TBJ - Modelo de Ebers-Moll

En las tres regiones supondremos una dependencia lineal de la concentración de minoritarios en función de la
posición.
Emisor
Las condiciones de contorno son
pE (−wE − xE ) = pE0
 
VBE
pE (−xE ) = pE0 exp
Vt
de modo que si pE (x) = mx + b resulta
  h   i
VBE
pE0 exp Vt − pE0 pE0 exp VVBE
t
− 1
m= =
−xE − (−wE − xE ) wE
Luego
dpE
JpE = qDp = qDp m
dx    
qDp pE0 VBE
= exp −1 (1)
wE Vt
Base
Las condiciones de contorno son
 
VBE
nB (0) = nB0 exp
Vt
 
VBC
nB (wB ) = nB0 exp
Vt
de modo que si nB (x) = mx + b resulta
    h   i h   i
VBC VBE
nB0 exp Vt − nB0 exp Vt nB0 exp VVBC
t
− 1 − n B0 exp VBE
V t
− 1
m= =
wB wB
Luego
dnB
JnB = qDn = qDn m
dx        
qDn nB0 VBC qDn nB0 VBE
= exp −1 − exp −1 (2)
wB Vt wB Vt
Colector
Las condiciones de contorno son
 
VBC
pC (wB + xC ) = pC0 exp
Vt
pE (wB + xC + wC ) = pC0

de modo que si pC (x) = mx + b resulta

  h   i
VBC
pC0 − pC0 exp Vt pC0 exp VVBC
t
− 1
m= =−
(wB + xC + wC ) − (wB + xC ) wC
Luego
dpC
JpC = qDp = qDp m
dx    
qDp pC0 VBC
= − exp −1 (3)
wC Vt

1
 Ahora calculo las corrientes en cada terminal.

JE = JpE |x=−xE + JnB |x=0 = JpE + JnB

           
qDp pE0 VBE qDn nB0 VBC qDn nB0 VBE
= exp −1 + exp −1 − exp −1
wE Vt wB Vt wB Vt
        
qDn nB0 qDp pE0 VBE qDn nB0 VBC
= − − exp −1 + exp −1 (4)
wB wE Vt wB Vt

JC = JnB |x=wB +xC + JpC |x=wB +xC +wC = JnB + JpC

           
qDn nB0 VBC qDn nB0 VBE qDp pC0 VBC
= exp −1 − exp −1 − exp −1
wB Vt wB Vt wC Vt
        
qDn nB0 VBE qDn nB0 qDp pC0 VBC
= − exp −1 + − exp −1 (5)
wB Vt wB wC Vt

Suponiendo la misma sección A para todo el dispositivo resultan

        
qDn nB0 qDp pE0 VBE qDn nB0 VBC
IE = JE A = − − exp −1 + exp −1 (6)
wB wE Vt wB Vt
        
qADn nB0 VBE qADn nB0 qADp pC0 VBC
IC = −JC A = exp −1 − − exp −1 (7)
wB Vt wB wC Vt
IB = −IE − IC (8)

Las corrientes pueden entonces escribirse como

       
VBE VBC
IE = −IES exp − 1 + αR ICS exp −1 (9)
Vt Vt
       
VBE VBC
IC = αF IES exp − 1 − ICS exp −1 (10)
Vt Vt
       
VBE VBC
IC = IES (1 − αF ) exp − 1 − ICS (1 − αR ) exp −1 (11)
Vt Vt

donde
qDn nB0 qDp pE0
IES = − (12)
wB wE
qADn nB0
αF IES = (13)
wB
qADn nB0 qADp pC0
ICS = − (14)
wB wC
qDn nB0
αR ICS = (15)
wB

Lo cual nos lleva al siguiente modelo circuital

2
Donde
   
VBE
IF = IES exp −1
Vt
   
VBC
IR = ICS exp −1
Vt

De (13) y (15) vemos que

αF IES = αR ICS ≡ IS (16)

En MAD, VBE > 0 y VBC < 0 de modo que

 
VBE
IE ' −IES exp
Vt
 
VBE
IC ' αF IES exp
Vt
 
VBE
IB = −IE − IC ' IES (1 − αF ) exp
Vt

y, deniendo
IC
βF =
IB

resulta  
VBE
αF IES exp Vt αF
βF =  =
IES (αF − 1) exp VBE 1 − αF
Vt

o bien
βF
αF = (17)
βF + 1

de manera que con (16) y (18) queda  

IS 1
IES = = 1+ IS
αF βF

En MAI, VBE < 0 y VBC > 0 de modo que

 
VBC
IE ' αR ICS exp
Vt

3
  
VBC
IC ' −ICS exp
Vt
 
VCE
IB = −IE − IC ' ICS (1 − αR ) exp
Vt

y, deniendo
IE
βR =
IB

resulta  
VBC
αR ICS exp Vt αR
βF =  =
ICS (1 − αR ) exp VCE 1 − αR
Vt

o bien
βR
αR = (18)
βR + 1

de manera que con (16) y (18) queda  

IS 1
ICS = = 1+ IS
αR βR

Por lo tanto se puede escribir

         
1 VBE VBC
IE = − 1+ IS exp − 1 + IS exp −1
βF Vt Vt
         
VBE 1 VBC
IC = IS exp −1 − 1+ IS exp −1
Vt βR Vt
       
IS VBE IS VBC
IB = exp −1 + exp −1
βF Vt βR Vt

Tambien puede escribirse, a partis de estas fórmulas,

        
IS VBE VBE VBC
IE = − exp − 1 − IS exp − exp
βF Vt Vt Vt
        
VBE VBC IS VBC
IC = IS exp − exp − exp −1
Vt Vt βR Vt
       
IS VBE IS VBC
IB = exp −1 + exp −1
βF Vt βR Vt

lo cual nos lleva al siguiente modelo circuital

4
donde
   
VBE
ICC = IS exp −1
Vt
   
VBC
IEC = IS exp −1
Vt