ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA,
TELECOMUNICACIONES Y REDES DE INFORMACIÓN

INFORME X TRABAJO PREPARATORIO

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Práctica #: 1
Tema: Amplificador en configuración de Emisor Común

Realizado por:
Alumno (s): Jaramillo Fernanda Grupo: Gr6

(Espacio Reservado)

Fecha de entrega: ____ / ____ / ____ f.

______________________
año mes día Recibido por:

Sanción:
________________________________________________

Semestre: Sep - Feb __ X ___

Mar - Ago _______ 2016-B
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS

PRÁCTICA Nº 01

TEMA: Amplificador en configuración de Emisor Común

Objetivo:

 Diseñar e implementar un amplificador en configuración de Emisor Común

utilizando un TBJ y comprobar su funcionamiento.
Cuestionario:

1. Consultar:
 Principales características de un Amplificador Emisor Común. (disposición
de elementos, tipos de ganancias V / I / ambas, impedancias esperadas)

Circuito Emisor Común

En la configuración emisor común, entre la base y el emisor aparece una impedancia

de entrada característica del transistor la cual se determina tomando a través de los
elementos equivalentes internos del transistor siendo estos: 𝑟𝑒 𝑦 𝛽.
En este circuito en AC los capacitores son corto circuitos debido a la frecuencia de
operación y las fuentes de polarización (DC) se consideran tierra de AC.[1]

FIG.1 Amplificador con TBJ en configuración de emisor común.

Características:
En la configuración de emisor común:
1. En esta configuración del transistor, amplifica voltaje, corriente y potencia en una
gran proporción.
2. Tiene dos tipos de ganancias de voltaje y de corriente
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3. La señal de salida está desfasada verificando esto en la ganancia de voltaje debido
a su signo negativo.
4. La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente de
salida (IC) es mayor que la corriente de la entrada (IB). Suele tener un rango entre
40 y 400, con la mayoría dentro del rango medio.
5. Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700Ω y 1000Ω. Alta impedancia de salida
(ZOUT), entre (50kΩ). Alta ganancia de corriente entre 20 y 300. Alta ganancia de
voltaje [2].
 Expresiones de Ganancia de Voltaje e Impedancia de entrada con su debida
justificación.
Impedancia de entrada

Por la definición de impedancia:

𝑽𝒊𝒏𝑻
𝒁𝒊𝒏𝑻 =
𝒊𝒊𝒏𝑻

Puesto que el voltaje de entrada en el transistor es el mismo que el voltaje de

entrada al circuito, que la corriente a la entrada del transistor es la corriente de base
y que la suma de las resistencias del emisor multiplicadas por la corriente que las
atraviesa define el voltaje de entrada, se tiene la relación:
𝑉𝑖𝑛 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )𝑖𝑒 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )𝑖𝑒
𝑍𝑖𝑛𝑇 = = =
𝑖𝐵 𝑖𝐵 𝑖𝑒
𝛽+1
𝑍𝑖𝑛𝑇 = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )

La impedancia de entrada de todo el amplificador se puede definir así:

𝑉𝑖𝑛 (𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2||𝑍𝑖𝑛𝑇 )𝑖𝐵

𝑍𝑖𝑛 = =
𝑖𝑖𝑛 𝑖𝐵

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2 ||𝑍𝑖𝑛𝑇

La impedancia de salida se define considerando o no 𝑅𝐿

𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )𝑖𝐶
𝑍𝑜𝑢𝑡 = =
𝑖𝑜𝑢𝑡 𝑖𝐶

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿

la impedancia de salida es aquella que es tomada a partir del punto de salida

del amplificador, por ello se puede omitir la impedancia de carga así:
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐶 𝑖𝐶
𝑍𝑜𝑢𝑡 = =
𝑖𝑜𝑢𝑡 𝑖𝐶

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶
Relación de voltajes que define la ganancia de voltaje del amplificador:
𝑣𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
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(𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )𝑖𝐶
𝐴𝑣 =
(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )𝑖𝑒

(𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )𝑖𝐶

𝐴𝑣 = −
(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )𝑖𝐶
𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
Ganancia de corriente
𝑖𝐿
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖
𝑖𝐿 𝑉𝐿 /𝑅𝐿 𝑉𝐿 𝑍𝑖
𝐴𝑖 = = = .
𝑖𝑖 𝑉𝑖 /𝑍𝑖 𝑉𝑖 𝑍𝐿

𝑉𝐿 𝑍𝑖
= 𝐴𝑣 → 𝐴𝑖 = 𝐴𝑣 .
𝑉𝑖 𝑍𝐿

𝐴𝑖 = −(𝛽 + 1) ≃ −𝛽

 Principales consideraciones de Diseño (Recorte de Señal, estabilidad Térmica,

Superposición de Señales, etc.)

- Rc debe ser igual a Rl para que exista la mayor trasferencia de potencia.

- Cuando se calcula el voltaje de emisor se debe sumar 1 voltio que afectará a la
resistencia dinámica.
- Para el diseño se debe ocupar un beta de 50
- A los valores de VRc, VE se los debe multiplicar por un factor.
- En el cálculo de los capacitores es mejor colocar un capacitor más grande (en
capacitancia) para que la impedancia de este sea más pequeña y así se asegure el
corto circuito en el análisis AC.
- El capacitor del emisor debe ser muy exacto para que cortocircuite a RE2.
- La señal de salida está desfasada con respecto a la de entrada por ende puede haber
la posibilidad que los picos se corten por ello se elige un voltaje de 1V.
- En el cálculo del voltaje emisor-colector debe tomarse en cuenta el voltaje de entrada
y además sumar 2 voltios para garantizar que no se recorte la señal [1].

2. Diseñar un amplificador con TBJ en configuración Emisor Común que cumpla con las
siguientes condiciones:

𝐴𝑣 = −22
𝑉𝑖𝑛 = 110𝑚𝑉𝑝
𝑅𝐿 = 1.8𝑘Ω
𝑓 = 1𝐾𝐻𝑧
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𝑉𝑜𝑝
|𝐴𝑉 | =
𝑉𝑖𝑛𝑝

𝑉𝑜𝑝 = |𝐴𝑉 | ∗ 𝑉𝑖𝑛𝑝

𝑽𝒐𝒑 = 𝟐𝟐 ∗ 𝟏𝟏𝟎𝒎𝑽 = 𝟐. 𝟒𝟐 𝑽

Asumo que:

𝑹𝑪 > 𝑹𝑳
𝑅𝐶 > 1.8 𝑘
𝑹𝑪 = 𝟐 𝒌Ω
𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 ≥ 𝑉
𝑅𝐶 || 𝑅𝐿 𝑜𝑝
2 𝑘Ω
𝑉𝑅𝐶 ≥ ∗ 2.42 𝑉
2 𝑘Ω ||1.8𝑘Ω
𝑉𝑅𝐶 ≥ 5.11 𝑉 → × (1.2)

𝑉𝑅𝐶 ≥ 6.13 𝑉

𝑽𝑹𝑪 = 𝟏𝟑 𝑽
𝑉𝑅𝐶 13 𝑉
𝐼𝐶 = =
𝑅𝐶 2 𝑘Ω
𝑰𝑪 = 𝟔. 𝟓 𝐦𝐀
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶
26 mV 26 mV
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 6.5 mA
𝒓𝒆 = 𝟒 Ω Es relativamente estable

Cumplir con estabilidad térmica

𝑟𝑒 ≪ 𝑅𝐸1
𝑅𝐶 || 𝑅𝐿
|𝐴𝑉 | =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
947.37
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 = = 𝟒𝟑. 𝟎𝟔 𝛀
22
𝑅𝐸1 = 43.06 − 4

𝑅𝐸1 = 39.06 Ω
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Asumiendo una resistencia estándar

𝑹𝑬𝟏 = 𝟑𝟗 𝛀

𝐼𝐶 6.5 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = =
𝛽 50
𝑰𝑩 = 𝟏𝟑𝟎 µ𝑨
𝐼2 ≫ 𝐼𝐵
𝐼2 = 10𝐼𝐵 = 10(130 µ𝐴)
𝑰𝟐 = 𝟏𝟑𝟎𝟎 µ𝑨
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵
𝐼1 = 11𝐼𝐵
𝑰𝟏 = 𝟏𝟒𝟑𝟎 µ𝑨
𝑉𝐸 ≥ 1 𝑉 + 𝑉𝑖𝑛𝑝

𝑉𝐸 ≥ 1 𝑉 + 110 𝑚𝑉
𝑉𝐸 ≥ 1.11 𝑉 → × (1.2)
𝑉𝐸 ≥ 1.33 𝑉
𝑽𝑬 = 𝟐 𝑽
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑜𝑝 + 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝑎𝑐𝑡

𝑉𝐶𝐸 ≥ 2.42 𝑉 + 110 𝑚𝑉 + 2 𝑉

𝑉𝐶𝐸 ≥ 4.53 𝑉 → × (1.2)
𝑉𝐶𝐸 ≥ 5.44𝑉
𝑽𝑪𝑬 = 𝟔𝑽
𝑉𝐶𝐶 ≥ 𝑉𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 +𝑉𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐶 ≥ 2 𝑉 + 6 𝑉 + 13 𝑉
𝑉𝐶𝐶 ≥ 21 𝑉
𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟏 𝑽
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵 = 2 𝑉 + 0.7 𝑉
𝑽𝑩 = 𝟐. 𝟕 𝑽 = 𝑽𝑹𝟐
𝑉𝑅1 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅2
𝑉𝑅1 = 21 − 2.7
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𝑽𝑹𝟏 = 𝟏𝟖. 𝟑 𝑽
𝑉𝑅1 18.3 V
𝑅1 = = = 12.79 𝑘Ω
𝐼1 1430 𝜇𝐴
Asumiendo una resistencia estándar

𝑹𝟏 = 𝟏𝟐 𝒌𝛀
𝑉𝑅2 2.7 V
𝑅2 = = = 2.08 𝑘Ω
𝐼2 1300 𝜇𝐴
Asumiendo una resistencia estándar

𝑹𝟐 = 𝟐 𝒌𝛀
𝑉𝐸 2𝑉
𝑅𝐸𝑇 = 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 = = = 307.69
𝐼𝐸 6.5 𝑚𝐴
𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸𝑇 − 𝑅𝐸1

𝑅𝐸2 = 307.69 − 39 = 268.69 Ω

Asumiendo una resistencia estándar

𝑹𝑬𝟐 = 𝟐𝟕𝟎 𝛀

Calculo de Capacitores

|𝑋𝐶𝐵 | ≪ 𝑍𝑖𝑛
1
≪ 𝑍𝑖𝑛
2𝜋𝑓𝐶𝐵
10 10
𝐶𝐵 = =
2𝜋𝑓𝑍𝑖𝑛 2𝜋𝑓(𝑅1 ||𝑅2 ||(𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )

10
𝐶𝐵 =
2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2 ||(𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )
10
𝐶𝐵 =
2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(12𝑘Ω||2𝑘Ω||(50 + 1)(4Ω + 39Ω)

𝐶𝐵 = 1.65 µ𝐹
Asumiendo un capacitor estándar

𝑪𝑩 = 𝟏𝟎 µ𝑭
|𝑋𝐶𝐶 | ≪ 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
1
≪ 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
2𝜋𝑓𝐶𝐶
10 10
𝐶𝐶 = =
2𝜋𝑓(𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) 2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(2 𝑘Ω||1.8 𝑘Ω)
𝐶𝐶 = 1.68 µ𝐹
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Asumiendo un capacitor estándar

𝑪𝑪 = 𝟏𝟎 µ𝑭
|𝑋𝐶𝐸 | ≪ 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
1
≪ 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
2𝜋𝑓𝐶𝐸
10 10
𝐶𝐸 = =
2𝜋𝑓(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) 2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(4Ω + 39Ω)
𝐶𝐸 = 37.01 µ𝐹
Asumiendo un capacitor estándar

𝑪𝑬 = 𝟏𝟎𝟎 µ𝑭
Comprobando la Ganancia
𝑅𝐶 || 𝑅𝐿
|𝐴𝑉 | =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
2 𝑘 ||1.8 𝑘
|𝐴𝑉 | = = 22.03
4 + 39
22 − 22.03
%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = ∗ 100
22
%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = 0.14
3. Realizar la simulación del circuito diseñado en un software computacional, presentar
las formas de onda obtenidas en los terminales del TBJ y un cuadro con las
mediciones de valores en DC del circuito.

FIG.2 Simulación circuito amplificador con TBJ en configuración de Emisor común.

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FIG. 3 Señal de entrada y de salida amplificador con TBJ en configuración de Emisor

común.

Valores DC
Voltaje Emisor 2V
Voltaje Base 2.7 V
Voltaje Colector 13 V
Corriente Emisor 6.5 mA
Corriente Base 130 uA
Corriente Colector 6.5 mA

BIBLIOGRAFÍA:

[1] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrónicos, Octava. México: PEARSON EDUCACIÓN S.A.,
2008.
[2] Ricardo Llugsi, Electrónica Básica. Ecuador.