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DEFINICION DE RAM
En la memoria RAM se carga parte del sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple® MacOS, Microsoft®
Windows 7, etc.), los programas como (Office, Winzip®, Nero®, etc.), instrucciones desde el teclado,
memoria para desplegar el video y opcionalmente una copia del contenido de la memoria ROM.
+ Ejemplo: cuando damos doble clic a la aplicación Microsoft® Word, el programa será leído desde
el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo en la memoria RAM, ello para
que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicaría trabajarlo desde el disco duro, y una vez
terminada de usar la aplicación, la RAM se libera para poder cargar el próximo programa a utilizar.
Hay tres tipos de memorias RAM, la primeras son las DRAM, SRAM y una emulación denominada
Swap:
Tipo 1, DRAM: las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") ó dinámicas, debido a que
sus chips se encuentran construidos a base de condensadores (capacitores), los cuáles necesitan
constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a cambio tienen un precio
económico.
+ Ejemplo: hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo, pero para ello no cuenta con
una toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar su producto.
Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven la materia de trabajo constantemente.
La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga es la mas antigua
y la última la mas reciente.
TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa conjunto de bajo perfil
fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores),
los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta
principal ("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM
del equipo.
1
Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que se conjuntaron
los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las terminales con forma de pin en un
solo lado de la tarjeta, naciendo el estándar de memorias SIP ("Single In-line Package").
+ Básicamente había de diferentes formas y tamaños como cualquier otro circuito integrado.
+ Cuentan con una forma física como cualquier otro chip y se introducen las terminales en el
espacio asignado para ello.
Partes que componen la memoria TSOP
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con microprocesador AMD 286.
Conector Figuras
Conector de la memoria
TSOP de 20
terminales Zócalos de la tarjeta
principal
La memoria de paridad
2
Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la detección de
errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora
utilice el dato.
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el número de "unos"
del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el
"bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce
error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo posteriormente la tecnología ECC.
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria TSOP es el Kilobyte
(KB) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa 915P(N) de Acer®.
SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en línea: son
los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), que
integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores
capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines
(30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal (Motherboard).
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Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM ("Single In
line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a una placa plástica y se hizo mas
resistente a los dobleces.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
3.- Conector (30 pines): son terminales tienen forma de pin, que
se insertan en el módulo especial para memoria SIP.
Son 2 versiones:
Conector Figuras
4
Conector de la
memoria
SIP 30 pines
"Ranura" de la
tarjeta principal
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
SIP su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del momento, esto es
aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.
La memoria de paridad
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el número de "unos"
del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del byte es impar, el
"bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce
error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo posteriormente la tecnología ECC.
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le
solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria SIP es Kilobyte
(KB) y el Megabyte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas varían de acuerdo al modelo y
se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:
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Tipo de memoria Capacidad en Kilobytes (KB) / Megabytes (MB)
SIP 30 pines 256 KB, 512 KB, 1 MB?
SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de
memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de
ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria de un solo lado de la
tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta
principal (Motherboard).
Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line Package").
Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory
Module").
+ Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo el segundo el sucesor.
+ Cuentan con una forma física especial, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarla de
manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de 72 terminales cuenta con una muesca en un lugar
estratégico del conector.
+ La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72 terminales 32 bits.
+ La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de alto.
+ La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
+ Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos tipos si esta tiene las
ranuras necesarias para ello.
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Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
Son 2 versiones:
Conector Figuras
Conector de la
SIMM 30 memoria
terminales Ranura de la tarjeta
principal
Velocidad de la memoria SIMM
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
SIMM su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del momento, esto es
aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.
La memoria de paridad
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el número de "unos"
del Byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del Byte es impar, el
"bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
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L 0100 1100 3 Impar 0
Entonces al momento de utilizar el Byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce
error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la tecnología ECC.
La tecnología ECC en memorias SIMM se utilizaba básicamente para equipos que manejaban datos
sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología
aumentaba en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para corrección de
errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó mas bits,
de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de
paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál se almacena
junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que
genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se
decodificará para determinar la falla y se procede a corregirlo.
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es una tecnología que
mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Read Aleatory Memory", es decir memorias
con almacenamiento basado en capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de
cambios de página (...).
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le
solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria SIMM es KiloByte
(KB) y el MegaByte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas varían de acuerdo al modelo y
se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:
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SIMM 30 terminales 256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB
SIMM 72 terminales 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB
Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30 terminales, pero algunas placas
integraban ranuras para ambos. Se utilizaban en computadoras con básicamente procesadores de la
familia Intel® 486 y Pentium.
DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria
de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos de cada lado son independientes, por lo
tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos lados de la
tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la
tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar que la característica de las memorias de línea dual,
es precursora de los estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse que también
se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.
SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory), memoria de acceso aleatorio
sincrónico, esto significa que existe un cierto tiempo entre el cambio de estado de la misma
sincronizado con el reloj y bus del sistema, en la práctica se le denomina solo DIMM.
Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module").
Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM ("Rambus Inline
Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").
Figura 2. Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston® PC133, sin capacidad definida,
168 pines.
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+ Todos las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales.
+ Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no
haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
+ La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.
+ La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
+ Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard") si esta cuenta con
ambas ranuras.
Partes que componen la memoria DIMM - SDRAM
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
Conector Figuras
Conector de la
DIMM - memoria
SDRAM 168
terminales Ranura de la tarjeta
principal
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La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la
velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el número de "unos" del
Byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número de "unos" del Byte es impar, el "bit
extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Entonces al momento de utilizar el Byte, si este no coincide con su paridad asignada, se produce
error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la tecnología ECC.
La tecnología ECC en memorias DIMM - SDRAM se utilizaba básicamente para equipos que
manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos domésticos porque
esta tecnología aumentaba en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para corrección de
errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó mas bits,
de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de
paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál se almacena junto
con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera
la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.
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FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es una tecnología que mejora
el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Read Aleatory Memory"), es decir memorias con
almacenamiento basado en capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de
cambios de página (...).
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite
y su medida es en nanosegundos (nseg):
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta
celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino".
Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al
aumentar está, también aumenta la latencia.
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DIMM - SDRAM es
el MegaByte (MB). Actualmente en México todavía se venden de manera comercial algunas de las
siguientes capacidades:
Los DIMM - SDRAM de 168 terminales se utilizaron básicamente en computadoras de escritorio con
microprocesadores de la familia Intel® Pentium Pro, Pentium II, Celeron y algunos modelos Pentium
III.
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Significado de SODIMM - SDRAM: proviene de ("Small Outline Dual In
line Memory Module"), siendo la variante de memorias DIMM - SDRAM
para computadoras portátiles.|
DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión doble de datos (este
nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultánea): son un
tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los
chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales
para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido
a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar
DIMM.
Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory Module").
Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate -
2").
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128 MB, bus
266 MHz.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
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Velocidad de la memoria DDR
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
Conector Figuras
Conector de
la memoria
DDR 184
terminales Ranura de la
tarjeta
principal
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de
trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:
La tecnología ECC en memorias DDR se utiliza básicamente para servidores que manejan datos
sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología
aumenta en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para corrección de
errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó mas bits,
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de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de
paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál se almacena junto
con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera
la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite
y su medida es en nanosegundos (nseg):
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta
celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino".
Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al
aumentar está, también aumenta la latencia.
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR es el MegaByte
(MB). y el GigaByte (GB). Las capacidades comerciales son las siguientes:
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La memoria SODDR (Variante de DDR)
Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales, especiales
SODDR, 200 terminales, para computadoras portátiles, mientras que las microDDR cuentan con
266/333 MHz. 172 terminales.
+ Las demás especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR para
computadora de escritorio.
Precio promedio de la memoria DDR
Los precios se establecen dependiendo de muchas variables, como la situación económica del
país, la ciudad en que se comercializa, los impuestos, la marca, etc., pero haciendo un promedio
estándar a la moneda de referencia internacional, el costo es el siguiente:
RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de
memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos,
direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias
RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también están basadas
en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus
lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para
memoria de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido
a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar
DIMM.
Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line
Memory Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double Data Rate") las
cuáles eran más económicas.
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Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca
Samsung®, modelo PC800, 184 terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC.
+ Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca solamente un
módulo de memoria.
+ Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
+ Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de
colocarlas de manera incorrecta.
+ La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
+ Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse
mucho y esta placa actúa como disipador de calor.
+ Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estén
ocupadas.
Partes que componen la memoria RIMM
Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa como disipador de calor:
Conector Figuras
RIMM 184 Conector de
terminales la memoria
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Ranura de la
tarjeta
principal
(viene por
pares)
Tecnología de corrección de errores (ECC)
La tecnología ECC en memorias RIMM se utiliza básicamente para equipos que van a manejar datos
sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos porque esta tecnología
aumenta en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para corrección de
errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 ó mas bits,
de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de
paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál se almacena junto
con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el código almacenado con el que genera
la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de
trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite
y su medida es en nanosegundos (nseg):
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CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta
celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino".
Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al
aumentar está, también aumenta la latencia.
Es una tarjeta para expansión de capacidades que sirve para procesar y otorgar mayor capacidad
de despliegue de gráficos en pantalla, por lo que libera al microprocesador y a la memoria RAM de
estas actividades y les permite dedicarse a otras tareas. La tarjeta de video se inserta dentro de las
ranuras de expansión ó "Slots" integradas en la tarjeta principal ("Motherboard") y se atornilla al
gabinete para evitar movimientos y por ende fallas. Todas las tarjetas de video integran uno ó
varios puertos para conectar los dispositivos externos tales como monitores CRT, pantallas LCD,
proyectores, etc.
Actualmente el nombre mas común con el que se le denomina a la tarjeta de video es tarjeta
aceleradora de gráficos y compite contra los procesadores "Sandy Bridge".
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Figura 1. Tarjeta aceleradora de gráficos, marca MSI®, con GPU ATI®, modelo HD4830, GDDR 512
Mb, interfaz PCI-E 2.0 16X, DVI/S-Video.
+ Integran dentro de si un circuito integrado ó chip encargado del proceso de gráficos, por lo que
liberan al microprocesador de estas actividades, llamado GPU/VPU.
+ También integran memoria RAM propia para evitar el consumo de la RAM principal.
+ Tienen uno ó varios puertos para la conexión de los dispositivos externos como monitores y
proyectores.
+ Cuentan con un conector especial que permite insertarlas en las ranuras de expansión de la
tarjeta principal.
+ Pueden convivir con las tarjetas de video integradas en la tarjeta principal, ya que al instalarlas,
reemplazan su lugar en el sistema.
Clases de tarjetas gráficas
Resolución
Tipo Año Colores Memoria
(píxeles)
SVGA ("Super Video Graphics
1989 1280 X 1024 16.7 millones >4 Mb
Array") ó arreglo gráfico de video.
XGA ("eXtended Graphics Array") ó
1987 1280 X 1024 256 colores 256 Kb
arreglo extendido de gráficos.
VGA ("Video Graphics Array") ó
1987 640 X 480 256 colores 256 Kb
arreglo gráfico de video.
EGA ("Enhaced Graphics Array") ó Monocromo y
1985 640 X 200 256 Kb
arreglo mejorado de gráficos. 16-64 colores
HGC ("Hercules Graphics Card") ó 64
1982 720 X 348 Monocromo
tarjeta gráfica Hércules. Kilobytes
16
CGA ("Color Graphics Array") ó
1981 640 X 200 16 colores Kilobytes
arreglo de gráficos de color.
(Kb)
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Partes que componen la tarjeta de video
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
Se muestran las ranura de expansión, comenzando desde la mas moderna, hasta los mas antiguos.
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3) PCI ("Peripheral
Components Interconect-
Express")
4) MCA ("MicroChannel
Arquitecture")
5) EISA ("Extended Industry
Standard Architecture")
6) VESA ("Video Electronics
Standards Association")
7) ISA 8-16 ("Industry
Standard Architecture")
* Sin definir como ranura ó puerto, pero para fines prácticos lo consideraremos ranura.
Se muestran comenzando del tipo de puertos mas recientes y su respectiva imagen, hasta los mas
antiguos.
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Tipos de memoria integrada y capacidades
Las tarjetas de video, además de integrar su propio microprocesador, también integran cierta
cantidad de memoria RAM especial llamada VRAM ó GRAM ("Video Read Only Memory ó Graphic
Read Only Memory"), la cuál se encarga exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos
mientras una aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria RAM principal se mantenga
disponible para otros procesos, aunque es importante mencionar que mientras la VRAM no sea
solicitada, esta se utilizara como RAM por la computadora.
Memorias y significado de GDDR: ("Graphics Double Data Rate"), la memoria integrada en las
tarjetas de video es de tipo RAM ("Read Aleatory Memory"), por lo que es volátil, es decir, al apagar
la computadora, todos los datos almacenados en ella se pierden. Se muestra en la siguiente tabla
los tipos básicos de memoria que se han integrado actualmente, en este momento es la GDDR5 la
que comienza a ser introducida al mercado comercial.
Capacidad comercial
Tipo de RAM Características
instalada Mb/Gb
Basada en tecnología DDR2, esta
nueva especificación para tarjetas
GDDR5 "Graphics Double gráficas de alto rendimiento, 1.024 Gb, 1.536 Gb, 3.072 Gb
Data Rate 5" provee un doble ancho de banda a hasta 4 Gb
diferencia de GDDR4, que permite
ser configurada a 32 y 64 bits.
Es un tipo de memoria que también
se basa en la tecnología DDR2, que
GDDR4 "Graphics Double
mejora las características de 256 Mb
Data Rate 4"
consumo y ventilación con respecto
a la GDDR3.
Es un tipo de memoria adaptada
para el uso con tarjetas de video,
GDDR3 "Graphics Double con características de la memoria 256 Mb, 384 Mb, 512 Mb, 768
Data Rate 3" DDR2, mejoradas para reducir Mb, 896 Mb, 1 Gb, 1.792 Gb
consumo eléctrico y hacer eficiente
la disipación de calor.
Es un tipo de memoria adaptada
GDDR2 "Graphics Double para tarjetas de video, con
256 Mb, 512 Mb, 1 Gb
Data Rate 2" características de la memoria DDR y
DDR2.
Es un estándar de RAM que
GDDR "Graphics Double Data transmite datos de manera doble 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512
Rate" por canales distintos de manera Mb
simultánea, en este caso está
23
diseñada para el uso en tarjetas de
video.
Hay 2 siglas para este tipo de procesadores de gráficos, acuñadas por 2 empresas dominantes
actualmente: GPU ("Graphics Process Unity") ó unidad de proceso de gráficos y VPU ("Visual
Processing Unity") ó unidad de proceso visual. Independientemente de la forma que se le quiera
denominar, este circuito libera de esa actividad al microprocesador y le permite dedicarse a otras
tareas del sistema haciendo más eficiente al equipo. Estos procesadores de gráficos actualmente
tienden a sobrecalentarse, por lo que se les coloca un disipador de calor con su respectivo
ventilador. Anteriormente dominaban el mercado varias marcas, entre ellas una llamada Trident®,
pero actualmente son 2 marcas de circuitos dominantes, independientemente de la marca de la
tarjeta de video que la integra.
+ ATI Radeon ("Array Tecnologies Inc.") de la empresa fabricadora de procesadores AMD®.
+ GeForce: de la empresa Nvidia® fabricante de unidades de procesamiento gráfico.
+ Ejemplo: Tarjeta de video GeForce*, modelo TC7200 GS, marca Zogis®*, DDR2 256 Mb, PCI-E.
*Se puede observar que hay dos denominaciones presentes, GeForce es el del chip procesador
de gráficos y Zogis® es la marca de la tarjeta de video.
Se trata de tecnología desarrollada e integrada para que la tarjeta principal pueda trabajar
simultáneamente con 2 tarjetas aceleradoras de gráficos de cierta marca, esto es, a la par, y por
ende se aumentan las capacidades al tener dos procesadores de gráficos (GPU) trabajado al mismo
tiempo. La tecnología SLI es desarrollada por la empresa fabricante de GPU´s NVidia® y solo es
compatible con tarjetas de la empresa, mientras que la tecnología CrossFire/XFire son de la empresa
ATI Radeon®, por supuesto aplica solo para tarjetas que tengan GPU de la misma marca. Ambas
tecnologías se encuentran enfocadas a ser utilizadas en los equipos de alto rendimiento utilizados
por jugadores de videojuegos (Gamers) ó para aplicaciones de diseño.
Fuentes SLI/X-Fire
Las tecnologías SLI/X-Fire implementadas en las tarjetas de video, requieren un alto consumo de
energía eléctrica, por lo que la MotherBoard ya no es un medio efectivo para alimentarlas, por ello
se han integrado conexiones directas entre la fuente ATX y las tarjetas de video que se basen en
estos estándares
24
Anteriormente en las tarjetas de video los GPU no tenían la capacidad
de generar calor en exceso y no contaban con dispositivos disipadores,
sin embargo el avance en la capacidad de procesamiento ha hecho
Figura 3. Ventilación de la
necesario el uso de ventiladores que permiten extraer el calor y enfriar.
tarjeta de video
Otra manera actual que se comienza a popularizar es el enfriamiento
basado en agua en las tarjetas de video.
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos
segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir
los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base
de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con
un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También
se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes
por ambas caras como el primer estándar DIMM.
Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3 "Double Data Rate -
3 ".
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Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 MB, velocidad 667 MHz,
tipo PC5300.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
Conector Figuras
Conector de la
DDR-2 memoria
240
terminales Ranura de la
tarjeta principal
Velocidad de la memoria DDR-2
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de
trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:
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Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
PC5300 667 MHz
PC6400 800 MHz
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le
solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre
cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su
destino. Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya
que al aumentar está, también aumenta la latencia.
Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de la firma AMD®:
Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de Intel® se utilizan en equipos: Pentium
4, Core 2 Duo, Core 2 Quad y Core Quad.
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La memoria SODDR (Variante de DDR2)
Los precios se establecen dependiendo de muchas variables, como la situación económica del
país, la ciudad en que se comercializa, los impuestos, la marca, etc., pero haciendo un promedio
estándar a la moneda de referencia internacional, el costo es el siguiente:
DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer
generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas
a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan
con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente
independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su
gran mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan.
Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data Rate - 2 ") y se
busca que lo reemplace.
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales, capacidad para 2
GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V.
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+ Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con disipadores de calor.
+ Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya
riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
+ Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
+ Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo.
+ Con los sistemas operativos Microsoft® Windows mas recientes en sus versiones de 32 bits , es
posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán
como máximo 2 GB ó 3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de
64 bits.
+ Algunas versiones de memorias DDR3 son Plug&Play, por lo que no es necesario reiniciar el
equipo al conectarse y se detecta de manera automática y se añada a la ya existente.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
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Conectores - terminales para la ranura
Conector Figuras
Conector
de la
memoria
DDR-3 240
terminales Ranura
de la
tarjeta
principal
Velocidad de la memoria DDR3
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de
trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le
solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre
cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su
destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya
que al aumentar está, también aumenta la latencia.
Los DDR-3 de 240 terminales se utilizan en equipos con el procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel®
y también en equipos con procesador AMD® Phenom y AMD® FX-74.
Figura 5. Memoria SODDR3, + Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales
204 terminales, 1066 MHz.
para computadoras portátiles.
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+ Las demás especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR3 para
computadora de escritorio.
Precio promedio de la memoria DDR3
Los precios se establecen dependiendo de muchas variables, como la situación económica del
país, la ciudad en que se comercializa, los impuestos, la marca, etc., pero haciendo un promedio
estándar a la moneda de referencia internacional, el costo es el siguiente:
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta
generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras
tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la
tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están
especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación.
También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente
independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
Actualmente está en fase de presentación y no se comercializa, pero se espera que sea el reemplazo
del estándar de memorias RAM tipo DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").
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Partes que componen la memoria DDR4
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los
siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
Conector Figuras
Conector de
la memoria
DDR-4
240 Ranura de la
terminales tarjeta
principal
(similar)
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los
DDR-4, tiene principalmente una velocidad dada a conocer, a la cuál se tienen que adaptar los demás
componentes del resto del sistema. Básicamente se presentó la siguiente:
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le
solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
DDR4 PC4-14900E (No disponible) nseg.
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre
cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su
destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya
que al aumentar está, también aumenta la latencia.
Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM, compatibles con
modelos próximos de procesadores y placas en el año 2015 aproximadamente.
Los precios se establecen dependiendo de muchas variables, como la situación económica del
país, la ciudad en que se comercializa, los impuestos, la marca, etc., pero haciendo un promedio
estándar a la moneda de referencia internacional, el costo es el siguiente:
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Producto Costo en dólares norteamericanos
Memoria DDR4, 2133 Mhz, 2 GB $ No disponible
Tipo 2. SRAM: las siglas provienen de ("Static Read Aleatory Memory") ó estáticas, debido a que
sus chips se encuentran construidos a base de transistores, los cuáles no necesitan constantemente
refrescar su carga (bits) y esto las hace sumamente veloces pero también muy caras. El término
memoria Caché es frecuentemente utilizada pare este tipo de memorias, sin embargo también es
posible encontrar segmentos de Caché adaptadas en discos duros, memorias USB y unidades SSD.
+ Ejemplo: hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo, la cuál cuenta con una toma
de agua, por lo que no necesita esperar la llegada pipas ó carros tanque, sino que inmediatamente
puede realizar sus funciones. Esto la hace rápida ya que tiene la materia de trabajo constante.
Este tipo de memoria se popularizó con la salida al mercado de sistemas operativos gráficos tales
como MacOS de Macintosh® (actualmente Apple®) ó Windows de Microsoft®, debido a que la
memoria instalada en la computadora es regularmente insuficiente para el uso de ventanas, aunque
al parecer el sistema operativo UNIX lo utilizaba de manera normal antes que sus competidores.
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a 256 MB la capacidad disponible del dispositivo, tener una velocidad alta de transmisión de datos y
asignarse del siguiente modo:
Ejemplo: Si tengo 1 GB en RAM, debo tener mínimo (1 GB + 0.5 GB)= 1.5 GB, y máximo 3X(1 GB)=
3 GB.
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