ESCUELA MILITAR DE INGENIERÍA

SISTEMAS DIGITALES II
LABORATORIO N º 8
MEMORIA ROM

1. Objetivo: El presente laboratorio tiene como objetivo el manejo de la

memoria ROM tipo EEPROM 2816 donde se realizaran los ciclos de
lectura y escritura conforme a las características del C.I. seleccionado ..

2. MATERIALES E INSTRUMENTOS:

1.1. MATERIALES:

o 8 resistencias de 330 Ohms

o 8 resistencias de 10 K Ohms
o Memoria ROM tipo EPROM 2816
o 1 Dip switch
o 1 pulsador.

1.2. INSTRUMENTOS:

o Fuente de alimentación de 5 V.
o Protoboar.
o Multimetro digital.
o Cables de conexión.

2. MARCO TEÓRICO

Una memoria ROM contiene datos almacenados en forma permanente o semi permanente.
Una memoria ROM almacena datos que pueden ser usados repetidamente en aplicaciones
de sistemas electrónicos tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para
inicialización de un sistema micro computarizado.

La memoria ROM retiene datos almacenados cuando se corta la energía y por tanto son
memorias no volátiles.

La memoria ROM de máscara es el tipo de memoria que se programa en el momento de la

fabricación del C.I. La PROM es el tipo de memoria en la cual los datos son almacenados
por el usuario con la ayuda de equipo especializado. La UVPROM es programada
eléctricamente por el usuario pero los datos pueden ser borrados por exposición a rayos

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ultra violeta sobre un periodo de varios minutos. La EEPROM que puede ser escrita y leída
en forma eléctrica puede ser borrada en milisegundos.

MEMORIA EEPROM 2816

La memoria 2816 desarrollada inicialmente por INTEL es una memoria EEPROM de 16384
bits, que puede ser leída con una tensión de alimentación de 5 V y escrita y borrada con
un pulso de 21 V.

La memoria 2816 posee 11 líneas de direccionamiento y 8 líneas de entrada/salida de

datos.

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Diagrama funcional memoria 2816

Pin out de la memoria 2816 Identificación de los pines

Ciclo de lectura de la memoria EEPROM 2816

Las líneas de control CE y OE deben encontrase en nivel lógico BAJO para obtener
información del chip. Los datos están disponibles en las salidas después de un retardo de
tiempo toe asumiendo que las direcciones están estables y CE se encuentra en nivel lógico
bajo.

Ciclo de escritura de la memoria EEPROM 2816

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Para escribir en una posición de memoria particular se debe primero borrar la posición de
memoria correspondiente. El borrado se logra aplicando un 1 lógico a los pines de datos,
poniendo en BAJO el pin CE y aplicando un pulso de 21 V a Vpp.

3. DESARROLLO DE LABORATORIO

3.1. CIRCUITO IMPLEMENTADO

MONTAJE DE PROGRAMACIÓN DE EPROM 2816

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3.2. TABLAS DE TERMINALES DE EPROM 2816

3.3. TABLAS DE CONFIGURACION DE EPROM 2816

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3.4. SIMULACION

CIRCUITO IMPLEMENTADO (PROTEUS)

4. DESARROLLO DEL LABORATORIO

 Se revisó la hoja de datos de la memoria EPROM 2816

 Se procedió armar el circuito que se mostró anteriormente, para borrar
la memoria
 Posteriormente se realizó una tabla de diez direcciones diferentes
donde se grabaron datos binarios.
 Seguidamente se comprobaron los datos guardados en las
direcciones anteriores, y se demostró los ciclos de lectura que se
especifican para la memoria ROM.
 Se verificó los ciclos de lectura que se especifican para la memoria
ROM.

5. CONCLUSIONES

 En este laboratorio pudimos ver como se hace la lectura y escritura

manual en la memoria EEROM 2816 y para eto utilizamos
interruptores y circuitosindicadores que ya vienen montado en el
microtrainer 8085.
 Se pudo sacar deducir que esta memoria es no volatil pues cuando se
desconecta la fuente de alimentación y se la vuelve a conectar, la
información no se pierde si no a{un queda almacenada.

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 Se debe cuidar el armado del circuito, por ello se debe verificar por
pasos la implementación del circuito, con la hoja de datos de la
memoria.

6. BIBLIOGRAFÍA:
 SISTEMAS DIGITALES (Thomas Floy).
 http://micropinguino.blogspot.com/search/label/Digital
 https://www.youtube.com/watch?v=DweJZKzDpnE
 López, J. (2005).Programación Shell y línea de comandos.

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