Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
AGUASCALIENTES
Alumnos:
Practica N° 3
MARCO TEORICO
Transistor MOSFET
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados
por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por
corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS
(tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.
Material:
1 Resistencia 8Ω 25w
1 Potenciómetro de 10k
1 Disipador de alumno. Cables de conexión
1 MOSFET IRFZ44 o similar 3 Amp, canal n)
Equipo:
0 0 24.5
1 0 24.5
2 0 24.5
2.5 0 24.5
3 0 24.5
3.5 .75 2
4 .82 .085
5 .82 .050
6 .83 .032
7 .83 .029
8 .82 .111
9 .83 .130
10 .82 .132
11 .82 .110
12 .83 .109
13 .82 .107
14 .82 .108
15 .82 .107
Desarrollo 2da parte MOSFET
Después en la fase del (G) del mosfet ira conectada una resistencia en paralelo con
tierra, y después de este mismo tendremos que conectar al generador de señales
para que introduzca el pulso, además de también su conexión a tierra como el de la
resistencia.
Entonces para el sorce del mosfet (S) este será conectado a la segunda entrada del
osciloscopio (c-2) y también a otro reóstato con el valor de 0.1 ohm que estará en
serie con tierra.
OBSERVACIONES
Al momento de realizar esta práctica nos dimos cuenta cómo es que debemos
realizar primero las prácticas ya que en nuestro caso conectábamos todos los
elementos del circuito y los multímetros al mismo tiempo, por esto tuvimos
problemas al momento de efectuar el circuito ya que no funcionaba correctamente
al momento de querer tomar los valores requeridos. Entonces para esto tuvimos
que conectar primeramente el circuito sin multímetros y una vez terminado de
conectar todos los elementos y asegurarnos de que estén bien conectados
conectábamos los multímetros para tomar los datos. También una de las cosas
que notamos es que al momento de ir aumentando el voltaje en el gate la corriente
aumentaba y el voltaje en el Drain disminuía, y así fuimos tomando medidas y fue
constante este acontecimiento, notando la función del MOSFET que es amplificar
las señales.
CONCLUSION:
Esta práctica fue muy relevante ya que todos los integrantes vamos aprendiendo
cada vez más el armado de cada circuito mejor dicho cada vez sabemos
interpretar el circuito de manera correcta, lo que pudimos observar en esta
práctica es que al subir el voltaje en el Vds. los amperes aumentaban cada vez
mas pero a su vez en el Vds. el voltaje disminuía debido a la caída de tensión
hicimos varias mediciones y pudimos observar que en las últimas medidas ya no
había tanta variación en las medidas y se mantenían estables tanto la corriente
como el voltaje Vds.
La segunda parte que era la del generador de señales también fue relevante pues
nos dimos cuenta que es muy importante conectar bien las salidas hacia el
generador además de checar que el circuito no esté haciendo falso pues de ser
haci no mostrara las ondas de forma correcta, una vez conectado todo
observamos que las ondas se generaban tal y como el profesor nos indico en una
especie de medio cuadro secuencial, también observamos que las señales
estaban en contra y formaban un cuadro entre sí, esto nos sirvió para darnos
cuenta de cómo reacciona el MOSFET en conmutación con carga resistiva y saber
identificar el comportamiento de las ondas mostradas en el osciloscopio y como
antes lo mencione esto nos es muy útil pues cada vez aprendemos a realizar los
circuitos de manera correcta y rápida.
BIBLIOGRAFIA APA