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Ingeniería Electrónica
Electrónica II
Profesor:
Bogotá, D.C.
2017
Informe de Práctica No. 1
Resumen
Objetivos
cargas activas.
Marco Teórico
método más eficiente para polarizar un transistor y que solucione algunos problemas que se
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una tolerancia no nula, todos los parámetros dependen de la temperatura, la tensión de
de sensibilidad. Donde se determinó que esta sensibilidad marca la estabilidad del punto
de operación, un estudio de los métodos de polarización puede demostrar que la red con
del transistor, además, cuanto mayor sea RE , más estable es el circuito, pero disminuye la
ganancia del amplificador, también cuanto menor sea RB , más estable es el punto de
Espejos de corriente:
Es una configuración con la que se pretende obtener una corriente constante, esto es, una
una resistencia.
de Q2 .
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Fuente de corriente como carga activa:
Una fuente de corriente además de actuar como circuito de polarización posee una
impedancia interna de alto valor que puede ser utilizada como elemento de carga de
amplificadores. Con ello se consigue obtener cargas de un alto valor resistivo con un área
de ocupación muy inferior con respecto a las resistencias de difusión de ese mismo valor.
Las resistencias de carga en este tipo de circuitos son elevadas lo que se traduce en una
forma directa las ecuaciones y anexando a lo último los procesos que se consideren
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Procedimiento
Se emplea el arreglo de transistores NPN CA3086 y el Transistor PNP 2N3906, por lo que
6V+6V
V CE = 3 =4V
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Teniendo en cuenta que por dicha malla de salida baja la misma corriente por las
RB =
hF E
10 · ( V CC + V EE
3 · I CQ )= 90
10 · ( 12 V
3 · 0,4 mA ) = 90 KΩ
Además, se halla el voltaje de V BB , teniendo en cuenta que dicho voltaje es igual a la suma
del voltaje de la fuente V EE , el voltaje sobre la resistencia emisor, más el voltaje de la unión
base emisor.
V BB = − V EE + V RE + V BE = − 6 V + 4 V + 0, 7 V = − 1.3 V
Como se emplea una configuración por divisor de tensión, entonces se hallan las
RB · (V CC + V EE ) 90 KΩ · (6 V + 6 V )
R1 = V BB + V EE = − 1.3 V + 6 V ≈ 229, 787 KΩ (220 KΩ)
RB · R1 90 KΩ · 229,787 KΩ
R2 = R1 − RB = 229,787 KΩ − 90 KΩ ≈ 147, 945 KΩ (150 KΩ)
condiciones del paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar resultados con los
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Método de Polarización con Espejo de Corriente
diseñar el espejo de corriente, teniendo en cuenta que la fuente V EE permite polarizar el los
transistores PNP con características similares a los del arreglo CA3086) para
del paso 1)
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Método de Polarización Con Espejo de Corriente y Carga Activa
Ilustración 5. Esquema del amplificador EC BJT con espejo de corriente y carga activa.
Para este último caso se emplea el mismo análisis que en el diseño del espejo de corriente,
Para obtener el valor de la ganancia de voltaje determina el valor de hIE y seguido de ello
se emplea la ecuación de ganancia de voltaje para un emisor común con degeneración y sin
RL .
hF E · V T 90 · 26 mV
hIE = IC = 0,4 mA ≈ 5, 85 KΩ
hF E · RC 90 · 10 KΩ
AV = hIE = 5,85 KΩ ≈ 153, 846
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Ganancia de voltaje con Espejo de Corriente y Carga Activa.
1
La ganancia de voltaje, al contar con carga activa, este reemplaza el valor de RC con hOE
del transistor de la carga activa, dicho valor de hOE , se encuentra en las gráficas de anexos
Ilustración 8.
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hF E · hOE 90 · 100 KΩ
AV = hIE = 5,85 KΩ ≈ 1538, 462
Tablas y Análisis
V RC ( V ) V CE ( V ) V RE ( V ) I C ( mA )
Porcentaje de Error ( % )
V RC 9
V CE 15,5
V RE 6,5
IC 7,5
Tabla 2. Porcentaje de error del amplificador EC BJT con polarización resistiva.
V RC ( V ) V CE ( V ) V RE ( V ) I C ( mA )
Porcentaje de Error ( % )
V RC 2,5
V CE 4,25
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V RE 7,5
IC 2,5
Tabla 4. Porcentaje de error del amplificador EC BJT con espejo de corriente.
V RC ( V ) V CE ( V ) V RE ( V ) I C ( mA )
Porcentaje de Error ( % )
V RC 5,25
V CE 8,75
V RE 11,5
IC 3
Tabla 6. Porcentaje de error del amplificador EC BJT con espejo de corriente y carga activa.
Vo ( V ) Vi ( mV )
Método No.1 1V 10 mV
Av Teórico Práctica
Método No. 1 153,85 100
Método No. 3 1538,46 960
Tabla 8. Ganancia de la comparación entre ganancias de voltaje
Porcentaje de Error ( % )
9
Método No. 1 35
Método No. 3 37,6
Tabla 9. Porcentaje de error de la comparación entre ganancias de voltaje
transistores de malla salida, debido a que se cumple la ley de Voltajes de Kirchhoff a través
del circuito, pero debido a que el valor de las resistencias calculadas no es el mismo al valor
presenta cierta variaciones debido a que se espera que todo se encuentre en el mismo
microcircuito para reducir la variaciones que se presentan con respecto a los hF E , por lo
que el compensar dichas variaciones exige resistencias o elementos con mayor precisión,
cabe resaltar que las tolerancias de los dispositivos, descritas anteriormente también
Además se debe tener en cuenta que los espejos de corriente son fuente de corrientes
cercanas a las ideas, por lo que su funcionamiento en DC permite visualizar una resistencia
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Conclusiones
- A partir del uso de los espejos de corriente y la carga activa se puede evidenciar una
acuerdo a lo que se muestra en la tabla No. 8 que contrasta las ganancia entre la
de acuerdo al datasheet del dispositivo llega a ser grande, por lo que se ven grandes
correspondientes 0, 4 mA .
resultados más precisos por lo que no se tiene en cuenta las capacitancias internas
generar a tener las lecturas en las ganancias debido a que esta puede encontrarse
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Anexos
extraídas de las hojas de especificaciones del fabricante para los dispositivos CA3086 y
2N3906.
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Ilustración 8. Admitancia de salida hOE V S I C Obtenida del Datasheet del dispositivo 2N3906.
Referencias
- ttp://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/sp16/labs/CA3086_datasheet.pdf)
Datasheet CA3086 (h
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