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Circuitos Electrónicos II

EXPERIMENTO 1
CARACTERÍSTICAS V-I DEL FET
Objetivos:
1. Presentar las curvas características de un NMOS de enriquecimiento en el osciloscopio
2. Determinar la característica de transferencia de un NMOS de enriquecimiento por medición
3. Estimar la magnitud del voltaje de umbral.
4. Estimar el valor de Kn.
5. Determinar la magnitud de IDSS y Vp =(VGSoff) de un JFET canal N

Materiales
 1- Osciloscopio de dos canales
 1- MOSFET canal N de enriquecimiento 2n7000
 1- JFET canal N 2n5486
 1- Amp-Op uA741
 1- Generador de señales
 Resistores: 100  , 1k  , 1k 
 1- Potenciómetro 10k 
 1- Fuente de Poder DC (dual)
 1- Voltímetro digital
 1- Voltímetro análogo (VOM)

Procedimiento

I. Obtención de los parámetros de funcionamiento de los transistores


a. Obtenga las especificaciones del fabricante del NMOS y del JFET canal N indicados a través de sus hojas
de datos.
b. Obtener de las hojas de características la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET.
c. Obtener de las hojas de características la magnitud de IDSS y VGSOFF del JFET.

II. Obtención de la curva características de salida del NMOS


a. Calibre el generador de señales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con
amplitud de 10Vp-p.
b. Conecte el generador de señales al circuito mostrado en la figura 1.

Figura 1. Circuito para determinar las características de un MOSFET.

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c. Calibre el osciloscopio y conéctelo como se muestra en la figura1. e invierta la señal del canal X.
d. Conecte el canal Y entre D y tierra real.
e. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real
f. Ponga el osciloscopio en modo X-Y e incremente la resistencia del potenciómetro y registre el valor de V G
con el voltímetro. Grafique la característica de salida resultante para cada valor de V GS.
g. Estime el valor de Vt, Kn y VA .

III. Característica de transferencia del NMOS


a. Arme el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.

Figura 2. Circuito para determinar las características de un MOSFET.

b. Ajuste el valor de VDD a 12V y anote la lectura del voltímetro DC


c. Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en Voltímetro. Estime el valor de Vt
d. Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y registre para cada valor
de VGS la magnitud de V1kΩ leída en el voltímetro. Llene la siguiente tabla.

VGS
V1kΩ
ID=V1kΩ /RD

e. Grafique ID vs VGS

IV. Características del JFET.


a. Arme el circuito mostrado en la figura 3. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca
aproximadamente constante.

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Figura 3. Circuito para determinar las características de un JFET.

a.1. ¿Cuánto vale VGS?

a.2. ¿Qué valor de corriente “aproximadamente constante” medirá entonces?

b. Complete la siguiente tabla

VDD 0 0.25 0.5 0.75 1 1.5 2 2.5 3 4 5


VS
VDD – VS
ID=VS/1k

V. Comparaciones
a. Compare los valores de los parámetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante, son
parecidos?

VI. Conclusiones

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Cedula:

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