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Universidad de Sevilla
Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos
Ejemplos de Ruido
Ejemplos de Ruido
1
Departamento de Ingeniería Electrónica. Universidad de Sevilla
Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos
INDICE
INDICE............................................................................................................................. 2
Ejemplo 1: Ruido en un amplificador en Fuente Común con carga activa .................. 3
Ejemplo 2: Ruido en un amplificador en Fuente Común con carga activa y resistencia
de fuente ....................................................................................................................... 7
Ejemplo 3: Ruido en un amplificador en puerta común ............................................... 9
Problemas Propuestos ................................................................................................. 12
Ejemplos de Ruido
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Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos
VCP
M2
vOUT
M1
vIN
VGG
a) b)
Figura 1.a) Amplificador en Fuente Común con carga activa.
La Figura 2a muestra las fuentes de ruido del circuito y la Figura 2b el modelo de pequeña
señal incluyendo las fuentes de ruido (ambos transistores están en saturación), donde:
Ki
2
I nMi ( f ) ≈ 4γ i kTg mi + '
2
g mi (1)
C Wi Li f
ox
γi es aproximadamente 2/3 para un transistor canal largo en saturación, y Ki es distinta para los
transistores p y n.
InM22(f)
M2
vout a)
M1
InM12(f)
vin
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Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos
g m1vgs1
2
vin I nM 1( f )
2
I nM 2( f )
vout
b)
Figura 2. a) Amplificador en Fuente Común con carga activa mostrando las fuentes de ruido. b)
Modelo de pequeña señal para el análisis de ruido
Como la impedancia de entrada del circuito es infinita, calcularemos sólo la fuente de tensión
de ruido equivalente a la entrada.
1 (2)
4kT (γ 1 g m1 + γ 2 g m 2 ) + ' ( )
K 1 g m2 1 + K 2 g m2 2 (r01 || r02 )
2
C ox f
vout
Conociendo que la ganancia en tensión del circuito es Av = = g m1 ( ro1 || ro 2 ) , podemos
vin
calcular la fuente de tensión de ruido equivalente a la entrada como:
V 2
(f )=
Vn2,out ( f )
=
[I 2
nM 1 ( f ) + I nM
2
2 ( f )](r01 || r02 )
2
=
n ,in
Av2 g m2 1 (r01 || r02 )
2
(3)
1 K1
2
4kT g m 2 K2 g m2
γ 1 + γ 2 + ' +
g m1 g m1 C ox f W1 L1 W2 L2 g m1
Observando la ecuación (3) podemos deducir que una buena técnica para reducir el ruido del
circuito consiste en:
• Aumentar en lo posible gm1. Si recordamos que gmi=2IDi/Veffi, para ello deberemos
aumentar la corriente de polarización subiendo ID1 (aumentando por tanto el consumo),
o disminuir la tensión efectiva de puerta del transistor (lo que, para la misma corriente
de polarización quiere decir aumentar la relación de aspecto Wi/Li). Nótese que
aumentar Wi es favorable, tanto para el ruido térmico como para el Flicker. No
podemos decir lo mismo de Li, ya que al aumentar Li se reduce el ruido Flicker pero
(para la misma corriente de polarización) se aumenta el ruido térmico.
• Disminuir gm2. Para la misma corriente de polarización esto exige disminuir la relación
de aspecto W2/L2, con la correspondiente influencia sobre el ruido Flicker del transistor.
• Finalmente, nótese que, si el ruido Flicker es dominante, entonces hubiera sido
preferible emplear un transistor p como entrada y un transistor n como carga, ya que la
constante de efecto Flicker del transistor p es un orden de magnitud inferior a la del n.
El ruido Flicker del transistor n podría hacerse suficientemente pequeño escogiendo
adecuadamente la relación entre las transconductancias de los transistores.
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Para responder a esta duda hay que observar que el ruido a la salida aumenta en proporción a
gm1. Por otro lado, la ganancia en tensión del circuito aumenta en proporción a gm1, de forma
2
que al referir el ruido de salida a la entrada del circuito dividiremos la potencia de ruido por gm1 .
Como resultado, al aumentar gm1 sube el ruido a la salida, pero disminuye la tensión
equivalente de ruido a la entrada. Sin embargo, gm2 no interviene en la ganancia en tensión.
g m1vgs1
2
vin I nM 1( f )
2
I nM vout
2( f )
Anulando la entrada, la función de transferencia entre las fuentes de ruido y la salida vale:
2
v
H ( s ) = out =
ro1 || ro 2 2
⇒ H( f ) =
( ro1 || ro 2 ) (4)
2
I n ,Mi 1 + CL ( ro1 || ro 2 ) s 1 + CL ( ro1 || ro 2 ) 2π f
Calculando la densidad espectral de ruido a la salida, considerando las dos fuentes de ruido
incorreladas y despreciando el ruido Flicker:
(r01 || r02 )2
Vn2,out ( f ) = 4kT (γ 1 g m1 + γ 2 g m 2 ) (5)
1 + [C L (r01 || r02 ) 2π f ]
2
1
Sabiendo que ∫ 1+ x 2
dx = arctan( x) :y que arctan(0) = 0 y arctan(∞)=π/2
kT
Vn2,out (rms ) = (γ 1 g m1 + γ 2 g m 2 )(r01 || r02 ) (7)
CL
El resultado más interesante de la ecuación (7) es que la potencia total de ruido a la salida es
inversamente proporcional a CL. Este efecto se debe a que al aumentar CL disminuye el ancho
de banda del amplificador, filtrando el ruido a altas frecuencias. Este razonamiento nos permite
deducir que, cuando las especificaciones de ruido son críticas, debemos diseñar los circuitos
con el ancho de banda mínimo necesario (nuca mayor). Este ancho de banda estará
normalmente especificado por el espectro de la señal de entrada.
Si excitamos el amplificado con una señal senoidal de entrada de amplitud AIN, a la salida
tendremos una señal senoidal de amplitud gm1 (ro1 || ro2) AIN. Utilizando el resultado de la
ecuación (4) podemos calcular la relación señal a ruido como:
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VCP
M2
vOUT
M1
vin
VGG RS
Solución
La Figura 2a muestra las fuentes de ruido del circuito y la Figura 2b el modelo de pequeña
señal incluyendo las fuentes de ruido, donde:
Ki 4kT
2
I nMi ( f ) ≈ kTγ i g mi + '
2
g mi 2
; I nR (f )= (1)
C Wi Li f
ox
S
RS
γi es aproximadamente 2/3 para un transistor canal largo en saturación, y Ki es distinta para los
transistores p y n.
InM22(f)
ro2
vout
ro1 InM12(f)
vs1
gm1vgs1
RS InRS2(f)
a) b)
Figura 2. a) Amplificador en Fuente Común con carga activa y resistencia de fuente mostrando
las fuentes de ruido. b) Modelo de pequeña señal para el análisis de ruido
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Como la impedancia de entrada del amplificador es infinita, tan sólo tiene una fuente de tensión
de ruido equivalente en la entrada, de valor:
Vn2,out ( f )
Vn2,in ( f ) = 2
(2)
Av
2
donde V n,out(f) es la densidad espectral de ruido a la salida cuando la entrada está
cortocircuitada.
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RD
Vout
M1 VGG
Vin
ISS
Figura 1. Amplificador en configuración de fuente común
La impedancia de entrada del amplificador de la figura 1 es finita, y por tanto, para caracterizar
correctamente el ruido equivalente a la entrada es necesario determinar la fuente de tensión y
la fuente de corriente de ruido a la entrada.
Las fuentes de ruido añadidas son las siguientes (para el transistor se ha tomado γ = 2/3):
4kT
• Ruido térmico de la resistencia RD: I n2, RD ( f ) =
RD
2 K
• Ruido térmico y Ficker del transistor M1: I n2, M1 ( f ) ≈ 4kT g m1 + ' g m2 1
3 Cox W1 L1 f
vin
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I n2, M 1 ( f )
I n2, RD ( f ) vout
Las funciones de transferencias entre cada una de las fuentes de ruido y la salida valen:
vout v
H ( s) = = out = ro1 || RD (1)
I n , M 1 I n , RD
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Considerada ideal en este ejemplo
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Problemas Propuestos
Calcular las fuentes de ruido equivalente a la entrada de los siguientes circuitos. Despreciar en
todos los casos el ruido Flicker, la resistencia drenador-fuente del modelo de pequeña señal y
el efecto sustrato del transistor (es decir, suponer en todos los casos gds = gmb=0). Suponer las
fuentes de corriente ideales y sin ruido.
2 1
Vm2,in ( f ) = 4kT
3 g m1 + g m 2
I n2,in ( f ) = 0
2
2 2 1 1 + g m RS
V n ,in ( f ) = 4kT + 4kTRS + 4kTRD
3 gm g m RD
I n2,in ( f ) = 0
2 1 1
Vn2,in ( f ) = 4kT + 4kT 2
3 gm g m RS
I n2,in ( f ) = 0
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2 1 1 1
2
V 2
( f ) = 4kT + + RS 1 +
n ,in
3 g m g m2 RF g m RF
I n2,in ( f ) = 0
2 1 2 1 + g m1 RS
2
V 2
( f ) = 4kT + RS + g m 2
n ,in
3 g m1 3 g
m1
I n2,in ( f ) = 0
2 1 1
Vn2,in ( f ) = 4kT + 2
3 g m1 g m1 RD
I n2,in ( f ) = 0
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2 1 2 1 1 1 1 1 + g m 2 RS
Vn2,in ( f ) = 4kT + + 2 + 2
3 g m1 3 g m 2 ( g m1 RS ) 2
g m1 RS g m1 RD g m 2 RS
I n2,in ( f ) = 0
1
2
2 1 + g m1 + S
R
2 1 1 1 2 R
Vn2,in ( f ) = 4kT + + RS 1 + + gm2
F
3 g m1 g m2 1 RF g m1 RF 3 g m1
I n2,in ( f ) = 0
2
2 2 2
1
Vn2,in ( f ) = 4kT gm1 + 1 + RS g m1 + 1 + 2 g m 2 1 + g m1 + 1 RS
3 RF RF 3
RF
gm1 + gm 2 1 + g m1 + 1 RS
R
F
I n2,in ( f ) = 0
2 1 1 2 1 + g m1RS
2
2 1
2
Vn2,in ( f ) = 4kT + + g m 2 + RS ( g m1 − g m 2 )
3 g m1 RD 3 g m1 (1 + g m 2 RS ) g m1 (1 + g m 2 RS )
I n2,in ( f ) = 0
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2 1 2 gm3 1
Vn2,in ( f ) = 4kT + 2
+ 2
3 g m1 3 g m1 g m1 RD
I n2,in ( f ) = 0
2 1 1
Vn2,in ( f ) = 4kT + RG + 2
3 g m1 g m1 RD
I n2,in ( f ) = ..........................
2
1 2 1 1
Vn2,in ( f ) = 4kT g m1 + +
g + 1 3 R1 RD
m1 R
1
I n2,in ( f ) = ...........................................
2
1 2 1 1
Vn2,in ( f ) = 4kT g m1 + +
−g + 1 3 RF RD
m1 R
F
I n2,in ( f ) = ...........................................
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