Introducción

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor,
la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región
del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o
colector (C), según corresponda. De esta manera quedan formadas tres regiones:

•Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Recibe su nombre debido a que esta es la parte del dispositivo que emite
los electrones libre hacia la base.

•Base: es la parte con menor cantidad de dopado en el transistor. Adicional a esto se

caracteriza por que tiene un tamaño muy inferior al del emisor y el colector. Es
extremadamente delgado y separa el emisor del colector, debido a su delgadez y su bajo
dopaje, la mayoría de los electrones que son liberados desde el emisor atraviesan la base
sin problemas.

•Colector: posee un dopaje intermedio y, como su nombre lo indica, se encarga de recibir

a la gran mayoría de los electrones provenientes del emisor y físicamente es la estructura
de mayor tamaño en el transistor.

Leer la hoja de datos de un transistor de pequeñas señal típico.

Medir experimentalmente la beta de un transistor BJT.

Obtener experimentalmente la característica de entrada de un transistor BJT.

Obtener experimentalmente la característica de salida de un transistor BJT.

 Preguntas

I Parte: Identificación de los terminales del transistor e información

importante.

1. ¿La beta medida del transistor resultó ser mayor que beta mínima y
menor que beta máxima? En caso contrario, mencione alguna posible
causa.

R: si la beta medida fue de 170, mientras que la beta mínima es de 30 y la

máxima de 300 se podría decir que la beta medida es un valor intermedio.

II Parte: Construcción de la característica de entrada.

1. ¿Por qué hacemos VCC= 0V para construir la curva característica de

entrada? ¿Cuál es su efecto en el voltaje colector-emisor, voltaje en la
resistencia de colector, corriente de colector y corriente de emisor?

R: hacemos vcc=0 V, para obtener datos con una sola fuente y no alterar las
condiciones de salida. De esta forma podemos obtener las condiciones de
entrada deseadas para realizar la gráfica de IB Vs VBC.

2. Luego de construir la curva característica de entrada del transistor. ¿Al

cuál curva característica que ha visto con anterioridad, se parece? Explique.

R: es igual a la gráfica del punto de operación del diodo. Esto se debe a que
los voltajes de base-emisor son cercanos o iguales al voltaje de operación
del diodo.