UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA.

LOZANO, QUIROGA, PINTO,DIODOS ZENERS, CARACTERIZACIÓN DE TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) 1

Informe Laboratorio 8: Caracterización de

Transistores de Unión Bipolar (BJT)
Lozano Frı́as Juan David ,Pinto Riaño Juan David , Quiroga Cubides Fabián Santiago

Abstract:In this report will be presented the operation of

the BJT transistors, their main configurations of polarization,
characteristic curves and their behavior with respect to tem-
perature changes • Zona activa:
En resumen en el zona activa el terminal de colector
I. I NTRODUCCI ÓN se comporta como una fuente ideal de corriente
en donde el valor de esta corriente es determinado
En este informe se presentaran el funcionamiento de los
por Vbe . La corriente de base Ib es un factor β1 de
transistores BJT sus principales configuraciones de polar-
la corriente de colector , y la corriente del emisor es
ización, curvas caracterı́sticas y su comportamiento frente a
igual a la suma de las corrientes de base y de colector [1].
los cambios de temperatura .
Para verificar que el transistor se encuentra en zona
II. M ARCO T E ÓRICO activa se calcula Vbe y se verifica que sea >= que 0.7
• Transistor BJT : si lo es el diodo esta polarizado en directo y el diodo
El transitor de union bipoloar o (BJT) , es transistor que de colector emisor tiene que estar polarizado en inverso
cuenta con 3 regiones, la región del emisor región de la para que el transistor efectivamente se encuentre en la
base y la región del colector , dicho transistor se puede zona deseada[1].
operar en tres zonas ( corte, saturación y activa) para el
desarrollo de esta práctica se utilizara la zona activa ,
existen diferentes ecuaciones para esta[1].

Corriente colector:

Be
Ic = e Vt (1)
Corriente Base:
Figure 1. Configuracion pines transistor 2N2222 [?]

Ic
Ib = (2)
β
III. R ESULTADOS .
Corriente Emisor :
Circuitos necesarios para la practica. .
Ic
Ie = (3)
α
Constantes:

β
α=
β+1
α
β= (4)
α−1
Voltaje termico:

k∗T
Vt = (5) Figura 2. Primer circuito para la caracterización del transistor [2] .
q
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Figura 6. corriente colector Grafica Voltaje VS Base Emisor .

Figura 3. Segundo circuito para la caracterización del transistor. [2] .
Se procedió o montar el circuito de la Figura 3 y se
comparó la señal de en el osiloscopio al variar el valor del
potenciometro.

Figura 7. Montaje Figura 3 nivel de resitencia del potenciometro 0Ω , canal

1 500mV por division , canal 2 20mV por divison .

Figura 4. Topologı́as estándar de polarización de transistores BJT.[2] .

Realizando el montaje de la Figura 2 y conectándole una

señal e 1 Hz y un offset de 1V.
Figura 8. Montaje Figura 3 nivel de resitencia del potenciometro 2000Ω,
canal 1 1V por division , canal 2 50mV por divison

Figura 5. Modo XY V0 y Vbe canal 1 2V por división , canal 2 100mV por

división . Figura 9. Montaje Figura 3 nivel de resitencia del potenciometro 8000Ω ,
canal 1 200mV por division , canal 2 194mV por divison .

Cuadro I
DATOS C ORRIENTE EN EL COLECTOR VS VOLTAJE BASE EMISOR .

Vbe Corriente mA
0.696 9.83
0.697 9.89
0.698 9.90
0.700 9.92
0.701 9.92
0.702 9.93
0.703 9.93
0.704 9.94
0.705 9.94
0.706 9.94
0.707 9.94
0.708 9.94
0.709 9.94
0.710 9.94 Figura 10. Curvas caracterı́sticas del transistor obtenidas a partir de un
0.11 9.94 graficador de curvas.
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Para el circuito de la Figura 4 se midió la tensión del el pico negativo de la señal genera que vs= 0.7, caso en
colector y la tensión base emisor acercando un cautı́n al el que ib=0 e ic=0.
transistor.

Por otro lado, la señal que se evidencia en Vbe está

Cuadro II recortada o limitada en su ciclo positivo en 0.7 v (diodo
DATOS VOLTAJE COLECTOR EMISOR Y VOLTAJE BASE EMISOR CIRCUITO A
.
en directo), y cuando ésta toma valores inferiores a 0,7
toma el mismo valor que Vb. Simultáneamente, el vo
Vce Vbe se comporta de forma contraria ya que está midiéndose
5.95 0.6
6.00 0.58
como si el diodo estuviese en inverso.
6.05 0.562
6.192 0.42
6.210 0.44
6.24 0.417
Enseguida, se realizó el barrido a una fuente DC
conectada vs y, se evidencio, que ib aumentaba. Para un
valor de vs =1 la corriente Ib no es la suficiente lograr
Cuadro III el voltaje umbral del diodo en directo, pero, mientras
DATOS VOLTAJE COLECTOR EMISOR Y VOLTAJE BASE EMISOR CIRCUITO B . el valor de vs sigue aumentando el diodo se comporta
como una fuente de tensión.
Vce Vbe
5.633 0.63
5.55 0.618
5.29 0.601 • Con respecto al circuito de la figura 3 se calculó un valor
5.198 0.552
de Vb = 2 V para que el transistor este en zona activa.
Al visualizar la curva Ic Vce se puede evidenciar que se
produce la curva caracterı́stica del transistor para un valor
IV. A N ÁLISIS de Vb , en dicha curva se puede ver claramente dos zonas
• Con respecto al circuito de la Figura 2, con una fuente , la zona de trı́odo ( que es la pendiente que se aproxima
sinusoidal de amplitud 500mv con un offset de 1 v a una lı́nea vertical )y la zona activa (que es la recta
conectada a vs , fue calculado el valor de la amplitud de que se aproxima a una lı́nea horizontal ) , al modificar
la señal sinusoidal para que el voltaje en vo fuera 0 en el valor de del potenciómetro que es equivalente a
el pico positivo de Vs y 10 en el pico negativo de Vs . modificar el valor de Vb se obtienen las diferentes curvas
La corriente necesaria para que el votaje Vo = 0 , para diferentes corriente de emisor como se puede ver la
utilizando la malla de salida es : parte activa que son rectas casi horizontales corroboran
el hecho de que el colector se comporta como una
fuente de corriente constante . En este caso el valor
de la corriente de colector está controlada por el de la
V0 = 10 − Ic ∗ 1000 (6) corriente de emisor , y el transistor se considera una
fuente de corriente controlada por corriente[1]. Para
De esta ecuación se obtiene fácilmente queIc = 10ma la corroboración de este punto el equipo de trabajo se
para Vo = 0 y , además, Ic=0 para que Vo=10V. apoyo en el graficador de curvas para ver el correcto
funcionamiento del circuito y las graficas de corriente de
colector vs tensión colector emisor obtenidas a partir del
Para hallar el valor de pico positivo que genera la osciloscopio y se evidenciaron graficas muy similares.
corriente de 10 mA utilizamos la malla de entrada del
circuito:
• Para los circuitos de la figura 4 se empezara el análisis
con la figura A ; los datos de tensión de colector y tensión
Vs − 0,7 base emisor se registraron en el cuadro 2 , como era de
= Ib esperarse al acercar el cautı́n el valor de Vbe disminuyo
10000
ya que el diodo polarizado en directo disminuye su valor
Vs − 0,7 de umbral por efecto de la temperatura (recombinación
∗ β = Ic (7)
10000 de huecos y electrones ), dado que hay menos tensión Vbe
Tomando Ic = 10may β = 215se obtiene Vs = 1,16. implica que la corriente de base es menor , y esto a su
Como vs posee un offset de de 1 v la amplitud de la vez hace que la corriente de colector aumente , lo anterior
señal debe ser de 160 mv para que en el pico positivo explica el aumento de Vc . Para el circuito B también hay
Vo=0. En cuanto al pico del ciclo negativo se tendrı́a un cambio similar en las dos tensiones solo que esta vez
que vs =0.9 y, por lo tanto, ic=5ma y Vo = 5 v. En dado el cambio es mucho más pequeño que para el circuito A
caso de que la amplitud de la sinusoidal fuese mayor , esto se debe a existe una resistencia Re que es común
que 0.3v se podrı́a tener el caso en que Vo=10, dado que entre la malla de entrada y la malla de salida lo cual
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genera estabilidad a los cambios de temperatura y a los

cambios de β (por efectos de cabios de transistor ), esta
resistencia Re también tiene una desventaja que hace que
la ganancia de tensión circuito sea mucho menor(cuando
se desea usar para amplificar ) . Para el circuito C no
parece ninguna tabla dado que al momento de montar
el circuito no se produjo ningún valor ya que no habı́a
ninguna tensión en la base para polarizar los diodos esto
hace que el circuito no produjera ningún valor de Vbe .
PREGUNTAS SUGERIDAS:
• 1.¿Qué regiones de operación puede identificar en los
gráficos?
Se pueden identificar dos zonas, zona activa y zona de
trı́odo; la zona activa del transistor es la parte en que
la lı́nea se vuelve una recta semi horizontal y la zona
de trı́odo en donde la lı́nea se vuelvo una recta semi
vertical.
• Las curvas caracterı́sticas evidenciadas en el osciloscopio
y la calculada manualmente aunque son parecidas difieren
un poco dado que los multı́metros añaden incertidumbre
a la medida. .
• Los transistores BJT son mucho menos sensibles a la
manipulación y con respecto a los MOSFET.
R EFERENCIAS
[1] S AVANT, C.; RODEN , M. AND C ARPENTER , G. Diseño Electrónico:
Circuitos y Sistemas. 2000. (3a . Ed.).
[2] JAVIER A LEJANDRO L ATORRE C ORREACaracterización de Transistores
de Unión Bipolar (BJT).2017

• 2. ¿Qué diferencia puede encontrar entre la gráfica de

Vo vs VBE mostrada en el osciloscopio y la gráfica
construida a partir de las mediciones con los multı́metros?

Se observa que la curva obtenida por medio de los

multı́metros tiene una “ knee” más pronunciada que las
visualizadas en el osciloscopio y es más imperfecta dado
que los multı́metros agregan incertidumbre a la medida .

• 3. ¿Qué puede concluir acerca del β del transistor?

A partir del generador de curvas y de los cálculos
mostrados en el pre informe se puede concluir que el
β aproximado es de 264 un valor que está en el rango
dado por el fabricante en el datasheet

• 4. ¿Cuál de las configuraciones es más estable con

respecto a la variación de temperatura? ¿Por qué?
La configuración más estable es la B ya que tiene una
resistencia Re que actúa como elemento común entre la
malla de entrada y la malla de salida ayudado ası́ a la
estabilidad frente a cambios de temperatura, cambios del
β por de cambios de transistor .

• 5¿Cuál es una posible aplicación de cada una de las

configuraciones de polarización?
La frecuencia de la señal se duplica ya que ahora su
periodo es la mitad del de la onda de entrada, esto obliga
a la señal de salida a tener dos veces su frecuencia de
entrada .

V. C ONCLUSIONES
• Existen diferentes configuraciones que hacen más o
menos estables al transistor por efectos de temperatura
o variaciones de la fuente de alimentación ya que el
transistor esta hecho a base de diodos.