1.

Tipos de BJT, explique su funcionamiento como semiconductor

El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la corriente intervienen

los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino junction (unión) hace referencia a
la estructura del dispositivo, ya que como veremos a continuación tenemos dos uniones pn en
el transistor y mediante la polarización de estas uniones conseguiremos controlar el
funcionamiento del dispositivo.
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo N
en medio de dos zonas de material tipo P, en este caso se denomina transistor PNP, o bien tener
una zona tipo P con dos zonas tipo N a cada lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un
transistor NPN.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas consta
de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la inicial
del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector). La zona de emisor es la
más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de “emitir” o inyectar portadores
mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del
transistor pnp. La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar
pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector. La zona
de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o “colectar” los
portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con
un nivel de dopado inferior de las tres.

2. Explique su funcionamiento de acuerdo a la polarización entre sus

terminales

La polarización del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las uniones de
emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la región de funcionamiento
adecuada a la aplicación que se persigue, en ausencia de la señal de entrada. Si la aplicación que
se persigue es la utilización del transistor como amplificador, situaremos el punto de trabajo en
aquella zona dónde tenga un comportamiento más o menos lineal.

Aplicando una señal variable a la unión base-emisor (VBE) obtenemos una corriente de salida,
en este caso IC, de forma muy semejante a la señal aplicada. Si lo que se pretende es que el
transistor se comporte como un circuito abierto, situaremos el punto de funcionamiento en la
región de corte. En esta región para cualquier variación de la tensión VBE, obtendremos la
misma corriente IC, cuyo valor es tan pequeño que se puede considerar cero. De igual modo, si
lo que se busca es el comportamiento como cortocircuito, nos situaremos en la zona de
saturación, dónde podemos obtener cualquier valor de IC sin cambios apreciables en la tensión
VBE. Una vez elegida la zona de funcionamiento, hay que procurar que el punto de trabajo sea
lo más estable posible, con el fin de asegurar su correcto funcionamiento para un amplio rango
de señales de entrada.
La polarización del transistor se logra a través de los circuitos de polarización que fijan sus
corrientes y tensiones. En la figura se muestran los circuitos de polarización más típicos basados
en resistencias y fuentes de alimentación.
3. Cuáles son las configuraciones del BJT

BASE COMÚN

La base es común tanto para la entrada

como para la salida de la configuración.
La flecha en el símbolo gráfico define la
dirección de la corriente del emisor (flujo
convencional) a través del dispositivo.

EMISOR COMÚN

La configuración de emisor común es la más

usada. En él, el transistor actúa como un
amplificador de la corriente y de la tensión.
Aparte de los efectos de amplificación,
también invierte la tensión de señal, es decir,
si la tensión es tendente a positiva en la base
pasa a ser tendente a negativa en el colector;
pero, como estos efectos se producen con la
corriente alterna.

COLECTOR COMÚN

Se utiliza principalmente para acoplamiento

de impedancias, ya que tiene una alta
impedancia de entrada y una baja de salida,
lo contrario de las configuraciones
anteriores.
4. Cada configuración puede trabajar en cuatro zonas, ¿cuáles son estas
cuatro zonas y para que se aplican?

Existen cuatro condiciones de polarización

posibles. Dependiendo del sentido o del signo de
los voltajes de polarización en cada una de las
uniones del transistor, éste se puede encontrar
en alguna de las cuatro regiones que se pueden
observar en el gráfico de la derecha. Estas
regiones son; Región activa directa, Región de
saturación, Región de corte y Región activa
inversa. A continuación podemos observar el
comportamiento de cada una de estas regiones
 Región activa en cuanto a la polaridad:
En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente), y de las resistencias que se encuentren conectadas en el
colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador de señal.
 Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones
del colector y emisor intercambian roles.
 Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente del colector=corriente del
emisor=0. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se
comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando, corriente del colector ≈ corriente
de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos. Cuando el transistor está en saturación, la relación lineal
de amplificación Ic=β·Ib no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que la unión
CE se comporta como un cortocircuito, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy
próxima a cero.

5. ¿Cuál es la curva característica de entrada de la configuración

amplificadora en emisor común? Dibújela

CURVAS CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA EN EMISOR COMÚN

PARA UN BJT NPN
6. Explique el Efecto Early, con un ejemplo.

Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones

no deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensión colector-base.
Estas variaciones de corriente estan producidas por la modulación de la anchura de la base, este
hecho es conocido como el Efecto Early. En un transistor bipolar, un incremento en la tensión
colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha
unión. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base. Debido a esto,
la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la recombinación en base.

La pendiente positiva de las curvas características del transistor en zona activa es debida a este
efecto.

7. ¿Cuáles son las curvas de salida del BJT?

CURVAS CARACTERÍSTICAS DE SALIDA EN EMISOR COMÚN

EN UN BJT NPN.

8. Complete la tabla
 2n2222 2n3904 2n3055
VCB 75 V 60 V 100 V
VCEo 40 V 40 V 60 V
VEB 6V 6V 7V
IC typ 600 mA 200 mA 15 A
hFE min y máx. 35-300 60-300 20-70

9. Dibuje y comente las curvas hFE vs IC de los BJTs dados

BJT 2n2222

BJT 2n3904

BJT 2n3055
 COMENTARIO: Conocer el valor de la ganancia β es muy importante para poder realizar circuitos
con el transistor bipolar, este valor se puede encontrar en las hojas de datos como hFE, el valor
de la ganancia β se ve afectado por la temperatura y por la corriente del colector IC.

10. Dibuje y comente otra curva que usted crea que es importante para
conocer el funcionamiento del BJT.

Para conocer el funcionamiento del BJT es importante observar la gráfica Vce vs Ic puesto que
es necesario conocer las condiciones operativas del BJT.
Las curvas de área operativa segura indican IC – VCE límites del transistor que deben observarse
para confiable operación; es decir, el transistor no debe estar sujeto a mayor disipación que las
curvas indican.
11. Del Data Sheet, determine las condiciones de corte y saturación para
los tres BJTs.
Para el 2n2222
 Corriente de corte del emisor/colector: 10nA
 Corriente de corte de la base: 20nA
 Voltaje Vce de saturación: (0.3-0.4)V
 Voltaje Vbe de saturación: (0.6-1.2)V

Para el 2n3904
 Corriente de corte del emisor/colector: 50nA
 Corriente de corte de la base: 50nA
 Voltaje Vce de saturación: (0.2)V
 Voltaje Vbe de saturación: (0.85-0.95)V

Para el 2n3055
 Corriente de corte del emisor/colector: (1-5)mA
 Corriente de corte de la base: 0.7mA
 Voltaje Vce de saturación: (1-3)V

DETECCION DE AVERIAS
12. ¿Qué pasa si en un amplificador en emisor común se abre la resistencia
de la base? Explique con un ejemplo

La resistencia de la base determina la corriente en DC del amplificador, por lo tanto si se

abriera, no produciria dicha corriente y el amplificador no trabajaría.

13. ¿Qué sucede si en un amplificador en EC, la resistencia de colector

altera su valor en un 50%?
la corriente aumentaria, y esto reduciría la ganancia del amplificador, según la formula:
 Se comprobaría que si se reduce un 50% Rc, la ganancia reduciría, pero no la mitad,
si no un pequeño valor que depende de los valores que le demos a Rc y Rl.

14 ¿Cómo detecta con el multímetro si un BJT funciona? Dibuje.

EL multímetro tiene unos orificios en donde se puede poner el BJT, esto nos bota el valor
del Beta del mismo.

MODELO DE ESTUDIO PARA EL BJT

15 Explique el modelo de Ebers Moll del BJT. Usos

El modelo de Ebers-Moll es un modelo de señal grande que comúnmente se utiliza para
modelar los BJT. Una versión del modelo se basa en suponer un diodo con polarización
directa y un diodo con polarización inversa.

16 Explique el modelo T del BJT. Usos

Este modelo muestra explícitamente la resistencia de emisor re en lugar de la resistencia
de base rπ
 APLICACIÓN DE LOS MODELOS EQUIVALENTES DE PEQUEÑA SEÑAL
1.- Determinar el punto de operación del BJT considerando solo las fuentes DC.
2.- Calcular los valores de los parámetros de pequeña señal: gm, rπ, re
3.- Eliminar las fuentes DC sustituyendo las fuentes de voltaje por un cortocircuito y las
fuentes de corriente por un circuito abierto.
4.- Reemplazar el BJT por uno de sus modelos de pequeña señal.
5.- Resolver el circuito para obtener las variables deseadas. Por lo general, aparte de
calcular voltajes y corrientes en puntos específicos,

17 Explique el modelo π hibrido del BJT. Usos.

Se eliminan las fuentes DC:
18 Dibuje el modelo en pequeña señal para el BJT, para un
amplificador en emisor común, con resistencia en el emisor.

19 Dibuje el modelo para baja frecuencia del BJT. Explique

No se desprecia el efecto del condensador del colector, se analiza con respecto al

modelo en AC.
 20 Dibuje el modelo para alta frecuencia del BJT. Explique

Aparecen capacitancias parasitas en el BJT.