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8. Que es: a) material conductor, b) material semiconductor, c) material aislante.

R//:
MATERIAL DEFINICIÓN ANEXO

Un conductor eléctrico es un material que


ofrece poca resistencia al movimiento de
la carga eléctrica. Sus átomos se
CONDUCTOR caracterizan por tener pocos electrones en
su capa de valencia, por lo que no se necesita
mucha energía para que estos salten de un
átomo a otro.

Es un elemento que se comporta como


un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo el campo
SEMICONDUCTOR eléctrico o magnético, la presión, la
radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Este
comportamiento obedece a la conformación
de las bandas de energía en la órbita de
valencia de los átomos de cada elemento.

Un aislante eléctrico es un material con


escasa capacidad de conducción de
la electricidad, utilizado para separar
conductores eléctricos evitando
un cortocircuito y para mantener alejadas del
usuario determinadas partes de los sistemas
eléctricos que de tocarse accidentalmente
AISLANTE cuando se encuentran en tensión pueden
producir una descarga. Los más
frecuentemente utilizados son los
materiales plásticos y las cerámicas. Las
piezas empleadas en torres de alta tensión
empleadas para sostener o sujetar los cables
eléctricos sin que éstos entren en contacto
con la estructura metálica de las torres se
denominan aislantes.
9. Explique la formación de las bandas de energía en: a) los conductores, b) los aislantes
y c) los semiconductores.
R//:
a) En Conductores: De acuerdo con la teoría de bandas, son aquellos materiales cuyas bandas
de valencia y de conducción, se encuentran muy próximas entre sí, al grado de que, en
algunos casos, estas bandas se encuentran sobrepuestas. Los electrones de valencia en un
átomo, son los que se encuentran en el nivel energético más externo y ellos permiten los
enlaces entre los átomos en los compuestos o entre átomos del mismo tipo en una molécula
o un cristal. Por su parte, los electrones de conducción son los que se han promovido a niveles
energéticos vacíos, lo que da lugar a su mayor movilidad y, eventualmente, da origen a las
corrientes eléctricas.

Se observa el caso del metal litio (Li), un buen conductor metálico. Primero se ven los
estados disponibles en un átomo aislado; luego, cuando tenemos N átomos aislados, los
estados disponibles, por tanto, se ven multiplicadas por N, pero los niveles energéticos
permanecen básicamente idénticos. Cuando los N átomos se encuentran muy cercanos entre
sí, como en el caso de una red cristalina en un sólido, la capacidad electrónica no solo se ve
multiplicada por N, sino que los estados disponibles no son más coincidentes con los estados
energéticos de los N átomos aislados, pues se expanden para formar bandas de energía. Las
regiones entre las bandas energéticas disponibles son zonas que no pueden ser ocupadas por
los electrones. Desde luego, en el átomo de litio, el orbital 1s se encuentra ocupado por 2
electrones, el 2s está parcialmente ocupado (1 electrón) y los 2p se hallan vacíos. Por tanto,
en el Li, la banda 2s constituye la banda de valencia; la banda 2p es la banda de conducción.
En general, en los metales conductores, la banda de valencia y la banda de conducción se
encuentra prácticamente juntas. La conductividad en algunos metales, como el sodio,
constituye un caso muy especial, pues la banda de valencia, se encuentra sobrepuesta con la
banda adyacente vacía, lo que hace al sodio un metal altamente conductor.
b) En Aislantes: Los aislantes son materiales con una resistencia tan alta, que no es posible la
conducción eléctrica a través de ellos. Un caso extremo, de este tipo de materiales, es el
diamante.

En el diamante, debido a su particular estructura cristalina, existe una barrera de energía de


6 eV entre la banda de energía más baja 2p (llena con 2N electrones) y los restantes estados
disponibles 2p (4N estados posibles), por lo cual no se puede promover electrones de la banda
de valencia hacia la banda de conducción. Para este aislante no es posible ganar energía por
absorción de fotones (con energías menores a 6 eV). Por el contrario, en los materiales
conductores, los electrones de valencia pueden ser promovidos fácilmente hacia la banda de
conducción por incidencia fotónica, ya que hay un continuo de estados disponibles
inmediatamente arriba de la banda de valencia. Por esta razón, los materiales conductores son
opacos a la luz visible; el diamante es, en especial, totalmente transparente a la luz visible.

c) En Semiconductores: Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su


resistencia, entre los conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas
difícilmente conducen la corriente eléctrica y más bien se comportan como aislantes, pero, al
elevar su temperatura o al ser sometidos a un campo eléctrico externo, su comportamiento
cambia al de los conductores. Estos semiconductores son conocidos como intrínsecos y, en
ellos, las bandas de conducción y valencia se encuentran separadas por una barrera de energía
(banda prohibida) más pequeña (comparada con la del diamante), de aproximadamente 1 eV
(1.1 eV para el Si y 0.7 eV para el Ge).
En este tipo de materiales, cuando se transfiere un electrón de la banda de valencia a la banda
de conducción, se crea un “hueco” que actúa como un "transportador" de carga positiva,
fenómeno que eventualmente puede crear una “corriente positiva”.

10. Explique que es un enlace covalente.


R//: Un enlace covalente entre dos átomos se produce cuando estos átomos se unen, para alcanzar
el octeto estable, compartiendo electrones del último nivel. La diferencia de electronegatividad entre
los átomos no es lo suficientemente grande como para que se produzca una unión de tipo iónica. Para
que un enlace covalente se genere es necesario que la diferencia de electronegatividad entre átomos
sea menor a 1,7.
De esta forma, los dos átomos comparten uno o más pares electrónicos en un nuevo tipo de orbital,
denominado orbital molecular. Los enlaces covalentes se producen entre átomos de un mismo
elemento no metal, entre distintos no metales y entre un no metal y el hidrógeno.
Cuando átomos distintos de no metales se unen en una forma covalente, uno de ellos resultará más
electronegativo que el otro, por lo que tenderá a atraer la nube electrónica del enlace hacia su núcleo,
generando un dipolo eléctrico.5 Esta polarización permite que las moléculas del mismo compuesto se
atraigan entre sí por fuerzas electrostáticas de distinta intensidad.
Por el contrario, cuando átomos de un mismo elemento no metálico se unen covalentemente, su
diferencia de electronegatividad es cero y no se crean dipolos. Las moléculas entre sí poseen
prácticamente una atracción nula.
En síntesis, en un enlace iónico, se produce la transferencia de electrones de un átomo a otro y en el
enlace covalente, los electrones de enlace son compartidos por ambos átomos. En el enlace covalente,
los dos átomos no metálicos comparten uno o más electrones, es decir, se unen a través de sus
electrones en el último orbital, el cual depende del número atómico en cuestión. Entre los dos átomos
pueden compartirse uno, dos o tres pares de electrones, lo cual dará lugar a la formación de un enlace
simple, doble o triple respectivamente.

11. A que llamamos a) material intrínseco, b) material extrínseco.

R//: a) Material Intrínseco: Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta


como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.
En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los electrones
libres y los huecos por pares, por lo tanto, hay tantos electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.

b) Material Extrínseco: Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas.
Hay 2 tipos dependiendo de que tipo de impurezas tengan:
Semiconductor tipo n

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor
se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo
derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina
con el hueco. Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.

Semiconductor tipo p

Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el
número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios
y los electrones libres son los minoritarios.

Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con
los electrones libres del circuito externo.

12. Explique el proceso de dopado

R//: Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor


extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades
eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es
llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras
de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes
(en el orden de 1 cada 100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando
se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces se dice que el dopaje
es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o
P+ para material de tipo P.

13. Cuáles son los elementos semiconductores más utilizados y porqué.

R//: Existen dos elementos de la tabla periódica cuyo comportamiento como materiales
semiconductores es excelente y esto se debe a que su valencia cuatro que permite un enlace covalente
creando una red cristalina.

Estos son: El Silicio (Si) y el Germanio (Ge) estos son materiales puros y se denominan materiales
intrínsecos.

Otros compuestos muy utilizados en la fabricación de los dispositivos electrónicos son:


Arsienuro de Galio……… (GaAs)

Sulfato de Cadmio ………. (CdS)

Nitruro de Galio …………. (GaN)

Fosfuro de Galio y Arsénico (GaAsP)