PRESENTACION

NOMBRES:
TOMMY RADHAMES

APELLIDOS:
PÉREZ ESPINOSA

MATRICULA:
16-SIIT-1-010

PROFESOR:
ALDO MARTINEZ

MATERIA:
FUNDAMENTOS DE ING. ELECTRONICA

TEMA:
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

SECCION:
0541

FECHA:
06/02/2018
 Dispositivos Semiconductores

1- Responder las siguientes preguntas sobre el tema de los semiconductores y

los Diodos. Favor investigar en su manual, libros y documentos en internet,
con el propósito de contestar correctamente y así tener un mejor
entendimiento del funcionamiento de estos dispositivos. Cada pregunta serán
respondidas por los estudiantes y construiremos entre todos, los
conocimientos adquiridos para comprender el tema.

a) Describa de manera estructural los átomos de Germanio y Silicio. ¿Cuál

es el más ampliamente utilizado?
El germanio: es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge
perteneciente al periodo 4 de la tabla periódica de los elementos.

Es un semimetal, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo

a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante
y resiste a los ácidos y álcalis.

El silicio: es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el

grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Sí. Es el segundo
elemento más abundante en la corteza terrestre (27,7 % en peso) después del
oxígeno. Su átomo consta de 14 protones, 14 electrones y 14 neutrones. Se presenta
en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, más activo que la
variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisáceo y brillo
metálico. Su configuración electrónica es Ne 3s2 3p2.

Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En

forma cristalina es muy duro y poco soluble y presenta un brillo metálico y color
grisáceo. Aunque es un elemento relativamente inerte y resiste la acción de la
mayoría de los ácidos, reacciona con los halógenos y álcalis diluidos. El silicio
transmite más del 95 % de las longitudes de onda de la radiación infrarroja.

El elemento más utilizado es EL SILICIO.

b) ¿Qué es un cristal y cómo se forman los enlaces covalentes?

En física del estado sólido y química, un cristal es un sólido que presenta un patrón
de difracción no difuso y bien definido.
La palabra proviene del griego krystallos. Inicialmente el nombre provenía de
"kryos" que significa frío, aludiendo a la formación del hielo a partir del agua.
Posteriormente el nombre cambió de connotación al referirse más bien a la
transparencia, por lo que los griegos dieron el nombre "krystallos" al cuarzo,
creyendo inicialmente que se trataba de una variedad de hielo que no se licuaba a
temperatura ambiente.

La mayoría de los cristales naturales se forman a partir de la cristalización de gases a

presión en la pared interior de cavidades rocosas llamadas geodas. La calidad,
tamaño, color y forma de los cristales dependen de la presión y composición de los
gases en dichas geodas (burbujas) y de la temperatura y otras condiciones
del magma en el que se formen.

Los enlaces covalentes se forman por átomos NO METALICO, comparten uno o más
electrones, es decir, se unen a través de sus electrones en el último orbital, el cual
depende del número atómico en cuestión.

c) ¿Establezca las diferencias y describa los conceptos de electrones y

huecos de conducción?
Se conoce como electrones a las partículas esenciales más livianas que compone un
átomo y que presenta la menor carga posible en lo referente a la electricidad
negativa. Se trata de un elemento subatómico que se sitúa en torno al núcleo del
átomo, formado por neutrones y protones.

Un hueco de conducción, o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en

la banda de valencia. Tal banda de valencia estaría normalmente completa sin el
"hueco". Una banda de valencia completa (o casi completa) es característica de
los aislantes y de los semiconductores. La noción de "hueco" en este caso es
esencialmente un modo sencillo y útil para analizar el movimiento de un gran
número de electrones, considerando ex profeso a esta ausencia o hueco de
electrones como si fuera una partícula elemental o más exactamente una casi
partícula.

La diferencia es que el hueco de conducción es la ausencia de un electrón en la banda

de valencia.

d) Establezca las diferencias y describa los conceptos de los semiconductores tipo

N y tipo P. ¿Cómo se forman? ¿Cuáles son sus portadores mayoritarios, tanto en
uno como en otro?
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de cargas libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente

vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
como material donante, ya que de algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores

en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese
el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro,
por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio
adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo
15 de la tabla periódica por ejemplo: fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb), se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo
tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da
como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el
material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son
los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa
de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que
"dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el
semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

Un semiconductor tipo P se obtiene llevando un proceso de dopado, añadiendo un

cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente

vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido
un electrón son conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del

silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le
une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla
periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo
de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido
que se encontrará en condición de aceptar un electrón libre. Así, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen
impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce
de manera natural.

e) ¿Qué es una unión PN?

Es la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente
denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada
por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque
también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a
nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto
químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica.

f) ¿Qué es la capa de empobrecimiento, en la unión PN?

Cuando se forma la unión PN, la región no pierde electrones libres a medida que se
difunden a través de la unión. Esto crea una capa de cargas positivas (iones
pentavalentes) cerca de la unión. A medida que estos electrones se mueven a través
de ésta, la región pierde huecos a medida que los electrones y huecos se combinan.
Esto crea una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unión. Estas
dos capas de cargas positivas y negativas forman la región de empobrecimiento. El
termino empobrecimiento se refiere al hecho de que la región cercana a la unión PN
se queda sin portadores de carga (electrones y huecos) debido a la difusión a través
de la unión.

g) ¿Cuál es la diferencia entre la polarización en directa y polarización en

inversa en términos de la corriente que pasa por el diodo?
Que la polarización directa la batería disminuye la barrera de potencial de la zona
de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la
unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Mientras
que en la polarización inversa, el polo negativo de la batería se conecta a la zona P
y el polo positivo a la zona N, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería.

h) ¿Explique cómo polarizar en directa y en inversa un diodo?

Para polarizar un diodo directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería
al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo y para polarizar inversamente se
intercambia el terminal negativo de la batería conectada al lado P y el positivo al N.
i) ¿En qué consiste el proceso de rectificación, con el uso del diodo?
En electrónica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir
la corriente alterna en corriente continua. Esto se realiza
utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado sólido, válvulas
al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio (actualmente en desuso).

Dependiendo de las características de la alimentación en corriente alterna que

emplean, se les clasifica en monofásicos, cuando están alimentados por una fase de
la red eléctrica, o trifásicos cuando se alimentan por tres fases.

2. Explique los procesos de rectificación de media onda, de onda completa y

de onda completa con puente de diodo. Esquematice en bloque. Sea
creativo.
El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte
negativa o positiva de una señal de corriente alterna de lleno conducen cuando se
polarizan inversamente. Además su voltaje es positivo.

Un rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal

de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente de salida (Vo) pulsante. A diferencia
del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la señal se
convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa,
según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua.
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de
Graetz).

El puente rectificador de onda completa es un circuito electrónico utilizado en la

conversión de una corriente alterna en continua. Este puente rectificador está
formado por 4 diodos. Existe una configuración en donde se tiene un diodo, esta se
le conoce de media. El rectificador de onda completa, tiene 4. Recordemos antes
que nada, que el diodo, se puede idealizar como un interruptor. Si el voltaje es
positivo y mayor que el voltaje en directa, el diodo conduce. Recordemos que el
voltaje en directa de un diodo de silicio esta sobre los 0.7V. Si el diodo esta polarizado
en inversa no conduce. Gracias a esto podemos generar dos caminos de nuestro
puente rectificador de onda completa. Uno para la primera mitad del periodo, que
es positiva y otro para la segunda, que es negativa.

Para la siguiente figura, podemos observar que para la primera mitad del periodo, el
diodo D1 denaria pasar el voltaje, mientras que el diodo D2 no. El voltaje que pasa a
través de la carga, regresa a través de la net 0 (GND), en donde pasara por D3 debido
a que D2 tiene un voltaje en el cátodo por lo que no se polariza. Para la segunda
mitad del periodo, D2 y D4 son los que conducen para la parte negativa.
3. Mencione varios tipos de diodos y a cada uno mencione aplicaciones
prácticas.
Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión, podemos
definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la característica de
un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso;
pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado
valor, presenta una tensión de valor constante. Este fenómeno de tensión constante
en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos
excepcionalmente útiles para obtener una tensión relativamente invisible a las
variaciones de la tensión de alimentación, es decir, como dispositivos reguladores
de tensión.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, también llamado diodo de capacidad variable,
es, en esencia, un diodo semiconductor cuya característica principal es la de obtener
una capacidad que depende de la tensión inversa a él aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y los de receptores
de radio en FM.
Símbolo

Diodo Túnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rápidamente al observar su curva característica, la cual se ve en el gráfico. En lo que
respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente,
pero en el sentido de paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete.
La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de
tensión hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensión, se produce
una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda
esta zona del valor de la tensión.

Símbolo Representación en circuito

Gráfica
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se
comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan
una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta
corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
La función de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la información
grabada en el surco hipotético del CD transformando la luz del haz láser reflejada en
el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como
resultado el audio o los datos grabados en el CD.

Símbolo

Grafica
Representación en un Circuito

Diodo Gunn: Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores, ya que
no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un
semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se
aplica entre ánodo y cátodo una tensión continua de 7 V, de modo que el ánodo sea
positivo con respecto al cátodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero
con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para
inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisión de microondas
se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan del ánodo al
cátodo y del cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas zonas, lo
que determina la frecuencia en los impulsos.

Símbolos
Polarizados inversos y directos
Representación en Circuito
Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo
de barrera Schottky.
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta
impedancia (OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al
ON, se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La
impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo
atraviese se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio
en la región III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente
hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia,
reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus
terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I

Representación en Grafica
Símbolo
Representación en Circuito
4. Investigue y construya un diagrama de bloques sobre el proceso de
conversión de corriente alterna a corriente directa a través de una fuente
de alimentación, utilizando los diferentes elementos que intervienen. Sea
Creativo.