo gaseoso en canales de tamaño de micras también está siendo investigado. El
intercambio de la energía y el impulso entre los MEMS y sus gaseosos ronments envi-
a menudo rige las características de respuesta de estos sistemas. Para estudiar la
dinámica de intercambio entre un medio gaseoso y microdevices, micro- canales
fueron inventados (52,25 mm de ancho, 1,33 mm de profundidad y 7.500 mm de
longitud) para llevar a cabo experimentos de flujo de nitrógeno [16].
Vapor depositado capas
Capa Capa 3 2 1 capa de
sustrato tubo Microheat
canal grabado
Figura 9.9 Un tubo microheat para la refrigeración de los circuitos integrados.

Más allá de los sensores MEMS 213


9.3.2
microoptical Microoptics un número de dispositivos han sido producidos por técnicas
de micromaquinado, incluyendo rejillas, lentes, puentes aéreos, interconexiones
eléctricas, acopladores de fibra óptica, ayudas de alineación, esquina los
reflectores y las guías de ondas [17]. Además de silicio, una serie de materiales
semiconductores III-V están siendo investigado- tigated para mejorar el rendimiento
óptico. Un químicamente asistida Ion Beam etch- ing (CAIBE) Proceso mediante haces
de iones de argón y xenón y cloro, como el gas reactivo se utilizó para fabricar
láseres emisores de superficie. Los láseres de 3 mm de diámetro, operado a
temperatura ambiente, con un umbral de corriente inferior a 1,5 mA y una eficiencia
cuántica diferencial del 16%. Sin embargo, una serie de problemas que deben
resolverse para el láser para proporcionar una solución viable para la computación
óptica, chip a chip, de comunicaciones y de conmutación óptica. La combinación de
la mecánica, óptica y electrónica en la escala de micras promete ser un importante
campo en microsistemas ópticos.
Una combinación diferente de micromaquinado y óptica se muestra en la figura 9.10
[18]. El polisilicio microscanner en la figura consta de una
figura 9.10 una rotación óptica polígono microscanner hechas por electroless
chapado de níquel.
(Cortesía de la Case Western Reserve University.)

214 Comprensión sensores inteligentes


hueco chapado en níquel polígono reflector en el rotor de una unidad electrostática
micromotor. Un sistema microoptomechanical (MOMS) se basa en el nivel de oblea de
integración de componentes ópticos y MEMS. Microscanners elementos ópticos y
muebles han sido diseñados y fabricados utilizando electroless chapado de níquel
sobre superficies reflectantes del rotor del micromotor. El espesor (altura) del
níquel es 20 mm, ancho 10 mm. Los escáneres con diámetros de 250 a 1.000 mm se han
producido, pero el mayor micromotores no funcionan- relia bly después de que sean
liberados. Rejilla de difracción microscanners fueron fabricadas con rejillas
espacial de 2 y 4 mm utilizando un proceso similar. La clave para las mamás de
dispositivos es la capacidad de fabricar diferentes estructuras mecánicas y ópticas
sobre un sustrato común.
Se ha propuesto un actuador que utiliza la potencia óptica para proporcionar la
energía mecánica [19]. Un accionador óptica tiene ventajas potenciales de mayor
velocidad de funcionamiento, menor consumo de energía y reducir la expansión
térmica de los enfoques no óptico. En voladizo de silicio reacciona ante una
corriente fotoeléctrica relajando, en contraposición a una tensión electroestática
aplicada, lo cual pone de relieve el haz más.
9.3.3 Microgrippers
varios investigadores han demostrado microgrippers o microtweezers. Un equipo de
investigación ha desarrollado una superficie micromecanizado microgripper de
polisilicio que se activa mediante un peine-electrostática unidad [20]. El peine
electrostática unidad técnica proporciona la fuerza durante varios microactuators
así como una estructura de oscil- relativos numerosos sensores. Los dos brazos
pinzas móviles están controladas por un peine electrostático de tres elementos,
como se muestra en la figura 9.11. La longitud de los brazos de accionamiento, L
m
dr,es de 400 mm, y la longitud de cada brazo de extensión, Lext,es de 100 m.
Utilizando distintas abrir y cerrar los controladores, el rango de agarre para una
determinada tensión máxima se dobla. Movimiento de 5 mm fue producida por las
mordazas con menos de 30V aplicada a la unidad del peine.
9.3.4 Microprobes
una viga en voladizo de contactar y escanear a través de la superficie de una
muestra puede medir la topografía de la superficie. El instrumento, un micro-
alcance de fuerza atómica (AFM), requiere una estructura mecánica con una punta
afilada, muelle pequeño, constante y alta frecuencia de resonancia [21]. Los
rendimientos de fabricación por lotes cantilevers con características muy
reproducibles, y piezoeléctricas, capacitivos o técnicas de detección sistive
piezore- puede ser utilizado para detectar la desviación de la punta de la sonda.
La construcción de una sonda de AFM está ilustrado en la figura 9.12(a). Las dimen-
siones de un dispositivo son L1 = 175 mm, L2 = 75mm, w = 20mm, b = 90mm, y

más allá de los sensores MEMS 215


por encima del rango
abierto protector de
brazo de extensión de controlador
controlador abierto el brazo impulsor
Gripper sugerencia
abrir el controlador
Ldr Lext
=>
Figura 9.11 de anclaje de un esquema con un peine microgripper electrostática
unidad. (Después de: [20].)
t = 2m. La constante de resorte calculado de esta estructura es de 4 N/m. La AFM m
probe fue utilizado para medir una rejilla de dióxido de silicio que tiene una
profundidad de 270 Å y repite cada 6,5 mm. Estos tipos de dispositivos pueden ser
útiles en profilome- tratar de CI y la inspección. Una sonda de AFM producidos por
instrumentos científicos del parque se muestra en la figura 9.12(b).
9.3.5
Micromecanizado Micromirrors digital micromirror dispositivos pueden utilizarse
para pantallas. Como se muestra en la figura 9.13, el micromirror elemento es un
espejo de aluminio suspendidas sobre un espacio de aire por dos delgadas, post-
apoyó las bisagras [22]. Las bisagras permiten compatible mecánicamente el espejo
para rotar 10 grados en cualquier dirección.
Los puestos que ofrecen las conexiones a un sesgo/reset bus que conecta todos los
MIR- rors de las matrices a un bono pad. Los espejos son fabricados por células
SRAM CMOS convencionales que proporcionan una dirección para cada circuito de
espejo. El mir- rors tiene un tiempo de respuesta de aproximadamente 10 ms y puede
ser modulada por ancho de impulsos para proporcionar una salida en escala de grises
en una pantalla en blanco y negro. Mono- lítica de matrices con 768 por 576 píxeles
han sido producidos.
Bisagra Micromirror Device ha sido fabricados utilizando el micromaquinado
superficial [11]. Las bisagras micromirror está impulsado por una microengine cou-
rogó a un par de tres marchas-aumento del rendimiento del sistema. La combinación
es suficiente para
216 Comprensión sensores inteligentes
tipo n
óxido is
<100> Si la oblea (tipo P)
finas de óxido de metal

óxido resistencia
<111> Si los aviones
L1 L2
b
w
sustrato
(a)
(b)
Figura 9.12 (a) (después de la AFM: [21]), y (b) SEM de unidad real (cortesía de
Parque Científico instrumentos).

Más allá de los sensores MEMS 217


elemento de espejo
el poste de soporte de bisagra de torsión + 10 ° - ° 10 de
sustrato de silicio dirección Offset electrodos
Electrodos aterrizaje Espejo
Figura 9.13 Digital Micromirror con bisagra de torsión suspensión.
desviar el espejo sin la ayuda de las sondas externas. La figura 9.14 muestra el
espejo en la posición vertical.
9.3.6 Elementos de calefacción
térmica Multijunction convertidores (MJTC) han sido fabricados utilizando un
proceso CMOS apre- ciación y grueso micromaquinado [23]. Después de procesamiento
CMOS, una cavidad está grabado a granel micromaquinado que produce una estructura
en voladizo MJTC suspendido, como se muestra en la figura 9.15. Calentamiento
resistivo de polisilicio ele- mentos y cruces de termopar de polisilicio de
aluminio están encapsulados en vidrio. El vidrio protege los elementos del etchant
y proporciona un soporte mecánico. MJTCs tienen aplicaciones potenciales en bajo
costo y alta precisión- Circuitos de potencia de RF y microondas.
9.3.7 emisores Termiónicas
Matrices de tungsteno sputtered termoiónicas emisores han sido fabricados por sur-
enfrentan el micromaquinado [24]. Una capa de SiO2 aísla sputtered tungsten desde
el sustrato de silicio. El volframio es modelada por wet aguafuerte, y el silicio
es también húmedo-grabada bajo el filamento para evitar el contacto. Se probaron
los filamentos
-7 en un vacío de 5 ⋅ 10 torr. Los filamentos cambió de color rojo apenas visible a
la luz blanca una vez que empiezan a emitir. Vida útil de funcionamiento cerca de 1
hr ha sido

218 Comprensión sensores inteligentes


Figura 9.14 micromirror batientes mostrando la bisagra y ensamblajes de rieles.
(Cortesía de los Laboratorios Nacionales Sandia.)
Figura 9.15 Un MJTC. (Cortesía del NIST y Ballantine Laboratories, Inc.)
más allá de los sensores MEMS 219
logrados con corrientes de emisión de alrededor de 10 nA. La termoiónica emisores
son
3 como la primera etapa en una miniatura de la SEM. El SEM es inferior a 2 cm en el
vol- Ume y está formado por cinco de apilamiento de dados de silicio.
Los recientes acontecimientos en thermionics exigen examinar los términos que se
utilizan comúnmente para semiconductores. La invención y un volumen de producción
de semiconductores, dispositivos de estado sólido o tubos de vacío de desplazados.
Sin embargo, dispositivos termiónicas realizadas mediante procesos de
semiconductores han creado ahora estado gaseoso microdevices. Volumen de producción
de tales dispositivos es cierta para levantar comentarios si éstas se conocen como
dispositivos de estado sólido.
9.3.8 Emisiones de campo muestra
una serie de pantallas de emisión de campo (Federales) están siendo desarrollados
utilizando técnicas de micromaquinado [25]. Un FED consta de una matriz de emitir
micropuntas. En un enfoque, el micropuntas están formados por cámaras de grabado
dentro de una oblea de silicio enmascarado. Consejos de molibdeno están depositadas
en la cámara de vacío. Varios cientos de emisor consejos están fabricados para cada
píxel, permitiendo que docenas de consejos para fallar sin pérdida apreciable de
brillo.
Otra técnica para producir las micropuntas utiliza selectiva de grabado de un
sustrato de silicio policristalino. Este auto-alineada proceso utiliza el cristal
estruc- tura de silicio para producir silicio afiladas puntas atómicamente. Es
posible eliminar la litografía en este enfoque, debido a la naturaleza de
alineación automática del proceso. (La aplicación de FEDs se discute en el Capítulo
11.)
9.3.1 Desdoblable microelementos
microestructuras que tienen articulaciones elásticas se han usado para hacer
muebles estructuras tridimensionales de superficie planar micromecanizado de
estructuras. Micro robots están entre las posibilidades de estos dispositivos. La
base de la estructura móvil se muestra en la figura 9.16(a) [26]. Poliamida
proporciona la flexibilidad de sentido para placas de polisilicio skeletonlike o
estructuras. El PSG es muy generosamente grabados para liberar la estructura del
sustrato. Publicado estructuras han sido doblados en las bisagras, como papel,
creando insectlike microcubes y estructuras tridimensionales.
Una SEM de un insecto robótico de ejemplo se muestra en la figura 9.16(b) [27]. La
estructura fue fabricado utilizando MCNC's multiusuario proceso MEMS (paperas).
El error incluye un accionador, electrónica, sensores infrarrojos, diodos y una
celda solar.
El microrobot es hecho de un chip de silicio de 1 cm por 0,5 cm por 0,5 mm.
Una superficie micromecanizado bisagra MEMS diseñado para estructuras plegables
utiliza dos capas de polisilicio estructurales para formar tanto la bisagra y la
placa móvil [28]. El desarrollo más reciente es una mejora sobre un anterior

220 Comprensión sensores inteligentes de


poliimida de polisilicio

PSG de polisilicio de
obleas de silicio (a)
(b)
(Figura 9.16) una estructura tridimensional con junta elástica (después: [27]), y
(b) robotic bug (cortesía de BSAC, Universidad de California, Berkeley).
pin-y-sistema de grapado y tijeras-diseño de bisagra. Las clavijas y grapas se
necesita un sistema de tres capas estructurales para alcanzar una base, pasador de
eje y grapas de sujeción plegables donde la estructura móvil estaba conectado al
sustrato. La tijera- bisagra teje una segunda capa de polisilicio en y, a
continuación, a través de la primera capa de polisilicio. Permite tejer la
estructura de sujeción para ser depositados en la primera capa, pero no está
conectado a ella. El más reciente desarrollo hace uso de vigas voladizas de
presionar y luego fijar el pasador del eje. El eje está diseñado con un límite
auto-- ing mecanismo que evita que el eje sobresalga por debajo de la primera capa
de polisilicio. La bisagra fue diseñado, construido y probado en una superficie
micro- sistema microphotonic mecanizada. La bisagra podría abrirse a 90 ±0,8
grados.

Más allá de los sensores MEMS 221


Métodos para accionar los brazos artificiales sobre dispositivos robóticos han sido
estudiadas y comparadas con las propiedades de nature's actuadores: los músculos
[29]. Uno de los acontecimientos más interesantes es un músculo electrostática que
utiliza la combinación de una serie de pequeños desplazamientos de la fuerza para
producir importantes dis- la colocación [30]. Matrices de esfuerzo integrado
produce una membrana flexible que los contratos con una aplicación de un campo
eléctrico. El micromaquinado superficial se utiliza para cre- ate metal-clad de
poliimida rectángulos que son sólo unos pocos milímetros en un lado. Una matriz de
1,5 millones de células forma un 1 cm de fibra larga que los contratos 0.3 cm con
sólo unos pocos voltios aplicados. La tecnología de matriz de fuerza está siendo
desarrollado para el movimiento coordinado de la vinculación de los elementos
flexibles. Además de la robótica, auto-alineada de alta densidad conectores
multicontact eléctrico puede ser diseñado utilizando esta tecnología.
9.3.10 Micronozzles microminiatura aperturas y las boquillas son requeridas para
los instrumentos ópticos y una variedad de dispositivos mecánicos, incluida la alta
resolución de las impresoras de chorro de tinta, control de flujo y los
atomizadores [31]. La micronozzle utilizado para las impresoras de inyección de
tinta es el mayor volumen de producción microactuator. Aguafuerte sacrificial se
utiliza para producir una gran estructura en forma de boquilla cusped utilizando
nitruro de silicio. Se crea un molde para el nitruro de pasos por (a) a (d) en la
figura 9.17. La estructura de nitruro es
(a) (d),

Nitruro de Silicio
(f) (b)

(c) de polímero de óxido (e)


Figura 9.17 Micronozzle proceso de fabricación.

222 Entendimiento sensores inteligentes


liberados del sustrato por una etch backsawing KOH y precisión, tal como se muestra
en la figura 9.17(e). Alternativamente, back-enmascarados grabado anisotrópico
produce la estructura que se muestra en la figura 9.17(f ). Una variedad de otros
materiales, incluyendo sili- con dióxido de silicio dopado con boro, polisilicio,
refractarios y los metales nobles, puede utilizarse para la boquilla.
9.3.11 interconexiones para
obleas obleas apiladas sobre construcción de oblea está siendo investigado para
mejorar la densidad de los circuitos integrados. El micromaquinado con posterior
metalización pueden proporcionar una técnica para interconectar una pila de
diversas tecnologías en la oblea de silicio. Como se muestra en la figura 9.18
[32], grabada anisotropically las obleas están alineados donde la interconexión es
necesaria. La estructura piramidal tiene una abertura cuadrada en la parte superior
de 25 mm y 120 mm en la parte inferior de finas obleas. Una fina malla de alambre
chapado en oro se utiliza para llenar la cavidad. El cable gacha- las habitaciones
en la parte superior y se comprime en la parte inferior para formar un gold-en-
contacto de oro.
9.3.12
En caso reader's Nanoguitar la imaginación no ha sido suficientemente estimulado
por la vari- ety de estructuras analizadas hasta el momento, un último ejemplo es
el nanoguitar fabricado por investigadores de la Universidad de Cornell [33]. Como
se muestra en la figura 9.19, lo que se ha llamado el más pequeño world's guitarra
es sólo 10 mm de largo. Las seis cuerdas son cada 50 nm o 100 átomos de ancho. El
micromecanizado fue nanoguitar desde crystal- línea de silicio. La clave de la
tecnología de haz de electrones (E-beam) litografía,
segmento 3 Oblea
oblea
oblea del segmento 2 segmento 1
placa de PC
Figura 9.18 Interconexiones de pirámide vias para la estructura de capas múltiples.
(Después de: [32].)

más allá de los sensores MEMS 223


Figura 9.19 Nanoguitar fabricados utilizando E-beam litografía.
que permite extremadamente fina patrones para ser creado. A 30 nm-wide cable sus- a
través de una pendiente de 2 mm también se ha realizado utilizando este enfoque.
Estos efectos nanomecánicos dispositivos están entre la investigación inicial para
resolver cues- tiones física respecto al movimiento y disipación de energía
mecánica.
9.4 Resumen El
micromaquinado tecnología es utilizada para producir a escala de micras
Machines—mov- capaz Structures—that independientemente son fascinantes.
Si pueden ser intercon- ectado para utilizar en un microsistema, estos dispositivos
tienen el potencial para crear nuevas industrias como la tecnología de
semiconductores ha hecho. Dispositivos MEMS se fusionaba con sensores proporcionará
nuevas herramientas y se ha mejorado el rendimiento de los sistemas de con- trol.
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Más allá de los sensores MEMS 225


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[33] http://www.news.cornell.edu/science/July97/guitar.ltb.htn

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10
Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes
que lamento que no hay más mundos que conquistar.
-Alejandro Magno
10.1 Introducción
Todos los avances e investigaciones que se están produciendo en el micromaquinado
llevaría a pensar que los avances en esas áreas será suficiente para la revolución-
ize sensing. Lamentablemente, los problemas asociados con el sensor básico pack-
envejecimiento se agravan cuando el sensor se combina con niveles superiores de
electrónica. Estos problemas iniciar en el nivel más bajo de morir y pegado de
alambre y extender a la encapsulación, sellado y provocar problemas de formación.
Conjunto suelen existir diferencias fundamentales entre el sensor y la
microelectrónica pack- envejecimiento y figuran entre los problemas que deben
resolverse para lograr mejor sen- sors. Estas diferencias incluyen die bonding para
subrayar el aislamiento en lugar de disipación de calor y métodos de pegado de
alambre.
El embalaje es esencial para establecer la fiabilidad de la sonda. La fiabilidad-
das requisitos deben tenerse en cuenta en el diseño del paquete, especialmente para
paquetes personalizados en aplicaciones específicas. Prueba del circuito del sensor
de combinación también requiere combinar la capacidad de prueba de ambas
tecnologías. Este capítulo aborda el sensor la tecnología de envasado,
especialmente las nuevas tecnologías de la industria de semiconductores, que
debería ser aplicada a los sensores inteligentes, fiabilidad y prueba de
preocupaciones para los sensores inteligentes.
227
228 Descripción sensores inteligentes
10.2 Semiconductor Packaging aplicada a sensores
de muchos paquetes de sensores today's parecerse a paquetes de semiconductores de
la década de 1980 o incluso 1970. La industria de los semiconductores ha hecho
progresos significativos en plástico de alta densidad los paquetes encapsulados. El
aumento de la utilización de tecnología de montaje superficial (SMT) es uno de los
cambios más importantes. Para lograr mayor funcionalidad sin incrementar la
complejidad de silicio, disponibles tecnologías de silicio se combinan en el nivel
de paquete de paquetes basado en semiconductores, no un módulo fabricante, técnicas
de montaje. Estos mul- tichip módulos (MCMs) están siendo evaluados para varias
aplicaciones, incluidas las de automoción.
Como el uso de tecnología de montaje superficial aumenta, se produce una
disminución en el uso de los conocidos anteriormente en línea doble (DIP) paquete
de plástico. Otros paquetes de orificio pasante como único en línea de plástico
(SIP) y el pin grid array (PGA) también no aumentan. SMT nuevos enfoques, como ball
grid array (BGA) y microBGA paquetes son el foco de las actuales el desarrollo de
embalajes. Para el futuro, los componentes altamente integrado, técnicas de
embalaje debe tomar en cuenta más complejas, los requisitos de nivel de sistema,
así como los requisitos de montaje superficial. La capacidad del sensor a la
industria a adaptarse a los nuevos métodos de embalaje semicon- ductor a sensores
determinará la aceptación de sensor inteligente de la tecnología y el crecimiento
futuro de la industria.
El embalaje, montaje, pruebas y contribución al coste de una bien establecida en
una bajada de presión micromecanizado paquete se muestra en la figura 10.1(a) [1];
el chip sensor es sólo el 14% del coste total. Para envases más complejos, tales
como un sensor de presión, en la que se exigirá el aislamiento del material, los
costes de envasado, ensamblaje y ensayo puede ascender al 95% del costo total.
El tipo de sensor, la cantidad de circuitos, y la aplicación puede cambiar los
costes significativamente. Un acelerómetro tiene un chip de control independiente y
g-célula en un paquete de montaje en superficie. Al morir el costo en ese caso es
de 30% para la celda g y 24% para el ASIC, tal como se muestra en la figura
10.1(b). Sin embargo, el mayor desafío con el acelerómetro para aplicaciones de la
bolsa de aire automotriz es barato comprobación [1].
Paquetes de sensores tienen requisitos básicos que son similares a las de semi-
conductor de dispositivos. La variedad de aplicaciones de sensor duras hace más
difícil que el embalaje embalaje para un dispositivo semiconductor. Sin embargo, el
paquete básico operaciones se producen en orden similar.
Completó una oblea del sensor tiene un paso de procesamiento final que se prepara
para el envasado [2]. Esa medida podría incluir adelgazamiento la oblea y una parte
trasera de fijación metálicos como una de oro-silicio eutéctico. Probado en la
oblea sensores de nivel que no cumplen con las especificaciones mínimas son
identificados como unidades rechazadas por una gota de tinta. Los sensores están
entonces separadas en individuales dados de la oblea de

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 229


paquete paquete 5% 14% 17% mueren de sustrato
ASIC 30%
mueren 24% 14% 64% de pruebas y montaje del montaje y prueba de un 32% (a) (b)
Figura 10.1 el costo de los elementos de (a) Un sensor de presión en un paquete DIP
en comparación con (b) un acelerómetro en un paquete de montaje en superficie.
(Después de: [1].)
aserrado o escribano y romper las técnicas. Sensor bueno dados son colocados en los
portadores que permiten la recogida automática y colocar máquinas para transferir
los dados con el transportista para el paquete final, donde mueren bond atribuye el
sensor firmemente al paquete.
Uniones de cable conecte los contactos eléctricos en la superficie del troquel a
los conductores del paquete, que permiten que el sensor a la interfaz de los
componentes externos. El pa- quete sellado, si es de metal o cerámica, o
encapsulados, si es moldeado plas- tic. Chapado de plomo y recortar (o
singularización) ocurren siguiente y son seguidas por las operaciones de marcado y
prueba final.
El diseño real del paquete debe tener en cuenta las zonas sensibles del dispositivo
semiconductor y el sensor's función específica. La lista siguiente [2] incluye las
características que afectan al embalaje del sensor. La sensibilidad a la luz del
semiconductor debe ser minimizada en envases para un accelerome- ter, pero
optimizado para un fotodiodo. Igualmente, durante el diseño de la sen- sitivity
package's al estrés deben tenerse en cuenta para evitar que el estrés afecte el
desplazamiento y la sensibilidad de un sensor de presión sensibles al estrés. Para
los sensores inteligentes, el elemento clave en la lista es el hecho de que el
nivel de integración afecta al paquete sensor's.
• El grosor de la oblea y obleas stack (p. ej., sola, silicio-silicio, cristal de
silicio);
• Dimensiones;
• sensibilidad ambiental/requisito de interfaz física;
• vulnerabilidad física/estrés sensibilidad;
• generación de calor;
• La sensibilidad al calor;
• Sensibilidad a la luz;

230 Comprensión sensores inteligentes


• Sensibilidad magnética;
• el nivel de integración.
Una capa de pasivación deposita cerca del final del proceso de fabricación de
obleas protege el área activa de dispositivos semiconductores. Tabla 10.1 [2]
enumera los com- mon términos utilizados para describir esa capa. El dióxido de
silicio y nitruro de silicio dopado con boro, fósforo, o ambos son dos materiales
utilizados para el proceso de pasivación. Para el sensor semiconductor, las
propiedades mecánicas de las capas también deben ser tenidas en cuenta. Por
ejemplo, en sensores de presión de silicio, implantado o difundido elementos están
protegidos por una capa de pasivación, pero la dia- diafragma esfera está
enmascarado para evitar el material heterogéneo interfaz y humedezca- ing efecto
que sería causado por la capa de vidrio.
Para componentes de semiconductores, el paquete proporciona protección frente a
factores ambientales, que pueden incluir la humedad y los productos químicos
gaseosos o líquidos. Los paquetes están protegidos también en aplicaciones como
automoción montado debajo del capó por módulos adicionales de sílice y epoxy
macetas de com- libras o revestimiento adaptable (p. ej., acrílicos, poliuretano,
silicona, y ultra-violeta compuestos de curado) que cubren el circuito impreso para
que el componente está montado. Sin embargo, los sensores semiconductores
frecuentemente tienen que interactúan con el entorno. Los sensores de presión, por
ejemplo, que responden a las presiones estáticas y dinámicas debe disponer de
técnicas que permitan la protección de la señal de presión para ser transmitida a
la fuerza de recogida de diafragma con mini- mal la amortiguación y la distorsión
de la señal. La distorsión puede ser causada por com- pressible fluidos.
Tabla 10.1 de obleas de silicio de capa de pasivación términos (después de: [2])
Material de nivel de ensamblado
Silox Wafer Wafer Wafer Glassivation Vapox Pyrox capa Wafer Wafer PSG BSG Wafer
PBSG (fosfo-vidrio de borosilicato) Wafer Parylene dimetil-paquete paquete de
silicona
Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 231
materiales para la protección adicional y el cable de la superficie mueren pegado
de conexiones, como un delgado revestimiento Parylene conformal compatible o hidro-
metil-estático de gel de silicona, son frecuentemente utilizados como medio para
transmitir la presión a la superficie del sensor. Parylene deposición es un proceso
en el cual la depresión reactiva el vapor pasa a través de un sensor de temperatura
de la habitación y recubre el sensor con el polímero [3]. El equipo utilizado para
realizar el proceso es bastante complejo, especialmente en lo relativo a gel
recubrimientos. El tipo de media que parylene- y gel-sensores protegida puede
interactuar está limitada por las propiedades del material protector.
10.2.1 mayor recuento de pin
uno de los problemas más difíciles que deben resolverse cuando elec- trónica de
circuitos adicionales está integrado con o interactuar con el sensor es el
requisito adicional de pinouts. Circuitos integrados, incluyendo MCUs, industria-
han aceptado los paquetes estándar que permiten un gran número de conexiones. Para
aumentar la densidad en rápido aumento de aplicaciones montado en superficie,
pasador parcelas inferiores a 0,5 mm están siendo perseguidos. Cinta automatizada
de pegado (ficha) es una de las tecnologías que se están desarrollando para abordar
necesidades fine-pitch. Los sensores, por otro lado, generalmente se limitan a ocho
o menos pines. Además, el embalaje varía mucho de un fabricante a otro, sin factor
de forma estándar (Figura 10.2). Los requisitos para una mecánica inter- cara de
presión, fuerza, flujo o líquido causan problemas de embalaje adicional.
Circuitos adicionales, ya sea simple o de acondicionamiento de señal más
sofisticados que incluyen capacidades de MCU, tiene un impacto sobre la sen- sor de
embalaje [4]. Sólo un "sensor" en comparación con el sensor integrado en el
circuito de control plus es un nivel de diferenciación de los requisitos en materia
de embalaje. Sin embargo, el aumento de la funcionalidad a través de circuitos
adicionales, ya sea en el mismo chip o desde un chip separado incluido en el
paquete de sensor final o módulo, afecta a la cantidad de pines, normalmente
aumentando el número de pines. Se produce una excepción de simples circuitos de
amplificación y compensación de temperatura, donde el número de conexiones es
realmente reducido de cuatro a tres para sensores piezo-resistivo.
10.3 empaquetado híbrido
Hybrid paquetes, tales como la cerámica multichip paquetes, sean usados
rutinariamente du- rante la investigación y el desarrollo de semiconductores y
dispositivos MEMS. Éstos permiten a los investigadores probe porciones
seleccionadas de la morir y compruebe espera

comprensión 232 sensores inteligentes


funcionalidad, sobre todo si todo el morir no está realizando para predecir los
niveles de rendimiento. Paquetes híbridos se utilizan también para la producción de
sensores.
10.3.1 Los envases de cerámica y sustratos cerámicos
paquetes de cerámica, como la cerámica (DIP CERDIP), utilizar un leadframe que está
conectado a la base de cerámica a través de una capa de vidrio. Después de morir y
wire bond- ing, una cerámica superior es de vidrio selladas a la base. La misma
técnica se usa para otros paquetes de cerámica de factor de forma, incluyendo la
cerámica flat pack. Paquetes de cerámica se utilizan normalmente para aplicaciones
de alta fiabilidad y son mucho más caros que otras técnicas de empaquetado de
semiconductores. Son muy útiles en la fase de desarrollo de un sensor porque el
chip de silicio no tienen que ser encapsulado. Que permite a varios puntos de
prueba en el morir para ser fácilmente sondeado y medido en forma envasada [5].
La tecnología cerámica se utiliza en técnicas de montaje híbrido para sensores.
El sustrato cerámico, generalmente un óxido de aluminio, proporciona una sólida
plataforma de montaje para el sensor mueren. Aislamiento de estrés puede obtenerse
mediante una com- pliant silicona para morir adjunto. El sustrato cerámico láser
permite recortar- Ming de resistencias de película gruesa depositada sobre la
superficie de la cerámica para proporcionar la señal de calibración para un sensor
de acondicionado.
10.3.2 módulos multichip
la extensa investigación que se realiza para el envasado multichip lectronics
microe- también está siendo evaluado y adaptado para la fabricación combinada de
sen- sor(s) y la microelectrónica. La figura 10.3 muestra posibilidades técnicas de
embalaje que posiblemente podría ser utilizado para sensores [4]. Estos enfoques
incluyen (a)- ventional chip-y-cable, (b) flip-chip, y c) la ficha. Chip-y-wire es
la apre- ciación die-sobre-sustrato técnica de embalaje. Flip-chip se discute en
Sección 10.4.3. Embalaje ficha elimina el cableado desde la matriz de pegado a un
plomo adjuntando directamente un cable que va a la parte superior de la matriz.
Cualquiera de estos métodos es un candidato potencial para envases de MCM.
Para MCMS con uno o más elementos de detección y silicio ICs, el silicio es uno de
los sustratos materiales que puedan ser utilizados. El enfoque de un Cir- cuito de
junta de silicona para conseguir la oblea, nivel de integración híbrido puede ser
la mejor solución provisional para un sensor combinado y MCU. Sin embargo, existen
diversas variedades de MCMs, dependiendo principalmente de la tecnología de
sustrato: MCM-L, MCM-C, MCM-D y MCM-IS son clasificaciones comunes [6].
Un MCM-L (el sufijo -L significa laminado) utiliza la avanzada tecnología de placa
de circuito impreso, conductores de cobre y plástico Laminate–based
dieléctricos. Es esencialmente un chip-on-board (COB) tecnología, tal como se
muestra en el

embalaje, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 233


Figura 10.2 el sensor de presión y el acelerómetro en comparación con
microcontrolador paquetes paquetes.
Figura 10.3(a). Un MCM-C utiliza thick-film screening sobre cerámica cofired sub-
demuestra. Un MCM-D tiene interconexiones formado por la deposición de películas
delgadas de metales en los dieléctricos de polímeros y compuestos inorgánicos. Un
MCM-Si utiliza un sustrato de silicio con interconexiones de cobre o de aluminio y
el SiO2 como material dieléctrico inorgánicos.
Los rendimientos para MCMs puede ser menor que para las asambleas realizadas
utilizando pack- anciano semiconductores. Los últimos conocidos buenos mueren (KGD)
esfuerzos en la semicon- ductor industria están dirigidos hacia la mejora del
rendimiento mediante la mejora de las pruebas en el nivel de oblea. Los mismos
criterios serán necesarios para sensores de MCM.
10.3.3 Dual-Chip Packaging
paquetes personalizados que acomodar un sensor mueren y sus asociados- señal
circuito ditioning son comunes para aplicaciones de alto volumen. En esos casos, el
volumen justifica el desarrollo y los costos de herramientas. Un ejemplo de pres-
seguro paquete desarrollado sensor de presión absoluta del colector para automoción
de sen- sors se muestra en la figura 10.4 [7]. Resistencias de película delgada
sobre el control mueren son LÁSER RECORTADO, para proporcionar una señal totalmente
acondicionado y calibrar el sensor de presión.
El control morir ha sido utilizado como un bloque de creación para otras presiones
solici- tudes y con diferentes necesidades de embalaje. El enfoque de dos chips ha
demostrado ser rentable y flexible.
234 Entendimiento sensores inteligentes
Chip-y-cable flip-chip ficha
(a) (b) (c)
Figura 10.3 Bare die técnicas de montaje para MCMs.
Figura 10.4 dual-chip custom paquete de plástico. (Cortesía de Motorola, Inc.)
10.3.4 Ball Grid Array Packaging
ball grid array (BGA) paquetes están entre los nuevos paquetes de semiconductores
que también puede tener potencial para multichip sensores inteligentes. Un portador
(matriz de pad sobremoldeadas OMPAC™) paquete es uno de los nuevos desarrollos
en
envases ductor semicon- 1. También es conocida como soldadura bump array (SBA), pad
array car- rier (PAC) y land grid array (LGA). Cada técnica se basa en un ciego de
la unión de soldadura para la conexión directa de una portadora de chip sin
conductores a una placa de circuito impreso [8]. Como se muestra en la figura 10.5,
la soldadura tiene protuberancias OMPAC™ adjunta a la almohadilla de lámina de
cobre sobre un sustrato de fibra de vidrio epoxi. El morir en el moldeado de
plástico pa- quete está conectado por cable de oro bonos. Ejecutar vias soldadura
térmica entre golpes a
1. OMPAC™ es una marca comercial de Motorola, Inc.

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 235


Molding Compound
Die
chapados en oro die
Die adjuntar adjuntar máscara de soldadura epoxi resina epoxy de lámina de cobre de
BT bolas de soldadura
máscara de soldadura térmica cubriendo a través de via térmica:
chapado en cobre a través del agujero
Figura 10.5 plástico paquete BGA.
disipar el calor del paquete. Los golpes de reflujo de soldadura durante el proceso
de montaje en superficie, para adjuntar el paquete a una placa de circuito impreso.
10.4 Embalaje para sensores monolítico
el mayor volumen de semiconductores utilizando técnicas de embalaje de plástico
moldeado de paquetes con factores de forma que incluya los SIPs, DIPs, quad flat
pack, y un vari- ety de dispositivos de montaje superficial (SMD). La leadframe
Moldeo y técnicas utilizadas en envases de plástico ofrecen el menor coste paquetes
de semiconductores.
Las mejoras recientes incluyen el mejoramiento de la capacidad para resistir la
prueba de autoclave- ing para mejorar la hermeticidad y la utilización de mejores,
molde bajo estrés com- libras para aplicaciones de montaje superficial. Sin
embargo, un sensor que debe físicamente la interfaz con un sistema mecánico, como
un sensor de presión, presenta las operacio- nales desafíos de embalaje.
Cilíndrico A-5 y A-8-metal puede paquetes de semiconductores han sido adaptados
para su uso como paquetes de sensores. Para los sensores de presión, la tapa y el
encabezado del paquete suele tener un orificio para permitir que la fuente de
presión para ser aplicada al morir y proporcionar una referencia de presión a la
atmósfera. Los cables se extienden a través de la base del conjunto mediante la
fijación de vidrio juntas. El uso de Oro enchapado y morir duro adjunto al sustrato
de vidrio del sensor proporciona uno de los principales medios de comunicación-
sensores compatibles. La tapa de metal es
236 Comprensión sensores inteligentes
soldada a la cabecera, y puerto de sensor de presión accesorio se logra a través de
la soldadura, soldó, técnicas o soldado [5]. Este tipo de paquetes se utiliza
también para acelerómetros, dispositivos ópticos y otros sensores.
10.4.1 Los envases de plástico de
plástico portadora de un chip que utiliza tecnología Leadframe Package ha sido
utilizada para la fabricación de sensores de presión durante más de una década. Un
único molde formas tanto el cuerpo como la parte posterior del chip portador. El
paquete unibody patentado proporciona un menor costo, menos los pasos del proceso,
mayor rango de presión, capacidad y mayor compatibilidad de medios en comparación
con versiones anteriores de separar el cuerpo y placa de metal posterior [5]. La
técnica de montaje leadframe permite una fácil manipulación de varios dispositivos
a la vez y la automatización de las operaciones de montaje como die bond, bond,
alambre y gel-las operaciones de llenado. La automatización permite un estricto
proceso controla a implementarse y proporciona un alto rendimiento.
Uno de los problemas más difíciles para los sensores que interfaz para entornos
hostiles es la compatibilidad de los soportes. Figura 10.6 es un método para lograr
una interfaz de bajo costo.
10.4.2 Surface-Mount Embalaje
El embalaje Mayús para SMT (ver Figura 10.1) está afectando también a los sensores.
Esto puede significar específicamente diseñada para montaje en superficie o
paquetes de sensores, más com- plex sensores, una placa de circuito impreso (PCB)
ensamblado que utiliza exclusivamente SMT.
Un ejemplo de la extensión de la superficie de montaje de envases en un sensor está
demostrado por el sensor GPS se muestra en la Figura 10.7. Que el 2 de 3,25 por 0,5
en PCB tiene cinco ICs para montaje en superficie, incluyendo un MCU de 32 bits
[9].
El sensor de radar con una sola placa en la figura 10.8 muestra varios componentes
de montaje en superficie, [10]. Mientras que el volumen aumenta en estas
aplicaciones, la creciente integración y posiblemente mayor densidad MCMs permitirá
menor

o soldadura de Silicio
Silicio vidrio
superficie soldable de soldadura de
plástico de presión
Figura 10.6 mayor compatibilidad de medios de embalaje del sensor de presión.

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 237


Figura 10.7 para montaje en superficie en envases Oncore™ GPS. (Cortesía de
Motorola, Inc.) (Oncore™ es una marca comercial de Motorola, Inc.)
2 envases. Coste de fabricación de alto volumen para un 0,5 en versión del circuito
en la figura 10.8 se estima en alrededor de $1.
10.4.3 Flip-Chip
flip-chip de tecnología de envasado, comúnmente utilizado en ICs, está empezando a
recibir atención en sensores [11]. Flip-chip tecnología permitirá la electrónica
para ser fabricado en un chip, que puede ser conectada al chip MEMS por medio de un
proceso o flujo fluxless asistida proceso de reflujo de soldadura. Este es un
enfoque MCM-IS para combinar diferentes tecnologías de procesamiento de silicio en
lugar de aumentar el tamaño del chip y máscaras de capas para conseguir una
solución de silicio monolítico.
Figura 10.9(a) es un ejemplo de tecnología flip-chip en un proceso estándar IC
[12]. La tecnología ha sido empleada en la industria automotriz y el equipo de
apli- caciones durante varios años. La soldadura bump es formado sobre cobre en el
nivel de oblea. Varios pasos preceden a la formación de la protuberancia. Un

entendimiento 238 sensores inteligentes


Figura 10.8 interior del sensor de radar. (Cortesía del Laboratorio Nacional
Lawrence Livermore.) de
nitruro de pasivación se utiliza para enmascarar zonas distintas de las de cobre-
aluminio contacto metálico en el chip de silicio. Sputtered titanio-tungsteno (TVS)
y cobre se utilizan para formar una base de metal para el cobre, el plomo y el
estaño, que son colocadas en la base. Gradualmente se reajustan en un horno en
desnivel provoca una amalgama inducida térmicamente de estaño y plomo para formar
una bola debido a la tensión superficial. El espaciamiento de las protuberancias
uniformemente alrededor de la die evita el estrés durante la expansión térmica.
La figura 10.9 muestra también cómo flip-chip se puede aplicar la tecnología a un
sen- sor. El sensor está representado por una estructura de diafragma, pero podría
ser cualquier estructura de micromecanizado. En un caso, el sensor podría ser un
flip-chip en un IC más complejos tales como un MCU. Un enfoque alternativo es la IC
como un flip-chip en el micromecanizado estructura. Los requisitos de la sonda debe
ser considerado cuando este tipo de envasado es desarrollado.
10.4.4 Wafer-Level
discutido capítulo 2 envases de superficie estructuras micromecanizado sellado
dentro de dos capas del sensor micromecanizado a granel paquete. Que la oblea de
nivel "packaging" de sensores micromecanizado se traduce en un ahorro considerable
de costes de los métodos de embalaje que utilice una lata de metal o cerámica de
paquetes. El proceso ha demostrado

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 239


Montaje o circuito adicional (es decir, temperatura) las conexiones de
soldadura de reflujo bump antes de cobre fotorresistentes Sputtered Cu Sputtered
TiW
nitruro de pasivación Al-Cu taco de metal
(A)
golpee antes de reflujo de soldadura de cobre chapado en conexiones eléctricas IC
Control fotorresistente
Sputtered Cu MCU Sputtered TiW (b) (c) de nitruro de pasivación Al-Cu taco de metal
(d)
Figura 10.9 flip-chip general: (a) morir con golpes, (b) golpea el sensor en la
MCU, c) golpea el control mueren en el sensor, y d) la propia estructura de
rugosidad.
manufacturabilidad y produce un bien protegido, hermético, como un dispositivo de
sensor de acelerómetro. La tecnología tiene consecuencias de largo alcance y abre
la puerta a nuevos métodos de bajo costo, envases herméticos en el más caro de los
métodos utilizados en la actualidad. Protección de la estructura de dos capas ha
sido aloja- plished con un paquete de plástico moldeado para los productos
actuales. Embalaje protector en el futuro puede tomar una forma diferente.
Protección epoxi para ICs ha proporcionado una solución de embalaje de bajo costo
para la electrónica de consumo. El glob-paquete superior se muestra en la Figura
10.10(a) es simplemente un montículo de epoxi que protege la superficie del troquel
y uniones de cable para un IC montado sobre una placa de circuitos. De flip-chips,
una capa protectora alrededor de la matriz se ha propuesto, como se muestra en la
Figura 10.10(b) [13]. En ese caso, la protección es de silicio al silicio con capas
sensibles sellada en el interior de la resina epoxi. Menor costo envasado será
esencial para muchas nuevas aplicaciones de sensores inteligentes. La adaptación de
los métodos aquí descritos podrían proporcionar el costo extraordinario.
10.5 La fiabilidad implicaciones
sensores requieren pruebas similares a las realizadas en ICs y única- mente
qualifica pruebas para verificar que tendrán un rendimiento aceptable tanto de la

240 Comprensión sensores inteligentes


Wirebonds glob epoxi
cobre IC almohadilla almohadilla de cobre

con soldadura de sustrato de placa de circuito impreso (A)


Chip encapsulado epoxi
C4 C4 de
sustrato cerámico
(b)
Figura 10.10 protección epoxi para morir solo: (a) y (b superior glob) flip-chip.
(Después de: [13].) de
silicio y el embalaje de sus posibles aplicaciones. Por ejemplo, varias pruebas han
sido desarrolladas para sensores de presión de silicio basado en la necesidad de
detectar posibles fallas debido al entorno en el que los dispositivos se oper-
comió. Las pruebas han sido utilizadas para calificar los sensores con
amplificación on-chip. Pruebas clave incluyen pero no están limitados a los
siguientes [14]:
• La vida operativa, como el pulso, la presión-temperatura ciclismo con sesgo;
• Alta humedad, temperatura elevada con sesgo;
• Alta temperatura con sesgo;
• alta y baja temperatura de almacenamiento;
• vida ciclos de temperatura;
• choque mecánico;
• vibraciones de frecuencia variable;

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 241


• soldabilidad;
• parte posterior soplado (para sensores de presión);
• la atmósfera salina.
Las pruebas aceleradas de vida útil y pruebas de integridad mecánica para deter-
minar la fiabilidad de la vida útil de estadísticas para sensores de presión de
silicio. Los posibles mecanismos de falla están determinadas por los materiales,
los procesos y la variabilidad de los procesos que pueden ocurrir en la fabricación
de un sensor en particular. Por ejemplo, el sensor de presión en la Figura 10.11
tiene 10 relacionadas con el producto y 8 áreas relacionadas con el proceso con 73
elementos diferentes que pueden afectar a la fiabilidad [14].
Otros sensores tendrá prueba de fiabilidad acorde con los requisitos de la
aplicación para la que el sensor está siendo utilizada y el tipo de embalaje- nique
que es tecnología empleada.
Problemas de confiabilidad del sensor
pegado de cables: Gel de
Viscosidad: resistencia mueren metalización:
Colocación de coeficiente de expansión térmica o descamación de la
altura de elevación y
cambio de tamaño de alineación de permeabilidad de bucle en el material o proceso
arañazos la
altura de material de
cobertura de vacíos contaminación bimetálica
(Fresado Láser Kirkendall vacíos) Espesor de uniformidad de
arañazos y otros daños propiedades adhesivas paso
: Paquete de cobertura general de calidad y fabricación de compatibilidad de
soportes de resistencia de contacto Gel Integridad Integridad aeriation
compresibilidad calidad chapado de diafragma:
Dimensiones Tamaño espesor resistencia térmica resistencia mecánica resistencia de
presión uniformidad fosos fracturas alineación:
grosor de pasivación defectos mecánicos
conduce: Integridad
material y uniformidad en el acabado
chapado de soldabilidad integridad calidad General Die attach:
fuerza la uniformidad cambios de diseño:
Contaminación de rendimiento eléctrico de resistencia al estrés mecánico material o
los cambios del proceso de continuidad y cortocircuitos a la resistencia a la
corrosión a temperatura Conjunto Faband limpieza adherencia estabilidad paramétrica
mojar la superficie contaminada Parametric rendimiento fuerza de adherencia
material extraño marcado rendimiento de temperatura: control de proceso Scribe
estabilidad de temperatura permanencia mueren los defectos de orientación la
fiabilidad a largo plazo claridad morir difusión la altura de almacenamiento de
defectos en el material o cambio de degradación proceso defectos óxido de
susceptibilidad a los daños por radiación la compatibilidad multimedia diseño
calidad compresibilidad
Figura 10.11 áreas de confiabilidad en un empaquetado de plástico del sensor de
presión.

242 Entendimiento sensores inteligentes


el nuevo enfoque para establecer la compatibilidad multimedia utiliza sensores de
monitoreo in situ [15]. Una configuración típica de tres etapas para verificar los
medios com- patibility es caracterizar a (1), (2) Exponer al medio ambiente, y (3)
Repetir la prueba de conformidad con la especificación. Que requiere la extracción
del sensor desde el entorno de prueba y cambia también la exposición del sensor a
través de la adición de oxígeno antes de repetir la prueba. Se han elaborado nuevos
procedimientos que ponen a prueba los compuestos orgánicos utilizados en el
embalaje sensor's, el elemento sensor de silicio y los circuitos integrados en el
sensor, sin desmontar el sensor de la cámara de ensayo. Sensor de nuevos materiales
y diseños de envases modificados han demostrado para sobrevivir en una variedad de
medios hostiles comunes para aplicaciones en automóviles y camiones. Previamente un
nivel de confianza comparable habría sido posible sólo después de alcanzar millones
de horas de la unidad en la aplica- ción efectiva o experimenta una alta tasa de
devoluciones bajo garantía.
10.5.1 La Física del fracaso
del embalaje del sensor, los problemas específicos de la aplicación debe ser
cuidadosamente dirigida a garantizar un rendimiento aceptable a lo largo de la vida
esperada sensor's.
Se ha propuesto un enfoque para mejorar la fiabilidad y reducir el costo de los
sensores [3]. Identificar expectativas mínimas y aplicación crítica fac- tores que
limitan la vida útil del dispositivo son parte de una metodología conocida como la
física del fracaso enfoque de pruebas de fiabilidad. La física del fracaso enfoque
consiste en analizar los posibles mecanismos de falla y modos. Una vez que estos se
en- tiende, desarrollo de embalajes específicos de la aplicación puede continuar la
prueba apropiada se pueden establecer condiciones y parámetros críticos puede ser
medido y observado [16].
Uno de los principales mecanismo de falla de sensores que funcionan en medios
hostiles ap- plications (por ejemplo, sensores de presión) es la corrosión
galvánica, concretamente la corrosión causada por metales diferentes en contacto
eléctrico en una solución acuosa. Utilizando un enfoque de la física de la falla,
se puede empezar a preguntar las preguntas adecuadas.
Los factores ambientales que contribuyen al mecanismo de falla? Lo accel- erates?
¿Qué debería hacerse para el paquete del sensor para evitar la corrosión o
minimizar su impacto sobre la vida sensor's? ¿Cuál es la vida útil del sensor
esperado?
Las respuestas a estas preguntas permiten que las simulaciones a realizarse y los
costos para ser analizados antes de largos y costosos ensayos es iniciado.
Las pruebas demostrará en última instancia la aceptabilidad de una determinada
propuesta.
A menos que los mecanismos apropiados son conocidos, overdesigning puede añadir
costes innecesarios para el embalaje, como una capa de pasivación, un duro morir
adjunto, o cualquier proceso no estándar. Además, los equilibrios de diseño que el
resultado puede no ser beneficioso. Por ejemplo, agregando un disco morir adjuntar
al sensor de presión para

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 243


aplicación de Revisión Técnica, el medio ambiente, la definición de fracaso, las
expectativas de vida,
pruebas de selección de la muestra al fracaso a diferentes niveles de estrés
(D.O.E. Formato)
Análisis • Análisis Estadístico • Distribuciones de por vida • Análisis físico
falla, Sitios y mecanismo determinado
modelos establecidos fiabilidad (temporal)
Figura 10.12 física de fracaso metodología.
mejorar la fortaleza de la die bond podría limitar el rendimiento del dispositivo
en otras áreas, tales como el coeficiente de temperatura de desplazamiento [16].
10.5.2 la confiabilidad del sensor Wafer-Level
uno de las ventajas inherentes a los sensores semiconductores es su capacidad de
integrar el acondicionamiento de señal, compensación de temperatura, y básicamente
cualquier aspecto de fabricación de semiconductores en el mismo sustrato de silicio
como el sensor. Que permite el nivel de fiabilidad de obleas para ser
implementadas. Estructuras de prueba en la oblea o obleas monitor permiten la
evaluación de los pasos críticos del proceso a medida que se produzcan y
proporcionar una retroalimentación rápida para detectar y corregir errores en el
proceso. El costo de las pruebas en el nivel de oblea es considerablemente inferior
a la prueba en el conjunto completado el nivel. Como se muestra en el cuadro 10.2
[17], el costo de la evaluación de los pasos críticos del proceso temprano en el
proceso de fabricación de obleas proporciona una considerable reducción de costos
en las pruebas realizadas después de la asamblea se complete el proceso. Los datos
es una comparación de pruebas de proceso de semiconductores. Sin embargo, a medida
que avanza la tecnología del sensor, paquete enfoques comunes en el semiconductor

244 Comprensión sensores inteligentes


Cuadro 10.2 el costo de las pruebas de diversas pruebas (después de: [17])
probar esta técnica
tradicional
oblea prueba de nivel al final de la vida útil normal de óxido-Gate evaluación $200
$20.000 $32.000
pasivación superior $175 $12.000 $16.000 evaluación
nuevo proceso de etch $800 $15.000 $13.000 pruebas Electromigration $350 $7,000
$35,000
Hot-electrón $750 $9.000 $8.500
Industria de susceptibilidad, como flip-chip y KGD, se aplicará también a los
sensores. Fiabilidad a nivel de oblea tendrá mayor interés tanto para el fabricante
del sensor y el usuario.
Las técnicas normales de prueba requieren unidades empaquetadas y considerablemente
más tiempo para su evaluación. Al final de la vida de las técnicas que requieren
más pruebas para asegurar que la vida de un producto (por ejemplo, 20 años) es
factible. Para las pruebas de nivel de oblea, adicio- nales en el nivel de paquete
de pruebas es necesaria porque los métodos de embalaje tienen un efecto
significativo sobre la fiabilidad total. Sin embargo, pruebas de fiabilidad a nivel
de oblea es una de las maneras en las que los sensores semiconductores puede seguir
para lograr el menor coste de productos y la mejora continua.
10.6 Pruebas de sensores inteligentes
se producen varias cuestiones para probar los sensores que combinan otros la
tecnología de semiconductores. Porque el último sensor inteligente (nivel V en la
figura 1.7) es un mono- lítica de combinación de una estructura y un
micromecanizado MCU, los retos que plantea la combinación de ensayo debe ser
abordado. Estos retos incluyen, pero no están limitados a, los diferentes tipos de
ensayos necesarios, único equipo de pruebas, y pruebas multipaso. Para permitir una
solución integrada de bajo costo, esos temas deben ser tratados [18].
La integración de una función de medición física en una ya com- plex en modo mixto
analógico-digital como un chip MCU con un ADC integral

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 245


plantea la necesidad de otro tipo de pruebas. Si un sensor de presión se combina
con un MCU, una de las más difíciles situaciones de prueba se produce. Para probar
el sensor de presión debe ser capaz de aplicar el medio físico está probando el
dispositivo y medir la respuesta. La medición de la respuesta a estímulos físicos
no es una prueba estándar para la industria de semiconductores, especialmente en
varias temperaturas. Los evaluadores pueden probar el estándar digital y analógico
de porciones de la MCU. La aplicación de estímulos físicos y la habilidad para
calentar y enfriar el dispositivo bajo prueba con rapidez y precisión la necesidad
de una unidad única y modificado el probador. Debido a que los probadores son uno
de un tipo y no están disponibles como equipamiento estándar, el costo del probador
es una gran parte del coste unit's final.
No sólo son los probadores caro, pero el rendimiento es limitado. Rendimiento
limitado causará un mayor costo a cada parte debido al aumento de los costos de
depreciación asignado a cada dispositivo. El costo es aún mayor por la necesidad de
mul- tipass pruebas. Para la calibración, cada Parte podrá exigir los ensayos al
menos tres dife- rentes temperaturas, para determinar las características de salida
transducer's por exceso de temperatura. Estos valores se utilizan para derivar el
algoritmo de compensación que esté cargado en el chip EPROM. Para completar el
ciclo, el dispositivo es puesto a prueba una vez más por exceso de temperatura para
confirmar la precisión. Por lo tanto, no sólo es un comprobador especial requerida,
pero se convierte en un cuello de botella, porque debe ser usado dos veces para
completar cada Device—once para medir las características y una segun- da
tiempo para verificar el resultado.
Encontrar maneras de reducir el costo de las pruebas es una de las cuestiones clave
para hacer un sensor integrado de bajo coste y MCU una realidad. Ideas que podrían
resultar promis- ing incluyen una caracterización exhaustiva del diseño, limitando
la temperatura de funcionamiento, limitando la precisión, programación la MCU para
tomar datos du- rante las pruebas, y la carga de la prueba y el algoritmo de
compensación en la MCU antes de las pruebas.
10.7 Resumen
Como se ha desarrollado la tecnología de detección inteligente, el microcontrolador
o ASIC capabili- los lazos serán incluidos con el sensor. Que va a aparecer como
una estructura monolítica o como componentes multichip; en cualquier caso, un
aumento en el número de contactos se agregarán al otro sensor requisitos de
embalaje. Sin embargo, toda la justificación para la futura rentabilidad de
sensores basados en semiconductores se basa en los siguientes sensores de la curva
de aprendizaje similar a la de los semi-conductores. Para los sensores de acercarse
a los progresos realizados en materia de semiconductores, los envases de plástico
deben ser desarrolladas. Además, normas de embalaje debe ser estandarizado para
equipos de prueba (controladores) y segunda fuentes. Pack- Sensor de envejecimiento
se basa en ambos paquetes de semiconductores y híbrido, pero los nuevos

246 Comprensión sensores inteligentes


técnicas que son exclusivas de los sensores inteligentes probablemente será
desarrollado para satisfacer las necesidades futuras.
Referencias
[1] Vaganov, V., H. Joseph, y S. Terry, "Requisitos de aplicación cliente
coincidente con sensor rentable embalaje y las pruebas", Proc. Sensores Expo,
Boston, 13 de mayo–15, 1997, pp. 181–189.
[2] Van Zant, P. Fabricación de Microchip, New York: McGraw-Hill, 1990.
[3] Benson, A. F., "Contar con revestimiento adaptable", Asamblea de ingeniería, de
junio de 1990, págs.
20–23.
[4] Frank, R. y J. Staller, "La fusión de micromaquinado y Microelectrónica," Proc.
Tercer Foro sobre Internat'l ASIC y tecnología de transductores, Banff, Alberta,
Canadá, el 20 de mayo–23, 1990, pp. 53–60.
[5] Ristic, L. J., Tecnología de sensores y dispositivos, Norwood, MA: Artech
House, 1994.
[6] La sangre, W. R., y J. S. Carey, "Prácticas de Fabricación de MCMs," la
tecnología de montaje en superficie, en noviembre de 1992, págs. 16–22.
[7] Czarnocki, W. S., y J. P. Schuster, robusta, modular, Sensor de presión
integrado", sen- sor 95 Internat'l Conferencia sobre sensores, transductores y
sistemas, Nuremberg, Alemania, en mayo de 1995.
[8] en la barbilla, S., "Ball Grid Array Paquete desafíos quad flatpack", productos
electrónicos, de abril de
1993, págs. 19–20.
[9] Oncore Ad, Automoción, de octubre de 1994, pág. 71.
[10] Babyak, R. J., "Electrónica", fabricante de electrodomésticos, de mayo de
1994, pp. 95–99.
[11] Markus, K. W., V. Dhuler y A. Cowen, "Smart MEMS: Flip Chip Integración de
MEMS y electrónica," Proc. Sensores Expo, Cleveland, el 20 de septiembre–22,
1994, pp. 559–564.
[12] La interfaz de dispositivo lineal/ICs Data Book, vol. II, DL128/Rev. D 4,
Sector de productos semiconductores de Motorola, Phoenix, 1994.
[13] Hill, G., J. Clementi, y J. Palomaki, "Mejora de encapsulamiento epoxi Flip
Chip Bond- ing", el empaque y la producción electrónica, agosto de 1993, págs.
46–49.
[14] Maudie, T. y B. Tucker, "Problemas de fiabilidad para sensores de presión de
silicio", Proc. Los sensores de la Expo '91, Chicago, 1 de octubre–3, 1991,
pp. 101-1 a 101-8.
[15] Frank, R. y T. Maudie, "Sobreviviendo el ambiente automotriz", Ingeniero
Electrónico- rias veces 1995 Guía de diseño de sistemas, número especial, 1995.
[16] Maudie, T. D. J. Monje y R. Frank, "Consideraciones para envases- tiempo de
vida previsible sensores," Proc. Sensores Expo, Boston, 13 de mayo–15, 1997,
pp. 167–172.

Empaquetado, pruebas y fiabilidad repercusiones de sensores inteligentes 247


[17] Reedholm, J. y T. Turner, "Wafer-Level fiabilidad", la tecnología de
fabricación de microelectrónica, de abril de 1991, págs. 28–32.
[18] Frank, R. y D. Zehrbach, "Probar el sistema en un chip", Proc. Sensores Expo,
San Jose, CA, 19 de mayo–21, 1998, pp. 235–238.

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11
mecatrónica y sistemas de detección de
personas están fascinados por lo que can't entender bastante.
-Michael Palin de los Monty Python's Flying Circus
11.1 Introducción
a alcanzar el nivel más alto de detección inteligente, todo el sistema,
esencialmente, tiene que convertirse en un sistema de detección o una extensión de
capacidad de detección. El término mecanis- tronics es frecuentemente usado para
describir el diseño del subsistema de una combinación de componentes
electromecánicos. Equipos o MCUs son una parte integral de muchos sistemas
mecatrónicos. Mecatrónica ha sido definida como la combinación sinérgica de la
ingeniería mecánica de precisión, electrónica de control, y el enfoque de sistemas
para el diseño de productos y procesos de fabricación [1].
Mecatrónica representa un mayor nivel de sofisticación y complejidad, requieran-
ing el diseño de la interfaz del sistema electromecánico. En algunos aspectos, la
mecatrónica es similar al analógico-digital interface, sólo más complejos.
Aunque los ingenieros de diferentes disciplinas comparten sus resultados sobre un
programa en particular, trabajan con una menos-que-perfecto entendimiento de cómo
sus decisiones de diseño que afectan a las decisiones de sus homólogos. Mecatrónica
y otros enfoques, como la ingeniería concurrente, están intentando entender
equilibrios de diseño previamente en el proceso de diseño para reducir el tiempo de
ciclo de diseño y garantizar que el producto final cumpla los criterios de diseño.
Mecatrónica combinado con el micromaquinado y sensores inteligentes permitirá
completar microsystems para ser diseñado y fabricado en un único chip monolítico.
249

250 Descripción sensores inteligentes


11.1.1 Integración mecatrónica y
la necesidad de aumentar la capacidad de control en sistemas electrónicos está
conduciendo a un aumento de los niveles de integración en los semiconductores
electrónicos, incluidos los sensores.
Un sistema totalmente integrado de silicio se cita frecuentemente como una meta
para el Ultimate Sys- tem. La integración del silicio es, sin duda, avanzar hacia
esa capacidad, especialmente para determinadas partes de sistemas. Sin embargo, el
costo y la capacidad de rendimiento de los niveles más altos de integración deben
competir contra los compo- nentes que iban a desplazar. Además, la flexibilidad en
el diseño y uso de varias apli- caciones deben ser considerados, incluidos los
diversos requerimientos que satisfacía las necesidades tanto domésticas como
internacionales, simultáneamente el costo de reunión- sensible, especificaciones de
gama baja, y proporcionando la característica-sensible productos de alta gama.
Además, la seguridad y la fiabilidad se refiere, como los posibles modos de falla
de un sistema en modo de fallo y análisis de efectos (FMEA) puede conducir a una
mayor inteligencia distribuida cuando un único punto de fallas no se pueden
tolerar.
En algunos casos, el sistema restricciones hacen que sea conveniente disponer de
detección y elementos de control de potencia al menos separated—from
Remote—or la MCU que controla el sistema. Que permite una mejor disipación de
energía, fallo detec- ción, y la protección de los extremos de tensión del sistema
[2].
Particionamiento del sistema y la determinación de cuánto la integración debe
ocurrir dentro de cada componente son decisiones que deben ser realizadas por un
equipo de diseño interactivo, compuestas tanto de sistema y diseñadores de silicio.
Integración de la sección de salida del sistema de control frecuentemente se
denomina una potencia inteligente IC. Las soluciones han sido integrados en volumen
de producción por varios fabricantes desde mediados del decenio de 1980. Comprender
su contribu- ción al sistema de control y cómo se aprovechan de detección
integrados tanto en funcionamiento normal y los modos de fallo es esencial para
lograr el acercamiento de sistemas e implementar la metodología mecatrónica. Este
capítulo examina los circuitos integrados de potencia inteligentes, más compleja de
la teledetección en matrices, sistemas y aspectos de la mecatrónica.
11.2 Smart-Power
potencia inteligente ICs ICs y circuitos integrados de potencia (PICs) normalmente
combinan bipolar y circuitos mos con tecnología MOSFET de potencia para
proporcionar interfaz directa entre la MCU y las cargas del sistema, como
solenoides, lámparas y motores. Alimentación inteligente ICs son definidos por el
Joint Electron Devices Engineering Council (JEDEC) como "híbrida o monolítica de
dispositivos que son capaces de ser enfriado de conducción, realizar
acondicionamiento de señal, e incluyen una función de control de la alimentación,
tales como gestión de fallos y/o de diagnóstico. El alcance de esta definición]

mecatrónica y sistemas de detección de 251


se aplicarán a los dispositivos con una disipación de potencia de 2W o más, capaz
de ope- rativo en caso de una temperatura de 100°C y con una corriente continua de
1A o más." los dispositivos de potencia inteligente también ofrecen mayor
funcionalidad así como sofisticados diagnósticos y circuito de protección.
Detección de los niveles actuales y la temperatura de la unión es un aspecto clave
del diseño para el control durante el funcionamiento normal y para detectar varios
modos de falla.
La potencia de los circuitos integrados de potencia inteligentes es típicamente un
MOSFET de potencia o un dispositivo dif- mos fusionadas (OCD). El tamaño de esta
parte de la superficie de silicio es deter- minada por la tecnología de proceso,
tensión nominal, y sobre la resistencia deseada.
Tecnología de proceso determina la resistencia por unidad de área y ha
proporcionado mejoras basadas en reducir el tamaño de la celda y mejorar la
geometría de la celda.
La tensión nominal inversamente afecta a la eficiencia: un voltaje más alto
significa una mayor calificación de resistencia para un área dada por el
dispositivo de alimentación y menor eficiencia.
Para un determinado proceso y la tensión nominal, el número de celdas se incrementa
para reunirse en especificaciones de resistencia. Debido a que el aumento de la
superficie de silicio influye directamente en el costo, el más alto de resistencia
a permitir la disipación de energía segura en el sistema ni- mally es especificado.
El enfoque de energía inteligente para el diseño del sistema significa que una
serie de cir- cuit elementos pueden ser consolidados en un solo dispositivo. Estos
dispositivos anteriormente habría sido componentes discretos o una combinación de
un estándar (o cus- tom) y dispositivos de salida discreta de IC. Como se ilustra
en la figura 11.1, entrada, fre- quently desde un MCU, inicia el inicio o girar
sobre el procedimiento. El control puede tener la circuitería para la función de
arranque suave o circuitos de la bomba de carga para aumentar el voltaje de
accionamiento de puerta. Un alto grado de funcionalidad se logra por smart-
Alimentación de ICs, debido a la interacción entre el circuito de control, el
dispositivo de alimentación, el circuito de protección, y a la carga. Varios
dispositivos de potencia en un pecado- gle chip es el uso más rentable de esta
tecnología. Que permite ahorrar espacio, componente de reducción total del sistema,
la reducción de costos, mejora de desempeño y mayor fiabilidad al reducido número
de interconexiones.
Históricamente, la elección de la tecnología de procesos para smart-power ICs ha
dependido del tipo de elementos de control que estaban integrados. Algunos
elementos del circuito, como op amp, comparadores, y reguladores están mejor
implementados utilizando un proceso de IC bipolar. Circuitería lógica mos asas,
filtros activos (retardos de tiempo), y espejos de corriente mejor que los
circuitos bipolares. Algunos circuitos, como ADCs o amplificadores de potencia,
pueden implementarse tanto en technol- gía. Hoy, un proceso que ha mos y bipolar
para los circuitos de control no tienen que sacrificar el rendimiento o
características; si se combina con los dispositivos de salida adecuada, el proceso
puede manejar las funciones de control de alimentación para una serie de cargas del
sistema. Sin embargo, al igual que un sensor inteligente debe utilizar plenamente
la capacidad de un proceso más caro, una potencia inteligente IC también deben
ofrecer ventajas más allá de aquellos que separan el control IC y alimentación
discreta

comprensión 252 sensores inteligentes


(s) de entrada de alimentación de
corriente del dispositivo de control de Diagnósticos de alimentación dispositivo de

protección de Carga
Carga Carga
Figura 11.1 Smart-potencia CI diagrama de bloque.
dispositivos puede proporcionar. Uno de los principales medios para lograr mayor
funcionalidad es integrar en la detección de alimentación inteligente IC.
11.3
Detección detección incorporado en los circuitos integrados de potencia inteligente
detecta las condiciones de fallo y las condiciones de umbral, que permite la
implementación de estrategias de control. Una temperatura excesiva, overcur- renta
y condiciones de sobretensión puede ser detectado, y la alimentación inteligente IC
puede ser diseñado para reaccionar o simplemente dar una señal a la MCU de seguro
el sistema opera- ción. Esta sección explora las diferentes técnicas y aplicaciones
de detección de la señal detectada.
11.3.1
los sensores de temperatura del sensor de temperatura puede ser fácilmente
producida en dispositivos semiconductores utilizando las características de
temperatura de tensión base-emisor (VBE) o una resistencia difusa. Además, los
circuitos se integra fácilmente para producir un monolítico tem- peratura sensor
con una salida que puede ser fácilmente interactuar con un MCU. Mediante un sensor
de temperatura integrado, funciones adicionales pueden ser añadidos para ICs.
(Nota: Un sensor se convierte en un elemento integrado en un producto semiconductor
cuando tiene un secundario en lugar de su función principal.) la

mecatrónica y sistemas de detección de 253


buscando condiciones de fallo, como un corto circuito, es parte integrante de
muchos circuitos integrados de potencia inteligente. La capacidad de obtener los
sensores de temperatura en un mixed-CMOS bipolar-OCD de proceso de semiconductores,
proporciona protección y diag- nostics como parte de las características de los
circuitos integrados de potencia inteligente. La función primaria de la potencia CI
es proporcionar un microcontrolador de interfaz de carga de solenoides, lámparas y
motores. En varios dispositivos de salida, la detección de la temperatura de unión
de cada dispositivo permite el estado de cada dispositivo de entrada a la MCU, y,
si es necesario, la MCU puede apagar una unidad particular que tiene una condición
de fallo [3].
En ICs, la temperatura límite puede ser detectada por el establecimiento de una
brecha de banda de referencia. Dos cruces diodes' están sesgados con diferentes
densidades de corriente, pero la relación es esencialmente constante durante todo
el rango de temperatura de funcionamiento (-40°Cto 150°C). La siguiente ecuación
muestra cómo la tensión diferencial (∆Vbe) está relacionado con la corriente (I ) y
el emisor de la zona (A) de los respectivos transistores:
(11.1) I A 1 1 / V V V kTq
debe ser 1 - 2 = = ⋅ ∆ [ ] B / ln    I A 2 2 / 
-23 donde ⋅ 10 J/K), T es la temperatura en K,
-19 y q kB es Boltzman's constante (1.38 es la carga de un electrón (1,6 ⋅ 10 C).
En un objetivo de alta temperatura, el coeficiente de temperatura negativo de VBE
es igual al coeficiente de temperatura positivo voltaje desarrollado a través de un
resistor de lectura, y un límite térmico se genera la señal. Otros circuitos regula
la tensión y apaga el dispositivo de potencia de salida.
Una potencia Inteligente IC puede tener múltiples controladores de potencia
integrado en una sola pieza de silicio monolítico. Cada controlador puede tener una
sonda de temperatura integrada para determinar el buen estado de funcionamiento y
apagado sólo un controlador específico si se produce un fallo. La figura 11.2
muestra una ocho-controlador de salida que independ- ently apaga la salida de un
controlador particular si su temperatura es excesiva (entre 155 y 185°C).
El conmutador serie octal (OSS) añade a través de detección térmica overtem-
peratura-circuitos de detección a las funciones de protección. Los fallos pueden
ser detectados para cada dispositivo de salida y cierre individual puede ser
implementado. En un multiple-output potencia CI, es muy conveniente apagar sólo el
dispositivo que está experimentando un estado de fallo y no todos los dispositivos
que están integrados en el poder IC. Con salidas en diferentes ubicaciones físicas
en el chip, es difícil predecir los gradientes térmicos que podrían producirse en
una situación de fallo.
Sensor de temperatura local en cada salida, en lugar de un único sensor de
temperatura global, es necesario.

254 Entendimiento sensores inteligentes


Figura 11.2 Microfotografía de ocho-salida de PIC. (Cortesía de Motorola, Inc.)
como se muestra en la figura 11.3, las ocho salidas del dispositivo tienen sensores
de temperatura individuales, que permiten que cada dispositivo para desactivar de
forma independiente cuando el límite de temperatura de 170 °C se ha superado. Todos
los productos fueron en cortocircuito a 16V en una habitación a temperatura
ambiente. Una corriente total de casi 30A inicialmente fluyó a través del
dispositivo. Tenga en cuenta que cada dispositivo se apaga de forma independiente,
con el dispositivo más calientes de apagar primero. Las variaciones pueden deberse
a diferencias en el nivel de renta cur- y las eficiencias térmicas. Como cada
dispositivo se apaga, la potencia total dis- sipation en el chip disminuye y los
dispositivos que se encuentran todavía en calentar más lento.
El disco corto podría haber sido diagnosticado por corto-circuito (límite actual de
detección). Sin embargo, un poco blanda, que, por definición, está por debajo del
límite actual pero excede la capacidad de disipación de energía del chip, puede ser
extremadamente

mecatrónica y sistemas de detección de 255


Cada salida se desactiva de forma independiente de
5 a
10 ms/div
Figura 11.3 apagado térmico independiente de 8 salida de potencia inteligente IC.
condición difícil de detectar. Soft cortos requieren detección de
sobrecalentamiento para proteger el IC de destructivo niveles de temperatura.
La condición de temperatura excesiva detectada por la Potencia CI puede significar
que el dispositivo se apaga automáticamente para evitar el fallo en un caso; en
otra situación, una señal de avería proporciona una advertencia a la MCU, pero no
se toman medidas, según el fallo en el diseño del circuito. La porción restante del
sistema puedan funcionar normalmente. Con las condiciones de fallo suministrado a
la MCU, un apagado ordenado del sistema puede ser implementado.
Detección de temperatura también se ha integrado en un proceso de MOSFET de
potencia estándar. El MOSFET de potencia de proceso fue elegido en lugar de un
proceso de IC de potencia debido al gran tamaño del chip era necesaria para cubrir
los requerimientos de disipación de potencia de un coste muy sensibles para
aplicaciones automotrices. Un menor modifica- ción (la adición de una sola capa de
máscara) a un MOSFET de potencia de proceso de producción permite tanto la
detección y otras funciones de protección para integrarse.
Los sensores térmicos es proporcionada por integrados diodos de polisilicio.
Mediante la supervisión de la tensión de salida cuando una constante corriente pasa
por el diodo(s), una indicación precisa de la máxima temperatura del chip pueden
ser obtenidas. Una serie de diodos son efectivamente prestados en el diseño. Un
diodo simple tiene un coeficiente de temperatura de 1,90 mV/°C. Dos o más diodos
pueden ser colocados en serie si se desea una mayor producción. Para mayor
precisión, los diodos pueden ser recortados durante el proceso de sonda wafer
soplando los enlaces fusibles de polisilicio.
El tiempo de respuesta de los diodos de detección de temperatura es inferior a
100ms, lo cual ha permitido que el dispositivo de alimentación para soportar un
cortocircuito directo a través de una

comprensión 256 sensores inteligentes de


baterías de automóviles. La salida sensor's fue aplicada a circuitos externos que
siempre apagar antes de falla del dispositivo. La capacidad de detección también
permite que el dispositivo de salida para proporcionar una indicación (con
circuitería externa adicional) si la disipación térmica no es apropiado cuando la
unidad está instalada en un módulo, o si se produce un cambio en la aplicación que
acabaría por provocar un fallo.
11.3.2 La detección de corriente en circuitos integrados de potencia de detección
actual proporciona protección y control de los circuitos integrados de potencia. Un
dispositivo que demuestra que el enfoque se muestra en la figura 11.4 [4]. El
circuito, que se muestra en la figura 11.4(a), incluye un regulador de voltaje, un
oscilador, y una bomba de carga para proporcionar un alto-interruptor lateral con
un MOSFET de canal N. Este dispositivo personalizado tiene varios niveles de
detección actual de control y detección de fallos, como se muestra en la figura
11.4(b). La técnica de detección actual utiliza una muestra de la corriente que
fluye a través de los MOSFET de potencia total de células, la relación entre el
número de celdas de muestras para el control de las células, como una indicación de
la intensidad total. Una resistencia en serie con el sentido de las celdas, que
controla la corriente considerablemente inferior, proporciona una tensión
proporcional a la corriente de la alimentación del dispositivo. Esta técnica
SENSEFET™ evita la adición de una resistencia en serie con la resistencia en
total- y el posterior consumo de energía, que puede ser excesivo para
1 en un circuito integrado. La detección de aislados de células para cuatro
diferentes niveles de detección de corriente se encuentran dentro de las cuatro
áreas "consiguieron" (lado izquierdo, parte inferior del área de celdas) en la
figura 11.4(b). El más alto nivel actual podría desencadenar una overcur- Fallo de
alquiler, y los niveles inferiores pueden ser utilizados para el sistema de puntos
de control específicos.
11.3.3 Diagnóstico la ocho-controlador de salida con las comunicaciones serie se
muestra en la figura 11.2 rep- se resiente de un alto nivel de complejidad para los
diagnósticos. Control y detección de los fallos de controladores de salida
individual podría requerir más de 24 conexiones por ocho controladores de salida.
Mediante el protocolo SPI descrito en el Capítulo 6, control de serie de 8 bits de
la salida y diagnósticos independientes son posibles con sólo tres conexiones. El
SPI funciona a una frecuencia de hasta 2 MHz y utiliza la baja tensión, capacidad
de CMOS de alta velocidad en la
alimentación 2 Motorola's SMARTMOS™ (IC). Con tanto la entrada como la salida
directamente vinculada a la MCU, la unidad actúa como un subsistema de bucle
cerrado entre la carga y la MCU para cada carga. Mediante una cadena de margarita
técnica, varios dispositivos adicionales pueden
1. SENSEFET™ es una marca registrada de Industrias de componentes
semiconductores (D. B. A. (1975-2003) En un semi- conductor).
2. SMARTMOS™ es una marca comercial de Motorola, Inc.,

mecatrónica y sistemas de detección

permiten la
entrada de tensión de alimentación 257
V del regulador de la bomba de carga del oscilador Gate de salida de control de

fallo de modo retroalimentación/


Fallo Apagado térmico logic límite actual de detección de carga

abierta de tierra vbat detectar


(a)
(b)
Figura 11.4 Detección de corriente integrada en smart-potencia CI: diagrama de
bloque (a) y (b) muere microfotografía. (Cortesía de Motorola, Inc.)
258 Comprensión sensores inteligentes
se añade a la capacidad de control. Un total de 32 salidas son controladas con sólo
cuatro conexiones (IRQ, interrupt request no, es opcional) a la MCU.
Un alto nivel de potencia inteligente IC se demuestra la complejidad del
dispositivo en un control paralelo-serie. El dispositivo dispone de seis salidas
que pueden seleccionarse independ- ently sobre seis clavijas de entrada paralelo
dedicado por un comando de entrada (tensión superior vº) desde un MCU. Las entradas
0, 1, 4 y 5 también se puede seleccionar simultáneamente.
Que permite que dos dispositivos de salida para ser conectado en paralelo para
reducir la resistencia. Control paralelo proporciona la mayor activación de la
carga, lo que permite un control en tiempo real utilizando técnicas de PWM. El
inconveniente es que el mayor número de conexiones debe ser hecha y el mayor número
de trazas debe colocarse sobre la placa de circuito impreso. Serie de las seis
salidas de control también es posible usando una interfaz SPI, como se ha descrito
anteriormente. Control mixto de las salidas puede conseguirse con distintas
combinaciones de control paralelo y serie de los productos.
Diagnóstico de fallas y control son similares a los de la OSS. Sin embargo, SPI
avanzado proporciona información de diagnóstico en serie a la MCU, que incluye la
comprobación de paridad inmediata (enésima word) para confirmar que la energía
inteligente IC recibió la palabra enviada por el MCU. En la apli- cación de SPI
inicial (OSS), informes de errores se realiza en la palabra n - 1. La presente
orden a la OSS se compara con los resultados de la palabra anterior para determinar
el estado. El tiempo del período de filtro activo, que puede ser de varios ciclos
de reloj, es necesaria antes de la siguiente palabra puede determinar si existe un
fallo. El SPI avanzado utiliza una exclusiva o para proporcionar información sobre
el fallo cuando la cur- alquilar palabra está escrita.
Aplicaciones de automoción han requerido los diagnósticos más allá de los que se
encuentran típicamente en los circuitos integrados de potencia inteligente. Por
ejemplo, California Air Resource Board's OBDII más reciente legislación requiere
que el movimiento real de los solenoides de la transmisión de pivote monitorearse
cuando se activa el dispositivo de salida. Que está hecho para indicar que la
transmisión está en la velocidad adecuada y que el convertidor de par tiene plena
traba. Simplemente la detección de la corriente que va a través del dispositivo de
salida no es suficiente para determinar que se ha movido la bola como resultado del
dispositivo de salida se enciende. El circuito de detección diferencial en la
figura 11.5(a) se utiliza para detectar el cambio que se produce cuando el
esqueleto solenoid's es atraído hacia el bobinado. La inclinación negativa, que se
muestra en la forma de onda actual en la figura 11.5(b), es un indicio del
movimiento físico. Ya sea del lado de baja o de alta detección lateral se puede
realizar con low-pass, los filtros de paso alto y un com- parator proporcionando el
acondicionamiento de señal. El contador de eventos se puede ajustar de 15 a 64 para
establecer el nivel de confianza de la detección de movimiento. La resistencia del
conductor de alimentación puede ser utilizado como un resistor de lectura para
convertir la corriente a un nivel de voltaje. Un detector de pico también puede ser
utilizado para detectar el pico de

mecatrónica y sistemas de detección de 259


en la figura 11.5(a). Los resultados pueden ser reportados a SPI serie o paralelo
con los informes de fallos. El diagnóstico OBDII añade un aspecto más a la culpa-
Sensoramiento/capacidad de detección de potencia inteligente ICs. La tabla 11.1
resume los fallos que pueden detectarse [2].
Pendiente de ganancia programable detectar fase
+ contador programable - - Arriba/DnB Stop + Entrada Voltaje RDSon válido de 2,5 V
a 2,5 V Seleccione
si count Recuento de cuatro alambres SCK tan micro SPI CSB para micro
(a)
Tiempo (2ms/dev)→
(b)
Figura 11.5 detecta la activación de la electroválvula de circuito: (a) y (b) Forma
de onda.

260 Entendimiento sensores inteligentes


Tabla 11.1 Diagnóstico de fallos para el
fallo de salida técnica
1. Carga abierta (el estado) La comparación lógica 2. Carga abierta (dentro o fuera
del estado) La comparación lógica 3. Detección de sobrecorriente de cortocircuito
en la carga 4. Sobretensión (volcado) detección de sobretensión de carga 5. Salida
única (sobrecalentamiento) detección de temperatura
6. Sobretemperatura independiente 6 sensores de temperatura. (Múltiple salida)
7. Movimiento de solenoide + bipolar
fallo lógico-técnicas de presentación de informes y los correspondientes comandos a
la MCU de potencia inteligente IC puede realizarse por varios métodos. Para los
nuevos dispositivos, la técnica de comunicación más adecuado es dictado por los
requisitos de la aplicación. La tabla 11.2 resume las técnicas de comunicación
disponibles como bloques de construcción [2].
Para sistemas de control distribuido, tanto inteligente y detección inteligente de
nodos de alimentación son necesarios. Circuitos integrados de potencia inteligentes
combinadas con un MCU o MCU integrada con dispositivos de poder implementar el
control de carga. Eso significa que el poder o el lado de salida del sistema
también debe ser capaz de comunicarse usando el protocolo del sistema. Los
protocolos analizados en el Capítulo 6 debe tener en cuenta el
cuadro 11.2 Resumen de técnicas de comunicación para los circuitos integrados de
potencia
la capacidad de comunicación de parámetros de
entrada en paralelo slew rate (typ ≤ 1 A/ms) de 2 MHz Serial SPI
serie/paralelo/Mezcla seleccionable (single) Indicador de diagnóstico
abierto/cortocircuito Indicador de carga (single) abierto (dentro o fuera del
estado)/ cortocircuito de carga de 2 MHz Serial SPI (todos los fallos) Bandera
(múltiples con interrupción) informa de todos los fallos y

mecatrónica y sistemas de detección de


alimentación 261 parte del sistema. Para un nodo de energía para ser añadido a una
cuenta existente de Sys- tem, debe tener el protocolo adecuado para operar en el
sistema.
11.3.4 MEMS
Electrostática y relés electromagnéticos los relés MEMS han sido producidas
mediante procesos de micromaquinado. Relés de accionamiento magnético puede lograr
fuerzas más grandes y una mayor separación entre contactos de diseños
electrostática [5]. La mayor brecha proporciona mayor aislamiento para aplicaciones
a voltajes más altos.
El micromaquinado procesos utilizados para producir el microrelé incluyen el
micromaquinado superficial y poliamida-molde técnicas de galvanoplastia. Los relés
electromagnéticas funcionan por debajo de 5V, de modo que se puede interactuar
directamente con un MCU o un DSP. Los relés han funcionado 850.000 ciclos sin
errores. La combinación de esta adaptación de la tecnología mecánica con
micromachin- ing y tecnología DSP y MCU debería proporcionar algunas útiles
soluciones mecatrónicas.
11.4 Las matrices de detección de
más de un sensor es frecuentemente necesaria para proporcionar suficiente
información para que un sistema de control. Los esfuerzos de I+D están progresando
en varias áreas para integrar los sensores en última instancia en la misma oblea de
silicio con acondicionamiento de señales, com- putational capacidades, y
posiblemente incluso la activación. En el corto plazo, una única solución global-
está demostrando ser una mejora sobre las unidades previas. Las matrices de
detección puede incluir un número de sensores para diferentes magnitudes sometidas
a medición, por ejemplo, presión, caudal, temperatura y vibraciones. Varios
sensores de un tipo determinado puede ser utilizado para aumentar el alcance,
proporcionar redundancia, o capturar información espacial a diferentes puntos.
Además, varios sensores de un tipo determinado, con modificaciones menores, pueden
ser utilizados para medir diferentes especies en aplicaciones de detección química.
11.4.1 múltiples dispositivos de detección para
mejorar el desempeño de los sensores puede lograrse simultáneamente fabricando
varios sensores en el mismo sustrato de silicio o fijación de varios sensores en un
paquete híbrido. Un ejemplo del enfoque monolítico es la superficie del sensor de
presión del micromecanizado desarrollado por el Instituto Fraunhofer de circuitos
microelectrónicos y sistemas [6]. El micromaquinado superficial se combinó con CMOS
de procesado para conseguir un sensor inteligente monolítica. Una sola superficie
capacitiva absoluta micromecanizado con un sensor de presión de

262 Comprensión sensores inteligentes de


100 mm de diámetro aproximadamente una membrana 0,017-pF capacitancia sin aplicar
presión. Utilizando hasta 81 sensores de presión individual, que se conecta en
paralelo, los valores de capacitancia entre 1 y 2 pF fueron alcanzados.
La salida del sensor varía aproximadamente 0,2 pF durante 1 a 6 bares de presión.
Una sonda multicanal diseñado para medir la actividad de una sola unidad en
estructuras neurales se muestra en la figura 11.6 [7]. Ocho sitios de grabación
activa son seleccionados a partir de los 32 sitios de la sonda vástago usando un
selector de canal de entrada estático.
Un gran número de sitios de grabación son convenientes para el muestreo de la
actividad total incluso en un volumen de tejido restringido. En este diseño,
circuitos CMOS on-chip amplifica y multiplexa las señales grabadas y posiciones
electrónicamente la grabación sitios con respecto a las neuronas activas. Las
señales neuronales normalmente tienen componentes de frecuencia de 100 Hz a 6 kHz,
con una amplitud de 0 a 500 mV. Las funciones del chip de la sonda incluyen canal
selec- ción, amplificación, señal bandlimiting, Multiplexado, fichaje, reset de
encendido, y la auto-evaluación.
Detección de múltiples sitios son comunes en las medidas químicas. Un elemento
multi- smart analizador de gases ha sido desarrollado que representa uno de los más
sofisticados sensores con respecto a la operación y procesamiento de datos [8].
La multielement sensor tiene un número de detectores de película delgada para
superar los inconvenientes de una versión anterior y mejorar la selectividad y
especificidad en ana- lyzing mezclas de gas.
Los cables de salida
cables de interconexión sitios Grabación de circuito de procesamiento de señal de
sustrato de apoyo
Figura 11.6 multicanal sensor de microsonda. (Después de: [8].) la
mecatrónica y sistemas de detección de 263
un analizador de gases de cuatro elementos se logra mediante un híbrido de tres
chips de configura- ción. Dos detectores de gas de doble ventana y un chip de
interfaz de control se encuentran en el paquete híbrido. El detector de gas proceso
es compatible con CMOS de procesamiento para la combinación eventualmente podrían
ser integrados en un único chip monolítico.
El chip de control es capaz de controlar los cuatro elementos de detección de gas
de manera independiente. Todos los elementos pueden ser supervisadas y programado-
simultane amente. Una temperatura de 1000 °C puede ser controlada por cada chip. El
chip se comunica con un nodo local MCU o un procesador remoto a través de una
interfaz estándar de 8 pines. El front-end estándar es capaz de operar hasta 32
sensores, actuadores, 32 32 comandos de autocomprobación y 32 comandos de funciones
especiales para diferentes aplicaciones.
Otro enfoque de matriz de sensores de gas tiene un 3-por-3, matriz de sensores
idénticos en un solo chip 4,466 por 6,755 mm [9]. Los 9 sensores están inter-
electrodo de compuerta digitated transistores de efecto de campo (IGEFETs). Una
sola versión de este diseño ha detectado de manera selectiva y reversible de 2 ppb
de dióxido de nitrógeno y diisopropil methylphosphonate, dos de los contaminantes
que pueden afectar negativamente a la nvironment. Mediante una técnica de
procesamiento de señal transformada de Fourier y la implementación de un algoritmo
de reconocimiento de patrones, es posible que este tipo de sensor para funcionar
como una "nariz electrónica" para la detección e identificación de los con-
stituents multicomponente de una mezcla de gases.
Matrices de fotodiodos se están convirtiendo en rentable para inspec- ción de
fabricación, control de calidad, control de procesos, y otras aplicaciones
industriales. Un CCD de silicio tiene una gama espectral de 200 a 1.100 nm. Los
dispositivos pueden ser manufacturado con elementos detectores pequeños como varias
micras de ancho y con hasta 2.048 elementos. Después de la amplificación y la
digitalización para procesamiento de señales, la lectura puede llegar habitualmente
más de 1 MHz. Un AMUMA- urement espectral completa puede hacerse en tan sólo unos
pocos milisegundos. Diseño óptico, diseño electrónico, mecánico y embalaje se debe
coordinarse en una metodología mecatrónica para permitir a los dispositivos
destinados a ser utilizados en un laboratorio, así como un entorno de fabricación
[10].
Una matriz de plano focal de infrarrojos, que funciona de forma muy parecida a la
retina humana, ha sido diseñado y fabricado [11]. La matriz, llamado neuromorphic
sen- sor, tiene sensibilidad logarítmico para evitar la saturación común en cámaras
termográficas convencionales. También realiza la fusión de sensores basados en
píxeles y en tiempo real mejora de contraste local. El sensor contiene una parte
trasera iluminada, 64-por-64 matriz de 100 mm indio antimonio diodos fotovoltaica.
Un IC CMOS realiza la función de lectura así como un promedio de dos dimensiones a
través del chip. El sensor neuromorphic imita el proceso neuronal por la
interconectividad entre cada pixel's cuatro vecinos más cercanos. Una computadora
digital realiza la

264 Comprensión sensores inteligentes


mismas funciones a la misma velocidad de procesamiento como el sensor neuromorphic
requeriría aproximadamente 100W. La neuromorphic dispositivo consume sólo 50 mW, o
casi 1/2.000 de la energía. Esa es una demostración dramática de la diferencia que
los sensores inteligentes contribuirán a los futuros sistemas.
11.4.2 varios tipos de sensores con
una variedad de sensores han sido fabricadas en un solo chip para detectar daños y
la degradación de rendimiento causados durante la desgasificación y envase
operaciones [12]. Los sensores se han diseñado utilizando la tecnología CMOS com-
mon a muchas instalaciones de fabricación del CI. Sensores en el chip incluye
detector de iones, sensor de humedad, descargas electrostáticas, medidor de
deformación del detector para medir las fuerzas de cizallamiento, daño en el borde
del detector, detector de corrosión, así como calentadores para corrosión,
aceleración y el modelamiento térmico.
Figura 11.7 es otro ejemplo de un chip sensor múltiple integrado que utiliza el
efecto piezoeléctrico y piroeléctricos en óxido de zinc de películas delgadas [13].
Acelerómetros acústica de superficie de 64 elementos sensores piroeléctricos de
vapores químicos wave infrared imager
integrado de 64-anemómetro de elemento de matriz de sensores táctiles estructuras
de diagnóstico del dispositivo de acoplamiento de carga
discreta imagen piroeléctrico detectores de radiación y el calor de reacción
Figura 11.7 del sensor sensor integrado de tipo múltiple. (Después de: [13].) la

mecatrónica y sistemas de detección de 265


sensores en el chip incluye un sensor de flujo de gas, una matriz de detección de
infrarrojos, un sensor de reacción química, cantilever beam acelerómetros, sensores
de vapores de sierra, un 64 elementos de matriz de sensores táctiles y un sensor
CCD de infrarrojos. El 8-
2 9-mm chip también tiene dispositivos MOS para acondicionamiento de señal, array
acceso y búferes de salida. El micromaquinado posterior del silicio se realiza como
último paso en el proceso de fabricación. El sensor multielement demostrado bajo
costo de tramitación por función.
11.4.3 integrado un sistema de detección de
un ejemplo de un sistema de detección totalmente integrada utilizando varios
elementos de detección es un audífono monolítica. Los audífonos sólo requiere dos
ele- mentos funcionales para ser un sistema: el sensor y la amplificación. Una
tarta de micromecanizado- zoelectric micrófono con chip CMOS acondicionador de
señal ha sido diseñado y fabricado que tiene potencial para audífonos aplicaciones
[14].
El sensor consta de ocho (piezoeléctricos) pares de electrodos de óxido de zinc. El
micromaquinado a granel para definir diafragma del micrófono se realiza antes de
que el procesamiento CMOS. El diseño toma en cuenta una 9 hora de 1.150°C templar y
tensiones impuestas por las sucesivas etapas de procesamiento CMOS. Después cir-
cuitry CMOS es completada, 0,5 mm de espesor, el óxido de zinc es magnetrón
farfulló en el diafragma. Los ocho pares de electrodos superior e inferior están
conectadas en serie de dos grupos de cuatro pares de electrodos. El micrófono tiene
una sensi- tivity medido de 0,92 mV/Pa y una frecuencia resonante de 18,3 kHz.
Ruido del preamplificador de sólo 13 mV permite al micrófono para lograr una
ponderada a nivel de ruido de 57 dB de nivel de presión sonora (SPL), que es
aproximadamente el nivel conversacional del discurso.
11.5 Otros aspectos del sistema
El sistema de sensor inteligente requiere componentes adicionales para proporcionar
una unidad independiente. Los acontecimientos actuales permitiría baterías y
pantallas para ser integrado con el sensor. Cualquier elemento mencionado en los
capítulos 8 y 9 también podría ser parte de este Integration—if el embalaje
problemas discutidos en el capítulo 10 se resuelven. Estos componentes, junto con
sensores inteligentes, desde una lógica digital MCU o un DSP, y circuitos
integrados de potencia inteligentes, permitirán que un número de nuevos enfoques de
mecatrónica. Un sistema, aspecto que se debe abordar es la de la cata- strophic
efecto que las descargas electrostáticas (ESD), transitorios de tensión del sistema
y EMI pueden tener sobre los componentes electrónicos. Esos factores están
cubiertos en la sección 11.5.3.
266 Entendimiento sensores inteligentes
11.5.1 Pilas aplicaciones portátiles han generado una considerable actividad de
diseño del sistema para obtener mayor rendimiento y mayor duración de las pilas que
alimentan estos sistemas. Mediante la inclusión de componentes de semiconductores
en la batería, una batería inteligente es creado. Una batería inteligente es una
pila o batería con hardware especializado que proporciona información sobre el
estado de la carga y calcula el tiempo de ejecución previsto [15]. Información
sobre el tipo de química de la batería y el voltaje de la batería-pack, capacidad y
embalaje físico es transmitido mediante un protocolo para dispositivos relacionados
con el consumo de energía en el sistema. El sistema puede proporcionar con- trol a
una batería o baterías inteligentes, un cargador de batería inteligente, y diversos
organismos de reglamenta- tores y conmutadores. Otros esfuerzos de carga de batería
están dirigidas a eliminar el efecto memoria de níquel-cadmio (NiCd), reduciendo el
tiempo de ciclo de carga y evitar la sobrecarga, lo que reduce la duración de la
batería. Sistemas de adquisición de datos portátil y dispositivos de teledetección
se beneficiarán al bateador inteligente- ies están incorporados en su diseño.
Reduce el tamaño de la batería a través de la tecnología de fabricación de película
delgada también afectará a los sensores. Un thin-film en estado sólido de titanio
de litio-sulfuro (Li/TiS2) microbattery ha informado que tiene propiedades
adecuadas para aplicaciones recargable de larga duración [16]. La microbatteries
varían en tamaño desde 8 a 12
mm de grosor y tienen una capacidad de entre 35 y 100 m 2 A-hr/cm . La tensión de
circuito abierto es de aproximadamente 2,5. Las baterías han sido movida más de
10.000 ciclos de 100 m 2/cm . Microbatteries habitualmente han resistido 1.000
ciclos entre 1,4V y 2,8V en densidades de corriente tan alto como 300 m 2/cm .
Cualquier superficie lisa es un potencial sustrato para la batería de película
delgada. Un cromo, TiS2, y la capa de electrolito sólido son farfulló en el
sustrato. LiI, Li, y una capa protectora de vapor son depositadas sobre el sput-
trado capas. La construcción técnica permitirá que los microbattery para
incorporarse con muchos dispositivos semiconductores, incluyendo microsensores, du-
rante su fabricación.
Photopatterned carbono que es posteriormente tratada térmicamente a diferentes tem-
peratures ha sido estudiado por su potencial en MEMS [17]. El material pro- ducido
por este proceso permite una variedad de nuevas aplicaciones de MEMS mediante
nuevas formas, resistivities y propiedades mecánicas. Las superficies de carbono
puede ser utilizado para formar electrodos electroquímicos con la deposición de una
gran variedad de moléculas orgánicas. Baterías poliméricas se han desarrollado
utilizando la foto- telas carbono y micromaquinado superficial.
11.5.2 Campo de Emisión muestra
eficiente muestra de baja potencia son una parte esencial de muchos sistemas,
incluyendo asistentes digitales portátiles, virtual Reality–driven robots,
automoción y GPSs.

Mecatrónica y sistemas de detección de 267


La muestra comunicar información de la máquina para el operador.
Actualmente, las pantallas LCD de matriz activa son la tecnología dominante, pero
flat panel dis- juega y una nueva tecnología llamada campo de emisión muestra son
reemplazos potenciales en varias áreas. Emisión de campo muestra producen luz
usando col- ored fósforos. No necesitan complicados, que consume energía de
retroiluminación y filtros, y casi toda la luz visible para el usuario. Además,
ningún poder es consumida por los píxeles en el estado de apagado. Una pantalla con
emisión de campo consta de una matriz de micropuntas que son micromecanizado en un
sustrato. Metal, silicio, y dia- mond están siendo investigados por las
micropuntas. Un enfoque que utiliza tecnología MEMS de silicio y el backplane ha
sido analizada por su potencial para ser competitiva frente a otros enfoques [18].
La pantalla es una matriz de emisores de campo en centros de 0,9 mm utilizado para
proporcionar una fase rallada. La rejilla de fase es operado por controlar
eléctricamente la mecánica de las posiciones de los elementos de la rejilla para
modular la difracción de la luz. La evaluación demostró que este enfoque de MEMS
para ser prometedor porque utiliza un proceso más sencillo y la mitad de los pasos
de enmascaramiento de MEMS micromirrors digital (véase la sección 9.3.5). La
implementación exitosa de este o cualquier otro método de procesamiento de imágenes
basado en CMOS investigada por muestra brindará posibilidades adicionales para un
sensor a la interfaz del operador.
11.5.3 Cómo Sistema transitorios de tensión, descargas electrostáticas,
interferencia electromagnética y
transitorios de tensión superviviente, ESD y EMI son comunes la aplicación
requieren- ciones, especialmente en el ambiente automotriz. La capacidad para
soportar una carga de vuelco es el factor primordial en la definición de la
capacidad de tensión de semiconduc- tor dispositivos usados en aplicaciones de
automoción. La carga de vuelco de transitorios de alta tensión (>100V en un
sistema no suprimida), transitorios de alta energía gener- ciada por la desconexión
de la batería a través del alternador cuando las rpm del motor es alto y el
alternador está generando un alto nivel de rendimiento. Técnicas de nad- dling
descarga se incluyen: (1) aplastando la energía de una tensión excesiva de entrada
(>60V) girando en una abrazadera activa hasta la energía decae (pocos cientos de
milisegundos) y (2) el diseño de los dispositivos de salida a con- stand alta
tensión sin encender. Este último enfoque se realiza con un aumento en la
resistencia de cada dispositivo de salida y, por lo tanto, causa más disipación de
potencia en condiciones normales de funcionamiento. Esta técnica debe utilizarse
para alta tensión (>100V) pulsos para evitar una excesiva disipación de potencia
du- rante la carga de volcado. Una tercera alternativa utiliza los circuitos en el
dispositivo de alimentación inteligente para convertir la salida durante un período
de tiempo (unos 80 ms) cuando se produce un exceso de tensión. La entrada se filtra
antes de tiempo el muestreo para determinar si la compuerta de cierre de drenaje
debe ser activada de nuevo [2].

268 Entendimiento sensores inteligentes


sensor semiconductor de diseños y aplicaciones tienen un sistema requieren- ment,
que normalmente no es un problema en presemiconductor sensores mecánicos, a saber,
la EDS. Automoción y otras aplicaciones de generar altos niveles de ESD durante su
fabricación o en servicio. Como resultado, los fabricantes de automóviles spec- ify
algunas de las más rigurosas pruebas de ESD para calificar componentes. Módulo de
automoción fabricantes están indicando que futuras especificaciones requerirá
cualquier pin IC accesibles desde fuera del módulo para soportar 10 kV ESD con 250
pF y 1.500Ω carga. Eso significa corrientes pico acercándose a 7A y los niveles de
energía en el rango de 12.5–14 mJ debe ser tolerada. Las conexiones de salida
de sen- sors, potencia y circuitos de control pueden estar expuestas a ESD durante
el montaje o la operación [2].
Los sensores deben estar diseñados para satisfacer los niveles de EMI se encuentra
comúnmente en la aplicación o requerida por las especificaciones de la industria.
EMI es una perturbación o mal- función de equipos o sistemas, causados por el
funcionamiento de otros equipos o sistemas, o por las fuerzas de la naturaleza.
Sistemas de control distribuido puede ser suscep- tible de conmutación de alta
frecuencia, lo cual es común en ordenadores, fuentes de alimentación de conmutación
y control de alimentación. La figura 11.8 muestra un proceso industrial
y comercial transitorios de equipo host generador diesel transferencia u otro
interruptor de PLCs realizó EMI UPS Datos de LAN token ring carretera Sensor de
captación de radiación proceso controlado o dispositivo controlador PLC diafonía en
el cable de control de proceso relés bandeja flotante (aislar) sala de cables o un
armario
Monitores, pantalla e indicadores de estado
Figura 11.8 EMI en el sistema de control de procesos. (Después de: [19].) la

mecatrónica y sistemas de detección de 269


control con bucles de tierra y otras rutas de EMI [19]. Los sensores pueden ser
fácilmente afectados, dependiendo del cableado. Aislar el cableado, evitando bucles
de tierra y, en algunos casos utilizando cableado apantallado puede ser necesaria
para evitar problemas.
En aplicaciones de automoción, algunos fabricantes requieren el sensor para
soportar campos eléctricos de magnitud hasta 200 V/m en el compartimiento del motor
y hasta 50 V/m en el habitáculo [20]. Los niveles de rendimiento y métodos de
medición que se definen en una serie de documentos, SAE includ- ing SAE J551, SAE
J1816, SAE J1113, SAE J1407 y SAE J1338. Clasificación- nes de modo de fallos
gravedad son proporcionados en la norma SAE J1812.
Un ejemplo de pruebas de automoción para el IME está demostrado por el qualifi-
cación la prueba para un empaquetado de plástico sensor de presión integrado. Las
pruebas de rendimiento requeridas a 200 V/m inmunidad radiada de 10 kHz a 1 GHz.
Ese es uno de los más altos niveles de potencia de señal especificada en normas de
automoción. Sin embargo, el rendimiento requerido depende de la especificación del
cliente.
Más de 30 EMI especificaciones han sido reportados para aplicaciones de control de
motor de todo el mundo; no hay un estándar común [21]. El siguiente campo char-
acteristics fueron definidos:
• la intensidad del campo = 200 V/m;
• Rango de frecuencia = 1 kHz a 1 GHz;
• = Modulación AM, 30% con onda senoidal de 1 kHz;
• = polaridad vertical y horizontal;
• Criterios para un rendimiento aceptable del dispositivo bajo prueba (DUT): alter-
nating corriente (AC) = rizado≤ ±50 mV.
Los resultados de las pruebas incluyen (1) pasar la prueba y (2) la constatación de
que la configuración de prueba jugó un papel importante en la definición de la
respuesta del dispositivo y real suscepti- bilidad. Además, debido al número de
especificaciones que existen y para comprobar el rendimiento aceptable del producto
en el paquete plástico para apli- caciones dos específicos, se realizaron pruebas
adicionales. Una cantidad extrema de EMI es encontrado en directo una prueba de
inyección de RF. RF directa inyección se realiza por soldadura de los cables de red
a una impedancia. 100 V/m de señal se inyecta directamente en los cables del sensor
de empaquetado de plástico. Para pasar la prueba, un filtro técnica fue
desarrollada que mejora el rendimiento de un plástico- empaqueta sensor de presión
integrado incluso bajo las más duras pruebas, incluida la prueba de inyección de RF
directa.

270 Entendimiento sensores inteligentes


11.6 Resumen
Este capítulo examina el control de la porción de salida del sistema hecha posible
por smart-power ICs. Que, combinado con la tecnología de sensores inteligentes y la
tecnología informática, es parte de la mecatrónica, un enfoque holístico para el
sistema. Los nuevos desarrollos en las pilas y mostrar la tecnología ayudará a
redefinir el "sensor". Los avances en todas estas áreas contribuirá a nuevos
géneros- nes de sensores inteligentes y sistemas de detección inteligente que son
las redes de sensores interactivos, especialmente si los problemas potenciales del
sistema son tomados en cuenta al principio del proceso de diseño. El microsistema
completo es una promesa que se cumpla en el futuro.
Referencias
[1] Comerford, R. "Mecha... ¿Qué?" IEEE Spectrum, Vol 31, Nº 8, agosto de 1994,
págs. 46–49.
[2] Wollschlager, R. K. M. Wellnitz y R. Frank, "Diagnóstico y comunicaciones en
sistemas de control de vehículo utilizando circuitos integrados de potencia
inteligentes", SAE SP-1013sensores y actuadores 1994, Warrendale, PA., pp.
21–27.
[3] Frank, R. "Embedded Sensores de temperatura para la protección y el
control,"Sensors, mayo de 1995, pp. 38–45.
[4] Himelick, J. M., J. R. Shreve y G. A. Occidente, "Energía inteligente para el
1990 en General Motors automóviles", ISATA 22Internat'l Symp. en tecnología
automotriz y autónoma- ción, Florencia, Italia, el 14 de mayo 19, 1989–.
[5] Mannion, P., "Los rendimientos de procesamiento por lotes High-Current, bajo
costo, relés de accionamiento magnético que puede ser montado en placas de
circuitos,diseño "Electronic, Marzo 23, 1998, pág. 40.
[6] Kandler, M., et al., "Smart CMOS Sensor de presión,"Proc. 22 Internat'l Symp.
en auto- motriz y automatización de Tecnología #90185, Florencia, Italia, el 14 de
mayo–18, 1990, pp.
445–449.
[7] Ji, J. y K. D. Wise, "Implantable para procesador de señal analógica CMOS
Microelectrodo Grabación multiplexada Arrays,"IEEE ACTUADOR Y SENSOR DE ESTADO
SÓLIDO Taller, Hilton Head, SC, 4 de junio–7, 1990, págs. 107–110.
[8] Najafi, N. "un analizador de gases múltiples elementos utilizados en un sistema
de detección inteligente,"Proc. Sen- sors Expo West, San José, CA, Mar. 2–4,
1993, pp. 97–109.
[9] Kolesar, E. S., "sensible y selectiva de detección de gases tóxicos obtenidos
con un metal ftalocianina de semiconductor dopado- y el electrodo de compuerta
Interdigitated Field-Effect Transistor (IGEFET),"Proc. Sensores Expo, Cleveland, el
20 de septiembre–22, 1994, pp. 11–30.
[10] Pelnar, T., "Matriz de fotodiodos de mediciones y análisis de espectros de
Industria,"Sensors Expo West, San José, CA, Mar. 2–4, 1993, págs.
337–339.

Mecatrónica y sistemas de detección de 271


[11] Massie, M. "Sensor Neuromorphic imita al ojo humano", Productos de EDN
edición, enero
17, 1994, pág. 34.
[12] Yates, W., "Prueba de chips semiconductores detectar problemas", Productos
Electrónicos, Septiembre 1991, pp. 17–18.
[13] D. L. Pollb, y R. S. Muller, "chip", Multisensor integrada IEEE Electron
Device- carta de noticias, Vol. EDL-7, nº 4, Abril 1986, pp. 254–256.
[14] Ried, R. P. et al., "micrófono piezoeléctrico con Circuitos CMOS chip", IEEE
J.
sistemas microelectromecánicos, Vol 2, n° 3, septiembre 1993, pp. 111–120.
[15] Maliniak, D. "Baterías inteligentes de activación común enunciado por la
especificación, diseño electrónico", 13 de junio de 1994, pág. 50.
[16] Jones, S. D. y J. R. Akridge, "Microfabricated Solid-State baterías
secundarias de microsensores," Proc. Sensores Expo, Cleveland, el 20 de
septiembre–22, 1994, pp. 215–223.
[17] Madou, M., et al., "El micromaquinado de carbono C-MEMS," Proc. Symp. en
sensores químicos y biológicos y analítica métodos electromecánicos, Pennington,
NJ, 1997, pp.
61–69.
[18] DeJule, R., "tecnologías", Flat Panel internacional de semiconductores, 31 de
enero de 1997, págs. 59–66.
[19] El Blanco, D., "Compatibilidad electromagnética: ¿Qué es? ¿Por qué es
necesario?" Instrumento & Control Systems, enero de 1995, págs. 65–74.
[20] SAE Handbook, Vol 2, Piezas y componentes, Warrendale, PA, 1995.
[21] Mladenovic, D. R. Verma, y R. Frank, "Consideraciones de EMC para automoción
sen- sors", SAE Internat'l Congress & Expo, SAE 970850, Detroit, el 24 de
febrero 27, 1997–.

Esta página se ha dejado intencionadamente en blanco

12
normas para detección inteligente de
las leyes de la Mesa Redonda fueron establecidas y cada caballero de la beca
juraron mantener las leyes.
-John Steinbeck, los actos del Rey Arturo y sus nobles caballeros
12.1 Introducción
Los últimos esfuerzos de la industria se han centrado en la definición, la
funcionalidad y la comunicación normas para sensores inteligentes. El objetivo es
la interoperabilidad con una amplia gama de aplicaciones. El sensor inteligente,
con la adecuada capacidad de toma de decisiones local, puede actuar como un sensor
independiente, comunicarse en una red peer-to-peer relación con otros sensores y
actuadores, o actuar como un nodo de una red inteligente. Interoperabilidad
permitirá la implementación de diversas interfaces a través de las diferentes redes
de funcionamiento independiente de la red. Ese esfuerzo debería acelerar el
desarrollo y la transición a la red de smart transduc- ers, así como el desarrollo
y los esfuerzos de comercialización para smart sensores y actuadores inteligentes.
12.2 Establecer las normas para los sensores inteligentes y sistemas
en 1993, el IEEE y el Instituto Nacional de Estándares y pruebas (NIST) inició una
actividad que ha llevado al desarrollo de dos y dos propuestas de estándares
aceptados [1]:
273

274 Descripción sensores inteligentes


• IEEE 1451.1 Red capaz de procesador de aplicaciones (Modelo de información
aprobados por IEEE como full-usan el estándar
IEEE 1451.2); • el transductor al protocolo de comunicación del microprocesador y
el transductor Hoja de datos electrónica (TEDS) Formatos (aprobado por el IEEE como
full-uso);
• el estándar IEEE P1451.3 la comunicación digital y el transductor Hoja de datos
electrónica (TEDS) Formatos para Distributed Multidrop sistemas;
• IEEE P1451.4 Mixto protocolos de comunicaciones y trans- ducer Hoja de datos
electrónica (TEDS) formatos.
Como se señaló, el IEEE 1451.1 y 1451.2 han sido balloted y aceptadas como normas
de uso completo.
Un número de nuevos términos y acrónimos fueron desarrollados para tratar los
elementos de sensores inteligentes en una red interoperable. Los TEDS es una
máquina de lectura la especificación de las características de la interfaz de
transductor [2]. Un transductor inteligente interface module (STIM) incluye el TEDS
y la electrónica de asistencia incluido el transductor transductor sobre el lado de
la interfaz del hardware del procesador de aplicaciones compatibles con la red
(NCAP). El EURONCAP es un dispositivo que admite una interfaz de red, la
funcionalidad de la aplicación, y en general el acceso al mundo físico a través de
uno o más transductores. Interfaz independiente de un transductor (TII) es un 10-
cable de interfaz de comunicación digital que permite a un host NCAP o para obtener
las lecturas de los sensores o actuadores acciones así como solicitar TEDS los
datos [1].
Como se muestra en la figura 12.1, [1], las cuatro normas atar la vinculación de
elementos sensores inteligentes (STIMS), los módulos de interfaz de bus, y
transductores de modo mixto a la red a través de la EURONCAP. Las normas
representan un amplio esfuerzo para proporcionar suficientes detalles para lograr
interoper- capacidad permitiendo flexibilidad para los fabricantes de componentes,
subsistemas y sistemas.
Tabla 12.1 compara los 1451 miembros de la familia [3]. El principal elemento común
es el TEDS o la capacidad de soportar un TEDS. La interfaz de hardware, la
distancia entre los elementos, el conversor de señal y el nivel de medición
diferenciar los cuatro miembros de la familia. El IEEE 1451.1 y 1451.2 aprobado
normas minuciosas son documentos que son cientos de páginas. El resto de las
secciones en este capítulo se proporcionan más detalles sobre los diversos miembros
de la familia, pero los lectores interesados están dirigidas hacia los documentos y
las referencias.

Normas para la detección inteligente de


red 275 X P1451.1 biblioteca API
Red 1451.2 inteligente capaz de transductor de procesador del módulo de aplicación
de interfaz (NCAP)
P1451.3 transductor transductor módulo inteligente interfaz de bus object model
P1451.4
Red transductor de modo mixto (bloque transductor transductor I/O API)
Figura 12.1 IEEE 1451 relación de trabajo. (Después de: [1].) La
tabla 12.1 Resumen de IEEE P1451 (después de los miembros de la familia [3]):
medida de la señal de interfaz HW Miembro TEDS Distancia
1451.1 Nivel Convertidor N/A SOPORTE A N/A N/A es compatible con TEDS mediciones
1451.2 10 hilos sí punto corto-a- Sí materias digitales punto de unidades de
ingeniería
P1451.3 4-wire sí a medio Sí materias digitales multi-drop unidades de ingeniería
P1451.4 2- a 4-wire sí a medio punto- No analógico/digital analógico a punto

276 Comprensión sensores inteligentes


12.3 IEEE 1451.1
La especificación IEEE 1451.1 proporciona un sencillo modelo de objetos completo
para construir el sensor inteligente y sistemas basados en actuadores [2]. En
general, un objeto es una colección de datos y operaciones. Un modelo de objetos es
una definición de datos es- tructuras y operaciones organizadas en una
especificación formal. Para IEEE 1451.1, un transductor inteligente modelo de
objetos incluye una interfaz para un transductor Modelo de objetos y a un
transductor bus.
Los modelos estándar IEEE 1451.1 un transductor inteligente como un software de PC
con un plano posterior y tarjetas plug-in [4]. Este estándar está pensado para una
manu- facturer o integrador que proporciona funcionalidad adicional en la forma de
inteligencia a bordo que tiene que ser compatible con más de una red subyacente. La
figura 12.2 muestra los bloques de construcción y componentes de software de
parámetros, eventos, acciones, archivos y temporizadores.
12.3.1 Network-Capable
El EURONCAP Procesador de aplicaciones normalmente se compone de un procesador con
un sis- tema operativo integrado y capacidad de distribución. NCAPs puede oscilar
desde elementos simples con un apoyo más amplio de STIMs con muchos canales para
diseños más complejos con varios puertos. La figura 12.3 muestra las relaciones de
alto nivel entre el bloque de objetos, de los procesos de software, y un NCAP [2].
Dentro de la NCAP puede haber varios procesos de software en el bloque de función,
base bloque transductor,
transductor y "lógica" de la interfaz de plano posterior acción del evento timer
del archivo de parámetros de
transductores
transductor bloques: Bloque Físico: abstracción de la unidad de E/S y la
configuración de la función de gestión de recursos de hardware de bloques: Bloque
de red: la asignación de aplicaciones a las comunicaciones
Figura 12.2 los componentes del modelo de objetos para IEEE 1451.1. (Después de:
[4].)

Las normas para detección Inteligente 277


NCAP (Red capaz de procesador de aplicaciones)
1 1
contiene 1 o más se ejecuta en
proceso 1
1 1 1 1 1 1 1 1
Contiene contiene 0 o más 0 o más 0 o más 1

Executesin Executesin Executesin111


1
Local Executesin NCAP transductor de base de la función de bloque no IEEE 1451
bloques bloques objeto
Figura 12.3 Las relaciones entre los objetos de nivel superior. (Después de: [2].)
Los
no-IEEE 451 objetos, pero sólo un objeto NCAP bloque. Con objeto de identificar las
propiedades son los object's
• ID de clase;
• Nombre de clase;
• ID de objeto;
• la etiqueta object;
• Nombre de objeto
Objeto; • Dirección de despacho.
El estándar IEEE 1451.1 proporciona tanto física como lógica specifica- ciones para
el transductor smart object model [2]. En la figura 12.4, las líneas sólidas
representan los componentes físicos del sistema, y las líneas punteadas
proporcionan la vista lógica. Los sensores y actuadores forman un transductor que
está conectada a través de una interfaz con un microprocesador o microcontrolador.
El protocolo de red de la interfaz lógica interfaz lógica y el transductor se
definen en 1451.1.
IEEE 1451.2 define la interfaz (hardware) entre los transductores y el EURONCAP.
Las interfaces son opcionales, y 1451.1 o 1451.2 se puede apli- carse la una sin la
otra. Si el soporte para transductores interoperable no es necesario, sólo 1451.1
podría ser utilizado. Si la red no es necesaria, el IEEE 1451.2 sería suficiente.

278 Entendimiento sensores inteligentes


red I/O port hardware hardware de protocolo de red de la

Red de software de aplicaciones de software del transductor transductor (sensores y


actuadores)
transductor transductor de protocolo de red de la interfaz lógica de hardware
interface specification especificación de interfaz lógica (por ejemplo, la
especificación IEEE 1451.2)
Figura 12.4 Networked inteligente modelo de transductor. (Después de: [2].)
12.3.2 Los modelos de comunicación de red
IEEE 1451.1 proporciona dos modelos estándar para la comunicación de red entre los
objetos. El punto-a-punto modelo cliente/servidor está estrechamente acoplada para
uno-a-uno de las comunicaciones. Publish-subscribe modelo es Loosely coupled para
uno-a-muchos y muchos-a-muchos de comunicaciones. El software de red sup - los
alicates se prevé proporcionar bibliotecas de código que contienen rutinas para las
llamadas entre las operaciones de comunicación IEEE 1451.1 y la red [2].
La figura 12.5 muestra la relación cliente-servidor utilizado en el estándar IEEE
1451.1 [2]. El modelo se apoya en dos operaciones a nivel de aplicaciones
complementarias:
• Ejecutar el cliente puerto cliente objetos;
• realizar en toda la red visible de objetos del lado del servidor.
Ejecutar y realizar operaciones trabajan juntos para proporcionar un objeto remoto-
operación-estilo de invocación de servicio de mensajería [2].
El modelo publish-subscribe en el IEEE 1451.1 se muestra en la figura 12.6 [2].
El modelo proporciona un medio de comunicaciones acopladas entre

normas para detección Inteligente 279


Proceso Proceso
Cliente
Servidor de objeto objeto (
operación: puerto cliente opX Atributos:
serverDispatchAddress Execute (opX , …) Realizar (…)
Network
Figura 12.5 componentes de comunicaciones cliente/servidor. (Después de: [2].)
proceso editorial proceso de
suscriptor suscriptor puerto puerto Publisher atributos:
atributos: subscription_clave_key_suscripción publicación publicación de
dominio_dominio_qualifier suscripción publicación_topic Operaciones:
operaciones: AddSubscriber Publicar ( ) ( ) ( )
Red Callback
Figura 12.6 publish-subscribe componentes de comunicaciones. (Después de: [2].)
los objetos que el envío o la publicación, objeto no necesitan ser conscientes de
la recepción, o suscriptor, objetos. Este modelo se apoya en dos operaciones:
280 Descripción sensores inteligentes
• Publicar en el Editor de objetos de puerto;
• AddSubscriber y una operación de devolución de llamada asociada al suscriptor
puerto objetos.
El publicador y el suscriptor utiliza una combinación de dominios, claves y
temas/calificadores (definidos en el estándar) para permitir sólo las publicaciones
de interés para un objeto de suscriptor para ser seleccionados de las publicaciones
recibidas por un suscriptor puerto [2].
12.3.3 El IEEE 1451.1
un ejemplo de cómo la NCAPs para sensores y actuadores podrían establecerse para un
sistema de tratamiento de aguas servidas se proporciona en el apéndice de 1451.1.
Este ejemplo proporciona una aplicación rigurosa de la norma. Identificar los NCAPs
es uno de los pasos iniciales. El diagrama del sistema en la figura 12.7 muestra un
control de velocidad de la bomba:
control de mezclador analógico
digital:
NaOH Bomba de agua residuales

del sensor de nivel del Mezclador:


control de válvula analógica:
Data base analógica

del sensor de pH de alcantarilla: analógico de


nivel de control de la bomba de
control de la válvula de
control del mezclador de pH
alarmas configuradas las consignas de la
estación del operador
Figura 12.7 Ejemplo de sistema de tratamiento de aguas residuales. (Después de:
[2].)

Las normas para detección Inteligente 281


sistema de control PID (véase la sección 7.1.3) que toma las lecturas del sensor de
pH periódicas para controlar la velocidad de la bomba en función de las mediciones
de pH y establezca puntos [2].
El control de mezclas está encendido o apagado, basado en la velocidad de la bomba
está por encima o por debajo de un determinado punto de ajuste. Las mediciones se
registran en una base de datos, utilizada en el sistema de control automatizado y
de muestra para un operador para anular el sistema automatizado. La figura 12.8
muestra el EURONCAP hardware necesarias para implementar el sistema con la
funcionalidad IEEE 1451.
La funcionalidad del sistema de aguas residuales se divide entre tres NCAPs [2]. El
nivel de control y control de pH son implementadas en simples NCAPs e implementado
por separado para cumplir los requisitos de seguridad. El sistema de operador se
implementa con un PC NCAP como host para el operador system's- machine interface y
sistema de gestión de datos. Desarrollar el software fun- cionalidad del sistema
proporciona un uso bastante completa de 1451.1. Los lectores interesados deben
remitirse a la norma para los detalles completos del ejemplo.
12.4 IEEE 1451.2
IEEE 1451.2 define una interfaz, tanto el hardware y el software se bloquea, por un
transductor en red que no depende de un control específico de red [5].
pH El
pH del sensor del actuador de control de la bomba de control
mezclador NCAP actuador de control de
sensor de nivel de
red de
control de la válvula de control de nivel NCAP actuador
estación de operador PC NCAP
Figura 12.8 los componentes de hardware del sistema de tratamiento de aguas
servidas. (Después de: [2].)

282 Comprensión Sensores Inteligentes


La norma introduce el concepto de un STIM, define un TEDS, que es parte integrante
de la STIM y el TII, la interfaz física entre el STIM y el EURONCAP [6]. La figura
12.9 muestra la relación entre los ele- mentos definida en IEEE 1451.2 y la red
[5]. Tenga en cuenta que un solo sensor o actuador o muchos canales de
transductores que pueden existir en un único Estim. Esta sec- ción explica los
principales aspectos de la STIM, TEDS, TII, y las herramientas integradas para
permitir sistemas más inteligentes.
12.4.1 STIM
La STIM en la figura 12.9 puede contener de 1 a 255 transductores de diversos tipos
[5]. Un STIM NCAP es controlado por un módulo a través de una interfaz dedicada
digi- tal. Un STIM cumple los requisitos de 1451.2 si:
• apoya el rendimiento requerido;
• Contiene un formato correcto TEDS;
• Tiene una interfaz física que implementa el protocolo, tuberías, y Tim- ing de la
TII.
IEEE 1451.2 define cuatro tipos de sensores, un actuador y un detector de eventos
[5]. Los cuatro tipos de sensor todos leer alguna variable, convertir los datos de
analógico a formato digital, y que los datos estén disponibles. Hay seis tipos de
transductores:

Transductor de reloj de la red fuera de la interfaz de datos #1 Señal lógica de


datos acondicionado ° ° seleccionar Red y TEDS conversión ° capaz NSDET aplicación
procesador transductor Trigger #255 (NCAP) o TRIGGER_Ack host inteligente de
interrupción del microprocesador transductor
+5V Módulo de interfaz
Figura 12.9 partición de hardware común propuesto por IEEE 1451.2. (Después de:
[5].)

Las normas para detección Inteligente 283


• Sensor;
• sensor amortiguadas;
• sensor de secuencia de datos;
• Los datos del búfer de secuencia;
• sensor actuador;
• sensor de secuencia de eventos.
La Figura 12.10 muestra la respuesta de un estim a un desencadenante [6]. El trig-
gering función proporciona un medio para que un NCAP para enviar el estim un
comando para una acción a tomar su lugar (la señal de disparo) y para la estim para
indicar el momento en que se ha producido la acción desencadenante (acuse de
recibo). Flujo general que se elabora en el estándar para mostrar el actuador y
sensor de actividad que se produce simultáneamente en el quiescente y genera los
estados. Otras posibles opciones de disparo incluyen:
Energía en el
transporte de datos de inicialización completar la inicialización completa de
transporte de datos quiescente
afirmó Trigger
Trigger activo de transporte de datos negados
desencadenó abortar la acción
completa
reconocer Activador originan
negada
Quitar reconocer la
figura 12.10 respuesta general de Estim a un desencadenante [6].

284 Entendimiento sensores inteligentes


• Activación de sensores amortiguadas;
• Activación de sensores de secuencia de datos;
• la activación del sensor de la secuencia de datos en búfer;
• secuencia de evento desencadenante de sensores.
Cuando el sensor STIM reacciona a un desencadenador NCAP, el transductor comienza a
leer [7]. Cuando la lectura es completa, el STIM hace un desencadenador acknowl-
Edge y el EURONCAP lee el valor(s). El actuador STIM reacciona a un desencadenador
NCAP escribiendo el valor(s) e iniciando el accionamiento del transductor. Cuando
com- pleta, el STIM afirma reconocer un desencadenador.
Activación del sensor amortiguadas resultados en la misma respuesta que el sensor
estándar excepto el valor devuelto por el disparo anterior. Esto significa que es
una respuesta inmediata, pero el tiempo de la lectura es incierta [7].
Una secuencia de datos de muestras del sensor en su elección de tiempo, normalmente
reconocidas sincronizado con el mundo físico. Después de la activación, el sensor
espera hasta la siguiente hora de muestra y, a continuación, devuelve una señal ACK
y los resultados [7].
La activación de la secuencia de datos en búfer sensor es similar a la activación
de la secuencia de datos sensor, excepto que pone los datos en el búfer de
explotación que había disponible. Reconocimiento del gatillo es coincidente con la
disponibilidad de los datos adquiridos previamente establecido. Si Otro
desencadenante se produce después de la celebración búfer se lee pero antes de la
adquisición de la siguiente muestra de datos completos, la señal de reconocimiento
no se devuelve hasta que se completa el proceso de adquisición de datos [6].
Sensor de una secuencia de evento es la misma que la secuencia de datos de sensor,
pero no devuelve ningún dato. Para este sensor, la hora del evento es la
información pertinente [6].
12.4.2 hoja electrónica de datos del transductor
El TEDS identifica esencialmente todo lo que usted quería saber o desee saber sobre
el transductor, incluyendo:
• fabricante, número de modelo, número de serie, código de revisión, tipo de
dispositivo y el código de fecha para transductores;
• Cuando la unidad está calibrado, la variable, el tipo, y límites de uso;
• constantes de calibración;
• conversión de señal Data Model, modelo la longitud y número de significativo de
bits;

normas para detección Inteligente 285


• el canal de distribución de tiempo de configuración de lectura/escritura, el
período de muestreo, el tiempo de calentamiento y el tiempo de actualización;
• Requisitos de alimentación (voltaje y corriente);
• Gastos indirectos: la TEDS longitud y número de canales.
Ocho diferentes TEDS recuerdos son definidos en 1451.2. Los tipos de TEDS son para
uso de la NCAP (legibles por la máquina) o para los operadores (legible). Hay dos
obligatorias y cuatro opcionales TEDS classifi- caciones. El cuadro 12.2 muestra
los tipos de TEDS definidos en 1451.2 [5].
La Figura 12.11 muestra las secciones direccionable de los TEDS [8]. El hombre-
datory secciones se muestran con líneas sólidas, las secciones opcionales con
líneas punteadas. El estándar fue definido para proporcionar una vía de crecimiento
para futuras aplicaciones.
El cuadro 12.3 muestra un ejemplo de uno de los TEDS en 1451.2—the estructura
de datos en el bloque de datos de identificación del canal obligatorio [6]. Los 17
campos proporcione el fabricante- y la información específica del sensor. La
función de la identificación del canal TEDS es hacer disponible en la interfaz toda
la infor- mación para identificar el canal que está siendo abordado. La
identificación del canal TEDS bytes son constantes y sólo lectura [6].
12.4.3 TII
La interfaz digital estándar para IEEE 1451.2, TII, es un reloj similar a una
interfaz serial SPI (véase la sección 6.9.1). El 10 conexiones eléctricas se
definen
cuadro 12.2 Tipos de transductores electrónicos TEDS (Hojas de datos) [5] El
texto legible por el estándar IEEE 1451.2 Mandato
Meta TEDS Máquina Canal obligatorio TEDS Máquina Calibración obligatoria TEDS
Máquina opcional de extensión genérica TEDS Máquina Meta-ID opcional TEDS Derechos
opcional ID de canal TEDS humano-ID de calibración opcional TEDS Derechos de
usuario final opcional específico de la aplicación opcional de

286 entendimiento humano TEDS Sensores Inteligentes


uno por STIM:
contiene la totalidad de uno por STIM: Calibración de canal contiene la última
meta-TEDS descripción de la
estructura de datos DET DET STIM del peor de los casos, la fecha de calibración,
parámetros de sincronización, y el canal calibraton intervalo, y
agrupar la información de todos los parámetros de calibración apoyando la
aplicación del modelo multisegmento-
uno por STIM canal:
Contiene específicos de rango superior/inferior TEDS múltiples por STIM:
límites, unidades físicas, el calentamiento para Aplicación- Canal TEDS
tiempo, presencia de auto-test, uso específico incertidumbre, modelo de datos, el
modelo de calibración, así como la activación de parámetros múltiples TEDS
Extensión por STIM:
se utiliza para implementar futuras extensiones a 1451.2 y la industria
Figura 12.11 diseño general de TEDS [8].
Tal como se muestra en el cuadro 12.4 [9]. Las líneas se definen con más detalle en
la apre- ciación, y la fuente de alimentación aspectos se analizan con más detalle
en la sección 12.4.5. El estándar no define un conector estándar pero deja que como
un elemento de flexibilidad a la discreción del usuario.
12.4.4 La Calibración/Motor de corrección
IEEE 1451.2 describe un algoritmo correcto que permite a los usuarios convertir
salida ADC en unidades de ingeniería para sensores y unidades de ingeniería en la
entrada a un ADC para accionadores [10]. Tablas de búsqueda, conversiones, y lineal
múltiple entrada calibraciones polinomio están entre los posibles usos de los datos
de los sensores. La calibración TEDS contiene la capacidad de llevar a cabo:
• conversión de primer orden con un solo segmento de línea recta;
• segmentado de primer orden para la conversión de sensores no lineal, donde se
requiere mayor precisión;
• nivel detector para la detección simple con dos estados;
• nivel detector con histéresis;
• conversión de orden superior con un solo segmento;
• multiple-input para transductores de conversión que necesita para lograr la
máxima precisión posible.

Normas para detección Inteligente 287


Cuadro 12.3 Estructura de datos de identificación del canal TEDS Bloque de datos
[6]
Campo # Descripción Escriba el número de bytes de
datos de información relacionados con la estructura de datos sub-bloque
1 Identificación de canal TEDs longitud U32L 4 2 Número de idiomas = L U8C 1
3 Cadena lista de códigos de idioma matriz de U8E l campo de la 4 a la 16 se
repiten L veces, una para cada idioma admitido
información relacionada con la identificación de datos sub-bloque
4 idioma sub-longitud de bloque U16L 2 5 Especificación de cadena Lang 3 6
Identificación Manufacturer's longitud U8L 1
7 Cadena de identificación Manufacturer's ≤255
8 longitud de número de modelo U8L 1
9 número de modelo ≤255
10 Versión de cadena de la longitud de código U8L 1
11 Cadena de código versión ≤255
12 número de serie la longitud U8L 1
13 Cadena del número de serie ≤255
14 Descripción Longitud de canal U16L 2
15 Canal description cadena ≤65 535
datos de integridad de datos sub-bloque
16 Checksum para idioma sub-block U16C 2
datos de integridad de datos sub-bloque
17 Checksum para identificación de canal TEDS U16C 2
Figura 12.12 es un ejemplo de dónde se puede ejecutar el algoritmo de corrección
[10]. Figura 12.12(a) muestra la calibración TEDS almacenado en la Estim. En este
caso, el ordenador host copias la calibración TEDS desde el STIM y per- constituye
la conversión de datos raw para unidades de ingeniería. Que puede ser rentable en
sistemas pequeños, pero en grandes sistemas con muchos los transductores pueden
dedicar gran parte del tiempo CPU's en el proceso de corrección. Los sistemas
distribuidos pueden tener la conversión realizada en un equipo que proporciona
datos corregidos a otros procesadores o en cada equipo en el sistema. Si un único
procesador

288 Comprensión sensores inteligentes


Tabla 12.4 señal y líneas de control para la TII [9]
Línea lógica impulsado por
DIN Función lógica positiva NCAP transporta Dirección y datos de NCAP STIM
DOUT lógica positiva STIM transporta datos desde estim a EURONCAP
DCLK lógica positiva NCAP continua positiva pestillos edge datos sobre DIN Y DOUT
NIOE NCAP baja activa las señales que el transporte de datos está activa y delimita
el transporte de datos
lógica negativa NTRIG encuadre NCAP realiza la función de activación
lógica negativa NACK STIM cumple dos funciones: activación acknowl- Edge y
transporte de datos reconocer NINT lógica negativa STIM utilizados por el STIM para
solicitar el servicio desde el EURONCAP
NSDET Activo bajo STIM utilizados por el EURONCAP para detectar la presencia De una
potencia STIM N/A EURONCAP nominal de 5 V Fuente de alimentación N/A COMÚN NCAP
Common Ground señales
lecturas corregido
equipo
motor de corrección Ordenador
red red red Raw corregido lecturas lecturas lecturas corregida
NCAP EURONCAP NCAP
lecturas Raw el motor de corrección corregida
STIM lecturas lecturas Raw STIM
ESTIM el motor de corrección
= Calibración TEDS
(a) (b) (c)
Figura 12.12 IEEE 1451.2 El motor de corrección en el calculador (a), (b) y (c
NCAP) Estim.
(Después de: [3, 10].)

Las normas para detección Inteligente 289


realiza la corrección, los otros procesadores deben programarse para obtener datos
sólo desde el host y no directamente desde el transductor o el EURONCAP. Si la
conversión se realiza en varios lugares, la copia de la calibración TEDS debe
cambiarse cada vez que se cambia un transductor.
Figura 12.12(b) muestra la conversión realizada en el EURONCAP. La cali- bration
TEDS es copiada desde el STIM en el EURONCAP, donde la conversión a unidades de
ingeniería se realiza. Que simplifica la gestión de la fuente de los datos y
elimina varias copias de los datos. La NCAP costará más de procesador para
proporcionar esta función.
Figura 12.12(c) muestra la STIM ejecutando el proceso de corrección. Esta técnica
es útil en sistemas con una amplia gama de transductores o con grupos de
transductores de muy alta velocidad. De amplia aceptación, ICs deben ser
desarrollados que ofrecen esta funcionalidad.
12.4.5 Alimentación STIMs
Tensión de abastecimiento de energía en la línea en el EURONCAP está especificado
en 5V±0.20V CC con respecto a la política. Alimentación para los circuitos de
control de interfaz STIM debe proporcionarse únicamente a través de la interfaz de
comunicaciones principal. Potencia normalmente se suministra a la STIM como se
muestra en la Figura 12.13(a) [6]. Una fuente alternativa de energía para la estim
para aplicaciones donde el sensor o actuador circuitos supera los niveles de
voltaje o corriente que puede proporcionar el EURONCAP se muestra en la Figura
12.13(b).
12.4.6 que representan las unidades físicas en el TEDS
IEEE 1451.2 tiene un método simple y fácilmente guardados de identificar unidades
físicas para uso con transductores inteligentes, lo que les permite ofrecer los
resultados en términos de cualquier usuario puede entender [11]. Esta capacidad
mejora el sensor plug-and-play, sin necesidad de escribir software especial. El
método utiliza un conjunto de unidades estándar para determinar las constantes de
calibración. Para los fabricantes, lo que significa que siempre puede realizar
calibraciones y pruebas finales de la misma manera. Para los usuarios, existe una
técnica estándar para una variedad de funciones del sistema mediante la comprensión
del método- logía utilizada en IEEE 1451.2. La norma representa el Sistema
Internacional de Unidades (SI) de unidades, tal como se enumeran en la Tabla 12.5.
Para obtener un ejemplo de cómo expresar una medición de distancia, considere
(12.1) [11], que muestra cómo una medida en metros podría ser escrito. Para
proporcionar esta información a un ordenador, sólo los valores exponenciales son
utilizadas, es decir, 1, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0.

290 Entendimiento sensores inteligentes


STIM NCAP
Interfaz de medición y/o circuitos de control de actuador de circuitos
(a) Red TII
STIM opcional de alta tensión secundaria
opcional de alimentación de baja tensión de alimentación secundaria
NCAP
Interfaz de medición y/o circuitos de control del actuador TII circuitería de red
(b)
Figura 12.13 NCAP STIM potencia: (a) una única fuente de NCAP, y (b) NCAP con
fuentes de energía secundaria opcional [6].
Tabla 12.5 unidades SI básicas en IEEE 1451.2 [10]
Cantidad Base Nombre Símbolo
Longitud metro m Masa kilogramo kg Tiempo segundo s corriente eléctrica ampere a
temperatura termodinámica kelvin K Cantidad de sustancia mol mol intensidad
luminosa candela cd

estándares para detección Inteligente 291


1 0000 00 kg m s un cd K mol ⋅ ⋅⋅⋅ ⋅⋅ (12.1)
El estándar proporciona dos unidades derivadas, radianes (rad) y steradians (SR) a
la base de siete unidades SI y direcciones de unidades que están dadas en metros
por metro, logaritmo de cantidades, y los logaritmos de los números adimensional,
así como la dureza y datos digitales a través de una enumeración (enum). Los
exponentes se codifican mediante un byte sin signo entero. El exponente y su signo
es multiplicado por 2, y se añade 128 para alcanzar un número entero de bytes
codificados con una res- solución de 12. Utilizando esta técnica, exponentes entre
-64 a +63 puede ser expresada.
Como un ejemplo de cómo se manejan las unidades de medición en el estándar IEEE
1451.2, considere la posibilidad de una medición de la presión que se expresa en
pascales, es decir, el kilogramo por metro cuadrado por segundo. El cuadro 12.6
muestra las unidades de campo para este ejem- plo. La enumeración 0 significa que
las unidades son el producto de las unidades base.
Ejemplos de cómo la distancia, área, resistencia, densidad espectral de ruido,
fracción de masa, cepa, calidad de potencia, recuentos, y las posiciones del
interruptor se muestran en una referencia [11].
12.5 IEEE P1451.3
IEEE P1451.3 define una interfaz digital para conectar varios sensores separados
físicamente, [12]. Este es uno de los dos interfaces de modo mixto que permite que
la información digital que se almacena con el transductor y transmiten a través de
cables de datos de registro de ana-. Multidrop transductor estándar de bus es un
minibús apli- cación lo suficientemente pequeño y bastante barato para integrar en
un transductor. La cantidad de sobrecarga para la propuesta 1451.3 es
considerablemente inferior a buses de campo existentes, que utilizan hasta 32 bits
para direccionamiento de nodos [1].
Cuadro 12.6 IEEE 1451.2 La medición de la presión en pascales [10]
presión (pascales m s 2 = 1 kg -⋅⋅-)
rad enum sr m kg s K mol cd
exponente 0 0 0 -1 -20 0 0 0
decimal 128 128 126 130 124 128 128 128 128
292 Descripción sensores inteligentes
Figura 12.14 ilustra la interfaz para un minibús para varios módulos que están
separados físicamente. La interfaz admite TEDS, así como chan- nel identificación,
caliente, y protocolos de sincronización de tiempo. El módulo de interfaz de bus
del transductor (TBIM) constará de uno a n los transductores, un P1451.3 TEDS
definidos e interfaz lógica para el control y la transferencia de datos a través
del minibús. Probablemente, el TEDS contendrá un meta TEDS, un meta-ID TEDS, un
canal TEDS, un canal-ID TEDS, una calibración TEDS, y una calibración-ID TEDS pero
con nombres diferentes para evitar confusiones con los definidos en 1451.2. El
controlador de bus del transductor (TBC) gestionará el mini bus y gestionar la
configuración y transferencia de datos [12].
12.6 IEEE P1451.4
El importe del sensor existente y las tecnologías de red y los costes de transición
a la red digital estándares definidos en 1451.1, 1451.2, y P1451.3 son cuestiones
que los proponentes de la norma en cuestión. Los sensores analógicos, con su
cableado existente y el requisito de ancho de banda amplia de las medidas
analógicas están siendo abordadas por P1451.4. El proyecto IEEE 1451.4 establecerá
un estándar que permite que aquellos con salida analógica, transductores de modo
mixto para comunicar información digital con un alto nivel de IEEE 1451
ADC XDCR
XDCR ADC XDCR DI/s
interfaz transductor transductor electrónico interfaz lógica lógica electrónica en
la hoja de datos de la hoja de datos (TEDS) (TEDS)
bus transductor transductor módulo interfaz de bus (TBIM) módulo de interfaz (TBIM)
Controlador de bus del transductor (TBC) IEEE P1451.3 bus transductor
Figura 12.14 IEEE 1451.3 propuesta de especificación de interfaz. (Después de:
[12].)

Estándares para la detección inteligente de


objetos 293 [13]. Para encajar en la red digital definidos por otras normas de
1451, la comunicación digital bidireccional de auto-identificación, prueba, y pro-
grammable acondicionador de señal está definida con la consideración de simplic-
lidad y de bajo costo. P1451.4 ofrecerá compatibilidad con sistemas heredados y
proporcionan una ruta de transición para 1451 [13]. Ambos sensores y actuadores
están apoyado por P1451.4, y, sin embargo, la interfaz será invisible desde la
perspectiva network's.
La Figura 12.15 muestra el TEDS y alto nivel de P1451 del objeto para un
transductor analógico [13]. P1451.4 para muchas aplicaciones, no es práctico para
incluir la interfaz de red (NCAP) con el transductor, porque de tamaño limita-
ciones o duras consideraciones del entorno operativo. Sin embargo, el transductor
TEDS debe contener suficiente información para permitir el mayor nivel de P1451
objeto para llenar los vacíos.
Figura 12.16 es un ejemplo de una implementación IEEE P1451.4. El EURONCAP y TEDS
características se definen en 1451.1 y 1451.2 y refinado como necesario para una
red de modo mixto en P1451.4. La minimización de la cantidad de memoria no volátil
es uno de los objetivos de los desarrolladores standard's. Los TEDS 1451.4 incluye
las categorías y parámetros enumerados en el cuadro 12.7 [13].
12.7 extender el sistema a la red
El estándar IEEE 1451.2 instigado la industria basada en la actividad de diseño en
su aprobación prevista [14]. Su posterior aprobación y la adición de
interfaz de alto nivel IEEE P1451 lógica XDCR objeto
del transductor (TEDS)
IEEE P1451.4
Red transductor de modo mixto
Figura 12.15 interfaz IEEE P1451.4. (Después de: [13].)

294 Comprensión sensores inteligentes


P1451.4 Multiplexor de datos de modalidad mixta de
alto nivel de adquisición de transductor TEDS P1451.4 extracción y P1451 TEDS
interfaz de conversión de modo mixto (MMI)
P1451.4 NCAP
Figura 12.16 Red IEEE P1451.4 NCAP. (Después de: [13].) La
tabla 12.7 Categorías e identificación propuesto en 1451.4 TEDS (Después: [12])
Parámetros de la categoría
1. Identificación Nombre del fabricante número de modelo número de serie número de
revisión de código de fecha 2. Dispositivo de sensibilidad del tipo de sensor de
precisión de unidades de ancho de banda
3. Fecha de última calibración calibración del motor
4 Coeficientes de correlación. Canal aplicación Agrupamiento de canales de
identificación y ubicación del sensor de orientación
1451.1 debe ampliar el apoyo de la industria. Como se muestra en la Figura 12.17,
la red independencia proporcionada por 1451 permite a los fabricantes para conectar
sensores inteligentes en diferentes sistemas para diferentes redes.

Normas para detección Inteligente 295


varios navegadores de Internet de
28,8 K enlace PPP a Internet de 10 Mbps de TCP/IP de
intranet WWW NIST navegador con Java activado home page Ethernet basado en
UDP/IP con UDP/IP de puerta de enlace de nivel de aplicación de pasarela de nivel
NCAP 1451.1 conectados directamente y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM
1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM conectado directamente 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM
1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM directamente conectado NCAP
1451.1 o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM
Red Una red Red B C
Figura 12.17 sensores inteligentes en red [15].
12.8 Resumen
normas han desempeñado un papel importante en muchas industrias para acelerar y
ampliar la aceptación. Las propuestas aceptadas y IEEE 1451 normas descritas en
este capítulo han sido o están siendo desarrollados para trabajar conjuntamente o
por separado, dependiendo de los requisitos del sistema. Estas normas deberían
proporcionar trans-ducer la interoperabilidad de las redes y prestaciones ampliadas
a sensor existente a los fabricantes y usuarios de la red. El potencial de uso de
Internet en los sistemas de control cambiará la forma en que las redes están
diseñados por ingenieros y utilizado en las organizaciones. Capítulo 13 amplía las
posibilidades futuras y las visiones que están desarrollando para sensores
inteligentes en red.
Referencias
[1] Lee, K., "Un resumen de la IEEE 1451: Un Familia de transductores inteligentes
propuestas Inter- face estándares", Proc. Sensores Expo, San Jose, CA, 19 de
mayo–21, 1998, pp. 159–167.
296 Entendimiento sensores inteligentes
[2] "Transductor inteligente interfaz para Sensores y Actuators-Network capaz App.
Procesador estándar IEEE 1451.1,", Http://standards.ieee.org/catalog/drafts.html,
Piscataway, NJ, abril de
1999.
[3] Woods, S., "IEEE P1451" la presentación, Sensores Expo, San Jose, CA, 20 de
mayo de 1998.
[4] Guerrero, J., "La IEEE P1451.1 Object Model Network Interfaces independientes
para sen- sors y actuadores", Proc. Sensores Expo, Boston, 13 de mayo–15,
1997, pp. 1–14.
[5] Eccles, L. H., "Una breve descripción de IEEE P1451.2," Proc. Sensores Expo,
San Jose, CA, 19 de mayo–21, 1998, pp. 169–180.
[6] "Estándar IEEE para un transductor inteligente interfaz para Sensores y
Actuators—Transducer al microprocesador protocolos de comunicaciones y hoja
electrónica de datos del transductor (TEDS) formatos", IEEE 1451.2 estándar,
Http://standards.ieee.org/catalog/olis/im.html, Piscataway, NJ.
[7] Hamilton, B. S. Woods, y R. Johnson, "diseñar interfaces IEEE 1451.2
Transductor inteligente", folleto de presentación en los sensores de la Expo,
Detroit, el pasado 22 de octubre, 1997.
[8] Woods, S., "La IEEE-P1451.2 Proyecto estándar para interfaz transductor
inteligente Mod- eglas," Proc. Sensores Expo, Boston, 13 de mayo–15, 1997, pp.
5–14.
[9] Cantrell, T. "Car 1451, Dónde Estás?" El circuito de tinta bodega (http://www.
Edtn.com/embapp/emba041.htm), de febrero de 1999.
[10] Eccles, L. H., "IEEE-1451.2 Algoritmo de conversión de unidades de
ingeniería", sensores, de mayo de 1999, págs. 107–112.
[11] Eccles, L., "La representación física de las unidades físicas en el IEEE
1451.2", sensores, Abril
1999, pp. 28–35.
[12] Malchodi, L.A., "Estado de IEEE P1451.3 Multidrop (Distributed Systems),"
Proc. Sensores Expo, San Jose, CA, 19 de mayo–21, 1998, pp. 181–184.
[13] Chen, S. C., "IEEE-P1451.4 un transductor inteligente interfaz para sensores y
el proyecto "ACTUA- tors—mixto protocolos de comunicaciones y hoja electrónica
de datos del transductor (TEDS) formatos", Proc. Sensores Expo, San Jose, CA, 19 de
mayo–21, 1998, pp. 185–191.
[14] Travis, B., captadores "optimizar", EDN, 4 de marzo de 1999, pp. 76–86.
[15] Schneeman, R. y K. Lee, "Compatibilidad de acceso a IEEE P1451 Sensor
inteligente de infor- mación mediante tecnología de World Wide Web," Proc. Sensores
Expo, Boston, 13 de mayo–15, 1997, pp. 15–34.

13
Las consecuencias de sensor inteligente de estándares
y sus maravillosos instrumentos seguían funcionando, mirando a través de los
experimentos comenzaron hace muchos años.
-Arthur C. Clarke, 3001: La Odisea Final
13.1 Introducción de
estándares del sector para sensores inteligentes, incluyendo el IEEE 1451 Familia y
otras enti- dades que se han iniciado para aplicaciones de control, deberá cumplir
con lo que sus arquitectos imaginan: reducir las barreras a la aceptación y, por lo
tanto, acelerar el desarrollo y uso de nuevos sensores inteligentes existentes y
sistemas avanzados. Algunas de las capacidades que el IEEE 1451 normas permitirá
que ya se han demostrado. Otras posibilidades son propuestos y desarrollados por
empresas con visión de futuro. Este capítulo describe cómo plug-and-play sensores
hace más inteligentes y más fáciles de tratar en el mundo real y las capacidades de
comunicación y control avanzados sensores inteligentes que pueden aportar a los
sistemas de control, el Ethernet y la Internet.
13.2 El sensor Plug-and-Play
con una tecnología informática y una tecnología orientada a objetos de detección de
enfoque está detrás de varios enfoques estándar. Además de la IEEE 1451
297

298 Descripción sensores inteligentes


estándar, Microsoft ha desarrollado la vinculación e incrustación de objetos (OLE)
para apoyar los PCs integrados en aplicaciones de control. El proceso OLE para el
con- trol (OPC) Fundación es proporcionar uniformidad basada en OLE estándar basado
en objetos, métodos y propiedades de los servidores de información en tiempo real-
mente distribuida en sistemas de control, controladores lógicos programables,
dispositivos de campo inteligentes, y analizadores [1]. Tecnología de objetos
responde a las demandas de sistemas abiertos en el diseño del sistema de con- trol.
Ejemplos de objetos incluyen una válvula, bucle, tendencia, registro de dispositivo
de campo, el sensor de presión y la placa de E/S. Modelo de objetos del mundo real,
de datos o de los datos contenidos en el objeto puede ser en tiempo real. La figura
13.1 muestra cómo los modelos de objeto podría controlar las operaciones y eventos
en un sistema de control PID.
El uso del lenguaje de programación Java para aplicaciones embebidas tiene
implicaciones interesantes para los sensores inteligentes [2]. Una aplicación de
automatización Java programación de interfaz (API) está siendo desarrollado por Sun
Microsystems y un grupo de control de procesos y sistemas de fabricación
proveedores. Calcula Java independiente de la plataforma y se ejecuta en cualquier
máquina con Java habilitado. Las aplicaciones están disociadas de las plataformas y
puede ser distribuido a través de redes de servidores con aplicaciones completas o
parciales entregadas a los clientes. En ese entorno, sólo una copia de la
aplicación se mantiene en el servidor. El usuario siempre tiene la versión actual y
la aplicación desaparece cuando la tarea está terminada user's [1].
Tipo: atributos PID:
estado establezca el punto de información del objeto Aplicación de proceso de
gráficos de valores medidos de salida estación de operador IMS Operaciones:
modificar el punto de ajuste ajuste el modo de control reconocer
eventos de alarma:
Alto Control bajo control del objeto aplicación desviaciones
Contralor Contralor
Figura 13.1 Modelo de objeto de control. (Después de: [1].)

Las consecuencias del sensor inteligente de los estándares 299 El


costo es un factor clave para muchos de los nuevos sistemas. Como los costes de
software y el desa- rrollo veces siguen aumentando, muchas empresas en el mundo de
sistemas integrados están viendo Java como un lenguaje de programación que les
permita escribir el código una vez y moverse fácilmente de un MCU a otro [2]. Sin
embargo, Java fue desarrollado para la computación de escritorio y tiene una
funcionalidad que excede los requisitos de control incorporado. Los subconjuntos de
Java podría ser la respuesta para más costo- control y aplicaciones sensibles a la
memoria.
Los buses serie PC bus serie universal (USB) e IEEE 1394 (también conocido como
Firewire) proporcionan plug-and-play y se espera que desempeñen un papel promi-
nente en la adquisición de datos (DA) [3]. Cuadro 13.1 [3] compara los dos plug-
and-play de estándares. Tantos como 127 dispositivos pueden ser conectados a un
cuadro 13.1 USB frente a Firewire USB de Adquisición de Datos (después de: [3])
La distancia real Bus teórico Pros Contras Rendimiento Rendimiento de PC
ISA bus gran variedad de datos lenta 2 MBps––3 500 750 Ksps placas
internas, extensa, soporte de software de transferencia, pocos plug- fácil de
escribir y play, costo- juntas las juntas efectivas
bus PCI Plug-and-play, número limitado de 132 Mbps a 100 MBps–80 bus de alta
velocidad interna de ranuras PCI transferencias en algunos ordenadores
PC cards pequeño canal limitado size—–Máquina 200 300 Ksps hasta
30–50 portabilidad contar, no dependiente ft compatibilidad DMA
mejorado fuera de la limitada transferencia PC— 500 Ksps 100 Ksps 5 m/cable de
puerto paralelo tasas de inmunidad a ruido continuo ráfaga
fuera del Universal PC— encontrada sólo en 12 Mbps <100 Ksps 4,5 m/cable
bus serie inmunidad contra el ruido, la nueva compra, verdadero plug-and-play de
las tasas de transferencia de datos limitada
fuera del FireWire PC— aún no 400 Mbps no disponible 4,5 m/cable (IEEE 1394),
inmunidad de ruido instalado en alta velocidad de trans- muchos PCs fers,
configuración automática

300 Comprensión sensores inteligentes


puerto. Cuando estas normas basadas en PC se aplican a la detección, el nivel de
smart aumentará.
13.3 Comunicando los datos del sensor mediante el cableado existente de
una forma de implementar rápidamente detección anticipada es utilizar las normas
existentes con hardware y software desarrollado específicamente para la detección.
Ethernet es creado en el entorno de la planta. Las líneas telefónicas también están
siendo utilizadas para la detección. En esta sección se analizan ambas
aplicaciones.
13.3.1 Ethernet
el cableado Ethernet existente en muchas plantas, permite la adaptación de los
sensores para supervisar los sistemas de mantenimiento preventivo y evitar el
costoso tiempo de inactividad [4].
La capacidad de velocidades de hasta 1 Gbps y la capacidad para interactuar
directamente a industrial y computadoras personales, la Ethernet una alternativa de
bajo coste a otras LAN. La mayoría de los sistemas de adquisición de datos puede
comunicarse con 10Base-T Ethernet.
Se requiere el software más sofisticado para el aspecto en tiempo real de
adquisición de datos. Esto es especialmente cierto para una red compartida con
usuarios de negocios generales que podría verse interrumpido [5]. Diferentes
aplicaciones como monitor de datos- ing versus lugar diferentes requisitos de
registro de datos en el software. En el registro de datos, la conexión con el
ordenador se rompe después de la recopilación de datos configu- ración. En este
caso, el DA dispositivo debe tener un alto nivel de inteligencia para almacenar las
configuraciones y enviar datos en un búfer sin comunicación con un software
externo. Aplicaciones de monitorización de datos requieren menos inteligencia en el
dispositivo y da más en el software para realizar tareas que normalmente maneja en
tiempo real.
13.3.2 detectado por módem
empresas ya están fabricando unidades módem específicamente para aplicaciones de
detección. Una unidad, la PhoneDucer™ desde Elwood Corp., envía formato- ted
los datos del sensor a través de las líneas telefónicas [6]. Alimentación para el
módem y los sensores viene de la línea telefónica sin fuente de alimentación o
batería adicional es necesaria. El módem permite a ingenieros para recoger,
monitorizar y analizar los datos desde un sitio remoto utilizando un PC con Windows
y software da especial.
Utilidades de gas natural y la fabricación química empresas están entre las
compañías que están tomando ventaja de este enfoque de la teleobservación.

Las consecuencias de sensor inteligente de los estándares 301


13.4 automatizados y la Teleobservación y la Web
las principales características del IEEE IEEE 1451.2 y 1451.1 normas fueron
demostrado en los sensores Expo de Boston en mayo de 1997 [7]. La manifestación
contó con participantes de sensor y transductor, control de red fabricantes ven-
dors, integradores de sistemas y usuarios. La red de 1451 dispositivos fueron
accesibles a través de un común de backbone de Ethernet de 10 Mbps. La figura 13.2
muestra la arquitectura concepto utilizado en la demostración. La integración de
redes de múltiples proveedores y dispositivos utilizando el conjunto común de
interfaces de IEEE 1451 fue demostrado con tecnologías basadas en Internet,
incluidos World Wide Web (WWW), el software del navegador Java, páginas Web HTML, y
el protocolo de Internet (IP) suite.
La figura 13.3 muestra una implementación de referencia del estándar IEEE 1451
stan- dard [9]. El STIM en la figura contiene un microcontrolador de bajo costo
pro- grammed para apoyar el 1451 interfaz digital. El microcontrolador lee el TEDS
y recopila las lecturas de los sensores de la ADC. La línea de puntos- forman
bloques por ambas funciones de firmware y software. El firmware en el EURONCAP
accede al STIM mediante un controlador de 1451.2. El motor de corrección corrige
los
múltiples navegadores de Internet de
28,8 K enlace PPP a Internet de 10 Mbps de TCP/IP de
intranet WWW NIST navegador con Java activado home page Ethernet basado en
UDP/IP- UDP/IP de puerta de enlace de nivel de aplicación de pasarela de nivel NCAP
1451.1 conectados directamente y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM 1451.1
NCAP y/o 1451.2 STIM conectado directamente 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP
y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM directamente conectado NCAP 1451.1 o
1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM 1451.1 NCAP y/o 1451.2 STIM
Red Una red Red B C
Figura 13.2 El diseño conceptual de NIST 1451 demostración. (Después de: [8].)

302 Comprensión sensores inteligentes


NCAP STIM PC Red página Web server driver microcontrolador 1451.2 Corrección Página
Web browser TEDS TEDS interfaz
EEPROM rutinas de acceso motor
Control 1451.2 y 1451.2 Driver ADC controlador de despacho
de adquisición de datos del sensor de presión digital 1451.2 interfaz Ethernet
Figura 13.3 Implementación de referencia de IEEE 1451. (Después de: [9].)
las lecturas del sensor raw Estim. La página Web se ve NCAP's apuntando con un
navegador Web en el EURONCAP. El prototipo es compatible con una amplia variedad de
sensores analógicos.
13.4.1 El protocolo inalámbrico
algunas mediciones remotas y aplicaciones de detección inalámbrica puede requerir
más esfuerzo de la industria o los beneficios para hacer que la norma sea
atractiva. Por ejemplo, un único chip sensor inalámbrico que transmite la
información del sensor a bordo en condi- ciones no esta Time—use not—at
IEEE 1451 [10]. Como se muestra en la figura 13.4, la sonda inalámbrica totalmente
integrada tiene cuatro secciones diferentes: (1) los sensores y procesamiento de
señal de front-end, (2) la digitalización, control y difusión del código-gen-
eración, transmisor de RF (3) y (4) la antena. La esquina inferior izquierda es un
área diseñada para ser sensible a una determinada frecuencia de una señal de
infrarrojos. El chip contiene un protocolo de comunicación que permite una TV
remota de estilo para programar la frecuencia de muestreo, la ganancia analógica, y
otros parámetros. El diseño se recopiló y fiable de los datos transmitidos a través
de tres cubiertas de un buque sin incurrir en problemas de EMI. Sección 13.6
describe estándares alternativos.
13.4.2 El diagnóstico remoto
las mediciones remotas están permitiendo a los médicos para analizar y tratar a los
pacientes en zonas remotas [11]. Aplicaciones para ese enfoque incluyen la
transmisión desde un campo de batalla en el extranjero o lugar de trabajo, la
telemedicina para hospitales en zonas rurales remotas,

las implicaciones de sensor inteligente de los estándares 303

sensor de temp. del reloj de Antena 1


IEEE 1451 ID y formatos de datos
sensor de temp. del sintetizador de frecuencia 2 ADC RF amp MUX y amp
Control y lógica de datos
Propagación gen.
Sensor óptico Mixer
Ext.
en
óptica de la programación de los circuitos de entrada de la
antena del transmisor RF sensores y procesamiento de señal front-end de la
digitalización, el control y la difusión de la generación de código
fuente de alimentación
Figura 13.4 de sensores inalámbricos inteligentes. (Después de: [10].)
confirmación de diagnósticos, y el acceso a médicos de otras regiones del mundo.
Las aplicaciones determinar los requisitos para la transmisión de datos. Stetho-
ámbito requieren mediciones de alta calidad de sonido capturados hasta los 10 Hz.
El sistema se muestra en la figura 13.5 permite a un médico en una ubicación remota
para escuchar lo que una enfermera o un médico escucha cuando se examina a un
paciente. El médico utiliza stetho remoto- teléfonos después de la señal ha sido
transmitida y procesada por un códec.
Internet está siendo utilizado para mediciones más complejas que requieren la
transmisión de datos. En el área de investigaciones médicas, un PC y el software
del navegador WWW permiten a los usuarios ver imágenes de resonancia magnética
(IRM) datos desde un remoto 170-MHz espectrómetro de imágenes de protones. Esto
significa que un número de doc- tores pueden ser entrenados para realizar las
técnicas de diagnóstico modernas que requieren equipos costosos, sin tener que
estar ubicados en un lugar que tiene el equipo. La visión de interactivos,
experimentos en tiempo real a través de la WWW debe aumentar el número de personas
haciendo investigación avanzada y podría impulsar el descubrimiento de nuevas curas
y terapia para pacientes de todo el mundo.
13.5 El control del proceso a través de Internet
TCP (protocolo de control de transmisión) e IP se han considerado como un medio de
control, pero su papel podría extenderse a los sistemas de control [12].
Habitualmente el mismo software para el control de un sistema de adquisición de
datos a través de una red puede ser
304 Comprensión sensores inteligentes
Stethophones

Cinturón electrónico Doppler estetoscopio andries amp amp Correa


ecualizador gráfico

codec Codificador Dolby Dolby encoder códec hiperespacial


Figura 13.5 Telestethoscope, un estetoscopio que permite que un médico remoto para
analizar un paciente. (Después de: [11].)
utilizado para la Internet [5]. Cada sensor conectado a una conexión TCP/IP debe
tener una dirección IP. El software debe permitir la correcta configuración de los
sensores.
Seguimiento de ubicaciones remotas a través de Internet fue discutido anteriormente
en este capítulo. Los investigadores también están trabajando en la telerobótica
para control remoto de máquinas [13]. Una de las cuestiones clave es un estándar
para la interconexión por- ciones modular del sistema. Un entorno virtual se ha
creado con una extensión de Internet que permite la manipulación remota del sistema
robótico. La comunicación elemento clave es el uso del lenguaje de modelado de
realidad virtual (VRML), una extensión del lenguaje de marcado de hipertexto
(HTML). VRML permite a los desarrolladores crear programas que interactúen con el
entorno tridimensional. Mediante VRML, los captadores genéricos se combinaría con
mecanismo robótico para manipular el material y la información que se transmite a
las etapas sucesivas de la robótica de laboratorio. La magnitud o la complejidad de
la cadena robótico depende de resolver una serie de cuestiones, incluida la
manipulación correcta de la cola de solicitudes.
El esfuerzo para control remoto en redes ya está fuera del laboratorio y parte del
mundo industrial. La figura 13.6 muestra la dirección general de las futuras
versiones de software de Internet uno de los mayores proveedores de software de
automatización de fábrica [14]. Los pequeños óvalos en cada objeto representan
escalan las versiones de software comercial disponible y proporcionar la
habilitación de Internet propiedades

las implicaciones de sensor inteligente de los estándares 305


sistema ERP/MRP//proxy de autenticación cifrado Internet
Factory desktop
manager del objeto administrador Viewer
(Visor) y/o
FS FS objeto objeto
Figura 13.6 Smart Device software de Internet. (Después de: [14].)
de cada objeto. El administrador de objetos y el espectador son objetos visuales
para inte- ing la habilitación de Internet propiedades y visualización de la
información en otro de los company's paquetes de software. El uniforme y las
propiedades de la red mundial de Internet permitirá al administrador de objetos y
el visor para acople simultáneamente ambos sistemas locales y remotos y otros
sistemas de fabricación. La transferencia de archivos estándares de Internet
permitirá la edición offline y visualización.
Control de consumo de aplicaciones utilizando el Internet podría convertirse en un
lugar común en el futuro. Por ejemplo, el refrigerador pueda algún día tener un
código de producto universal (UPC) detector para controlar la fecha de caducidad de
su contenido [13]. La repoblación de las órdenes puede ser colocado en un
supermercado online para la sustitución, el envío y la facturación. Elementos
robóticos podría totalmente Exprima naranjas en el frigorífico para beber o de
melones en el supermercado para probar la madurez de acuerdo a la preferencia
buyer's.
13.6 Normas alternativas
no todos los sistemas son cubiertos por las normas o aborden de manera que sat-
isfies todas las aplicaciones. Críticas y entornos únicos con limitaciones de
diseño fuera de las normas pueden requerir modificaciones de una norma y, en
algunos casos, otra norma. Dos ejemplos pueden ser discutidas, pero son sólo una
muestra de los casos cuando no importa cómo muchas de las "normas" están
disponibles otro enfoque se considere necesario.

306 Entendimiento sensores inteligentes


13.6.1 Redes avión la
figura 13.7 muestra la utilización de una variación de la IEEE 1451 estándar para
un avión jet air- [15]. La principal diferencia es la salida analógica para la
solución de problemas.
Cada uno de un número de buses en el avión se conectaría con una serie de sensores
o actuadores a una central de DA y/o sistema de control. La conexión entre el cubo
y el equipo anfitrión sería de menos de 100m y puede no ser necesario. Un solo
cable de alta velocidad o de enlace de fibra óptica se proporcionan la interfaz
para el ordenador host, ubicado de forma remota desde la red. El desa- rrollo
equipo analizó otros buses disponibles y eliminado por el fol- bramido razones:
• eran demasiado lentos para admitir velocidades de datos deseado.
• No requiere cable de cuatro hilos.
• Tenían características indeseables.
• No se limita la distancia física entre los puntos.
13.6.2 Seguridad Automotriz red
rentable circuitos simples de control de redes de airbags y otros sistemas de
seguridad vel.- cle ha conducido al desarrollo de una interfaz de sistemas
distribuidos (DSI) [16]. La interfaz se ofrece como estándar autorizable
libremente. Otra
red de red en red del sensor sensor de Red
Bus 1 Bus 2 Bus 3 procesador host concentrador de red en red red red sensor sensor
16 controlador de bus de host de
red en red del sensor Sensor de red
Figura 13.7 Boeing 777 adaptación de IEEE 1451.2. (Después de: [15].)

Las consecuencias del sensor inteligente de 307 normas


estándares, como puede, o estándares pendientes, como el drive-by-wire TTP/bus C,
fueron considerados demasiado caros para la aplicación del airbag.
La DSI no está diseñado para ser tolerante a fallos, pero tiene una alta inmunidad
a EMI. La señal se utiliza el protocolo de señalización de modo de tensión en una
dirección (del maestro) y señalización del modo actual en la otra dirección (del
esclavo).
Sin embargo, la DSI no fallar sin previo aviso. Durante el encendido, cada nodo es
analizado, y la bolsa de aire puede ser añadido o eliminado, según la pres- encia y
el tamaño de los pasajeros, sin completamente la reconfiguración de la red.
La configuración durante el encendido permite que los componentes de diferentes
proveedores para ser combinado por primera vez en el ensamblado del vehículo o para
ser reemplazado en servicio si están defectuosas sin equipo especial de
programación [17].
La figura 13.8 es un ejemplo de los dos cables de la red de DSI. El nodo maestro
sondea cada sensor de información, calcula que un airbag necesita implementarse y,
a continuación, emite un comando al accionador (apropiado) squib. La red que
conecta a otras redes en el vehículo se llama el nicho de la red de área local
(NAN).
La figura 13.9 muestra una DSI en red con los distintos componentes de un sistema
de bolsas de aire [17]. Aunque la red es un Nan, 23 componentes se identi- zos en
la figura. La capacidad de los fabricantes de automóviles para agregar elementos de
seguridad como bolsas de aire laterales, kneebags sujeciones tubulares, pretensores
y sensores de ocupantes sin tener que rediseñar todo el sistema proporciona
flexibilidad y ahorra tiempo y recursos.
Esclavo esclavo esclavo esclavo
programable programable programable programable dirección dirección dirección
dirección
esclavo esclavo
dirección programable programable
pre- pre- pre-programado programado programado dirección dirección dirección
dirección B programable esclavo esclavo esclavo esclavo Master
Figura 13.8 Ejemplo de DSI. (Después de: [17].)

308 Descripción Los sensores inteligentes


del sistema de detección de ocupante
dos cables del sensor de impacto lateral pretensores del cinturón airbag lateral
Crush zone sensor sensores de hebilla de cinturón
airbag frontal airbag lateral (inflador multietapa) pretensores del cinturón de
impacto lateral central del sensor Sensor de choque
Figura 13.9 sistema de airbag de Automoción utilizando el estándar de DSI.
(Cortesía de Motorola y TRW.)
13.7 Resumen
las etapas iniciales de una arquitectura inteligente de sensores y redes que están
apareciendo en diferentes áreas. El énfasis está puesto en la interoperabilidad y
la normalización de los protocolos, junto con la flexibilidad ofrecida por una
matriz de componentes a partir de bloques de construcción para las soluciones
monolíticas. Como resultado, la próxima generación de sistemas de control puede
tener un nivel de flexibilidad y funcionalidad que crecerá a medida que la
industria crezca y se desarrolle como las aplicaciones requieren. De cualquier
modo, no importa cómo muchos estándares están disponibles, las aplicaciones pueden
requerir variaciones o nuevas alternativas, que eventualmente pueden convertirse en
normas en su propio derecho.
Referencias
[1] Lange, S. T., "Qué es esto de la tecnología de objetos?" La Ingeniería de
Control, agosto de
1997, págs. 59–64.
[2] Costlow, T., "Java desafíos Embedded-Systems World", tiempos de Ingeniería
Electrónica, Octubre 28, 1996, pp. 79, 81.
[3] el Logan, L., "Estás en el autobús correcto?" Sensores, agosto de 1997, págs.
46–56.
[4] Daniel, R. A., "un caso para la comunicación de datos a través de Ethernet
Sensor", I+CS, octubre de 1997, pp. 37–40.

Las consecuencias de sensor inteligente de los estándares 309


[5] Lekas, S., "hacer trabajo de Ethernet: El software detrás de éxito" de
adquisición de datos, sensores, de febrero de 1999, pp. 91–95.
[6] "percibir" por módem, Ingeniería Mecánica, Septiembre 1994, pág. 34.
[7] Johnson, R. N., Edificio "Plug-and-Play transductores inteligentes en red",
[8] Http://www.sensorsmag.com/ieee1097.htm Schneeman, R. y K. Lee, "Compatibilidad
de acceso a IEEE P1451 Sensor inteligente de infor- mación mediante tecnología de
World Wide Web," Proc. Sensores Expo de Boston, Boston, 13 de mayo–15, 1997,
pp. 15–34.
[9] Woods, S. P., "El borrador del estándar IEEE 1451.2 para transductor
inteligente Interface Mod- eglas", Boston, 13 de mayo–15, 1997, pp. 5–14.
[10] Manges, W. M., G. O. Allgood, y S. F. Smith, "Es el momento de pasar a la
tecnología inalámbrica de sensores", sensores, de abril de 1999, págs. 10–20.
[11] Machlis, S., "'Teledocs' Tratar a los pacientes de forma remota", Diseño de
Noticias, 10 de junio de 1996, pp.
23–24.
[12] Winkler, R., "aclarar la confusión sobre Ethernet, Sensores", 31 de enero de
1999, pp. 28–35.
[13] "La máquina controlada a distancia, los procesos a través de la Web más cerca
de lo que cree", Informe del MIT, Vol. XXV, nº 7, septiembre de 1997, pp. 1–2.
[14] Carson, M., "la Estrategia en Internet",
[15] Http://www.wonderware.com/scout/index.htm Eccles, L., "Un bus de sensores
inteligentes para la adquisición de datos, Sensores", marzo de 1998, págs.
28–36.
[16] Edwards, C., "Motorola y coche TRW's Comm sistema 'Beat se puede y TTP/C,'"
Electronics Times, Marzo 15, 1999, pág. 10.
[17] Versión 1.0 Estándar de bus de DSI, Http://www.mot-sps.com/automotive

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14
la siguiente fase de sistemas de detección
una vez que se han eliminado lo imposible, lo que queda es posible.
-Antepasado del Sr. Spock, jefe científico oficial de la Nave Enterprise
14.1 Introducción
Como Capítulo 11 señaló, la combinación de varias técnicas que pueden utilizarse
para desarrollar la próxima generación de sistemas de detección inteligente. Que
por muchos años ha sido posible y es la base de muchos instrumentos, tales como el
interferómetro Fabry - Perot Systems, exámenes de sangre, y la cámara en un chip.
Lo que hace que el futuro posibilidades interesantes es la escala (tamaño) de los
sensores hace po- sible por la combinación de micromaquinado y microelectrónica. El
tamaño de los sensores semiconductores es directamente proporcional al coste del
sensor, y el coste es inversamente proporcional al volumen de solicitudes. Cuando
se rompen las barreras de costes, curiosidades de laboratorio, formar parte de la
vida diaria. Sensores de presión absoluta del colector en los coches, los sensores
de presión arterial desechables para aplicaciones médicas, y acelerómetros para
sistemas de airbag han demostrado el grado al cual una rentable tecnología de
detección pueden desplazar a una tecnología anterior. Esto es especialmente cierto
cuando la integración en el chip es posible.
Los sensores inteligentes pueden ser elementos independientes de productos o
simple- mente distribuida en redes complejas como una fábrica o un vehículo. La
disponibilidad de normas tales como el IEEE 1451 debe acelerar el desarrollo en
redes de sensores, especialmente las versiones más inteligente.
En la esfera de la informática, las comunicaciones y el entretenimiento, la con-
vergencia de estas tecnologías es que crea enteramente nuevos productos y mercados.
311
312 Descripción Los sensores inteligentes de
forma similar, la informática, las comunicaciones y otras tecnologías serán se
fusionaba con varios o todos los temas que se han debatido en este libro para crear
nuevos productos de control. Los nuevos productos pueden requerir la combina- ción
de varias tecnologías que están en el proceso de consecución de la condición de las
manufacturas. Las guías de la industria de semiconductores agresiva, la fuerte
inversión en I+D de Sensores, y el gran número de participantes en la fabricación
de tecnología de sensor y prometen una variedad de productos competitivos, con
atención especial a los aspectos de estos sensores inteligentes.
Muchos expertos de la industria están tratando activamente para definir la próxima
"killer" de apli- caciones de la tecnología MEMS. De hecho, varias conferencias
sobre la commerciali- zación de los microsistemas han sido mantenidos por expertos
para compartir ideas en ese ámbito. Como se muestra en el cuadro 14.1, la evolución
del producto ha abarcado décadas en plena fase de com- mercialization today's
éxitos [1]. Los sensores inteligentes en gas, bio/chemi- cal y productos del sensor
de velocidad están entre los dispositivos EMS que todavía están en fase de
evolución.
La tecnología MEMS, que forma la base de los sensores inteligentes que se analizan
en este libro, ha sido calificada como perjudicial para la industria de acuerdo a
un estudio reciente [2]. "La tecnología disruptiva altera el status quo en una
industria. En el caso de MEMS, el mercado tire es llevar la tecnología de proceso y
compañías de embalaje en el régimen de fabricantes de IC. El estudio fue financiado
por la National Science Foundation (NSF) y de semiconductores y la
Tabla 14.1 Calendario de evolución de MEMS/MST Productos (después de: [1]) la
reducción de costes/ Aplicación de producto Producto completo descubrimiento
evolución expansión de
sensores de presión de comercialización 1954––1960 1960 1975 1975 1990
1990 1974–acelerómetros––1985 1985 1990 1990 1997 1997–Sensores
de Gas 1986––1994 1994 1998 1998 2005 2005
1980–Válvulas––1988 1988 1996 1996 2004 2004
boquillas––1972 1984 1984 1990 1990 2002––2002 Fotónica/muestra
1980 1986 1986––1996 1996 2004 2004–Bio/sensores químicos–1980
1994 1994 1999 1999 2002––RF 2002 1994 1998 1998
2001–––2001 2005 2005 1982 1990 los sensores de tasa––1990
1998 1998 2002 2002 1982–Microrrelés––1992 1992 1998 1998 2004
2004–

la próxima fase de sistemas de detección de 313


materiales International (semi). Sobre la base de las consecuencias perturbadoras
de MEMS, las empresas establecidas pueden no ser los encontrar éxito sensor
inteligente de aplicaciones.
14.2 futuras capacidades de semiconductores
sensores micromecanizado porque se basan en la tecnología de semiconductores, una
industria de semiconductores roadmap podría proporcionar una visión de la futura
tecnología de detección. La Semiconductor Industry Association (SIA) pub-
tecnología lishes periódicamente predicciones para las futuras capacidades de
vanguardia semicon- ductors. Como se muestra en el cuadro 14.2 [3], en 2012 el
mínimo tamaño de la característica para el más alto rendimiento Circuitos
microprocesadores será sólo de 35 nm, sólo alrededor de un sexto del tamaño de una
característica de 1997. El empaquetado se reducirá costos por más
tecnología de semiconductores Tabla 14.2 proyectado
característica capacidad Año
1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012
característica mínima 200 140 120 100 70 50 35 tamaño (nm)
2 transistores lógica/cm 3.7M 6.2M 10M 18M 39M 84M 180M (empacado)
Costo/transistor @ 910 525 305 175 75 34 15 (volumen)
Número máximo microcents–6 6 7 7 7 7 8 8 9––9 del cableado eléctrico
(lógica) niveles de densidad de defectos 1.940 1.710 1.510 1.355 1.120 940 775
2 (d/m ) 60%
Mínimo recuento de máscara 22 22/24 23 24 24/26 28 26/28
2 chip ASIC Tamaño (mm) 480 800 850 900 1.000 1.100 1.300
tensión de alimentación 1.8–2.5 1.5–1.8 1.2–1.5 1.2–1.5
0.9–1.2 0.6–0.9 0.5–0.6 (lógica)
Número de fichas I/Os 800 975 1.195 1.460 1.970 2.655 3.585 (costo-rendimiento)
rendimiento (MHz) 250 480 785 885 1.035 1.285 1.540 (chip-board)

314 Comprensión sensores inteligentes


de un 98%, pasando de 910 a 15 microcents por transistor para el tercer año de
producción MPU. El número de transistores lógica aumentará en más de 48 veces, de
3,7 millones a 180 millones. Lamentablemente, no hay pre- dictions directo sobre el
micromaquinado tecnología o sensores. Sin embargo, la parte que hace que cualquier
sensor smart—the Engine—is computacional aumenta a una tasa nomenal phe-.
En algún momento en el futuro, el superordenador que realiza cálculos de
laboratorio today's será un ordenador portátil con un rendimiento similar.
La tecnología de detección desempeñará un papel importante en el desarrollo de la
próxima generación de la tecnología de semiconductores. Sandia National Laboratory
ha desarrollado un chip de silicio con hasta 250 para supervisar los microsensores
mecánicos, químicos y entornos térmicos de circuitos integrados [4]. El chip puede
ser utilizado durante la creación de prototipos, fabricación, o en cualquier
momento durante la vida del chip para supervisar los parámetros críticos que
podrían afectar a su rendimiento. La prueba de conjunto con su chip de poliimida de
a bordo y Al2O3, sensores de humedad- zoelectric tarta medidores de tensión,
descargas electrostáticas y corrosión detectores, detectores de iones móviles,
termopares y promete desempeñar un importante papel en desarro- llando la
tecnología de semiconductores.
La escala de semiconductores en el futuro requerirá de medición y monitoreo de
técnicas que van más allá de la capacidad today's, especialmente si se van a
utilizar en el día a día para supervisar los procesos de producción y medir qual-
lidad de control. El uso de sensores de contaminación para la medición y el
monitoreo de las partículas y la humedad es entre las recomendaciones de la SIA
road- mapa [5]. Los candidatos para incluir sensores de bajo costo tales como
sensores de análisis de gases análisis de gases residuales, espectroscopia de
emisión óptica y láser- troscopy intracavity spec. La integración de estos sensores
en equipamiento online fue recomendado. Metal y total de carbono oxidable
mediciones de contaminación en líquidos se consideraron también esenciales. En el
informe se menciona con frecuencia la necesidad de monitorear la contaminación
durante el procesamiento de obleas como clave para la consecución de manufacturas-
turable producto como las dimensiones críticas se encogen. Sin duda, los sensores
que permiten a los fabricantes de semiconductores para alcanzar la capacidad
previsto serán perseguidos y ejecutados como están disponibles. La Sematech (un
consorcio de fabricantes de semiconductores) proyecto para desarrollar normas
interoperables de sensor y actuador industry's confirma el deseo de comunicar la
infor- mación de los sensores en un sistema inteligente o smart manera utilizando
un pro- tocol común [6].
In-situ de sensores inteligentes para metrología oblea tienen un alto potencial de
rentabilidad de la industria de los semiconductores. Según un tecnólogo, medida
directa- mente la oblea de estado, tales como el espesor de la película y el cine
durante el proceso de composición, puede guardar la configuración de calibración,
mantenimiento y tiempo de prueba [7].

La siguiente fase de detección de 315 sistemas de


comunicación entre los sensores y las herramientas es esencial, una zona en la que
el IEEE 1451 normas deberían ayudar.
14.3 Requisitos del sistema en el futuro
la capacidad sin precedentes de que la tecnología de semiconductores proporcionará
plantea otras cuestiones. Cuánto la tecnología que realmente necesitamos? ¿Quién va
a aplicar esa tecnología de sensores inteligentes? Las respuestas a esas preguntas
y varios otros que podrían ser preguntado proceden de ejemplos que están presentes
hoy.
La amplia utilización de sensores de presión absoluta del colector en el vehículo
emis- sion control systems es el resultado de dos factores: (1) la legislación del
gobierno forzaron un cambio en la manera en que los motores de automoción fueron
controlados, y (2) los sensores basados en semiconductores resultó ser más rentable
y más fiable que la de las versiones mecánicas que fueron originalmente utilizadas
para definir el control Sys- tem. La legislación y la demanda de los clientes
impulsaron el desarrollo de la tecnología.
En las mediciones de presión sanguínea invasiva desechable, sensores basados en
semiconductores inicialmente resultó ser menor costo resterilizing y recalibrar
periódicamente costosas unidades mecánicas. Como la sustitución de unidades
mecánicas avanzaba a un ritmo previsto, la amenaza del virus de inmunodeficiencia
humana (VIH) se aceleró el proceso de conversión. La eficacia en función de los
costos y la demanda de los consumidores llevó a esta segunda aplicación del sensor.
Más recientemente, la legislación del gobierno encomendó sistemas de sujeción
pasiva para los conductores de vehículos de pasajeros. Las opciones eran
manufacturers' cinturones automáticos o sistemas de airbag. Los Clientes aceptan
rápidamente el sistema de airbag después de numerosos informes de usuarios
caminando por accidentes que anteriormente hubieran sido clasificados como
accidentes mortales. Como resultado, la aplicación a la que se opone a los
fabricantes de vehículos en los años setenta se convirtió rápidamente en una de las
funciones de venta en la década de los noventa. Los compradores perciben un sistema
de airbag, en relación con el costo de un vehículo, como una razón para comprar un
vehículo a otro o, en algunos casos, la justificación para comprar un vehículo
nuevo- porque su viejo vehículo simplemente no era tan seguro.
Los sensores de choque mecánico utilizado inicialmente en estos sistemas no tienen
una función de autocomprobación y calibración necesaria para cada estilo de la
carrocería del vehículo.
Basado en semiconductores acelerómetros han permitido que el número de sensores de
choque que se redujo de cinco a sólo uno o dos, dependiendo del sys- tem's
requisitos de redundancia. Además, el sistema se puede ajustar para satisfacer los
requisitos de un estilo concreto del vehículo después de que el sensor se encuentra
en el módulo de programación de la EEPROM en el microcontrolador. Varias técnicas
han sido desarrolladas por los fabricantes del sensor que permiten el acelerómetro
que se acti- vated para autodiagnóstico cada vez que se arranca el vehículo. La
capacidad de realizar la

comprensión 316 sensores inteligentes


auto-test y verifique que este insumo crítico para el sistema es capaz de realizar
su función diseñada en cualquier momento durante la vida útil del vehículo es un
consuelo para el conductor y el acompañante del asiento delantero en los vehículos
equipados con estos sistemas. Después de varias muertes fueron atribuidas a
sistemas de airbag que no dis- criminate el tamaño o la posición del conductor o
del pasajero, se han añadido más sensores, creando lo que se ha denominado smart
sistemas de airbag. Una vez más, la legislación y las demandas de los clientes han
impulsado el desarrollo del sensor semiconductor y aceptación.
La pregunta obvia es ¿dónde están las próximas oportunidades de semi- conductor
sensores basados para satisfacer un requisito legislado y/o la demanda de los
clientes. La respuesta se revela, en parte, por la tecnología que ya está siendo
desarrollado: el seguimiento del dinero. Proporcionar seguridad adicional o la
seguridad y reduce el consumo de energía y las emisiones están detrás de muchas de
las aplicaciones potenciales en today's los laboratorios R&D del sensor.
National labora- conservadores en los Estados Unidos y universidades apoyadas por
los fondos corporativos son la base de muchos de los acontecimientos citados en
este libro. El interés del gobierno en la comercialización de I+D está
proporcionando a los fabricantes y a las universidades la oportunidad de trabajar
con laboratorios nacionales y tomar el próximo paso con apagado- estableciendo
fondos del gobierno.
Otras áreas que crecen rápidamente son productos portátiles de mano.
Today's sociedad altamente móvil utiliza la tecnología en una variedad de equipos
portátiles de solici- tudes. Almacenamiento de memoria podría beneficiarse de un
MEMS 1-basados en disco duro.
Encontrar el sensor inteligente de aplicaciones en productos portátiles podría
abrir nuevos mercados para esos productos.
Los requerimientos legales siempre proporcionan mercado garantizado y centrar los
esfuerzos de desarrollo de una aplicación específica. Se ha promulgado legislación
para emisiones fugitivas, detección de monóxido de carbono en los hogares,
remolques, vehículos y recrea- ción, y la reducción del consumo de energía en la
industria, la construcción y el hogar de las aplicaciones. Aplicaciones que abordar
el envejecimiento de la población de baby boomers con fondos discrecionales para
gastar en entretenimiento y la evitación de los efectos del envejecimiento de la
población (por ejemplo, pérdida de la audición) son candidatos potenciales para el
sensor de volumen de uso. La pregunta que debe responderse ahora se pueden estos
semicon- ductor sensores proporcionan rentable, funcionalidad de valor añadido al
sistema.
Que pueden ocurrir en una aplicación en la que se reemplaza el sensor una
tecnología anterior y permite más usuarios a tomar ventaja de un sistema existente
basado en la reducción de costos. Otra posibilidad es un nuevo sistema que puede
ser diseñado sobre la base de la capacidad ofrecida por los sensores
semiconductores combinado con otras nuevas tecnologías. Nada que combina sensores
inteligentes con el Inter- net obviamente es atractivo. Los ejemplos en la sección
14.4, demuestran que la investigación podría ser la próxima tecnología de
activación de los sensores.

La siguiente fase de sistemas de detección de 317


14.4 Not-So-sistemas futuristas
muchos de los sensores que se producirán en el futuro no será sorpresa indus-
intente watchers porque los investigadores han demostrado que en las primeras
etapas del desarrollo de la tecnología. Cuadro 9.1 figuran tecnología MEMS que
también podría producir productos manufacturable en algún momento en el futuro. Los
ejemplos de esta sección incluyen una herramienta de laboratorio que pueden ayudar
a los investigadores, así como las tecnologías que pueden ser utilizados
directamente por un gran número de consumidores. El seguimiento es una lista de
algunas de las más intrigantes de sensores que se encuentran en desarrollo:
• "nariz-en-un-chip";
• sistema de análisis de gases;
• Cámara-en-un-chip;
• Microscopio de Fuerza Atómica;
• audífonos monolítico;
• espectrómetro de masas;
• sensor de dinámica del vehículo;
• Viscosímetro-en-un-chip;
• Química laboratorio en un chip;
• analizador de ADN en un chip;
• Verificación de la identificación en un chip.
14.4.1 Interferómetro de Fabry-Perot
(interferómetros Fabry-Perot FPIs) se utilizan en el laboratorio para ópticamente
AMUMA- ura longitudes o cambios en longitud con un alto grado de precisión. Una
versión de micromecanizado consiste de dos obleas de silicio con depositado
dieléctrico altamente reflectantes, espejos, como se muestra en la figura 14.1 [8].
Esto es ya una segunda generación de una versión anterior de desarrollo. Un FPI
incorpora un número crítico de micromecanizado de semiconductores y elementos de
procesos, incluyendo la separación controlada, muebles mesa de silicio, el silicio
soporte ondulado pegado de fusión, culminando la oblea, control de electrodos, y el
recubrimiento óptico. Minia- tura FPIs tienen aplicaciones en sistemas de telefonía
para vincular a un gran número de clientes a una central de intercambio. Además,
una pequeña brecha FPI puede haber solici- tudes de sensores para medir pequeños
desplazamientos y proporcionar la retroalimentación ele- mento en un bucle de
servo. Dos de gama ultravioleta-visible de interferómetros en serie se espera para
dar ancho de banda angosta selectividad para su uso como un espectrómetro [9].

318 Entendimiento sensores inteligentes


tapa original de obleas de electrodos de Control de
fusión de la capa de revestimiento óptico pegado
pegado Gap pads Movable silicio apoyo masivo Antireflective recubrimiento ondulado
Figura 14.1 interferómetro de Fabry-Perot. (Después de: [8].)
14.4.2 HVAC Chip Sensor de
mejora de la eficiencia energética y la gestión energética son importantes fuerzas
impulsoras para nuevos productos. El consumo de energía es alcanzado directamente
mediante la mejora de la eficiencia de energía y técnicas de control de
dispositivos, tales como PWM. Las técnicas de control de frecuencia variable
permiten-motores de accionamiento para ser implementado en la automatización de
edificios. Los edificios en los Estados Unidos representan el 35–nation's el
40% del consumo de energía.
Todos los dispositivos MEMS para un sistema HVAC, eventualmente, pueden ser
integrados en un solo dispositivo, como el que se muestra en la figura 14.2 [10].
Además de los sensores, acondicionamiento de señal para amplificar la señal,
calibración de offset y salida a escala completa, y compensar los efectos de la
temperatura podría ser incluido en este dispositivo. Porque es más que probable que
utilice la tecnología CMOS para el proceso semiconduc- tor, a bordo de una ADC
también podrían integrarse. Otro sistema capabili- vínculos podrían incluir lógica
difusa y redes neuronales de la interpretación de las señales de entrada. Esto es
especialmente cierto si una matriz de sensores químicos se utiliza para indicar una
gran variedad de especies químicas y superar muchos de los problemas de disponer de
productos de detección química. Actualmente, los sensores no están altamente
integrados y se especifican según las necesidades. Esto es debido a que el coste
adicional que agregue a la instalación inicial del sistema y su incapacidad para
funcionar sin requerir mayor mantenimiento que otras partes del sistema.
La siguiente fase de sistemas de detección de
carga de temperatura acelerómetro CO 319
HC control barométrica P
SIN
SEÑAL BAJA ∆P
Misc. acondicionado gas Lonworks neuron chip ADC Ruido control de
detección de la red de
control de carga
Figura 14.2 un concepto del sensor altamente integrado para el control automatizado
de edificios.
Un ejemplo de cómo el micromaquinado es extender los tipos de medida- ciones y
mejorar el rendimiento en comparación a los anteriores enfoques basados en MEMS es
un sensor químico. Para estos dispositivos, una delgada película de óxido metálico
de la tecnología se combina con un microheater incrustado en una fina membrana de
silicio micromecanizado. La pequeña área de muestra de un sensor micromecanizado
pueden más fácilmente ser elevados a la temperatura de funcionamiento superior
necesario para detectar la presencia y el valor real de productos químicos
específicos. El polisilicio Resistencias del sensor químico operan a temperaturas
que pueden alcanzar los 450 °C. La capacidad de cambiar la temperatura en un corto
periodo de tiempo se utiliza para minimizar los efectos de la humedad y también
para reducir el consumo de energía [11]. Sensibilidad de 10:1 a 100:1 para un
determinado gas y un tiempo de respuesta de 2 minutos o menos son comunes para
estos dispositivos. Estos productos están destinados a la industria y al consumo
solici- tudes, pero continuo desarrollo debería proporcionar unidades para
automoción y otros extremadamente sensibles al costo de las aplicaciones en el
futuro.
14.4.3 Speech Recognition y
combinaciones de tecnologías Micromicrophones proporcionará productos futuros. Una
posibilidad es la combinación de algoritmos de reconocimiento de voz, capa de
computación complejos- bilidad, micromecanizado y micrófonos. Las redes neuronales
son inves- gated para sensores inteligentes en altavoz independiente de los
sistemas de reconocimiento de voz [12]. Dicha investigación se ha traducido en un
chip de preprocesamiento acústica que descarga el

entendimiento 320 sensores inteligentes


los requerimientos computacionales del equipo host, permitiendo un ciclo más lento
y más rentable de equipo para realizar el reconocimiento de voz. Esa porción del
sistema, combinado con un micrófono de micromecanizado como los desarrollados por
la Universidad de California, Berkeley, podría proporcionar el reconocimiento de
voz portátil y, posiblemente, la capacidad de traducción de idiomas [13]. Por
supuesto, ambas partes de estos sistemas requieren todavía un considerable esfuerzo
de desarrollo para ser fabricados como elementos separados. Sin embargo, cuando
pueden ser fabricados, la combinación de dispositivos y los beneficios resultantes
serán evidentes para muchos diseñadores.
14.4.4 Mesocooler electrostática de
los EE.UU. La Agencia de Proyectos de investigación avanzada para la Defensa
(DARPA) es investigat- ción de lo que se denomina máquinas de mesoescala [14].
Máquinas de mesoescala straddle el tamaño oscila entre los MEMS y máquinas
convencionales. En algún momento, estos dispositivos pueden ser implementadas con
tecnología MEMS. Figura 14.3 ilus- trates el concepto de un mesocooler
electrostática en un chaleco refrigerado. Las ventajas del enfoque existente son:
• Un tercio del peso del sistema convencional;
• alto coeficiente de rendimiento;
• Q grandes debido a la gran superficie (canales en paralelo);
• Bajo consumo de energía (0.25–1W);
• buenas tasas de flujo;
• alto ratio de compresión (4 atm).
Canal de circuito flexible de mesoescala condensador junta los cables de control
del sensor de capas
superpuestas de
construcción expansión compresor de válvulas del controlador <3mm
Sonda Evaporador
Figura 14.3 mesocooler electroestática.

La siguiente fase de sistemas de detección de 321


tomando el siguiente paso utilizando MEMS puede ser una extensión lógica de esta
tecnología.
14.4.5 Los sensores de tasa Microangular
rentable pequeños sensores de velocidad angular están siendo desarrollados para
vehículo stabil- lidad, el control de crucero adaptativo, y sistemas de navegación
del vehículo. Un enfoque utiliza un molde para chapado de una estructura metálica
para la detección de velocidad angular [15]. Como se muestra en la figura 14.4(a),
la superficie inicial del sensor micromecanizado utiliza una estructura de anillo.
El centro se mantiene en su lugar con cuatro brazos de soporte de resorte conectado
a cuatro puestos de monte- ing. El sensor mide la rotación alrededor de los ejes X
e Y. La más reciente anillo-peine combinación aumenta la señal y mejora la tempera-
tura de rendimiento. El acondicionamiento de señal se realiza por circuitos CMOS
que puede ser integrado en el mismo chip que el sensor de velocidad angular. Este
combi- nación de micromaquinado y microelectrónica permite al sensor de velocidad
angular para ser incorporado en un sistema de control del vehículo para su uso por
los consumidores. Este sensor también estarán conectados a un bus de comunicación
del vehículo para su uso en otros sistemas.
Como con otros MEMS CMOS, la posibilidad de integrar los circuitos monolithically
con la estructura debería ser posible y eficaz en función de los costos en el
futuro.
14.4.6 MCU con Sensor de presión integrado
un microcontrolador monolítico con un sensor de presión de micromecanizado ha
demostrado [16]. La figura 14.5 muestra los elementos clave del diseño. La MCU-
combinación del sensor se basa en una arquitectura MCU ampliamente disponible, con
un grueso integral-sensor micromecanizado. Inventar el chip es sólo un aspecto de
tomarlo desde el concepto a la realidad. Pruebas y empaquetado de los desafíos
descritos en el capítulo 10 también deben ser tratados [17]. En la actualidad, un
sensor y MCU empaquetados en un nivel de módulo ofrece una solución más rentable.
Sin embargo, una aplicación específica pueden requerir el ahorro de espacio o de
rendimiento ventajas que la solución monolítica puede proporcionar. En ese punto,
el sensor de nivel V se muestra en la Figura 1.7, el sistema de detección
completamente integrado, se convertirá en una realidad.
Un ejemplo de aplicación de este podría ser un sensor de airbag laterales [18]. Un
sensor de presión en el interior del panel de la puerta de un coche puede ser
utilizado para detectar el cambio de presión cuando el panel crumples bajo un
impacto. La capacidad de programar el microcontrolador chip permitirá al fabricante
de automóviles para incrustar el algoritmo de control dentro del chip. Para
completar un sistema entero, sólo un mecanismo para accionar el airbag debe
añadirse. Ese
entendimiento 322 Activación de sensores inteligentes
(a)
(b)
Figura 14.4 Micromecanizado de anillo (A) y (b) del sensor de velocidad angular.
(Cortesía de Delphi Delco Sistemas Electrónicos.)

La siguiente fase de sistemas de detección de


diafragma micromecanizado a granel 323
Figura 14.5 Microfotografía de microcontrolador con un sensor de presión integrado.
(Cour- tesy de Motorola, Inc.)
capacidad podría ser otro paso en la continua integración de silicio y sistemas
electrónicos/electromecánicos.
El vehículo de prueba de concepto fue construido utilizando un sensor de presión de
100 kPa integrados en un estándar de 8-bit 68HC05 MCU core junto con los asociados
de circuitos analógicos [18]. La figura 14.6 muestra el diagrama de bloques,
incluyendo un núcleo MCU de 8 bits (68HC05) con 2K bytes EPROM, 128 bytes de RAM,
ROM de arranque y un SPI. Circuitos analógicos para acondicionamiento de señal, una
tensión y cur- alquiler regulador y un ADC de 10 bits y 8 bits DAC fueron añadidos
al núcleo básico.
Un sensor de temperatura también incorporó el diseño a los fines de la
indemnización.
14.4.7 de la teledetección en la red inalámbrica
tecnología RF del vehículo puede añadir otra dimensión a los sensores inteligentes.
Un vehículo que ofrece algunas posibilidades interesantes. Es posible contemplar
pequeñas estructuras micromecanizado RF integrados con una interfaz de salida o de
entrada de RF a través de un autobús a una unidad de control remoto de realizar su
función sin ningún medio visible para verificar su presencia, excepto la
funcionalidad añadida que proporcionan al host el vehículo. Esta técnica ya se
utiliza en el sistema de identificación electrónica de la etiqueta RFID (véase el
capítulo 8). Una posible aplicación del vehículo es una versión inalámbrica de una
"nariz electrónica" [18]. El dispositivo puede ser montado en un auto- motriz
existente como componente de la caja de luz de techo. La caja de luz de techo
proporciona una posición central en el coche para la función de la nariz, similar a
un hogar

324 Comprensión sensores inteligentes


- A/D REF B.G.Ref. voltaje +
- + - +
- 8 + control de resistencia HC05
8 8 OSC -
128 bytes de RAM
+ 8 Watch dog BOOT ROM
8 8 B.G.ref actual
-
A/D de 10 bits 2K bytes de memoria EPROM
+ 8 8 8-bit D/A SPI sensor de temperatura x4
Figura 14.6 Diagrama de bloque monolítico de MCU combinación de presión. El
humo/químico detector. En lugar de sonar una alarma audible, el sensor envía una
señal inalámbrica a un receptor remoto/interpretar el dispositivo en la vel.- cle.
La señal será recibida por un backbone de RF con un pro- tocol apropiado para
reconocer el sensor particular de otras señales de RF que puede transmitirse en el
vehículo.
La capacidad sensorial (inalámbrico) podría ampliarse a otros mecanismos de defensa
para detectar y reaccionar a otros acontecimientos indeseables o perjudiciales en
el vehículo. Por ejemplo, el conductor o pasajero podría llevar un sistema de
detección que transmite la driver's estado físico. Las personas con condiciones
potencialmente debilitante, como enfermedad cardiaca, epilepsia o diabetes, sería
el primer tie- obtiene por tales sistemas de detección, agregando al número total
de nodos de sensores RF en el vehículo.
14.4.8 Personal ID Sensor inteligente de
seguridad está conduciendo varios enfoques para automatizado de identificación
personal [19]. El acceso a la información digital y la capacidad de realizar
transacciones a través de

la próxima fase de sistemas de detección de 325


Internet están definiendo la necesidad y el valor de la detección de identificación
personal, o la biometría. Los usuarios potenciales de la biometría son bancos,
gobiernos, entidades de salud y negocios. Sensores que reconocen la voz, la cara,
las huellas dactilares, la mano, el ojo y el ADN están siendo investigados. El
reconocimiento de voz es una identificación de comportamiento; los otros cinco son
fisiológicos. La combinación de redes neuronales y tecnología de detección se está
llevando a cabo para resolver este requisito de detección inteligente y una
solución fiable de bajo coste será implementado para una serie de aplicaciones.
14.5 El Software, detección, y el sistema
CAD y capacidad de simulación es esencial tanto en la parte mecánica y eléctrica
del sensor. También se está convirtiendo en un elemento crítico en cualquier
sistema de diseño. Herramientas de diseño que implementan la metodología
mecatrónica están estandarizados, lo que producirá un nivel común de entendimiento.
Basado en el aumento de la capacidad que proporciona hardware de semiconductores,
una metodología más estructurada será la única manera de que los diseñadores podrán
atender a la capacidad de los semiconductores que estarán disponibles en el futuro.
El número de transistores, el aumento de posibilidades de E/S, y la dificultad
añadida de inherente en geometrías de alta densidad planteará dificultades a la
mayoría de experiencia- sufrido diseñador. Agregar a esa breve lista sólo un
elemento más, como la disminución de tensiones de alimentación, y es fácil ver que
los diseñadores de sistemas deben comenzar a lidiar con Sys- tem problemas en
etapas anteriores y superiores en el diseño.
Software para diseñadores del sensor es ya considerado como esencial. Modelado de
estructuras y materiales en el micromaquinado proceso ha sido el foco de las
universidades y una parte integral de los productos más recientes proporcionados
por el sen- sor de la industria [20, 21]. Esas actividades, junto con la
mecatrónica y el modelado de señal mixta que está ganando aceptación en el diseño
electrónico comu- nidad, proporcionará las herramientas fundamentales para la
detección inteligente.
14.5.1 CAD para MEMS
empresas dedicadas a proveer herramientas y servicios para resolver problemas de
MEMS today's han establecido y proporcionar un apoyo importante a los esfuerzos de
desarrollo de MEMS. Una empresa ha desarrollado un paquete integrado de diseño que
incluye diseño tridimensional, la modelización y la simulación de hardware [22].
Este software admite la electrostática, electromecánica, micro- fluidics,
termodinámica, piezoresistance thermomechanics, y acoplado. Este MEMS específicas
de automatización de diseño electrónico (EDA) herramienta que se integra con
modelado chanical elecrome-/VHDL y Verilog HDL-soporte para señal mezclada
326 Comprensión sensores inteligentes de
modelado. HDL-A es un lenguaje de modelado de alto nivel específico para MEMS. El
software admite tanto a granel y micromaquinado superficial y proporciona una etch-
ción y la sección transversal de verificación Visor.
Como ha señalado en el capítulo 10, el embalaje es uno de los principales desafíos
que enfrentan los fabricantes del sensor inteligente. La simulación tridimensional
del paquete por una herramienta MEMS permitirá a los diseñadores crear rápida y
fácilmente librar- ies de paquetes y los modelos de dispositivo que optimizar el
acoplamiento de características tales como efectos de temperatura-dependiente [23].
Por ejemplo, la dependencia de la temperatura de un paquete accelerometer's en el
dispositivo puede ser demostrada con MEMS disponibles paquetes de software. Las
herramientas que tienen tales capacidades deben acelerar la transición desde el
laboratorio hasta la producción y reducir el costo de la transición.
La futura promesa de sensores y actuadores MEMS DARPA ha llevado a invertir
aproximadamente 50 millones de dólares en el desarrollo de un programa de CAD
compuesto por herramientas de diseño [24]. Los dispositivos de destino incluyen
componentes ópticos tales como espejos diminutos, láseres de cavidad vertical y
microfluidic componentes para pruebas químicas o biológicas. DARPA reconoció que
poniendo la electrónica directamente en un chip MEMS es "en gran medida una
investigación topic" con unos pocos ejemplos de producción tales como
acelerómetros. Estaban interesados en la predicción de la correcta- vínculos
relacionados con el estrés en los materiales, así como la funcionalidad de los
circuitos electrónicos. La figura 14.7 muestra DARPA's concepto de varios pasos
implicados en la validación del diseño, la síntesis y la simulación de un
dispositivo MEMS [24]. El objetivo del esfuerzo de DARPA es permanecer en el bucle
exterior del proceso se muestra en la figura 14.7 para la mayoría del proceso de
diseño.
La necesidad de herramientas de software para las estructuras mecánicas,
electrónicas cir- cuitry, y características del sistema que permiten la interacción
de las características fundamentales del sistema para ser evaluados antes de
fabricación es reconocida y está avanzado para sensores inteligentes y sistemas
basados en MEMS en general. La combi- nación de caracterización basada en el
conocimiento del sistema y normas pro- porciona la fundación para lograr la
capacidad de fabricación de clase mundial para los sensores. Es la capacidad de
fabricación que tendrán los sensores del researchers' laboratorios en las vidas de
los consumidores.
14.6 puntos de vista alternativos de detección inteligente de
detección inteligente de la definición en el capítulo 1 es parte del estándar IEEE
1451. Sin embargo, como la tecnología ha evolucionado, se han ofrecido otras
definiciones que muestran una dif erentes- vista de detección inteligente
tecnología y ofrecer una perspectiva de lo que los investigadores piensan que hay
en el futuro para sensores inteligentes. Dos ejemplos son presentados aquí.

La siguiente fase de la
síntesis de diseño de sistemas de detección de 327
máscara y forma proceso síntesis síntesis planificación de planta
diseñado Fabricación Fabricación proceso de comportamiento usar máscara de función
realización física de
simulación de procesos de forma distribuida- extracción modelo aglutinado-
(extrusión) element
análisis de
validación de diseño
Figura 14.7 combinados electromecánicos y de señal mixta de modelado de IC.
(Después de: [22].)
Una vista previa de detección inteligente que propone un "sensor inteligente se
define como aquel que es capaz de: (i) proporcionar una salida digital; (ii) que se
comunican a través del bus digital bidireccional; (iii) al que se accede a través
de una dirección específica; y (iv) ejecutar comandos y lógico functions" [25]. El
sensor inteligente también tiene funciones convenientes, tales como la
indemnización de parame- tros secundaria (por ejemplo, temperatura), la falta de
prevención y detección, autodiagnóstico, autocali- bration y diversas operaciones
de cálculo intensivo. El énfasis en atributos de la informática en esta definición
requiere un microcontrolador como un mini- mum requisito para un sensor
inteligente.
Otra definición propuesta dijo que "un sensor inteligente consta de un transductor
combinado con otras y otros circuitos de acondicionamiento de señal para pro- duce
la información de salida de señales que han sido operados lógicamente para aumentar
el valor de la información para el system" [26]. Los aspectos indicados en esta
definición de acondicionamiento de señal y el aumento de valor de la información
son notables. El autor enumera las características del sensor que tienen varios
sensores de la más sencilla a la versión más inteligente, tal como se ilustra en la
Figura 14.8.
Es dudoso que sea autor de esas dos definiciones sería satis- zos con la definición
propuesta por la IEEE. Sin embargo, la clave para smart sens- ing estará en la
capacidad para satisfacer a los usuarios, quienes hacen las definiciones. Sensor

inteligente comprensión 328 sensores


químicos fuzzy logic adaptativas aprendidas de avería de la transmisión auto-
corrección de modulación/recuperación
inteligente de calibración Foto transistor sincrónico de calibración adaptable
controlada por menú tabla precalculada piezoeléctrico Multidrop bus de transmisión
de datos de la guía de funcionamiento de detección capacitiva transparente de
correlación digital dúplex autocomprobación Piezorresistiva Combinacionales
integración lógica de intensidad de la señal de transmisión de datos máxima de
efecto Hall contando con enclavamiento lógica indicación corta el circuito de
detección de protección lógica de distribución indicadores LED lineales y termistor
cortocircuito protección contra sobrecarga de filtrado de disparador Schmitt
potenciómetros umbralizaciï transitorios Interruptores de fijación simple otro
umbral de amplificación y configuración de límite de corriente de salida de datos
de la señal del transductor de mantenimiento acondicionado interfaz de transmisión
Figura 14.8 El sensor inteligente IQ relativa. (Después de: [26].)
Los fabricantes se aplicará el término sensor inteligente para un producto incluso
si no cumple con una definición de la industria. Pero los clientes seleccionar los
sensores que afectan directamente al rendimiento y el valor de un producto
determinará el verdaderamente sensores inteligentes. Es de esperar que este libro
de alguna manera ha proporcionado orientación a los fabricantes y usuarios de
sensores inteligentes para comprender su potencial en sistemas de con- trol.
14.7 El bucle inteligente de
sensores inteligentes requieren añadir inteligencia a la sonda. La manera más fácil
de agregar inteligencia es utilizando un microcontrolador para proporcionar
capacidad informática y comunicación digital. Finalmente, una combinación
monolítico de esas tecnologías se puede fabricar en masa. En contraste, los
sistemas inteligentes necesitan entender más sobre el sistema y el entorno. En
tiempo real, que el conocimiento debe ser acumuladas desde sensores que
proporcionar más información a la parte informática del sistema, como el sistema de
airbag inteligente men- cionado anteriormente en este capítulo. La figura 14.9
muestra el continuo que existe como futuro más inteligente de sensores y sensores
se agregan a los controladores. Microsystems necesitan sensores inteligentes. Los
sistemas, en general, se beneficiarán de los sensores inteligentes. Si empezamos en
cualquier punto en el continuo y añadir una cantidad creciente de inteligencia para
sensores o más entradas de sensores al controlador digital, el sistema mueve el
punto de funcionamiento desde un punto de vista a los demás. En cualquier caso, el
sistema y los usuarios del sistema se benefician.

La siguiente fase del

sistema sensor de 329 sistemas de detección


más sensores

Controlador Inteligente
figura 14.9 smart loop.
14.8 Resumen
sensores inteligentes significará más de la IEEE definición presentada en el
Capítulo 1.
Sin embargo, la tecnología no es inteligente si no es rentable. La pros- pect
emocionante de MEMS combinadas y la microelectrónica es un sensor que añade muy
poco costo en comparación con el costo de todos los demás electrónica necesaria
para hacer que el sensor funcione como se esperaba en el sistema final. El sensor
de nivel V, como se propone en el Capítulo 1, utilizará el procesamiento CMOS bien
definidas para toda la microelectrónica y un proceso de micromaquinado compatible
con CMOS para el sensor(s).
Como se señaló en el Capítulo 1, sensores semiconductores se originó como efectos
no deseados en los transistores. Como la industria mejora la capacidad de fabricar
sensores micromecanizado, especialmente los sensores de micromecanizado
superficial, el área del sensor con respecto al circuito que hace que la salida del
sensor útil e inteligente, se convierte en una parte más y más pequeños de la
superficie global. Procesamiento adicional para el sensor aumentará el costo total.
Visto desde la perspectiva de un fabricante de semiconductores, la proporción del
costo lion's es en todo excepto el sensor. Para todos los intentos, el captador es
"gratis". Los aumentos de los costos, a veces considerablemente, ya que las
especificaciones están definidas para un sensor específico. Rendimiento,
especialmente de precisión, resolución y repetibilidad y fiabilidad, afectan
directamente los esfuerzos de calificación, tiempo de prueba, y Yield—items
que tengan una incidencia directa e impacto significativo en el coste.
El costo se asocia más con el proceso inicial, diseño, embalaje y, por supuesto,
las pruebas del sistema de detección. El costo de la porción CMOS

Comprensión será de 330 sensores inteligentes


reducido como el roadmap industry's semiconductores para mejorar continuamente la
capacidad es avanzada. Alcanzar la especificación deseada será donde se convierte
en un factor de costo. Se utiliza un sensor en un moderado (temperatura ambiente)
ambiente con sólo 5% de precisión podría tener el mismo chip sensor interno como la
robusta aplicación automotriz que alcanza más de un 1% de precisión de -40°C a
125°C de temperatura ambiente. El costo de las pruebas, en chip de calibración,
embalaje y hará que el segundo más caro.
Lamentablemente, el mucho-demasiado-frecuentes smart prefijo se utiliza para
describir cualquier cosa que es una mejora sobre una versión anterior de una
tecnología, prod- uct, o servicio. Ejemplos de cosas inteligentes que incluyen
SmartTrading™ por OLDE,
® Smart Scrub™ de Dow, Smart Ones™ de Weight Watchers , Smart-
Tasa de SM ® de Discover Card, SM soluciones inteligentes desde el
1 Servicio Postal de Estados Unidos, e incluso inteligente, muy Smart™
productos de Magnavox. Smart es el tardío siglo xx, término que se utiliza en lugar
de "nuevo y mejorado" y hay buenas razones para esperar que el término lo llevará
hasta bien entrado el siglo XXI.
Proyectado y recientes avances en la tecnología de semiconductores y diseñar
instrumentos permitirán tomorrow's ingenieros para diseñar, simular y comprobar
algo tan complejo como un sistema completo de vehículos y probablemente a
"virtualmente" proto- escribir todo el vehículo. Para utilizar eficazmente las
herramientas, la metodología de diseño e incluso los conjuntos de habilidades
designers' debe modificarse para incluir la tecnología MEMS en el enfoque de
sistemas. Estándares, tales como IEEE 1451, desempeñará un papel fundamental en la
reducción de costes para los fabricantes del sensor, el ahorro que puede
transmitirse a los fabricantes de sistemas y, en última instancia, a los
consumidores.
Lograr un mayor rendimiento y funcionalidad a los costes que se pensaba eran
imposibles hará futuras sensores inteligentes posibles, limitados únicamente por la
imaginación.
Referencias
[1] Grace, R. H., "La comercialización de MEMS/MST: ¿Hacia dónde vamos desde aquí?"
Sensores, febrero de 1999, pp. 4–8.
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industria", http://www.techweb.com/se/directlink.cgi?EET19970804S0106
[3] El Plan Nacional de Tecnología de Semiconductores, necesidades tecnológicas,
Asociación de la industria de semiconductores, San Jose, CA, 1997.
1. Todas las marcas comerciales y marcas de servicio son propiedad de sus
respectivos propietarios.

La siguiente fase de sistemas de detección de 331


[4] Studt, T., "Sensores Inteligentes Ampliar vista sobre datos de medición",
R&D Magazine, marzo de 1994, pp. 18–20.
[5] Haystead, J., "Roadmap de SIA destaca el control de la contaminación",
Cleanrooms, Vol. 9, nº 2, Febrero de 1995, págs. 1, 10).
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actuadores inteligentes utilizadas en el equipo de fabricación de semiconductores,"
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[7] Tepermeister, I., "sensores inteligentes: El siguiente paso evolutivo en la
metrología," la tecnología de estado sólido, de marzo de 1997, págs. 167–168.
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Perot en miniatura con un diafragma de silicona ondulado", compendio de técnicas
IEEE Solid-State actuador y sensor de taller, Hilton Head Island, SC, 4 de
junio–7, 1990, págs. 140–144.
[9] El Raley, N. F., et al., "Un Microinterferometer Fabry-Perot para longitudes de
onda de la luz visible", Digest téc- nico de IEEE Solid-State actuador y sensor de
taller, Hilton Head Island, SC, el 22 de junio–25, 1992, pp. 170–173.
[10] Frank, R. y D. Walters, "Aplicaciones de MEMS en la gestión de la energía,"
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[12] Donham, C., et al., "una red neuronal basada Inteligente sensor acústico",
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[13] Ried, R. P. et al., "micrófono piezoeléctrico con Circuitos CMOS chip", J.
micro mecánica, Vol 2, n° 3, septiembre 1993, pp. 111–120.
[14]
[15] Zarabadi http://www.darpa.mil/dso/darpa40/future/90Fmesocool.html, S., et al.,
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de obleas, pegado" SAE 99011043, reimpreso de sensores y actuadores (SAE 1999 SP-
442), Congreso Internat'l, Detroit, el 1 de marzo 4, 1999–.
[16] Yoshii, Y., et al., "Software integrado de 1 chip CMOS Sensor de presión
calibrada con MCU, convertidor A/D y D/A Converter, Puerto de comunicación digital,
señal de estado- ing circuito y sensor de temperatura," Proc. Los transductores
'97, Chicago, 16 de junio, 1997 19–.
[17] Frank, R. y D. Zehrbach, "Probar el sistema en un chip", Proc. Sensores Expo,
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[18] Frank, R. "Embedded Micromachines puede eliminar Apéndices innecesarios",
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[19] Miller, B., "Signos Vitales de la identidad", IEEE Spectrum, febrero de 1994,
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[20] Zhang, Y., S. B. Crary, y K. D. Wise, "Sensor de presión Diseño y simulación
utilizando el módulo CAEMEMS-D", compendio de técnicas IEEE Solid-State actuador y
sensor de taller, Hilton Head Island, SC, 4 de junio–7, 1990, pp. 32–35.

332 Entendimiento sensores inteligentes


[21] Harris, R. M. F. Maseeh y S. D. Senturia, "Generación automática de un modelo
3-D de una estructura Microfabricated", compendio de técnicas IEEE Solid-State
Sensor y actuador del taller, Hilton Head Island, SC, 4 de junio–7, 1990,
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[22] Travis, B., "los sensores MEMS y mecánica Gadgets entrar en la corriente
principal", EDN, Mayo 21, 1998, pp. 77–87.
[23] Gilbert, J. R., y S. F. Bart, "Permitir el diseño y el uso de los sensores
MEMS", sensores, de abril de 1998, págs. 34–37.
[24] Goering, R., "Semillas del Programa Darpa Mixed-Technology
http://www.eet.com/news/97/938news/seeds.html, CAD", 20 de enero de 1997.
[25] Najafi, K., "Sensor inteligente", J. La micromecánica y Microengineering,
junio de 1991, pp.
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[26] Juds, S. M., "Hacia una definición de sensores inteligentes, sensores", de
julio de 1991, pp. 2–3.

Lista de abreviaturas y acrónimos


3C-SiC epitaxial de carburo de silicio A/D analógico a digital A/F relación aire-
combustible un bus de sistema de Interfaz Universal Bit-Serial Automoción ACK
acusar ADC conversor A/D
ADPCM Adaptive Differential Pulse Code Modulation
anuncios controlador automático sensor AFM microscopio de fuerza atómica AHDL
Lenguaje de descripción de hardware analógico
al aluminio ALU Unidad aritmética lógica; la unidad de un sistema de computación
conteniendo circuitos que realizan las operaciones aritméticas y lógicas
AMRA Asociación de lectura automática de contador ANSI American National Standards
Institute API Interfaz de programación de aplicaciones
333
334 Descripción sensores inteligentes
APK amplitud de incrustación de fase; una técnica de modulación para la transmisión
de la señal de RF
APTS avanzado sistema de transporte público
ARCNet™ Red inform tica de recursos conectada
ARTS avanzado sistema de transporte rural
ASHRAE Sociedad Americana de calefacción, refrigeración y aire acondicionado
Ingenieros
ASIC, circuito integrado específico de la aplicación; un IC diseñado para un
requerimiento personalizado, frecuentemente un gate array o programa- mable
dispositivo lógico
pedir claves de cambio de amplitud; una técnica de modulación para la transmisión
de RF sig- nal
ASME Sociedad Americana de Ingenieros mecánicos ASR, Automatic Speech Recognition
ASTM American Society for Testing and Materials ATIS avanzado sistema de
información al viajero cajeros automáticos del sistema de gestión de tráfico
avanzada automatización ATPG programa test/generador de patrones AVCS avanzado
sistema de control del vehículo de onda acústica a granel BAW BER una tasa de error
de bits BGA ball grid array
BiCMOS combinación de bipolar y CMOS
incorporado BIST self-test; técnica de diseño que permite un chip para ser probados
para garantizar un buen nivel de funcionalidad
BPSG boro-fosfo-silicato vaso C4 controla la conexión del chip colapso; soldadura
protuberancias en IC para la conexión del circuito
Diseño asistido por ordenador CAD

Lista de abreviaturas y acrónimos 335


CAIBE químicamente asistida Ion Beam aguafuerte puede Controller Area Network la
Junta de Recursos del Aire de California CARB CCD Dispositivo de carga acoplada
CCITT Comité Consultivo Internacional de Teléfonos y Telégrafos
CDMA Acceso múltiple por división de códigos; método de espectro de difusión
permite a múltiples usuarios compartir las frecuencias de radio spec- trum
asignando a cada usuario activo un código individual
CDPD datos de paquetes digitales celulares; red de datos de área extensa que se
aprovecha de las AMPS (EE.UU.) la red celular mediante la transmisión de paquetes
de datos sobre canales de voz no utilizados.
Los datos se transmiten mediante RS (63, 47) a una tasa efectiva de 14 kbit.
CEBus Consumer electronics bus
CISC complejo cerámico CERDIP DIP Instruction Set Computer; enfoque informático
estándar en comparación con arquitectura RISC
CMOS complementary metal oxide semiconductor de
CMR o de rechazo de modo común (CMRR ratio); la relación de la tensión de entrada
de modo común para el voltaje de salida expresado comúnmente en dBV, es decir, el
grado en que un amplificador diferencial rechaza una salida cuando la misma señal
se aplica a ambas entradas
CO Monóxido de carbono COB chip integrado; técnica de embalaje de semiconductores
mueren en módulos multichip
codec de codificación/descodificación; traduce las señales digitales de audio y de
vuelta a señales de audio digital, normalmente con un A/D y D/A converter
COP chip funciona correctamente
336 Comprensión sensores inteligentes
CPU Unidad de procesamiento central; la parte del Equipo que incluye los circuitos
que controlan la interpretación y ejecución de instrucciones
CRC comprobación de redundancia cíclica, un código de detección de errores en el
que el código se define como el resto resultante de dividir los bits a revisarse en
el marco de un número binario predeter- minado
CSIC especificadas por el cliente del circuito integrado CSMA Carrier Sense
Multiple Access
CSMA/CD Carrier Sense Multiple Access with Collision Detection; acceso a la técnica
utilizada en el protocolo Ethernet
CSMA/CR Carrier Sense Multiple Access/Collision resolución
CVO FUNCIONAMIENTO VEHÍCULO COMERCIAL DA LA ADQUISICIÓN DE DATOS DAC convertidor
digital a analógico de la DARPA Defense Advanced Research Projects Agency; Agencia
de los EE.UU. invierten en investigación MEMS, así como otras tecnologías avanzadas
de
sistemas de control distribuido DCS DFT diseño para comprobabilidad; metodología
que tiene requerimientos de prueba en Cuenta temprano en el proceso de diseño
DIN Deutsches Norma Industrial, un conjunto de técnicas o científicas y estándares
dimensionales desarrollado por una organización alemana
en línea doble DIP DLC plástico Enlace de datos Controlador difuso DMOS
Dispositivos MOS DPSK incrustación de cambio de fase diferencial; técnica de
modulación para la transmisión en la que la frecuencia permanece constante, pero
los cambios de fase de 90 grados, 180 grados y 270 grados para definir la
información digital

Lista de abreviaturas y acrónimos 337


DQSK cuadratura diferencial de incrustación de cambio DRAM (dynamic random access
memory, memoria de acceso aleatorio
DSI interfaz de sistemas distribuidos de procesamiento de señal digital DSP; un
proceso por el cual una corriente de datos digitalizados y muestreados se modifica
para extraer la información pertinente; asimismo, un procesador de señal digital
DTS digital servicio de terminación DUT dispositivo bajo prueba Msf oblea directa
E-beam pegado con haz de electrones electrocardiograma ECG EDA EDP de
automatización de diseño electrónico etileno diamina etchant pyrocatechol; una para
el micromaquinado granel
eléctricamente EEPROM erasable programmable read only memory; un semiconductor
técnica utilizada para el almacenamiento permanente que puede reprogramarse en el
sistema de
fabricación electroquímica EFAB; un proceso que se basa en el micromaquinado la
galvanoplastia de metal y una máscara de in-situ patterning técnica
EIA Electronic Industries Association de compatibilidad electromagnética EMC EMI
interferencia electromagnética; véase RFI EOB eléctrica basada en oscilador
EPROM erasable programmable read only memory; un semiconduc- tor técnica utilizada
para el almacenamiento permanente, pero se puede borrar por la luz ultravioleta
descarga electrostática ESD; normalmente una descarga eléctrica de alto voltaje y
baja corriente de
sistemas de automatización de diseño electrónico ESDA
338 Comprensión sensores inteligentes
ETSI Instituto Europeo de Normas de Telecomunicaciones EVM módulo de evaluación de
la Comisión Federal de Comunicaciones FCC FDMA, acceso múltiple por división de
frecuencias; el método en el que cada usuario activo en el sistema de usuarios
múltiples se asigna un canal de frecuencia individual
FEA Análisis de elemento finito; simulación mecánica del estrés alimentados con
emisión de campo mostrar
FeRAM/FRAM ferroeléctrico, memoria de acceso aleatorio de
transistor de efecto de campo FET FFT transformada rápida de Fourier; algoritmo
para reducir el número de cálculos para extraer la información de la frecuencia de
una señal
FIB centrado haz de iones micromaquinado FIR proceso de respuesta de impulso
finito; filtro cuya salida está determinada por sus coeficientes y entradas
anteriores. Se caracteriza por una respuesta de fase lineal.
Uif unidad de inferencia difuso; modulación de frecuencia FM onda portadora
modulada con fre- cuencia en proporción a la variación de la amplitud de la señal
moduladora
FMEA en modo de fallo y análisis de efectos de campo FPAA programables FPGA de
matriz analógica-field programmable gate array; un IC que se pueden pro- grammed
después está montado en un circuito
FPI interferómetro de Fabry-Perot FSK incrustación de desplazamiento de frecuencia;
un método de modulación de frecuencia en la que la onda moduladora desplaza la
frecuencia de salida entre valores predeterminados, y la ola de salida no tiene
ninguna discontinuidad de fase

Lista de abreviaturas y acrónimos 339


GaAs arseniuro de galio, un semiconductor compuesto material que tiene mayor
velocidad y mayor temperatura de funcionamiento capa- bilidad de silicio
nitruro de galio GaN GF factor de medición
mínimo gaussiana GMSK incrustación de cambio; una técnica de modulación para La
transmisión de la señal de RF
del sistema de posicionamiento global GPS HART autopista transductor remoto
direccionable HC hidrocarburos
HCMOS CMOS de alta densidad
HDL Lenguaje de descripción de hardware HDL-un lenguaje de descripción de hardware
HDLC analógico control de enlace de datos de alto nivel
ácido fluorhídrico HF VIH virus de inmunodeficiencia humana HLL lenguaje de alto
nivel; un lenguaje de programación que utiliza la macro declaraciones e
instrucciones que se asemeja al lenguaje humano o notación matemática para
describir el problema a resolver o el procedimiento que debe emplearse
HMM modelos ocultos de Markov de HVAC de lenguaje de marcado de hipertexto HTML de
calefacción, ventilación y aire acondicionado
E/S (entrada/salida de un semiconductor o I2C del circuito inter-IC I2L-integrado
inyectado logic IC (circuito integrado; un semiconductor que tiene varias hun- dred
o más transistores diseñados en
su

entendimiento del BID databus 340 sensores inteligentes


IEEE Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos
IGEFET interdigitated electrodo de compuerta del transistor de efecto campo
IIR Respuesta infinita al impulso; filtro cuya salida está deter- minada por sus
coeficientes, salida de corriente, y entradas anteriores. Se caracteriza por una
respuesta de fase lineal.
MEMS inteligente IMEMS
InP fosfuro de indio IP Protocolo de Internet IPS sensor de presión integrado de
infrarrojos IR IRQ (petición de interrupción) no
2 está integrado con sensor inteligente instrumento ISA Society of America ISM
industrial, científica y médica de bandas de frecuencia que le fueron asignados por
la FCC para impulsar el desarrollo rápido de aplicaciones de RF en un mercado
abierto de Virtual Fashion. Licens- ing es automático.
La Organización Internacional para la normalización ISO ISPF Sistemas
Interoperables Proyecto Fundación su sistema inteligente de transporte IVHS
vehículo inteligente sistema de autopistas; ahora su JEDEC Joint Electron Devices
Engineering Consejo
Conjunto JIS estándares industriales. También las Normas Industriales Japonesas
Comité ( JISC) del
Laboratorio de Propulsión a Chorro JPL KGD conocido bueno morir; morir probados
especialmente hidróxido de potasio KOH LAN red de área local con pantalla de
cristal líquido LCD

Lista de abreviaturas y acrónimos 341


LDMOS MOS difusa lateral
LED light emitting diodes LGA Land grid array Li/TiS2 Litio suphur titanio láser
lidar radar infrarrojo LIGA proceso desarrollado por el Instituto Fraunhofer en
Munich que combina la litografía de rayos X, electroformación, y moldeo para
obtener alta relación de aspecto es- tructuras micromecanizado. LIGA se deriva de
los términos para el alemán-, raphy lithog electroformación, y moldeo.
Amplificador de bajo ruido LNA los line of sight
LPCVD baja presión de deposición de vapor químico
LSB bit menos significativo LWIM integrados inalámbricos de baja potencia
microsensor MAC media access control hombre Manchester MCAN Motorola puede MCM
módulo multichip; la interconexión de dos o más chips semiconductores en un paquete
de tipo semiconductor
MCNC Centro de Microelectrónica de Carolina del Norte MCU microcontrol unidad o
unidad de microcontrolador; un semiconduc- tor que tiene un oscilador de CPU,
memoria y capacidad de E/S en el mismo chip que está programado para realizar un
número limitado de funciones
MDLC Motorola's controlador de enlace de datos de sistemas microelectromecánicos
MEMS MESFET transistor de efecto de campo de semiconductor de metal; un dispositivo
semiconductor de alta frecuencia producidas en GaAs semi- conductor

342 tecnología comprensión sensores inteligentes


MFM modulación de frecuencia modificada MIOS1 subsistema de entrada/salida modular
MIPs millones de instrucciones por segundo; una medición del rendimiento del
microprocesador
MJTC multijunction convertidores térmicos MMIC circuitos integrados de microondas
monolíticos; un circuito integrado de alta frecuencia
módem modulador-demodulador; unidad que modula y demodula la información digital
desde una terminal o computadora port a una señal portadora analógica para el
pasaje a través de una línea analógica
MOMS sistema microoptomechanical MOPS millones de operaciones por segundo MOS
semiconductor de óxido de metal
Self-Aligned MOSAIC™ Motorola ic de óxido metálico semiconductor MOSFET
transistor de efecto de campo de óxido metálico semiconductor MOSIS Aplicación
sistema MPS Michigan estándar paralelo microprocesador MPU unidad; una unidad
central de procesamiento en un solo chip, normalmente sin I/O de almacenamiento de
memoria principal o
señor magnetorresistivo RMN resonancia magnética MST tecnología de microsistemas;
la formación de estructuras utilizando el micromaquinado
PAPERAS MEMS multiusuario Proceso
MUX; la combinación de varios mensajes para la trans- misión a lo largo de la misma
ruta de señal
N2H4 de hidracina
nicho NAN area network

Lista de abreviaturas y acrónimos 343


hidróxido de sodio NaOH NASCAR National Association of Stock Car Auto Racing NCAP
capaz procesador de aplicaciones de red; un dispositivo que justifica una interfaz
de red, la funcionalidad de la aplicación, y en general el acceso al mundo físico a
través de uno o más trans- ducers tal como se define en la especificación IEEE 1451
estándar de
níquel-cadmio NiCd NIST Instituto Nacional de Estándares y Tecnología en
Gaithersburg, MD; anteriormente, la Oficina Nacional de Normalización
NMOS de canal n semiconductor de óxido de metal NODS cerca de sistemas de detección
de obstáculo a
los óxidos de nitrógeno NOX NRZ sin retorno a cero; un formato de datos en el que
el valor de tensión o corriente (Normalmente de tensión) determina el valor del bit
de datos (uno o cero)
NRZI sin retorno a cero invertido NSF National Science Foundation de coeficiente
negativo de temperatura NTC; un termistor NTC es uno que la potencia cero
resistencia disminuye con el aumento de la temperatura
no volátil NV
OBDII diagnóstico a bordo II; un automóvil reglamento definido por el Consejo de
Recursos del Aire de California
OLE object linking and embedding
sobremoldeada OMPAC pad portador de matriz
OOK incrustación on-off; la forma más sencilla de pedir, en el que el car- Rier es
encender y apagar por medio de la modulación de código de pulso de onda
amplificadores operacionales amplificadores operacionales de la
Fundación OPC OLE para Control de Procesos Foundation

344 Comprensión sensores inteligentes


SO sistema operativo OSEK acrónimo alemán de sistema abierto para automoción
tronics Elec-, una extensión del extremo delantero De la MCU de hardware de
interconexión de sistemas abiertos OSI OSS octal serie OTP interruptor programable
una vez PAC matriz pad PCB circuito impreso
PCMCIA Personal Computer Memory Card International Association
PGA pin grid array PIC Potencia CI PID diferencial integral proporcional; técnica
de control com- múnicamente utilizados en sistemas de servo
controlador lógico programable PLC dispositivo lógico programable PLD PLL DE BUCLE
DE ENGANCHE DE FASE; un componente importante en un sintetizador de frecuencia
polimetacrilato de metilo PMMA proceso Profibus
PSG fieldbus phosphosilicate PTC de vidrio; un coeficiente positivo de temperatura
Termistor PTC es uno que la potencia cero resistencia aumenta con el aumento de la
temperatura
PWM modulación de ancho de pulso; el control digital de pulsos de voltaje utilizado
en amplificadores para obtener una mayor eficacia de control lineal
PZT titanato zirconato de plomo cuadratura QPSK Incrustación de cambio de fase

Lista de abreviaturas y acrónimos 345


QSPI queued SPI R&D Investigación y desarrollo rad radian radar detección y
telemetría de radio; sistema basado en la energía de RF transmitida y reflejada
para determinar y localizar objetos, medir la distancia y la altitud, y navegando
de
RAM memoria de acceso aleatorio; memoria utilizada para stor temporal- la
antigüedad de los datos. La RAM es una memoria volátil que se pierde cuando se
desconecta la alimentación.
RC-Resistencia Capacitancia de radiofrecuencia RF; frecuencias electromagnéticas de
la SPEC- trum normalmente asociados con la propagación de las ondas de radio; a
veces se define como la transmisión de cualquier frecuencia de radiación de energía
electromagnética coherente es posi- ble, generalmente por encima de 150 kHz
RFI interferencia de radiofrecuencia; (generalmente) involuntariamente energía
radiada que pueden interferir con el funcionamiento de o incluso dañar equipos
electrónicos
RFIC IC de radiofrecuencia RF-ID identificación RF RIE grabado iónico reactivo; un
proceso de grabado en seco que combina el aguafuerte y plasma Ion Beam extracción
de la capa superficial del
RISC Reduced Instruction Set Computer; una arquitectura de CPU que optimiza la
velocidad de procesamiento mediante la utilización de un menor número de
instrucciones máquina básica
rms root mean square ROM Memoria de sólo lectura; memoria utilizada para el
almacenamiento permanente de Los datos. ROM es una memoria no volátil.
La teleobservación RSD dispositivo detector de temperatura de resistencia RTD RTR

346 Solicitud de transmisión remota comprensión sensores inteligentes


triste estocástico analógico-digital de SAE Sociedad de Ingenieros Automotrices SAR
aproximación sucesiva registrarse Sierra de onda acústica de superficie de
soldadura SBA bump array SCAP presión absoluta capacitivo de silicio de
comunicaciones serie SCI interfaz serial SCL CLOCK línea
gritar solo reactivo de cristal grabado y metalización; un proceso que utiliza el
micromaquinado grabado iónico reactivo
SDL línea de datos serie SEM microscopio electrónico semi materiales
semiconductores Internacional
serie SERCOS, sistema de comunicación en tiempo real
SFB fusión de silicio shal pegado casa inteligente Aplicaciones Language is
(unidades) Unidades del sistema internacional establecido en 1960 por la 11ª
Conferencia General de Pesas y Medidas y se basa en el sistema métrico
is SIA de silicio Semiconductor Industry Association SiC; carburo de silicio
semiconductor de alta temperatura, el sensor y el material MEMS
Si3N4 nitruro de silicio SiO2 dióxido de silicio SIOP Puerto serie I/O SIP en línea
única
LIGA SLIGA plástico proceso con la adición de una capa sacrificial
Lista de abreviaturas y acrónimos 347
SMA de aleación de memoria de forma de dispositivo de montaje superficial SMD;
véase SMT SMT tecnología de montaje en superficie; método de fijación compo-
nentes, eléctricamente y mecánicamente, a la superficie de una trama conductora
SNS inteligente sistema de navegación inercial SOC sistema sobre un chip altamente
integrado; un circuito integrado específico de la aplicación
SPI Serial Peripheral Interface de nivel de presión de sonido SPL sr
estereorradiante
SRAM Static RAM SSVS super smart sistemas del vehículo; término usado en Japón para
vehículos con varios nuevos sistemas electrónicos, normalmente utilizada en su
STIM Módulo de interfaz del transductor inteligente; módulo definido en IEEE 1451
estándar que incluye la orea y el sup- portar la electrónica, incluyendo el
transductor en el trans- ducer lateral de la interfaz de hardware para el EURONCAP
ficha automatizada de cintas de embalaje; semiconductor pegado tech- nique que
utiliza una pequeña leadframe para conectar circuitos en la superficie del chip a
un sustrato en lugar del cable bonos
TBC transductor transductor TBIM Controlador de bus del módulo de interfaz de bus;
módulo que consta de uno a N transductores, definido por la IEEE 1451.3 TEDS e
interfaz lógica para el control y la transferencia de datos a través de la
TCO minibús de coeficiente de temperatura compensada TCP Protocolo de control de
transmisión (
TCP/IP protocolo de control de transmisión/protocolo Internet TCR el coeficiente de
temperatura de resistencia

348 Comprensión sensores inteligentes de


división de tiempo TDMA Acceso múltiple; una técnica que asigna a cada suscriptor
deseando un intervalo de tiempo diferente de servicio en una determinada
frecuencia. La compresión de la señal se consigue ejecutando en frecuencias muy
altas. Cada usuario puede entregar el paquete fijo mensaje en una breve ráfaga de
tiempo, aumentando así la capacidad del sistema.
TEDS transductor; una hoja electrónica de datos legibles por máquina speci-
ficación de las características de la interfaz de transductor definidos en el
estándar IEEE 1451
TEM Transverse Electromagnetic Mode TII interfaz independiente de transductor; un
10 hilos comunicación digital interfaz definida en IEEE 1451 estándar que permite
una NCAP o host para obtener las lecturas de los sensores o el proyecto "actua- tor
acciones, así como solicitar datos TEDS
estaño/TiSi2/níquel titanio titanio
TiW silicio tungsteno titanio hidróxido: tetrametilamonio TMAH
Tox capa de óxido térmico TPU unidad de procesador de tiempo TTP tiempo-triggered
UART protocolo universal asynchronous receiver transmitter ULSI ultra integración a
gran escala; un chip con más de 1.000.000 de componentes
UPC código de producto universal USB (universal serial bus de red de área de
vehículo furgón VAV, volumen de aire variable controlada por tensión oscilador VCO;
un oscilador cuya salida Frecuencia varía con la tensión de control CC aplicada una
pantalla fluorescente de vacío VFD

Lista de abreviaturas y acrónimos 349


VHSIC VHDL Lenguaje de descripción de hardware; un lenguaje de descripción de
hardware para diseño de circuitos a nivel de comportamiento desarrollado por el
Departamento de Defensa de EE.UU
VHSIC muy alta velocidad circuitos integrados VLSI integración en escala muy
grande; un chip con componentes de 100.000 a 1.000.000 de
advertencia y de navegación del vehículo VNAW vocoder codificador de voz VPW ancho
de pulso variable VRML (Virtual Reality Modelling Language W/E de escritura/borrado
de trabajos en curso WIP WLAN LAN inalámbrica WWW World Wide Web zona inalámbrica
WZS sensores de óxido de zinc de ZnO

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Glosario
ablación del material de vaporización que se produce durante el proceso de fresado
láser de precisión una comparación real de la señal de salida de un dispositivo
para la El valor real de la entrada. Los diversos errores (como linealidad,
histéresis y repetibilidad, y cambios de temperatura) atribuir a la precisión de un
dispositivo se expresa generalmente como un porcentaje de la escala total de salida
(FSO). Véase también error.
La parte de un actuador de lazo abierto o sistema de control de bucle cerrado que
con- nects la unidad de control electrónico con el proceso
adaptativo (control) se refiere a un sistema de control de procesos avanzados que
es capaz de ajustar automáticamente para adaptarse a la salida deseada, a pesar del
cambio de mando- ción de los objetivos y las condiciones del proceso o
incertidumbres no modelados en proceso
algoritmo dynamics un conjunto bien definido de reglas o procesos para solucionar
un problema en un número finito de pasos
aliasing, distorsión debida al muestreo de una señal continua en una cotización
demasiado baja
aliasing distorsión de sonido componente creado cuando las frecuencias presentes en
una señal muestreada son mayores que la mitad de la tasa de muestreo de
salida analógica de una potencia eléctrica de un sensor que cambia la proporción-
Ante cualquier cambio de ately
anisotrópico de entrada se refiere al grabado que es dependiente de la orientación
cristalográfica
351

352 Descripción sensores inteligentes


templar proceso térmico utilizado para eliminar el estrés, en especial en la
superficie del filtro antialiasing micromaquinado normalmente, un filtro de paso
bajo que límites de la banda de una señal de entrada antes de muestreo para evitar
el aliasing ruido
proceso de arbitraje de acceso a una arquitectura de bus de diseño del hardware o
del software, normalmente estandarizadas, para un cir- cuit o sistema; además, la
arquitectura del sistema, memoria asociativa de una arquitectura de red neuronal
utilizado en aplicaciones recogni patrón- ción, en el que la red se usa para
asociar los patrones de datos con determinadas clases o categorías ya ha aprendido
de
atenuación de la disminución de la magnitud de la señal de comunicación autozero
circuiteria de control que periódicamente reestablece la Para evitar errores de
deriva de cero
banda prohibida remitir sesgada emisor junction característico de transis- tor
utilizado para proporcionar una tensión de salida con coeficiente de temperatura
cero
filtro paso banda filtro diseñado para transmitir una banda de frecuencias
rechazando todos los demás
baseband banda de frecuencias ocupada por la información antes de combinar señales
de cojinete con un transportista en el proceso de modulación
baudios unidad de velocidad de señalización igual al número de señales discretas
condi- ciones o eventos por segundo. Se refiere a los símbolos físicos por segundo
utilizado en un canal de transmisión.
biometría ID personal de detección de
velocidad de tasa de bits en el que los bits de datos son transmitidos a través de
una ruta de comunicación, normalmente expresada en bits por segundo (bps). Un
terminal 9600-bps es un sistema 2400 baudios con 4 bits/baudio.
dispositivo puente que reenvía los paquetes de información entre canales en una red
de múltiples medios de
banda ancha o modula una señal de onda cuadrada en varias portadoras moduladas
micromaquinado granel un proceso para hacer microestructuras en el que un
enmascarado (obleas de silicio) está grabada en la orientación dependiente de
soluciones de grabado

Glosario 353
conexión de autobuses entre los componentes del circuito interno o externo
del proceso de calibración de modificar la salida del sensor para mejorar la
precisión de salida de banda portadora de un solo canal digital de banda ancha; o
la señal modulada en un único
chip portadoras moduladas a morir sin embalar (dispositivo semiconductor) de corte
de una oblea de silicio e incorporando elementos de circuito semiconductor tales
como sensores, actuadores, resis- tor, diodos, transistores, condensadores y/o
sistema de control en lazo cerrado que utiliza Un dispositivo de detección para
medir una variable de proceso y control haciendo decisiones basadas en esa
información
estado de colisión de un bus de datos en la que dos o más transmisores están
encendidos simultáneamente a estados conflictivos
combinacionales tecnologías integradas de señal mixta (analógica y digital)
Tecnología compansión el proceso de reducir el rango dinámico de la señal de voz o
de música (comprimir) típicamente en el transmisor, y luego la restauración
(expandir) en el receptor la indemnización circuitos añadidos o materiales
diseñados para contrarrestar los efectos de una fuente conocida de la capacidad de
contención de error para acceder a la estación de autobuses en una determinada
prioridad convolución proceso matemático que describe el funcionamiento de los
filtros fuerza de Coriolis fuerza que crea una desviación de un cuerpo en
movimiento con respecto a la tierra causó Por la rotación de la tierra; aparece
como una desviación a la derecha en el hemisferio norte y un desvío a la izquierda
en el hemisferio sur- ern técnica de compresión de datos que proporciona para la
transmisión de un menor número de bits de datos que originalmente requerido sin
pérdida de información. La recepción loca- ción amplía la recibieron los bits de
datos en la secuencia de bits original.
método de registro de registro de datos de una variable de proceso durante un
periodo de tiempo la decimación proceso por el cual una corriente de datos
digitalizados y muestreados se modi- zos para extraer información relevante
defectivity en la fabricación de obleas de semiconductores, los defectos por unidad
de área delta-P ∆P, el cambio en la presión o presión diferencial
354 Comprensión sensores inteligentes
determinista se refiere a la propiedad de una señal que permite su futuro
comportan- ior para ser precisamente predijo
die Ver
difusión chip un proceso termoquímico controlado mediante el cual se introducen
impurezas en el silicio para definir la piezoresistor. En comparación con la
implantación iónica, tiene dos grandes inconvenientes: (1) La máxima impureza
centration- se produce en la superficie del silicio, dejándolo sujeto a
contaminación de la superficie y hace prácticamente imposible producir enterrado
piezoresis- tores; y (2) el control de las concentraciones de impurezas y niveles
es aproximadamente uno tú- arena veces peor que el obtenido con la implantación
iónica.
Salida del transductor de salida digital que representa la magnitud del mensurando
en la forma de una serie de cantidades discretas codificadas en un sistema de
notación
direct sequence spread spectrum technique de frecuencia fija
la relación constante de disipación (en milivatios por grado Celsius) a una
temperatura ambiente speci- zos, de un cambio en la disipación de potencia en un
termistor para el cuerpo resultante Cambio de temperatura
efecto Doppler el cambio observado en la frecuencia de una onda causada por un
tiempo la tasa de cambio en la distancia entre el origen y el punto de observación
por radar radar Doppler que aprovecha el efecto Doppler para medir la componente
radial de la velocidad relativa entre el sistema de radar y el objetivo de
down converter un dispositivo que proporciona traducción de ganancia y frecuencia a
una menor frecuencia
deriva un cambio indeseable en la producción durante un período de tiempo, con un
rango dinámico de entrada constante aplicado el coeficiente de mayor a menor los
valores de un rango, a menudo expresada en decibelios embedded control Consulte
sistema incorporado de detección incorporado el uso de un sensor en un producto
para una secundaria En lugar de una función primaria, por ejemplo, la protección de
un dispositivo de alimentación al
sistema integrado un sistema con uno o más dispositivos de cálculo (que pueden ser
los microprocesadores o microcontroladores) que no son directamente accesibles al
usuario del sistema

Glosario 355
punto final recta colocar la desviación máxima de cualquiera de los puntos de datos
de un sensor salida de la curva a partir de una línea recta trazada entre el final
los puntos de datos de la salida de la curva
del motor el aspecto computacional de un IC
epitaxial o epi una sola capa crystal semiconductor crecido sobre un sustrato de
cristal única y tener las mismas características que el cristalográfico sub- strate
error material la diferencia algebraica entre el valor indicado y el valor
verdadero de la entrada; generalmente expresado En porcentaje de intervalo de
escala completa y, a veces, en porcentaje de la
banda de errores de lectura de salida del sensor de la banda máxima de las
desviaciones de los valores de salida a partir de una línea o una curva de
referencia especificado debido a esas causas atribuibles al sensor.
Normalmente expresado como un porcentaje positivo de salida a escala completa. La
banda de error deben ser especificados como aplicables durante al menos dos ciclos
de calibración, así como incluir la repetibilidad, y verificó en consecuencia.
etch dejar una capa de material tipo P que etches a un ritmo mucho más lento que el
material tipo N de
software de red de área local Ethernet estándar que determina el funcionamiento del
sistema
de voltaje de excitación (actual) El voltaje eléctrico externo y/o corriente
aplicada a un sensor para su correcto funcionamiento (a menudo denominado como el
suministro cir- cuit o tensión). Ver Tensión de alimentación (corriente)
feedforward precompensate un método a un bucle de control de errores conocidos
efecto ferroeléctrico, la tendencia de los dipolos dentro de un cristal para
alinear en la presencia de un campo eléctrico y siguen polarizadas después del
campo se elimina
fieldbus un enlace de comunicación de dos vías entre los dispositivos de campo
inteligentes y sistemas de control de dispositivos en
un circuito de filtro que reduce el ruido y otros elementos no deseados de una
señal
del firmware o programa informático de las instrucciones almacenadas en la memoria
ROM en lugar de en el software
flash de memoria de semiconductor que puede ser utilizada para el almacenamiento
permanente y que es fácilmente reprogramado eléctricamente en el sistema; más
rápido que la memoria EEPROM

356 Comprensión sensores inteligentes de


coma flotante representación de números en notación científica con el exponente y
el Mantisa dadas por separado para acomodar una amplia gama dinámica flops
operaciones de punto flotante por segundo; medición del microprocesador
del bastidor de rendimiento de un grupo de bits enviados en serie a través de un
canal de comunicaciones. La lógica de la unidad de transmisión enviados entre
entidades de la capa de enlace de datos contiene su propia información de control
para el direccionamiento y la comprobación de errores.
frequency hopping spread spectrum, enfoque en el caso de la base y el suscriptor (o
el auricular y la base) saltando de una frecuencia a otra simulta- neously para
minimizar la pérdida de datos a través de la interferencia de
salida a escala completa de la producción a plena escala en una determinada entrada
mesurando sup- ply tensión; la suma de la compensación de señal plus completa span
span en gran escala la salida de variación entre cero y cuando el valor de
funcionamiento máxima recomendada de
lógica difusa aplicada es una rama de la lógica que utiliza el grado de pertenencia
en conjuntos en lugar de una estricta adhesión verdadero/falso
un nodo gateway utiliza para conectar redes que utilizan distintos protocolos. Un
convertidor de protocolo algoritmos genéticos guiados estocástico técnicas de
búsqueda que utilizan los principios básicos de la selección natural para optimizar
una determinada función de
Harvard en arquitectura de chip que el programa y los datos están en dos espacios
separados y se ejecutan en paralelo por dos buses independientes
una histéresis transducer's capacidad de reproducir el mismo resultado para la
misma entrada, independientemente de si la entrada está aumentando o disminuyendo;
véase también tem- peratura
implante histéresis ver implantación iónica zona infrarroja del espectro
electromagnético desde 1 hasta 1.000 mm de
impedancia de entrada (resistencia) de la impedancia (resistencia) medido entre el
positivo y el negativo (tierra) de terminales de entrada especificado en una fre-
cuencia con los terminales de salida
instrumento abierto un sistema que permite medir la cantidad Se observó que los
datos.
Un instrumento que consta de un elemento de detección y conversión, manipulación y

Glosario 357
Transmisión de datos y elementos de presentación. Todos los elementos que no
necesariamente están presentes en cualquier instrumento en particular.
integrada se refiere a la combinación de diseño y fabricación de componentes
interconectados. Un circuito integrado contiene una multiplicidad de transistores y
diodos, resistencias, sensor(es), y así sucesivamente.
Integración La combinación de previamente separados o discretos diseños de circuito
la
intercambiabilidad de la capacidad de varios sistemas o dispositivos para
intercambiar información y utilizar mutuamente la información que se ha
intercambiado entre sistemas y dispositivos, la
interoperabilidad, la capacidad de un sistema informático o de control para
sustituir componentes o dispositivos con componentes o dispositivos de diferentes
manu- facturers y familias de productos diferentes, manteniendo la gama completa o
parcial (rango) de la funcionalidad óptima del sistema de
molienda del haz de iones de un proceso de grabado en seco que utiliza un haz de
iones para retirar el material a través de una acción de sputtering
implantación iónica un proceso en el que la impureza iones son acelerados a Un
nivel de energía- pecífico y repercutió en la oblea de silicio. El nivel de energía
deter- minas la profundidad a la cual la impureza iones penetran en el silicio.
Tiempo de pinzamiento determina la concentración de impurezas.
isotropic grabado que es independiente de la orientación cristalográfica kernel
software integrado en el controlador de
fresado láser (automatizado) Método para ajustar el valor de thin- o resistencias
de película gruesa con un láser controlado por ordenador de la
latencia del sistema acceso garantizado (con prioridad máxima) dentro de un tiempo
definido
un error de linealidad la desviación máxima de la salida de una relación en línea
recta sobre el funcionamiento de entrada mesurando rango. El tipo de relación de
línea recta (punto final, aproximación de mínimos cuadrados, etc.) deben ser
especificados.
Impedancia de carga la impedancia presentada a los terminales de salida de una sen-
sor por la circuitería asociada
Loran-C de la tercera generación del sistema de navegación de largo alcance que
establece la posición midiendo la diferencia de tiempo de las señales que llegan
desde transmisores fijos loca- ción

358 Comprensión sensores inteligentes


Manchester una técnica de señalización digital en la que hay una transición en la
mitad de cada poco tiempo. 1 isencoded con un alto nivel durante la primera mitad
del tiempo de bit y un 0 isencoded con un nivel bajo durante la segunda mitad del
tiempo de bit.
Temperatura máxima de funcionamiento la máxima temperatura del cuerpo en la que el
sensor funcionará durante un período prolongado de tiempo con una aceptable
estabilidad de sus características. Esta temperatura es el resultado del
calentamiento interno o externo, o ambos, y no debe superar el valor máximo
especificado.
máximo de potencia la potencia máxima que un sensor se disipará durante un período
prolongado de tiempo con una aceptable estabilidad de sus características la
mecatrónica la combinación sinérgica de engi- neering mecánicas de precisión,
electrónica de control, y el enfoque de sistemas para el diseño de productos y
procesos de fabricación
medios publicitarios en la transmisión de datos en una red, por ejemplo, dos cables
de par trenzado, cable coaxial, líneas de alimentación de cable único (con tierra
común), infrarrojos, RF, fibra óptica; asimismo, el material utilizado para
transferir una señal de presión de
mesoscala una escala de máquinas que se encuentra entre los MEMS y máquinas
convencionales microcódigo instrucciones máquina construida de forma permanente en
el circuito del controlador
un microcontrolador Único circuito integrado que contiene una CPU, memoria, un
oscilador de reloj, y I/O. Véase también MCU en la lista de acrónimos y
abreviaturas.
microengine el aspecto computacional de un IC
micromaquinado el grabado químico de las estructuras mecánicas en el silicio u
otros materiales semiconductores, normalmente para producir un sensor o actuador
-6 micras de
señal mixta de 10 metros la combinación de circuitos analógicos y digitales
dispositivo mezclador que utiliza características no lineales para proporcionar
conversiones de frecuencia de una frecuencia a otra
monotonicity una medición de linealidad. Una curva monotónica es uno en el que la
variable dependiente siempre aumenta o disminuye según la inde- variable colgantes.

Glosario 359
dispositivo multiplexor que permite que dos o más señales para ser transmitidas
simul- taneously en una sola portadora o canal
simétrico la ejecución simultánea de dos o más instrucciones por un equipo
nanómetro -de 9 a 10 metros de la
red neuronal una colección de nodos de procesamiento independientes que comu-
nicate el uno con el otro en forma análoga a la del cerebro humano
Neuron™ un componente VLSI que realiza la red y aplicación- procesamiento
específico dentro de un nodo
nodo cualquier subconjunto de un sistema multiplex que se comunica en el sig- nal
bus Desviación nula la salida eléctrica presente cuando el sensor está en ver
salida null null
null offset cero cambio de temperatura el cambio en el valor de salida nula debido
a un cambio en la temperatura Menor tasa de muestreo Nyquist necesaria para
reconstruir por completo un sig- nal sin distorsión debido al solapamiento; igual
al doble de la frecuencia más alta en la señal de componente
una colección de objetos del
modelo de objetos de datos y operaciones de una definición de estructuras de datos
y operaciones organizadas en una especificación formal
observador algoritmo que corrige las variaciones del modelo físico Offset offset
cero Ver
sistema de bucle abierto sin retroalimentación sensorial
la impedancia mide la impedancia de funcionamiento entre el positivo y el negativo
(tierra) terminales de salida en una frecuencia específica con la entrada abrir
el rango de temperatura de funcionamiento de la gama de temperatura entre la
temperatura máxima y mínima en la que la salida se reunirán las características
especificadas operacional- ing
modelo OSI el modelo de interconexión de sistemas abiertos De la ISO define un
modelo de siete capas para una red de comunicaciones de datos
360 Comprensión sensores inteligentes
informática en paralelo el procesamiento de dos o más (a menudo muchas más) pro-
gramos a la vez por la interconexión de los sistemas de procesamiento de
metodología de diseño de sistema de particionado que determina qué parte del
circuito está integrada mediante un determinado proceso de silicio en lugar de
integrar completamente el diseño utilizando un proceso
periféricos componentes de circuito externo necesario para lograr el nivel deseado
de fun- cionalidad, generalmente de un MCU o un
proceso en el cual la fotolitografía MPU un patrón en una máscara es transferido a
una oblea, resultando en áreas que se dopan o
efecto piezoeléctrico extraído selectivamente la capacidad de ciertos materiales
para ser polarizada eléctricamente en respuesta a las tensiones aplicadas o Ser
tensas en respuesta al voltaje aplicado
piezoresistor un resistor que cambia la resistencia en respuesta a las tensiones
aplicadas
dentro de una estructura de bus de canalización MPU que permite operaciones
simultáneas para producirse
un grabado grabado de plasma proceso que utiliza un grabado gas en lugar de un liq-
uid para etch químicamente una estructura
compuesta de silicio de polisilicio dispuestas aleatoriamente las celdas de la
unidad de cristal de precisión los más pequeños cambios perceptibles en la señal de
salida de un dispositivo protocolo las normas que rigen el intercambio de datos
entre elementos interconectados de cuadratura de una técnica utilizada en los
codificadores y los interpretadores que separa los canales de señal de 90 grados
(eléctrico) en dispositivos de retroalimentación
error de cuantificación de la incertidumbre de ±1/2 bit menos significativo (LSB)
que se agrega a los errores de conversión de analógico a digital
Rango del convertidor Ver el rango de temperatura de funcionamiento
(ratiometricity radiométrico error) el cambio en la salida del sensor resultante de
cualquier cambio en la tensión de alimentación (normalmente expresado como
porcentaje de la producción en gran escala). (En una determinada tensión, la salida
del sensor es un valor proporcional del voltaje de alimentación.) en tiempo real
del sistema que acepta entradas externas, los procesa y produce resultados en un
período de tiempo fijo

Glosario 361
repetibilidad el cambio máximo en la salida bajo condi- ciones de funcionamiento
fijo durante un período de tiempo especificado
resistencia característica de relación de la relación de la potencia cero la
resistencia de un termistor medido a 25°C hasta que la resistencia se mide en 125°C
Resistencia Característica de temperatura de la relación entre la resistencia de
potencia cero de un termistor y su temperatura corporal de
resolución el máximo cambio de presión necesaria para dar un cambio específico en
la respuesta de salida es el tiempo necesario para una salida del sensor para
cambiar a su estado anterior en una final Estado dentro de una banda de tolerancia
de error del nuevo valor correcto
Router Dispositivo que conecta los canales en múltiples medios y sistemas de
control de paquetes de información pasa hacia delante y hacia atrás
una película delgada capa sacrificial depositado en la superficie el micromaquinado
proceso que posteriormente fuera grabada para liberar una microestructura
capacidad escalable de MCU O MPU arquitectura para ser modificado para satisfacer
las necesidades de varias aplicaciones que proporcionan puntos de precio-
rendimiento competitivo
trigger Schmitt un circuito que convierte los pulsos de salida de un sensor como un
fototransistor o optodetector en una señal digital pura. Los umbrales superior e
inferior en el desencadenador extraer la transición lineal región entre los estados
de encendido y apagado. la
auto-generación proporciona una señal de salida sin excitación aplicada como un
transductor termoeléctrica
autocalentamiento calentamiento interno resultante de energía eléctrica disipada
dentro del
consorcio Sematech unidad de Estados Unidos y los fabricantes de equipamiento
semiconductor
sensor semiconductor fabricado con silicona, GaAs, SiC, u otros materiales
semiconductores
sensactor una amalgama lingüística propuesto por los ingenieros de Ford de un
sensor combinado de sensor y actuador, microprocesador, posiblemente integrados en
un solo chip de silicio
el cambio de sensibilidad en la producción por unidad de cambio en la entrada para
un determinado suministro o actual

comprensión de 362 sensores inteligentes de


cambio de sensibilidad un cambio en la sensibilidad resultante de un cambio
ambiental, tales como la temperatura
Un dispositivo sensor que proporciona una salida útil para un determinado mesurando
servomecanismo un circuito cerrado del sistema de control de movimiento que utiliza
la retroalimentación para controlar un
punto de salida deseado el valor deseado para un proceso (controlado) variable
silicon compiler una herramienta que convierte en un diseño de algoritmos diseño de
silicio silicio fusion pegado de un proceso de pegado de dos obleas de silicio en
el nivel atómico sin aplicar pegamento o un campo eléctrico; también llamado oblea
directo pegado un enfoque de diseño de simulación usando modelos informáticos para
predecir el rendimiento del sistema o circuito de
diferencia en la tasa de sesgo de retardo entre rutas paralelas slew rate tasa
máxima de variación de la tensión con el tiempo el
poder inteligente (ICs) híbrida o monolítica de dispositivos que son capaces de ser
enfriado, conducción Realizar acondicionamiento de señal, e incluyen una función de
control de la alimentación, tales como gestión de fallos y/o de diagnóstico. El
alcance de la [esta defi- nición] se aplican a dispositivos con una disipación de
potencia de 2W o más, capaz de operar en caso de una temperatura de 100°C y con una
corriente continua de 1A o más (JEDEC definición).
sensor inteligente que ofrece funciones más allá de los necesarios para la gen-
eración una representación correcta de una cantidad controlada de
span o detecta el voltaje de salida dada la variación entre cero y cualquier
entrada de rand SPECmarks measu- una medición normalizada de rendimiento para
sistemas basados en RISC un conjunto estándar de operaciones
la densidad espectral de la potencia en una frecuencia específica del filtro
espectral un filtro que restringe el espectro electromagnético a un ancho de banda-
pecífico
spin-on semiconductor proceso para depositar películas y recubrimientos

Glosario 363
spread spectrum técnica utilizada para reducir y evitar la interferencia tomando
ventaja de medios estadísticos para enviar una señal entre dos puntos. Una figura
de mérito para los sistemas de espectro ensanchado es "difundir gain" medido en
decibelios.
Los dos tipos de técnicas de espectro de difusión comercial son saltos de
frecuencia- ping y secuencia directa.
sputter de proceso de semiconductores para depositar una capa delgada de material,
normalmente un metal, sobre la superficie squeeze-film efecto de amortiguación de
ambient, gases y espaciado en el mover- ción de estructuras micromecanizado
estabilidad a la capacidad de un sensor para conservar las características
especificadas, después de haber sido sometido a determinadas condiciones
ambientales o la prueba eléctrica de
referencia estándar el termistor de temperatura La temperatura del cuerpo en la
cual potencia nominal cero resistencia es especificado (por ejemplo, 25°C)
máquina de estado circuitos lógicos que, cuando el reloj, las secuencias a través
de operaciones lógicas y puede ser un conjunto de instrucciones preprogramadas o
lógica de estados
stiction fricción estática; las capas de micromecanizado de superficie adherida
debido a las fuerzas capilares generadas durante la húmeda
Rango de temperatura de almacenamiento grabado el intervalo de temperatura entre el
mínimo y el máximo que puede ser aplicado sin causar el sensor (unidad) que no
responden a las características de funcionamiento especificado
submicron medición de las geometrías o crítica de espaciado utilizado para com-
plex, altamente
superescalar de circuitos integrados la habilidad de un MPU enviar múltiples
instrucciones por ciclo de reloj a partir de una secuencia de instrucciones lineal
convencional
de la tensión de alimentación (corriente) la tensión aplicada (actual) con el
positivo y el negativo (tierra) terminales micromaquinado superficial un proceso
para depositar y grabado varios laicos- ers de sacrificio y estructurales de
películas delgadas para construir complejos de
telemetría de microestructuras de medición remota que permite que los datos se
interpretan en una dis- cia del
coeficiente de temperatura del detector de intervalo de escala completa el
porcentaje Cambio en el intervalo de escala completa por unidad de cambio de
temperatura en relación con el intervalo de escala completa a una temperatura
especificada

364 Comprensión sensores inteligentes


de coeficiente de temperatura compensada (TCO) el porcentaje de cambio en el
desplazamiento por unidad de cambio de temperatura en relación con la desviación a
una determinada temperatura
temperatura coeficiente de resistencia el porcentaje de cambio en la impedancia de
entrada de cc por unidad de cambio de temperatura en relación a la impedancia de
entrada de CC a una determinada temperatura
temperatura error el máximo cambio de salida en cualquier valor de entrada en la
gama de funcionamiento cuando la temperatura cambia en un rango de temperatura
especificado
histéresis temperatura la diferencia en los resultados a cualquier temperatura en
el rango de temperatura de funcionamiento cuando la temperatura es abordada desde
la Temperatura mínima de funcionamiento y cuando se acercó a la temperatura máxima
de funcionamiento con entrada cero aplica
voltaje temperatura característicos de la relación, a una determinada temperatura
ambiente, entre la temperatura del termistor y la aplicación de potencia en estado
estable de
compensación térmica Ver Compensación
Compensación térmica Ver cambio de coeficiente de temperatura compensada de
amplitud térmica coeficiente de temperatura ver cambio de escala completa span
constante de tiempo térmica el tiempo requerido para un termistor para cambiar al
63,2% del total de la diferencia entre su inicial y final de la temperatura del
cuerpo cuando se somete a una función paso de cambio en la temperatura bajo
condiciones de potencia cero
cero térmico Ver cambio de coeficiente de temperatura compensada
térmicamente termistor resistor sensible cuya función principal es la de exhibir un
cambio de resistencia eléctrica con un cambio en la temperatura del cuerpo
Utilizando una técnica de película delgada de deposición al vacío de conductores y
materiales dieléctricos (con frecuencia sobre un sustrato de silicio) para formar
un circuito eléctrico
constante de tiempo El tiempo requerido para un voltaje o corriente en un circuito
para elevarse a un 63% de su valor final estable o a caer hasta un 37% de su valor
inicial
método de topología de conexión de las líneas de datos de nodos del sistema de la
unidad de presión torr equivale a 1 mm de mercurio (mmHg)
transceptor la combinación de transmisor y receptor de radio, utilizando
normalmente algunos circuitos comunes, en una aplicación portátil o móvil

Glosario 365
un dispositivo transductor de convertir la energía de un dominio a otro y calibrado
para minimizar los errores en el proceso de conversión de
una función de transferencia, matemática, gráfica o tabular de instrucción La
influencia que un sistema o elemento tiene en la salida frente a las terminales de
entrada y salida
transpondedor un transmisor-receptor que transmite señales automáticamente cuando
se recibe una señal de activación
tribología el estudio de la fricción, el desgaste y la lubricación de las
superficies deslizando el uno contra el otro, como en el caso de los cojinetes y
engranajes
de par trenzado de Ethernet (10baseT) Ethernet de par trenzado con un medio físico
capaz de transportar datos a 10 Mbps para una distancia máxima de 185m
un convertidor upmixer con amplificación y posiblemente en otras funciones, como el
control de la alimentación y/o transmitir sobre la conformación de
un lenguaje de descripción de hardware Verilog para comportamiento de diseño de
circuitos de nivel colocado en el dominio público por Cadence Design Systems, Inc.
a través de longitud vertical de metal depositado a través de un pequeño orificio
en el óxido Utilizado para conectar eléctricamente dos capas de metal
(arquitectura Von Neumann) se refiere a los datos y el programa lleva
secuencialmente en el mismo bus
oblea delgada, usualmente una rodaja de material semiconductor del que están hechos
los chips
X-ray (foto)litografía técnica empleada para conseguir espacio físico reducido en
circuitos integrados Young's Modulus modulus de elasticidad
desplazamiento cero la salida a cero para una determinada entrada de corriente o
tensión de alimentación

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sitios Web de MEMS, el empleo y los puestos de trabajo en Estados Unidos, texto en
línea, introducción de MEMS, y conferencias de MEMS,
Http://home.earthlink.net/~trimmerw/mems/ index.html
en línea, tecnología de microsistemas europeo Http://www.nexus-emsto.com/ Tutorial
información acerca de MEMS, Http://mems.isi.edu/archives/ oth-
erWWWsites_tutorial.html

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sobre el autor
Randy Frank es un director de marketing técnico de ON Semiconductor en Phoenix,
Arizona. Él es también un especialista de aplicaciones en tecnología de sensores.
Él tiene un BSEE, un MSEE, y un MBA de la Universidad Estatal de Wayne en Detroit y
más de 25 años de experiencia en automoción y sistemas de control de ingeniería,
incluyendo el desarrollo de los controles electrónicos del motor y potencia
inteligente de productos semi-conductores. El Sr. Frank ha sido el presidente y
actualmente es miembro del Comité de Normas del sensor de la Society of Automotive
Engineers (SAE). Él es un miembro de la Asociación de estándares IEEE y también un
antiguo miembro del IEEE Sensor Taskforce de terminología y la Asociación para el
avance de la Instrumentación Médica (AAMI) Presión sanguínea ducer trans- Comité.
Él ha enseñado de instrumentación y control avanzado de la Universidad de Michigan,
incluyendo los aspectos de fiabilidad de los sensores. El Sr. Frank posee tres
patentes y ha publicado más de 200 documentos técnicos y artículos y varios
capítulos de libros sobre los productos semiconductores y aplicaciones.
373
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Índice
4 a 20 mA con transmisor de señal, 79, 80
, 161, control adaptativo–63 define, 161 en sistemas de lógica difusa, 161 162
servo-tipo bucle de realimentación, ilustración del sistema 161, 161 Ver también el
control de la precisión de la conversión A/D, 86, 100, 90–implicaciones de
precisión 91 consecuencias de errores, 90–91 MCU a bordo, 99–101
consideraciones de tiempo de procesamiento, 100 error de cuantización, 86 Véase
también convertidores analógico-digital (ADC) Avión red de aluminio, 306, 40, 72
82–Amplificación Amplificadores de instrumentación de CMOS, 76, 73, 74
interfaz–75 Modo de reposo, 75–76 capacitor conmutado, 77–78
Codificación por cambio de amplitud (ASK), 179 convertidores analógico-digital
(ADC), 7, 87, 91, 110–8, 89 bits
, 10 bits, aumentando la precisión de 89, 89, 71 Enfoques arquitecturas, diagrama
de bloque de 88, 88, 89–elección consideraciones 90 como componente
controlador digital, el rango dinámico de 71, 77, 88 de primer orden con oscilador
RC interno, Nyquist sobremuestreo de 101, 87, 87, 89–rendimiento 90 Fuente de
alimentación, 2 de resolución, 90 de segundo orden, 88 tipos de, 87 Véase también
la conversión A/D del sensor de velocidad angular, 322 de aplicación específica
(ASIC), ICs, 93 CSICs vs., 103 de señal mixta, 94 Véase también los circuitos
integrados (ICs) protocolo ARCNet, 132–33 Inteligencia Artificial, 168–69
memoria asociativa, 165 Sonda microscopio de fuerza atómica (AFM), 214, 216
15–automatizados y teleobservación, 301
375

376 Comprensión–3 sensores inteligentes


automatizados y teledetección (continuación) el diagnóstico remoto,
302–protocolo inalámbrico de 3, 302 Automatic driver sensor (ADS), 187
Automotive Bit-Serial Interfaz Universal System (UN-bus), 129, 123 protocolos
automotriz–-bus, de 30 a 129, 126–lista de 29, 124, 129–OSEK 30 SAE
J1850, 125–26 TTP, VAN 129, 129 Véase también protocolos de seguridad para
automóviles, 306 red Autoreferencing–8, 110, 133 El protocolo BACnet ball grid
array (BGA), paquete 228 definidas, 234, 235 OMPAC ilustrado, 234 Ver el embalaje
también barómetro circuito de aplicación, 79 baterías, 266 BiCMOS, 72, 73, 176 el
pegado. Consulte Pegado de obleas phospho-silicato de boro (BPSG vidrio), 34
Edificio/ofimática protocolo BACnet ilustrado, 134, 133, 124 de la lista de
protocolo 25–grueso micromaquinado, 17, 19, 19–21 define atributos
etchant, 21 tasas de etch, 19, 20 técnicas de parada de etch, 20, 21 filmes
poliméricos, 42 estructuras, 20 Superficie y liga comparación, 33 El micromaquinado
superficial combinado con 30–31 Véase también el micromaquinado autobuses del
dispositivo sensor de nivel, 120, 121, 121 topologías–22
CAD, compuesto por 326 325 26–MEMS, capacidad de simulación, 325 y la
calibración del sensor de presión libre de sistema, 111 protocolo CAN, 126
29–CSMA/CR, de trama de datos de 127, 128, 126–definido marco de error
27, el campo Identificador de 128, 127, 130 el uso industrial de–31,
137–MCU con formato de mensaje de 39, 127, 137–módulo 38 Motorola (MCAN
especificación), 137, 127, 129, controladores de par trenzado de 129 Véase también
protocolos de Automoción Los sensores capacitivos, 58–59 Carrier Sense,
Multiple Access/Resolución de colisión (CSMA/CD), 127 CEBus protocolo, 135 datos de
paquetes digitales celulares (CDPD), 179, 232 envases de cerámica, grabado químico
37–tecnología IC 40, 37 y 40–temperaturas de procesamiento, 40 Véase
también grabado químicamente asistida CAIBE ION BEAM (grabado), 213 sensores
químicos, 60–61 Cambio de conductancia, 60–61 hidrocarburos, 61 sistema
de circuito cerrado, 150 circuito del acelerómetro, 152 comparación, 151
observador, 163 Véase también Control de acceso múltiple por división de código
(CDMA), detección de colisiones, 179 120 Relación de rechazo de modo común (CMRR),
73, 74, 73 definidos de la fuente de alimentación, 90 comunicaciones, 119–46
antecedentes, 120–22

Index 377
definiciones, 119–introducción a 20, 119, 120, 122 multidrop punto-a-punto,
120, 122, 179–inalámbrico 82 Véase también protocolos CMOS (semiconductor de
óxido metálico complementario), 8, 72, 77–ventajas 78 interconexiones de
aluminio, 40 amplificadores, BiCMOS 76, 72, 73, 176 circuitos, 13 fundiciones, 38
alta densidad (HCMOS), 8 proceso modular, 39–40 Proceso, 39 vio estabilizado
con receptores, 196 para el acondicionamiento de señales de sensores, 77
micromaquinado superficial, 18 compatibilidad informática de conjunto de
instrucciones complejas (CISC), 165 combinado con RISC y DSP, 167 68–MCUs, 166
vs. 165–RISC, asignación de transistor de 66, 166, 120 el Control adaptativo
de contención, 161–63 sistema de circuito cerrado, 150, 151, 152, 152
derivados, 104–DSP 7 fuzzy logic, 155–57 integral, 151 Introducción
149–54 redes neuronales, 157–60 sistema de circuito abierto, 150, 151,
152 partículas, 30, 149, 150 PID–54 PWM, 108–resumen 9, 169,
149–técnicas 69 sistemas del vehículo, 151 controladores, 6–7 como
elemento de ADC, 71 DLC, 120 ilustración genérico del sistema PLC, 7, 149, 150
, 211 canales de refrigeración–12 definidas, 211 12–microheat tubo, 212
patentes, detección de corriente 212, 256, 257 circuitos integrados especificadas
por el cliente (CSICs), 103–4 ASICs vs. 103 costes de ingeniería no recurrente
y, 104
controlador de enlace de datos (DLC), 120 Demoduladores, sensible a la fase, 72
diagnósticos, 256–fallo 61, 258, 259, 111 MCU 60–OBDII, 259,
302–remoto 3 Diamantes, 40 como alternativa material del sensor, el sensor de
flujo de película 41 ilustración, 41 diafragmas, aumento de área, 67–mueren 68
porcentaje, 84 delgados, 67 claves de cambio de fase diferencial (DPSK), 179
diferencial cambio de cuadratura (claves), 179 DQSK MOS difusa (OCD), 251 sensores
de salida digital, 62–65 definidas, 62–63 técnicas digitales, 64–65
EOB, sensores ópticos, codificadores incrementales 65 63 64–triste
convertidores, 65 vieron los osciladores, de línea de retardo de 64 procesadores de
señal digital (DSP), 1 de 16 bits a 24 bits, 105, 105, 107, 106 algoritmos–7
combinado con CISC y RISC, 167–68 control, 104–Kit de diseño de 7, 106,
105 Características hardware capacidad aritmética, 104 para aumentar el sensor IQ,
93–116 la ejecución de instrucciones, 104 MCU vs. arquitectura, tecnología,
106 105

378 Descripción sensores inteligentes


convertidores de digital a analógico (DAC), 88, 110 sistemas de control distribuido
(DCS), 149 Distributed Systems Interface (DSI), 306–8 sistema de airbag de
automoción con 308, 306–definido 7 ejemplo, 307 dos cables de red, 307 grabado
en seco, 32–36 mediante haces de iones, plasma la molienda, 34, 32, 34,
34–RIE––35 SCREAM, 35 36 Véase también el grabado de doble chip,
233–34 dual en línea (DIP) paquete de plástico, 228, 164 Dynamic Time
Warping–65
eléctricamente borrable y programable de memoria de sólo lectura (EEPROM), 14,
97–98 Borrar los voltajes, 98 lugares, 98 oscilador eléctrico-based (EOB), 65
sensores electroquímicos EFAB (fabricación), 43–44 43 proceso definido,
ilustración, 43 La interferencia electromagnética (EMI), 111, 267 pruebas de
automoción ejemplo, 269 en el sistema de control de procesos, 268 Descargas
electrostáticas (ESD), 265, 267 como requisito de la aplicación, Pruebas de 267,
268, 320–mesocooler electrostática 21 sensores integrados, 252–61, 256,
256 diagnósticos–61 relés de MEMS, 261 temperatura, 252–56 Método de
punto final, 55–56 ROM programable borrable (EPROM), 94, 97, 98–grabado
químico, 37–40 Seca, 32–molienda mediante haces de iones, 36, 34, 19,
plasma isótropo 32–
tasas de 34, 19, 20, 34, 35–RIE SCREAM, 35–36 técnicas de parada, 20
húmeda, 31 Ethernet e interfaz Profibus, 300, 142, 300 y adaptación del sensor del
módulo de evaluación (EVM), 112
(interferómetros Fabry-Perot FPIs), 317–18 fracaso mecanismo clave, 242,
242–física de 43 Véase también la fiabilidad de modo de fallo y análisis de
efectos (FMEA), 250 Transformada Rápida de Fourier (FFT), Diagnóstico de 106, 258,
260, 180 fax/módems–81 efecto ferroeléctrico protocolo Fieldbus, 98, 130, 132,
131 de la arquitectura del sistema de control definido, 130 Véase también
protocolos industriales transistor de efecto de campo (FET), 61 emisiones de campo
muestra (federales), 219, 266 67–matrices analógico programable en campo
(FPAAs), 94-field programmable gate arrays (FPGAs), 93, 94 películas 3C-SiC,
210–11 polímero, 42–43 Flicker, 66 flip-chip, 237 38–ilustrado, 239
en la tecnología de sensores, 237, 237, 238 Ver el embalaje también centrado haz de
iones (FIB) el micromaquinado, 36 acceso múltiple por división de frecuencia
(FDMA), 179 desplazamiento de frecuencia (FSK), 179 Valor de escala completa
(F.S.), 56 sistemas de detección en el futuro, 320–mesocooler electrostática
21 interferómetro de Fabry-Perot, 317 18

379 Índice–
HVAC, 318 19–MCU con sensor de presión integrado, 321 23 tasa
microangular–sensor, el sensor inteligente personal ID 321, 324, 315 25
condiciones––16 semiconductores y 313 15–smart loop, 328–29
reconocimiento de voz y–micromicrophones, 319 20 329 30–resumen de
detección inalámbrica, 323–24 Unidad de inferencia difusa (FIU), 156, 157,
155–Lógica Difusa 57 control adaptable en aplicaciones, 161, 162, 155, 168
decisiones de control definido, 155 Ejemplo defuzzification, 156, 156, 156, 157 UIF
requisitos de hardware/software, 156–57 aplicación, 156 con varios sensores,
157 redes neuronales combinadas con PID 160 vs. 155, entrada de sensor para 158,
véase también el control de
GaAs, semiconductores GaN 177 películas, 25 sensores de gas, 263 claves de cambio
mínimo gaussiana (GMSK), 179 del sistema de posicionamiento global (GPS), 181, 185,
185 86–definido–86 satélites, tecnología de 186, 186, véase también la
detección de RF Glob envases superior, 239, 240
, Hall 50, 60 Protocolo Hart, 132 modelos ocultos de Markov (HMM), 164, 134
protocolos de domótica–35 CEBus, lista de 135, 125, 135 LonTalk
Véase también protocolos HVAC–chip sensor, 318 19 integración híbrida, 8
empaquetado híbrido, 231–35 234 35–BGA, cerámica, 232 de doble chip,
233–34 módulos multichip, 232–33 usos para, 231–32 Véase también el
embalaje sensor de Hidrocarburos, 61 Lenguaje de marcado de hipertexto (HTML), 304
, 299 IEEE 1394 IEEE 1451, 297 elementos de la familia de 274 miembros, 275 resumen
la implementación de referencia, relación de trabajo 302, 275, 276–IEEE 1451.1
81 modelo cliente-servidor, 278, 279, 276, 274 definido por ejemplo, 280–81
funcionalidad, 281 NCAP, 276–78 modelos de comunicación de red, 278–80
object-identificar propiedades, 277 componentes del modelo de objetos, modelo 276
publish-subscribe en 278 80–transductor inteligente modelo de objetos, 277,
278, 275 Resumen de las relaciones entre los objetos de nivel superior, 277 IEEE
1451.2, 281–91 Boeing 777 adaptación de 306 Calibración/motor de corrección,
286–89 definidas, 274, 281–82, 291 sensor de medición de presión
definición, 282 unidades SI básicas, 290 fuentes de alimentación STIMs STIM, 289,
282, 275 Resumen 84–TEDS unidad física representación, 289 91–TII,
285–86 hoja electrónica de datos del transductor, 284–85 tipos de
transductores, 282–83 IEEE P1451.3, 291–92

380 Descripción Los sensores inteligentes


IEEE P1451.3 (continuación) definida, 274, 291, 292 propuesta de especificación de
interfaz resumen, 275 IEEE P1451.4, 292–93 definidas, 274, 292, 293, ejemplo
de aplicación 294 interface ilustración, 293 NCAP, 294 RESUMEN TEDS, 275, 294,
impedancia de 67 incrementales Encoders ópticos, 63–64 definidas, 63
ilustrado, 63 Industrial, científica y médica (ISM) bandas, 174 redes industriales,
comparación de 133 protocolos industriales ARCNet, 132–33, 130
31–fieldbus, 130, 131, 132, 132 HART Lista de, 124 131 32–LonTalk,
Profibus, 132, 142, 132 SERCOS Véase también protocolos inherentes de la fuente de
alimentación del circuito de rechazo, 81–82 ilustrado, 81 valores de
resistencia, 81 amplificadores de instrumentación, 73–75 diferencial-Bloque de
ganancia de entrada, utilizando el circuito del sensor de presión de 74, 74, 73
integrada utiliza elementos activos, 84–86 circuitos integrados (ICs), el 2 de
aplicación específica (ASIC), 93, 94 técnicas de comunicación, 260 (CSICs
especificadas por el cliente), 103–4 Protección de epoxi, 239 microondas MMICs
monolítico (proceso), 176 la comparación con el micromaquinado, 38 de silicio,
fabricación, 19 smart power, 250–52 elementos pasivos integrados, 83
Sensor de presión integrado (IPS), 77, 321–MCU con microcontrolador con 23,
323, 85 piezorresistiva integrado, sistema de detección de 265 Integración,
113–16 pasos de desarrollo híbrido, 14, 8, 250 y mecatrónica y
microelectrónica, el micromaquinado 11 15–monolítico, ruta 8, 9, 8, 9
posibilidades de potencia, 114 mueren relativa los costes de detección de
temperatura, 115, 255 IMEMS Inteligente (MEMS), 201, 188 del sistema de transporte
inteligente–90 áreas de aplicación, 188 colisiones, 189 muertos,
188–reckoning detección GPS 89, 188, 189–NODSs 90 sistemas, 190 verdadera
velocidad de carretera y, 190, 189, 190 VNAW Véase también detección de RF de la
Organización Internacional de Normalización (ISO), 120, 123, control de proceso de
Internet 303–5 software, 305 I/O, MCU, 98–99 haz de iones a la molienda,
34 su bus de datos (BID) estándar, 145 puentes, para la calibración inicial, 14
láseres, en el micromaquinado, 36–37 latencia, 120 difusa Lateral (MOS), 174
LDMOS titanato zirconato de plomo (PZT), 59 de liga y masivo proceso de comparación
superficial, 33 definidas, 32 ilustrado, 33 modificado, 32 Véase también el
micromaquinado

Index 381 de
linearización de predicción lineal, 108, 164 con pantalla de cristal líquido (LCD),
15, 103, 131 El protocolo LonTalk–32, 135, 131 definido sistema LonWorks,
131–32 Neuron chips y, 139–41 de baja potencia (LWIMs microsensores
integrados inalámbricos), 196 de baja presión (LPCVD deposición de vapor químico),
34 mediciones de presión baja, 67–68 sensores de presión baja, MCU con 68
detectores magnéticos, 4 Mecatrónica, 249–70 definidas, 249 sensores
integrados, 252–61 integración y matrices de detección, 250, 261–65
smart-power ICs, 250–52 uso de memoria, 249 Puede MCU, MCU, 138 97
98–Neuron chip, 141 Véase también tipos de memoria específica semiconductor de
óxido de metal (MOS), 8 difusa (OCD), 251 procesos de fabricación, 114 lateral
(difusa), 174 LDMOS de óxido metálico semiconductor transistor de efecto de campo
(MOSFET) de potencia discretos, 13 de fabricación, 42 dispositivos de salida, 13
sensores de temperatura, 255 integración de semiconductor de óxido de metal
(Sistema de Ejecución MOSIS), 38 MI-bus protocol, 141–42 Michigan paralelo
estándar (MPS), 122 sensores de tasa Microangular–23, 321 MicroBGA, paquete de
228 unidades de microcontroladores (MCU), 1 68HC05, 101 autoreferencing–2,
113, 110, 96 Diagrama de bloque
con la CAN, 137–39 CISC, 166 control, 95–96 costo, 109 diagnósticos, 111
mueren tamaño, Arquitectura DSP 114 vs. 106 EMC/RFI reducción, 111–12 para
aumentar el sensor IQ, 93–manipulación de entrada 116, 112 con sensor de
presión integrado, 321–23 E/S, 98 99–impulsada desde LCDs, 15 tablas de
búsqueda, 106–7 con sensor de presión baja, 68 MC68HC05EVM, instrumento para
el desarrollo de la memoria, 113 97 98–diseño modular, 103–4 MPC555,
PowerPC 139 a bordo de una conversión A/D, 99–101 periféricos, 96–97
capacidad de ahorro de energía, 101–3 fuente de alimentación, 2 protocolos,
143 salida PWM, 108–9 con SAE J1850, 135–36 SCI, 97, 71 en la información
del sensor para el sensor interface–91, 85, 96–104 single-chip, 95 con
circuitos integrados de potencia inteligentes, 260 SPI, 97 modo de parada,
102–3 temporizadores, 97 TPU, regulación de tensión/corriente de 105, 103,
208–Microdynamometers definido 9, 208, 209 ilustrado fotodiodos, 208 sistemas
microelectromecánicos (MEMS),201–23, 267, 203 actuadores–11 CAD y,
325–26 canales de refrigeración, 211–12 definidas, 1, 11, 201,

382 Comprensión sensores inteligentes


microelectromecánicos (continuación) sistema de automatización de diseño
electrónico (EDA) herramienta, 325 emisiones de campo muestra, 219 elementos de
calefacción, 217 de alto volumen, 22 (IMEMS inteligente), 201 Interconexiones para
obleas apiladas microgrippers, 222, 214, 215–micromirrors
micronozzles–17, 221 22 14–microoptics, 213, 214–microprobes 15 MST,
312 producto multiusuario (paperas), 219, 222–nanoguitar 23 relés, 261,
195–RF 96 interruptores, tecnología de 195, 195, 312, 217 emisores
termiónicas–19 desdoblable microelementos, 219, 21, 214
Microgrippers–peine electrostática unidad técnica, Esquema de 214, 215, 203
actuadores micromecanizado microdynamometers–11, 208–9 micromotores, 203
micropumps–6, 206, 210 motores microsteam microválvulas, 203 en materiales
semiconductores, 210–thermopneumatic 11, 209 17 44–micromaquinado,
grueso, 17, 19, grabado químico–21 37 40–definido, 17–18 procesos de
grabado en seco, 32–36 centrado haz de iones (FIB), IC 36 procesos de
integración, 38 vs. 11–15 Introducción 17–19 láseres en 36–37
proceso de Liga, 32 materiales, 40–44 estructuras metálicas, 43–44
Resumen, superficie de 44, 18, 25
, 31 31 técnicas––40 tecnología, 17 obleas y pegado, 19, 21, 25,
Micromilling– 36, 215 17–Micromirrors definidas, 215,
215–dispositivo articulado 17, 218, 217, 218 ilustrado micromotores,
203–6 devanados transversal 5 ejemplo–, 204, 204, 206, 207 rotor
magnético, 204 pasos de cuña, 205, 208, 221 22–Micronozzles ilustrado, 221,
221 estructura de nitruro–utiliza 22, 221, 213 14–Microoptics
Microoptomechanical system (MOMS), 214, 214 Microprobes Micropumps–15, 206,
210 motores Microsteam–11 marchas, 210 un solo pistón, 211 tecnología de
microsistemas (MST), 201 Microválvulas, 203 sensores de microondas, 185 módems,
detección de integración monolítica, 300, 8, 9 microondas MMICs monolítico de ICs
(mosaico), 176, 176–77 Motorola puede (MCAN), 137 controlador de enlace de
datos (MDLC), 135 MPC555 MCU, PowerPC 139 Sonda multicanal, 262 módulos multichip
(MCM), 232–33 mueren desnudos, técnicas de montaje de 234 MM3-C, 233 MCM-D,
233 MM3-L, 232, 120, Comunicación Multipunto 122 MJTC Multijunction convertidores
(térmica), 217, 218 Fabricación, 217 ilustrado, 218 múltiples dispositivos de
detección, 261–64

índice 383
en las medidas químicas, 262 sensores de gas, 263 infrarrojos de matriz de plano
focal, 263–64 sonda multicanal, 262 matrices de fotodiodos, 263 sensores de
tipo múltiple, 264 65–multiplexado (MUX), 120, 164 informática multiprocesador
multiusuario proceso MEMS (paperas), 219
, 222–Nanoguitar 23 canal N semiconductor de óxido de metal (NMOS), cerca de
30 sistemas de detección de obstáculos (NODSs), 189–90 procesador de
aplicaciones compatibles con la red (NCAP), 274 IEEE 1451.1, 276–78 IEEE
P1451.4 PC, 293, 294, 281, 284 desencadenadores en Red inalámbrica, detección de
vehículos, 323–24 redes de seguridad para automóviles, 306 aviones, 306–8
ampliar sistemas de detección, 293–95 industrial, 133, 157–neural 60
redes neuronales, 157–60 Ejemplo de aplicación, 160, 157–definido 58
combinado con lógica difusa, 160 ilustrado, 159 neuronas, 158 usos, 158 Ver también
controlan la neurona, IC 139–41 Diagrama de bloque, 141 definidos, 139
transceptor de modo directo, 140 nichos de la red de área local (NAN), 307 Ruido,
65–66 parpadeos, 66 tiros, 65–66 tipos, 65–66 tasa de Nyquist,
convertidores, 87
OLE (vinculación e incrustación de objetos), 298 programable una sola vez (OTP),
ROM 98
claves on-off (OOK), 179 sistema de circuito abierto, 150 circuito del
acelerómetro, 152 comparación, 151 Véase también Control de Interconexión de
Sistemas Abiertos (OSI), 120, 123 Operación rail-to-rail, 76–77 vs. estática,
dinámica de la transmisión de la señal óptica de 57, 182, 129–OSEK protocolo
30 sobremoldeada OMPAC pad portador (matriz), 234, 56 sobremuestreo de
sobrepresión, convertidores, 87
envases ball grid array (BGA), 228, 234, 232 cerámica–35 DISEÑO, 229 Dip, 228
de doble chip, 233–34 flip-chip, 237–38 glob superior, 239, 240, 231
híbrido microBGA–35, 228, 235 sensores para monolítico–39 PGA, 228
alveolos, aumento de plástico, 236, 231 y 227, los requisitos de fiabilidad, 228
Semiconductor, 228–31 SIP, 228 normas, 245 montado en superficie, 236–de
orificio pasante de 37, 228, 238 a nivel de oblea–39 Control de partículas, el
micromaquinado superficial, 30 posibilidades de p