Dispositivos electrónicos

de potencia

IGBT
 Principio de operación y estructura

• El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una

estructura que permite:
 Modulación de la conductividad (lo que implica bajas pérdidas en
conducción)
 Antisaturación del transistor bipolar interno (no tan lento como si se
saturara completamente)
EL IGBT

 Control desde una puerta MOS (como un MOSFET).

R R

P P
N N
D
P P
V2
S1 V2
G
S
 Principio de operación y estructura

Colector
(Collector) Colector (C)
P E
N
D B Puerta (G)
P
C
EL IGBT

G Emisor (E)
S
Puerta
(Gate) Símbolo de un IGBT de canal N
Emisor
(Emitter)
Circuito equivalente
simplificado de un IGBT

Otro símbolo usado

 Principio de operación y estructura

Transistores bipolares (BJTs) de potencia

• Se utilizaban antes del desarrollo de los

MOSFET de potencia. Hoy se utilizan poco (como Corriente
interruptores principales) de Base
• Son mucho más lentos que los MOSFETs (como
unas 10 veces más lentos)
SiO2 B E
EL IGBT

• Además, hay que inyectar una corriente N+ P -

bastante apreciable por la base (sólo 5-20 veces N-
menor que la corriente de colector)
• Sin embargo, tienen modulación de la N+
conductividad, lo que implica que se pueden
hacer dispositivos que soporten mucha tensión C
(zona N- poco dopada) y que tengan baja
resistencia en conducción (por modulación de la Corriente de colector
conductividad)
• En resumen, superan a los MOSFET en
comportamiento estático
 Principio de operación y estructura

Comparación entre BJTs y MOSFETs de potencia

Conmutación Control Modulación Pérdidas en conducción en

de la dispositivos de alta
Conductividad tensión
BJTs Lenta Difícil Sí Bajas
EL IGBT

MOSFETs Rápida Fácil No Altas

• ¿Se puede conseguir un dispositivo con las ventajas

de ambos?
• La respuesta es el IGBT, que presenta muy buenas
características en aplicaciones de mayor potencia que
las de uso de los MOSFET (sacrificando frecuencia de
conmutación)
 Principio de operación y estructura

• Estructura interna de un IGBT

(modelo muy simple)
Emisor Emisor (E)
Puerta
Puerta (G)
EL IGBT

Emisor Puerta
Colector (C)
Colector
N+ N+
N- P
N+
P+
Colector
 Principio de operación y estructura

• Estructura interna de un IGBT

(modelo un poco más elaborado)

Puerta Emisor

Emisor Puerta
EL IGBT

N+ N+
P
Rdrift N- Rdrift
N+
P+
Colector
Colector
 Principio de operación y estructura

• El IGBT bloqueando (soportando) tensión

Zona de Emisor
transición
Puerta
Puerta
EL IGBT

Emisor V2

N+ N+ V2
Rdrift
P
N- R
N+
R
P+
Colector
Colector
 Principio de operación y estructura

• El IGBT conduciendo corriente

Modulación de la
Conductividad
Efecto Emisor
V1
transistor
Puerta
V1 Puerta
EL IGBT

Emisor V2

N+ N+ V2
Rdrift
P
Rdrift N- R
N+
R
P+
Colector
Colector
 Principio de operación y estructura

• Modelo completo de la estructura interna de un IGBT

Emisor Emisor
Puerta
Puerta
N+ Rbody
Rbody
P
EL IGBT

Rdrift
N-
Rdrift
N+

P+
Colector
Colector

• Hay un tiristor parásito que creaba problemas en los primeros

IGBTs. El problema está hoy solucionado, cortocircuitando Rbody
 Principio de operación y estructura

• Modelo completo de la estructura interna de un IGBT actual

(solucionado el problema del tiristor parásito interno)
Corriente que dispara Para evitar el disparo
el tiristor parásito de tiristor parásito

Emisor Emisor
Puerta Puerta
EL IGBT

N+ N+
Canal
Rbody P P+ P
Tiristor Canal
N- parásito N-
N+ N+

P+ P+
Colector Colector

Corriente por el BJT Corriente por el BJT

 Principio de operación y estructura

• El IGBT no puede conducir corriente inversa con tensión

cero en puerta, como sí ocurría en los MOSFETs
C
C
P
P
D N
N

Diodo P
EL IGBT

G P
parásito G
G
S Diodo
externo
E
E
Corriente inversa
Corriente inversa Corriente inversa
• El IGBT por tanto puede soportar tensión inversa
• Los IGBTs simétricos se diseñan para este fin. Sin embargo, la caída de
tensión directa es mayor en ellos.
• Para conducir corriente inversa hay que colocar un diodo en antiparalelo
 Principio de operación y estructura

• Estructuras asimétrica y simétrica

Emisor
Emisor
Puerta
Puerta
N+ N+
P+ P P
EL IGBT

P+
N-
N-
N+

P+ P+
Colector
Colector

• IGBT asimétrico • IGBT simétrico

(también llamado (también llamado
“punch-through IGBT”) “non-punch-through IGBT”)
 Curvas características de salida de los IGBTs

C
vEB_BJT +
iD [A] - iC [A]
6 vGS = 10V 6 vGE = 10V
vGS = 8V G vGE = 8V
vGS = 6V E vGE = 6V
4 4
EL IGBT

vGS = 5V vGE = 5V
2 2
vGS = 4V vGE = 4V
vGS < VGS(TO) = 3V vGE < VGE(th) = 3V
0 vDS [V] 0
2 4 2 4 vCE [V]
vEB_BJT
• Caso de un MOSFET.
• También es así en la parte • Caso de un IGBT.
“MOSFET” del IGBT • Se obtienen sumando vEB_BJT a las
curvas características de un MOSFET
EL IGBT Características generales de un IGBT
 Características generales de un IGBT

• Información general del IRG4PC50W.

EL IGBT
EL IGBT Características estáticas de un IGBT
 Características estáticas de un IGBT

IC_max @ T = 50 oC: 55 A

IC_max @ T = 75 oC: 48 A
EL IGBT
 Características estáticas de un IGBT

Asymmetrical IGBT
EL IGBT
 Características estáticas de un IGBT

• Curva característica estática para una tensión vGE dada

iC [A]
6 vGE = 15V

4
EL IGBT

0 vCE [V]
2 4
vEB_BJT

vEB_BJT 1V
 Características estáticas de un IGBT

Comportamiento
térmico como un
EL IGBT

MOSFET

Comportamiento
térmico como un
BJT
 Características dinámicas de los IGBTs

• Apagado con carga inductiva y diodo ideal

vGE
C
vGE(th)

G
iC
EL IGBT

E
Apagado de la
parte MOSFET

Apagado de
la parte BJT IL
“Cola” del IGBT
RG iC V
vCE A C
DC
VG G
+
B + vCE
v
V’G GE E
- -
 Características dinámicas de los IGBTs
• Comparación de IGBTs y MOSFETs en el apagado
vGE
C

vGE(th) D
G
G
S
vGS
iC E
EL IGBT

vDS(TO)

Parte MOSFET iD

Parte BJT

Cola
vCE Periodo con
vDS
pérdidas de
apagado
Pérdidas de
conmutación
 Características dinámicas de los IGBTs

• Encendido con carga inductiva y diodo ideal

vGE C
vGE(th)

G
EL IGBT

iC E

Periodo con pérdidas

de encendido

IL

vCE RG iC V
Encendido de la A C
DC
parte MOSFET VG G
+
B + vCE
Parte BJT v
V’G GE E
- -
 Características dinámicas de un IGBT

• Conmutaciones reales del IGBT IRG4PC50W teniendo en cuenta el

comportamiento real del diodo y las inductancias parásitas
EL IGBT
EL IGBT Características dinámicas de un IGBT
 Características dinámicas de un IGBT

• Capacidades parásitas y carga de puerta

EL IGBT
 Pérdidas en un IGBT

• Las de conducción se calculan desde las

curvas características estáticas:

• Las de conmutación a partir de

curvas específicas de los fabricantes:
EL IGBT