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UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES


ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA,
MECÁNICA ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA.

Practica : TRANSISTOR BJT

CURSO:
Laboratorio Circuitos Electrónicos PRÁCTICAS
DOCENTE:
Jefe de Prácticas
Ing. Collado Oporto Christiam G.
ALUMNOS:
Ccala Molina, Karlos Eduardo
Meza Valencia, Luis Ernesto

Grupo: 04

Arequipa, 2016
OBJETIVOS
 Determinar los parámetros eléctricos de
conductividad de un transistor.

 Determinar las características físicas y


eléctricas de un transistor BJT Analizar
las características de transistores BJT
 Calcular la curva de los transistores
BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),


colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que
tiene la flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le


introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.

Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de


amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic,
sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale
de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero
en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura 1.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a más corriente la curva es más alta

Regiones operativas del transistor


Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente
de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de


alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley
de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (recordar que Ic = β * Ib)

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la


región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la
mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
CUESTIONARIO PREVIO
¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación?
Explique.

Transistor de contacto puntual


Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar


El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio
(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo
general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).

Transistor de efecto de campo


El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o
canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede
trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc.
Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un
sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores
ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto. Existen en
dos versiones: de transmisión y de reflexión.

Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se utilizan para
evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse
del calor interno del encapsulado.

Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan altas tensiones e
intensidades que soportan, pero debido a ello también tienen que disipar altas potencias y
su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobrerecalentamiento se usa los
disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).

¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus


características.
Los primeros BJT se hicieron a partir de germanio (Ge). Silicio (Si) los tipos
actualmente predominan pero ciertas versiones de microondas avanzado y de alto
rendimiento ahora emplean el semiconductor compuesto de arseniuro de galio de
material (GaAs) y el silicio-germanio aleación de semiconductores (SiGe). Individual
material del elemento semiconductor (Ge y Si) se describe como elemental.

¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del


transistor?
¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?
Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen más N en su nombre, esto quiere
decir que utilizan “partículas” subatómicas de signo Negativo para transportar la
corriente.
Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con más P en su nombre, por lo que utilizan
“partículas” subatómicas de signo Positivo para transportar la corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos transistores depende
de si son de tipo NPN o PNP, debido a que los signos de voltaje de entrada difieren
dependiendo del tipo de transistor. Otra diferencia es el material con el que están
elaborados ya que generalmente los PNP se construyen con Germanio mientras los
NPN mas comúnmente son construidos con Silicio.

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC
PROCEDIMIENTO
Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT


POR EL BJT DATASHIP

Emison
Base
Colector

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del
DMM.

Tabla 1.
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM
1 2 OL
2 1 0.829
1 3 OL
3 1 OL
2 3 0.834
3 2 OL

Identificar las características del

Transistor en la siguiente tabla

Tabla 2.
Terminal BASE 2
Terminal COLECTOR 1
Terminal EMISOR 3
Tipo del Transistor NPN
Material del Transistor SILICIO
Esquema

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor:


deducción del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada
patilla y (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez
conocida la correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el
multímetro para medir en el caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si
se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo
de transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC
máxima, (hFE) y frecuencia de corte.

4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K ; Rb2 = 5M ; Rc1= 100 y Rc2 =
10K . Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación
se varía Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos
la corriente IC.

Vce(V)=0V Vce(V)=0.5V Vce(V)=1V Vce(V)=1.5V


Ib=25µA Ic= 1.511 8.6 8.62 8.66
Ib=50µA Ic= 1.511 15.05 16.67 17
Ib=75µA Ic= 1.511 19.9 25.17 25.22
Ib=125µA Ic= 1.511 27.4 37.2 37.6
5. Grafique Vce vs Ic.

40

35

30

25 Ic

20 Ic
Ic
15
Ic
10

0
Vce(V)=0V Vce(V)=0.5V Vce(V)=1V Vce(V)=1.5V

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el


proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada
caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB
a 10 A como se indica en la Tabla 3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea


de la Tabla 3.

d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que


aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10 A en los diferentes niveles
de VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor
de VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.
h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el
valor de IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.

i. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curvacaracterística del transistor en la fig. 3


Lacurva es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala
adecuada para Ic e indique cada valor de IB.

Tabla 3
Vrb(V) Ib(µA) Vce(V) Vrc(V) Ic(mA) Vbe(V) Ie(mA) α β
3.3 10 2 3.72 18 0.658 18.01 0.99944475 1800
3.3 10 4 3.77 16 0.658 16.01 0.99937539 1600
3.3 10 6 3.84 14 0.656 14.01 0.99928622 1400
3.3 10 8 3.9 12 0.654 12.01 0.99916736 1200
3.3 10 10 3.97 10 0.645 10.01 0.999001 1000
3.3 10 12 4.02 8 0.638 8.01 0.99875156 800
3.3 10 14 4.1 6 0.634 6.01 0.99833611 600
3.3 10 16 4.17 4 0.634 4.01 0.99750623 400

6.6 20 2 7.54 18 0.672 18.02 0.99889012 900


6.6 20 4 7.69 16 0.66 16.02 0.99875156 800
6.6 20 6 7.84 14 0.653 14.02 0.99857347 700
6.6 20 8 8.02 12 0.647 12.02 0.99833611 600
6.6 20 10 8.28 10 0.643 10.02 0.99800399 500
6.6 20 12 8.45 8 0.642 8.02 0.99750623 400
6.6 20 14 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------

9.9 30 2 11.14 18 0.682 18.03 0.99833611 600


9.9 30 4 11.53 16 0.68 16.03 0.99812851 533.333333
9.9 30 6 11.98 14 0.664 14.03 0.99786172 466.666667
9.9 30 8 12.43 12 0.662 12.03 0.99750623 400
9.9 30 10 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------

13.2 40 2 14.55 18 0.693 18.04 0.99778271 450


13.2 40 4 15.13 16 0.687 16.04 0.99750623 400
13.2 40 6 15.71 14 0.678 14.04 0.997151 350
13.2 40 8 16.17 12 0.673 12.04 0.99667774 300

16.5 50 2 17.77 18 0.71 18.05 0.99722992 360


16.5 50 4 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------
16.5 50 6 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------
16.5 50 8 ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ----------
CUESTIONARIO FINAL

La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el


eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?

20
18
16
14
12
10 Vce(V)

8 Ic(mA)

6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8

La grafica con un Ib de 10(MicroAmp) y Vrb(V) de 3.3 V

El punto de intersección representa el punto de trabajo

¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
La corriente de colector crece exponencialmente si nuestra corriente base es mayor como
vemos en la figura la corriente de 125 MicroAmp es mayor de las demás corrientes por
tramos mas grandes según aumenta la corriente base.

¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la


práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales;
se dice entonces que el transistor está en corte.

Teórica pasa esto en práctica pero el funcionamiento del transistor depende de la


cantidad de corriente que pase por su base.

No sucede en la práctica ya que el circuito no aparece como abierto.

Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la


práctica?
El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.

Si se logra llegar a un transistor de un transistor de saturación.

Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.


En nuestra primera practica nuestro Ic y Ib toman valores menores ya que adecuamos
nuestro circuito a esas corrientes con los potenciómetros y el voltaje de la fuente

Pero en la segunda practica la corriente base y la corriente colector son casi las mismas si
no es por milésimas de variación dado la forma de nuestro circuito potenciómetros y
resistencias de otra forma modelada.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES


Conclusiones
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los
circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han
dado un giro enorme a nuestras vidas, y a que en casi todos los aparatos electrónicos se
encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su
aspecto físico, su estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo concluir que
todos son distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o
nuevos tipos de transistores. Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o
hacer la prueba de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones
para su uso.

Observaciones
1. Las medidas tanto experimentales como teóricas no siempre van a ser exactas, ya que
influyen bastante los instrumentos de medida y las operaciones correctas que hagamos.

2. Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los componentes
que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto funcionamiento antes de
realizar las correctas mediciones.

Recomendaciones
Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tención, ya
que si ente no está bien elaborado el circuito podría quemarse y el circuito entraría en
corto

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