Transistor uniunión o UJT

El transistor de uniunión o UJT (unijunction transistor) está constituido por dos

regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está
fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.

Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada
(de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la
figura 12.21.b está constituido por un diodo que excita la unión de
dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2. Cuando
el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como:

en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y el factor de
división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo
utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy
similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la
caída de tensión en R es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura
12.21.d.
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