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a1 yˆ zˆ
a
1 ND: Concentración de átomos donores.
vF 3 2 n 3 2 Nivel de Fermi N respecto al nivel EC
me
a2 xˆ zˆ
a
N
m
3
2
EF 2 EC EF k BTLn C
n 2 e 2 k BT 3
2 e k BT Nd
a3 xˆ yˆ
a
2 2 Condición de ionización completa P
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 3 ETN – 501
Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.
EF EV 3 3
p N a NV e kBT E EC 2
4 EV E F 2
nF 3 F1 exp F F1
NA: Concentración de átomos 2 k BT 2 3 k B T
aceptores.
2
n 3
Concentraciones extrínsecas Densidad efectiva de estado. EV EF *
3 2
p 2
Dador (T medias) n>>p 3 2mdosh
n p ND ND m *k T 2
NC 2 e B2 3
2 2
1 2m
p 2 dosh 2 V
*
E EF 2
p ni
n
m * 2 T
3 3 3
NC T 2.512 x10 de cm
2
3
19
EF cerca de BC. En este caso el semiconductor se llama
Aceptor (T medias) p>>n me 300
COMPENSADO
p n NA NA Semiconductores intrínsecos
Densidad de estado de huecos
2 n p ni
n ni 2m * 2
3
p EF en el centro de banda
Nh E 4 2h EV E 2
1
EF cerca de BV. E
EF g
Concentración de portadores 2
extrínseco Densidad de huecos o concentración Neutralidad de la carga
EC EF de huecos.
EV n ni nd Nd
n NC e k BT
p N h ( E ) f h ( E ) dE NV F1 (nh )
EC Ei EF Ei EF Ei
p pi pa Na
2
NC e k BT
e k BT
ni e k BT La concentración intrínseca
m *k T ni pi
E E NV 2 h B2 n nd ( N d N a ) p pa
F V 2
p NV e k BT n=total de electrones libres en la banda
EV Ei Ei EF Ei EF EV EF de conducción
nh nd=electrones ligados a los átomos
NV e k BT
e k BT
ni e k BT
k BT
donores
Densidad de estados de electrones p=total de huecos libres
3
2m * 2 pa=huecos ligados a los átomos
La densidad de carga del portador
3
ne ( E ) 4 2e
E EC 12 aceptores
1 2m
* 2
E EC 12 dE Nd=iones donores fijos en el nivel
n 2 2e
2
EC
E EF donador
Na=iones aceptores fijos en el nivel
e kBT
1 aceptor
Se define De huecos
3 Equilibrio térmico
E EF 2m * 2
n Na p Nd
n nh ( E ) 4 2h EV E 2
1
k BT
E EC Semiconductores no degenerados Para electrones
nF F La concentración de electrones está nn Na pn Nd
k BT definido
1
La concentración de los electrones EF EC nn N d N a Nd Na 2 4ni 2
2
3 1 n NC e k BT
1 2m k T 2
n 2 dn
* Para huecos
n 2 e 2 B
2 n
0 ennF 1 La concentración de huecos
EV EF
np Na p p Nd
1
Integral de Fermi- p NV e k BT
pp N a N d N a N d 2 4ni 2
Dirac o media de Fermi 2
Semiconductores degenerados
1 Tipo N
n 2 dn
F1 nF nnF 3
Tipo n
1 4 EF EC 2
N D N a nn N d
e F1
3 k BT
2 0
nn pn ni
2
Al aplicar la densidad efectiva NC. 2
NC F1 nF
2
n
EF EC
n2
*
3 2 n32 Tipo P
N a Ni p p N a
2 2mdose
3
n p p p ni
2
4 E F EC 2
1 2m E EC
3
nF 3 F1
* 2
2 3 k BT
n 2 dose 2 F
3
Función de distribución para los
átomos de impurezas
Tipo P Prob. de que un estado donador este
ocupado
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 4 ETN – 501
Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.
nd 1 m m*hh = masa efectiva de huecos
aBeff Aº 0.52917 e* s pesados
Nd 1 E EF m 0
exp d 1 e Huecos de semiconductores
2 k BT Semiconductores indirectos Cuando todos los estados de la banda
de valencia están ocupados
La energía cerca de los bordes de la
nd=núm. de electrones ligados a los
átomos donadores.
banda en el punto k=k0
k i k 0i 2
ki 0
ki k e
Nd=densidad del donador.
Prob. de que un hueco sea atrapado
E k , k 0 E k 0 2
i x ,y ,z
mi *
ki k e
En la situación donde un electrón con
para un nivel aceptor
vector de onda k, se pierde, el vector
pa 1
Para semiconductores directos de onda total es:
Na 1 E Ea
exp F 1 E k Ec
2k 2 k i k e
4 k BT 2me *
ki k e
pa=núm. de huecos ligados a los La relación del momento de energía La ecuación de movimiento es
átomos aceptores. 2kl 2 2kt 2 k
E k Ec
v
Na=aceptor del donador. h e h B
2ml * 2mt * t c
Nd E EF
nd 2 N d exp d Donde kl es la parte longitud de k y kt
1 E EF k BT kh y vh son el momento y la velocidad
exp d es la parte transversal medida desde el
2 k BT del hueco.
borde de la banda de conducción.
La masa efectiva de los electrones en CAPÍTULO # 4
Densidad de electrones en la BC el borde de la banda de conducción. FENÓMENO DE TRANSPORTE
E EF 1 2Pcv 2
n NC exp C 1
DE PORTADORES
Fenómeno de arrastre de portadores
k BT me* me Eg
Energía térmica promedio:
Fracción de los donadores ionizados: Para la mayoría de los
3
nd 1 semiconductores K kT
2
nd n N E Ed 2Pcv 2
20eV Energía cinética:
1 C exp C
k BT
me 1 * 2 3
2N D En general, la masa efectiva mn Vth kT
Fracción de huecos ligado a los niveles 2 2
1 1 2E
de aceptor Velocidad térmica:
4Na me* 2 k 2 3kT
pa La densidad de estados en un sistema Vth
E EF m n*
exp C 1 tridimensional
k BT
N E
2 m* dos 2 12
E
3
Vth
T
E Ea 2 2
4 N a exp F Donde m*dos es la masa de densidad de para los electrones
k BT estados para los semiconductores de 105 cm
banda de separación directa se cumple
T 1 ps
La densidad de huecos en la BV Velocidad de arrastre
m*dos me* La corriente:
E EF
p NV exp V Para el Si, la masa de densidad de
i
Q
Q
estados vale
k BT r / vr
m*dos m1 m2 m3 3
1
pa 1 r = tiempo de tránsito de una partícula
pa p N E EV donde m1, m2 y m3 son las mases La densidad de corriente:
1 V exp a
k BT
efectivas en las tres direcciones
Qvr
4Na principales para el Si J vr envr
Las ecuaciones relativas para dopar m*e m1 , m*t m2 m3 A
Nivel de Fermi intrínseco *
m e = masa efectiva longitudinal Fuerza de dispersión:
E Ev 3 m*dose m*t = masa efectiva transversal mn vr
*
EFi c k BTLn *
F e
2 4 m dosh
La densidad total de estados para el Si
r
Niveles donores pronosticados para un
N E Si
6 2 m dos *
3
2 1
2 e
módulo parecido a hidrógeno 2 2
E vr r*
2
me*
mn
Ec Ed eV 13.6 0
3 3 3
2 2 2
m*dos m*lh m*hh vrn n
s me
*
m lh = masa efectiva de huecos ligeros
Radio donora de Bohr
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 5 ETN – 501
Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.
Para los huecos en la banda de n( x, t )
dV
e Vn pn dp
valencia n1 n2
Vrp p x k BT V p pp p
vth disp e e k BT
k BT
y
pn np
Resistividad Flujo de huecos
E p ( x, t )
vic es el voltaje interconstruído en
F e Fi ausencia de polarización externa
x p ( x, t ) Dp Ax p N a Axn N d
Campo del electrón:
x
Relación de Einstein: A es la sección transversal de la
1 E V
d ( x, t )
J n ( x) en n( x) ( x) eDn n estructura p-n y Na y Nd son las
e x x dx densidades de Poisson
La fuerza
Campo eléctrico ctte. En x x p
F (x)
V d 2V x
Para campo eléctrico uniforme:
0
( x) e ( x) x dx 2
Densidad de corriente neta de Ec ( x) Ec ( 0) e ( x) x V x V p
portadores:
J enn p p
En equilibrio las corrientes de hueco y Vp se define como el potencial en la
electrón son cero. región neutral tipo p.
Conductividad: m1 ( x)
1 Dd d n ( x, t ) En x p x 0
n( x) n dx
enn p p d 2V x eN a
Función de distribución
Resistividad: m
dx 2
E EF ( x )
n( x) ni exp F E x
eN a x eN a x p
1 k BT
El campo eléctrico
eN a x 2 eN a x p x eN a x p
2
l 1 dEFi V x Vp
R 2 2
A e dx En 0 x xn
k BT Dn
d 2V x
Conductividad metales
0
eN
e n d
dx 2
1 tC
dV x eNdx eNdxn
Masa efectiva de un electrón CAPÍTULO # 5 E x
dx
d 2 EBC v FÍSICA DE LA UNIÓN P-N
m*e La unión P-N no polarizada V x
eNd 2 eNd xn
x
eN
x a x p 2 Vn
dv 2 La densidad de corriente 2 2
hay que conocer EBC(v) para evaluar En xn x
dpx
m*e J p x e p px E x D p 0
Conductividad de semiconductores dx d 2V x
0
Eg
dnx dx 2
0e 2 kT J n x en nxEx eDn La diferencia de potencial entre –xp y 0
dx
Masa efectiva de un hueco Na x p 2 Na x p 2
d EBV v
2
La relación de Einstein
V 0 V x p e
2
V p Vn e
2
mh* p e
2 La diferencia de potencial entre xn y 0
dv D p k BT
eN x 2 eN x 2
Para una corriente neta cero V xn V 0 V d n Vn d n
2 2
Fenómenos de difusión de p 1 dpx
portadores E x La neutralidad de la carga
Densidad de corriente de huecos: Dp px dx N d xn N a x p
J p Dp p El campo E, la relación de Einstein
2VIC Nd
p e dV x 1 dpx xp
Flujo hacia la der. E x
px dx eN a Nd Na
(n1 n2 ) Dp k BT dx
n ( x, t ) Sean Vp y Vn los potenciales en el lado
2 disp p y en el lado neutral respectivamente
xp
2 s N d Vic V f I p x eA
Dp
lp
pn e
x xn l p eV k BT
e 1 Cdiff
eI
p
e N a N a N d k BT
con x > -xp es un factor que vale ½ para diodos
Inyección carga y flujo de corriente I n x eA
Dn
ln
x x l
n p e p n eeV kBT 1 de base grande y 2/3 para dispositivos
de base estrecha.
La densidad del portador móvil
eVic La corriente total del diodo CONSTANTES
1eV 1.6 x10 19 J
pp
e k BT
pn
Dp
I eA
D
pn n n p e eV kBT 1 Constante de Boltzmann
p xn l p ln
eV
J
e k BT La corriente del diodo de electrones en k B 1.3085x10 23
pn
la región x > xn K
n x p I n x I I p x
eV Constante de Planck
e h 6.626x10 34 Js
k BT
np
Los portadores en exceso inyectados a
Dp
I n x eA 1 e
x xn l p D
pn n n p eeV k BT
1 Constante de Planck reducida
p
l l n
1.0544x1034 Js
h
través de las regiones de agotamiento Capacidad de transición de la unión
eV polarizada 2
pn pn e k BT 1 La capacitancia de transición o juntura La masa del electrón
por unidad de área me 9.11x1031Kg
eV dQ dQ s
n p n p e kBT 1 Cj
Constante de Compton
dV xdE x c 2.426x1012 m
Las densidades de portador de los La anchura de agotamiento de la unión Velocidad de la luz en el vacío
c 3x108 m / s
portadores minoritarios fuera de la Vic-V
región de agotamiento 1
2 Vic V N a N d 2 Constante de Rydberg
x xn
eV x RH 1.0973732x107 m1
px pn e 1e
lp
kBT
x xn e Na Nd
Número de Avogadro
xn
Na x
Na Nd
; xp
Nd x
Na Nd
N A 6.022x10 23 átomos
mol
La carga en la región de agotamiento Velocidad térmica para Si y Ga
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 7 ETN – 501
Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.
a 300ºK Vth 10 7 m / s
Formulario de ETN-501