UNIVERSIDAD INGENIERÍA ELECTRÓNICA FECHA:

COOPERATIVA DE
COLOMBIA Dispositivos de estado 22 de mayo de 2018
sólido
FACULTAD DE INGENIERIA Examen Página 1 de 1
CORTE 3

1. La figura 1 muestra la estructura b. V(-750C) = V(250C) = V(1250C) =

básica de bandas para un 0V
material. c. V(-750C) = 20 V, V(250C) = 30 V,
V(1250C) = 40 V
d. V(-750C) = 0 pA , V(250C) = 1 pA,
V(1250C) = 1A

Figura 1
Determine el tipo de radiación que
puede ionizarlo
a. 1.12 m
b. Luz visible
c. IR
d. UV
2. El potencial Zener de un diodo
Zener es muy sensible a la
temperatura de operación. Se
puede utilizar el coeficiente de
temperatura (TC = 0.072/0C) para
determinar el cambio del potencial
Zener debido a un cambio de
temperatura por medio de la Figura 2
siguiente ecuación:
4. La figura 3 muestra el diagrama de
una pared cuántica (QW)
correspondiente a un LED cuyos
El voltaje Zener nominal (VZ) es 10
sustratos tipo N y tipo P están
V a temperatura ambiente. Si la
temperatura se incrementa en fabricados con GaP y una juntura
750C el potencial Zener resultante de AlInGaP.
será:
a. 0.36 V
b. 10.54 V
c. 10.36 V
d. 0.54
3. En la figura 2 se muestra la
variación de las características del
diodo de Si con el cambio de
temperatura. El voltaje de ruptura
(modo Zener) para cada una de
las temperaturas de forma
ascendente, Figura 3
correspondientemente, es:
a. V(-750C) = 0.11 V V, V(250C) = 0.9 Se puede inferir que el fenómeno
V, V(1250C) = 0.6 V de pared cuántica (QW =
quantum well) se da porque.
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a. La energía de gap del AlInGaP

es mayor que la del GaP
b. La energía de gap del AlInGaP
es menor que la de Gap
c. Siempre que se tiene una
juntura de esta naturaleza se
genera el fenómeno
d. Hay una barrera electrónica
que genera procesos de
recombinación
5. Se muestra la curva IV
(característica) del diodo para una
celda solar, figura 4. Cuando la luz
Figura 5
incide (fotones de energía ℎ𝜈)
sobre la juntura PN los portadores
minoritarios pueden difundir a
través de la juntura, originando un
flujo de corriente llamado corriente
de corto circuito ISC (proporcional a
la intensidad de la luz y al área de
la celda).

Figura 4
La ecuación que modela el
comportamiento de la celda solar,
según la gráfica es:
𝑞𝑉
a. 𝐼 = 𝐼0 (𝑒 − 𝐾𝑇 − 1)
𝑞𝑉
b. 𝐼 = 𝐼0 (𝑒 − 𝐾𝑇 − 1) + 𝐼𝑆𝐶
𝑞𝑉
c. 𝐼 = −𝐼0 (𝑒 𝐾𝑇 − 1)
𝑞𝑉
d. 𝐼 = 𝐼0 (𝑒 𝐾𝑇 − 1) − 𝐼𝑆𝐶
6. La figura 5 representa la
característica de un módulo solar
LV30. Determina a partir de los
datos la máxima potencia de
salida.