Funcionamiento y características del diodo

rectificador

Jorge Andrés Forero,

darkang241@hotmail.com

Reyes Antonio López Fique,

anlopez1970@hotmail.com

Ricardo Andrés Vega Torres

ravegat@itc.edu.co

RESUMEN. En el presente informe de laboratorio se reúnen las
características observadas durante el desarrollo de la práctica
correspondiente al funcionamiento del diodo rectificador como
elemento activo de control del flujo y polaridad de la corriente que
recorre un circuito, así como su función como elemento de
conversión de corriente alterna en corriente directa, también se
repasan los conceptos de polarización directa, polarización inversa,
voltajes de ruptura, corriente transitoria, corriente inversa de
saturación, tensión de umbral, diodo ideal, rectificador de media
onda y rectificador de onda completa, esta práctica se realizó en
los laboratorios de electrónica análoga de la Escuela Tecnológica
Instituto Técnico Central el día 10 de abril del 2018 bajo la
dirección del docente Ingeniero Gabriel Peña
rectificador de onda completa conectado a un circuito de
alimentación de corriente alterna
3. OBJETIVOS SECUNDARIOS
Observar el comportamiento de la onda que fluye a través de un
diodo rectificador al ser conectado con polaridad directa a una
fuente de tensión alterna empleando un osciloscopio midiendo los
valores del voltaje de la onda de alimentación y el voltaje de la
onda de salida
Determinar el valor de tensión de ruptura del diodo semiconductor
con polaridad directa conectado en serie a una fuente de tensión y
los valores de la intensidad y la tensión a la que es sometido el
circuito conectado en serie a dicho diodo semiconductor

PALABRAS CLAVE. Rectificador de media onda,
rectificador de onda completa, Polarización directa, polarización
inversa, voltaje de ruptura.
Medir el valor de tensión de ruptura del diodo semiconductor
conectado con polaridad inversa que se encuentra en serie a una
fuente de tensión y los valores de la intensidad y tensión a la que
es sometido el circuito conectado en serie a dicho diodo
semiconductor

ABSTRACT. In this laboratory report it presents the 4. MARCO TEORICO

characteristics observed during the development of the practice
corresponding to the rectifier diode functioning as an active
element for controlling the flow and polarity of the current through
a circuit, as well as its function as a current conversion element are
gathered from alternating current to direct current, the concepts of
direct polarization, inverse polarization, rupture voltages, transient
current, inverse saturation current, threshold voltage, ideal diode,
half wave rectifier and full wave rectifier are also reviewed, this
practice was carried out in the analogous electronics laboratories of
the Escuela Tecnologica Instituto Técnico Central on April 10,
2018 under the direction of the teacher Engineer Gabriel Peña
4.1 Semiconductores
Los semiconductores son elementos con propiedades intermedias
entre un conductor y un aislante por lo general tienen en su estado
natural cuatro electrones de valencia y conforman cristales
estableciendo enlaces covalentes compartiendo sus electrones de
valencia entre átomos circunvecinos, como se puede ver en la
siguiente ilustración.

KEYWORDS. Half wave rectifier, full wave rectifier, direct

polarization, reverse polarization, breaking voltage.

2. OBJETIVO PRINCIPAL
Analizar el funcionamiento del diodo semiconductor como
elemento de switcheo , su conexión como rectificador de media
onda polarizado directa e inversamente y su comportamiento como Ilustración 4.1 Átomo de cristal de silicio puro, tipo de enlace
covalente
Dentro de un cristal de un semiconductor de silicio intrínseco
(formado solo por átomos de silicio) y que es sometido a un cambio
de temperatura se generan vibraciones en los átomos de silicio,
estas vibraciones hacen que los electrones ubicados en el orbital
más alejado del núcleo conocidos como electrones de valencia se
desliguen fácilmente del átomo, ya que la fuerza de atracción que
ejerce el núcleo atómico sobre ellos es menor que la fuerza ejercida
sobre los demás electrones que componen el átomo. Estos
electrones que saltan por lo general hacia un átomo circunvecino
dejan un hueco que a su vez es llenado por otro electrón libre
provocado por la vibración y que salta de otro orbital covalente de
los átomos colindantes, este proceso se repite muy a menudo en los
átomos que son contenidos en un cristal de un semiconductor así
como se representa en la siguiente
Ilustración 4.2 Flujo de un electrón libre y un hueco en un
material semiconductor1
Para aumentar la conductividad de los materiales semiconductores
estos son sometidos a procesos de dopado, estos tratamientos
consisten en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco para
modificar su conductividad eléctrica, a este semiconductor dopado
se le conoce como semiconductor extrínseco, en caso de querer
aumentar el número de electrones libres se añaden al cristal
intrínseco de silicio elementos que contengan en su último orbital
cinco electrones de valencia, a este tipo de dopado se le conoce
como unión tipo n mientras que si lo que se quiere es aumentar el
número de huecos se añaden al cristal del semiconductores
impurezas de elementos que contengan en su orbital tres electrones
de valencia, a este tipo de dopado se le conoce como unión tipo p
4.2 El diodo rectificador
El diodo rectificador es un componente semiconductor compuesto
por una unión P-N. Se encuentra encapsulado en un recinto cerrado
del que parten dos terminales referenciados como ánodo (positivo)
y cátodo (negativo). Mientras que en una resistencia eléctrica la
caída de tensión en sus extremos es proporcional en todo momento
a la intensidad que la atraviesa, no sucede lo mismo en el diodo. El
motivo es la exigencia de una tensión mínima llamada tensión de
umbral o voltaje de ruptura entre ánodo y cátodo para que se inicie
la conducción. En los diodos de germanio la tensión de umbral es
de aproximadamente 0,3 Voltios. En los diodos de silicio la tensión
de umbral se sitúa alrededor de los 0,7 Voltios.
En si un cristal de semiconductor tipo n funciona igual que una
resistencia de carbón, de igual manera sucede con los cristales de
semiconductores tipo p, lo verdaderamente útil para el
funcionamiento de rectificación de un semiconductor es la unión p-
n o frontera física entre los dos cristales presentes en elementos
1 ilustración tomada del libro principios de electrónica de Malvino,
Paul Albert, Editorial Mc Graw hill, Séptima edición, Pagina 40.
electrónicos tales como el diodo, el transistor, circuitos integrados
entre otros.
Cada átomo trivalente (posee tres electrones en su último orbital)
en un cristal de silicio produce un hueco debido a esto se representa
como un cristal de semiconductor tipo p ya que queda cargado
positivamente. De la misma forma los átomos pentavalentes
(poseen cinco electrones en su último orbital) en un cristal de
silicio producen electrones libres. En la siguiente imagen tomada
del libro de principios de electrónica de Malvino, pagina 57
podemos observar el comportamiento de los semiconductores tipo p
y lo semiconductores tipo n, el cristal dopado con átomos
trivalentes están representados con un signo menos dentro del
paréntesis y un signo más en su exterior que representa el hueco
producido en el semiconductor mientras que el cristal dopado con
átomos pentavalentes están representados con un signo más dentro
del paréntesis y un signo menos en su exterior que representa el
electrón libre que se añade al semiconductor. Como se puede
observar en la imagen cada cristal de material semiconductor es
eléctricamente neutro porque el número de cargas negativas es
igual al número de cargas positivas.
Ilustración 4.3 Semiconductores con dopado de elementos
trivalentes y pentavalentes (uniones tipo p y uniones tipo n)2
La zona de depleción es generada debido a la repulsión mutua entre
los electrones libres del lado n que tienden a dispersarse en
cualquier dirección, sucede que algunos electrones libres se
difunden atravesando la unión, cuando un electrón libre entra en la
región p se convierte en un portador minoritario. Con tantos huecos
a su alrededor, este electrón tiene un tiempo de vida muy corto, al
poco tiempo de entrar en la región tipo p, el electrón libre cae en
un hueco, cuando esto sucede, el hueco desaparece y el electrón
libre se convierte en un electrón de valencia, cada vez que un
electrón se difunde a través de la unión, crea un par de iones.
Cuando un electrón abandona el lado n, deja un átomo pentavalente
al que le hace falta una carga negativa; este átomo se convierte en
ion positivo cuando el electrón cae en un hueco en el lado p el
átomo trivalente que lo ha capturado se convierte en ion negativo.
Cada pareja de iones positivo y negativo en la unión recibe el
nombre de dipolo. La creación de un dipolo hace que desaparezcan
un electrón libre y un hueco. A medida que aumenta el número de
dipolos, la región cercana a la unión queda vacía de portadores esta
zona libre de portadores es a la que se le conoce como zona de
depleción, esta puede ser observada en la siguiente imagen que
muestra la creación de iones en ambos lados de la unión y la
formación de la zona de depleción.
2 ilustración tomada del libro principios de electrónica de Malvino,
Paul Albert, Editorial Mc Graw hill, Séptima edición, Pagina 57.
 disipa 2,3 vatios, un portalámparas, un multímetro conectado en
serie al diodo empleado para tomar la medida de corriente
(amperímetro), otro multímetro conectado en paralelo a la carga y
al diodo para tomar la medida de voltaje del diodo rectificador
(tensión de ruptura), además se ha empleado una fuente dual para
regular la tensión entregada por la fuente, conectores caimán
banana, conectores caimán - caimán y cables conectores entre
otros.

En la siguiente imagen observamos el montaje práctico realizado

durante la práctica de laboratorio, aquí el voltaje de alimentación
entregado por la fuente es de 5 Voltios, el voltaje de la carga es de
3,845 voltios (multímetro Fluke 115) y la corriente que recorre el
circuito es de 112,9 miliamperios (multímetro Uni-t ut33c)

Ilustración 4.4 Zona de depleción3

5. DESARROLLO
5.1.1 Conexión del diodo semiconductor de silicio con polaridad
directa

En este primer circuito conectamos en serie un diodo rectificador

de referencia 1N4007 y una lámpara incandescente (12 voltios 2,3
vatios) a una fuente de corriente continua variable tomando los
valores de las tensiones en paralelo al elemento rectificador en este
caso el diodo y al elemento resistivo en este caso la lámpara
incandescente, también se toma el valor correspondiente de la
corriente de acuerdo a la tensión aplicada por la fuente. El objetivo
de este primer circuito es determinar la tensión de ruptura en el cual
el diodo conectado con polaridad directa permite el flujo de
corriente por el circuito.
Ilustración 5.1.2 Montaje practico conexión de polaridad
En el siguiente grafico tomado del programa proteus podemos directa diodo semiconductor
observar el circuito montado durante el desarrollo de la práctica de
5.1.3 Mediciones prácticas
laboratorio.
En la siguiente tabla se reúnen los valores de las mediciones
realizadas durante el desarrollo de la práctica de laboratorio, el
valor de la tensión se da en Voltios mientras que el valor de la
corriente se da en miliamperios.

Voltaje de Voltaje en las Voltaje en las Corriente que

alimentación terminales del terminales de recorre el
fuente diodo la lámpara circuito
(voltios) (voltios) (voltios) (miliamperios)
0,1 0,1 0 0
0,2 0,2 0 0
0,3 0,3 0 0
0,4 0,4 0 0
0,5 0,5 0,006 0,03
0,6 0,6 0,069 1,0
0,7 0,7 0,086 1,6
0,8 0,7 0,13 6,5
0,9 0,7 0,144 9,5
1 0,7 0,2 17,8
2 0,7 1 53,6
3 0,7 1,97 76,4
Ilustración 5.1.1 Diagrama de conexión del diodo semiconductor 4 0,7 2,92 95,6
polaridad directa 5 0,7 3,84 113,2
6 0,7 4,75 128,5
5.1.2. Materiales empleados 7 0,7 5,73 143,4
8 0,7 6,67 157,7
En este montaje práctico empleamos un diodo semiconductor de 9 0,7 7,64 171
referencia 1N4007, una lámpara incandescente de 12 voltios que 10 0,7 8,54 182,6
11 0,7 9,52 194,3
3 ilustración tomada del libro principios de electrónica de Malvino, 12 0,7 10,94 210
Paul Albert, Editorial Mc Graw hill, Séptima edición, Pagina 57. 13 0,7 11,88 220
 14 0,7 12,84 230
15 0,7 13,83 250
16 0,7 14,8 260
17 0,7 15,7 270
18 0,7 16,61 280
19 0,7 17,59 290
20 0,7 18,5 300
Tabla 5.1 Valores tomados de la conexión del diodo
semiconductor polaridad directa

25

20

Ilustración 5.2.1 Esquema de conexión diodo semiconductor de

polaridad inversa
15
5.2.2 Materiales empleados

En este montaje práctico empleamos un diodo semiconductor de

10 referencia 1N4007 conectado con polaridad inversa (cátodo
positivo, ánodo negativo), un lámpara tipo piloto de 220 voltios
conectado en serie al diodo, un multímetro conectado en serie al
diodo empleado para tomar la medida de corriente (amperímetro),
5
otro multímetro conectado en paralelo a la carga y al diodo para
tomar la medida de voltaje del diodo rectificador (tensión de
ruptura), además se ha empleado una fuente dual para regular la
0 tensión entregada por la fuente, conectores caimán banana,
conectores caimán - caimán y cables conectores entre otros.
1 3 5 7 9 2 4 6 8 10 12 14 1 6 18 20
0 . 0. 0. 0 . 0.
En la siguiente imagen se observa el montaje de conexión del diodo
rectificador con polaridad inversa, se aplica desde la fuente en este
Tensión fuente variable caso el banco de Lorenzo cerca de 287 Voltios de corriente directa
Tensión carga Tensión diodo

Ilustración 5.1.3 Grafica tensión de la carga y tensión del diodo

respecto a la tensión aplicada por la fuente

5.2.1 Conexión del diodo semiconductor de silicio con polaridad

inversa

En este circuito como en el anterior conectamos en serie un diodo

rectificador de referencia 1N4007 y una lámpara incandescente (12
voltios 2,3 vatios) a una fuente de corriente continua variable pero a
diferencia del anterior montaje invertimos la polaridad del diodo
colocando el catodo del diodo rectificador enfrentado a la terminal
positiva de la fuente y el anodo enfrentado a la terminal negativa de
la fuente, aquí se toman los valores de las tensiones en paralelo al
elemento rectificador en este caso el diodo y al elemento resistivo
en este caso la lámpara incandescente, también se toma el valor
correspondiente de la corriente de acuerdo a la tensión aplicada por
la fuente. El objetivo de este circuito es determinar la tensión de Ilustración 5.2.2 Montaje practico conexión diodo semiconductor
ruptura de conducción en inversa en el cual el diodo conectado con polaridad inversa
polaridad inversa solo permite el flujo de corriente cuando se
rompe la tensión de ruptura en inverso vale aclarar que durante la 5.2.3 Mediciones prácticas
práctica de laboratorio nunca se pudo sobrepasar este valor ya que
la fuente solo alcanzaba un valor máximo de tensión en corriente Durante el desarrollo de las mediciones prácticas de la conexión del
continua de 286 voltios, sin embargo se toman valores de tensión diodo en polaridad inversa no se pudo medir el voltaje de ruptura
en el diodo rectificador, tensión en la carga y la corriente circulante en inverso debido a que la fuente empleada en este caso el banco de
que atraviesa el circuito. Lorenzo no superaba los 400 voltios de la tensión de ruptura en
inverso por lo tanto los datos recopilados en la siguiente tabla
En la siguiente ilustración se puede ver la conexión en inversa que asumiendo que el voltaje en las terminales del piloto empieza a
aumentar a medida que aumentamos el voltaje entregado por la
se realiza en el desarrollo de la práctica de laboratorio, imagen
fuente y sobrepasa los 400 voltios comportándose como un circuito
tomada del software proteus.
en serie.

Voltaje de Voltaje en las Voltaje en las Corriente que

alimentación terminales terminales de recorre el
 del diodo
fuente la lámpara circuito
inverso
(voltios) (voltios) (miliamperios)
(voltios)
10 10 0 0
20 20 0 0
30 30 0 0
40 40 0 0
50 50 0 0
60 60 0 0
70 70 0 0
80 80 0 0
90 90 0 0
100 100 0 0
150 150 0 0
200 200 0 0
250 250 0 0
300 300 0 0 Ilustración 5.3.1 Esquema de conexión diodo rectificador de
350 350 0 0,001 media onda
400 400 0,5 0,002
410 400 10 0,2 5.3.2 Materiales empleados
420 400 20 0,5
430 400 30 0,85 En este montaje practico empleamos un transformador con una
450 400 50 1,05 relación de transformación de 10:1 (120 voltios a 12 voltios), un
500 400 100 1,5 interruptor, un fusible de 500 miliamperios, un porta fusible tipo
capuchón, un diodo rectificador referencia 1N4007, una lámpara
incandescente de 12 voltios y un portalámparas adecuado, se
450 emplea una fuente de alimentación de tensión de corriente alterna
400 de 120 voltios suministrado por el banco de Lorenzo al primario
del transformador entregando en promedio 24 voltios entre los
350 extremos del transformador y 12 voltios con respecto al tap
300 central. Para las mediciones se empleó un osciloscopio digital
marca Rigol DS 102E, un multímetro marca Uni-t ut 33 c, y un
250
multímetro Fluke 115
200
150 En la siguiente imagen se observa la conexión del circuito de
rectificación de media onda empleado en la práctica de
100 laboratorio.
50
0

Voltaje diodo Voltaje lampara

Ilustración 5.2.3 Grafica de tensión del diodo en polaridad inversa

y tensión en la lámpara

5.3.1 Conexión del diodo semiconductor de silicio como

rectificador de media onda

En este circuito empleando un trasformador reductor y empleando

el tap central obtenemos 12 voltios de alimentación entonces
usando un diodo rectificador puesto en serie con una carga en este Ilustración 5.3.3 Montaje practico conexión diodo rectificador de
caso una lámpara incandescente, el objetivo de este montaje es media onda
observar el comportamiento del diodo rectificador de media onda
que solo conduce los picos positivos de la onda sinusoidal que sale 5.3.3. Mediciones prácticas
del transformador empleando un osciloscopio y contrastándolos
con los valores teóricos hallados previamente. Empleando el osciloscopio para observar el comportamiento de la
onda sinusoidal sale del transformador y la onda sinusoidal
En la siguiente ilustración se puede ver la conexión del diodo recortada que sale del diodo se tomaron las siguientes medidas del
rectificador de media onda empleando el software proteus para la funcionamiento de rectificación de media onda.
simulación de circuitos.
Voltaje salida del Voltaje salida del Voltaje salida de la
transformador transformador rectificación de
instrumento voltaje voltaje pico a pico media onda medida
rms medida con el medido por el por el osciloscopio carga en este caso dos lámparas incandescentes conectadas en serie,
multimetro osciloscopio el objetivo de este montaje es observar el comportamiento del
12,96 v 19,1 v 18,63 V diodo rectificador de onda completa que solo conduce los picos
positivos de la onda sinusoidal que sale del transformador pero que
a diferencia del rectificador de media onda duplica la frecuencia de
En las siguientes imágenes podemos observar la medida de esos
las ondas rectificadas que recorren el circuito empleando un
valores prácticos que se realizaron con el osciloscopio durante el
osciloscopio y contrastándolos con los valores teóricos hallados
desarrollo del laboratorio.
previamente.

En la siguiente ilustración se puede ver la conexión del diodo

rectificador de onda completa empleando el software proteus para
la simulación de circuitos.

Ilustración 5.3.3.1 onda sinusoidal pico a pico, salida del

transformador entre la terminal de +12V y el tap central 0V

Ilustración 5.4.1 Esquema de conexión diodo rectificador de

onda completa

5.4.2 Materiales empleados

En este montaje practico empleamos un transformador con una

Ilustración 5.3.3.2 rectificación de media onda medida a la
salida del diodo rectificador
relación de transformación de 10:1 (120 voltios a 12 voltios), un
interruptor, un fusible de 500 miliamperios, un porta fusible tipo
capuchón, dos diodos rectificadores de referencia 1N4007, dos
lámpara incandescente de 12 voltios y un portalámparas
adecuado, se emplea una fuente de alimentación de tensión de
corriente alterna de 120 voltios suministrado por el banco de
Lorenzo al primario del transformador entregando en promedio 24
voltios entre los extremos del transformador y 12 voltios con
respecto al tap central. Para las mediciones se empleó un
osciloscopio digital marca Rigol DS 102E, un multímetro marca
Uni-t ut 33 c, y un multímetro Fluke 115

En la siguiente imagen se observa la conexión del circuito de

rectificación de media onda empleado en la práctica de
laboratorio.

Ilustración 5.3.3.3 Comparación de las dos señales empleando

el canal 1 para la salida del transformador y el canal 2 para la
salida del diodo rectificador

5.4.1 Conexión del diodo semiconductor de silicio como

rectificador de media onda

En este circuito empleando un trasformador reductor y empleando

el tap central obtenemos 12 voltios de alimentación entonces
usando dos diodos rectificadores conectados en paralelo con una
5.4.3. Mediciones prácticas

Empleando el osciloscopio para observar el comportamiento de la

onda sinusoidal sale del transformador y la señal rectificada que
sale de los diodos en paralelo se tomaron las siguientes medidas del
funcionamiento de rectificador de onda completa

Voltaje Corriente que Voltaje salida del

alimentación de la recorre el circuito transformador
lámpara medida en serie con voltaje pico a pico
el multimetro medido con el
osciloscopio
28,4 V 0,078 A 29,2 V

Ilustración 6 Señal de salida del transformador valor tomado

En las siguientes imágenes podemos observar la medida de esos
valores prácticos que se realizaron con el osciloscopio durante el
desarrollo del laboratorio.
entre las terminales de +12V y -12V
ANEXOS
Imágenes de las mediciones realizadas durante la conexión del
diodo semiconductor con polaridad directa en cada una se
especifica el voltaje suministrado por la fuente de poder.

1 Voltaje fuente 3 Voltios

Ilustración 5.4.3.1 Corriente total que recorre el circuito

2 Voltaje fuente 5 Voltios

Ilustración 5.4.3.2 Señal de salida de los diodos en paralelo

Ilustración 5.4.3.3 Señal de salida de los diodos en paralelo

rectificación de onda completa
3 Voltaje fuente 6 Voltios 7 Voltaje fuente 10 Voltios

4 Voltaje fuente 7 Voltios 8 Voltaje fuente 11 Voltios

9 Voltaje fuente 12 Voltios

5 Voltaje fuente 8 Voltios

10 Voltaje fuente 13 Voltios

6 Voltaje fuente 9 Voltios
11 Voltaje fuente 14 Voltios 15 Voltaje fuente 18 Voltios

12 Voltaje fuente 15 Voltios 16 Voltaje fuente 19 Voltios

13 Voltaje fuente 16 Voltios 17 Voltaje fuente 20 Voltios

14 Voltaje fuente 17 Voltios CONCLUSIONES

BIBLIOGRAFIA
Electrónica teoría de circuitos. Boylestad, Robert, Editorial
Pearson. Sexta edición.

Analisis básico de circuitos en ingeniería. Irwin, J David, Editorial

Limusa, Quinta edición.

Principios de electrónica Paul Albert, Editorial Mc Graw hill,

Séptima edición.