Líneas De Transmisión

Clasificación de las líneas de transmisión

Podemos clasificar a las líneas de transmisión considerando dos aspectos: el voltaje de operación y la
longitud. Por el nivel de voltaje al que se transmite la potencia eléctrica, las líneas de transmisión se clasifican
en México, como sigue (Especificación C.F.E. L0000-02), Tabla 1.1.

En lo que respecta a su longitud, las líneas se dividen en cortas, medias y largas:

1. Líneas cortas: Dentro de esta categoría están las líneas de transmisión de hasta 80 Km. (50 millas).

2. Líneas medias: Se denominan líneas medias aquellas líneas de transmisión que tienen una longitud entre
80 y 240 Km. (50 a 150 millas).

3. Líneas largas: Son líneas de transmisión que tienen una longitud superior a los 240 Km. (150 millas) y
operan generalmente con valores altos de voltaje, del orden de 230 y 400 KV.
 Descripción Física

Separación típica entre fases

Tensión KV 15 23 66 110 154 220 500
Separación fases (m) 1 a 1,4 1,4 a 1,6 2a3 3a5 4,5 a 6 5,0 a 7,5 12 a 14
Altura torre (m) 12 a 13 12 a 13 13 a 18 15 a 21 18 a 24 21 a 30 30 a 38
Numero aisladores 1 1a2 4a6 7 a 10 8 a 11 11 a 20 20 a 38

Estructuras alternativas

Tipos de aisladores
Aislador de apoyo Aislador de suspensión

Definición grafica de los parámetros de línea

 Efecto por campo magnético

 Efecto por campo eléctrico

 Efecto por pérdidas en calor en

conductores

 Efecto por pérdidas de corrientes de

fuga por los aislantes

Equivalente por fase de una Línea con Parámetros Distribuidos.

𝐈𝐦𝐩𝐞𝐝𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐒𝐞𝐫𝐢𝐞 𝐳̇ = 𝐑 + 𝐣 𝐗 𝐋 [/𝐤𝐦]

𝐑𝐞𝐬𝐢𝐬𝐭𝐞𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐒𝐞𝐫𝐢𝐞 𝐑 [/𝐤𝐦]

𝐑𝐞𝐚𝐜𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐬𝐞𝐫𝐢𝐞 𝐗 𝐋 [/𝐤𝐦]

𝐀𝐝𝐦𝐢𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐬𝐡𝐮𝐧𝐭 𝐲̇ = 𝐆 + 𝐣 𝐁𝐂 [𝐒/𝐤𝐦]

𝐂𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐬𝐡𝐮𝐧𝐭 𝐆 [𝐒/𝐤𝐦]

𝐒𝐮𝐬𝐜𝐞𝐩𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐬𝐡𝐮𝐧𝐭 𝐁𝐂 (𝐒/𝐤𝐦)
 Unidades de medida de los conductores
−𝟑
𝟏 𝐌𝐢𝐥 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝐏𝐮𝐥𝐠 = 𝟏𝟎 𝐏𝐮𝐥𝐠

1 CM: área de un conductor cuyo diámetro es igual a 1 Mil 𝟏𝐌𝐂𝐌 = 𝟎. 𝟓𝟎𝟔𝟕𝐦𝐦𝟐 (Mil circular mil)
𝛑
𝟏𝐂𝐌 = ∙ (𝟏𝟎−𝟑 𝐏𝐮𝐥𝐠)𝟐 = 𝟎. 𝟓𝟎𝟔𝟕 ∙ 𝟏𝟎−𝟑 𝐦𝐦𝟐 𝟏𝐦𝐦𝟐 = 𝟏𝟗𝟕𝟑, 𝟓 𝐂𝐌 ≈ 𝟐𝟎𝟎𝟎 𝐂𝐌
𝟒

Calibres AWG (American Wire Gage)

Nº AWG Diámetro Mils
4/0 460/1 = 460 La razón entre diámetros
3/0 460/K consecutivos se mantiene 𝟏𝟐 𝐏𝐮𝐥𝐠 = 𝟏 𝐏𝐢𝐞
2/0 460/k2 constante
1/0 460/k3 𝟒𝟔𝟎 𝟒𝟔𝟎 𝟏 𝐏𝐢𝐞 = 𝟎. 𝟑𝟎𝟒𝟖 𝐦𝐭
=
1 460/k4 𝟓 𝟒𝟔𝟎
2 460/k5 𝐤 𝟑𝟗 𝟏 𝐌𝐢𝐥𝐥𝐚 = 𝟏. 𝟔𝟎𝟗 𝐊𝐦
𝐤 = 𝟏, 𝟏𝟐𝟐𝟗
3 460/k6
--- ---
36 460/k39 = 5

Secciones y diámetros de conductores

Calibre AWG Sección en CM Sección en mm2 Diámetro en mm.
Calculado Tablas
4/0 211.600 107,2 11,68 13,30
3/0 167.860 85,1 10,41 11,80
2/0 133.100 67,4 9,27 10,50
1/0 105.500 53,5 8,25 9,40
1 83.690 42,4 7,35 8,34
2 66.370 33,6 6,54 6,54
3 52.630 26,7 5,83 5,83
4 41.740 21,1 5,19 5,19
5 33.100 16,8 4,62 4,62
6 26.250 13,3 4,12 4,11
7 20.820 10,5 3,66 3,66
8 16.510 8,4 3,26 3,26

Resistencia Serie
Como la línea esta formada por conductores físicos, tienen una resistencia eléctrica que es la principal causante de las
perdidas de energía que se manifiesta en forma de calor.

Resistencia Óhmica (de d.c.)

𝛒𝐓 ∙ 𝐥 La resistividad de un conductor varia
𝐑 𝐝𝐜 = []
𝐀 linealmente con respecto a la temperatura
entre 0 y 100 ºC
Unidades de medida:
𝐥 = [𝐦] Resistividad del conductor a una
𝐀 = [𝐦𝐦𝟐 ] temperatura “T” en ºC
𝐦𝐦𝟐 𝛒𝐓 = 𝛒𝟎 + 𝐜 ∙ 𝐓
𝛒=[ ]
𝐦

Coeficiente de temperatura relativa a 0º Este coeficiente depende del material y de la temperatura de referencia. Es
𝐜
𝛂𝟎 = [º𝐂−𝟏 ] positivo para los metales y negativo para los aislantes y aproximadamente cero
𝛒𝟎 para algunas aleaciones

Resistencia del conductor a una temperatura Resistencia del conductor a una Relación de la resistencia de un conductor a una
“T1” en ºC temperatura “T2” en ºC temperatura “T1” y “T2”
𝐑 𝐓𝟏 = 𝐑 𝟎 ∙ (𝟏 + 𝛂𝟎 ∙ 𝐓𝟏 ) 𝐑 𝐓𝟐 = 𝐑 𝟎 ∙ (𝟏 + 𝛂𝟎 ∙ 𝐓𝟐 ) 𝟏 + 𝛂𝟎 ∙ 𝐓𝟐
𝐑 𝐓𝟐 = ∙𝐑
𝟏 + 𝛂𝟎 ∙ 𝐓𝟏 𝐓𝟏

Resistividad del conductor a una Resistividad del conductor a una Relación de la resistividad de un conductor a una
temperatura “T1” en ºC temperatura “T2” en ºC temperatura “T1” y “T2”
𝛒𝐓𝟏 = 𝛒𝟎 + 𝐜 ∙ 𝐓𝟏 𝛒𝐓𝟐 = 𝛒𝟎 + 𝐜 ∙ 𝐓𝟐 𝛒𝐓𝟐 = 𝛒𝐓𝟏 ∙ (𝟏 + 𝛂𝟏 ∙ (𝐓𝟐 − 𝐓𝟏))

Relación de la resistencia de un conductor a una temperatura “T1” y “T2” 𝐜 𝟏

𝛂𝟏 = =
𝐑 𝐓𝟐 = 𝐑 𝐓𝟏 ∙ (𝟏 + 𝛂𝟏 ∙ (𝐓𝟐 − 𝐓𝟏)) 𝛒𝐓𝟏 𝟏
𝛂𝟎 + 𝐓𝟏

Algunas características de conductores

Conductor % [/mm2/m] [/m/mm2] 0 a 0ºC 1 a 20ºC
Cobre recocido 100% 0,017241 0,00427 0,003934
Cobre duro, estirado en frio 97% 0,01772 0,00414 0,003823
Aluminio duro, estirado en frio 62% 0,02781 0,00438 0,004027
Acero 12,3% 0,14017 0,00471 0,004305
 Tipo de conductores:
Conductor macizo Conductor de 3 hilos Conductor de 7 hilos

Los conductores cableados, aunque tengan igual sección y longitud que uno macizo, presentan una mayor resistencia debido a
que las hebras componentes van trenzadas, por lo que su longitud es mayor que la del cable mismo. En general, para representar este
efecto, se suele considerar un incremento porcentual de la longitud y por ende de la resistencia, como el señalado:
 Para conductores de 3 hilos: aumento de 1%
 Para conductores de 7 hilos: aumento de 2%
 Para conductores de más de 11 hebras aumento de 3%

Resistencia Efectiva (de c.a.)

 La densidad de corriente solamente es uniforme en el caso que el conductor este recorrido por C.C.

 El efecto superficial, skin, piel o kelvin se produce en el caso de corriente alterna a mayor frecuencia, la densidad de corriente se
incrementa en la superficie, disminuyendo en la zona central del conductor, Esto trae consigo una disminución de la superficie
útil del conductor y por tanto un aumento de la resistencia. Para este caso se mide la potencia perdida en el conductor y la
corriente que circula por el tal que:
𝐏𝐩𝐞𝐫𝐝
𝐑 𝐚𝐜 =
𝐈𝟐
 El efecto de Proximidad es la tendencia de la corriente de viajar en otros patrones no deseables - vueltas o distribuciones
concentradas, debido a la presencia de campos magnéticos generados por conductores cercanos.

𝐑 𝐚𝐜 = 𝐑 𝐝𝐜 ∙ (𝟏 + 𝐊 𝐬 ) ∙ (𝟏 + 𝐊 𝐏 )
Ks: Efecto Skin
Kp: Efecto proximidad

Resistencia Serie de Líneas Trifásicas

Caso I: Simple circuito con conductores en Haz Caso II: Línea doble circuito con conductores en
Haz

RTabla se obtiene de las tablas de conductores donde aparecen

columnas de resistencias de distinto calibre a 25ºC y 50ºC, ambas
columnas a 50HZ donde ya están en las unidades de /km, y h es la RTabla se obtiene de las tablas de conductores donde aparecen
cantidad de conductores por cada fase (Haz de conductores) columnas de resistencias de distinto calibre a 25ºC y 50ºC, ambas
columnas a 50HZ donde ya están en las unidades de /km, y h
𝐑 𝐓𝐚𝐛𝐥𝐚 es la cantidad de conductores por cada fase (Haz de conductores)
𝐑= [/𝐤𝐦] 𝐑 𝐓𝐚𝐛𝐥𝐚
𝐡 𝐑= [/𝐤𝐦]
𝟐𝐡

Conductancia Shunt
Este parámetro representa las corrientes de fuga que circulan a través de los aislantes hacia tierra, generalmente se desprecia.

Reactancia Serie
Suposiciones:
 Conductores suficientemente largos, Macizos y cilíndricos
 Conductores no magnéticos  = 0
 Densidad de corriente uniforme
 No se considera retorno por tierra
𝐧

∑ 𝐢𝐤 = 𝟎
𝐊=𝟏

Enlace de flujo
Es la cantidad de flujo magnético que
atraviesa una superficie de trayectoria C
= ∫𝐁 ⃑⃑⃑⃑
⃑⃑ ∙ 𝐝𝐬
𝐒(𝐂)

 = ∑ 𝐝
𝐒(𝐂)
 = 𝟐 + 𝟑 + 𝟒
 = 𝟐 + 𝟑 + 𝟒
 Enlace de flujo de un conductor que transporta una corriente i
 Se considerará un conductor macizo, circular, de radio “a”, muy largo (infinito), con densidad de corriente uniforme y no magnético.
 Simetría cilíndrica: el vector campo magnético en un punto de un plano de simetría para las corrientes es normal al plano y al mismo
tiempo es antisimétrico.

 Las líneas de flujo magnético externas al

⃑⃑⃑ = 𝛍𝟎 ∙ ∫ 𝐉 ∙ 𝐝𝐬
⃑⃑ ∙ 𝐝𝐥
∮𝐁 ⃑⃑⃑⃑
conductor, enlazan completamente la
𝐂(𝐒) 𝐒 corriente que transporta.
 En cambio, las líneas de flujo internas al
conductor, enlazan porciones variables de
Punto dentro del conductor r<a
𝛍𝟎 ∙ 𝐫 ∙ 𝐢𝐚 la corriente que transporta.
𝐁𝐚 (𝐫) = ⃑⃑⃑⃑ = 𝐤 ∙ 𝐝
⃑⃑ ∙ 𝐝𝐬
𝐝 = 𝐤 ∙ 𝐁
𝟐𝛑 ∙ 𝐚𝟐
Punto fuera del conductor r>a
= ∫𝐤∙𝐁 ⃑⃑⃑⃑
⃑⃑ ∙ 𝐝𝐬
𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚
𝐁𝐚 (𝐫) = 𝐒(𝐂)
𝟐𝛑 ∙ 𝐫

𝐚 = ∫ 𝐤 ∙ 𝐁 ⃑⃑⃑⃑ = ∫ 𝐤 𝐢𝐧 ∙ 𝐁
⃑⃑ ∙ 𝐝𝐬 ⃑⃑⃑⃑ + ∫ 𝐤 𝐞𝐱 ∙ 𝐁
⃑⃑ 𝐚 ∙ 𝐝𝐬 ⃑⃑⃑⃑
⃑⃑ 𝐚 ∙ 𝐝𝐬
𝐒(𝐂) 𝐒𝐢𝐧 𝐒𝐞𝐱

 = 𝐢𝐧 + 𝐞𝐱

Contribución interna Contribución externa

𝐢𝐧 = ∫ 𝐤 𝐢𝐧 ∙ 𝐁 ⃑⃑⃑⃑
⃑⃑ 𝐚 ∙ 𝐝𝐬 𝐞𝐱 = ∫ 𝐤 𝐞𝐱 ∙ 𝐁 ⃑⃑⃑⃑
⃑⃑ 𝐚 ∙ 𝐝𝐬
𝐒𝐢𝐧 𝐒𝐞𝐱
𝟐
𝛑∙𝐫 𝐫𝟐 𝐤 𝐞𝐱 = 𝟏
𝐢𝐢𝐧 (𝐭) = ∙ 𝐢 (𝐭) 𝐤 𝐢𝐧 = 𝟐 𝐃𝐚
𝛑 ∙ 𝐚𝟐 𝐚 𝐚 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 (𝐭) 𝛍𝟎 ∙ 𝐥 ∙ 𝐢𝐚 (𝐭) 𝐃𝐚
𝐚
𝐫 𝟐 𝛍𝟎 ∙ 𝐫 ∙ 𝐢𝐚 (𝐭) 𝛍𝟎 ∙ 𝐥 ∙ 𝐢𝐚 (𝐭) 𝐞𝐱 = ∫ ∙ 𝐥 ∙ 𝐝𝐫 = ∙ 𝐥𝐧
𝐢𝐧 = ∫ 𝟐 ∙ ∙ 𝐥 ∙ 𝐝𝐫 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐫 𝟐𝛑 𝐚
𝐚 𝟐𝛑 ∙ 𝐚𝟐 𝟖𝛑 𝐫=𝐚
𝐫=𝟎

Finalmente: Usualmente se escribe en la forma compacta:

𝛍𝟎 ∙ 𝐥 ∙ 𝐢𝐚 (𝐭) 𝟏 𝐃𝐚 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 (𝐭) 𝐃𝐚
𝐚 = ∙ ( + 𝐥𝐧 ) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫] 𝐚 = ∙ 𝐥𝐧 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐𝛑 𝟒 𝐚 𝟐𝛑 𝐝𝐚
𝟏
𝐝𝐚 = 𝐚 ∙ 𝐞−𝟒 𝐒𝐞 𝐝𝐞𝐧𝐨𝐦𝐢𝐧𝐚 𝐫𝐚𝐝𝐢𝐨 𝐦𝐞𝐝𝐢𝐨 𝐠𝐞𝐨𝐦𝐞𝐭𝐫𝐢𝐜𝐨 𝐝𝐞𝐥 𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫

Enlace de flujo del conductor “a” en presencia de un conductor vecino “b”

Se asume medio lineal, por lo tanto, se puede aplicar la superposición de los enlaces.
𝐚 = ∫ 𝐤 ∙ 𝐁 ⃑⃑⃑⃑ = ∫ 𝐤 ∙ (𝐁
⃑⃑ ∙ 𝐝𝐬 ⃑⃑ 𝐚 + 𝐁 ⃑⃑⃑⃑ = ∫ 𝐤 ∙ 𝐁
⃑⃑ 𝐛 ) ∙ 𝐝𝐬 ⃑⃑⃑⃑ + ∫ 𝐤 ∙ 𝐁
⃑⃑ 𝐚 ∙ 𝐝𝐬 ⃑⃑⃑⃑ = = 𝐚𝐚 + 𝐚𝐛
⃑⃑ 𝐛 ∙ 𝐝𝐬
𝐒(𝐂) 𝐒(𝐂) 𝐒(𝐂) 𝐒(𝐂)

 Enlace de flujo del conductor “a” debido a su propia corriente “ia” considerando nula la corriente “ib”
𝛍 ∙ 𝐢 (𝐭) 𝐃
𝐚𝐚 = ∫ 𝐤 ∙ 𝐁 ⃑⃑⃑⃑ = 𝟎 𝐚 ∙ 𝐥𝐧 𝐚 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
⃑⃑ 𝐚 ∙ 𝐝𝐬
𝟐𝛑 𝐝𝐚
𝐒(𝐂)

 Enlace de flujo del conductor “a” debido a la corriente “ib” Se supone que: dab >> a, b; por lo que resulta una buena
considerando nula la corriente “ia”. aproximación, considerar el conductor “a” filamentario

𝐚𝐛 = ∫ ⃑𝐁
⃑ 𝐛 ∙ ⃑⃑⃑⃑
𝐝𝐬
𝐒(𝐂)

𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐛 (𝐭)
𝐁𝐛 (𝐫) =
𝟐𝛑 ∙ 𝐫
𝐃𝐛

𝐚𝐛 = ∫ 𝐁𝐛 (𝐫) ∙ 𝐥 ∙ 𝐝𝐫
𝐝𝐚𝐛

𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐛 (𝐭) 𝐃𝐛
𝐚𝐛 = ∙ 𝐥𝐧 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐𝛑 𝐝𝐚𝐛
El enlace total será:
𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 𝐃𝐚 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐛 𝐃𝐛
𝐚 = ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐𝛑 𝐝𝐚 𝟐𝛑 𝐝𝐚𝐛

𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 𝟏 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐛 𝟏 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐛
𝐚 = ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐚 + ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐛 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐𝛑 𝐝𝐚 𝟐𝛑 𝐝𝐚𝐛 𝟐𝛑 𝟐𝛑

Considerando que no hay retorno por tierra:

𝐢𝐚 + 𝐢𝐛 = 𝟎

𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 𝟏 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐛 𝟏 𝛍𝟎 ∙ 𝐢𝐚 𝐃𝐚
𝐚 = ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐𝛑 𝐝𝐚 𝟐𝛑 𝐝𝐚𝐛 𝟐𝛑 𝐃𝐛

Para considerar todo el enlace de flujo, se extiende la superficie S hacia el infinito

𝐃𝐚
𝐄𝐧𝐭𝐨𝐧𝐜𝐞𝐬: 𝐃𝐚 → ∞ 𝐲 𝐃𝐛 = 𝐃𝐚 + 𝐝𝐚𝐛 → ∞ 𝐲 →𝟏
𝐃𝐛
Por lo tanto:
𝛍𝟎 𝟏 𝛍𝟎 𝟏
𝐚 = ( ∙ 𝐥𝐧 ) ∙ 𝐢𝐚 + ( ∙ 𝐥𝐧 ) ∙ 𝐢𝐛 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐𝛑 𝐝𝐚 𝟐𝛑 𝐝𝐚𝐛

Enlace de Flujo de un conductor en un sistema multiconductor

Enlace de flujo del conductor k en un sistema Donde se definen las inductancias aparentes:
multiconductor
𝐧 𝛍𝟎 𝟏
𝛍𝟎 𝟏 𝐋𝐤𝐤 = ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦] 𝐈𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐩𝐢𝐚 𝐝𝐞𝐥 𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫
𝐚 = ∑ 𝐢𝐣 ∙ ∙ 𝐥𝐧 [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦] 𝟐𝛑 𝐫𝐤 `
𝟐𝛑 𝐝𝐤𝐣
𝐣=𝟏
𝛍𝟎 𝟏
𝐧 𝐋𝐤𝐣 = ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦] 𝐈𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐦𝐮𝐭𝐮𝐚 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐥𝐨𝐬 𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫𝐞𝐬 𝐤 𝐲 𝐣
𝟐𝛑 𝐝𝐤𝐣
∑ 𝐢𝐤 = 𝟎
𝐤 = 𝐚, 𝐛, … . , 𝐧
𝐤=𝟏

Enlace de flujo para el conductor k ̅ = [𝐋] ∙ 𝐈̅

𝐧

𝐤 = ∑ 𝐋𝐤𝐣 ∙ 𝐢𝐣 [𝐋] ∶ 𝐌𝐚𝐭𝐫𝐢𝐳 𝐢𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐩𝐫𝐨𝐩𝐢𝐚𝐬 𝐲 𝐦𝐮𝐭𝐮𝐚𝐬 𝐬𝐢𝐦𝐞𝐭𝐫𝐢𝐜𝐚 𝐫𝐞𝐚𝐥 𝐧𝐱𝐧

𝐣=𝟏
𝐚 𝐋𝐚𝐚 𝐋𝐚𝐛 ⋯ 𝐋𝐚𝐧 𝐢𝐚
𝐝𝐤𝐣 : 𝐃𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐥𝐨𝐬 𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫𝐞𝐬 𝐤 𝐲 𝐣 𝐛 𝛍𝟎 𝐋𝐛𝐚 𝐋𝐛𝐛 ⋯ 𝐋𝐛𝐧 𝐢
[ ]= ∙[ ] ∙ [ 𝐛]
𝟏 ⋮ 𝟐𝛑 ⋮ ⋮ ⋱ ⋯ ⋮
𝐝𝐤𝐤 = 𝐫𝐤 ` = 𝐫𝐤 ∙ 𝐞−𝟒 𝐧 𝐋𝐧𝐚 𝐋𝐧𝐛 ⋯ 𝐋𝐧𝐧 𝐢𝐧
𝐫𝐤 `
∶ 𝐑𝐚𝐝𝐢𝐨 𝐦𝐞𝐝𝐢𝐨 𝐠𝐞𝐨𝐦𝐞𝐭𝐫𝐢𝐜𝐨 𝐝𝐞𝐥 𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫 𝐤
𝐫𝐤 : 𝐑𝐚𝐝𝐢𝐨 𝐝𝐞𝐥 𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫 𝐤
𝛍𝟎 = 𝟒𝛑 ∙ 𝟏𝟎−𝟕 [𝐇/𝐦]

Inductancia de Líneas Trifásicas

Cada una de las fases está formada por: na, nb y nc subconductores, respectivamente. La corriente por subconductor dependiendo de la fase
será (aproximadamente): ia/ na, ib/ nb, ic/ nc

Cada subconductor k de la fase (a) estará enlazado por un flujo magnético ak
𝐧𝐚 𝐧𝐛 𝐧𝐜
𝛍𝟎 𝐢𝐚 𝟏 𝐢𝐛 𝟏 𝐢𝐜 𝟏 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏
∅𝒂𝒌 = ∙ (∑ ∙ 𝐥𝐧 + ∑ ∙ 𝐥𝐧 + ∑ ∙ 𝐥𝐧 )= ∙ 𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑 𝐧𝐚 𝐝𝐚𝐤𝐚𝐣 𝐧𝐛 𝐝𝐚𝐤𝐛𝐣 𝐧𝐜 𝐝𝐚𝐤𝐜𝐣 𝟐𝛑 𝐧𝐚 𝐧𝐚 𝐧𝐛 𝐧𝐛 𝐧𝐜 𝐧𝐜
𝐣=𝟏 𝐣=𝟏 𝐣=𝟏 √∏𝐣=𝟏 𝐝𝐚𝐤𝐚𝐣 √∏𝐣=𝟏 𝐝𝐚𝐤𝐛𝐣 √∏𝐣=𝟏 𝐝𝐚𝐤𝐜𝐣
( )

Sólo la fracción 1/na de la corriente ia total del conductor (a) El enlace de flujo total del conductor (a)
es enlazada por el flujo ak; así el enlace de flujo (de la
𝐧𝐚
corriente iak) del subconductor ak es: 𝐝𝐚𝐤𝐚𝐣 ∑𝐧𝐤=𝟏
𝐚
𝐚𝐤 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏
𝟏 𝐚 = ∑ 𝐚𝐤 = 𝐧𝐚 = ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 )
𝐚𝐤 = 𝐧 ∙ 𝐚𝐤 𝐤=𝟏
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐃𝐚𝐛 𝐃𝐚𝐜
𝐚

𝐃𝒂𝒂 : Media geométrica de las distancias entre los conductores de la fase (a).

𝐧𝐚 𝟐
𝐧𝐚 𝐧𝐚 Se conoce como el radio medio geométrico de la fase (a) (RMGa)
𝐃𝐚𝐚 = 𝐑𝐌𝐆𝐚 = √∏ ∏ 𝐝𝐚𝐤 𝐚𝐣
𝐝𝐚𝐤𝐚𝐤 = 𝒓𝒂𝒌 ` : Radio medio geométrico del conductor ak
𝐤=𝟏 𝐉=𝟏

𝐃𝐚𝐛 : Media geométrica de las distancias entre los conductores de las fases a
𝐧𝐚 ∙𝐧𝐛
𝐧𝐚 𝐧𝐛 y b. Se conoce como distancia media geométrica entre las fases a y b. (DMGab)
𝐃𝐚𝐛 = 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 = √∏ ∏ 𝐝𝐚𝐤 𝐛𝐣
𝐤=𝟏 𝐉=𝟏
𝐃𝐚𝐜 = 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜

𝐧𝐚 𝐧𝐜
𝐧𝐚 ∙𝐧𝐜

𝐃𝐚𝐜 = 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜 = √∏ ∏ 𝐝𝐚𝐤 𝐜𝐣

𝐤=𝟏 𝐉=𝟏
La línea trifásica con na, nb y nc y conductores en cada una de sus fases, respectivamente, se ha transformado a una línea trifásica equivalente
con un conductor por fase.
̅ = [𝐋] ∙ 𝐈̅

𝟏 𝟏 𝟏
𝐥𝐧 𝐥𝐧 𝐥𝐧
𝐃𝐚𝐚 𝐃𝐚𝐛 𝐃𝐚𝐜
𝐚 𝐢𝐚
𝛍𝟎 𝐥𝐧 𝟏 𝐥𝐧
𝟏
𝐥𝐧
𝟏
[ 𝐛 ] = ∙ 𝐃𝐛𝐚 𝐃𝐛𝐛 𝐃𝐛𝐜 ∙ [𝐢𝐛 ]
𝟐𝛑
𝐜 𝟏 𝟏 𝟏 𝐢𝐜
𝐥𝐧 𝐥𝐧 𝐥𝐧
𝐃𝐜𝐚 𝐃𝐜𝐛 𝐃𝐜𝐜
[ ]

Líneas Trifásicas Simétricas

𝐢𝐚 + 𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 = 𝟎

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝛍𝟎 𝐃
𝐚 = ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ) = 𝐢𝐚 ∙ ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃 𝐃 𝟐𝛑 𝐫`
𝐚 𝛍𝟎 ∙ 𝟏𝟎𝟑 𝐃 Las inductancias mutuas son cero y las
𝐋𝐚 = = ∙ 𝐥𝐧 propias son:
𝐢𝐚 𝟐𝛑 𝐫`
𝐋𝐛 = 𝐋𝐜 = 𝐋𝐚 = 𝐋
Unidades de medida:
𝐫𝐚 = 𝐫𝐛 = 𝐫𝐜 = 𝐫 [𝐦] La reactancia serie: La inductancia por fase:
𝐃 𝐞𝐧 [𝐦], 𝐫` 𝐞𝐧 [𝐦] 𝐗 𝐋 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐋 [/𝐤𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞] 𝛍𝟎 𝐃
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
𝛍𝟎 = 𝟒𝛑 ∙ 𝟏𝟎−𝟕 [𝐇/𝐦] 𝟐𝛑 𝐫`

Líneas Trifásicas Asimétricas

No es posible obtener una inductancia por fase, debido a que las inductancias mutuas son diferentes. Por lo tanto, la línea en este
caso, es un elemento no simétrico. Para que la línea sea un elemento simétrico, hay que transponerla.

Líneas Trifásicas Asimétricas Transpuesta

La transposición consiste en intercambiar cíclicamente

las posiciones físicas de las fases, de modo que cada fase ocupe
todos los lugares posibles en todo el recorrido de la línea. Con la
transposición se logra que cada fase tenga una misma inductancia
promedio.

Enlace de flujo del conductor “a”

𝛍 𝟏 𝟏 𝟏 𝛍 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 = 𝟎 ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ) = 𝟎 ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐈 𝐃𝐚𝐛 𝐈 𝐃𝐚𝐜 𝐈 𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐈 𝐃𝐚𝐛 𝐈 𝐃𝐚𝐜 𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈 = ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 )= ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐛 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐜 𝐈𝐈 𝟐𝛑 𝐃𝐛𝐛 𝐈 𝐃𝐛𝐜 𝐈 𝐃𝐛𝐚 𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 = ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 )= ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐛 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐜 𝐈𝐈𝐈 𝟐𝛑 𝐃𝐜𝐜 𝐈 𝐃𝐜𝐚 𝐈 𝐃𝐜𝐛 𝐈

El enlace de flujo promedio de los conductores de las fases (a), (b), (c)
𝟏
𝐚 = ∙ (𝐚 𝐈 + 𝐚 𝐈𝐈 + 𝐚 𝐈𝐈𝐈 ) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟑
𝟏
𝐛 = ∙ (𝐛 𝐈 + 𝐛 𝐈𝐈 + 𝐛 𝐈𝐈𝐈 ) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟑
𝟏
𝐜 = ∙ (𝐜 𝐈 + 𝐜 𝐈𝐈 + 𝐜 𝐈𝐈𝐈 ) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟑

𝟏 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 = ∙ ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ) 𝐢𝐚 + 𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 = 𝟎
𝟑 𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐜 𝐈 𝐃𝐚𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐜 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐚 𝐈 𝐃𝐚𝐜 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐚 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐛 𝐈

𝟑
𝟏 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝛍 √𝐃𝐚𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐜 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐚 𝐈 𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞
𝐚 = ∙ ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 − 𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 ) = 𝟎 ∙ 𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 𝟑 = ∙ 𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧
𝟑 𝟐𝛑 𝐃𝐚𝐚 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐜 𝐈 𝐃𝐚𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐜 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐚 𝐈 𝟐𝛑 √𝐃𝐚𝐚 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐜 𝐈 𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞
 𝐚 𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞 𝟑 𝟑
𝐋𝐚 = = ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞 𝐚] 𝐑𝐌𝐆𝐞 = √𝐃𝐚𝐚 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐜 𝐈 𝐃𝐌𝐆𝐞 = √𝐃𝐚𝐛 𝐈 ∙ 𝐃𝐛𝐜 𝐈 ∙ 𝐃𝐜𝐚 𝐈
𝐢𝐚 𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞

De manera idéntica se resuelve para los enlaces de flujos de Esta expresión, se puede aplicar a cualquier línea trifásica, ya sea de un
las restantes fases de manera que: circuito (circuito simple) o doble circuito, con o sin conductores en haz.
𝐋𝐚 = 𝐋𝐛 = 𝐋𝐜 = 𝐋 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞 𝐚] 𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
Y las inductancias mutuas quedan cero 𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞

Caso 1: Simple circuito

Si los 3 conductores son idénticos:
𝐃𝐚𝐚 = 𝐃𝐛𝐛 = 𝐃𝐜𝐜 = 𝐑𝐌𝐆 = 𝐫`

Las inductancias mutuas son cero y las propias son:

𝐋𝐚 = 𝐋𝐛 = 𝐋𝐜 = 𝑳

Donde:
𝐃𝐌𝐆𝐞 = 𝟑√𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐜𝐚
𝐑𝐌𝐆𝐞 = 𝐫`
Donde r` se obtiene de tablas

La inductancia por fase:

𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
Unidades de medida: 𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞
 𝐫`𝐞𝐧 [𝐦] (se obtiene de tablas)
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] Reactancia Serie
𝛍𝟎 = 𝟒𝛑 ∙ 𝟏𝟎−𝟕 [𝐇/𝐦] 𝐗 𝐋 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐋 [/𝐤𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]

Caso 2: Simple circuito conductores en Haz

Las distancias entre los subconductores de un haz son
pequeñas comparadas con las distancias entre los haces.
𝐃𝐚𝐛 ≈ 𝐝𝐚𝐛 , 𝐃𝐛𝐜 ≈ 𝐝𝐛𝐜, 𝐃𝐜𝐚 ≈ 𝐝𝐜𝐚

Los tres haces son iguales

𝐃𝐚𝐚 = 𝐃𝐛𝐛 = 𝐃𝐜𝐜 ⟹ 𝐑𝐌𝐆𝐞 = 𝐃𝐚𝐚

Las inductancias mutuas son cero y las propias son:

𝐋𝐚 = 𝐋 𝐛 = 𝐋𝐜 = 𝑳

En general:
𝐑𝐌𝐆𝐞 = 𝐑 𝐡 ` = 𝐡√𝐫` ∙ 𝐝𝟏𝟐 ∙ 𝐝𝟏𝟑 ∙ ⋯ ∙ 𝐝𝟏𝐡 𝐡≥𝟐
𝐑𝐌𝐆𝐞 = 𝐑 𝐡 ` = 𝐫` 𝐡=𝟏
Donde r` se obtiene de tablas
Cada fase está integrada por dos o más subconductores formando
un haz, todos de igual radio y separados entre sí por distancias muy 𝐃𝐌𝐆𝐞 = 𝟑√𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐜𝐚 ≈ 𝟑√𝐝𝐚𝐛 ∙ 𝐝𝐛𝐜 ∙ 𝐝𝐜𝐚
pequeñas (30 a 40 cms). Esta configuración se utiliza en líneas de EAV.
Se reduce la intensidad del campo eléctrico en las superficies de 𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬:
los conductores, lo cual a su vez, reduce o elimina el efecto corona y sus
resultados: Pérdida de potencia, interferencia en las comunicaciones y ruido
audible. Se reduce la reactancia serie de la línea al incrementar el RMG de
las fases.
Unidades de medida: 𝟏
 𝐫`𝐞𝐧 [𝐦] (se obtiene de tablas) 𝐃𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 ` = (𝐫` ∙ 𝐝)𝟐
𝟏
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] 𝐓𝐫𝐢𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 ` = (𝐫` ∙ 𝐝𝟐 )𝟑
𝟏
𝛍𝟎 = 𝟒𝛑 ∙ 𝟏𝟎−𝟕 [𝐇/𝐦]
𝐂𝐮𝐚𝐝𝐫𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱: 𝐑 𝐡 ` = (√𝟐 ∙ 𝐫` ∙ 𝐝𝟑 )𝟒
La inductancia por fase:
𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞 Reactancia Serie
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞] 𝐗 𝐋 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐋 [/𝐤𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞

Caso 3: Línea doble circuito

Unidades de medida:
 𝐫`𝐞𝐧 [𝐦] (se obtiene de tablas) Se calculara el flujo promedio enlazado de conductor a1 y del conductor a2
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] en los tres tramos, para luego calcular el flujo promedio entre estas dos
𝛍𝟎 = 𝟒𝛑 ∙ 𝟏𝟎−𝟕 [𝐇/𝐦] líneas paralelas y así obtener el parámetro La, desarrollo idéntico para las
restantes fases.
Enlace de flujo del el conductor “a1” del circuito 1

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟏 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐚 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈 (𝟏) =𝛍𝟎 ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧𝟏 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧
𝟏 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧𝟏 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝟏 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝟏 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝟏 )
𝐚 𝐈𝐈𝐈 = 𝟐𝛑∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 𝐑𝐌𝐆 + 𝐢𝐛𝟏
𝐛 ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏
+ 𝐢𝐈𝐈𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 +𝐈𝐈𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐+ 𝐢
𝐈𝐈 𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝐃 𝐚𝟏𝐛𝟐 + 𝐢
𝐈𝐈 𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 )
𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈𝐈𝐈
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐜 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈

En función de las distancias del primer tramo:

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟏 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟐

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟏 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟐

El enlace de flujo promedio del conductor a1

𝟏
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟏 = ∙ (𝐚 𝐈 (𝟏) + 𝐚 𝐈𝐈 (𝟏) + 𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) ) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟑

𝐢𝐚 𝐢𝐛 𝐢𝐜
𝐢𝐚𝟏 = 𝐢𝐚𝟐 = 𝐢𝐛𝟏 = 𝐢𝐛𝟐 = 𝐢𝐜𝟏 = 𝐢𝐜𝟐 =
𝟐 𝟐 𝟐

𝛍𝟎 𝟏 𝐢𝐚 𝟏 𝐢𝐛 𝟏 𝟏 𝐢𝐜
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟏 = ∙ ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ (𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 )+
𝟐𝛑 𝟑 𝟐 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 𝟐
𝟏 𝟏
∙ (𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ))
𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟐

Enlace de flujo del conductor “a2” del circuito 2

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟐 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈 𝐑𝐌𝐆𝐚 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈 (𝟐) =𝛍𝟎 ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧𝟏 𝟏
+ 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧𝟏 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧𝟏 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝟏 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝟏 )
𝐚 𝐈𝐈𝐈 = 𝟐𝛑∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 𝐃+ 𝐢
𝐚𝟐𝐚𝟏𝐛𝟏
𝐈𝐈
∙ 𝐥𝐧 𝐃 + 𝐢𝐜𝟏
𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈𝐈 ∙ 𝐥𝐧 𝐃 + 𝐢
𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝐑𝐌𝐆 + 𝐢
𝐛 𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝐃 𝐚𝟐𝐛𝟐 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 )
𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈𝐈𝐈
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐈𝐈

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐑𝐌𝐆𝐜 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈

En función de las distancias del primer tramo:

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐫` 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐

𝛍 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 =
(𝟐)
∙=(𝟐𝛑
𝐢𝐚𝟏 ∙∙ (𝐢
𝐥𝐧 𝐚𝟏 ∙+𝐥𝐧𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧+𝐃𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧
+ 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢 + 𝐢 ∙ 𝐥𝐧 + +𝐢𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢+ 𝐜𝟐 𝐢∙𝐜𝟐
𝐥𝐧∙ 𝐥𝐧 ) )
𝟎
𝐚 𝐈𝐈
𝐃 𝐃 𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧𝐚𝟐 𝐫` 𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧𝐃 𝐃 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈
𝐛𝟐𝐚𝟐
𝟐𝛑 𝐫` 𝐛𝟐𝐛𝟏 𝐃
𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈
𝐛𝟐𝐜𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝐛𝟐𝐚𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐
𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈
 𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ (𝐢𝐚𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟏 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐚𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛𝟐 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐜𝟐 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐃 𝐃
𝐜𝟐𝐜𝟏de flujo promedio
𝐜𝟐𝐚𝟏 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟏 a1 𝐫` 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟐
El enlace del conductor
𝟏
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟐 = ∙ (𝐚 𝐈 (𝟐) + 𝐚 𝐈𝐈 (𝟐) + 𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐)) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟑

𝐢𝐚 𝐢𝐛 𝐢𝐜
𝐢𝐚𝟏 = 𝐢𝐚𝟐 = 𝐢𝐛𝟏 = 𝐢𝐛𝟐 = 𝐢𝐜𝟏 = 𝐢𝐜𝟐 =
𝟐 𝟐 𝟐

𝛍𝟎 𝟏 𝐢𝐚 𝟏 𝐢𝐛 𝟏 𝟏 𝐢𝐜
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟐 = ∙ ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ (𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 )+
𝟐𝛑 𝟑 𝟐 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐜𝟏 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 𝟐
𝟏 𝟏
∙ (𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ))
𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟏 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟐

El enlace de flujo promedio del conductor a (a1 con a2)

𝟏
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦 = ∙ (𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟏 + 𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟐) [𝐰𝐞𝐛𝐞𝐫/𝐦]
𝟐

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦 = ∙ ∙ (𝐢 ∙ (𝟐 ∙ 𝐥𝐧 ) + (𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 ) ∙ (𝐥𝐧 ) + (𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 )
𝟐𝛑 𝟑 𝟒 𝐚 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏
𝟏 𝟏 𝟏
∙ (𝐥𝐧 ) + (𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 ) ∙ (𝐥𝐧 ) + (𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 ) ∙ (𝐥𝐧 ))
𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏

𝐢𝐛 + 𝐢𝐜 = −𝐢𝐚

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦 = ∙ ∙ ∙ (𝐢𝐚 ∙ (𝟐 ∙ 𝐥𝐧 ))
𝟐𝛑 𝟑 𝟒 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐

𝟑 𝟒
√ √(𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏 )𝟐
𝛍𝟎 𝟏
𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦 = ∙ ∙ 𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑 𝟑 𝟑 𝟒
√ √(𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐫` ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 )𝟐

( ( ))
Finalmente:
Los RMG para las distintas fases son: Las DMG entre las fases son:
𝟒 𝟐 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐛"
𝐑𝐌𝐆𝐚 = √𝐫`𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "a"
𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐜"
𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐛 = √𝐫`𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "𝐛" 𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 = 𝟒√𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "b" 𝐲 "𝐜"
𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐜 = √𝐫`𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "c" Donde:
Donde: 𝐃𝐌𝐆𝐞 = 𝟑√𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜
𝟑
𝐑𝐌𝐆𝐞 = √𝐑𝐌𝐆𝐚 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐛 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐜

Las inductancias mutuas son cero y las La inductancia por fase: Reactancia Serie
propias son: 𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞 𝐗 𝐋 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐋 [/𝐤𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
𝐋𝐚 = 𝐋𝐛 = 𝐋𝐜 = 𝑳 𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞

Caso 4: Línea doble circuito con conductores en haz

Las inductancias mutuas son cero y las propias son:
𝐋𝐚 = 𝐋𝐛 = 𝐋𝐜 = 𝑳

Las DMG entre las fases son:

𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐛"
𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐜"
𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 = 𝟒√𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "b" 𝐲 "𝐜"
Donde:
𝐃𝐌𝐆𝐞 = 𝟑√𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜

Los RMG para las distintas fases son:

𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐚 = √𝐑 𝐡 `𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "a"
𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐛 = √𝐑 𝐡 `𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "𝐛"
 Por generalidad supóngase que cada uno de los circuitos 𝟒
paralelos está compuesto por conductores en haz. 𝐑𝐌𝐆𝐜 = √𝐑 𝐡 `𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "c"
 Todos Los haces son iguales Donde:
 La distancia entre dos conductores que pertenecen a 𝐑𝐌𝐆𝐞 = 𝟑√𝐑𝐌𝐆𝐚 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐛 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐜
haces diferentes, es aproximadamente igual a la
distancia entre los centros de dichos haces. Para conductores en haz:
 Su proceso de solución es idéntico al caso anterior solo
𝐑 𝐡 ` = 𝐡√𝐫` ∙ 𝐝𝟏𝟐 ∙ 𝐝𝟏𝟑 ∙ ⋯ ∙ 𝐝𝟏𝐡 𝐡 ≥ 𝟐
que se reemplaza r` por su correspondiente RMG
𝐑𝐡` = 𝐫 ` 𝐡=𝟏
h : cantidad de conductores que forman cada fase y d12, d13, ..d1h
Unidades de medida:
distancias entre los haz.
 𝐫`𝐞𝐧 [𝐦] (se obtiene de tablas)
r` se obtiene de tablas
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦]
𝛍𝟎 = 𝟒𝛑 ∙ 𝟏𝟎−𝟕 [𝐇/𝐦]
 𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬:

La inductancia por fase:

𝛍𝟎 𝐃𝐌𝐆𝐞
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞]
𝟐𝛑 𝐑𝐌𝐆𝐞
𝟏
𝐃𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 ` = (𝐫` ∙ 𝐝)𝟐
Reactancia Serie 𝟏
𝐗 𝐋 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐋 [/𝐤𝐦/𝐟𝐚𝐬𝐞] 𝐓𝐫𝐢𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 ` = (𝐫` ∙ 𝐝𝟐 )𝟑
𝟏
𝐂𝐮𝐚𝐝𝐫𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱: 𝐑 𝐡 ` = (√𝟐 ∙ 𝐫` ∙ 𝐝𝟑 )𝟒

Calculo RMG (r`) de los Conductores

1- Mediante Uso de Tablas
La reactancia inductiva por conductor será:
𝟏
𝐗 𝐋 = 𝛍𝟎 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐥𝐧 + 𝛍𝟎 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐥𝐧 𝐃 [/𝐊𝐦/𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫]
𝐫`
Donde D y r` se deben expresar en la misma unidad
𝟏
𝐗 𝐚 = 𝛍𝟎 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐥𝐧 [/𝐊𝐦/𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫]
𝐫`
𝐗 𝐚 ` = 𝛍𝟎 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐥𝐧 𝐃 [/𝐊𝐦/𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫]

Si r` esta en metros, Xa, se llama reactancia inductiva a 1 metro de separación

𝛍𝟎 𝟏 𝟏 𝐢𝐛 = −𝐢𝐚 Sistema métrico de unidades.
𝐚 = ∙ (𝐢𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐢𝐛 ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 𝐫` 𝐃 𝐃 𝐲 𝐫`𝐞𝐧 𝐦𝐞𝐭𝐫𝐨𝐬, 𝐗 𝐚 𝐞𝐧 [/𝐊𝐦/𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫]
A 1 metro de separación a 50Hz
 𝐚 𝛍𝟎 𝐃
𝐋𝐛 = 𝐋𝐚 = = ∙ 𝐥𝐧 = 𝑳 𝐗𝐚
𝐢𝐚 𝟐𝛑 𝐫` (− )
𝛍𝟎 𝐃 𝐫` = 𝐞 𝛍𝟎 ∙𝐟𝟐 ∙𝟏𝟎𝟑 𝐦𝐞𝐭𝐫𝐨𝐬
𝐋= ∙ 𝐥𝐧 [𝐇/𝐦/𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫]
𝟐𝛑 𝐫`

Mediante Definición del RMG

 Esta expresión se aplica a conductores
homogéneos
 Para conductores ACSR, resulta una buena
aproximación al ignorar las hebras de acero.
 En general, el cálculo resulta tedioso.

𝐧 𝐧
𝐧𝟐
𝐫` = √∏ ∏ 𝐝𝐤𝐣
𝐤=𝟏 𝐉=𝟏

Suponer Conductor Cilíndrico Macizo

Esta aproximación es tanto mejor cuanto mayor es el número de

hebras del conductor
𝟏
𝐫` = 𝐫 ∙ 𝐞−𝟒
r: radio del conductor cableado

Susceptancia Shunt
 Este parámetro representa el efecto del campo
eléctrico que rodea a los conductores.
 La fuente de este campo eléctrico es la carga eléctrica
que se deposita en la superficie de los conductores.
 Al aplicar una diferencia de potencial instantánea a dos conductores
separados por una cierta distancia, éstos adquieren una carga +q (t) y -q
(t). El valor absoluto de la carga dependerá de la diferencia de potencial
v(t) y una constante de proporcionalidad “C”, tal que:
𝐪(𝐭)
𝐂=
𝐕(𝐭)

Ley de Gauss
𝝏𝑽 𝟏 𝝏𝑽 𝒅𝑽
𝛁𝑽(𝒓, 𝜽, 𝒛) = 𝒆̂ + ∙ 𝒆̂ + ̂
𝒌
⃑⃑⃑⃑ =
⃑ ∙ 𝐝𝐬
𝐐 𝝏𝒓 𝒓 𝒓 𝝏𝒓 𝜽 𝒅𝒛
∮𝐄
𝛆𝟎
𝐒 𝒅𝒓 ̂
⃑ = 𝒅𝒓 ∙ 𝒆̂𝒓 + 𝒓 ∙ 𝒅𝜽 ∙ 𝒆̂𝜽 + 𝒅𝒛 ∙ 𝒌
𝐐 ⃑⃑⃑⃑⃑ = −𝛁(𝑽(𝒓)) ∙ 𝒅𝒓
⃑⃑⃑⃑⃑
𝐄 ∙ 𝟐𝛑 ∙ 𝐫 ∙ 𝐋 = ⃑⃑ ∙ 𝒅𝒓
𝑬
𝛆𝟎
oncepto de=capacidades
⃑ (𝐫)
𝐄
𝐐 parciales
∙ ⃑⃑⃑
𝐞
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 ∙ 𝐫 ∙ 𝐋 𝐫 ∆𝐕 = − ∫ 𝐄⃑ ∙ ⃑⃑⃑⃑
𝐝𝐫 + 𝐂
El concepto de capacidades parciales se puede apreciar en la figura En este caso aparecen tres capacidades 𝐁parciales: Entre los
siguiente: ⃑⃑ (𝒓) = − 𝛁(𝑽(𝒓)) conductores y entre𝐕𝐁cada
− 𝐕uno
𝐀 = de
∆𝐕ellos
= − y∫tierra.
𝐄 ⃑⃑⃑⃑ Estas son:
⃑ ∙ 𝐝𝐫
𝑬
𝐀

𝐪𝟏𝟐 𝐪𝟏𝟎 𝐪𝟐𝟎

𝐂𝟏𝟐 = 𝐂𝟏𝟎 = 𝐂𝟐𝟎 =
𝐕𝟏 − 𝐕𝟐 𝐕𝟏 𝐕𝟐
 Cálculo de Capacidades de Líneas sin Considerar el Efecto de Tierra
Esto implica considerar nulos C10 y C20 en la figura anterior. Es decir, se supone que los conductores están ubicados en un medio
dieléctrico de extensión infinita, por tanto se calculará el potencial en un punto “p” debido a la presencia de “n” conductores cargados en su
espacio cercano en relación a un origen arbitrario “O” y que además, son cilíndricos.

Si se asume que no hay otros conductores cargados en las cercanías, se tiene: Esta expresión se puede reescribir como:
𝐧

∑ 𝐪𝐤 = 𝟎 𝐧
𝟏 𝟏 𝟏
𝐤=𝟏 𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 = ∙ [∑ 𝐪𝐤 ∙ 𝐥𝐧 ] +
Con εo= 8,85 * 10- 12 [F/m]: constante de permitividad del vacío 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐤 𝟐𝛑𝛆𝟎
𝐤=𝟏
𝐃𝟏 𝐧
𝐪 𝐝
(𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 )𝟏 = ∫ 𝐄 ⃑⃑⃑ = 𝟏 ∙ 𝐥𝐧 𝟏𝟎
⃑ ∙ 𝐝𝐥 ∙ [∑ 𝐪𝐤 ∙ 𝐥𝐧 𝐝𝐤𝟎 ]
𝐃𝟏𝟎 𝟐𝛑𝛆 𝟎 𝐃𝟏
𝐤=𝟏

Asimismo, la presencia de los restantes conductores hará que: Se aprecia que el segundo término es constante para
𝐃𝟏
𝐪𝟏 𝐝𝟏𝟎 una elección fija del punto “O”, por tanto:
(𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 )𝟏 = ∫ 𝐄 ⃑ ∙ ⃑⃑⃑
𝐝𝐥 = ∙ 𝐥𝐧
𝐃𝟏𝟎 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝟏
𝐃𝟐 𝐧
𝐪𝟐 𝐝𝟐𝟎 𝟏 𝟏
(𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 )𝟐 = ∫ 𝐄 ⃑⃑⃑ =
⃑ ∙ 𝐝𝐥 ∙ 𝐥𝐧 𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 = ∙ [∑ 𝐪𝐤 ∙ 𝐥𝐧 ] + 𝐂𝐨𝐧𝐬𝐭𝐚𝐧𝐭𝐞
𝐃𝟐𝟎 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝟐 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐤
𝐤=𝟏
⋮
𝐃𝐧
𝐪 𝐝
(𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 )𝒏 = ∫ 𝐄 ⃑⃑⃑ = 𝐧 ∙ 𝐥𝐧 𝐧𝟎
⃑ .∙ 𝐝𝐥 Si se considera que el potencial del punto “p” está
𝐃𝐧𝟎 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐧 referido al “O” y que la constante se eliminará en cada
cálculo de diferencia de potencialmente conductores,
Finalmente, la diferencia de potencial entre los puntos “p” y “O”, debido a la se tiene, finalmente:
𝐧
presencia de los “n” conductores cargados ubicados en ese espacio será: 𝟏 𝟏
𝐧
𝟏 𝐝𝐤𝟎 𝑽𝒑 = ∙ [∑ 𝐪𝐤 ∙ 𝐥𝐧 ] [ 𝐕𝐨𝐥𝐭𝐬]
𝑽𝒑 − 𝑽𝟎 = ∙ ∑ 𝐪𝐤 ∙ 𝐥𝐧 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐤
𝐤=𝟏
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐤
𝐤=𝟏

ínea Monofásica
El potencial en el punto “p”, será:
𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏
𝑽𝒑 = ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝟏 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝟐

Trasladando el punto “p” a la superficie de cada uno de los

conductores a y b y considerando que qa + qb= 0:

𝐪𝐚 𝟏 𝟏 𝐪𝐚 𝐃
𝑽𝒂 = ∙ (𝐥𝐧 − 𝐥𝐧 ) = ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚
Unidades de medida:
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del conductor y
𝐪𝐛 𝟏 𝟏 𝐪𝐛 𝐃 𝐪𝐚 𝐫𝐛
se obtiene de tablas) 𝑽𝒃 = ∙ (𝐥𝐧 − 𝐥𝐧 ) = ∙ 𝐥𝐧 = ∙ 𝐥𝐧
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐛 𝐃 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐛 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃

 Recuérdese que εo es la permitividad del vacío, de valor 8,85 Nótese que se ha considerado que como D >> ri ; se tiene D- ra ≈ D – rb
x10 -12 [Coulomb/volt] en el Sistema MKS. ≈ D. Entonces:
 En el caso de conductores cableados “r” corresponde al radio 𝐪𝐛 𝐃𝟐 𝐪𝐚 𝐃
exterior. Normalmente se expresa el valor 𝑽𝒂 − 𝑽𝒃 = ∙ 𝐥𝐧 = ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛 𝛑𝛆𝟎 √𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛
 de la capacidad por conductor, por lo que en (2.89), se ha
determinado la capacidad total de la línea.
Así la capacidad de la línea será:
 Empleando el concepto de capacidades parciales, se puede 𝐪𝐚 𝛑𝛆𝟎
representar como: 𝐂= = [𝐅/𝐦]
𝐕𝐚 − 𝐕𝐛 𝐥𝐧 𝐃
√𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛
Si ra = rb = r, se puede escribir:

𝛑𝛆𝟎
𝐂= [𝐅/𝐦]
𝐃
𝐥𝐧
𝐫

La Susceptancia capacitiva total de la línea será:

𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂 [𝐒/𝐦]
En que el punto “n”, es un punto de potencial cero y corresponde a la
mitad de la distancia que separa a ambos conductores. Se tiene:
𝟐𝛑𝛆𝟎
𝐂𝐧 = 𝟐𝐂 = [𝐅/𝐦]
𝐃
𝐥𝐧
𝐫
 Línea Trifásica de Disposición Equilátera
Se cumple que D12 = D13 = D23 = Ds; ra = rb = rc = r; qa + qb + qc = 0
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑽𝒑 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝟏 𝐃𝟐 𝐃𝟑

Trasladando el punto “p” a la superficie de cada conductor y considerando

que D >> r.

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝐃𝐬
𝑽𝒂 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] = 𝐪 ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫 𝐃𝐬 𝐃𝐬 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐚 𝐫

Análogamente el potencial para los conductores 2 y 3, será:

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝐃𝐬
Unidades de medida: 𝑽𝒃 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] = 𝐪 ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐬 𝐫 𝐃𝐬 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐛 𝐫
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del
conductor y se obtiene de tablas)
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝐃𝐬
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] 𝑽𝒄 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] = 𝐪 ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐬 𝐃𝐬 𝐫 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐜 𝐫
Esta capacidad corresponde a cada fase (conductor) con
respecto a un punto de potencial cero, que en este caso, por Así la capacidad de la línea será:
la disposición de la línea está ubicado en el centro del
triángulo equilátero, como se muestra en la figura siguiente. 𝟐𝛑𝛆𝟎
𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝐃
𝐥𝐧 𝐬
𝐫

La Susceptancia capacitiva total de la línea será:

𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 (𝐒/𝐤𝐦)

Línea Trifásica con Transposiciones

Unidades de medida:
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total
del conductor y se obtiene de tablas)
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦]

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝐕𝐚𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐛 𝐃𝐜 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐛 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝐕𝐚𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐛 𝐃𝐜 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐛𝐜𝐈 𝐃𝐚𝐛𝐈
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐜 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝐕𝐚𝐈𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐛 𝐃𝐜 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐜𝐈 𝐃𝐛𝐜𝐈
Llevando el punto P hacia las superficies de cada conductor en cada La tensión promedio en todo el ciclo de transposiciones será:
ecuación respectivamente se tiene: 𝐕𝐚𝐈 + 𝐕𝐚𝐈𝐈 + 𝐕𝐚𝐈𝐈𝐈
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 =
𝟑
𝐕𝐚 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛 𝐃𝐚𝐜
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝐪𝐚 + 𝐪𝐛 + 𝐪𝐜 = 𝟎
𝐕𝐛 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚𝐛 𝐫𝐛 𝐃𝐛𝐜
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 Distancia Media geométrica:
𝐕𝐜 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝟑
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚𝐜 𝐃𝐛𝐜 𝐫𝐜 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 = √𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜
Este juego de ecuaciones se puede aplicar a cada tramo del ciclo de
transposiciones. Sin embargo, se debe considerar que si se asume que la 𝟏 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝑽𝒂 = 𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = ∙ 𝐪 ∙ 𝐥𝐧 [ ]
tensión permanece contante, el valor de las cargas debe variar dada la 𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐚 𝐫𝐚
diferente posición que tienen los conductores en cada tramo. Si se
asume que lo que permanece constante son las cargas, variará el 𝐪𝐚
potencial. Esta última suposición es la que se hará y en ese caso el 𝐂𝐚 =
𝐕𝐚
potencial del conductor “1” en cada tramo será: r: radio del conductor de cada fase
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝐫𝐚 = 𝐫𝐛 = 𝐫𝐜 = 𝐫
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 La capacidad por fase de la línea:
𝐕𝐚𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈 𝟐𝛑𝛆𝟎
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝐕𝐚𝐈𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈𝐈 𝐥𝐧 [ ]
𝐫
𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈 = 𝐃𝐛𝐜𝐈
𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈 = 𝐃𝐚𝐛𝐈 Y la Susceptancia capacitiva será a su vez:
𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈𝐈 = 𝐃𝐚𝐜𝐈 𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐟 ∙ 𝐂 𝐧 (𝐒/𝐤𝐦)
𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈𝐈 = 𝐃𝐛𝐜𝐈
 Línea Trifásica simple circuito con Transposiciones con conductores de fase en haz
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝐑 𝐡 = 𝐡√𝐫 ∙ 𝐝𝟏𝟐 ∙ 𝐝𝟏𝟑 ∙ ⋯ ∙ 𝐝𝟏𝐡 𝐡 ≥ 𝟐
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝐑 𝐡 = 𝐫 𝐡=𝟏
h : cantidad de conductores que forman cada fase y d12, d13, ..d1h distancias entre
los haz
𝟑
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 = √𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜

𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬:

1 conductor por Fase 𝟏

𝐃𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝)𝟐
𝟏
𝐓𝐫𝐢𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝𝟐 )𝟑
𝟏
𝐂𝐮𝐚𝐝𝐫𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱: 𝐑 𝐡 = (√𝟐 ∙ 𝐫 ∙ 𝐝𝟑 )𝟒

La capacidad por fase de la línea:

𝟐𝛑𝛆𝟎
Unidades de medida: 𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del 𝐥𝐧 [ ]
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪
conductor y se obtiene de tablas)
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] Y la Susceptancia capacitiva será a su vez:
𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 [𝐒/𝐤𝐦]

Líneas Trifásicas con Transposiciones en Doble Circuito

Unidades de medida: Se calculara el potencial promedio del conductor a1 y del

 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del conductor y se conductor a2 en los tres tramos, para luego calcular el potencial
obtiene de tablas) promedio entre estas dos líneas paralelas y así obtener el
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] parámetro Ca, desarrollo idéntico para las restantes fases.

Potencial en cada tramo para el conductor a1

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈 (𝟏) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐫𝐚 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐫𝐚 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐫𝐚 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈

En función de las distancias del primer tramo:

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈 (𝟏) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐫 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐫 𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟏 𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟐

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐫 𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟏 𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 𝟐 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟐

El potencial promedio para el conductor a1:

𝟏
𝐕𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟏 = ∙ (𝐕𝐚 𝐈 (𝟏) + 𝐕𝐚 𝐈𝐈 (𝟏) + 𝐕𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟏) ) [𝐕𝐨𝐥𝐭/𝐦]
𝟑

𝟏 𝟏
𝐕𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟏 = ∙
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟑
𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜
∙( ∙ (𝐥𝐧 ) + ∙ (𝐥𝐧 )+
𝟐 𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 𝟐
𝟏
∙ (𝐥𝐧 ))
𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐛𝟐
Potencial en cada tramo para el conductor a2

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈 (𝟐) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈 𝟐 𝐫𝐚 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈𝐈 𝟐 𝐫𝐚 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈𝐈

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐫𝐚 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐈𝐈𝐈 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐈𝐈𝐈

En función de las distancias del primer tramo:

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈 (𝟐) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 𝟐 𝐫 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐

𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐃𝐛𝟐𝐛𝟏 𝟐 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 𝟐 𝐃𝐛𝟐𝐚𝟏 𝟐 𝐫 𝟐 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 𝟐 𝐃𝐛𝟐𝐚𝟐
( )
𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜 𝟏
𝐕𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐) = ∙ ( ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 + ∙ 𝐥𝐧 )
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟐 𝐃𝐜𝟐𝐜𝟏 𝟐 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏 𝟐 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟏 𝟐 𝐫 𝟐 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 𝟐 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟐

El potencial promedio para el conductor a1:

𝟏
𝐕𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟐 = ∙ (𝐕𝐚 𝐈 (𝟐) + 𝐕𝐚 𝐈𝐈 (𝟐) + 𝐕𝐚 𝐈𝐈𝐈 (𝟐) ) [𝐕𝐨𝐥𝐭/𝐦]
𝟑

𝟏 𝟏
𝐕𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟐 = ∙
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟑
𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝟏 𝐪𝐜
∙( ∙ (𝐥𝐧 ) + ∙ (𝐥𝐧 )+
𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝑟 ∙ 𝑟 ∙ 𝑟 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 𝟐
𝟏
∙ (𝐥𝐧 )) [𝐕𝐨𝐥𝐭/𝐦]
𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐛𝟐

Potencial promedio entre los conductores paralelos a1 y a2

𝟏
𝐕𝐚 = ∙ (𝐕𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟏 + 𝐕𝐚 𝐩𝐫𝐨𝐦𝟐) [𝐕𝐨𝐥𝐭/𝐦]
𝟐

𝟏 𝟏 𝟏 𝐪𝐚 𝟏 𝐪𝐛 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐛 𝐪𝐜
𝐕𝐚 = ∙ ∙ ∙ ( ∙ (𝐥𝐧 ) + ( + ) ∙ (𝐥𝐧 )+( + )
𝟐 𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟑 𝟐 (𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 )𝟐 𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 𝟐 𝟐
𝟏 𝐪𝐛 𝐪𝐜 𝟏 𝐪𝐛 𝐪𝐜 𝟏
∙ (𝐥𝐧 ) + ( + ) ∙ (𝐥𝐧 ) + ( + ) ∙ (𝐥𝐧 ))
𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 𝟐 𝟐 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏

𝐪𝐚 𝐪𝐛 𝐪𝐜
= −( + )
𝟐 𝟐 𝟐

𝟏 𝟏 𝟏 𝐪𝐚 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏
𝐕𝐚 = ∙ ∙ ∙ ( ∙ (𝐥𝐧 ))
𝟐 𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟑 𝟐 (𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 )𝟐

𝟑
𝐪𝐚 √ 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏
𝐕𝐚 = ∙ 𝐥𝐧
𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎 𝟑 𝟒
√ √(𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐫 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 )𝟐
( )

𝟐𝛑 ∙ 𝛆𝟎
𝐜𝐚 =
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝐥𝐧 [ ]
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪

La capacidad por fase de la línea: Donde:

𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝟑√𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜
𝟒
𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 = √𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐛"
𝟐𝛑𝛆𝟎
𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦] 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐜"
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝐥𝐧 [ ] 𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 = 𝟒√𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "b" 𝐲 "𝐜"
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪

𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝟑√𝐑𝐌𝐆𝐚 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐛 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐜

𝟒
Y la Susceptancia capacitiva será a su vez: 𝐑𝐌𝐆𝐚 = √𝐫 𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "a"
𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐛 = √𝐫 𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "𝐛"
𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 (𝐒/𝐤𝐦)
𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐜 = √𝐫 𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "c"
 Línea Trifásica con Transposiciones en Doble Circuito con conductores de fase en haz

Donde:
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝟑√𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜

𝐃𝐌𝐆𝐚𝐛 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐛"
𝐃𝐌𝐆𝐚𝐜 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐚𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "a" 𝐲 "𝐜"
𝐃𝐌𝐆𝐛𝐜 = 𝟒√𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 𝐃𝐌𝐆 𝐞𝐧𝐭𝐫𝐞 𝐟𝐚𝐬𝐞𝐬 "b" 𝐲 "𝐜"

𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝟑√𝐑𝐌𝐆𝐚 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐛 ∙ 𝐑𝐌𝐆𝐜

𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐚 = √𝐑 𝐡 𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "a"
𝟒
𝐑𝐌𝐆𝐛 = √𝐑 𝐡 𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "𝐛"
Unidades de medida: 𝟒
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del 𝐑𝐌𝐆𝐜 = √𝐑 𝐡 𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 𝟐 𝐑𝐌𝐆 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐟𝐚𝐬𝐞 "c"
conductor y se obtiene de tablas)
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦]

La capacidad por fase de la línea: Para conductores en haz:

𝐑 𝐡 = 𝐡√𝐫 ∙ 𝐝𝟏𝟐 ∙ 𝐝𝟏𝟑 ∙ ⋯ ∙ 𝐝𝟏𝐡 𝐡 ≥ 𝟐
𝐑𝐡 = 𝐫 𝐡=𝟏
𝟐𝛑𝛆𝟎 h : cantidad de conductores que forman cada fase y d12, d13, ..d1h distancias
𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 entre los haz
𝐥𝐧 [ ]
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪
𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬:
Y la Susceptancia capacitiva será a su vez:

𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 (𝐒/𝐤𝐦)
𝟏
𝐃𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝)𝟐
𝟏
𝐓𝐫𝐢𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝𝟐 )𝟑
𝟏
𝐂𝐮𝐚𝐝𝐫𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱: 𝐑 𝐡 = (√𝟐 ∙ 𝐫 ∙ 𝐝𝟑 )𝟒

Cálculo de Capacidades de Líneas Considerando el Efecto de Tierra

Se considera en el caso de líneas que operan en Extra Alta Tensión (EAT), ya que la separación entre conductores es comparable a la existente
entre conductores y tierra. Para el análisis se harán las siguientes consideraciones:
 La superficie de la tierra se considera un plano equipotencial de potencial cero y extensión infinita.
 La carga en la superficie de cada conductor se supone uniformemente distribuida.
 Los conductores se suponen ubicados a una altura “h” constante sobre el plano de tierra, cilíndricos, paralelos entre sí y sus radios
son mucho menores que las distancias entre conductores.

 Se empleará el método de imágenes, en que a cada conductor le corresponde un conductor imagen ubicado a la misma distancia
que el conductor real bajo el plano de tierra.
 Las cargas de los conductores imágenes son de igual magnitud y signo distinto que la de los conductores reales. Es decir:
q’k = - q k
 Así el cálculo del potencial en un punto “p” respecto a tierra, debido a la presencia de “n” conductores cargados, se transforma
en un problema de “2n” conductores (los “n” conductores reales y sus “n” imágenes).

Bajo las condiciones estipuladas

precedentemente, se cumple entonces que:
𝐧

∑(𝐪𝐤 + 𝐪𝐤 `) = 𝟎
𝐤=𝟏

El potencial en el punto “p” será:

𝐧
𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐩 = ∙ ∑ [𝐪𝐤 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐤 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐤 𝐃𝐤 `
Línea Monofásica 𝐤=𝟏
 𝟏 𝟐𝐇𝟏 𝐃𝐚𝐛`
𝐕𝟏 − 𝐕𝟐 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 − 𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 − 𝐪𝐚
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛
𝐃𝐚𝐛` 𝟐𝐇𝟐
∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝐃𝐚𝐛 𝐫𝐛

𝟏 𝟒𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐚𝐛

𝐕𝟏 − 𝐕𝟐 = ∙ 𝐪 ∙ 𝐥𝐧 [ ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐚 𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛 ∙ 𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐚𝐛`

𝟏 𝟐√𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐 ∙ 𝐃𝐚𝐛
𝐕𝟏 − 𝐕𝟐 = ∙ 𝐪 ∙ 𝐥𝐧 [ ]
𝛑𝛆𝟎 𝐚 √𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛 ∙ 𝐃𝐚𝐛`
Unidades de medida:
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del conductor y se obtiene de Por tanto; la capacidad total de la línea será:
𝐪𝐚 𝛑𝛆𝟎
tablas) 𝐂= = [𝐅/𝐦]
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] 𝐕𝟏 − 𝐕𝟐 𝟐𝐃𝐚𝐛 ∙ √𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐
𝐥𝐧
𝐃𝐚𝐛` ∙ √𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛
Este caso, se considerará como una situación particular del caso general. En
efecto, si se hace n = 2, se tiene: En términos de capacidades parciales “C” corresponde a la
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 combinación en paralelo de C12 y la rama serie C10 y C20.
𝐕𝐩 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐚 ` 𝐃𝐛 𝐃𝐛 `
𝐪𝐚 + 𝐪𝐚 ` = 𝟎
𝐪𝐛 + 𝐪𝐛 ` = 𝟎
𝟏 𝐃𝐚 ` 𝐃𝐛 `
𝐕𝐩 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐛

Trasladando el punto “p”, sucesivamente a la superficie de los conductores 1

y 2, se tiene:
𝟏 𝟐𝐇𝟏 𝐃𝐚𝐛`
𝐕𝟏 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛

𝟏 𝐃𝐚𝐛` 𝟐𝐇𝟐
𝐕𝟐 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚𝐛 𝐫𝐛
𝐂𝟏𝟎 ∙ 𝐂𝟐𝟎
𝐂 = 𝐂𝟏𝟐 +
𝐪𝐚 + 𝐪𝐛 = 𝟎 𝐂𝟏𝟎 + 𝐂𝟐𝟎

𝟏 𝟐𝐇𝟏 𝐃𝐚𝐛` 𝐃𝐚𝐛` 𝟐𝐇𝟐 𝟐𝛑𝛆𝟎

𝐕𝟏 − 𝐕𝟐 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 − 𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 − 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 ] 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐚𝐛 𝐃𝐚𝐛 𝐫𝐛 𝟐𝐃𝐚𝐛 ∙ √𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐
𝐥𝐧
𝐃𝐚𝐛` ∙ √𝐫𝐚 ∙ 𝐫𝐛

Línea Trifásica simple circuito con Transposiciones

Unidades de medida:
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del
conductor y se obtiene de tablas)
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦]

Tramo I El voltaje en un punto P es:

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐩𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐚 ` 𝐃𝐛 𝐃𝐛 ` 𝐃𝐜 𝐃𝐜 `

Llevando las distancias Da, Db, Dc, Da`Db`Dc` a la superficie del conductor a se tiene:

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟏 𝐃𝐚𝐛𝐈 𝐃𝐚𝐛𝐈 ` 𝐃𝐚𝐜𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈 `
 Tramo II El voltaje en un punto P es:
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐩𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐚 ` 𝐃𝐛 𝐃𝐛 ` 𝐃𝐜 𝐃𝐜 `

Llevando las distancias Da, Db, Dc, Da`Db`Dc` a la superficie del conductor a se tiene:
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟐 𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈 ` 𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈 `

𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈 = 𝐃𝐛𝐜𝐈
𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈 ` = 𝐃𝐛𝐜𝐈 `
𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈 = 𝐃𝐚𝐛𝐈
𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈 ` = 𝐃𝐚𝐛𝐈 `

Reemplazando se obtiene:
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟐 𝐃𝐛𝐜𝐈 𝐃𝐛𝐜𝐈 ` 𝐃𝐚𝐛𝐈 𝐃𝐚𝐛𝐈 `

Tramo III El voltaje en un punto P es:

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐩𝐈𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐃𝐚 𝐃𝐚 ` 𝐃𝐛 𝐃𝐛 ` 𝐃𝐜 𝐃𝐜 `

Llevando las distancias Da, Db, Dc, Da`Db`Dc` a la superficie del conductor a se tiene:
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚𝐈𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟑 𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈𝐈 ` 𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈𝐈 `

𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈𝐈 = 𝐃𝐚𝐜𝐈
𝐃𝐚𝐛𝐈𝐈𝐈 ` = 𝐃𝐚𝐜𝐈 `
𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈𝐈 = 𝐃𝐛𝐜𝐈
𝐃𝐚𝐜𝐈𝐈𝐈 ` = 𝐃𝐜𝐛𝐈 `
Reemplazando se obtiene:
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝐕𝐚𝐈𝐈𝐈 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟑 𝐃𝐚𝐜𝐈 𝐃𝐚𝐜𝐈 ` 𝐃𝐛𝐜𝐈 𝐃𝐜𝐛𝐈 `

𝐕𝐚𝐈 + 𝐕𝐚𝐈𝐈 + 𝐕𝐚𝐈𝐈𝐈

𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 =
𝟑

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = { ∙ [𝐪𝐚 ∙ [𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐚 ` ∙ [𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐛 ∙ [𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐛 `
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐫𝐚 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟏 𝟐𝐇𝟐 𝟐𝐇𝟑 𝐃𝐚𝐛 𝐃𝐛𝐜 𝐃𝐚𝐜
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
∙ [𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐜 ∙ [𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐜 ` ∙ [𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 + 𝐥𝐧 ]]} /𝟑
𝐃𝐚𝐛` 𝐃𝐛𝐜` 𝐃𝐚𝐜` 𝐃𝐚𝐛 𝐃𝐛𝐜 𝐃𝐚𝐜 𝐃𝐚𝐛` 𝐃𝐛𝐜` 𝐃𝐚𝐜`

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = { ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟑 ] + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐜
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟏 ∙ 𝟐𝐇𝟐 ∙ 𝟐𝐇𝟑 𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜 𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`
𝟏 𝟏
∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 [ ]]} /𝟑
𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜 𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = { ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟑 ] + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟑 ] + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟑 ] + 𝐪𝐜
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐√𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐 ∙ 𝐇𝟑 √𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜 √𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`

𝟏 𝟏
∙ 𝐥𝐧 [ 𝟑 ] + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟑 ]]}
√𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜 √𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = { ∙ [𝐪𝐚 ∙ [𝐥𝐧 𝟑 ] + 𝐪𝐚 ` ∙ [𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐛 ∙ [𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐛 ` ∙ [𝐥𝐧 ] + 𝐪𝐜
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝟐𝐇𝟏 ∙ 𝟐𝐇𝟐 ∙ 𝟐𝐇𝟑 𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜 𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = { ∙ [𝐪 ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟏] + 𝐪𝐚 ` ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 [ 𝟏 ] + 𝐪𝐛 ` ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐜 ` ∙ 𝐥𝐧 [ ]]}
𝟐𝛑𝛆𝟎∙ [𝐥𝐧 𝐚 𝐫𝐚 ]+𝐇 𝐪𝐜𝐞𝐪
` ∙ [𝐥𝐧 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 ]]} /𝟑 𝐒𝐞𝐪 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 𝐒𝐞𝐪
𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜 𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`

𝐪𝐚 + 𝐪𝐚 ` = 𝟎 𝐪𝐚 + 𝐪 𝐛 + 𝐪𝐜 = 𝟎 𝟏 𝐇𝐞𝐪 𝐒𝐞𝐪 𝐒𝐞𝐪

𝑽𝒂 = 𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = ∙ [𝐪𝐚 ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐛 ∙ 𝐥𝐧 [ ] + 𝐪𝐜 ∙ 𝐥𝐧 [ ]]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐫𝐚 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝐪𝐛 + 𝐪𝐛 ` = 𝟎
𝐪𝐚
𝐂𝐚 = 𝟏 𝐇𝐞𝐪 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝐪𝐜 + 𝐪𝐜 ` = 𝟎 𝐕𝐚 𝐪𝐚𝑽𝒂 = 𝑽𝒂 𝑷𝒓𝒐𝒎 = ∙ 𝐪 ∙ 𝐥𝐧 [ ]
𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐚 𝐫𝐚 ∙ 𝐒𝐞𝐪

𝟑
La capacidad por fase de la línea: Y la Susceptancia capacitiva será a su vez: 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 = √𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜

𝟐𝛑𝛆𝟎 𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 [𝐒/𝐤𝐦] 𝟑

𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦] 𝐇𝐞𝐪 = 𝟐√𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐 ∙ 𝐇𝟑
𝐇𝐞𝐪 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝐥𝐧 [ ]
𝐫 ∙ 𝐒𝐞𝐪 𝟑
𝐒𝐞𝐪 = √𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`
 Línea Trifásica simple circuito con Transposiciones con conductores de fase en haz
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝐑 𝐡 = 𝐡√𝐫 ∙ 𝐝𝟏𝟐 ∙ 𝐝𝟏𝟑 ∙ ⋯ ∙ 𝐝𝟏𝐡 𝐡≥𝟐
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝐑 𝐡 = 𝐫 𝐡=𝟏

h : cantidad de conductores que forman cada fase y d12, d13, ..d1h

distancias entre los haz

𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬:

𝟏
𝐃𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝)𝟐
𝟏
Unidades de medida: 𝐓𝐫𝐢𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝𝟐 )𝟑
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del conductor 𝟏

y se obtiene de tablas) 𝐂𝐮𝐚𝐝𝐫𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱: 𝐑 𝐡 = (√𝟐 ∙ 𝐫 ∙ 𝐝𝟑 )𝟒

 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦]
𝟑
𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 = √𝐃𝐚𝐛 ∙ 𝐃𝐛𝐜 ∙ 𝐃𝐚𝐜

𝟑
La capacidad por fase de la línea: 𝐇𝐞𝐪 = 𝟐√𝐇𝟏 ∙ 𝐇𝟐 ∙ 𝐇𝟑
𝟐𝛑𝛆𝟎
𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝐇𝐞𝐪 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪 𝟑
𝐒𝐞𝐪 = √𝐃𝐚𝐛` ∙ 𝐃𝐛𝐜` ∙ 𝐃𝐚𝐜`
𝐥𝐧 [ ]
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 ∙ 𝐒𝐞𝐪

Y la Susceptancia capacitiva será a su vez:

𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 [𝐒/𝐤𝐦]

Líneas Trifásicas con Transposiciones en Doble Circuito

Un desarrollo similar al expuesto para una línea sin efecto de
tierra se puede realizar en este caso considerando las imágenes a
tierra de cada conductor
Donde:
𝐇𝐞𝐪𝟏 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐚𝟏` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟏` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟏`
𝐇𝐞𝐪𝟐 = 𝟒√𝐃𝐚𝟐𝐚𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐜𝟐`
𝐇𝐞𝐪 = √𝐇𝐞𝐪𝟏 ∙ 𝐇𝐞𝐪𝟐

𝐃𝐞𝐪𝟏 = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏

𝐃𝐞𝐪𝟐 = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐
𝐃𝐞𝐪 = √𝐃𝐞𝐪𝟏 ∙ 𝐃𝐞𝐪𝟐

Unidades de medida: 𝐃𝐞𝐪 ` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐

 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del conductor y se 𝐃𝐞𝐪 `` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐
obtiene de tablas) 𝐃𝐞𝐪 ``` = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦]
𝟑 𝐃𝐞𝐪 `` ∙ 𝐃𝐞𝐪 ```
𝐃𝐞𝐪𝐦 = √
𝐃𝐞𝐪 `
La capacidad por fase de la línea:
𝐒𝐞𝐪𝟏 = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 `
𝟐𝛑𝛆𝟎
𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦] 𝐒𝐞𝐪𝟐 = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 `
𝐇𝐞𝐪 ∙ 𝐃𝐞𝐪𝐦 ∙ 𝐃𝐞𝐪
𝐥𝐧√ 𝐒𝐞𝐪 = √𝐒𝐞𝐪𝟏 ∙ 𝐒𝐞𝐪𝟐
𝐫 ∙ 𝐒𝐞𝐪 ∙ 𝐒𝐞𝐪𝐦

Y la Susceptancia capacitiva será a su vez: 𝐒𝐞𝐪 ` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 `

𝐒𝐞𝐪 `` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 `
𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 (𝐒/𝐤𝐦) 𝐒𝐞𝐪 `` = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏` ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏` ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏 `
𝟑 𝐒𝐞𝐪 `` ∙ 𝐒𝐞𝐪 ```
𝐒𝐞𝐪𝐦 = √
𝐒𝐞𝐪 `
 Línea Trifásica con Transposiciones en Doble Circuito con conductores de fase en haz
Donde:
𝐇𝐞𝐪𝟏 = 𝟒√𝐃𝐚𝟏𝐚𝟏` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟏` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟏`
𝐇𝐞𝐪𝟐 = 𝟒√𝐃𝐚𝟐𝐚𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐜𝟐`
𝐇𝐞𝐪 = √𝐇𝐞𝐪𝟏 ∙ 𝐇𝐞𝐪𝟐

𝐃𝐞𝐪𝟏 = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏

𝐃𝐞𝐪𝟐 = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐
𝐃𝐞𝐪 = √𝐃𝐞𝐪𝟏 ∙ 𝐃𝐞𝐪𝟐

𝐃𝐞𝐪 ` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐

𝐃𝐞𝐪 `` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐 ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐 ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐
𝐃𝐞𝐪 ``` = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏 ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏 ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏
𝟑 𝐃𝐞𝐪 `` ∙ 𝐃𝐞𝐪 ```
Unidades de medida: 𝐃𝐞𝐪𝐦 = √
 𝐫 𝐞𝐧 [𝐦] (Corresponde al radio total del conductor y se obtiene 𝐃𝐞𝐪 `
de tablas)
 𝐓𝐨𝐝𝐚𝐬 𝐥𝐚𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐭𝐚𝐧𝐜𝐢𝐚𝐬 𝐞𝐧 [𝐦] 𝐒𝐞𝐪𝟏 = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟏` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟏` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟏 `
𝐒𝐞𝐪𝟐 = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟐 `
Para conductores en haz:
𝐒𝐞𝐪 = √𝐒𝐞𝐪𝟏 ∙ 𝐒𝐞𝐪𝟐
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝐑 𝐡 = 𝐡√𝐫 ∙ 𝐝𝟏𝟐 ∙ 𝐝𝟏𝟑 ∙ ⋯ ∙ 𝐝𝟏𝐡 𝐡≥𝟐
𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 = 𝐑 𝐡 = 𝐫 𝐡=𝟏
𝐒𝐞𝐪 ` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐚𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐜𝟐 `
h : cantidad de conductores que forman cada fase y d12, d13, ..d1h distancias 𝐒𝐞𝐪 `` = 𝟑√𝐃𝐚𝟏𝐛𝟐` ∙ 𝐃𝐛𝟏𝐜𝟐` ∙ 𝐃𝐜𝟏𝐚𝟐 `
entre los haz
𝐒𝐞𝐪 `` = 𝟑√𝐃𝐚𝟐𝐛𝟏` ∙ 𝐃𝐛𝟐𝐜𝟏` ∙ 𝐃𝐜𝟐𝐚𝟏 `
𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬: 𝟑 𝐒𝐞𝐪 `` ∙ 𝐒𝐞𝐪 ```
𝐒𝐞𝐪𝐦 = √
𝐒𝐞𝐪 `

La capacidad por fase de la línea:

𝟐𝛑𝛆𝟎
𝟏 𝐂𝐚 = 𝐂𝐛 = 𝐂𝐜 = 𝐂𝐧 = [𝐅/𝐦]
𝐃𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝)𝟐 𝐇𝐞𝐪 ∙ 𝐃𝐞𝐪𝐦 ∙ 𝐃𝐌𝐆𝐞𝐪
𝟏 𝐥𝐧√
𝐓𝐫𝐢𝐩𝐥𝐞𝐱 ∶ 𝐑 𝐡 = (𝐫 ∙ 𝐝𝟐 )𝟑 𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪 ∙ 𝐒𝐞𝐪 ∙ 𝐒𝐞𝐪𝐦
𝟏
𝐂𝐮𝐚𝐝𝐫𝐮𝐩𝐥𝐞𝐱: 𝐑 𝐡 = (√𝟐 ∙ 𝐫 ∙ 𝐝𝟑 )𝟒
Y la Susceptancia capacitiva será a su vez:

𝐁𝐜 = 𝟐𝛑 ∙ 𝐟 ∙ 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝐂𝐧 (𝐒/𝐤𝐦)

Referencias Bibliográficas

[1]- “Ñom Lufke (EL Rayo Domado)” o “Los sistemas eléctricos de potencia”, W. brokering, R.Palma, L. Vargas, 2008
[2]- “Sistemas Electricos de potencia I”, S. Carter, 2005
[3]- “Analisis de Sistemas de Potencia”, J.Grainger, W.Stevenson, 1998
[4]- “Electric Power Transmision System Engineering Analisys and Desing”, T. Gonen, 1988
[5]- “Sistemas de Potencia, Analisis y diseño”, D. Glover, M. Sarma, 2003
[6]- “Modern Power System Analysis”, D.Kothari, I. Nagrath, 2008 𝐑𝐌𝐆𝐞𝐪
[7]- “Apuntes de clases EIEE, Universidad de Tarapaca”, I. Harnish, 2011