UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INFORME
TEMA:

MEDICIÓN DE CORRIENTE Y VOLTAJE

 CURSO: DISPOSITIVOS Y COMPONENTES

ELECTRÒNICOS

 DOCENTE: CONDOX XD

 INTEGRANTES:

GUERRA TIMOTEO ELIAS 1623136029

GAMARRA NIETO SANDRA D. 1623125028

BARZOLA YARINGAÑO LAURA 1623125701

DIONICIO MELCHOR GUSTAVO 1623125881

 2018

LABORATORIO Nº1

MEDICIÓN DE CORRIENTE Y VOLTAJE :

I. OBJETIVO: Comprobar las leyes de Kirchoff
II. MATERIALES:
 1 fuente de variable
 1 multimetro
 1 miliamperimetro
 3 resistencias : 39 Ω , 10 Ω , 15 Ω
 Un Protoboard
 Cables

III. Sea el circuito:

V1 V3
+ R1- + - R3

39Ω + 15Ω
I1 V3 I3
I2
V1 R2
12V 10Ω
-
 R1 = 39
Ω
 R2 = 10 Ω
 R3 = 15 Ω

Completar la tabla:
v V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2
5v 4.8 V 0.74V 0.72V 130mA 50mA 77mA 5.54V 180mA

9v 5.71V 1.17V 1.16V 190mA 80mA 120mA 6.88V 270mA

12v 10.21V 1.55V 1.54V 260mA 110mA 160mA 11.76V 370mA

IV. Presentación de Informe:

1. Utilizando el simulador Proteus. Determinar V 1, V2, V3, I1, I2, I3 considerar
para esto los valores medidos de R1, R2, R3.

Para V =5 v
-4.32

-0.67
Volts

Volts

R1 R3
+111 +44.3
39 mA 15 mA

B1 R2
+4.99 5V +0.67 10
Volts Volts
+66.5
mA

Para V =9 v
 -7.78

-1.20
Volts

Volts
R1 R3
+200 +79.8
39 mA 15 mA

B1 R2
+8.98 9V +1.20 10
Volts Volts

+120
mA

Para V =5 v
-10.4

-1.60
Volts

Volts

R1 R3
+266 +106
39 mA 15 mA

B1 R2
+12.0 12V +1.60 10
Volts Volts
+160
mA

2. Determinar los valores de V1, V2, V3, I1, I2, I3 en forma matemática
considerando los valores medidos de R1, R2, R3.

Para V =5 v
 I 1 =I 2 + I 3

Por la ley de ohm:

V 1=I 1 . R1

V 2=I 2 . R2
V 3=I 3 . R3

Para la malla (1) :

+5−V 1−V 2=0
+V 2−V 3=0

También sabemos:
5−39 I 1−15 I 2 =0
15 I 2−10 I 3=0

I 1 −I 2−I 3=0

Desarrollando:

5
I1 =
39+6
=0,111 A V 1=4,3V R1=39 Ω

45−39
I 2 =¿
15 x 9
=0,045 A V 2=0,7 V R2=15 Ω

I 3 =0,111−0,045=0,066 A V 3=0,7 V R3=10 Ω

Para V =9 v

I 1 =I 2 + I 3

Por la ley de ohm:

V 1=I 1 . R1
 V 2=I 2 . R2
V 3=I 3 . R3

Para la malla (1) :

+9−V 1−V 2=0
+V 2−V 3=0

También sabemos:
9−39 I 1−15 I 2=0
15 I 2−10 I 3=0

I 1 −I 2−I 3=0

Desarrollando:

9
I1 =
39+6
=0,2 A V 1=7,8 V R1=39 Ω

9−7,8
I 2 =¿
15
=0,08 A V 2=1,2 V R2=15 Ω

I 3 =0,2−0,08=0,12 A V 3=1,2 V R3=10 Ω

Para V =12 v

I 1 =I 2 + I 3

Por la ley de ohm:

V 1=I 1 . R1
V 2=I 2 . R2
 V 3=I 3 . R3

Para la malla (1) :

+12−V 1−V 2=0

+V 2−V 3=0

También sabemos:
12−39 I 1−15 I 2=0

15 I 2−10 I 3=0
I 1 −I 2−I 3=0

Desarrollando:

12
I1 =
39+6
=0,266 A V 1=10.37 V R1=39 Ω

12
I2 =
112.5
=0,106 A V 2=1,59 V R2=15 Ω

I 3 =0.266−0.106=0,16 A V 3=1.6 V R3=10 Ω

3. Realizar una tabla comparativa:

Realizando la comparación de los distintos valores para V = 5V

VALORES V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2

SIMULADOS 4.32V 0.67V 0.67V 111mA 66.5mA 44.3mA 4.99V 177.5mA

MEDIDOS 4.8V 0.74V 0.72V 130mA 50mA 70mA 5.54V 180mA

MATEMÁTICOS 4.3V 0.7V 0.7V 111mA 45mA 66mA 5V 156mA

Realizando la comparación de los distintos valores para V = 9V

 VALORES V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2
SIMULADOS 7.78V 1.2V 1.2V 200mA 79.8mA 120mA 8.98V 279.8mA

MEDIDOS 5.71V 1.17V 1.16V 190mA 80mA 120mA 6.88V 270mA

MATEMÁTICOS 7.8V 1.2V 1.2V 200mA 80mA 120mA 9V 280mA

Realizando la comparación de los distintos valores para V = 12V

VALORES V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2

SIMULADOS 10.4V 1.6V 1.6V 266mA 106mA 160mA 12V 372mA

MEDIDOS 10.21V 1.55V 1.54V 260mA 110mA 160mA 11.76V 370mA

MATEMÁTICOS 10.37V 1.59V 1.6V 266mA 106mA 160mA 11.96V 372mA

4. Definicion de resistencia eléctrica, tipos, fabricación.

5. Definicion de Diodos, tipos, fabricación.

5. Definición de Diodos, tipos, fabricación.

A. DEFINICION: Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la
corriente circula en sentido contrario. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una
a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización
inversa).

B. TIPOS:
 DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL

Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de contacto puntual, están hechos de
germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas
frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la
componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (información audible).
Esta operación se denomina detección
  DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en
Polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas características son las
que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que
Pueden soportar.

 DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un
voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se
emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para
tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

 DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como condensadores
variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como elementos de
sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

 DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha polarizado
directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de
voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la intensidad
luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con valores de IF desde menos
de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de
4000 mcd

 DIODO LÁSER
Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o ILD’s. Son LED’s que
emiten una luz monocromática, generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada,
coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos
compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc., así como en sistemas de comunicaciones
para enviar información a través de cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores
luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.

 DIODO ESTABILIZADOR
Está formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una caída de tensión
correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los
diodos Zéner.

 DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una
zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región de resistencia
negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace
muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc.,en
aplicaciones de alta frecuencia.

 DIODO PIN
Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y N(material N)
Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e
IMPATT como osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de
respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de tránsito, es decir el tiempo que tardan
los portadores de carga en atravesar la unión PN. Los más
conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.

 DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una zona de resistencia negativa similar a
las de los diodos túnel.

 DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de portadores
calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una caída de voltaje directa muy
pequeña, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de potencia,
sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
  FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa
puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide
sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa
producida por que se genera un mayor número de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy
utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas
de seguridad, receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.

C. FABRICACIÓN DE LOS DIODOS:

Un diodo de estado sólido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor
compuestas por átomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente.
Durante el atómica (lo que produce la aparición de “huecos”) y otra pieza negativa (N) con
exceso de electrones.proceso de fabricación del diodo ambas piezas se someten por separado
a un proceso denominado “dopado” consistente en añadirle a cada una “impurezas”
diferentes, procedentes de átomos de elementos semiconductores también diferentes.
Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de
electrones en su estructura
Metodo De Aleación
Este método consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza de tipo P
o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre una placa de germanio del tipo N, calentada a
500 °C, una cierta cantidad de indio, este ultimo se funde, el germanio se disuelve y las fases
liquidas penetran en la placa paralelamente a las superficies, hasta que la solución se satura, es
decir, a una profundidad que depende del peso del indio, del área en contacto y de la
temperatura alcanzada, obteniéndose así una región P.

 Metodo De Difusión
Este método consiste en difundir un vapor de tipo N o P sobre un monocristal de un
semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que
se hace difundir.
Por ejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en el
cual circula vapor de indio, se puede obtener una unión P-N por difusión de los átomos
 de indio a través de la superficie de la placa de germanio, mayor será la penetración
del indio; por ejemplo, a 570 °C se puede tener una penetración de de 80 A en 100 seg.
Y a 870°C se obtiene una penetración de de 8000 A en el mismo tiempo.

Metodo Epitaxial
Tomando el caso del germanio, este método consiste en evaporar dentro de una
atmósfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impureza sobre un monocristal
de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el monocristal de
germanio según la reacción reversible:
Gel2 Gel4 + Ge.
Evaporando en forma simultanea Gel2 y la impureza sobre el monocristal calentado a una
temperatura dada, se puede obtener una unión. La mayor ventaja de este método es que
permite la obtención de regiones muy delgadas de pureza controlada. Se puede emplear en
combinación con otras técnicas (de difusión y de aleación) para construir transistores con
aplicaciones en ultra alta frecuencia y circuitos integra