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ve vs
Componentes de 3 terminales:
vBC vGD
ib ig
ic id
C D
B
BJT G
FET
vBE vCE vGS vDS
ie is
E S
J. Bardeen, W.H. Brattain, y W. Shockley, 1948 W. Shockley, 1952
npn
BJT
pnp
Canal p Canal p
JFET
Canal n
Canal n
FET Enriquecimiento
Canal p
MOSFET
Deplexión
Canal n
G S
G D
iG ~ 0 iD
n+
Canal p S p+ D
+
G
n
iS
G
S
iD
VDS
- +
D iD
iD
S G D +
G p+ p+ G - VDS
n+ p+ n+
n
n-
Sustrato p
S vDS
Zona de
agotamiento o iD
iD
transición de la
unión p-n D
VGS=0
i DSS
G G +
VDS
p+ p+ -
n-
S vsat vDS
VGS=-1V
G G +
VGS=-2V
p+ p+ -
- -
VGS VGS
n-
+ +
VGS corte
S VDSsat vDS
Zonas de funcionamiento
Zona Lineal: Para una determinada tensión VGS>VTR la iD varía linealmente según se
incrementa VDS hasta una Vsat . Vsat ~VGS -VTR
VGS VDS
iD k 2VGS VTR VDS VDS
iD iDSS
2
; k
S
VTR2
iD k VGS VTR ; k
VGS iD VDS 2 iDSS
VTR2
S
Zonas de funcionamiento
Zona de Corte: Para una determinada tensión VGS<VTR en canal está estrangulado y
no circula la corriente iD.
G D
VGS VDS iD 0
iD VDS = Cte.
• La iDSS es la corriente de drenaje de
Conducción saturación
• En la zona de saturación:
iD k VGS VTR ; k
2 iDSS
iDSS VTR2
iG>0 no existe
Corte • Útil para obtener parámetros del
componente.
vTR vGS
• Circuito de salida
iD
VDD VDD iD ·RD VDS
iD
RD VGS=0V
Punto de operación Q • Recta de carga a la salida
VGS=-1V VDD
VDS 0 iD
VGS=-2V
RD
iD 0 VDS VDD
Aplicaciones
S
SiO2
S G D D
iD
iG ~ 0
Canal p p p
Sustrato n G
iS
S D
n+ n+
Canal n
Sustrato p generado
Conectado a S
S
SiO2
D
S G D
iD
iG ~ 0
Canal p p p
Canal p G
Sustrato n iS
S D
n+ n+
Canal n
Sustrato p existente
Conectado a S
Zonas de funcionamiento
Zona Lineal: Para una determinada tensión VGS>VTR la iD varía linealmente según se
incrementa VDS hasta una Vsat . Vsat ~VGS -VTR
VGS VDS
iD k 2VGS VTR VDS VDS
iD iDSS
2
; k
S
VTR2
iD k VGS VTR ; k
VGS iD VDS 2 iDSS
VTR2
S
Zonas de funcionamiento
Zona de Corte: Para una determinada tensión VGS<VTR en canal está estrangulado o
no se ha formado y no circula la corriente iD.
G D
VGS VDS iD 0
iD VDS = Cte.
• En la zona de saturación:
mA
iD k VGS VTR ; k 2
2
V
Corte
vTR vGS
Configuraciones.
S Vs VDS
Ve
• Se comprueba la suposición
Configuraciones.
D V
iD
G • Polarización CC (Pto. de operación o trabajo):
VDD iS ·RS VDS
S Vs iS ·RS ; iS iD
VE iS ·RS VGS
Ve
RS iD Vs • Se comprueba la suposición
VGS VTR y VDS VGS VTR
• Hay realimentación
Configuraciones
Seguidor de corriente.
VDD • Suponiendo zona de saturación:
VGS VTR y VDS VGS VTR
RD mA
iD k VGS VTR ; k 2
2
V
iD
• Polarización CC (Pto. de operación o trabajo):
Vs VDD iD ·RD
i
D Vs iD ie Cte. VGS VTR D
G k
VDS Vs VGS
S
• Se comprueba la suposición
VGS VTR y VDS VGS VTR
Ie
VSS
Aplicaciones