Memristor

Memristor
Tipo Pasivo

Principio de
Memristancia
funcionamiento
Leon Ong Chua
Invención
(1971)

Primera producción HP Labs (2008)

Símbolo electrónico

Terminales Entrada y salida

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El memristor (una contracción de las palabras "memoria" y "resistor") fue un término

acuñado en 1971 por el ingeniero eléctrico Leon Chua como el componente eléctrico
pasivo de dos terminales no-linear faltante, ya que relaciona la vinculación de la carga
eléctrica con un flujo magnético. 1 La operación de los dispositivos RRAM fue
recientemente conectada con el concepto de memristor. 2 De acuerdo con características
relaciones matemáticas, hipotéticamente el memristor podría operar de la siguiente manera:
la resistencia eléctrica del memristor no es constante sino que depende de la historia de la
corriente que ha fluido previamente a través del dispositivo; es decir, su resistencia actual
depende de la cantidad de carga eléctrica que ha fluido, y en qué dirección, a través de él en
el pasado. El dispositivo recuerda su historia, la llamada propiedad de no-volatilidad. 3
Cuando el suministro de energía eléctrica es desconectado, el memristor recuerda su
resistencia más reciente, hasta que vuelva a ser encendido. 45

Leon Chua ha argumentado recientemente que la definición podría ser generalizada para
cubrir todas las formas de dispositivos de memoria de dos terminales no-volátiles, basados
en los efectos de resistencia conmutativa (resistencia variable). 3 Aunque algunas pruebas
experimentales contradicen esta afirmación, ya que el efecto no-pasivo de una nanobatería
es observable en la memoria de la resistencia conmutativa. 6 Chua también argumentó que
el memristor es el elemento conocido más antiguo de los circuitos, con sus efectos
precediendo al resistor, capacitor y al inductor. 7
En 2008, un equipo de HP Labs afirmó haber encontrado el memristor faltante de Chua,
basado en el análisis de una capa fina de dióxido de titanio; 8 el resultado de los
laboratorios fue publicado en la revista Nature. 4 El memristor se encuentra actualmente en
desarrollo por varios equipos, incluyendo Hewlett-Packard, SK Hynix y HRL Laboratories.

Estos dispositivos fueron destinados a aplicaciones en memorias nanoelectrónicas, lógica

computacional y para arquitecturas computacionales neuromórficas/neuromemristivas. 9 En
octubre del 2011, el equipo anunció que la disponibilidad comercial de la tecnología
memristiva estaría al cabo de 18 meses, como un remplazo a las tarjetas Flash, SSD,
DRAM y SRAM. 10 Más recientemente, se anunció que su disponibilidad comercial para
una nueva memoria estaría estimada para el 2018. 11 En marzo del 2012, un equipo de
investigadores de HRL Laboratories y de la Universidad de Michigan anunció el primer
arreglo de memristores funcional en un chip CMOS. 12

Índice
 1 Antecedentes
 2 Definición y crítica del memristor
 3 Pruebas experimentales en memristores
 4 Teoría
o 4.1 Operación como un interruptor
o 4.2 Sistema memristivo
o 4.3 Histéresis pellizcada
o 4.4 Sistemas memristivos extendidos
 5 Implementaciones
o 5.1 Memristor de dióxido de titanio
o 5.2 Memristor polimérico
o 5.3 Memristor en capas
o 5.4 Memristor ferroeléctrico
o 5.5 Sistemas memristivos giratorios
 5.5.1 Memristor espintrónico
 5.5.2 Memristancia en de efecto túnel de unión magnética
 5.5.2.1 Mecanismo extrínseco
 5.5.2.2 Mecanismo intrínseco
 5.5.3 Sistemas memristivos giratorios
 6 Aplicaciones
 7 Memcapacitores y meminductores
 8 Memfractancia y memfractor, segundo y tercer orden del memristor,
memcapacitor y meminductor
 9 Cronología
o 9.1 1808
o 9.2 1960
o 9.3 1968
o 9.4 1971
o 9.5 1976
o 9.6 2008
 o 9.7 2009
o 9.8 2010
o 9.9 2011
o 9.10 2012
o 9.11 2013
o 9.12 2014
o 9.13 2015
 10 Referencias
 11 Otras lecturas
 12 Enlaces externos

Antecedentes

Simetrías conceptuales de resistencia, capacitancia, inductancia y memristancia.

En 1971, Chua extrapoló una simetría conceptual entre el resistor no-lineal (voltaje contra
corriente), capacitor no-lineal (voltaje contra carga eléctrica), y el inductor no-lineal (flujo
magnético contra corriente). Después infirió la posibilidad de un memristor como otro
elemento no-lineal fundamental conectando el flujo magnético con la carga eléctrica. En
contraste con un resistor lineal (o no-lineal), el memristor tiene una relación dinámica entre
la corriente y el voltaje incluyendo una memoria del mismo voltaje y corriente que tuvo en
el pasado. Otros científicos han propuesto resistores de memoria dinámica, tal como el
memistor de Bernard Widrow, pero Chua intentó introducir la generalidad matemática.

La resistencia del memristor depende de la integral de entrada aplicada a sus terminales (en
lugar del valor instantáneo de la entrada, como en un varistor). 4 Dado que el elemento
"recuerda" la cantidad de corriente que ha pasado a través de él la última vez, fue
etiquetado por Chua con el nombre de "memristor". Otra forma de describir al memristor,
es como cualquier elemento pasivo de un circuito que posee dos terminales que mantiene
una relación funcional entre la integral de la corriente en relación al tiempo (llamada carga)
y de la integral del voltaje en relación al tiempo (a menudo llamado flujo, por su relación
con el flujo magnético). La pendiente de ésta función se llama memristancia M y es similar
a la resistencia variable.
La definición del memristor está basada únicamente en las variables fundamentales de
circuitos de corriente y tensión (voltaje) y sus integrales con respecto al tiempo, justo como
el resistor, el capacitor y el inductor. Sin embargo, a diferencia de éstos tres elementos, en
que se permite una invariante lineal del tiempo o sistema teórico LTI, los memristores de
interés tienen una función dinámica con la memoria, y se pueden describir como una
función de la carga neta. No hay tal cosa como un memristor estándar. En lugar de ello,
cada dispositivo implementa una función en particular, en donde la integral del voltaje
determina la integral de la corriente y viceversa. Un memristor lineal invariante en el
tiempo, con un valor constante de M, es simplemente un resistor convencional. 1
Dispositivos manufacturados nunca son puramente memristores (memristor ideal), pero
también exhiben algo de capacitancia y resistencia.

Definición y crítica del memristor

De acuerdo con la definición original en 1971, el memristor fue el cuarto elemento
fundamental de los circuitos, formando una relación no-lineal entre la carga eléctrica y el
flujo magnético. En 2011 Chua abogó por una definición más amplia que incluyera a todos
los dispositivos de memoria de dos terminales no-volátiles basados en la conmutación de la
resistencia. 3 Williams argumentó que la MRAM, la memoria de cambio de fase y la
RRAM eran tecnologías memristivas. 13 Algunos investigadores argumentaron que las
estructuras biológicas como la sangre 14 y la piel 15 se ajustaban a la definición. Otros
argumentaron que el dispositivo de memoria en desarrollo por los HP Labs y otras formas
de RRAM no eran memristores, sino más bien parte de una clase más amplia de sistemas de
resistencia variable 16 y que una definición más amplia de memristor es una apropiación
científica injustificable que favoreció las patente del memristor de los HP Labs. 17

En 2011, Meuffels y Schroeder señalaron que uno de los papeles de los primeros
memristores incluían una suposición errónea con respecto a la conducción de iones. 18 En
2012, Meuffels y Soni discutieron algunas cuestiones fundamentales en la realización de
los memristores. 19 Indicaron insuficiencias en el modelado electroquímico presentado en
artículo de Nature"The missing memristor found" 4 ("Es encontrado el memristor perdido")
debido a que el impacto de los efectos de la polarización de concentración en el
comportamiento de las estructuras del óxido de titanio bajo estrés de un voltaje o una
corriente no se tomó en consideración. Ésta crítica fue mencionada por Valov et al 6 en
2013.

Además, Meuffels y Soni 19 señalaron que las ecuaciones de estado dinámico creadas para
un memristor que controlado únicamente por corriente con la llamada propiedad de no-
volatilidad 3 viola el principio de Landauer de la cantidad mínima de energía requerida para
cambiar estados de "información" en un sistema: Con el fin de exponer la propiedad de no-
volatilidad se requiere "que el memristor interno o los estados de información sean
separados uno del otro por las barreras de energía libre de Gibbs". 19 Siempre hay un
límite inferior de energía necesaria para cambiar un valor de bit en un dispositivo binario. 20
Ésta crítica fue adoptada por Di Ventra y Pershin 21 en 2013. El concepto de un memristor
controlado exclusivamente por corriente no proporciona un mecanismo físico que permita
dicho sistema del memristor para hacer frente a las inevitables fluctuaciones térmicas. 19
Tal sistema puede cambiar erráticamente su estado bajo la sola influencia de ruido en la
corriente. 22 Memristores cuyos estados de resistencia (memoria) dependen solamente de la
historia de corriente o voltaje, serían capaces de proteger sus estados de memoria contra el
inevitable ruido de Johnson-Nyquist, y permanentemente sufrir de pérdida de información,
llamada "catástrofe estocástica". 21 Tales memristores previstos no pueden existir en
dispositivos de estado sólido en la realidad física.

Otros investigadores observaron que los modelos del memristor basados en la hipótesis de
la derivada iónica lineal no tienen en cuenta la asimetría entre el tiempo establecido (de alta
a baja la variación de la resistencia) y el restablecimiento del tiempo (variación de
resistencia de alta a baja) y no proporcionan valores de movilidad iónica coherentes con los
datos experimentales. Se han propuesto modelos de esta derivada para compensar su
deficiencia. 23

Un artículo del 2014 de investigadores de ReRAM (RRAM) concluyó que las ecuaciones
del modelo inicial del memristor de Strukov (HP) no reflejan la física del dispositivo actual,
mientras que los modelos posteriores (basados en la física) como los modelos de ECM de
Menzel (coautor del artículo dicho) o el de Pickett poseen previsibilidad adecuada, pero son
computacionalmente prohibidos. A partir del 2014, la búsqueda continua por un modelo
que pueda equilibrar éstas cuestiones; el artículo identifica los modelos de Chang y de
Yakopcic como promesas potenciales. 24

Martin Reynold, un analista de ingeniería eléctrica, con el equipo de investigación de

Gartner, comentó que mientras HP estaba haciendo descuidado en llamar a su dispositivo
un memristor, los críticos estaban siendo pedantes al decir que no era un memristor. 25

Pruebas experimentales en memristores

Chua sugirió pruebas experimentales para determinar si un dispositivo podría ser
categorizado como un memristor: 26

 La curva de Lissajous en el plano de voltaje-corriente es un ciclo de histéresis

pellizcado cuando se maneja por cualquier voltaje o corriente periódico bipolar sin
tomar en cuenta las condiciones iniciales.

 El área de cada lóbulo del ciclo de histéresis pellizcado se encoge cuando la

frecuencia de la señal forzada aumenta.

 Cuando la frecuencia tiende a infinito, el ciclo de histéresis se degenera hasta ser

una línea recta a través del origen, cuya pendiente depende de la amplitud y de la
forma de la señal forzada.

De acuerdo con Chua, 2728 Todas las memorias de resistencia conmutativas incluyendo
ReRAM, MRAM, y memorias de cambio de fase reúnen estos criterios y son memristores.
Sin embargo, la falta de datos para la curva de Lissajous sobre un rango de condiciones
iniciales o sobre un rango de frecuencias, complica las evaluaciones de ésta afirmación.
La evidencia experimental demuestra que la memoria de resistencia de óxido-reducción
(ReRAM) incluye un efecto de nanobatería contrario al modelo del memristor de Chua.
Esto indica que la teoría del memristor necesita ampliarse o corregirse para permitir el
modelado de una ReRAM precisa. 6

Teoría
El memristor fue definido originalmente en términos de la relación funcional no-lineal entre
el flujo magnético Φm(t) y la cantidad de carga eléctrica que había fluido, q(t): 1

El "flujo magnético", Φ m, se generaliza a partir de la característica del circuito de un

inductor. No representa un campo magnético en este caso; su significado físico se discute a
continuación. El símbolo Φ m puede ser considerado como la integral del voltaje con
respecto al tiempo. 29

En la relación entre Φ m y q (carga eléctrica), la derivada de una con respecto a otra

depende del valor de uno o del otro, por lo que cada memristor se caracteriza por su función
de memristancia que describe la tasa dependiente de cambio del flujo con respecto a la
carga.

Sustituyendo el flujo por la integral del voltaje con respecto al tiempo, y la carga como la
integral de la corriente, la forma más conveniente es:

Para relacionar al memristor con un resistor, capacitor e inductor, es de ayuda el aislar el

término M(q), que caracteriza al dispositivo, y escribirlo como una ecuación diferencial.

Dispositivo Propiedad característica (unidades) Ecuación diferencial

Resistor (R) Resistencia (V por A, u ohm, Ω) R = dV / dI
Capacitor (C) Capacitanncia (C por V, o farad) C = dq / dV
Inductor (L) Inductancia (Wb por A, o henry) L = dΦm / dI
Memristor (M) Memristancia (Wb por C, u ohm) M = dΦm / dq

La tabla anterior cubre todas las proporciones significativas de los diferenciales de I, Q,

Φm, y V. Ningún dispositivo puede relacionar dI con dq, o dΦ m con dV, debido a que I es la
derivada de Q y Φ m es la integral de V.

Con esto, se puede inferir que la memristancia es una resistencia dependiente de la carga. Si
M(q(t)) es una constante, entonces obtenemos la Ley de Ohm R(t) = V(t)/ I(t). Si M(q(t)) es
no trivial, la ecuación no es equivalente debido que q(t) y M (q(t)) pueden variar con el
tiempo. Resolviendo para el voltaje como una función del tiempo obtenemos:

Esta ecuación revela que la memristancia define una relación linear entre la corriente y el
voltaje, siempre y cuando M no varíe con respecto a la carga. La corriente diferente de cero
implica que la carga varía con el tiempo. En corriente alterna, se puede observar la
existencia de la dependencia lineal en el funcionamiento del circuito mediante la inducción
de un voltaje medible sin el movimiento de la carga neta, siempre y cuando el cambio
máximo de q no ocasione un cambio significativo en M.

Además, el memristor es estático si no hay corriente que se le pueda aplicar. Si I (t) = 0,

encontramos que V (t) = 0 y M(t) se convierte en constante. Esta es la esencia del efecto de
una memoria.

La característica del consumo de energía hace alusión a la de una resistencia, I2R.

Mientras que M(q(t)) varíe un poco, como en corriente alterna, el memristor aparecerá
como una resistencia constante. Si M(q(t)) aumenta rápidamente, el consumo de corriente y
potencia se detendrá dramáticamente.

M(q) está restringida físicamente a ser positiva para todos los valores de q (asumiendo que
el dispositivo es pasivo y no se convierte en un superconductor en algún valor de q). Un
valor negativo significaría que suministraría energía constantemente cuando opere con
corriente alterna.

En 2008, investigadores de HP Labs introdujeron un modelo para una función de

memristancia basado en láminas delgadas de dióxido de titanio. 4 Para RON menor a ROFF, la

función de la memristancia es:

donde ROFF representa el estado de alta resistencia, RON representa el estado de baja
resistencia, μv representa la movilidad del dopaje en la lámina delgada, y D representa el
grosor de la lámina. El grupo del laboratorio señaló que “funciones de ventana” eran
necesarias para compensar las diferencias entre las medias experimentales con las de su
modelo del memristor debido a la incertidumbre no lineal de iones y efectos del límite.

Operación como un interruptor

Para algunos memristores, la corriente y voltaje aplicados sobre el provoca un cambio

sustancial en la resistencia. Tales dispositivos pueden ser categorizados como interruptores,
esto investigando el tiempo y la energía que deben gastarse para lograr un valor esperado
de resistencia. Esto supone que el voltaje aplicado permanece constante. Resolviendo para
la disipación de energía durante un solo evento de cambio (conmutación) revela que para
cambiar a un memristor de Ron a Roff en el tiempo Ton hasta Toff, la carga debe cambiar por
ΔQ = Qon−Qoff.

Sustituyendo V=I(q)M(q), y luego dq/V = ∆Q/V por constante V, resulta en la expresión

final. Esta característica de potencia difiere fundamentalmente de la de un transistor, que
está basado en un capacitor. A diferencia del transistor, el estado final del memristor en
términos de carga, no depende de la polarización del voltaje.

El tipo de memristor descrito por Williams deja de ser ideal después de la conmutación en
su rango de valores resistivos, creando histeresis, llamado también en inglés como "hard-
switching regime". 4 Otro tipo de interruptor tendría una M(q) cíclica, de manera que cada
conmutación (apagado/encendido) del evento bajo una tendencia constante. Tal dispositivo
actuaría como un memristor en todas las condiciones, pero sería menos práctico.

Sistema memristivo

El memristor fue generalizado a sistemas memristivos por Chua en 1976. 26 Mientras que
un memristor posee un estado matemáticamente escalar, un sistema tiene un estado
vectorial. El número de variables de estado es independiente del número de terminales.

Chua aplica este modelo a los fenómenos observados empíricamente, incluyendo el modelo
de Hodgkin–Huxley del axón y un termistor a una temperatura ambiente constante.
También describió los sistemas memristivos en términos de almacenamiento de energía y
de características eléctricas de fácil observación. Estas características podrían coincidir con
la RRAM, relacionando la teoría con áreas activas de investigación.

En un concepto más general de un sistema de n-ésimo orden memristivo, las ecuaciones

que lo definen son:

Donde u(t) es una señal de entrada, y(t) es una señal de salida, el vector x representa un
conjunto de n variables de estado que describe el dispositivo, y g y f son funciones
continuas. Para un sistema memristivo controlado por corriente, la señal u(t) representa a la
señal de corriente i(t) y la señal y(t) representa a la señal de voltaje v(t). Para un sistema
memristivo controlado por voltaje, la señal u(t) representa la señal de voltaje v(t) y la señal
y(t) representa la señal de corriente i(t).

El memristor puro es un caso particular de estas ecuaciones, es decir, cuando x depende

solamente de la carga (x=q) y puesto que la carga está relacionada con la derivada de la
corriente a través del tiempo dq/dt=i(t). Así, para memristores puros (es decir, ta tasa de
cambio de estado) debe ser igual o proporcional a la corriente i(t) .

Histéresis pellizcada

Ejemplo de una curva de histéresis pellizcada, voltaje contra corriente.

Una de las propiedades resultantes de los memristores y de sistemas memristivos es la

existencia del efecto de histéresis pellizcada.30 Para un sistema memristivo controlado por
corriente, la entrada u(t) es la corriente i(t), la salida y(t) es el voltaje v(t), y la pendiente de
la curva representa la resistencia eléctrica. El cambio de la pendiente de las curvas de
histéresis demuestra que existe conmutación entre diferentes estados resistivos, que es un
fenómeno central para las RRAM y otras formas de memoria resistiva de dos terminales. A
altas frecuencias, la teoría memristiva predice que el efecto de la histéresis pellizcada se
degenerará, resultando en una línea recta representativa de un resistor lineal. Se ha
demostrado que algunos tipos de curvaturas de tipo histéresis pellizcadas que no se cruzan
(denotadas de tipo II) no pueden ser descritas por memristores. 31
Sistemas memristivos extendidos

Algunos investigadores han planteado la cuestión de la legitimidad científica de los

modelos del memristor de HP en la explicación que le dan al comportamiento de la RRAM.
1617
Han sugerido modelos memristivos extendidos para remediar las deficiencias que
percibieron. 6

Un ejemplo 32 intenta extender el marco de sistemas memristivos incluyendo sistemas

dinámicos que incorporan derivadas de alto orden de la señal de entrada u(t) como una
expansión de la serie:

Donde m es un entero positivo, u(t) es una señal de entrada, y(t) es una señal de salida, el
vector x representa un conjunto de n variables de estado que describen al dispositivo, y las
funciones g y f son funciones continuas. Esta ecuación produce las mismas curvas de
histéresis que cruzan en el origen como sistemas memristivos, pero con una respuesta de
frecuencia diferente a la predicción realizada de los sistemas memristivos.

Otro ejemplo sugiere incluir un valor de desplazamiento "a" para hacer más notorio el
efecto observado en una nanobatería, el cual viola el efecto de la histéresis que cruza el
origen. 6

Implementaciones
Memristor de dióxido de titanio

El interés en el memristor revivió cuando una versión experimental de estado sólido fue
reportado por R. Stanley Williams de Hewlett Packard en el 2007. 333435 El artículo fue el
primero en demostrar que un dispositivo de estado sólido puede tener las características de
un memristor basado en el comportamiento de finas láminas a nanoescala. El dispositivo no
utiliza un flujo magnético como el memristor teórico sugiere, ni almacena una carga como
un capacitor, sino que logra una resistencia que depende de la historia de la corriente.
Aunque no es citado en los informes iniciales de HP de su memristor de TiO2, las
características conmutativas de resistencia del dióxido de titanio fueron descritas
originalmente en los años 60's. 36

El dispositivo de HP está compuesto de una lámina fina (50 nm) de dióxido de titanio entre
dos electrodos de 5 nm de espesor, uno de titanio, y el otro de platino. Inicialmente, había
dos capas de lámina de dióxido de titanio, uno de los cuales tenía un ligero agotamiento de
los átomos de oxígeno. Las vacantes de oxígeno actúan como portadores de carga, lo que
significa que la capa empobrecida tiene una resistencia mucho menor que la capa no
empobrecida. Cuando se aplica un campo eléctrico, las vacantes de oxígeno viajan (véase
conductor iónico rápido), cambiando el límite entre las capas de alta resistencia y las de
baja resistencia. Por lo tanto, la resistencia de la lámina como un todo depende de la
cantidad de carga que se ha transmitido a través de él en una dirección en particular, que es
reversible con solo cambiar el sentido de la corriente.4 Dado que el dispositivo de HP
muestra una conducción iónica rápida a nanoescala, se considera un dispositivo nanoiónico.
37

La memristancia aparece solo cuando la capa dopada y la capa empobrecida contribuyen a

la resistencia del dispositivo. Cuando suficiente carga ha pasado a través del memristor, los
iones ya no pueden moverse, el dispositivo entra en histéresis. Deja de integrar q=∫Idt, pero
mantiene q en un límite superior y M fijo, actuando como una resistencia constante hasta
que se invierte la corriente.

Aplicaciones en memorias de láminas finas de óxidos han sido un área activa de

investigación por un tiempo. IBM publicó un artículo en el 2000 con respecto a estructuras
similares a las descritas por Williams. 38 Samsung posee una patente de U.S. para
conmutadores basados en óxido-vacantes, similares a los de Williams.39 Williams también
tiene una solicitud de patente relacionada con la construcción de un memristor.40

En abril del 2010, laboratorios Hp anunció que tenían memristores prácticos trabajando a 1
ns (~1 GHz) de un tamaño de 3x3 nm,41 el cual es un buen augurio en el futuro de esta
tecnología.42 A estas densidades podría rivalizar fácilmente la tecnología de memoria flash
menor a 25 nm de la actualidad.

Memristor polimérico

En 2004, Krieger y Spitzer describieron un dopaje dinámico de polímeros y materiales

dieléctricos inorgánicos que mejoraron las características conmutativas y de la retención
requerida para crear celdas de memoria no-volátiles funcionales.43 Usaron una capa pasiva
entre las láminas de electrodo y del activo, lo que mejoró la extracción de iones del
electrodo. Es posible utilizar un conductor iónico rápido como capa pasiva, la cual
permitiría una reducción significativa del campo de extracción de iones.

En julio de 2008, Erokhin y Fontana afirmaron haber desarrollado un memristor polimérico

antes del memristor de dióxido de titanio anunciado recientemente.44
En 2012, Crupi, Pradhan y Tozer describieron una prueba de concepto de diseño para crear
circuitos de memoria sináptica usando memristores orgánicos basados en iones.45 El
circuito sináptico demostró una potenciación a largo plazo en el aprendizaje, así como una
inactividad basada en el olvido. Usando una red de circuitos, un patrón de luz fue
almacenado y después recuperado. Esto imita el comportamiento de las neuronas V1 de la
corteza visual primaria que actúan como filtros espacio-temporales que procesan las señales
visuales, tales como el movimiento de líneas y bordes.

Memristor en capas

En 2014, Bessonov et al. informaron sobre un dispositivo memristivo flexible que

comprende una heteroestructura MoOx/MoS2 intercalada entre electrodos de plata en una
lámina plástica. 46 El método de fabricación se basa totalmente en las tecnologías de
impresión y de soluciones de procesamiento, usando dicalcogenuros de metales en
transición (TMDs) en capas bidimensionales. Los memristores son mecánicamente
flexibles, ópticamente transparentes y con un bajo costo de producción. Se encontró que el
comportamiento memristivo de interruptores estaba acompañado por un efecto prominente
memcapacitivo. El alto rendimiento de interruptores demostró la plasticidad y
sostenibilidad sináptica a las deformaciones mecánicas para emular características
parecidas a sistemas neuronales biológicos en nuevas tecnologías computacionales.

Memristor ferroeléctrico

El memristor ferroeléctrico47 está basado en una delgada barrera ferroeléctrica intercalada

entre dos electrodos metálicos. El cambio de polarización de un material ferroeléctrico al
aplicar un voltaje positivo o negativo a través de su unión puede conducir a una orden de
dos variaciones de magnitudes resistivas: ROFF ≫ RON (un efecto llamado túnel de electro-
resistencia). En general, la polarización no cambia abruptamente. La inversión se produce
gradualmente a través de la nucleación y del crecimiento de los dominios ferroeléctricos
con la polarización opuesta. Durante este proceso, la resistencia no se encuentra en el
estado RON ni ROFF, sino en medio. Cuando se active el voltaje, la configuración del
dominio ferroeléctrico evoluciona, permitiendo un ajuste en el valor resistivo. Las
principales ventajas del memristor ferroeléctrico son que la dinámica de dominio
ferroeléctrico se pueden cambiar, ofreciendo una forma de diseñar la respuesta del
memristor, y que las variaciones de la resistencia se deben a fenómenos puramente
electrónicos, ayudando a la fiabilidad del dispositivo, sin implicar ningún cambio profundo
en la estructura del material.

Sistemas memristivos giratorios

Memristor espintrónico

Chen y Wang, investigadores del fabricante de discos duro Seagate Technology

describieron tres ejemplos de posibles memristores magnéticos.48 Un dispositivo de
resistencia se produce, cuando el espín de los electrones en una sección de los puntos del
dispositivo en una dirección distinta de los que están en otra sección, creando la "la pared
de dominio", un límite entre las dos secciones. Los electrones que fluyen a través del
dispositivo poseen un cierto espín, el cual altera el estado de magnetización del dispositivo.
Cambiando la magnetización, a su vez, mueve la pared de dominio y cambia la resistencia.
La importancia del trabajo llevó a una entrevista por la IEEE Spectrum.49 Una primera
prueba experimental del memristor espirotrónico basado en el movimiento de la pared de
dominio por corrientes de espín en un túnel de unión magnético fue dada en el 2011. 50

Memristancia en de efecto túnel de unión magnética

El túnel de unión magnética se ha propuesto para actuar como un memristor por medio de
varios mecanismos potencialmente complementarios, tanto extrínsecos (reacciones redox,
carga atrapada/liberada y electromigración dentro de la barrera) como intrínsecos (torque
de transferencia de espín).

Mecanismo extrínseco

Sobre la base de la investigación realizada entre 1999 y 2003, Bowen et al publicaron

experimentos en 2006 sobre el efecto túnel de unión magnética (MTJ) dotado de estados
biestables dependientes del espín (conmutación resistiva).51 El MTJ consiste en a barrera de
tipo túnel de SrTiO3 (STO) que separa al óxido semimetálico LSMO y a los electrodos del
metal ferromagnético CoCr. Los estados resistivos del dispositivo MTJ, caracterizados por
una alineación paralela o antiparalela de magnetización de un electrodo, son alterados al
aplicar un campo eléctrico. Cuando el campo eléctrico es aplicado desde el CoCr hacia el
electrodo del LSMO, el radio del túnel de magneto-resistencia (TMR) es positivo. Cuando
la dirección del campo eléctrico se invierte, el TMR es negativo. En ambos casos, se
encuentran amplitudes grandes del TMR en el orden del 30%. Debido a que una corriente
de espín polarizado fluye desde el electrodo del LSMO, dentro del modelo de Julliere, el
cambio de signo sugiere un cambio de polarización del espín efectivo de la interfaz del
STO/CoCr. El origen de este efecto de multiestatal recae en la migración observada de Cr
en la barrera y en su estado de oxidación. El cambio de signo de la TMR puede provenir de
las modificaciones a la densidad de estados de la interfaz del STO/CoCr, así como de los
cambios en el túnel en la interfaz STO/CoCr inducido por reacciones de óxido reducción
del CrOx.

Informes sobre conmutación memristiva basada en el MgO dentro del MTJ de MgO
aparecieron a partir del 200852 y el 2009.53 Mientras que el flujo de las vacantes de oxígeno
dentro de la capa aislante del MgO se ha propuesto para describir los efectos memristivos,53
otra explicación podría adjudicarse en los estados localizados del oxígeno54 y su impacto55
en la espintrónica. Esto enaltece la importancia del entendimiento del papel que las
vacantes de oxígeno juegan en la operación memristiva de los dispositivos que
implementan óxidos complejos con una propiedad intrínseca, tales como la
ferroelectricidad56 o la multiferrocidad.57

Mecanismo intrínseco

El estado de magnetización de un MJT puede ser controlado por un torque de transferencia

de espín, y por lo tanto, puede a través de este mecanismo físico intrínseco, exhibir un
comportamiento memristivo. Este giro es inducido por la corriente que fluye a través de la
unión, y conduce a un medio eficiente de lograr una MRAM. Sin embargo, la longitud de
tiempo en que la corriente fluye a través, determina la cantidad de corriente necesaria, es
decir, la carga es la variable clave.58

La combinación de mecanismos intrínsecos (torque de transferencia de espín) y extrínsecos

(resistencia conmutativa) conduce naturalmente a un sistema memristivo de segundo orden
descrito por el vector x = (x1,x2), donde x1 describe el estado magnético de los electrodos, y
x2 denota el estado resistivo de la barrera de MgO. En este caso, el cambio de x1 es
controlado por corriente (el torque del espín se debe a una alta densidad de corriente)
mientras que x2 es controlado por voltaje (el flujo de vacantes de oxígeno se debe a altos
campos eléctricos). La presencia de ambos efectos en una unión magnética de tipo túnel
memristivo llevó a la idea de un sistema nanoscópico de sinapsis neuronal.59

Sistemas memristivos giratorios

Un mecanismo fundamentalmente diferente para el comportamiento memristivo ha sido

propuesto por Pershin60 y Di Ventra.6162 Los autores muestran que ciertos tipos de
estructuras espintrónicas de semiconductores pertenecen a una amplia clase de sistemas
memristivos, como lo definen Chua y Kang.26 El mecanismo del comportamiento
memristivo en dichas estructuras se basa totalmente en el grado de libertad de espín del
electrón, el cual permite un control más conveniente que el transporte iónico en
nanoestructuras. Cuando se cambia un parámetro de control externo (como el voltaje), el
ajuste de la polarización del espín del electrón se retrasa debido a procesos de difusión y
relajación, causando histéresis. Este resultado fue anticipado en el estudio de la extracción
del espín en interfaces semiconductoras/ferromagnéticas,63 pero no fue descrita en términos
del comportamiento memristivo. En una escala de corto tiempo, estas estructuras se
comportan casi como un memristor ideal.1 Este resultado amplía la gama de posibilidades
en aplicaciones de semiconductores espintrónicos y da un paso adelante en futuras
aplicaciones prácticas.

Aplicaciones
El memristor de estado sólido de Williams se puede combinar en dispositivos llamados
crossbar latches, el cual podría sustituir a los transistores en los ordenadores del futuro,
dada su mayor densidad del circuito.

Se pueden formar potencialmente en memorias de estado sólido no-volátiles, lo que

permitiría una mayor densidad de datos que los discos duros con tiempos de acceso
similares a DRAM, en sustitución de ambos componentes.64 HP prototipó una memoria de
tipo "crossbar latch" que puede contener 100 gigabits por centímetro cuadrado,8 y propuso
un diseño escalable en 3D (que consta de hasta 1000 capas o de 1 petabit por centímetro
cúbico).65 En mayo de 2008, HP informó que su dispositivo actualmente alcanza cerca de
una décima parte de la velocidad de DRAM.66 La resistencia de los dispositivos se lee con
corriente alterna, para que así el valor almacenado no se vea afectado.67 En mayo de 2012
se informó que el tiempo de acceso había sido mejorado a 90 nanosegundos, si no es que
más rápido, aproximadamente cien veces más rápido que la memoria Flash contemporánea,
durante el uso de un 1% de energía.68

Patentes del memristor incluyen aplicaciones en lógica programable,69 procesamiento de

señales,70 redes neuronales,71 sistemas de control,72 computación reconfigurable,73
interfaces cerebro-computadora74 y RFID.75 Dispositivos memristivos son utilizados
potencialmente en implicación lógica, permitiendo un remplazo para la computación de
lógica basada en CMOS. Se reportan varias obras tempranas en esta dirección.7677

En 2009, un circuito electrónico sencillo78 que consiste de una red LC y un memristor fue
utilizado para modelar experimentos sobre el comportamiento de la adaptación de
organismos unicelulares.79 Se demostró que somete a un tren de impulsos periódicos, el
circuito aprende y anticipa el siguiente pulso similar al comportamiento de los modelos del
limo Physarum polycephalum, donde la viscosidad de los canales en el citoplasma
responden a los cambios periódicos del entorno.79 Las aplicaciones de tales circuitos
pueden incluir, por ejemplo, reconocimiento de patrones. El proyecto "SyNAPSE" de
DARPA financió los laboratorios HP, en colaboración con los Laboratorios Neuromórficos
de la Universidad de Boston, han estado desarrollando arquitecturas neuromórficas basados
en sistemas memristivos. En 2010, Versace y Chandler describieron el modelo de
MoNETA (de sus siglas en inglés Modular Neuronal Exploring Travelling Agent).80
MoNETA es el primer modelo de redes neuronales a gran escala para implementar circuitos
en todo el cerebro para alimentar un agente virtual y robótico utilizando hardware
memristivo.81 La aplicación de la estructura de travesaño ("crossbar") en la construcción de
un sistema análogo de software computacional fue demostrado por Merrikh-Bayat y
Shouraki.82 En 2011 se mostraron83 como unos memristores de tipo "crossbar" pueden ser
combinados con lógica difusa para crear un sistema analógico memristivo neuro-difuso de
computación con terminales de entrada y salida difusas. El aprendizaje se basa en la
creación de relaciones difusas inspiradas en la regla de aprendizaje de Hebbian.

En 2013, Leon Chua publicó un tutorial que subraya el amplio lapso de fenómenos
complejos y aplicaciones que abarcan los memristores y cómo pueden ser utilizados como
memorias analógicas no volátiles, y pueden imitar los fenómenos clásicos de habituación y
de aprendizaje.84

Memcapacitores y meminductores
En 2009, Di Ventra, Pershin y Chua extendieron 85 la noción de sistemas memristivos a
elementos capacitivos e inductivos en forma de memcapacitores y meminductores, cuyas
propiedades dependen del estado y la historia del sistema, ampliado en 2013 por Di Ventra
y Pershin.21

Memfractancia y memfractor, segundo y tercer orden del

memristor, memcapacitor y meminductor
En septiembre de 2014, Mohamed-Salah Abdelouahab, Rene Lozi y Leon Chua, publicaron
una teoría general del primer, segundo, tercer y n-ésimo orden de un elemento memristivo
utilizando derivados fraccionarios.86

Cronología
1808

Sir Humphry Davy es proclamado por Leon Chua al haber realizado los primeros
experimentos que muestran los efectos de un memristor.787

1960

Bernard Widrow acuña el término memristor (es decir, resistencia de memoria) para
describir los componentes de una red neuronal artificial rudimentaria llamada ADALINE.

1968

Argall publica un artículo que muestra los efectos de la resistencia conmutativa frete al
TiO2 , que más tarde fue reclamado en 2008 al ser una evidencia de un memristor por los
investigadores de Hewlett Packard.36

1971

Leon Chua postula un nuevo elemento de circuitos de dos terminales que se caracteriza por
una relación entre la carga eléctrica y el flujo magnético como el cuarto elemento
fundamental de circuitos.1

1976

Chua y su estudiante Sung Mo Kang generalizaron la teoría de los memristores y sistemas

memristivos incluyendo una propiedad de la curva de Lissajous de cruce en el origen, que
caracteriza el comportamiento de la corriente contra el voltaje.26

2008

El 1 de mayo, Strukov, Snider, Stewart y Williams publicaron un artículo en la revista

Nature, identificando un vínculo entre el comportamiento de conmutación de una
resistencia de dos terminales que se encuentra en los sistemas a nanoescala y en
memristores.88

El 10 de agosto, el Dr. Kris Campbell da a conocer un nuevo enfoque para desarrollar,

fabricar y probar los memristores en la parte superior de los chips CMOS.89

2009
El 23 de enero Di Ventra, Pershin y Chua extendieron la noción de sistemas memristivos a
los elementos capacitivos e inductivos, a saber capacitores e inductores cuyas propiedades
dependen del estado e historia del sistema.85

El 1 de mayo Kim, et al. describieron un material nuevo de un memristor basado en

nanopartículas de magnetita y propuso un modelo del memristor extendido que incluye
tanto a la resistencia y capacitancia dependiente del tiempo.90

El 13 de julio Mouttet describe un circuito de reconocimiento de patrones basados en un

memristor que puede realizar una variación analóogica de la función XOR. La arquitectura
del circuito se propuso como una manera de evitar la arquitectura y el cuello de botella de
Von Neumann para los procesadores utilizados en los sistemas robóticos de control.91

El 4 de agosto Choi, et al. describieron la realización física de una matriz eléctricamente

modificable de las sinapsis neuronales memristivas.92

2010

El 8 de abril Borghetti, et al. describieron una matriz de memristores que demuestran la

capacidad de realizar operaciones lógicas.93

El 20 de abril se introdujo la memoria de contenido direccionable basados en memristores

(MCAM).94

El 1 de junio Mouttet argumentó que la interpretación del memristor como cuarto elemento
fundamental era incorrecta, y que el dispositivo de los laboratorios HP fue parte de una
clase más amplia de sistemas memristivos.95

El 31 de agosto HP anunció que se habían unido con Hynix en un equipo para la creación
de un producto comercial llamado "ReRAM".96

El 7 de diciembre So y Koo desarrollaron un hidrogel de forma memristiva que se especula

que es útil para construir una interfaz cerebro-computadora.97

2011

En octubre, Tse demostró que los contadores memristivos impresos basados en el

procesamiento de soluciones, con un potencial de aplicaciones como componente de bajo
costo de embalaje (sin necesidad de una batería; impulsados por mecanismos de captación
de energía).98

2012

El 23 de marzo HRL Laboratories y la Universidad de Michigan anunciaron la primera

matriz memristiva funcional integrada en un chip CMOS para aplicaciones en arquitecturas
neuromórficas de computación.12
El 5 de julio, los investigadores italianos del Politecnico di Torino, Alon Ascoli y Fernando
Corinto, mostraron que un circuito puramente pasivo, que emplea componentes ya
existentes, pueden exhibir dinámica memristivas.99 El circuito se compone d eun puente de
diodos ya existentes y un circuito RLC en serie, introduciendo la no-linealidad y el
comportamiento dinámico del sistema, respectivamente. En su más reciente clasificación de
los sistemas memristivos, que data de septiembre del 2013, el profesor L.O. Chua clasificó
este circuito como un ejemplo de un memristor generalizado.

El 31 de julio, Meuffels y Soni19 se cuestionaron sobre la aplicabilidad del concepto de un

memristor no volátil controlado solamente por corriente a cualquier dispositivo físicamente
realizable.

2013

El 27 de febrero Thomas et al., demostraron que un memristor puede utilizarse para imitar
una sinapsis más sencilla a comparación con la tecnología CMOS tradicional, y que puede
ser utilizado como la base para la construcción de circuitos físicos capaces de aprender. El
enfoque utiliza memristores como componentes clave en un modelo para un cerebro
artificial.100

El 23 de abril Valov, et al., argumentaron que la teoría memristiva actual debe extenderse a
una teoría completamente nueva para poder describir adecuadamente a los elementos
conmutativos resistivos a base de óxido-reducción (RRAM). La razón principal es que la
existencia de nanobaterías en interruptores resistivos basados en redox viola el requisito de
la teoría del memristor para una histéresis pellizcada.6

2014

El 10 de febrero, Nugent y Molter presentaron una nueva forma de computación

denominada "AHaH Computing", la cual utiliza pares diferenciales de memristores como
medio de almacenamiento para pesos sinápticos. La arquitectura propuesta proporciona una
solución al "cuello de botella de Von Neumann" mediante la fusión del procesador y la
memoria, y el hardware del futuro basado en esta tecnología puede reducir el consumo de
energía de las aplicaciones de aprendizaje de máquina.101

El 10 de noviembre, Bessonov et al. demostraron un nuevo tipo de memristor flexible que

comprende heteroestructuras MoOx/MoS2 intercaladas entre electrodos de plata en una
lámina plástica.46

2015

El 21 de marzo, Bio Inspired Technologies of Boise, Idaho introdujo el primer memristor

discreto comercial disponible en el mercado. El memristor está fabricado en silicio y está
basado en el diseño de una batería conductora de calcogenuro de plata. El dispositivo es
analógico y está programado en varios estados de programado y borrado por la aplicación
de voltaje en corriente directa o pulsos discretos. El componente forma un bloque de
construcción para los investigadores interesados en el diseño y creación de prototipos de
circuitos neuromórficos y arquitecturas de memoria avanzada.