Trabajo Circuitos Electrónicos I

4.15 Curvas características estáticas completas, capacitancias internas y efectos de base común.
En este capítulo se estudian las características estáticas completas de un BJT y algunas
características secundarias que limitan la operación en el mismo. Una de las características más
importantes son las capacitancias internas del BJT, que limitan a alta frecuencia de amplificadores
a transistores y la velocidad de operación de circuitos digitales.
 Curvas características de base común.
Se denominan curvas características de base común cuando la base del transistor está
conectada a un voltaje constante.

En esta curva notamos en la región de saturación que mientras Vcb se hace negativo, el valor
de ic en la curva decrece por causa de la unión del colector y la base que se polarizan
directamente. En la región activa hay una pequeña pendiente que nos da referencia a que la

corriente del colector depende en pequeña medida al voltaje que hay entre el colector y la
base, Que es una manifestación del efecto Early.
En este caso a diferencia de las curvas ic – vce la resistencia de salida de la configuración de
base común es mucho mayor que la de emisor común.
Para hallar la resistencia de salida de la configuración de base común se puede utilizar el
siguiente modelo (Fig 4.64), donde la resistencia será la inversa de la pendiente de las líneas
características de la curva.
Para hacer esto conectamos la base a
tierra y dejamos el emisor a circuito
abierto y se aplica un voltaje de prueba
entre el colector y tierra y hallamos la
corriente del voltaje de prueba; la
resistencia será aproximadamente el
paralelo equivalente de rµ y βr.
Capacitancias Internas del BJT
El transistor BJT exhibe efectos de almacenamiento de cargas que pueden ser modelados como
capacitancias.

 Capacitancia de difusión o de carga de base 𝑪𝒅𝒆

Cuando el transistor opera en su región activa o en su región de saturación, la carga es

almacenada en la región de la base. La carga viene dada por:
𝑊2
𝑄𝑛 = 𝑖 = 𝑇𝑓 𝑖𝑐
2𝐷𝑛 𝑐
Donde 𝑻𝒇 es una constante del dispositivo, con la dimensión de tiempo y es conocido como
“tiempo directo de tránsito en base” y representa el tiempo promedio en que un electrón tarda
en cruzar la base. Usualmente es alrededor de 10 a 100 ps.
La ecuación anterior aplica para señales grandes y como 𝒊𝒄 está relacionada a 𝑽𝑩𝑬
exponencialmente, 𝑸𝒏 también dependerá de 𝑽𝑩𝑬 . Por lo tanto, este efecto capacitivo no es
lineal pero para señales pequeñas podemos definir 𝑪𝒅𝒆 como:
𝑑𝑄𝑛
𝐶𝑑𝑒 ≡
𝑑𝑉𝐵𝐸
𝑑𝑖𝑐
= 𝑇𝑓
𝑑𝑉𝐵𝐸
Que resulta en:
𝐼𝑐
𝐶𝑑𝑒 = 𝑇𝑓 𝑔𝑚 = 𝑇𝑓
𝑉𝑇

 Capacitancia de la unión entre base y emisor

La capacitancia de la unión entre emisor y base o capa de agotamiento se puede expresar

como:
𝐶𝑗𝑒0
𝐶𝑗𝑒 = 𝑚
𝑉
(1 − 𝑉𝐵𝐸 )
0𝑒

Donde 𝐶𝑗𝑒0 es el valor de 𝐶𝑗𝑒 cuando el voltaje es cero, 𝑉0𝑒 es el voltaje interno de la unión
entre la base y emisor (usualmente 0.9 V), y m es el coeficiente graduador de la unión entre
base y emisor (usualmente 0.5). Debido a que la unión entre la base y el emisor está
polarizada en la región activa la ecuación anterior no es precisa y por lo general se utiliza un
valor aproximado para 𝐶𝑗𝑒 .

𝐶𝑗𝑒 ≅ 2𝐶𝑗𝑒0
 Capacitancia de la unión entre colector y base

En la región activa la unión entre colector y base está polarizada inversamente y su

capacitancia de unión o de agotamiento se puede expresar como:
𝐶𝜇0
𝐶𝜇 = 𝑚
𝑉
(1 + 𝑉𝐶𝐵 )
0𝑒

Donde 𝐶𝜇0 es el valor de 𝐶𝜇 cuando el voltaje es cero, 𝑉0𝑒 es el voltaje interno de la unión entre
colector y base (usualmente 0.75 V), y m es el coeficiente graduador de la unión entre el
colector y la base (usualmente de 0.2 a 0.5).