Presentación 1

Link 4: Producción de obleas de silicio (de la arena a la oblea)

1. Crecimiento de Czochralski

Se introduce el sicilio a una cámara de calentamiento, donde primero se derrite. Ya derretido se

introduce una semilla de cristal. El cristal empieza a crecer. Y se va ajustando el diámetro del
lingote final (cilindro) mediante la velocidad de giro. EL crisol y lingote contrarrotan para mejorar
la homogeneidad del dopaje.

2. Rectificado y rebanado

Se obtiene primero el diámetro deseado y luego se le realiza un plano al cilindro para indicar la
orientación. El cilindro es rebanado por hilos de acero de 100 a 200 micro que se mueven a
10m/s. El lingote de silicio es drenado por la rejilla de alambres para se cortado es obleas de silicio
individuales. Los hilos (o alambres) están recubiertos con astillas de diamante.

3. Lapeado y grabado

Varias obleas son lapeadas en ambos lados al mismo tiempo cuando están en medio de dos
discos(almohadillas) que giran en dirección contraria.

El cortado en cubos y lapeado de as obleas degrada la estructura del cristal en la superficie de

silicio por lo que las obleas son grabadas en KOH o HNO3/HF para remover la superficie dañada.

4. Pulido y limpieza

Para alcanzar super planos, con superficie espejo y con aspereza de escala atómica las obleas
tienen que ser pulida con un compuesto líquido (slurry) ultra fino que mecánicamente y
químicamente suaviza las obleas entre los dos discos (pads) rotativos.

Link 5. Fabricación y fotolitografía del silicio

1. Arena

Los discos de sustrato para los microchips están hechos de arena de cuarzo y son llamados obleas
de silicio. Para hacer las obleas un cristal enorme drenado de silicio derretido puro. El resultado es
una perfecta estructura reticulada de silicio.

2. Luz

Técnicas de fotolitografia transfieren las estructuras del circuito a las obleas más bien como
projecciones de diapositivas.

El disco de silicio es recubierto por rotación por una resistencia fotosensitiva. Luz ultravioleta
transfiere las estructuras de los circuitos imprimidas en una máscara a la oblea. Las partes
expuesta de la resistencia son solubles y son removidas por un fluido que se hace pasar por
encima. Las estructuras transferidas pueden ahora utilizar como modelos. La superficie de la oblea
que quedó expuesta es grabada.
 3. Fuego

Silicio es un semiconductor lo que significa que su conductividad puede cambiar si se colocados

con una alta precisión átomos de dopante.

Átomos de dopante son disparados en la estructura de silicio. Inicialmente estos átomos son
distribuidos desigualmente en la estructura del silicio, a altas temperaturas los átomos de dopante
se vuelven flexibles y toman una posición fija en la estructura atómica.

El cobre domina la siguiente etapa. Hilos muy delgados interconectan billones de transistores
separados. Antes de que el cobre sea vertido en las trincheras (o canales) para interconectar, una
capa barrera es aplicada, la cual ayuda a prevenir corto circuitos y garantiza confiabilidad.
Seguidamente las trincheras son llenadas con cobre. Finalmente el cobre que sobrepasa las orillas
del circuito y que sobre se pule y remueve y separa cada interconexión de la otra.

Link 6. Photomask technology

Link 7 Proceso de manufactura del chip (pag 18)

Un chip es un plato de silicio extremadamente pequeño desde un par o algunas decenas de

milímetros cuadrados en tamaño. Este plato está lleno de millones de micro elementos como
transistores, resistencias y diodos que juntos forman un circuito integrado IC. Hacemos un gran
cantidad de chips en una mismo en un disco circular llamada oblea.

Primero, creamos una nueva capa de silicio sobre la oblea que luego se oxida en un horno lo que
crea una nueva capa superior más delgada de aislamiento, después creamos una capa de laca
sensitiva a la luz y la exponemos a una fotografía en negativo, la cual se disuelve en algunos
lugares. En los lugares donde no hay laca se disparan átomos con gran exactitud a través de la
capa oxidada dentro del silicio. La capa de lapa no es más requerida y es entonces removida.

En el cuarto de luz amarilla, la capa sensitiva no es afecta por ese color de luz.

Se disparan atomos al silicio para darle una conductividad positiva o negativa, se hace con gran
exactitud. Por ejemplo un átomo en cien mil átomos de silicio. Para el proceso de grabado, que es
la remoción de material del disco con gran exactitud, se utilizan ácidos y cáusticos y otro proceso
de grabado utiliza gas.

El último proceso es hacer conexiones entre varios elementos.

Presentación 2

Qué materiales se utilizan? Silicio, Germanio, Galio, arsénico

Link. Pagina 7. Formación de pares hueco-electrón

En un semiconductor puro hay una cantidad igual de electrones (negativamente cargados) y

huecos que poseen una carga neta positiva. Los semiconductores más comunes son el silicio y el
germanio que son tretavalentes: tienen cuatro electrones de valencia en la capa más externa.

Los átomos de silicio con 4 electrones, hacen enlaces covalentes; comparten sus cuatro electrones
para así tiener 8 electrones (estables).

A una temperatura del cero absoluto el electrón está fuertemente unido a su núcleo principal sin
embargo si se aplica calor, la energía térmica puede hacerse más grande que la energía de unión
del electro a su núcleo, lo que significa que el calor romperá el enlace covalente. El electrón se
mueve de la banda de valencia a la banda de conducción dejando una carga neta positiva o hueco.

El huevo atrae a un electro vecino y hace que el hueco parezca moverse, el movimiento del hueco
es alzar a través del semiconductor. Sin embargo, si un campo eléctrico es aplicado los electrones
dejan de moverse al azar y buscar el polo positivo del campo eléctrico.

Impurezas de tipo N = Fósforo (P) y Arsénico (As)

Impurezas de tipo P = Boro (B)

Pagina 10. Portadores en exceso. Link:

Semiconductor tipo N: Impureza arsénico (5electrones) le sobra uno que gira alrededor del nucleo
de arsénico, si se aplica un campo eléctrico el electrón sobrante se mueve en dirección al polo
positivo del campo y se genera corriente.

Semiconductor tipo P: Impureza boro (3 electrones) le falta un electrón; es decir un hueco gira
alrededor del núcleo de boro, si se aplica un campo eléctrico, el huevo se mueve dirección al polo
negativo y se genera corriente.

Pagina 11. Unión PN

Tipo N: Dopante de 5 electrones: a 300k (temp ambiente) el electrón sobrante se suelta del núcleo
pasando a ser un electro de conducción y la impureza en sí queda siendo una carga positiva. A las
impurezas se les llama donadores porque ceden un electrón.

Tipo P: 3 electrones. Forman tres enlaces y queda un hueco. A temp ambiente los electrones de
otros enlaces se mueven a ocupar ese hueco, quedando un hueco libre en el material. La impureza
queda así con una carga negativa. A las impurezas se llamas aceptadoras, por aceptar un electrón.
La unión tipo pn es una unión de materiales de dopaje p y n.

Corriente eléctrica:

1. Difusión: Si dos tipos de partículas distintas están concentradas en distintas zonas, si las
partículas ahora tienen libertad de movimiento tenderán a igualar la concentración en
todo el volumen.
2. Arrastre: Movimiento provocado por un campo eléctrico: cargas positivas en una dirección
y las negativas en la otra. Un potencial eléctrico siempre está asociado a un campo
eléctrico.

En la unión np por difusión, los huecos del semiconductor P se pasan al material N y los electrones
del material N pasan al material P. Este traspaso deja una banda libre impurezas negativas en el
material P y una banda libre de impurezas positivas en el material N lo cual genera un potencial
eléctrico y un campo eléctrico.

El potencial eléctrico funciona como una barrera que frena las cargas móviles. El equilibrio se
alcanza cuando la corriente de difusión de cargas moviles sea igual a la corriente de arrastre.
Si se aplica una tensión externa mayor en la parte P que en la N se reduce esa barrera de Potencial
V de la unión pn permitiendo la difusión de huecos y electrones. Originando una corriente debida
principalmente a la difusión.

Si se aplica una tensión mayor en la parte N la barrera se hace más grande y no conduce corriente.

Presentación 3. Semiconductores

Los materiales amorfos:

El sólido amorfo es un estado sólido de la materia en el que las partículas que conforman el sólido
carecen de formas y caras definidas, y a su vez de una estructura ordenada. Ejemplos de sólidos
amorfos son el vidrio y muchos plásticos. Los sólidos amorfos difieren de los cristalinos por la manera en
que se funden. Si controlamos la temperatura de un sólido cristalino cuando se funde, encontraremos
que permanece constante. Los sólidos amorfos no tienen temperatura de fusión bien definida.

La característica más notoria de estos materiales es la ausencia de orden de largo alcance. Esto
significa que, al contrario de lo que ocurre en un cristal, el conocimiento de las posiciones atómicas de
una región no nos permite predecir cuales serán las posiciones atómicas en otra región más o menos
distante.

Temperatura de transición vítrea. propiedades mecánicas (resistencia, dureza, fragilidad,

elongación…)

Ejemplo Vidrio y polímeros.

Materialmonocristalino
Cuando la disposición atómica de un sólido cristalino es homogénea, sin interrupciones, a lo
largo de toda la muestra, el resultado es un monocristal. Todas las celdillas unidad están
entrelazadas o unidas del mismo modo y tienen la misma dirección.Ordenamiento atomico
perfecto. Fluorita.

Materialpolicristalino
La mayoría de los sólidos cristalinos son un conjunto de muchos cristales pequeños o granos.
Este tipo de material se denomina policristalino. Durante la solidificación aparecen pequeños
cristales o núcleos en distintas posiciones. Estas orientaciones cristalográficas son
completamente al azar. Los granos pequeños crecen por la sucesiva adición a la estructura de
átomos del líquido subenfriado.

El efecto fotoeléctrico.

En un material los electrones están situados en diferentes capas, mientras más energía tienen, más
arriba están. Si tienen más energía que la última capa en la que pueden estar se escapan. El fotón
choca con el electrón y si hay suficiente energía el electrón se escapa. El fotón, se queda con la
energía sobrante y rebota.

Los fotones viajan a velocidad constante c = 2.99x108m/s aprox.

La luz se comporta como una onda: longitud de onda (lambda), velocidad y frecuencia (f).

C = lambda * f = cte (lambda inversamente proporcional a f)

E = h*f

Ultravioleta Violeta azul celeste verde amarilo naranja rojo infrarrojo

Más energía (+f -lambda) Menos energía (-frencuencia + lambda)

Por eso nos quemamos con la luz ultravioleta y no con la infrarroja.

Después de haberse ido energía el fotón rebota con otra color o frecuencia de menor energía. Por
ejemplo, si entra ultravioleta (muy energético), pierde energía cediéndola al electrón y rebota de
color naranja (menor energía).

Principio de incertidumbre de Heisenberg

Delta X Delta p >= h /4pi

X es la posición de la particula, P es el momento de la partícula.

Delta X es la incertidumbre en la posición y Delta P es la incertidumbre del momento.

Cuando se empiezan a cerrar las rejillas se está disminuyendo la incertidumbre de la posición por lo
que la incertidumbre del momento debe aumentar para no romper la relación de Heisenberg.
Mientras las rejillas se empiezan a cerrar y la incertidumbre del momento aumenta el rayo de luz
que atraviesa la regilla se hace más ancho.

Ecuación de Schrödinger

La función de onda de una partícula describe la distribución de ésta en el espacio = Psi (x,t)

Si una partícula se encuentra en un estado de energía definida (estado estacionario) la función de

ondas puede escribir como Psi(x,t)= psi(x) phi (t). Se le llama función de onda independiente del
tiempo para un estado estacionario de energía definida E.

Energia de fermi

La Energía de Fermi es la energía del nivel más alto ocupado por un sistema cuántico a temperatura cero.
A temperatura del cero absoluto (T = 0 K) la probabilidad de tener electronescon energía E < EF es 1,
mientras que la probabilidad de tener electrones en elinterior del metal con energía E > EF es nula
(función escalón). La barrera depotencial que deben vencer los electrones para contribuir a la foto-
corrienteestá dada por la energía de Fermi EFo sea, la función trabajo.
Pero, cuando la temperatura ambiente es T > 0 K, la probabilidad de tener electrones en el interior del metal
con energía por encima del nivel de Fermi EF
deja de ser nula (función logística) y la energía mínima necesaria para que unelectrón se desprenda de la
superficie es menor que la función trabajo.
Interpretación Física
Para bajas temperaturas, la distribución de fermi es una función escalón quevale 1. Esto quiere decir que
las partículas se van colocando desde el nivelmás bajo de energía hacia arriba debido al Principio
de exclusión dePauli hasta que se hayan puesto todas las partículas. La energía del último

nivel ocupado se denomina energía de Fermi y la temperatura a la quecorresponde esta

energía mediante ef= kBT

Dopaje
ni = cant de enlaces rotos a cierta temperatura.
no = cant de electrones libres
po = Cantidad de huecos libres

Velocidad de deriva:
La velocidad de deriva o de desplazamiento es la velocidad promedio que una partícula,
como un electrón, alcanza debido a un campo eléctrico. Velocidad promedio de los
portadores.

Vdp = uE
E: campo eléctrico.
u: Movilidad

Comportamiento de la movibilidad:
A mayor concentración de impurezas menor es la movilidad de los huecos y electrones

Con el aumento de la temperatura disminuye la movilidad de electrones y huecos.