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Tipos de Memorias, ROM, EEPROM, FLASH

y RAM
Resumen— Se empieza con una breve y simple descripción del
funcionamiento de una memoria, para luego, detallar las
características de los diferentes tipos de memoria que pueden
haber, en este caso, se tomó en cuenta las memorias ROM,
EEPROM, FLASH y RAM.
I. INTRODUCCIÓN
compuerta flotante, en donde permanecerá, aunque se corte la
energía; si se invierte el mismo voltaje se eliminarán las
cargas atrapadas de la compuerta flotante y se borrará la
celda.
Como este mecanismo de transporte de cargas requiere
corrientes muy bajas, el borrado y la programación de una
EEPROM pueden realizarse en el circuito (es decir, sin una
fuente de luz UV ni dispositivo especial para programar
PROMs). [1]

U na unidad de memoria es un conjunto de celdas de

almacenamiento junto con los circuitos asociados que se
necesitan para ingresar y sacar la información de
almacenamiento.
La memoria almacena información binaria en grupos de
bits que se denominan palabras. Una palabra en la memoria
es una entidad de bits que se introducen o se sacan del
almacenamiento como una unidad. Fig. 2. Símbolo para la EEPROM 2864 y modos de operación.
La estructura interna de una unidad de memoria está
especificada por el número de palabras que contiene y la
cantidad de bits en cada palabra.

II. MEMORIA DE SÓLO LECTURA (ROM)

Existe una variedad de memorias semiconductoras,
diseñadas para aplicaciones en las que la utilización de
operaciones de lectura en comparación a las de escritura es
más alta. Estas memorias, solo se pueden escribir
(programar) en una ROM sólo una vez, y esta operación,
comúnmente se lo realiza en la fábrica. Después de este
proceso, la información sólo se puede leer de la memoria.
Otros tipos de ROM son en realidad memorias de casi
siempre lectura (RMM), en las cuales se puede escribir más
Fig. 3. Sincronización para la operación de escritura.
de una vez; pero la operación de escritura es más complicada
que la operación de lectura, por lo cual no se realiza con
IV. MEMORIA FLASH
mucha frecuencia.
Toda la ROM es no volátil y almacenará los datos, aunque Las memorias Flash se llaman así debido a sus tiempos
se retire la energía eléctrica. rápidos de borrado y escritura. La mayoría de los chips Flash
utilizan una operación de borrado en masa, en el cual todas
las celdas en el chip se borran en forma simultánea; este
proceso de borrado en masa requiere, por lo general, de
cientos de milisegundos.
Algunas memorias Flash más recientes poseen un modo de
borrado por sector, en donde pueden borrarse sectores
específicos del arreglo de memoria uno a la vez. Esto evita
tener que borrar y reprogramar todas las celdas cuando sólo
se necesita actualizar una parte de la memoria.
Fig. 1. Símbolo de bloque de la ROM
Una memoria Flash común tiene un tiempo de escritura de
10 µs por byte, en comparación a los 5 ms para la
EEPROM.[1]
III. PROM PROGRAMABLE Y BORRABLE ELÉCTRICAMENTE
(EEPROM)
La memoria EEPROM posee una estructura de compuerta
flotante, además posee una región de óxido muy delgada por
encima del colector de la celda de memoria de MOSFET, esta
es la característica principal de la EEPROM, esta
característica le da a la memoria la capacidad de borrarse Fig. 4. Símbolo lógico para el chip de memoria Flash 28F256A y las
mediante electricidad. entradas de control.
Al aplicar un alto voltaje (21V) entre la compuerta y el
colector del MOSFET, se puede inducir una carga en la
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V. MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM) VI. REFERENCIAS

Esta memoria posee un fácil acceso a cualquier ubicación [1] TOCCI, RONALD J (último), Sistemas digitales. Principios y
aplicaciones, Décima. México: Pearson Educación, 207d. C.
de la memoria. La RAM se utiliza para el almacenamiento
temporal de programas y datos. Cuando, por ejemplo, una
computadora ejecuta un programa, se realizarán operaciones
de lectura y de escritura sobre muchas ubicaciones de
dirección de la RAM. Para ello se requieren tiempos de ciclo
de lectura y de escritura rápidos para la RAM, de manera que
no disminuya la velocidad de operación de la computadora.
[1]
La principal desventaja de la RAM es que es volátil y
perderá toda la información almacenada si se interrumpe o se
desconecta la energía. Sin embargo, algunas RAMs tipo
CMOS utilizan cantidades tan pequeñas de energía en el
modo de suspensión (sin que se realicen operaciones de
lectura o de escritura) que pueden operar mediante baterías
cuando se interrumpe la energía principal.
La principal ventaja de la RAM es que se puede escribir en
ella y leer de ella con la misma rapidez y facilidad.

Fig. 5. Símbolos Entrada de datos lógicos para el chip de RAM 2147H

y RAM MCM6206C.

A. DRAM
DRAM es una RAM dinámica. Es la mayor parte de la
RAM en todos los sistemas de hoy. Este tipo de RAM es más
lenta y menos costosa, la mayoría de los sistemas actuales
vienen con 4-8 MB o más. El nombre de RAM dinámica
proviene del hecho de que la información en la DRAM se
deteriorará y se volverá inútil. Para evitar que esto suceda, el
microprocesador tiene que actualizar periódicamente la
memoria.
B. SRAM
SRAM es una RAM estática, o RAM de caché de
microprocesador. Esta RAM no necesita actualizarse como la
DRAM, y debido a esto y algunas otras características de
diseño de SRAM, es significativamente más rápida que la
DRAM. La SRAM puede integrarse en el microprocesador
(interno) o en chips separados (externos). SRAM no solo es
varias veces más rápida que la DRAM, sino que también es
varias veces más costosa.
C. VRAM
La VRAM es una Video RAM. Posee la característica que
se puede escribir y leer al mismo tiempo. Esto es bastante útil
cuando el procesador de video en su tarjeta de video puede
leer la imagen de VRAM y enviarla a la pantalla sin tener que
esperar a que la CPU termine de escribirla. Como esta función
es de poca utilidad en otras partes de su computadora, esta
RAM se usa casi exclusivamente para tarjetas de video de alta
gama.