CONTENIDO:

1. INTRODUCCION.......................................................................................................................2
1.1. HISTORIA..........................................................................................................................2
Primera Generación - Bulbos o tubos de vacío.....................................................3
Segunda generación - Transistor de compatibilidad limitada...........................3
Tercera generación - Circuitos integrados (chips)...............................................4
Cuarta generación - Microcircuito integrado........................................................5
1.2. ESCALAS DE INTEGRACIÓN............................................................................................5
2. FABRICACION Y FUNCIONAMIENTO......................................................................................6
2.1. PUERTAS LÓGICAS..........................................................................................................6
Compuerta IF..............................................................................................................8
Compuerta NOT..........................................................................................................8
Compuerta AND..........................................................................................................9
Compuerta OR..........................................................................................................10
Compuerta NAND.....................................................................................................11
Compuerta NOR........................................................................................................11
Compuerta XOR........................................................................................................12
Compuerta XNOR.....................................................................................................13
2.2. USO DE PUERTAS LOGICAS Y DISEÑO DE CIRCUITOS..............................................13
Diseño semi-custom.................................................................................................14
Diseño MSI.................................................................................................................14
Diseño programable.................................................................................................15
Diseño full-custom...................................................................................................15
2.3. FAMILIAS LOGICAS........................................................................................................17
2.3.1 Familia DL (Diode Logic).......................................................................................18
2.3.2 Familias Bipolares..................................................................................................20
 Familia TTL.........................................................................................................21
 Familia ECL.........................................................................................................24
2.3.3 Familias MOS...........................................................................................................26
 Familia NMOS.....................................................................................................27
 Familia CMOS.....................................................................................................29
2.4. FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS...............................................................33
Crecimiento epitaxial o epitaxia..........................................................................36
Deposición en semiconductores............................................................................36
Oxidación...................................................................................................................36
Difusión Iónica..........................................................................................................37
Implantación iónica.................................................................................................37
Liitografía..................................................................................................................38
3. CODIGOS Y SIMBOLOS..........................................................................................................39
SIMBOLOS.........................................................................................................................42
4. NORMAS DE CALIDAD...........................................................................................................46
5. SITIOS DE FABRICACION Y COSTOS....................................................................................47
6. BIBLIOGRAFIA........................................................................................................................49

1
2 INTRODUCCION

Los circuitos integrados son la base fundamental del desarrollo de la electrónica en la

actualidad, debido a la tendencia a facilitar y economizar las tareas del hombre.

El desarrollo del circuito integrado (CI) parte de la invención del radiotransmisor y el

radiorreceptor; y en particular, el desarrollo del circuito integrado (CI) digital tiene
una estrecha relación con el desarrollo de la computación y la informática, ya que con
el paso del tiempo, el CI digital fue desarrollado específicamente para el cálculo y
ordenación de datos tan complejos como el cálculo de estructuras hasta la
automatización, todos estos, hechos gracias a las computadoras.

Por esto es fundamental el manejo del concepto de circuito integrado, no sólo por
aquellos que están en contacto habitual con este, sino también por las personas en
general, debido a que este concepto debe de quedar inmerso dentro de los
conocimientos mínimos de una persona.

Un circuito integrado es una pieza o cápsula que generalmente es de silicio o de algún

otro material semiconductor, que utilizando las propiedades de los semiconductores,
es capaz de hacer las funciones realizadas por la unión en un circuito, de varios
elementos electrónicos, como: resistencias, condensadores, transistores, etc.

2.3 HISTORIA
Fue el día 15 de febrero de 1946
que se presentó al público el
primer ordenador electrónico
denominado ENIAC (Computador e
Integrador Numérico Electrónico),
construida en la Universidad de
Pennsylvania por John Presper
Eckert y John William Mauchly.
Fue la primera computadora de
propósito general totalmente
digital, es decir, que ejecutaba
La primera computadora: ENIAC
sus procesos y operaciones
mediante instrucciones en lenguaje máquina, a diferencia de otras máquinas
computadoras contemporáneas de procesos analógicos.

2
La ENIAC ocupaba una superficie de 167 m², pesaba 27 ton y, físicamente, esta
máquina tenía 17.468 tubos de vacío, 7.200 diodos de cristal, 1.500 relés, 70.000
resistencias, 10.000 condensadores y 5 millones de soldaduras. Además requería
la operación manual de unos 6.000 interruptores, y su programa o software,
cuando requería modificaciones, tardaba semanas de instalación manual.
Este ordenador se usaba principalmente para calcular trayectorias de
proyectiles. Ya era posible calcular la potencia 5000 de un número de hasta 5
cifras en 1.5 segundos.
La ENIAC podía resolver 5000 sumas y 360 multiplicaciones en 1 segundo. Pero
entre las anécdotas estaba la poco promisoria cifra de un tiempo de rotura de 1
hora.
Uno de los mitos que rodea a este aparato es que la ciudad de Filadelfia, donde
se encontraba instalada, sufría de apagones cuando la ENIAC entraba en
funcionamiento, pues su consumo era de 160 kW. Esto no es cierto, ya que ésta
tenía un sistema aparte de la red eléctrica.

A las 23.45 del 2 de octubre de 1955, la ENIAC fue desactivada para siempre.

Fue a partir de este ordenador de grandes dimensiones, que se empieza a

desarrollar la tecnología de las computadoras, haciendo que los componentes y
circuitos de estas sean cada vez más pequeños.
Es así que son 4 las generaciones de computadoras a lo largo de la historia:

Primera Generación (1951-1958)

Bulbos o tubos de vacío
Las computadoras de la primera Generación emplearon bulbos para procesar
información. Los operadores ingresaban los datos y programas en código especial
por medio de tarjetas perforadas. El almacenamiento interno se lograba con un
tambor que giraba rápidamente, sobre el cual un dispositivo de lectura/escritura
colocaba marcas magnéticas. Generalmente estas computadoras de bulbos eran
de colosales proporciones y generaban más calor que los modelos
contemporáneos. Alto costo

Segunda generación (1959-1964)

Transistor de compatibilidad limitada
La invención del transistor como sustituto de la válvula termoiónica de tres
electrodos o tríodo hizo posible una nueva Generación de computadoras, más
rápidas, más pequeñas y con menores necesidades de ventilación. Sin embargo el

3
costo seguía siendo una porción significativa del presupuesto de una Compañía.
Las computadoras de la segunda generación también utilizaban redes de núcleos
magnéticos en lugar de tambores giratorios para el almacenamiento primario.
Estos núcleos contenían pequeños anillos de material magnético, enlazados entre
sí, en los cuales podían almacenarse datos e instrucciones.

Tercera generación (1964-1971)

Circuitos integrados (chips)
El primer Circuito integrado (CI) fue desarrollado en 1958 por el ingeniero Jack
Kilby pocos meses después de haber sido contratado por la firma Texas
Instruments. Se trataba de un dispositivo que integraba seis transistores en una
misma base semiconductora.
En el 1963, FAIRCHILD manufacturo un dispositivo llamado el 907 que contenía
dos compuertas lógicas, las cuales consistían en cuatro transistores bipolares y
cuatro resistores. El 907 también utilizo capas aislantes y estructuras internas,
las cuales son características comunes en los circuitos integrados modernos.
En 1967, FAIRCHILD introdujo un dispositivo llamado el micromosaico, el cual
contenía algunos cientos de transistores. La principal característica del
micromosaico era que los transistores no estaban conectados entre si. Un
diseñador usaba un programa de computadoras para especificar la unión pues se
el programa determinaba las interconexiones necesarias de los transistores y
construía las fotomáscaras requeridas para completar el dispositivo. El
micromosaico esta acreditado como puntero de los circuitos integrados de
aplicaciones específicas, y también como el primer dispositivo añadido con
aplicación real en el diseño de computadoras.
En 1970, FAIRCHILD introdujo la primera memoria RAM (Random Access Memory)
estática de 256 bits llamada 4100, mientras Intel anunciaba la primera RAM
dinámica de 1024 bits llamada 1103, en el mismo ano.
Así aparecieron computadoras que usaban ya circuitos integrados, que con el
tiempo se hacían más pequeños y poco a poco daban paso a una cuarta
generación de computadoras totalmente digitales. Algunas de las principales
características de un ordenador de esta época eran: menor consumo de energía,
apreciable reducción de espacio, mayor fiabilidad y flexibilidad del software y la
generalización de lenguajes de programación de alto nivel.

4
 Cuarta generación (1971 a la fecha)
Microcircuito integrado
Con los beneficios que aporto el uso de los circuitos integrados aparece el
advenimiento de los microprocesadores. Esto era evidente por si mismo por
numerosas razones, entre las cuales se encuentran el gran tamaño que tenían las
computadoras de la tercera generación, su alto precio, y lo tedioso o dificultoso
que era el utilizarlas.
Debido a que la tecnología de los circuitos integrados estaba en su etapa inicial y
todavía no era posible construir miles de transistores en un solo circuito
integrado hasta fines de los 60's y mediados de los 70's, las computadoras se
encontraban sumidas en un letargo hasta que aparecieron y se desarrollaron las
distintas escalas de integración.

2.4 ESCALAS DE INTEGRACIÓN

La complejidad de un CI puede medirse por el número de puertas lógicas que
contiene. Los métodos actuales de fabricación permiten construir CIs cuya
complejidad está en el rango de una a 10 5 o más puertas por pastilla. Es así que,
atendiendo a este nivel de integración, los circuitos integrados se clasifican en:
 SSI (Small Scale Integration). Pequeño nivel de integración, solo contienen un
máximo de 10 compuertas lógicas o 100 transistores y comprenden la época
de investigación de los IC's.
 MSI (Medium Scale Integration). Circuitos de media escala de integración, los
cuales contienen entre 10 y 100 compuertas lógicas o de 100 a 1000
transistores utilizados ya más comercialmente.
 LSI (Large Scale Integration). Estos contienen entre 100 y 1000 puertas lógicas
o de 1000 a 10000 transistores los cuales expandieron un poco el abanico de
uso de los IC's.
 VLSI (Very Large Scale Integration). Son circuitos que contienen mas de 1000
puertas lógicas o mas de 10.000 transistores, los cuales aparecen para
consolidar la industria de los IC's y para desplazar definitivamente la
tecnología de los componentes aislados y dan inicio a la era de la
miniaturización de los equipos apareciendo y haciendo cada vez mas común la
manufactura y el uso de los equipos portátiles.
 ULSI (Ultra Large Scale Integration). Circuitos con un número igual o mayor a
100 000 transistores por pastilla

5
 Las distintas necesidades existentes en cuanto al uso de CI's dieron origen a distintas
familias lógicas que cumplieron con las especificaciones de potencia, voltaje y
corriente de los circuitos que se diseñan en la actualidad. Por estas razones y otras
más surgieron distintas familias lógicas. Estas familias se clasificaron, dependiendo de
factores como el tipo de componente usado, aplicación del CI y material usado para
su construcción.

3 FABRICACION Y FUNCIONAMIENTO

A diferencia de otros componentes electrónicos, para entender la fabricación y las

aplicaciones de un CI, primero es necesario conocer un poco de la filosofía de
funcionamiento de un circuito integrado digital, para esto nos avocamos al concepto
de puertas lógicas.

3.3 PUERTAS LÓGICAS

Las puertas lógicas, también llamadas compuertas son una clase de dispositivos
electrónicos, conformados a partir de otros componentes electrónicos discretos,
y son la expresión física de los operadores booleanos. Generalmente, cuando
algún diseño electrónico requiere alguna compuerta lógica, no se la construye
componente a componente, sino que se recurre a circuitos integrados
especializados que contienen compuertas completas en su interior.
La electrónica digital, en contraposición con la electrónica lineal o analógica no
manipula señales continuas, sino que se centra en el proceso de señales
discretas, que solo poseen dos estados posibles. En las señales digitales la
amplitud varía rápida y discontinuamente de un límite al otro, sin que existan
(teóricamente) estados o fases entre esos dos límites posibles.
Estos limites representan estados lógicos altos o bajos (que a menudo se los toma
como “1” o “0” binarios), con una convención que fija que valores mínimos y
máximos corresponden a cada uno. A su vez, existen la lógica positiva y la lógica
negativa. En la primera se representa el “1” como un estado alto, y “0” con un
estado bajo (que incluso puede ser negativo). La lógica negativa hace coincidir el
“1” con un estado bajo, y el cero con uno alto.

6
Por ejemplo, si suponemos que nuestro sistema funciona con señales eléctricas
de 0 y 5 voltios, los limites para cada tipo de señal podrían ser los que muestra la
figura.

El algebra de Boole, denominada así por el matemático ingles George Boole, que
fue el primero en definir este sistema lógico a mediados del siglo XIX es la
herramienta matemática utilizada para el análisis de circuitos electrónicos
digitales. Boole utilizaba técnicas del algebra para tratar expresiones de la lógica
preposicional. Así es como en la actualidad el algebra de Boole se utiliza en
forma generalizada en el diseño electrónico. Fue Claude Shannon en 1938 quien
utilizo por primera vez circuitos de conmutación eléctrica biestables construidos
con interruptores y relés.
En la actualidad, todos los circuitos lógicos utilizados en los diseños electrónicos
se construyen a partir de componentes electrónicos discretos encapsulados en un
chip, generalmente agrupando varias compuertas del mismo tipo, aunque es
posible encontrar prácticamente cualquier función lógica que necesitemos. Los
elementos básicos de cualquier circuito digital son las compuertas lógicas.
Podemos considerar a cada compuerta como una caja negra, donde se ponen
valores en sus entradas, y el valor del resultado aparece en la salida. Para
representar todas las posibles combinaciones entre la(s) entrada(s) y la salida
usaremos “tablas de verdad”, que no son mas que una lista de todas las posibles
combinaciones de valores en las entradas, y que valor de la salida corresponde
en cada caso.
Veremos a continuación las siguientes: IF, NOT, AND, OR, NAND, NOR, XOR y
NXOR.

7
Compuerta IF (condicional SI)

Símbolo de la función IF: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

La puerta lógica IF (o SI, si utilizamos el castellano) realiza la función booleana

de la igualdad. Se simboliza mediante un triangulo, cuya base corresponde a la
entrada, y su vértice opuesto la salida (Fig. 1). Su tabla de verdad, que podemos
ver debajo, es también sencilla: la salida toma siempre el valor de la entrada.

En electrónica, generalmente se utilizan compuertas IF como amplificadores de

corriente (buffers en ingles), para permitir manejar dispositivos que tienen
consumos de corriente elevados desde otros que solo pueden entregar corrientes
débiles.

sa
Ecuación y tabla de verdad de IF

Compuerta NOT (función NO)

Símbolo de la función NOT: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

Esta compuerta presenta en su salida un valor que es el opuesto del que esta
presente en su única entrada. En efecto, su función es la negación, al igual que
la compuerta IF solo puede tener una entrada.

8
Se utiliza cuando es necesario tener disponible un valor lógico opuesto a uno
dado. La figura muestra el símbolo utilizado en los esquemas de circuitos para
representar esta compuerta, y su tabla de verdad.
Se simboliza en un esquema eléctrico en el mismo símbolo que la compuerta IF,
con un pequeño circulo agregado en su salida, que representa la negación.

sa
Ecuación y tabla de verdad de NOT

Compuerta AND (función Y)

Símbolo de la función AND: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

Esta compuerta realiza la función booleana de la multiplicación. Su salida será

un “1” cuando todas sus entradas también estén en nivel alto. En cualquier otro
caso, la salida será un “0”. El operador AND se lo asocia a la multiplicación, de la
misma forma que al operador SI se lo asociaba a la igualdad. En efecto, el
resultado de multiplicar entre si diferentes valores binarios solo dará como
resultado “1” cuando todos ellos también sean 1, como se puede ver en la figura
al final de la página. Matemáticamente se lo simboliza con el signo “x”.

Podemos pensar en esta compuerta como una lámpara en serie con la

alimentación y dos o mas interruptores. La lámpara se encenderá únicamente
cuando todos los interruptores estén cerrados. En este ejemplo, los interruptores
serian las entradas de la compuerta, y su estado seria “1” cuando están
cerrados. La salida estaría representada por la lámpara, cuyo estado “alto” o “1”
se asocia al encendido. Si alguna de las entradas (interruptores) esta en “0”
(interruptor abierto) no habrá circulación de corriente por lo tanto la salida
estará en “0” (lámpara apagada).

9
La tabla de verdad y el esquema de más abajo corresponden a una AND de 2
entradas, pero también existen compuertas AND de 3, 4 o mas entradas.

s  a b

Ecuación y tabla de verdad de AND

Compuerta OR (función Ó)

Símbolo de la función OR: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

La función booleana OR es la asociada a la suma, y matemáticamente la

expresamos como “+”. Esta compuerta presenta un estado alto en su salida (un
“1”) cuando al menos una de sus entradas también esta en alto. En los demás
casos, la salida será “0”.
Un circuito equivalente a esta compuerta seria una lámpara en serie con la
alimentación y con dos interruptores que esta en paralelo entre si. Nuevamente,
los interruptores serian las entradas, y la lámpara la salida. Si seguimos las
convenciones fijadas en el ejemplo visto al explicar la compuerta AND, tenemos
que si ambos interruptores están abiertos (“0”), la lámpara permanece apagada
(“0”). Pero basta que cerremos solo uno de los interruptores para que la lámpara
se encienda.
Al igual que en las compuertas AND, el numero de entradas puede ser mayor que
dos.

s  ab

Ecuación y tabla de verdad de OR

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Compuerta NAND (función NO-Y)

Símbolo de la función NAND: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

Esta compuerta es simplemente la negación de la compuerta AND. Se puede

pensar como una compuerta AND con una compuerta NOT a la salida. Esto
modifica su tabla de verdad, quedando que la salida solo será un “0” cuando
todas sus entradas estén en “1”. En la figura podemos ver su símbolo y su tabla
de verdad.
El pequeño círculo en su salida es el que simboliza la negación. El numero de
entradas debe ser como mínimo de dos, pero no es raro encontrar NAND de 3 o
mas entradas.

s  a b  a  b

Ecuación y tabla de verdad de NAND

Compuerta NOR (función NO-Ó)

Símbolo de la función NOR: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

De forma similar a la compuerta NAND, una NOR es la negación de una

compuerta OR, obtenida agregando una etapa NOT en su salida.
Como podemos ver en su tabla de verdad, la salida de una compuerta NOR es “1”
cuando todas sus entradas son “0”.
Las compuertas NAND y NOR obedecen a las “Leyes de Morgan” en lógica de
conjuntos

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Igual que en casos anteriores, la negación se expresa en los esquemas mediante
un círculo en la salida. El número de entradas puede ser mayor a dos.

s  a  b  a b

Ecuación y tabla de verdad de NOR

Compuerta XOR (función O-exclusivo)

Símbolo de la función XOR: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

La compuerta OR vista anteriormente realiza la operación lógica correspondiente

al “O” inclusivo, es decir, una o ambas de las entradas deben estar en “1” para
que la salida sea “1”. Un ejemplo de esta compuerta en lenguaje coloquial seria
“Mañana iré de compras o al cine”. Basta con que vaya de compras o al cine para
que la afirmación sea verdadera. En caso de que realice ambas cosas, la
afirmación también es verdadera. Aquí es donde la función XOR difiere de la OR:
en una compuerta XOR la salida será “0” siempre que las entradas sean distintas
entre si. En el ejemplo anterior, si se tratase de la operación XOR, la salida seria
“1” solamente si fuimos de compras o si fuimos al cine, pero “0” si no fuimos a
ninguno de esos lugares, o si fuimos a ambos.
Esta característica, hace que la compuerta XOR sea útil para efectuar sumas de
números, como en el caso de las calculadoras.

s  a b  a b

Ecuación y tabla de verdad de XOR

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 Compuerta XNOR (función NO-Ó-exclusivo)

Símbolo de la función XNOR: a) contactos, b) normalizado y c) no normalizado

No hay mucho para decir de esta compuerta, como se puede deducir de los casos
anteriores, una compuerta NXOR no es mas que una XOR con su salida negada. La
tabla de verdad de una compuerta de este tipo con dos entradas, y su
correspondiente esquema se pueden ver en la figura.

s  a b  a b
 ab  a b
Ecuación y tabla de verdad de XNOR

3.4 USO DE PUERTAS LOGICAS Y DISEÑO DE CIRCUITOS

Si nos atenemos al esquema de la “caja negra” mencionado antes, no es
demasiado complicado combinar entre si diferentes compuertas, aplicando a las
entradas de unas las salidas de otras, para lograr desarrollar absolutamente
cualquier tabla de verdad que necesitemos.

Así, por ejemplo, vamos a considerar el diseño del sistema mostrado en la figura.

Esquema de una línea de montaje

Se trata de un sistema que opere sobre el estado de operación de una línea de

montaje que dispone de dos sensores: peso en la cinta (A), y fin de la cinta (B).

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El sistema debe ser tal que los motores deben actuar siempre y cuando haya algo
en la cinta. La función de conmutación que cumpla estas especificaciones puede
ser la mostrada en la misma figura, es decir, exista un peso sobre la cinta (A=1) y
no haya llegado al final (B=0).

El problema de la obtención de un circuito que implementa la función de

conmutación dada sí tiene unas metodologías bien establecidas. La realización de
esta parte depende de los elementos con los que se implemente el circuito.
Podemos distinguir los siguientes tipos de diseño:
 Diseño semi-custom.- Los bloques que disponemos serán puertas lógicas
existentes en alguna librería disponible.
En el diseño semi-custom, podemos distinguir entre implementaciones en dos
niveles o multiniveles, donde los niveles son el número máximo de puertas
que están conectados en cascada (en los niveles no se suelen contar los
inversores de entrada). La implementación en dos niveles es del tipo de suma
de productos o de producto de sumas; en cambio, la implementación
multinivel corresponde a una fórmula compleja en las que las operaciones
AND y OR aparecen mezcladas.
 Diseño MSI (Medium Scale Integration).- Los bloques combinacionales que se
suelen utilizar en este tipo de diseño suelen contar con tres tipos de señales:
señales de control (ya que el bloque tiende a tener más de una operación,
seleccionándose la función deseada con estas señales entre otras cosas),
señales de entrada de datos y señales de salida de resultados.
Un símbolo de un bloque MSI genérico se puede ver en la figura.

14
 En estos bloques, los operandos suelen tener más de un bit, luego al operando
se suele representar por una palabra, es decir, el número de bits que tiene un
operando. La forma de representar esta situación consiste en utilizar una
línea de trazo grueso para las palabras; y en el caso de que se quiera
identificar el número de bits de la palabra, a la línea anterior se le cruza una
línea oblicua encima de la cual aparece este tamaño.
 Diseño programable.- Un dispositivo programable, genéricamente PLD
(Programmable Logic Device), se puede definir de la siguiente forma:
Un PLD es aquel dispositivo cuya tabla de verdad puede
ser modificada sin alterar el conexionado interno de
los elementos que los forman.

Es decir, contiene una serie de elementos lógicos (por lo general puertas AND,
OR e inversores) que pueden configurarse en cualquier función lógica
soportada (generalmente limitada al número de entradas y salidas).
Los dispositivos programables se pueden clasificar dependiendo su
funcionalidad. Estos dispositivos pueden ser:
 Universales.- pueden implementar cualquier función lógica con un
determinado número máximo de entradas y salidas.
 No universales.- solamente se pueden implementar algunas funciones de
interés general.
 Diseño full-custom.- No se dispondrá de ningún bloque ni librerías, sino que
todos los elementos necesarios, simples o complejos, deberán ser generados
por el diseñador.

Siempre es posible obtener determinadas condiciones de salida para unas

entradas dadas, utilizando compuertas digitales. Por supuesto, existen
mecanismos para evitar el uso de compuertas innecesarias, todo esto dentro de
los tipos de diseño.
Como mencionamos antes, las compuertas son parte de los circuitos integrados y
estos a su vez, se encuentran especificados dentro de familias lógicas de los
chips, agrupados por sus características eléctricas. En general, los miembros de
una misma familia comparten entre si la tecnología con la que están construidos,
lo que determina también su velocidad máxima de conmutación, que voltaje
corresponde al “0” y “1” lógicos, cuantas compuertas se pueden conectar en la
salida de una dada, potencia disipada por compuerta, etc.

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Todos estos parámetros hacen que normalmente no se puedan mezclar en un
mismo circuito electrónico chips de diferentes familias, aunque hay excepciones.
Las dos familias más comunes son la CMOS y la TTL. En ambas familias existen
chips conteniendo todas las compuertas que estudiamos, y muchas
combinaciones de ellas, además de otros elementos que veremos son útiles
(¡indispensables!) a la hora de diseñar un circuito de electrónica digital.

El chip 7400 contiene

cuatro puertas NAND. Los
dos conectores adicionales
son: conexión a fuente (+5
V) y masa o tierra (0 V)

Diagramas de conexión de puertas lógicas

16
3.5 FAMILIAS LOGICAS
Una vez que hemos visto la manera de analizar y diseñar sistemas lógicos a partir
de circuitos lógicos combinacionales, el siguiente paso es estudiar cómo podemos
construir las puertas básicas a partir de elementos de circuitos Estos elementos
van a ser principalmente dispositivos semiconductores. No obstante no hay que
olvidar que no siempre se han fabricado de esta forma, es mas, el principio de la
Electrónica Digital empezó con el descubrimiento de los relés y tubos de vacío.
Cuando el diseñador implementa las puertas (a medida) que necesita para su
diseño se dice que ha realizado un diseño full-custom. Estas puertas estarán
diseñadas utilizando elementos de circuitos, principalmente transistores. En este
diseño no nos tenemos que limitar a utilizar las puertas típicas, sino que
podemos crear las puertas lógicas que necesitemos. Un ejemplo de puerta que no
suele estar disponible es la que tiene como fórmula:
F  A B  C

A partir de los transistores, podemos crear una puerta lógica que tenga dicha
funcionalidad, sin tener que utilizar una puerta AND y una puerta OR.

A la hora de construir las puertas lógicas, un criterio ampliamente seguido

(realmente en cualquier disciplina, no solo en Electrónica) es el criterio de
uniformidad, es decir, las diferencias entre las diferentes puertas lógicas deben
reducirse a las mínimas. Este criterio es la base de la definición de familia
lógica,
Una  familia lógica se puede definir como la estructura
básica   a   partir   de   la   cual   se   pueden   construir   las
puertas lógicas.

En esta estructura estarán involucrados tanto los componentes que entran en

juego, así como sus valores (ya que si cambiamos estos valores, pasaremos a otra
familia diferente), ya que los parámetros van a depender de estos.
Al centrarnos en circuitos digitales, no debemos perder de vista que las señales
sólo pueden tomar dos valores diferentes. Por lo tanto, los elementos principales
de estas familias lógicas deben tener como mínimo dos regiones de operación
bien diferenciadas. Esta situación nos lleva a la utilización de dispositivos

17
semiconductores, aunque en los principios se utilizaron válvulas y conmutadores
eléctricos (que presentaban un comportamiento similar).
Una posible clasificación de estas familias, según los dispositivos
semiconductores en los que se basan, es:

 Familia DL (Diode Logic), familia ya en desuso, usaban diodos

 Familias bipolares, los cuales emplean transistores bipolares y diodos, es
decir, dispositivos de unión. Las familias bipolares más representativas son las
familias TTL y ECL.
 Familias MOS (metal oxide semiconductor). Emplean transistores MOSFET,
es decir, transistores de efecto de campo. Las familias MOS más
representativas son las familias NMOS y CMOS.

A continuación, se explicara detalladamente cada familia.

3.5.1 Familia DL (Diode Logic)

De forma previa al estudio de las familias actuales, se va a realizar el estudio
de la familia DL, ya en desuso pero muy simple. Esta familia se basa en
diodos, a los que se unen resistencias para evitar la destrucción de estos. Un
modelo de operación de un diodo se muestra en la figura, pudiendo
distinguirse dos zonas de operación:

Símbolo y característica del diodo

 Conducción u ON, en la que su tensión es de V

 Corte u OFF, en la que la intensidad a través de él se puede considerar
nula.

18
 Podemos apreciar otra zona, denominada de ruptura, en la que el diodo
se convierte en un cortocircuito, que debe ser evitada. Para no llegar
nunca a esta zona, se utilizan las resistencias a las que hacíamos mención
anteriormente.

Una puerta de una sola entrada de la familia DL, junto a su modo de

operación se muestra en la figura. La operación de esta puerta es la
siguiente, pero no nos podemos olvidar de que los valores de tensión estarán
entre los niveles de tierra (‘0’ ≡ 0v.) y de polarización (‘1’ ≡ 5v.).

Esquema y tabla de verdad de una compuerta construida con lógica DL

 Cuando en la entrada tenemos un ‘0’, la tensión que hay en el diodo será

de 0v. o menor, por lo que el diodo estará en corte. En esta situación, la
intensidad será 0, y por lo tanto, la tensión que cae en la resistencia
también será 0. Luego en la salida tendremos directamente la tensión de
tierra, es decir, 0v. o ‘0’.

 Cuando en la entrada tenemos un ‘1’, la tensión que hay en el diodo es

positiva, por lo que estará en conducción. En esta situación, la tensión que
cae en el diodo es la de conducción, es decir, V . Luego en la salida
tendremos VDD  V . En la tabla inferior mostramos los principales
parámetros de tensión. En este caso los parámetros de intensidad deberán
tomar los valores suficientes para que el diodo no entre en su zona de
ruptura.

Parámetros de tensión típicos de la familia lógica DL.

19
3.5.2 Familias Bipolares
Las familias bipolares son aquellas basadas en los transistores de unión o
bipolares. Estos transistores se pueden clasificar en dos tipos, según las
uniones semiconductoras: npn y pnp. En la figura de abajo se muestran las
uniones, símbolos y su representación como diodos. De estos dos tipos de
transistores, los más empleados son los transistores npn ya que presentan una
ganancia mayor, y por lo tanto serán los más rápidos.
Debido a la aparición de dos diodos en cada transistor, estos transistores
mostraran cuatro zonas de operación (las combinaciones de las diferentes
zonas de cada diodo). En la figura se muestran dichas zonas y sus principales
propiedades.

Uniones, símbolos y representación con diodos de transistores bipolares.

 Zona de corte. El transistor se comporta como un circuito abierto, por lo

que no circula intensidad por ninguno de sus terminales. En esta zona los
dos diodos se encuentran cortados.
 Zona activa directa, u zona ohmica. El transistor se comporta como un
amplificador de intensidad desde la base hasta el colector. En este caso,
el diodo base-emisor está conduciendo, mientras que el base-colector está
cortado.
 Zona activa inversa. Es una zona parecida a la anterior, pero cambiando
los terminales de emisor y colector. La principal diferencia (aparte de la
anterior) es que la amplificación es sustancialmente menor.
 Zona de saturación. El transistor se comporta como un cortocircuito entre
el colector y el emisor, que debido a las diferencias geométricas de ambas
uniones mantiene una pequeña tensión. En esta zona los dos diodos se
encuentran conduciendo.

20
 Zonas de operación de los transistores bipolares.

De estas cuatro zonas, sólo nos interesará que los transistores estén en dos de
ellas: corte y saturación, que son las más parecidas a las zonas del diodo. Por
lo tanto, para la correcta operación de las puertas lógicas debemos evitar las
otras zonas (activa directa y activa inversa), excepto en los casos que sean
necesarias.
Una vez que se ha descrito brevemente el transistor bipolar, así como sus
diferentes zonas de operación, vamos a describir las principales familias
bipolares: familia TTL y familia ECL.
Familia TTL (Transistor – Transistor Logic)
Esta familia es una de las más empleadas en la construcción de dispositivos
MSI. Está basada en el transistor multiemisor. Este transistor es un transistor
con varios emisores, una sola base y un solo colector. En la figura mostramos
el símbolo de este transistor, su representación en transistores con un solo
emisor y su forma de operación:

Símbolo y forma de operación de un transistor multiemisor.

21
Un esquema típico de una puerta TTL se muestra en la figura 7.9, junto con
su tabla de funcionamiento (donde también se indica la zona de operación de
los diferentes transistores).
El funcionamiento de la puerta es el siguiente: Debido a que la intensidad de
base de un transistor bipolar es muy pequeña, en primera aproximación
podemos decir que es nula por lo que la base del transistor T1 siempre está
conectado a polarización. Cuando cualquiera de las entradas se encuentra en
un nivel bajo, el transistor T1 se encontrará en la región de saturación, ya
que la unión BE está conduciendo y la unión BC siempre está directamente
polarizada, lo cual provocará que la base del transistor T2 tenga una tensión
de 0.4 v (0.2v de la caída entre colector y emisor y 0.2v del nivel bajo, como
ya veremos). Esta situación provoca que dicho transistor esté cortado. Al
estar T2 cortado, la tensión de base de T3 ser. 0, lo cual implica que T3
también está cortado. En cambio, el transistor T4 estará en zona activa
directa o en saturación (dependiendo de los valores de las resistencias R2 y
R4), que provocará que el diodo conduzca colocando en la salida un nivel
alto.
Cuando todas las entradas se encuentren a nivel alto, el transistor T1 estará
en la zona activa inversa, ya que la unión BE esté cortada y la unión BC esté
conduciendo. Esta situación provoca que la tensión de base del transistor T2
sea aproximadamente de 1.4 v., llevando a dicho transistor a saturación. Por
lo tanto, el transistor T3 estará igualmente saturado y en la salida se colocar.
un nivel bajo. En cambio, el transistor T4 se encontrará en zona activa
directa, pero el diodo no conducir., desconectando la salida de la tensión de
polarización.

Esquema y tabla de verdad de una puerta lógica construida con lógica TTL.

22
Así, los niveles de tensión y márgenes de ruido de esta familia, de forma
aproximada, son los mostrados en la tabla. La obtención de estos valores se
puede desprender de la tabla de operación de los transistores de la figura.
VOL  VCE SAT  3  0,2 v
VOH  VDD  VBE SAT  4  VD  ON  3,8 v

 VIH es la tensión para que el transistor T1 salga de zona activa inversa.

 VIL es la tensión para que el transistor T1 salga de saturación.

Parámetros de tensión de la familia lógica TTL.

En la figura anterior, la zona punteada corresponde a la etapa de salida de la

puerta. Esta etapa no es única, sino que existen varios tipos de etapas de
salida. Entre estos tipos, podemos encontrar:

 la salida totem-pole,
 la salida con carga resistiva
 y la salida en colector abierto (siempre hay que conectarle una carga a la
salida) mostradas en la figura 7.10:
Como pudimos ver en el primer ejemplo, la lógica de esta familia es negada,
es decir, la salida siempre está complementada. También podemos apreciar
que la utilización de un transistor multiemisor genera la operación AND de los
emisores. También podemos generar operaciones OR de los términos
producto. Luego, con la familia TTL sólo podemos generar las siguientes
estructuras:
 Inversores  AND – inversor  AND-OR – inversor

Estas estructuras se muestran en la figura:

23
 Diferentes etapas de salida de la familia lógica TTL.

Diferentes estructuras posibles con la familia TTL.

Familia ECL (Emitter Coupled Logic)

La familia ECL se basa en un amplificador diferencial. Para que el retraso de
esta familia sea mínimo, se impone la restricción de que los transistores del
amplificador trabajen en los límites de Z.A.D. - corte y Z.A.D. - saturación.
Este hecho implica que la diferencia de tensión que tenga que soportar sea
mínima. Esta situación tiene tres implicaciones básicas:
 niveles de tensión altos y bajos cercanos (que le proporciona una alta
velocidad)
 incompatibilidad con otras familias lógicas

24
 disposición de salidas diferenciales, es decir, tanto de la salida
complementada como sin complementar.
El esquema de una puerta lógica ECL, junto a su tabla de comportamiento (en
la que se ha incluido la zona de operación de sus transistores y los límites de
los transistores de amplificación), se muestran en la figura:

Esquema y tabla de verdad de una puerta construida con lógica ECL.

El funcionamiento de la puerta es el siguiente. Los niveles lógicos estarán

alrededor de la tensión VREF , luego la intensidad que pasará por la
resistencia R EE será Aproximadamente constante e igual a:
 VREF  V 
IEE 
R EE

Cuando en la entrada existe un nivel bajo (una tensión menor que VREF ), el
transistor T1 estará en el límite de corte mientras que el T2 estará en el
límite de saturación. Por lo tanto, toda la intensidad pasará a través de T2.
Así los valores de tensión en los colectores de T1 y T2 serán VCC y
VCC  IEE  R C , respectivamente. Podemos apreciar que estos valores
dependen en gran medida de la intensidad, y por lo tanto el fan-out tiene una
gran influencia. Para reducir esta influencia y aumentar este fan-out,
necesitaremos unas etapas de salida, formadas por las parejas de los
transistores T3 y T4 con sus respectivas resistencias. Los transistores T3 y T4

25
 siempre estarán en zona activa directa suministrando la intensidad necesaria
y desacoplando la función lógica del resto del circuito. Por lo tanto, la señal
F ' tendrá un nivel alto ( VCC  VBE ON ), y la señal F tendrá un nivel bajo (
VCC  VBE ON  IEE  RC ).
Cuando en la entrada existe un nivel alto, la operación es similar cambiando
el transistor T1 por el T2.
Así, los niveles de tensión y márgenes de ruido de esta familia, de forma
aproximada, se muestran en la tabla 7.3. Los valores de VREF, RC y REE se
establecen para que dichos valores se encuentren cerca de la mitad de los
raíles de polarización.

Parámetros de tensión de la familia lógica ECL.

Para mantener las anteriores condiciones de operación, en una sola puerta

ECL únicamente se pueden implementar las siguientes operaciones:
 inversión/seguimiento
 operación NOR/OR
tal como podemos ver en la siguiente figura:

Posibles estructuras que se pueden construir con la familia ECL.

3.5.3 Familias MOS

Las familias MOS son aquellas que basan su funcionamiento en los transistores
de efecto de campo o MOSFET. Estos transistores se pueden clasificar en dos
tipos, según el canal utilizado:
NMOS y PMOS. En la figura se muestran su estructura y varios símbolos:

26
 Representación y símbolos de los transistores MOSFET.

El transistor MOS se puede identificar como un interruptor controlado por la

tensión de puerta, VG, que determinará cuando conduce y cuando no. En la
figura de abajo se describe la operación de estos transistores como
interruptores.

Zonas de operaci.n de los transistores MOSFET.

Al igual que sucedía con los transistores bipolares, los transistores PMOS
muestran una ganancia menor que los NMOS, por lo que estos últimos
predominan en la generación de las familias.

Familia NMOS (n-metal oxide semiconductor)

Semiconductor de tipo n del oxido de metal. La familia NMOS se basa en el
empleo únicamente de transistores NMOS para obtener la función lógica. Un
esquema de esta familia se muestra en la figura:

27
 Esquema y tabla de verdad de un puerta construida con lógica NMOS.

El funcionamiento de la puerta es el siguiente. Cuando la entrada se

encuentra en un nivel bajo, el transistor NMOS estará en su zona de corte. Por
lo tanto, la intensidad que circulará por el circuito ser. nula y en la salida se
encontrará la tensión de polarización, es decir, un nivel alto.
Cuando la entrada se encuentra en un nivel alto, el transistor estará
conduciendo y se comportará aproximadamente como un interruptor. Por lo
tanto, en la salida estará un nivel bajo.
En este caso la resistencia actúa de pull-up de la estructura. Vamos a
introducir dos nuevos conceptos, que aunque no son exclusivos de las familias
MOS, s. son muy empleados en este tipo de circuitos.
El pull­up es el dispositivo que suministra el nivel
alto (conecta la tensión de polarización a la salida)
Mientras   que   el   pull­down   suministra   el   nivel   bajo
(conecta la tierra).

Existen diferentes tipos de pull-up, como puede ser la resistencia, transistores

de deplexión o transistores saturados, mostrados en la figura:

Diferentes tipos de pull-up de la familia lógica NMOS.

En la familia NMOS se puede construir cualquier función arbitraria siempre y

cuando se mantengan las limitaciones tecnológicas (que suelen traducirse en
la conexión en serie de un número máximo de transistores). Para formar
cualquier función, las estructuras son las siguientes:

28
 la conexión en paralelo de dos transistores (o grupo de ellos) actúa como
una puerta OR,
 la conexión en serie de dos transistores (o grupo de ellos) actúa como una
puerta AND.
No obstante, hay que tener en cuenta que esta familia (al igual que la TTL)
siempre devuelve el complemento de la función. Algunos ejemplos de puertas
complejas se muestran en la figura:

Ejemplos de puertas l.gicas NMOS.

Familia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

Semiconductor complementario del óxido de metal. Esta familia basa su
operación en la utilización de los transistores NMOS y PMOS funcionando como
interruptores, de tal forma que los transistores NMOS suministran el nivel bajo
(ya que no se degrada con la tensión umbral) y los transistores PMOS
suministran el nivel alto (ya que no se degrada con la tensión umbral).
Una puerta construida con la familia CMOS solamente estará formada por
transistores, como se muestra en la figura:

Esquema y tabla de verdad de un puerta construida con lógica CMOS.

29
El funcionamiento de la puerta es el siguiente. Cuando en la entrada hay un
nivel bajo, el transistor T1 estará cortado mientras que el T2 estará
conduciendo. Por lo tanto, el transistor T2 colocará en la salida un nivel alto
(que será directamente el nivel de polarización), y el transistor
T1 evitará el paso de corriente por lo que no consume potencia en estática,
sólo en el transitorio.
Cuando en la entrada hay un nivel alto, el transistor T2 estar. cortado
mientras que el T1 estará conduciendo. Por lo tanto, el transistor T1 colocara
en la salida un nivel bajo (que será directamente el nivel de tierra), y el
transistor T2 evitará el paso de corriente por lo que no consume potencia en
estática, sólo en el transitorio.
En el caso de la familia CMOS, al igual que en la NMOS, se puede construir
cualquier fórmula compleja. En el caso de los transistores NMOS, se
construyen igual que en la familia NMOS, pero en los transistores PMOS es la
función inversa. Es decir:
¥ la conexión en paralelo forma una operación AND,
¥ mientras que la conexión en serie forma una operación OR.
Se tiene que verificar que ambas ramas (de transistores NMOS y PMOS)
generan la misma función lógica. Este hecho implicará que el nodo de salida
siempre estará conectado a un solo nivel lógico, es decir, al nodo de
polarización (nivel alto) o al nodo de tierra (nivel bajo). En el caso de que no
se cumpla dicha restricción, podemos encontrarnos en dos situaciones
diferentes:
¥ Que el nodo de salida está conectado a la tensión de polarización y al nodo
de tierra de forma simultanea. Esta situación no se debe permitir nunca, ya
que el valor lógico de salida seria indeterminado.
¥ Que el nodo de salida no está conectado a ningún nodo, ni a tensión de
polarización ni a tierra. Esta situación es problemática porque dejáramos la
salida en alta impedancia y cualquier dispositivo parasito podría alterar el
valor lógico.

30
 Por lo tanto, algunos ejemplos de funciones complejas construidas en la
familia CMOS se muestran en la figura:

Ejemplos de puertas l.gicas CMOS.

Por .último, vamos a ver como sería la implementación de una función utilizando
las diferentes familias lógicas.

La función elegida es la función exclusiva OR de dos entradas. Debido a la

diferencia de operaciones que se puede implementar por cada una de las
familias, las formulas no podrán ser las mismas. También debido a la salida
complementada de las funciones, y para utilizar el número mínimo de puertas,
vamos a implementar la función negada. De esta forma, en la salida tendremos
la función sin negar. Las diferentes fórmulas utilizadas serán las siguientes:

 TTL --> F  A  B  A  B

 ECL --> F   A  B  '   A ' B'  '

 NMOS --> F  A  B  A  B

 CMOS --> F  A  B  A  B

Luego las puertas se muestran en la figura:

31
Implementación de la función exclusiva-OR en las familias TTL, ECL, NMOS y CMOS respectivamente.
Notar que debido a la función implementada, en la implementación CMOS, la conexión en paralelo de los
transistores PMOS podría eliminarse.

32
3.6 FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS
Fabricar un circuito integrado es un proceso complejo y en el que intervienen
numerosas etapas. Cada fabricante tiene sus propias técnicas que guardan como
secreto de empresa, aunque las técnicas son parecidas.

Los dispositivos integrados pueden ser tanto analógicos como digitales, aunque
todos tienen como base un material semiconductor, normalmente el silicio.

En la siguiente figura se muestra detalladamente el proceso de fabricación de un

transistor MOS (MOSFET). No es la única forma de hacerlo, pero es un proceso
típico:

1. Se parte de la oblea de material semiconductor.

2. Se hace crecer una capa de óxido (zona rallada) que servirá como aislante.
3. Se deposita un dieléctrico como el nitruro (capa roja) que servirá como
máscara, también se podía usar simplemente el óxido anterior como máscara,
depende del grosor y de los procesos siguientes.
4. Se deposita una capa de resina sensible a la radiación (capa negra),
típicamente a la radiación luminosa. Se hace incidir la luz para cambiar las
características de la resina en algunas de sus partes. Para ello sirven de ayuda
las máscaras hechas antes con herramientas CAD.
5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y
otras permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se podía haber hecho junto
al anterior.
7. Implantación iónica a través del óxido.
8. Se crean las zonas que aislaran el dispositivo de otros que pueda haber cerca
(zonas azules).
9. Se crece más óxido, con lo que éste empuja las zonas creadas antes hacia el
interior de la oblea para conseguir un mejor aislamiento.
10. Eliminación del nitruro y parte del óxido.
11. Se hace crecer una fina capa de óxido de alta calidad que servirá de óxido de
puerta al transistor.
12. Deposición de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos
fotolitográficos análogos a los vistos en los puntos 1 al 5. Este polisilicio será
el contacto de puerta del transistor.

33
13. Atacado del óxido para crear ventanas donde se crearán las zonas del
drenador y surtidor. El polisilicio anterior servirá de máscara al óxido de
puerta para no ser eliminado.
14. Implantación iónica con dopantes que sirven para definir el drenador y el
surtidor. El polisilicio vuelve a hacer de máscara para proteger la zona del
canal.
15. Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante (zona gris).
17. Mediante procesos fotolitográficos como los vistos antes se ataca parte del
óxido.
18. Se deposita una capa metálica que servirá para conectar el dispositivo a
otros.
19. Se ataca de la forma ya conocida el metal (capa azul oscuro) para dejar
únicamente los contactos. El contacto de puerta no se muestra en la figura
porque es posterior al plano que se muestra.
resina
nitruro

oxido

Pasos para fabricar un CMOS

34
Una vez que se diseñan los transistores se hace el juego de máscaras de las
metalizaciones que es la forma de conectar los transistores para formar
estructuras más complicadas, como puertas lógicas.

En la siguiente figura se puede ver el juego de máscaras de una Puerta OR de dos

entradas. El diseño es CMOS.

Las líneas azules ralladas son metalizaciones

Las líneas rojas son polisilicio

Las zonas amarillas y verdes con puntos son zonas p+ y n+ respectivamente

Las líneas azules sin relleno delimitan zonas n

Junto a cada transistor se especifican las dimensiones de su canal. El diseño

cumple las reglas CN20.

Layout de una Puerta OR con el programa LASI

35
Algunos procesos que pueden intervenir en la fabricación de circuitos integrados
son:

El crecimiento epitaxial o epitaxia. Consiste en que a partir de una cara de un

cristal de material semiconductor se hace crecer un substrato con la misma
estructura cristalina. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy
precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su
carácter (n o p). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto
de fusión y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse,
recristalice con la estructura adecuada.

Deposición en semiconductores. Es el proceso por el que se crea una nueva

capa de un material sobre una oblea de semiconductor. La ventaja de esta
técnica es que al crear capas nuevas no afecta mucho a las ya existentes.
Los materiales depositados pueden ser:
Entre los dieléctricos tenemos:
 óxidos  nitruros

Los conductores depositados pueden ser:

 metales  polisilicio

Otros materiales que se pueden depositar: por ejemplo la fotoresina

El proceso se suele realizar en un horno a alta temperatura y presión controlada.

Por medio de los gases que se introducen en el horno se logra una reacción
química de la que se obtiene el nuevo material.

La oxidación. Es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos

integrados.
Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del
sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad.
La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la
oxidación puede ser:
Si  2H2 O  SiO 2  2H2
Si  O 2  SiO 2

La primera es la oxidación húmeda y la segunda oxidación seca, ésta crea óxido

de más calidad aunque es más lenta.
Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo óxido de
puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo), como

36
máscara en otros procesos (implantación, difusión...), para separar dos capas de
materiales conductores, etc.

Difusión Iónica. En la fabricación de circuitos integrados uno de los procesos es

la difusión. Era una técnica muy empleada en los años ’70 para definir el tipo (n
o p) de un semiconductor. Hoy en día también se usa aunque de forma diferente.
Consiste en la inserción de átomos dopantes dentro del semiconductor debido a
la alta temperatura a que éste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la
concentración de dopantes que disminuye monótonamente
El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar
pasar a través de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del
horno es de 800 a 1200ºC para el Si (Silicio) y de 600 a 1000ºC para el GaAs
(Arseniuro de galio).

Las impurezas que se emplean para el Si son:

 P (Fósforo) y As (Arsénico) para crear semiconductores tipo N.
 B (Boro) para semiconductores tipo P.

Hay dos tipos de difusión:

 Por concentración constante en superficie: Se mantiene constante la
concentración de impurezas en la superficie del semiconductor y desde ahí
son difundidas al interior.
 Por concentración constante total: se deposita la cantidad final de impurezas
en la superficie de la oblea y desde ahí se difunden.

La implantación iónica en los semiconductores consiste en incrementar la

energía de ciertos iones hasta varios miles de electrón-voltios (eV) para ser
disparados contra la superficie del semiconductor. Estos iones recorren una
distancia dentro del semiconductor antes que quedar incrustados en su
estructura cristalina.
El objetivo que pretende este proceso es similar al de la difusión aunque este
tiene como ventajas una mayor precisión, repetitividad y sobre todo que se
realiza a una temperatura más baja. Por el contrario presenta una menor
penetración en la oblea de semiconductor.

Las sustancias que se suelen usar en la implantación sobre el silicio son:

 P (Fósforo) y As (Arsénico) para crear semiconductores tipo n.

 B (Boro) para semiconductores tipo p.

37
Otros procesos asociados a la implantación son
 La creación de máscaras para definir las regiones donde se implantará y en
las que no.
 La parada de los iones debido a la interacción con los átomos del
semiconductor.
 La canalización de los iones en la estructura cristalográfica.

La litografía es un procedimiento apto para transferir imágenes con una

resolución de unas pocas millonésimas de milímetro, en la escala que los físicos
llaman "mesoscópica" (se refiere a casi – microscópica) y consta de los siguientes
pasos:
1. Se cubre la superficie sobre la cual se transferirá la imagen con una película
delgada de un material sensible a la radiación. Estos reaccionan a la dosis de
radiación cambiando su estructura molecular.
2. Se proyecta la imagen deseada sobre esta película delgada haciendo pasar la
radiación —el haz de electrones— a través de una máscara.
3. Se realiza un proceso de revelado que se basa en la siguiente propiedad: en
cierto tipo de solvente, los polímeros más cortos —o de peso molecular menor
— son más solubles. Por lo tanto, durante el revelado, la zona que recibió la
radiación se disuelve más fácilmente que la zona no irradiada.
4. A continuación, se procede a depositar el material deseado sobre toda la
superficie.
5. Finalmente, al remover los restos de la película, se obtiene la imagen sobre el
sustrato o superficie inicial.

En el caso de la litografía óptica, se emplea una resina sensible a la luz. En

cambio, en la litografía electrónica, se reemplaza la luz por un haz de
electrones y los materiales que se utilizan son polímeros, moléculas idénticas
que forman una larga cadena. La ventaja de tal procedimiento se debe a que la
longitud de onda de los electrones es bastante menor que la longitud de onda de
la luz, lo que permite una menor difracción y, como consecuencia, una mayor
definición.

38
4 CODIGOS Y SIMBOLOS
Para localizar bases de datos (datasheet) de un circuito integrado en Internet o en
manuales, puede ser de gran utilidad conocer el fabricante del mismo. Esta lista,
indica los posibles fabricantes de circuitos integrados por medio de los primeros
caracteres (prefijo) de la identificación del componente.

Si bien no esta completa y puede contener errores, pues algunas identificaciones son
usadas por diversos fabricantes, y además de que, constantemente surgen nuevos
integrados con nuevos códigos; esta lista puede ser de mucha utilidad, como una
referencia a la hora de tratar de identificar el origen del componente y/o localizar sus
datos.
CÓDIGO FABRICANTE DIRECCIÓN WEB

13 - xxxx Sears

221-xxxx Zenith www.zenith.com

37-xxxx Atari

442-xxxx Zenith www.zenith.com

51 xxxx Quasar

56A xxxx Admiral

612 XX xxxx Magnavox www.magnavox.com

905 xxxx Zenith www.zenith.com

AD xxxx Analog Devices www.analog.com

AM xxxx Advanced Micro. Devices (AMD) www.amd.com

AM xxxx Datel Systems www.datel.com

AN xxxx Matsushita www.maco.panasonic.co.jp

AY xxxx General Instrumens www.gi.com

BA xxxx Rohm www.rohm.com

CA xxxx RCA (Harris Semiconductors) www.semi.harris.com

CS xxxx Cherry Semiconductors www.cherrysemiconductor.com

CXA xxxx Sony www.sel.sony.com/semi

CXD xxxx Sony www.sel.sony.com/semi

DBL xxxx Daewoo www.daewoosemicon.co.kr

DM xxxx Delco www.delco.com

EA xxxx Electronics Arrays

ECG xxxx PHILIPS - Silvanya www.ecgproducts.com

EF xxxx SGS-Thomson www.st.com

EFB xxxx SGS-Thomson www.st.com

GE xxxx General Electric www.ge.com

GL xxxx GoldStar http://lge.expo.co.kr/lge

H xxxx Harris ww.semi.harris.com

H xxxx Hughes Aircraft

HA xxxx Hitachi www.halsp.hitachi.com

39
HD xxxx Hitachi www.halsp.hitachi.com

IC xxxx Philco

ICL xxxx Intersil www.intersil.com

IR xxxx International Rectifier www.irf.com

CÓDIGO FABRICANTE DIRECCIÓN WEB

IX xxxx Sharp www.sharpmeg.com

KA xxxx Samsung www.sec.samsung.com

KDA xxxx Samsung www.sec.samsung.com

www.kec.co.kr
KIA xxxx KEC - Korea Electronics Co.
www.keccorp.com

KM xxxx Samsung www.sec.samsung.com

KS xxxx Samsung www.sec.samsung.com

www.kec.co.kr
KT xxxx KEC - Korea Electronics Co.
www.keccorp.com

LA xxxx Sanyo www.semic.sanyo.co.jp

LB xxxx Sanyo www.semic.sanyo.co.jp

LC xxxx Sanyo www.semic.sanyo.co.jp

Lm A xxxx Lambda www.lambdaaa.com

LM xxxx Intersil www.intersil.com

LM xxxx National Semiconductor www.national.com

LM xxxx Raytheon Semiconductors www.raytheonsemi.com

LM xxxx Signetics (Philips) www.semiconductors.com

LM xxxx Siliconix www.siliconix.com

LS xxxx SGS-Thomson www.st.com

M xxxx Mitsubishi www.coris.com

MA xxxx Fairchild www.fairchildsemi.com

MA xxxx Motorola http://sps.motorola.com

MB xxxx Fujitsu www.fujielectric.co.jp

MC xxxx Motorola http://sps.motorola.com

MK xxxx Mostek

ML xxxx Mitel Semiconductors www.mitelsemi.com

MMI xxxx Monolityc Memories

MN xxxx Micro Network www.mnc.com

MP xxxx Micro Power Systems

MPS xxxx MOS-Technology

MSM xxxx OKI www.okisemi.com

NC xxxx Nitron

NJM xxx New Japan Radio Co., Ltd. www.njr.com

NJU xxx New Japan Radio Co., Ltd. www.njr.com

NTE xxxx NTE www.nteinc.com

PA xxxx Pioneer www.pioneer.co.jp

PM xxxx Precision Monolithic www.analog.com

PTC xxx Malloty www.nacc-mallory.com

R xxxx Rockwell www.nb.rockwell.com

RC xxxx Raytheon Semiconductors www.raytheonsemi.com

RH-IXxxxx Sharp www.sharpmeg.com

40
RM xxxx Raytheon Semiconductors www.raytheonsemi.com

S xxxx American Microsystems (AMI) www.amis.com

SAA xxxx Philips www.semiconductors.com

SAA xxxx ITT www.itt-sc.de

SE xxxx Signetics (Phipips) www.semiconductors.com

SG xxxx Silicon General www.microsemi.com

SK xxxx Thomson www.st.com

SK xxxx RCA (Harris Semiconductors) www.semi.harris.com

SKB xxxx Siemens www.siemens.de

SL xxxx Plessey Semiconductors www.gpsemi.com

CÓDIGO FABRICANTE DIRECCIÓN WEB

SMC xxxx Standard Microsystems www.smsc.com

SN xxxx Texas Instruments www.ti.com

SP xxxx Plessey Semiconductors www.gpsemi.com

SSM xxxx Analog Devices www.analog.com

SSS xxxx Precision Monolithic www.analog.com

SSS xxxx Solid State Scientific

ST xxxx SGS-Thomson www.st.com

STK xxxx Sanyo www.semic.sanyo.co.jp

STR xxxx Sanken www.sanken-ele.co.jp

SY xxxx Synertek

TA xxxx Toshiba www.semicon.toshiba.co.jp

TAA xxxx Plessey www.gpsemi.com

TAA xxxx ITT www.itt-sc.de

TAA xxxx Philips www.semiconductors.com

TAA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com

TAA xxxx Siemens www.smi.siemens.com

TAA xxxx Telefunken www.temic.com

TB xxxx Toshiba www.semicon.toshiba.co.jp

TBA xxxx Plessey www.gpsemi.com

TBA xxxx ITT www.itt-sc.de

TBA xxxx National Semiconductor www.national.com

TBA xxxx Philips www.semiconductors.com

TBA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com/

TBA xxxx Siemens www.smi.siemens.com

TBA xxxx Telefunken www.temic.com

TCA xxxx Plessey www.gpsemi.com

TCA xxxx ITT www.itt-sc.de

TCA xxxx Philips www.semiconductors.com

TCA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com

TCA xxxx Siemens www.smi.siemens.com

TCA xxxx Telefunken www.temic.com

TDA xxxx Plessey www.gpsemi.com

TDA xxxx ITT www.itt-sc.de

TDA xxxx Philips www.semiconductors.com

TDA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com

41
TDA xxxx Siemens www.smi.siemens.com

TDA xxxx Telefunken www.temic.com

TM xxxx Thordarson www.electrobase.com/tm

UC xxxx Solitron www.solitrondevices.com

ULN xxxx Sprague http://vishay.com/vishay/sprague

uPC xxxx NEC www.ic.nec.co.jp

uPD xxx NEC www.ic.nec.co.jp

VP xxxx Sanyo www.semic.sanyo.co.jp

VPA xxxx Sanyo www.semic.sanyo.co.jp

WEP-xxxx Workman

XC xxxx Motorola www.motorola.com

XR xxxx EXAR Integrated Systems www.exar.com

Z xxxx Zilog www.zilog.com

ZN xxxx Ferranti GmbH

SIMBOLOS
Puertas Lógicas. Existen en el mercado, así como circuitos integrados
completos, simples puertas lógicas para crear diferentes tipos de circuitos, según
la conveniencia y las necesidades. Algunos ejemplos son:

Puerta
Puerta AND
triestado

Realiza funciones
Puerta NAND
de AND y NAND

Puerta OR
Realiza funciones
de OR y NOR

Puerta Y
Puerta NOR
exclusiva

Puerta O
Inversor
exclusiva

Diferencial Buffer

42
 Buffer triestado Driver

Buffer negado

Puertas lógicas, sistema ANSI

Puerta AND Puerta NAND

Puerta AND Puerta NAND

Puertas lógicas, sistema ANSI (continuación)

Puerta OR Puerta NOR

Puerta OR Puerta NOR

Puerta O
Inversor
exclusiva

Inversor schmitt XOR

Puertas lógicas, sistema NEMA

AND NAND

OR NOR

43
 NOT XOR

Biestables, también llamado báscula (flip-flop en inglés), es un multivibrador

capaz de permanecer en un estado determinado o en el contrario durante un
tiempo indefinido. Esta característica es ampliamente utilizada en electrónica
digital para memorizar información.
El paso de un estado a otro se realiza variando sus entradas. Dependiendo del
tipo de dichas entradas los biestables se dividen en:

o Asíncronos: Sólo tienen entradas de control. El más empleado es el biestable

RS.
o Síncronos: Además de las entradas de control posee una entrada de sincronismo o de
reloj. Si las entradas de control dependen de la de sincronismo se denominan síncronas
y en caso contrario asíncronas. Por lo general, las entradas de control asíncronas
prevalecen sobre las síncronas.

B
i
e
s
t
a
b
l
e
s
,
B
á
s
c
u
l
a
s
,
fl
i
p
-
fl

44
 o
p
...

Báscula Báscula
R-S R-S

Báscula D Báscula D

Báscula Báscula
J-K J-K

Flip flop T Flip flop T

Circuitos Digitales. Algunos símbolos específicos en circuitos digitales son:

CI
Memoria
Circuito integrado
Símbolo básico
Símbolo genérico

Cronomedidor Contador binario

- 555 - 4 bit

Decimal codificado
Contador decádico
binario BCD a un
decimal codificado
descodificador de
binario ( BCD )
7 segmentos

Contador decádico
Decodificador
con 10 salidas
1a4
codifiadas

45
 DAC
Convertidor Multiplexor
analógico / digital

Semisumador Sumador

CPU / UCP
Unidad central de proceso
Microprocesador

Displays. Se llama display a un dispositivo de ciertos aparatos electrónicos que

permite mostrar información al usuario, creado a partir de la aparición de
calculadoras, cajas registradoras e instrumentos de medida electrónicos en los
que era necesario hacerlo.
Desde la aparición de los displays, estos han evolucionado hasta la actualidad,
con la invención del display de 7 segmentos, hasta las matrices de puntos,
basados en puertas lógicas, ‘1’ encendido, ‘0’ apagado.

D
i
s
p
l
a
y
s

Display 16 segmentos
Display 7 segmentos
( alfanumérico )

Matriz Indicadora por LED

alfanumérica 5x7
Letra A de ejemplo

Convenciones en Circuitos Digitales Programables.

46
 C
o
n
v
e
n
c
i
o
n
e
s
d
e
p
r
o
g
r
a
m
a
c
i
ó
n

Conexión programable intacta

Conexión fija

Sin conexión

5 NORMAS DE CALIDAD
Como sabemos, las escalas de integración de los circuitos integrados nos permitieron
miniaturizar cada vez más el tamaño de los mismos, lo que se traduce en un alto
grado de precisión en la construcción de circuitos impresos.

Por esta razón, debemos encontrar a los circuitos integrados entre las mayores
normas de calidad. Es así que encontramos por ejemplo a la empresa de
microprocesadores Intel, trabajando en la norma ISO 9001:2000

47
Existe también una norma de estandarización ISO/IEC, el cual es operado en común
por la ISO, Organización internacional de estandarización, e IEC, la Comisión
electrotécnica internacional. Su objetivo es dar información sobre la estandarización,
asuntos relacionados y contactos. La ISO/IEC proporciona un servicio de investigación
para los usuarios y tiene también el acceso a los Web site de las organizaciones de
estándares internacionales vía WSSN, la red de los servicios de los estándares del
mundo. También existe una relación entre WTO, la ISO y el IEC con respecto a
comercio mundial y en estandardizar los cuerpos que han aceptado el código de WTO
TBT de la buena práctica para la preparación, la adopción y el uso de estándares.
Además, el sitio contiene y proporciona el acceso a las publicaciones de la referencia
en los estándares desarrollo, distribución y uso y en fuentes de información.

48
6 SITIOS DE FABRICACION Y COSTOS
Podemos tener una idea de los lugares de fabricación de chips, solo viendo la tabla de
códigos y símbolos mostrada antes.

Algunas de las empresas más conocidas, dedicas sólo a la fabricación de chips son:

 Fairchild Semiconductor (USA)

 Analog Devices (USA)
 General Instrumens (USA)
 National Semiconductor (USA)
 American Microsystems (USA)
 NEC (Japón)
 Philips Semiconductors (USA)

Estas empresas lograron gran importancia en la fabricación de microchips por su

aporte al descubrimiento de nuevas técnicas en el desarrollo de estos circuitos
impresos
Para comprar un circuito digital, un chip, es necesario saber el uso que se le va a dar
a este. Para tener una idea de los usos que se les da a los circuitos que existen a la
venta podemos ver la tabla de símbolos mostrada anteriormente, en ella encontramos
los tipos de circuitos integrados existentes para cada operación.
En general, cada empresa tiene tu código de venta, como vimos en la tabla de
códigos. Así, por ejemplo, National Semiconductor ofrece los siguientes tipos de
chips a la venta:

49
50
7 BIBLIOGRAFIA

FUNDAMENTOS DE LOGICA DIGITAL Autor: BRAWN, STEPHEN

FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA DIGITAL Autor: BLANCO VIEJO, CECILIO

Internet Links:
http://es.wikipedia.org/wiki/Fabricacion_de_circuitos_integrados
/Puerta_logica
http://www.neoteo.com/Articulos/tabid/63/ID/690/Title/Puertas_Logicas/
http://www.comunidadelectronicos.com/articulos/codigos.htm
http://www.uhu.es/raul.jimenez/DIGITAL_I
http://html.rincondelvago.com/historia-de-los-circuitos-integrados.html
http://www.arrakis.es/~espartero/

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