Práctica Diodos

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA INDUSTRIAL
SEPTIEMBRE 2017 – MARZO 2017
AMBATO-ECUADOR
Integrantes:
 Cristhian Llasha
 Mercedes Sánchez
 Roger Toaza
Práctica de Electrónica de Potencia
PRACTICA No 1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva
característica.
OBJETIVOS PARTICULARES
Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multímetro.
 Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando la polarización directa e

inversa.
 Construir la curva característica (real) de los diodos semiconductores.
INTRODUCCIÓN
Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor, hacia finales de
los años cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la
electrónica. La miniaturización que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus
alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces
más pequeña que un solo elemento de las redes iniciales. El tipo más simple de
dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempeña un papel
importante en los sistemas electrónicos; Con sus características que son muy similares
a la de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde
las más sencillas a las más complejas.
El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos
de la misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante técnicas especiales. En el
momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la región
de la unión se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la región
cercana a la unión. A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama
región de agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unión, debido a la
disminución de portadores en ella.
AMBATO-ECUADOR
En la figura 1, se muestra el símbolo y el aspecto físico de un diodo rectificador, la flecha

que simboliza el ánodo representa la dirección del "flujo convencional de corriente y el
cátodo se identifica con una banda en los diodos pequeños.
La aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibles
polarizaciones: Sin polarización (VD=0); Polarización directa (VD>0) y Polarización
inversa (VD<0 .)
Un diodo semiconductor tiene polarización inversa cuando se asocia el material tipo P a
un potencial negativo y el material tipo N a un potencial positivo.
La polarización directa se da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo P y un
potencial negativo al material tipo N.
A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se le llama
corriente de saturación inversa (IS). Mediante el empleo de la física del estado sólido
se ha llegado a encontrar que la corriente a través del diodo semiconductor es una
función del voltaje aplicado entre sus terminales, de la siguiente manera:
ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes. IS: es el valor de la corriente de

saturación inversa, es del orden de los nanoamperes o de microamperes. K: es una
constante que depende también del material del dispositivo, 11600/η con η=1 para Ge
y η=2 para Si. T: es la temperatura ambiente expresada en °K, (°K = °C + 273).
MATERIAL
• 4 Diodo de Silicio IN4001 o IN4004. • 4 Diodos Zener a 9 volts.
• 2 Diodos de Germanio 0A90. • 4 LED de diferente color.
• 1 Resistor de 220 Ω a 1/2 W. • 1 Resistor de 1 KΩ a 1/2 W.
• 1 Resistor variable de 10KΩ. • Tablilla de experimentación (protoboard).
• Multímetros; Analógico y Digital. • Fuente de voltaje variable de 0 a 30 V.
• Generador de señales. • Osciloscopio.
• Tres puntas para osciloscopio. • Juego de alambres para conexión.
AMBATO-ECUADOR
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS.
a) Por observación, identifique el Ánodo y Cátodo de los distintos diodos que está
utilizando, dibuje y anote sus observaciones.
 Tensión en directa 0.5, A PARTIR DE 0,5 v este diodo trabaja

 Tensión en inversa 0, el diodo esta quemada
 Resistencia Directa es mínima
 Resistencia inverso 0
b) Empleando un “MULTIMETRO ANALÓGICO”, como primera prueba, en la

función de “OHMS” compruebe el inciso anterior, conectando el ohmetro en los extremos
del diodo en polarización directa y polarización inversa, como se indica en la figura 1,
reportando en cada caso la resistencia medida:
Polarización Directa
AMBATO-ECUADOR
Polarización inversa
EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.

a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2, utilizando un diodo de Silicio,
Verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.
b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensión de la fuente V1 en

incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conducción,
anote los valores de VD e ID, en la tabla 1.
AMBATO-ECUADOR
Tabla 1.
VD (mV) ID (uA)
0.1 100 0.306
0.2 200 2.47
0.3 300 17.5
0.4 400 121.2
0.5 500 837.84
0.6 600 5770
0.7 700 38880
c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior.
Tabla 2
VD (mV) ID (nA)
0.1 -100 -45.57
0.2 -200 -52.25
0.3 -300 -53.30
0.4 -400 -53.54
0.5 -500 -53.66
AMBATO-ECUADOR
0.6 -600 -53.76

0.7 -700 -53.8
d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 KΩ, como se
muestra en la figura 3, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus datos
en la tabla 2.
Tabla 3
VD (mV) ID (uA)
0.1 99.68 319.18 nA
0.2 197.62 2.36
0.3 286.52 13.43
0.4 352.05 48.01
0.5 393.96 106.63
0.6 420.33 179.63
0.7 439.54 260.34
e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra

en la figura 3 y anote las mediciones en la tabla 4
AMBATO-ECUADOR
DIRECTA
Tabla 3
MV MA
0,1 100 13,87
0,2 200 0
0,3 300 0
0,4 400 0,055
0,5 499,99 0
0,6 599,99 0,111
0,7 699,99 0
AMBATO-ECUADOR
INVERSA
MV PA
0,1 -100 -100,1
0,2 -200 -200,2
0,3 -300 -300,3
0,4 -400 -400,4
0,5 -499,99 -500,4
0,6 -599,99 -6000,509
0,7 -699,99 -700,69
f) Construya las gráficas de la curva característica de los diodos en polarización

directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores.
DIRECTA LITERAL B
300
250
200
150
100
50
0
0 100 200 300 400 500
AMBATO-ECUADOR
DIRECTA LITERAL D
300
250
200
150
100
50
0
0 100 200 300 400 500
DIRECTA LITERAL E
16
14
12
10
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
g) Arme el circuito de la figura 4, utilizando un diodo de Germanio.

AMBATO-ECUADOR
AMBATO-ECUADOR
EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIÓN

INVERSA.
a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra en

la figura 5.
b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

alcanzar los 15 volts, y obtenga los valores VAB indicados en la parte superior
de la tabla 4 y anote los valores de la corriente ID correspondiente a cada voltaje
VAB indicado.
AMBATO-ECUADOR
Tabla 1
Fuente Vab
0 21.996 nV
1 999.990 mV
2 2.000 V
3 3.000 V
4 4.000 V
5 5.000 V
6 6.000 V
7 7.000 V
8 8.000 V
9 9.000 V
10 9.750 V
11 9.752 V
12 9.754 V
13 9.756 V
14 9.758 V
15 9.760 V
c) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

alcanzar los 15 volts, y obtenga los valores ID indicados en la parte media de la
tabla 4 y anote los valores de voltaje VAB correspondiente a cada valor de la
corriente ID indicado.
Tabla 2
Fuente ID
0 21.99600 pA
1 10.19200 nA
2 20.42800 Na
3 30.64200 Na
4 40.85600 Na
5 51.07000 Na
6 61.28400 Na
7 71.49800 Na
8 81.71200 Na
9 91.83800 Na
10 250.13800 Ua
11 1.24800 Ma
12 2.24600 Ma
13 3.24400 Ma
14 4.24200 Ma
15 5.24000 Ma
AMBATO-ECUADOR
Tabla 3
Fuente R
0 0.001000000000000000000
1 0.000098115188383045500
2 0.000000000097904836499
3 0.000000000097904836499
4 0.000000000097904836499
5 0.000000000097904836499
6 0.000000000097904836499
7 0.000000000097904836499
8 0.000000000097904836499
9 0.000000000097998649796
10 0.000000038978483876900
11 0.007814102564102560000
12 0.004342831700801420000
13 0.003007398273736130000
14 0.002300330033003300000
15 0.001862595419847330000
EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIÓN

DIRECTA
a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.
b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

alcanzar 88los 15 volts, obtenga los valores VAB indicados en la parte
superior de la tabla 5, anote los valores de corriente ID correspondiente a
AMBATO-ECUADOR
cada valor de voltaje VAB indicado y obtenga el valor de la resistencia del

diodo RZ.
Tabla 1
Polarizacion en Inversa
Fuente Vab ID R
0 -12.243 nV 12.24400 pA -0.000999918327344005000
1 609.752 mV 390.13200 uA 0.001562937672377550000
2 646.909 mV 1.35300 mA 478.129342202513000000000
3 663.252 mV 2.33700 mA 283.804878048780000000000
4 673.823 mV 3.32600 mA 202.592603728202000000000
5 681.646 mV 4.31800 mA 157.861509958314000000000
6 687.858 mV 5.31200 mA 129.491340361446000000000
7 693.012 mV 6.30700 mA 109.879816077374000000000
8 697.417 mV 7.30300 mA 95.497329864439300000000
9 701.263 mV 8.29900 mA 84.499698758886600000000
10 704.678 mV 9.29500 mA 75.812587412587400000000
11 707.748 mV 10.29200 mA 68.766809172172600000000
12 710.537 mV 11.28900 mA 62.940650190450900000000
13 713.093 mV 3.24400 mA 219.819050554871000000000
14 715.452 mV 13.28400 mA 53.858175248419200000000
15 717.643 mV 14.28200 mA 50.248074499369800000000
AMBATO-ECUADOR
EXPERIMENTO 5. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN

FRECUENCIAS ALTAS.
a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la
figura 6.
b) Ajuste la salida del generador a una señal senoidal de 5 VPP, partiendo de

10 Hz, realice incrementos en la frecuencia hasta un máximo de 20 MHz.
AMBATO-ECUADOR
Frecuencia
10 Hz
500 Hz
500 kHz
AMBATO-ECUADOR
1 MHz
10 MHz
20 MHz
AMBATO-ECUADOR
c) Con el osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la señal de salida

obtenida en la resistencia, realice 10 lecturas a diferentes frecuencias.
Tabla 1
Frecuencia Vp
10 Hz 4.542
500 Hz 4.548
1 kHz 4.580
500 kHz 4.623
1 MHz 4.691
10 MHz 4.859
20 MHz 4.931
AMBATO-ECUADOR
CUESTIONARIO
1. ¿Qué son los materiales semiconductores intrínsecos y extrínsecos?

 Los semiconductores extrínsecos, son aquellos en que se ha introducido
un elemento contaminante, llamado impureza, generalmente del grupo III
o V de la tabla periódica, que cambia drásticamente las propiedades de
conducción del material intrínseco, reduciendo enormemente la
resistividad del mismo.
 Los Semiconductores Intrínsecos son aquellos materiales que presentan
una conductividad nula a bajas temperaturas, pero que pueden ser
débilmente conductores a temperatura ambiente, debido a que la anchura
de la Banda Prohibida no es elevada, lo que hace que la resistividad del
material, con ser alta no sea infinita. Algunos de los semiconductores
intrínsecos, o en estado de máxima pureza más conocidos son el Silicio
(Si), el Germanio (Ge), o el Arseniuro de Galio (AsGa). La tabla muestra
la anchura de la Banda Prohibida para los mismos [1].
2. ¿Qué significa polarización directa y polarización inversa de un diodo?
 Polarización directa, la parte p se somete a un potencial positivo respecto
de la n reduciéndose la barrera de potencial en dicha cantidad.
 Polarización inversa, la parte n tiene una tensión positiva aplicada con
respecto de la p. La barrera de potencial se ve aumentada [2].
3. ¿Cuál es la importancia de los semiconductores?

 La importancia de los semiconductores es que tiene diversas aplicaciones
en el desarrollo técnico de diferentes dispositivos electrónicos, lo podemos
observar en el desarrollo de los transistores, circuitos integrados, entre
otros, ya que es un semiconductor y hoy en día es el elemento más
importante de la electrónica, estos son utilizados por la mayoría de
dispositivos eléctricos o electrónicos.
 A bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la
temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas resulta
posible su conducción.
4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.

 Fáciles de conseguir y caídas de tensión directas muy pequeñas.
 Trabaja con frecuencias elevadas.
 necesita menores tiempos de recuperación.
AMBATO-ECUADOR
5. Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a un diodo

semiconductor y se tiene una sobrecarga.
 El diodo al ser polarizado en inversa tiene un valor de tensión establecido
por el fabricante, este tiene una zona de ruptura; si se incrementa la
tensión esta puede destruir o quemar el diodo dejándolo inservible.
6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.
 DIODO RECTIFICADOR: Los diodos rectificadores son aquellos
dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización directa
(arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen.
 DIODO ZÉNER: Un diodo Zener es un semiconductor que se distingue por
su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando
se encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como
elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50
watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
 DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s): Es un diodo que entrega luz al
aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una
recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP.
 FOTODIODOS: Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana
transparente cuya corriente inversa puede ser controlada en un amplio
rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre
la unión PN [3].
7. Describa el comportamiento de un diodo ideal.
 El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación
de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras
que la bloquea en el sentido contrario.
 El sentido permitido para la corriente es de ánodo (a) a cátodo (k).
 El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al aso
de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el
sentido opuesto.
 Si el diodo es de Si, sabemos que Vy = 0,7 V (0,2 V si fuese de Ge).
Por tanto, si las tensiones con las que trabajamos en el circuito son
muy superiores a este valor, podremos despreciar estos 0,7 V sin
cometer un gran error [4].
8. Explique cómo afecta la temperatura a un material semiconductor.
 El componente pierde sus propiedades de semiconductor, afectado a la
corriente de perdida inversa y a la Caída de tensión directa.
9. Explique que es la región ZENER.
 También conocida como zona de ruptura, en donde el diodo Zener se
diseña con capacidad para disipar una potencia suficiente que les permita
trabajar en esta zona y esto hace que funciona como un regulador.
 En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto Zener",
esto es, la corriente aumenta bruscamente.
 El proceso de ruptura en los Zener no es irreversible [5].
AMBATO-ECUADOR
10. ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica?

 Resistencia estática: Si el diodo está trabajando en DC, en un punto de
trabajo determinado y constante (V,I) de la característica, el diodo
presentará una resistencia también constante llamada resistencia estática.
 Resistencia dinámica: Si el diodo trabajo con voltajes variables, es decir
que el punto de trabajo (V.I) se va a mover con el tiempo por la curva
característica, la resistencia que va a presentar el diodo también va a
variar, dependiendo esta del punto de trabajo en cada instante.
11. Describa la electroluminiscencia en un LED.
 La Electroluminiscencia es la emisión de luz por parte de un material
cuando es sometido a la aplicación de un voltaje. La estructura básica de
un Dispositivo Electroluminiscente, OLED (diodo orgánico emisor de luz),
consiste en una o más capas orgánicas semiconductoras situadas entre
dos electrodos.
 Son aquellos que contienen una cierta cantidad de material fósforo y
emiten una luz al paso de una corriente eléctrica, dopados con pequeñas
cantidades de iones activadores de tierras raras o iones de metales de
transición.
 Los iones activadores actúan como emisores o centros luminiscentes y
poseen niveles energéticos que pueden ser activados por excitación
directa o indirecta por transferencia de energía a través de algún lugar de
la estructura del material portador para que la emisión de luz ocurra, por lo
que un fósforo adecuado debe absorber la energía de excitación y después
emitir luz rápida y eficientemente como sea posible.
 El tiempo que transcurre entre la excitación y la emisión debe ser lo

suficientemente pequeño para evitar destellos. Para que ocurra la
iluminación, la excitación de los fósforos se consigue mediante la
aplicación de campos eléctricos intensos a altas frecuencias [6].
12. Cuáles son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio.
Diodos de silicio
 La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada
lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y
arsénico o fósforo en el lado del cátodo), y la articulación donde las
impurezas se unen se llama la "unión pn".
 Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios.
Una vez que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los
0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través de
su unión pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios,
AMBATO-ECUADOR
la unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo

dejará de funcionar como una vía eléctrica.
 Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar,
los diodos de silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.
Diodos de germanio
 Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de
silicio. Los diodos de germanio también utilizan una unión pn y se
implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo
los diodos de germanio, tienen una tensión de polarización directa de 0,3
voltios.
 El germanio es un material poco común que se encuentra generalmente
junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el
germanio es más caro, por lo que los diodos de germanio son más difíciles
de encontrar (y a veces más caros) que los diodos de silicio [7].
13. Explique la respuesta de conducción de corriente de un semiconductor sujeto
a frecuencias altas.
 La corriente en frecuencias altas tiene a sobrecalentar el semiconductor,
es decir, el semiconductor al tomar altas frecuencias deja de actuar como
un rectificador tomando de nuevo la forma de la honda dependiendo el tipo
de semiconductor así mismo aguanta diferentes frecuencias.
Referencias
[1] L. Rafael, «Principios Básicos de Semiconductores,» de Introducción a la
Tecnología de los Computadores, p. 4.
[2] U. d. Valencia, 23 Septiembre 2008. [En línea]. Available:
https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T1.pdf. [Último acceso: 25 Octubre
2017].
[3] A. Chiarena, «Electronica,» [En línea]. Available:
https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos. [Último acceso: 25
Octubre 2017].
[4] M. SCHIAVON, «FICEIA,» 2012. [En línea]. Available:
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Diodos%20-%202012.pdf. [Último
acceso: 26 Octubre 2017].
[5] J. Giambiagi, «Universidad de Buenos Aires-Exactas Departamento de
Fisica,» Abril 2014. [En línea]. Available:
http://materias.df.uba.ar/labo3aa2014c1/files/2014/04/Apunte-diodo-zener-
1344535622.pdf. [Último acceso: 26 Octubre 2017].
[6] U. Méndez, «330ohms,» 11 Mayo 2016. [En línea]. Available:
https://www.330ohms.com/blogs/blog/116876548-dispositivos-
electroluminiscentes-que-son-y-como-funcionan. [Último acceso: 26 Octubre
2017].
[7] J. Alvarez, «Ehowenespanol,» 2017. [En línea]. Available:
http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-germanio-del-diodo-
silicio-lista_153695/. [Último acceso: 26 Octubre 2017].

Práctica Diodos

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UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

 Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando la polarización directa e

En la figura 1, se muestra el símbolo y el aspecto físico de un diodo rectificador, la flecha

ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes. IS: es el valor de la corriente de

 Tensión en directa 0.5, A PARTIR DE 0,5 v este diodo trabaja

b) Empleando un “MULTIMETRO ANALÓGICO”, como primera prueba, en la

EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.

b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensión de la fuente V1 en

c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior.

0.6 -600 -53.76

e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra

f) Construya las gráficas de la curva característica de los diodos en polarización

g) Arme el circuito de la figura 4, utilizando un diodo de Germanio.

EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIÓN

a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra en

b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

c) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIÓN

a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.

b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

cada valor de voltaje VAB indicado y obtenga el valor de la resistencia del

EXPERIMENTO 5. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN

b) Ajuste la salida del generador a una señal senoidal de 5 VPP, partiendo de

c) Con el osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la señal de salida

1. ¿Qué son los materiales semiconductores intrínsecos y extrínsecos?

3. ¿Cuál es la importancia de los semiconductores?

4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.

5. Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a un diodo

10. ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica?

 El tiempo que transcurre entre la excitación y la emisión debe ser lo

la unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo

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