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GRUPO 03
AREQUIPA - PERÚ
2016
LABORARTORIO N.- 1: CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
OBJETIVOS:
Obtener las características de u diodo de silicio y germanio.
Analizar las Características técnicas de un diodo.
MARCO TEORICO:
INTRODUCCION
UN POCO DE HISTORIA…
En 1873 Frederick Guthrie descubrió el principio de
operación de los diodos térmicos. Guhtrie descubrió
que un electroscopio cargado positivamente podría
descargarse al acercarse una pieza de metal caliente,
sin necesidad de que este lo tocara. No sucedía lo
mismo con un electroscopio cargado negativamente,
reflejando esto que el flujo de corriente era posible
solamente en una dirección.
DIODO IDEAL:
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el símbolo y las
características siguientes:
Proporciona una base comparativa respecto de las características de un
dispositivo real. En forma ideal un diodo conducirá corriente en la dirección
definida por la flecha en el símbolo, se comporta como un circuito cerrado para
la región de conducción, y actuara como un circuito abierto al intentar establecer
corriente en dirección opuesta. Para el diodo ideal:
𝑹𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒐 =
∞ Ω (𝒄𝒊𝒓𝒄𝒖𝒊𝒕𝒐 𝒂𝒃𝒊𝒆𝒓𝒕𝒐)
DIODO SEMICONDUCTOR:
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo
material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinaran,
dando como resultado una carencia de portadores en la región
cercana a la unión. Esta región de iones positivos y negativos
recibe el nombre de región de agotamiento por ausencia de
portadores en la misma.
La aplicación de un Voltaje implica tres posibilidades:
No hay polarización (Vd = 0V)
Polarización Directa (Vd > 0V)
Polarización Inversa (Vd < 0V)
SIN POLARIZACION:
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra
dentro de la región de agotamiento pasaran directamente al material tipo p.
Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se
encuentran en la región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio
pasaran directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios (electrones)
en el material tipo n deben superar las fuerzas de atracción de la capa de iones
positivos en el material tipo n, así como la capa de iones en el material tipo p ,
para emigrar hacia el área más allá de la región de agotamiento del material tipo
p. Sin embargo el número de portadores mayoritarios es tan grande en el
material tipo n que invariablemente habrá un pequeño número de portadores
mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de
agotamiento y llegar al material tipo p .En ausencia de un voltaje de polarización
aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección para un diodo
semiconductor es cero.
CONDICION DE POLARIZACION INVERSA:
Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material
tipo n y la terminal negativa conectado al material tipo p, el número de iones
positivos en la región de agotamiento del material tipo n, aumentara debido al
mayor número de iones libres arrastrados hacia el potencial positivo. El número
de iones negativos se incrementara en el material tipo p. El efecto es un
ensanchamiento de la región de agotamiento que establece una barrera
demasiado grande para que los portadores mayoritarios puedan superar
reduciendo el flujo de los mismos.
PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo
Escala de prueba de diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada
diodo.
CONEXIÓN DIRECTA
Rmedido = 0.98kΩ
Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V
Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo.
Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo
de silicio y germanio.
DIODO (Si)
VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0.47 0.50 0.52 0.53 0.54 0.55 0.56 0.57 0.57
ID = VR/ 0.10 0.20 0.30 0.40 0.5 0.61 0.71 0.81 0.91
RMed
VR
(mA)(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0.579 0.615 0.636 0.650 0.661 0.671 0.678 0.684 0.689
ID = VR/ 1.02 2.04 3.06 4.08 5.10 6.12 7.14 8.16 9.18
RMed Tabla 3.
(mA)
DIODO (Ge)
VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0.22 0.24 0.25 0.26 0.27 0.27 0.28 0.28 0.29
ID = VR/ RMed 0.10 0.20 0.30 0.40 0.5 0.61 0.71 0.81 0.9
(mA)
VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0.29 0.323 0.343 0.361 0.376 0.390 0.404 0.416 0.428
ID = VR/ RMed 1.02 2.04 3.06 4.08 5.10 6.12 7.14 8.16 9.18
(mA) Tabla 4.
PARTE 3: Polarización Inversa
Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.
Rmedido = 0.998 MΩ
Mida el voltaje V calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación
𝑉𝑟
𝐼𝑑 =
𝑅𝑀𝑒𝑑 𝑅𝑚
Rm es la resistencia interna del DMM (10MΩ)
(Si) (Ge)
Rm 0.998 MΩ 0.998 MΩ
VR 0.018V 0.007V MEDIDO
ID 18 mA 7mA CALCULADO
PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en
los niveles de corriente indicados en la tabla 6, 7 y 8
Interpolando valores de la gráfica del Silicio ID-VD
Diodo (Si)
ID (mA) VD RDC
0,2 0 0
1 0.450 450
5 0.665 133
10 0.688 68.8
Tabla 6.
Interpolando valores de la gráfica del Germanio ID-VD
Diodo (Ge)
ID (mA) VD RDC
0,2 0 0
1 0.2 200
5 0.27 54
10 0.3 30
Tabla 7.
CUESTIONARIO FINAL
• ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?
Por lo general, el cátodo de un diodo se indica mediante una banda circular. Si
el diodo no está marcado se puede determinar cuál es el ánodo y el cátodo con
una verificación en la resistencia. Primero se determina la polaridad de las puntas
de conexión óhmetro con un voltímetro conectado a los terminales del óhmetro.
A continuación se determina la posición de las puntas de conexión del óhmetro
que mide la resistencia directa del diodo. En esta posición, la punta de conexión
positiva del óhmetro se conecta con el ánodo y la negativa con el cátodo
• ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los
diodos analizados en el laboratorio?
El ánodo se conecta al positivo de la batería y el cátodo al negativo
Características:
El valor de la resistencia interna sería muy bajo
Se comporta como un interruptor cerrado.
• ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los
diodos analizados en el laboratorio?
El ánodo se conecta al negativo y el cátodo al positivo de la batería
Características:
El valor de la resistencia interna sería muy alto
Se comporta como interruptor abierto
Puede existir una corriente de fuga del orden de µA
•De la ficha técnica de los diodos anote los valores más importantes y / o usuales
a consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en
general.
Diodo silicio 1N4001
Diodo de germanio
CONCLUSIONES
- Los diodos son elementos pasivos (semiconductores) por los cuales
circula corriente en un solo sentido, impiden el retorno.
- Al momento de trabajar con diodos se tiene que tener en cuenta la
polarización que le demos, si lo polarizamos directamente este producirá un corto
circuito , pero si lo polarizamos inversamente se comportara como un circuito
abierto idealmente con una resistencia infinita.
- El potencial necesario para excitar un diodo varía según sea el material o
el tipo de diodo.
Diodo de silicio 0.7V
Diodo de germanio 0.2V
- Hasta no alcanzar el potencial necesario para excitar al diodo este se
comportara como un circuito abierto.
- Los Diodos se pueden dañar o malograr por ejemplo cuando se coloca en
polarización inversa y se proporciona una gran tensión de voltaje llamada tensión
de RUPTURA que ocasiona que el diodo deje pasar la Corriente como si fuera
un simple cable de conexión, por lo tanto el diodo estaría dañado.