PREGUNTAS SOBRE EL TRANSISTOR

EJERCICIOS DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA

1-Un transistor está constituido por dos uniones P-polarizadas.
·Una directamente y otro inverso ya que el diodo por su polaridad PN lo polariza directamente y
luego inversamente, en el transistor también funciona de esta manera.

·En VCE seria NPN inversamente el diodo suma su valor no quita voltaje.

2-La corriente de electrones que circula por la base de un transistor NPN.

A) es el orden del 20% de la total.
B) es del orden del 4% de la total.
C) es la total que pasa por el transistor.
PROBLEMA:
4% es B=100/4=25.
1% es B=100/1=100.

SOLUCION:
Es del orden de 4% de la total.

EXPLICACION:

·Solo hace falta un poco de corriente para

activarlo, no puede ser la total ni el 20%,
siempre se debe coger la más pequeña, ya que la
ganancia es de 4%.

3-El efecto transistor, consiste en:

A) hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada inversamente.
B) hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada directamente.
C) hacer pasar una gran corriente por una unión P-N polarizada inversamente, polarizada
directamente la otra unión.

SOLUCION:
·Las tres opciones están mal porque debería ser la unión NP (inversamente) polarizado directamente
con otra unión quedaría polarizado PN, el diodo.
4-La barrera potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor aproximado de:
A) 0.3V
B) 1V
C) 0.7V

SOLUCION:
El transistor en la parte del diodo siempre será 0.7V gastará o sumará dependiendo de su polaridad
PNP o NPN.

5-En la operación normal de un transistor, el diodo

colector-base, tiene:
A) polaridad directa.
B) polaridad inversa.
C) la misma que la del diodo emisor-base.

SOLUCION:
·Polarización inversa.
EXPLICACION:
·En un diodo polarizado directamente cuando es la
unión PN.
·Y en un transistor la unión de arriba es NP colector, por lo tanto conduce inversamente.

6-La ganancia de corriente de un transistor es la razón entre:

A) la corriente de colector y la de emisor.
B) la corriente emisor y la de base.
C) la corriente colector y de base.

SOLUCION:
·La corriente colector y la de base.
EXPLICACION:
·Porque BETA es igual IC entre IB.

7-Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentara:

A) la corriente de base.
B) la corriente de colector.
C) la corriente de emisor.

SOLUCION:
·La corriente de colector.
EXPLICACION:
·La tensión tendría que aumentar como consecuencia del aumento de la del colector.

8-Si la ganancia de corriente de un transistor es de 200 y la corriente de colector es de 100mA, la

corriente de la base es de:
A) 0,5mA.
B) 2mA.
C) 102mA.

PROBLEMA:
Ib=Ic/B=0,5mA 200=100mA/IB Ib=0.5mA
SOLUCION:
·Es 0,5mA.

EXPLICACION:
·Para saber la corriente de base debemos dividir el valor de IC entre Beta.

9-Si la ganancia de corriente de un transistor es de 100 y la corriente de emisor 300mA, la corriente

de la base es exactamente de:
A) 0.33mA.
B) 2.97mA.
C) 3.3mA

SOLUCION:
2.97mA.

PROBLEMA:
B=IC/IB como: IE=IC+IB IE=100IB+IB=101IB 300mA=101 IB 300/101=2.97mA
.
EXPLICACION:
·Para saber la corriente de base que es IB para ello debemos hacer la IE menos IB dividido entre la
ganancia B, el resultado que nos salga será en miliamperios con esta operación sabemos la corriente
de base.

10-En un trasnsistor NPN se mide Vbe=0.7V, Vce=10V, la Vcb=es?

A) 10.7V.
B) -9,3V.
C) 9,3V.

PROBLEMA:
VCE-VBE= 9.3V. 10-0,7V= 9.3V.

EXPLICACION:
·La corriente entra por el transistor y éste, el diodo le resta a la corriente que le entra, le resta 0,7V el
diodo.

11-La potencia disipada por un transistor es aproximadamente igual a la corriente del colector
multiplicada por:
SOLUCION:
VCE

EXPLICACION:
·Porque P=V·I debemos tomar VCE, esta es la total.

12-Si en el emisor de un transistor PNP se mide 5V, la tensión que se mide en la base es:
A) 5.7V.
B) 4.3V.
C) 5V.

SOLUCION:
·Es la 5,7V por la posición del diodo.
EXPLICACION:
·La polaridad del transistor es PNP por lo tanto su valor de 0,7V no le quitará sino que sumará ese
valor a la corriente que le venga IC.
13-Si en la base de un transistor NPN se mide 5V,la tension que se mide en el emisor es:
A) 5,7V.
B) 4,3V.
C) 5V.

SOLUCION:
·La solución es 4.3V por la polaridad del diodo.
EXPLICACION:
·Por la polaridad del transistor NPN restará el valor de 0,7V del diodo a la corriente IC de 5V, por lo
tanto se quedara con un valor de 4,3V la IC.

14-Si en la base de un transistor NPN se mide 5V, la tensión que se mide en el emisor es:
A) 5,7V.
B) 4.3V.
C) 5V.

SOLUCION:
·La solución es de 4.3V por la polaridad del diodo.

EXPLICACION:
·Lo que pasa es que por la polaridad del diodo resta su valor de 0,7V ala IC que le entra.

15-Tenemos que Vcb=5.1V en un transistor NPN ¿Cuál será su Vce?.

A) 5.1V.
B) 4.4V.
C) 5.8V.

SOLUCION:
·La solución es que el diodo le resta el valor de IC que sería restar 5.1V restarle con el valor del diodo
que son 0.7V.

16-Debemos hallar la IC en Saturación.

A) 20mA.
B) 5,84mA.
C) 6,06mA.
·Tenemos un circuito en el que tenemos dos resistencias una de 3.3K y otra de 1 mega, un transistor
y de entrada de IC tenemos 20V.

PROBLEMA:
20/3300=6.06mA.
SOLUCION:
·La solución es dividir el valor de V de IC entre las resistencias para saber la intensidad de base que
es 6.06mA.

REVISAR EL SIGUIENTE LINK:

https://toshiba.semicon-storage.com/es/design-support/faq/mosfet.html

Transistores MOSFET / bipolares

Hacer un resumen y transcribirlo a un mapa conceptual en un papel oficio cuadriculado.