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TEMA 1
ELECTRONICA DE POTENCIA
1. INTRODUCCION
1.1 APLICACIONES
La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversión de
potencia y para el control de los motores eléctricos. Combina la energía, la electrónica y
el control. El CONTROL se encarga del régimen permanente y de las características
dinámicas de los sistemas de lazo cerrado. La ENERGIA tiene que ver con el equipo de
potencia estática y giratoria, para la generación, transmisión y distribución de energía
eléctrica. La ELECTRONICA se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido
requeridos en el procesamiento de señales para cumplir con los objetivos de control
deseados.
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ELECTRONICA DE POTENCIA I Carreras: Ing. Eléctrica – Ing. Electrónica Docente: MSc. Ing. Tatiana Vicker M.
Facultad de Tecnología - UMRPSFXCH
1.2 HISTORIA
Los de alta velocidad hasta 3000 V, 1000 A, el tiempo de recuperación inversa varia
entres 0.1 y 5 µs.
Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo y un tiempo recuperación muy pequeño, en
nanosegundos hasta 100 V, 300 A.
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El tiristor tiene 3 terminales, ánodo, cátodo y compuerta. Cuando una pequeña corriente
pasa a través de la compuerta hacia el cátodo, el tiristor conduce cuando el ánodo este a
un potencial más alto que el cátodo.
Cuando un tiristor esta en un modo de conducción, la caída de potencial en directa es
muy pequeña 0.5 a 2 V.
Un tiristor se desactiva haciendo que el potencial del ánodo sea igual o menor que el
potencial del cátodo.
Los RCT y GATT se utilizan para la interrupción de alta velocidad. Los RCT existen
hasta 2500 V, 1000 A y 400 A, con tiempo de interrupción de 40 µs. Los GATT hasta
1200 V, 400 A con tiempo de interrupción de 8 µs.
Los LASCR hasta 6000 V, 1500 A, con tiempo de interrupción de 200 a 400 µs,
adecuados para sistemas de energía de alto voltaje especialmente HVDC.
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Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados, se desactivan mediante la
aplicación de un pulso corto negativo a las compuertas y se activan mediante un pulso
breve positivo a las mismas, no requieren de circuito de conmutación.
Los MCT están disponibles hasta 1000 V, 100 A, se activan mediante un pequeño pulso
de voltaje “-“sobre la compuerta MOS (respecto a su ánodo) y desactivan mediante un
pulso pequeño de voltaje “+”.
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Los IGBT son controlados por voltaje, son más rápidos que los BJT pero aun no tan
rápidos como los MOSFET, son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y
frecuencias de hasta 20 kHz, se encuentran hasta 1200 V, 400 A.
Los SIT son similares a un JFET, tienen capacidad de potencia de bajo ruido, baja
distorsión y alta frecuencia de audio, los tiempos de activación y desactivación son
cortos 0.25 µs, están disponibles hasta 1200 V, 300 A y la velocidad de interrupción
puede ser tan alta como 100 kHz.
Son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (audio VHF/UHF) y
amplificadores de microondas.
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Una vez que un tiristor esta en modo de conducción la señal de la compuerta ya sea
positiva o negativa no tiene efecto.
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1. Rectificadores de diodos
2. Convertidores de ca-cd ( rectificadores controlados)
3. Convertidores de ca-ca ( controladores de voltaje de ca)
4. Convertidores de cd-cd ( pulsadores de cd o reguladores de conmutación)
5. Convertidores de cd-ca ( inversores)
6. Interruptores estáticos de ca o interruptores de cd
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Interruptores estáticos.- Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados
como interruptores estáticos o contactores, la alimentación a estos interruptores puede
ser de ca o cd.
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