Universidad Politécnica Salesiana

Ingeniería Electrónica
Electrónica Analógica l

Tema: Respuesta y Comparación de diodo

1N4007 y diodo de Respuesta Rápida
1N914.

Integrantes:
 Calero Lenin Arturo
 Castillo Christian
 Recalde Samantha
Tutor:
 Ing. Luis Germán Oñate Cadena

QUITO - ECUADOR
1. RESUMEN

En este ensayo se hace un breve recuento de la historia del diodo y como este fue
descubierto de forma accidental, además se hace una comparación entre dos diferentes
tipos de diodos un diodo rectificador común 1N4007 y un diodo de respuesta rápida el
1N914 para esto se realizó un experimento de laboratorio en el cual se implementó un
circuito práctico para polarizar los dos diodos de manera directa y limitar su corriente. A
los diodos se les aplico distintos voltajes de manera progresiva empezando con un
voltaje muy bajo de aproximadamente 0.1v y llegando a 10v se obtuvo mediciones de
el voltaje que cae en la resistencia y el voltaje que cae en el diodo, con estos valores se
calculó el valor de la corriente consumida por el circuito al ser un circuito en serie esta
es la corriente que consume el diodo como tal, una vez obtenidos valores de voltaje y
corriente en el diodo se arman las curvas de cada diodo respectivamente con las cuales
es fácil analizar el comportamiento y respuesta de cada diodo y cuáles son las
principales diferencias entre un diodo rectificado común y un diodo de respuesta rápida.

2. OBJETIVOS

Objetivo General

 Analizar y Comparar la curva de un diodo rectificador y un diodo de respuesta

rápida.

Objetivo Especifico

 Analizar el datasheet de cada diodo y la curva del diodo.

 Construir un circuito para observar las curvas
 Comparar las curvas

3. INTRODUCCIÓN

En el mundo de la electrónica y la electricidad el diodo aparece por descubrimiento

accidental, en 1873 Frederick Guthrie había cargado su electroscopio positivamente y
por error colocó una pieza de metal blanco caliente cerca de la terminal de su
electroscopio. El metal blanco que estaba caliente emitía electrones a la terminal y
neutralizaba la carga positiva del electroscopio haciendo que las láminas se unieran. La
carga negativa del electroscopio no pudo ser descargada, así que el metal caliente
únicamente emitía los electrones, es decir la carga negativa. Por lo tanto, la dirección
de flujo de los electrones era en una sola vía, de esta forma nació el primer diodo.
Posteriormente Edison patento este efecto presente en sus bombillas y lo llamo el efecto
Edison, en la década de 1960 es que los tubos de Edison son reemplazados por diodos
constituidos de materiales como el selenio y se crean los diodos que hoy utilizamos para
aplicaciones de gran potencia.

El diodo es un componente electrónico formado por material semiconductor, los

materiales más utilizados son el silicio y el germanio, el diodo como su nombre lo indica
está formado de dos partes una llamada material tipo P dopado de manera que tenga
huecos electrónicos y un material tipo N de manera que tenga electrones libres. La
característica principal de este elemento es que conectado o polarizado de una manera
este se comporta como un conductor y polarizado de manera inversa se comporta como
un circuito abierto es decir como un aislante. No solo existe un tipo de diodo hay varios
tipos ya sean rectificadores, de respuesta rápida, schoctkly, zener, etc.
Dependiendo del tipo de materiales usados en su construcción y de otros factores los
diferentes tipos de diodos tendrán diferencias que son las que determinan en que
aplicaciones es más idóneo usar cada tipo.

En este ensayo se analizarán dos tipos de diodos en específico uno de respuesta rápida
1N914 y un rectificador común 1N4007 y se compararan los resultados obtenidos, cada
uno de estos diodos tiene diferentes características técnicas y especificaciones de
operación diferentes de acuerdo a su construcción y las condiciones en las que se
encuentre operando. Para obtener la respuesta que presenta cada uno de los diodos
elegidos en esta comparación se implementó un circuito en el cual los diodos son
alimentados con diferentes voltajes en DC y se utilizó una resistencia de 1000 Ohmios
encargada de limitar la corriente el voltaje aplicado al circuito fue de 0.1v y fue
incrementado de manera progresiva hasta alcanzar 10V, con cada uno de los voltajes
aplicados se obtuvieron medidas de el voltaje que cae en el diodo y de el voltaje que
cae en la resistencia de 1000 ohmios posteriormente con estos valores se obtuvo la
gráfica de los dos diodos utilizando un software. Una vez obtenidos los valores de caída
de voltaje en cada elemento del circuito utilizando ley de Ohm se calcula la corriente
que consume la resistencia que por ser un circuito en serie es la corriente que consume
el circuito por ende la corriente en el diodo.

4. FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre

sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
contrario.

En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del

funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula

al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido
opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital, representada en la figura 1, indica
el sentido permitido de la corriente.

V V=0 V V<0
R= ←{ Presenta resistencia nula R= ←{ Presenta resistencia Infinita
I i>0 I i=0

POLARIZACIÓN DIRECTA

El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 2) en principio no permite el

establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de
deplección no es conducto, Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo,
se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando
un estrechamiento de la zona de deplección (Figura 2). Sin embargo, mientras ésta
exista no será posible la conducción.

Figura2.Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior y mayor a la de barrera

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y el

dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura
2):

1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.

2. En la unión se recombinan.

POLARIZACIÓN INVERSA

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y

negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos
portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de
deplección. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula
(Figura 3).

Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en

inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El
movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior
que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la

zona de deplección, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico
puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre
los átomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin
embargo, ello no conlleva necesariamente la destrucción del diodo, mientras la potencia
consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles).

Figura3. Diodo PN polarizado en inversa

CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE

La Figura 4 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

 figura4. Características V-I de un diodo de unión PN

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de

funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

 Región de conducción en polarización directa (PD).

 Región de corte en polarización inversa (PI).
 Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se
alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a
partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas
P y N. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los
diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V.

Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor

que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, hasta llegar a
la ruptura, en la que de nuevo aumenta.

DIFERENCIAS ENTRE EL DIODO DE UNIÓN PN Y EL DIODO IDEAL

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

2. La tensión para la que comienza la conducción es VON.
3. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
4. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en coducción por
avalancha.

En la Figura 5 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los

comportamientos del diodo de unión PN e ideal.
 Figura5. Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo ideal

TIEMPO DE RECUPERACIÓN DE UN DIODO

Si durante un tiempo largo el diodo estuvo polarizado en directa, la tensión sobre el

mismo será vd y la corriente aproximadamente Id1 = (V1 - vd)/RL  V1/RL, suponiendo
que la caid́ a de tensión sobre RL es mucho mayor que la tensión en bornes del diodo.
En el instante t = to la tensión aplicada vi cambia en forma abrupta a -V2, manteniéndose
en este valor para t > to.
Fiś icamente, para polarización directa hay un gran numero de portadores que
atraviesan la juntura y la densidad de portadores minoritarios (np: electrones del lado P
y pn: huecos del lado N) en exceso es alta como se observa en la figura 6 y figura 7.

Fig6. Polarización Directa Fig7. Polarización inversa

En polarización inversa la cantidad de portadores minoritarios en las cercania ́ s de la

juntura se vuelve despreciable, figuras a) y b), donde npo y pno representan las
concentraciones de portadores minoritarios en equilibrio lejos de la región de juntura.
Cuando se produce la inversión de la tensión vi, hacia el valor -V2, la carga eléctrica
asociada al número de portadores minoritarios en exceso no puede desaparecer en
forma instantánea. Entonces, la corriente no alcanzará su valor de régimen permanente
hasta que la distribución de minoritarios, que en el momento de invertir la tensión tenia
́
la forma de la figura a) se reduzca a la distribución de portadores de la figura b). El
tiempo durante el cual el exceso de portadores minoritarios decrece hasta cero se
denomina: ts: tiempo de almacenamiento. Durante este tiempo el diodo sigue
conduciendo y la corriente queda determinada por la tensión aplicada y la resistencia
de carga: Id2  -V2/RL. En t = ts el exceso de portadores se anula, la tensión en el diodo
se anula y comienza a invertirse hacia -V2; tendiendo la corriente al valor Is (corriente
de saturación, diodo real) como se puede observar en la figura8.

Figura8.graficas de recuperación de un diodo.

El tiempo transcurrido entre ts y el momento en que el diodo se ha recuperado

completamente se denomina tiempo de transición: tt.
El tiempo ts, consecuencia del almacenamiento del exceso de portadores minoritarios,
tiene mucha importancia cuando se utilizan diodos en circuitos de conmutación rápida.
Los fabricantes especifican el tiempo de recuperación inversa del diodo: trr, como el
intervalo desde que la corriente se invierte en t = to hasta que el diodo se ha recuperado
a un nivel especificado en función de la corriente, por ejemplo 0.1 I2.

TIPOS DE DIODOS

 DIODOS RECTIFICADORES

Su construcción está basada en la unión PN siendo su principal aplicación como

rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas
temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su resistencia muy baja y la corriente en
tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeñas
dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando así a los diodos
termoiónicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable
en fuentes de alimentación como en televisión, aparatos de rayos X y microscopios
electrónicos, donde deben rectificar tensiones altísimas. En fuentes de alimentación se
utilizan los diodos formando configuración en puente (con cuatro diodos en sistemas
monofásicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que
simplifican en gran medida el proceso de diseño de una placa de circuito impreso. Los
distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que
disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima de este valor el
encapsulado es metálico y en potencias más elevadas es necesario que el encapsulado
tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo a disipar el
calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos
integrados.
  DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN

La desactivación de un relé provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido

inverso que pone en peligro el elemento electrónico utilizado para su activación. Un
diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El
inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es más lenta, así que la
frecuencia a la que puede ser activado el relé es más baja. Se le llama comúnmente
diodo volante.

 DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN DE UN DIODO

LED EN ALTERNA.

El diodo Led cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensión cae sobre la
resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensión se
encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.

 DIODOS ZENER.

Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e independiente
de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Para conseguir esto se
aprovecha la propiedad que tiene la unión PN cuando se polariza inversamente al llegar
a la tensión de ruptura (tensión de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un
aumento brusco. Para evitar la destrucción del diodo por la avalancha producida por el
aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente.
Se producen desde 3,3v y con una potencia mínima de 250mW. Los encapsulados
pueden ser de plástico o metálico según la potencia que tenga que disipar

5. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL DIODO 1N4007

El diodo 1N4007 es uno de los más usados en aplicaciones generales de electrónica ya

que es muy fácil de conseguir y su precio es
accesible una de sus características principales es su alto
voltaje de trabajo en el orden del kilovoltio al igual que su
tensión de ruptura, sin embargo, su corriente de trabajo
es de solo un amperio.
Fig9. Diodo 1N4007

Este diodo es comúnmente usado en rectificadores ya que la mayoría de sus circuitos

trabajan a 60 o 50 Hz.
Una de las limitaciones de este diodo es que a frecuencias altas no funcionan de manera
correcta dado que su tiempo de recuperación es alto para aplicaciones de alta
frecuencia.

El diodo 1N4007 es muy empleado en fuentes de alimentación para convertir una

tensión alterna en una tensión continua. Se utiliza en cargadores de móviles, cargadores
de baterías, multiplicadores de tensión, limitador de voltaje.
Un diodo 1N4007 se lo usa como diodo de rectificación sobre todos, esta palabra
proviene de un griego (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que
permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características
similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-
V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta
como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado
con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa
de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente
continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De
Forest.

Posee polarización directa cuando ingresa por el ánodo es decir por el(+) positivo y
posee polaracion indirecta cuando ingresa por el cátodo (-) negativo.
El diodo 1N4007 también se lo usa como un puente rectificador de diodos, también
llamado puente rectificador o puente de diodos, es un dispositivo formado por cuatro
diodos ensamblados de forma que una corriente alterna (AC) conectada a dos de los
diodos produce una corriente continua (DC) de salida en los dos diodos restantes. Es
un componente eléctrico utilizado en muchos aparatos tanto a nivel industrial como a
nivel doméstico, por ejemplo, en los cargadores de los teléfonos móviles.
Los diodos son unos dispositivos que permiten el flujo eléctrico en un sólo sentido y
cada puente rectificador lleva al menos cuatro. Para que la rectificación de la corriente
alterna se produzca hay que conectar los cuatros diodos en una disposición específica,
llamada configuración de rectificación, que efectivamente termina con una mitad del
ciclo de la corriente alterna de entrada y deja pasar sólo la otra mitad a través del puente
pero siempre con el polo negativo y el positivo saliendo por los mismos diodos.

ESPECIFICACIONES:

 Corriente en directo max.: 1A

 Corriente pico en directo (8.3ms): 30A
 Voltaje en directo max. (@ 1A): 1.1V
 Voltaje DC inverso max.: 400V
 Encapsulado: DO-41

APLICACIONES

 RECTIFICADOR

Los diodos se pueden usar para rectificar señales de corriente alterna, y transformarla
a corrientes positivas o negativas de corriente continua con ayuda de una inductancia.
A estos circuitos se les llama “Rectificadores”. Se utiliza para hacer multímetros o
fuentes de poder de corriente directa, su funcionamiento consiste en no dejar pasar el
lado positivo o negativo de la señal por medio de la resistencia de los diodos, y así tener
una lectura en forma de arco positiva o negativa.

 MULTIPLICADOR DE TENSIÓN

Un multiplicador de tensión esta echo con diodos y con capacitores, sirve para aumentar
el voltaje de entrada de forma multiplicativa. Mientras más mallas existan, más será el
voltaje multiplicado. </li></ul><ul><li>Consiste en cargar los capacitores para que
sumen mayor voltaje, la señal positiva corre directamente por todas las mayas pero deja
cargados algunos capacitores, mientras que la señal negativa provee a los demás
capacitores para llenarlos de voltaje y así sumarse con el voltaje de entrada.

 LIMITADOR DE VOLTAJE

Nos permite transformar una señal manipulándola para variar su tipo (cuadrada o
triangular) o sus valores de voltaje pico o pico pico. También se le conoce como circuito
recortador. Normalmente se aplica un cierto voltaje a los diodos para que estos permitan
la entrada de un poco de corriente antes de mostrar resistencia a la señal, en el ejemplo
se tiene como consecuencia un recorte horizontal del valor pico en el sentido positivo y
negativo.

 COMPUERTAS LÓGICAS

Es posible desarrollar las compuertas lógicas con diodos que sirven para ofrecer una
respuesta lógica booleana de salida de acuerdo a un tipo de señal de entrada, existen
de dos tipos: compuerta de tipo ‘or’ y compuerta de tipo ‘and’, las dos se basan en una
fuente continua y otra cuadrada. El primero (compuerta ‘or’) en la salida entrega una
respuesta cuando existe una señal de entrada en cualquiera de los dos diodos, mientras
que en el segundo (compuerta ‘and’) entrega una respuesta sólo si en ambos diodos se
recibe una señal de entrada simultáneamente.

 REGULADOR DE VOLTAJE O CORRIENTE

El valor del voltaje o de corriente de salida se mantiene constante a pesar de las

variaciones que existan en el voltaje o corriente de entrada, esto se logra gracias a la
característica del diodo Zener, que tiene al usarse polarizado inversamente una tensión
o corriente de valor constante.

 CIRCUITO FIJADOR

Consiste en manipular la señal de entrada y desplazarla de forma vertical gracias a la

variación de incrementación del tiempo con respecto al periodo que producen en
conjunto un capacitor, un resistor y un diodo.

CURVAS CARACTERISTICAS

Con referencia a los gráficos Fairchild prefiere generar gráficos separados para cada
parámetro como por ejemplo la figura10 que contiene la curvas de tensión inversa,
voltaje instantáneo, temperatura y números de ciclos de funcionamiento del diodo
1n4009 .

Figura10. Curvas características diodo 1n4007

6. CARACTERÍSTICAS DIODO 1N914

El diodo 1N914 se caracteriza por ser un diodo rectificador ultra

rápido en el cual a diferencia del 1N4007 tiene un voltaje de
conducción mas bajo alrededor de los 0,2 voltios. El voltaje de
ruptura de este diodo es de 100 voltios menor al diodo 1N4007,
la corriente que maneja este diodo es de solo 0,2 amperios.

Fig11. Diodo 1N914

Las ventajas del 1N914 es que su tiempo de recuperación es de solo 4ns por lo que es
ideal en aplicaciones de conmutación en las que la frecuencia es muy alta.

 Corriente en directo promedio max: 150 mA

 Corriente pico no repetitivo en directo (1s): 1A
 Disipación de potencia max: 0.5 W
 Voltaje en directo max. (@ 10mA): 1 V
 Voltaje DC inverso max: 75 V
 Capacitancia max: 4 pF
 Tiempo de recuperación en inverso: 4 ns
 Encapsulado: DO-35

ESPECIFICACIONES DIODO 1N914

Aunque la mayoría de los diodos están construidos de silicio, hay algunos casos en los
que puede ser preferible un diodo de germanio. Por ejemplo, los diodos de germanio
requieren una tensión directa de funcionamiento más pequeño que los diodos de silicio
requieren. diodos de germanio son también capaces de soportar las temperaturas de
funcionamiento más altas que los diodos de silicio similares pueden manejar. Un diodo
de germanio específica, el 1N914, se utiliza en los circuitos electrónicos de alta
velocidad. Estos de alta tensión, los diodos de baja corriente se utilizan a menudo en
circuitos rectificadores.

 TENSIÓN DIRECTA

Una de las principales diferencias entre un rectificador de germanio y un diodo

rectificador de silicio es el voltaje necesario para permitir que el diodo para conducir la
corriente eléctrica. diodos de silicio típicos, tales como un diodo 1N4001, requieren
aproximadamente 0,7 voltios a través del diodo para permitir que la corriente eléctrica
que fluye a empezar entre el ánodo y el cátodo. El germanio-construcción 1N914
requiere 0,62 voltios para permitir que la corriente eléctrica fluya a través del diodo.

 TENSIÓN INVERSA

Idealmente, cuando un diodo tiene una tensión mayor en el cátodo que en el ánodo, el
diodo actúa como una válvula de retención de una vía, no permitir la corriente eléctrica
fluya a través del diodo. En la práctica, sin embargo, un diodo permite que una corriente
muy pequeña (menos de un miliamperio) fluya a través del diodo en esta condición. Si
el diferencial de tensión crece lo suficiente, el diodo empezará a romperse, y la corriente
fluirá a través del diodo hasta que el diodo está dañado o destruido.

La tensión a la que el diodo comienza a descomponerse se refiere como el valor "tensión

inversa". diodos de germanio, tales como el 1N914, son resistentes en comparación con
los diodos de silicio. Mientras que un diodo de silicio 1N4001-construcción comenzará
a descomponerse a 50 voltios, el valor de la tensión inversa de un germanio-1N914
construcción es de 75 voltios.
Las limitaciones de temperatura de funcionamiento
Un diodo 1N914 se puede utilizar en entornos que van de la temperatura de -65 grados
Celsius a 200 C. Se trata de un mayor rango de temperatura de un diodo de silicio-
construcción 1N4001 puede soportar, -55 C a 175 C.

CURVAS CARACTERISTICAS

Basado a los datasheet Fairchild se muestra en la figura 12 las curvas características

de voltaje vs corriente , corriente inversa vs voltaje inverso trabajando a una
temperatura funcional para el diodo 1n914

Fig12.Curvas características del diodo 1n914

7. MATERIALES

Para el desarrollo y análisis de la respuesta que tienen los diodos se utilizaron los
siguientes materiales:

1. Protoboard
2. Resistencia de carga RL
3. Diodo 1N914
4. Diodo 1N4007
5. Cables Banana – Lagarto
6. Fuente variable DC
7. Voltímetro
8. MEDICIONES

Para realizar las mediciones se implementó el siguiente circuito tanto para el diodo de
respuesta rápida, así como también para el diodo rectificador

Figura13. Circuito Implementado de Experimentación

Recolección de datos Diodo 1N914 (Tabla 1)

Voltaje Entrada Voltaje Diodo Voltaje Resistencia Corriente

0,1 0,126 0 0
0,2 0,196 0 0
0,3 0,295 0,02 2E-5
0,4 0,396 0,016 1,6E-5
0,5 0,466 0,077 7,7E-5
0,6 0,500 0,155 1,55E-4
0,7 0,514 0,229 2,29E-4
0,8 0,524 0,287 2,87E-4
0,9 0,538 0,394 3,94E-4
1 0,549 0,501 5,01E-4
2 0,595 1,43 1,43E-3
3 0,610 2,44 2,44E-3
4 0,630 3,38 3,38E-3
5 0,640 4,38 4,38E-3
6 0,650 5,35 5,35E-3
7 0,650 6,35 6,35E-3
8 0,660 7,32 7,32E-3
9 0,670 8,32 8,32E-3
10 0,670 9,28 9,28E-3
Recolección de datos Diodo 1N4007 (Tabla 2)

Voltaje Entrada Voltaje Diodo Voltaje Corriente

Resistencia
0,1 0,126 0 0
0,2 0,221 0 0
0,3 0,319 0,01 1E-5
0,4 0,410 0,021 2,1E-5
0,5 0,439 0,045 4,50E-5
0,6 0,479 0,121 1,21E-4
0,7 0,507 0,231 2,31E-4
0,8 0,518 0,294 2,94E-4
0,9 0,537 0,440 4,40E-4
1 0,538 0,445 4,45E-4
2 0,594 1,43 1,43E-3
3 0,620 2,44 2,44E-3
4 0,630 3,41 3,41E-3
5 0,650 4,37 4,37E-3
6 0,660 5,35 5,35E-3
7 0,670 6,33 6,33E-3
8 0,670 7,30 7,30E-3
9 0,680 8,26 8,26E-3
10 0,690 9,33 9,33E-3

9. GRAFICACION DE RESPUESTA DE DIODOS

 Con la ayuda de las mediciones que realizo en el circuito implementado de

experimentación (Figura.13) se obtuvo las mediciones y datos (Tabla.1) tanto,
las caídas de tensión que existe en el diodo, así como también la corriente que
circula por el mismo. A continuación, con la ayuda de un paquete informático
EXCEL pudimos realizar la graficación o curva de respuesta de un Diodo 1N914
FAST RECOVERY. ANEXO 1

 Con la ayuda de las mediciones que realizo en el circuito implementado de

experimentación (FIG.10) se obtuvo las mediciones y datos (Tabla.2) tanto, las
caídas de tensión que existe en el diodo, así como también la corriente que
circula por el mismo. A continuación, con la ayuda de un paquete informático
EXCEL pudimos realizar la graficación o curva de respuesta de un Diodo
1N4007. ANEXO 2
10. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Respecto al Diodo 1N914 FAST RECOVERY luego realizar las mediciones

correspondientes en el circuito de experimentación podemos observar que este,
empieza a conducir directamente desde valores mucho más pequeños, es decir
empieza a dejar fluir la corriente desde valores mucho más pequeños con relación a los
Diodos de respuesta normal que polarizarían desde un potencial de barrera de 0,7 V.

Podemos observar, que mientras se va aumentando el voltaje de entrada del circuito, la

caída de tensión que existe en el diodo Vd. (Voltaje Diodo) empieza a tomar valores
mucho más periódicos, casi hasta tornarse constante, lo cual podríamos deducir que
mientras se tenga un voltaje de entrada adecuado al circuito el Diodo empezará a
trabajar de una manera más adecuada.

Respecto al Diodo 1N4007, podemos observar gracias a las mediciones

correspondientes que se obtuvieron del circuito de experimentación, que este al igual
que la mayoría de diodos de respuesta “normal” tiene que romper o traspasar el
potencial de barrera de 0,7V para que polarice correctamente y realice el trabajo de
rectificación de la onda. Al igual que en el Diodo de respuesta rápida podemos observar
que a voltajes de entrada mucho más altos la caída de tensión que existe en el Diodo
empieza a tener valores mucho más periódicos hasta casi volverse constantes.

Lastimosamente por el paquete informático que se utilizó para la graficación de las

curvas de respuesta de los Diodos, no permite graficar valores muy pequeños no se
puede observar claramente las diferencias que se las puede percibir comparando los
Datasheet de los Fabricantes.

11. CONCLUSIONES

 Observamos que mediante la experimentación e implementación los resultados

tanto de diodo de respuesta rápida como el diodo de respuesta normal son los
mismos, con la diferencia que el uno empieza su conducción mucho más rápido
que el otro.
 Observamos que el Diodo 1N914 FAST RECOVERY conduce desde valores
mucho más pequeños, es decir mucho antes del potencial de barrera de 0,7V de
un Diodo Normal.
 Comparamos el Datasheet de los fabricantes, con las gráficas de respuesta de
los Diodos y el circuito de experimentación nos permitió concluir que ese tipo de
gráficas de respuesta son mucho más acertadas y reales ya que al realizar las
mediciones existen perdidas en la trasmisión de datos tanto al multímetro como
al osciloscopio.
 Concluimos que la caída de tensión en la resistencia o carga, tienden a valores
muy parecidos, lo cual indica que no influye que el Diodo sea de respuesta rápida
o de respuesta normal, al igual ocurre con la corriente que circula en el circuito.
 Aparentemente las gráficas de respuesta de los Diodos son muy parecidas, pero,
para poder realizar una gráfica mucho más real, se deberán tomas valores de
voltaje de entrada mucho más pequeños y menos dispersos.
 Concluimos que el criterio de selección de un Diodo dependerá de las
necesidades de implementación, y los parámetros tanto como voltaje de entrada
y temperatura a la cuál va a trabajar y rectificar nuestro diodo.
12. ANEXOS

 ANEXO 1

DIODO 1N914 FAST RECOVERY

0.01
0.009
0.008
CURRENT FORWARD

0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
VOLTAGE FORWARD

 ANEXO 2

DIODO 1N4007
0.01
0.009
0.008
CURRENT FORWARD

0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VOLTAGE FORWARD
13. BIBLIOGRAFÍA

14. Bibliografía

[1] R. L. B. L. NASHELSKY, Electrónica: DÉ CIMA EDICIÓN Electrónica: teoriá de

circuitos teoriá de circuitos y dispositivos y dispositivos electrónicos electrónicos,
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[2] R. L. Boylestad, Introducción al análisis de circuitos, Mexico: Pearson, 2011.
[3] A. P. Malvino, Principios de Electrónica, 6ta Edición ed., Mc Graw Hill, 2000.
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[5] J Espí Lopez, Fundamentos de Electrónica Analógica, Valencia: Guada Impressors,
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